絕緣電路、絕緣電路的特性調(diào)整系統(tǒng)、絕緣電路的屏蔽裝置以及絕緣電路的特性調(diào)整方法
【專利摘要】目的在于以簡單的控制調(diào)整絕緣電路的特性。本發(fā)明的絕緣電路(1)具有：單元區(qū)域(20)，其排列有多個單元(21)，該單元(21)具有：第1導(dǎo)體(22)，其包含至少1個電容(C1、C2)；第2導(dǎo)體(23)，其與第1導(dǎo)體(22)連接，含有電感，且與共通電位短路；以及供電路(24)，其與第1導(dǎo)體(22)以及第2導(dǎo)體(23)非接觸地設(shè)置，該單元(21)以比受到單元(21)的作用的信號的波長(λ)小的尺寸構(gòu)成；至少1個供電量控制部(25)，其通過對供給至構(gòu)成單元區(qū)域(20)的各單元(21)的供電路(24)的供電量進(jìn)行控制，從而控制單元區(qū)域(20)的介電常數(shù)和磁導(dǎo)率中的某一個或兩者；以及電路部(5)，其配置在受到介電常數(shù)和所述磁導(dǎo)率的某一個或兩者的作用的位置處，使輸入側(cè)和輸出側(cè)電絕緣。
【專利說明】絕緣電路、絕緣電路的特性調(diào)整系統(tǒng)、絕緣電路的屏蔽裝置以及絕緣電路的特性調(diào)整方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及一種在輸入側(cè)和輸出側(cè)實現(xiàn)電絕緣的絕緣電路、絕緣電路的特性調(diào)整系統(tǒng)、絕緣電路的屏蔽裝置以及絕緣電路的特性調(diào)整方法。

【背景技術(shù)】
[0002]絕緣電路用于在輸入側(cè)和輸出側(cè)實現(xiàn)電絕緣。作為絕緣電路主要已知有變壓器。在專利文獻(xiàn)1中公開有關(guān)于壓電變壓器的絕緣電路的技術(shù)。圖9表示出作為絕緣電路而使用有變壓器的電路的等效電路的一個例子。在該等效電路中，具有輸入電路101、變壓器102、以及輸出電路103。輸入電路101是輸入信號的電路，輸出電路103是輸出信號的電路。此外，變壓器102是實現(xiàn)電絕緣的電路。
[0003]輸入電路101具有交流電源104和輸入阻抗105，交流電源104與信號接地SG連接。從輸入電路101供電的信號輸入至變壓器102的第1輸入端口 106。隨后，通過變壓器102的電磁f禹合的作用，信號從第1輸出端口 107輸出。隨后,信號輸入至輸出電路103。輸出電路103具有終端電阻108和電流計109。因此，信號從輸出電路103輸出。
[0004]另外，在圖9中，為了進(jìn)行DC絕緣，將信號接地SG與變壓器102的第2輸入端口110連接，將框架接地FG與第2輸出端口 111連接。此外，圖9的電容器112表示雜散電容。
[0005]專利文獻(xiàn)1:日本特開2008 - 118816號公報


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]使用絕緣電路的電路結(jié)構(gòu)通常是如圖9所示的結(jié)構(gòu)。絕緣電路通過物理的電路設(shè)計而制造，絕緣電路的功能唯一地確定。在絕緣電路中，一邊實現(xiàn)電絕緣，一邊將信號從1次側(cè)(輸入側(cè))傳遞至2次側(cè)(輸出側(cè))。因此，可使用的信號的頻率依賴于絕緣電路的設(shè)計，該信號的頻帶也處于規(guī)定的范圍內(nèi)。例如，在進(jìn)行能夠與1GHz頻帶對應(yīng)的絕緣電路的電路設(shè)計時，無法將該絕緣電路應(yīng)用于2GHz頻帶的信號。
[0007]因此，為了使用該絕緣電路傳遞2GHz頻帶的信號，需要對絕緣電路自身進(jìn)行更換。此時，由于將所要使用的絕緣電路變更為不同的電路，因此也不得不進(jìn)行基板的更換、電路圖案的變更。因此，需要對形成于基板的電路整體進(jìn)行大幅度變更。
[0008]因此，在制造出的絕緣電路中可使用的信號的頻率受到限制。這不僅針對信號的頻率，對于信號的相位也是同樣的。即，相位特性與制造出的絕緣電路相對應(yīng)地唯一確定，如果想要使絕緣電路具有不同的相位特性，則仍然需要進(jìn)行絕緣電路的更換，并不得不進(jìn)行電路整體的大幅變更。
[0009]此外，絕緣電路根據(jù)電路設(shè)計而具有固定的特性。因此，在接受絕緣電路的作用的信號中會產(chǎn)生與輸入阻抗的不匹配。尤其是在使用的頻帶的兩端處產(chǎn)生較大的不匹配。此夕卜，信號的損耗也根據(jù)絕緣電路的電路設(shè)計而被固定，有時產(chǎn)生較大的信號損耗。
[0010]如前述所示，與使用的信號的頻率等相對應(yīng)而進(jìn)行絕緣電路的電路設(shè)計。此時，如果使用的信號的頻率較低，則用于安裝絕緣電路的安裝基板的面積變大。并且，在基板的相對介電常數(shù)、多層化而成的層壓材料、板厚、由蝕刻制法而形成的懸邊/底邊所帶來的特性阻抗中產(chǎn)生波動。
[0011]因此，絕緣電路的功能唯一確定，可使用的信號也由絕緣電路的特性決定。即，絕緣電路的特性根據(jù)電路設(shè)計是固定的。假設(shè)在使用與絕緣電路的特性不相適應(yīng)的信號的情況下，該信號無法通過絕緣電路，或者信號發(fā)生明顯劣化。因此，在使用該信號的情況下，需要進(jìn)行絕緣電路的更換。
[0012]因此，本發(fā)明的目的在于以簡單的控制調(diào)整絕緣電路的特性。
[0013]為了解決以上的課題，本發(fā)明的絕緣電路具有:單元區(qū)域，其排列有多個單元，所述單元具有--第I導(dǎo)體，其包含至少I個電容；第2導(dǎo)體，其與所述第I導(dǎo)體連接，含有電感，且與共通電位短路；以及供電路，其與所述第I導(dǎo)體以及所述第2導(dǎo)體非接觸地設(shè)置，該單元以比受到所述單元的作用的信號的波長小的尺寸構(gòu)成；至少I個供電量控制部，其通過對供給至構(gòu)成所述單元區(qū)域的各單元的所述供電路的供電量進(jìn)行控制，從而控制所述單元區(qū)域的介電常數(shù)和磁導(dǎo)率的某一個或兩者；以及電路部，其配置在受到所述介電常數(shù)和所述磁導(dǎo)率的某一個或兩者的作用的位置處，使輸入側(cè)和輸出側(cè)電絕緣。
[0014]根據(jù)本發(fā)明，能夠通過對供給至供電路的供電量進(jìn)行控制，從而對單元區(qū)域及其附近的空間的介電常數(shù)、磁導(dǎo)率進(jìn)行控制。介電常數(shù)、磁導(dǎo)率發(fā)生變化的作用施加至電路部，由此，能夠控制電路部的特性。因此，無需重新設(shè)計絕緣電路，就能夠得到具有任意的特性的絕緣電路。
[0015]此外，也可以是所述供電量控制部通過使所述供電量變化，從而使所述電路部的特性變化。
[0016]通過供電量控制部使供電量變化，從而介電常數(shù)、磁導(dǎo)率發(fā)生變化，并且該作用施加至電路部。由此，電路部的特性發(fā)生變化。能夠通過使供電量變化為適當(dāng)?shù)闹?從而使電路部的特性發(fā)生變化。
[0017]此外，也可以是在所述供電量控制部中預(yù)先設(shè)定所述供電量，以使得所述電路部成為期望的特性。
[0018]能夠與電路部的特性對應(yīng)地預(yù)先設(shè)定供電量。由此，能夠使用與電路部的特性相對應(yīng)的絕緣電路。此外，預(yù)先設(shè)定的供電量能夠設(shè)定為任意的值。
[0019]此外，也可以是所述單元區(qū)域被分割為多個區(qū)域，針對每個該區(qū)域，所述供電量控制部對所述供電量進(jìn)行控制。
[0020]能夠通過將單元區(qū)域分割為多個區(qū)域，并對各區(qū)域的供電量進(jìn)行控制，從而針對每個區(qū)域使介電常數(shù)、磁導(dǎo)率發(fā)生變化。電路部具有規(guī)定的區(qū)域，能夠針對電路部的每個區(qū)域使特性發(fā)生變化。
[0021]此外，也可以是所述第I導(dǎo)體設(shè)為大致8字形狀，在該大致8字形狀的至少一個部位處形成有切縫。
[0022]能夠通過將第I導(dǎo)體的形狀設(shè)為大致8字形狀，并形成切縫，從而使第I導(dǎo)體具有電容。
[0023]此外，還可以具有:電路層，其配置有所述電路部；單元區(qū)域?qū)樱渑渲糜兴鰡卧獏^(qū)域；以及屏蔽層，其還具有所述單元區(qū)域和所述供電量控制部，且設(shè)置在與所述電路層以及所述單元區(qū)域?qū)硬煌膶?，對來自外部的噪聲進(jìn)行反射。
[0024]將絕緣電路設(shè)為多層構(gòu)造，使得具有屏蔽層。由此，通過屏蔽層的效果，能夠阻斷來自外部的噪聲，能夠確保通過絕緣電路的信號的純度。特別地，能夠通過設(shè)置屏蔽層而構(gòu)成對電路層以及單元區(qū)域?qū)拥纳蠈右约跋聦舆M(jìn)行包夾的構(gòu)造，從而進(jìn)一步阻斷來自外部的噪聲。
[0025]此外，也可以是本發(fā)明的絕緣電路的特性調(diào)整系統(tǒng)具有:前述之中的1個絕緣電路；信號檢測部，其對從所述絕緣電路輸出的信號進(jìn)行檢測；以及供電量運算部，為了向所述供電量控制部提供所述供電量的值，該供電量運算部基于所述信號檢測部的檢測結(jié)果，運算出使所述絕緣電路成為期望的特性的所述供電量的值。
[0026]通過利用信號檢測部檢測信號，并基于該檢測結(jié)果對供電量的值進(jìn)行運算并調(diào)整，從而能夠得到具有期望的特性的絕緣電路。
[0027]此外，本發(fā)明的絕緣電路的屏蔽裝置具有:前述之中的1個絕緣電路；第1屏蔽部，其配置在所述絕緣電路的外部，還具有所述單元區(qū)域和所述供電量控制部，對來自外部的噪聲進(jìn)行反射；以及第2屏蔽部，其配置在所述絕緣電路的外部，還具有所述單元區(qū)域和所述供電量控制部，對所述噪聲進(jìn)行反射，所述絕緣電路夾在所述第1屏蔽部和所述第2屏蔽部之間。
[0028]通過在絕緣電路的上方配置第1屏蔽部，以及在下方配置第2屏蔽部，從而能夠使來自外部的噪聲發(fā)生反射，能夠確保通過絕緣電路的信號的純度。
[0029]此外，本發(fā)明的芯片能夠?qū)⑶笆鲋械娜我庖粋€控制電路、絕緣電路的特性調(diào)整系統(tǒng)或者絕緣電路的屏蔽裝置單芯片化。
[0030]能夠通過將前述的各電路單芯片化在1個芯片中，從而實現(xiàn)電路尺寸的緊湊化。
[0031]此外，本發(fā)明的絕緣電路的特性調(diào)整方法包含以下步驟，S卩，對從前述的任意一個絕緣電路輸出的信號進(jìn)行檢測；為了向所述供電量控制部提供所述供電量的值，基于檢測到的所述信號的結(jié)果，運算出使所述絕緣電路成為期望的特性的所述供電量的值；以及所述供電量控制部將具有所述供電量的值的供電量供給至所述供電路。
[0032]發(fā)明的效果
[0033]本發(fā)明通過使供給至供電路的供電量發(fā)生變化，從而使單元區(qū)域及其附近的空間的介電常數(shù)、磁導(dǎo)率發(fā)生變化。介電常數(shù)、磁導(dǎo)率發(fā)生變化的作用施加至電路部，由此，電路部的特性發(fā)生變化。因此，通過使供電量變化而無需重新設(shè)計絕緣電路，從而能夠得到具有任意的特性的絕緣電路。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0034]圖1是本發(fā)明的實施方式涉及的絕緣電路的側(cè)視圖以及俯視圖。
[0035]圖2是表示單元區(qū)域的結(jié)構(gòu)的一個例子的圖。
[0036]圖3是表示單元區(qū)域的單元的結(jié)構(gòu)的圖。
[0037]圖4是在圖1的絕緣電路層疊有屏蔽區(qū)域的圖。
[0038]圖5是將圖1的絕緣電路設(shè)為4層構(gòu)造的圖。
[0039]圖6是表示絕緣電路的特性調(diào)整系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)的框圖。
[0040]圖7是表示絕緣電路的屏蔽裝置的結(jié)構(gòu)的框圖。
[0041]圖8是對將某一個電路單芯片化而得到的芯片的一個例子進(jìn)行說明的圖。
[0042]圖9是表不現(xiàn)有的絕緣電路的等效電路的圖。

【具體實施方式】
[0043]以下，對本發(fā)明的實施方式進(jìn)行說明。圖1表示本實施方式的絕緣電路I。絕緣電路I是在輸入側(cè)和輸出側(cè)實現(xiàn)電絕緣的電路。絕緣電路I由多層構(gòu)造的層疊體2而構(gòu)成。圖1的絕緣電路I形成為2層構(gòu)造，具有第I層(Layerl)和第2層(Layerf)。在第I層上層疊有第I層基板3，在第2層上層疊有第2層基板4。圖1(a)表示俯視圖，圖1(b)表示側(cè)視圖。
[0044]首先，說明第I層。第I層是形成有電路部5的電路層。電路部5形成于第I層基板3上，是將輸入側(cè)和輸出側(cè)電絕緣的電路。此處，作為電路部5而應(yīng)用所謂的馬卡德巴倫(Marchand Balun)，但只要是絕緣電路即可，能夠應(yīng)用任意的電路。因此，電路部5具有:輸入端口 10、第I線路11、第2線路12、第3線路13、第4線路14、開放端15、框架接地16、第I輸出端口 17、信號接地18、以及第2輸出端口 19。
[0045]第I線路11與第2線路12相連接，但第I線路11以及第2線路12與第3線路
13、第4線路14彼此非接觸地分離。由此，電路部5構(gòu)成絕緣電路。優(yōu)選第I線路11和第3線路13平行，第2線路12和第4線路14平行。
[0046]在第I線路11的一端連接輸入端口 10，在另一端連接第2線路12。在第2線路12的一端連接第I線路11，在另一端連接開放端15。在第3線路13的一端連接框架接地16，在另一端連接第I輸出端口 17。在第4線路14的一端連接信號接地18，在另一端連接第2輸出端口 19。由于將框架接地16連接至第3線路13，將信號接地18連接至第4線路
14,所以電路部5成為直流完全絕緣的狀態(tài)。
[0047]下面，對第2層(Layerf)進(jìn)行說明。第2層是在第2層基板4上形成單元區(qū)域20的單元區(qū)域?qū)?。?層層疊在第I層的下部，但也可以層疊在第I層的上部。此外，也可以是同層。如圖1所示，單元區(qū)域20被分割為單元區(qū)域20A、20B、20C、20D這4個區(qū)域。第I線路11?第4線路14與該4個單元區(qū)域20A?20D對應(yīng)地設(shè)置。另外，在圖1 (a)的俯視圖中，為了進(jìn)行說明，省略第I層基板3的圖示。
[0048]各單元區(qū)域20A?20D由絕緣部201十字狀地劃分形成。因此，各單元區(qū)域20A?20D之間形成為電絕緣的狀態(tài)。在圖1中，十字狀地劃分形成，但也可以通過任意方法劃分形成，此外也可以不進(jìn)行劃分形成。即，也可以僅由I個單元區(qū)域20構(gòu)成。此外，也可以將單元區(qū)域20劃分形成為大于或等于5個。
[0049]單元區(qū)域20A?20D設(shè)為大體相同的結(jié)構(gòu)，將多個單元21在縱橫方向上以2維排列。圖2表示單元區(qū)域20A的一個例子，但單元區(qū)域20B?20D也設(shè)為同樣的結(jié)構(gòu)。如該圖所示，單元區(qū)域20A的多個單元21在縱橫方向上以2維排列。單元21的排列可以是I維，也可以是3維，但此處設(shè)為在縱橫方向上以2維排列的結(jié)構(gòu)。
[0050]各單兀區(qū)域20能夠作為CRLH (Composite Right and Left Handed)構(gòu)造起作用。CRLH構(gòu)造是復(fù)合左右手構(gòu)造，是介電常數(shù)和磁導(dǎo)率為正值的RH系(右手系)，以及介電常數(shù)和磁導(dǎo)率為負(fù)值的LH系(左手系)的復(fù)合構(gòu)造。右手系的構(gòu)造進(jìn)行自然界的物質(zhì)中存在的行為，但左手系的構(gòu)造進(jìn)行自然界中不存在的行為。即，左手系構(gòu)造由人造物質(zhì)構(gòu)成。也將該左手系的構(gòu)造物稱為超材料。
[0051]各單元21的尺寸形成得極其微小。單元區(qū)域20以使第1層所配置的電路部5(絕緣電路)的特性發(fā)生變化為目的而設(shè)置。盡管各單元21的尺寸形成得極其微小，但至少要形成為比流過馬卡德巴倫的信號(高頻信號)的波長λ小的尺寸，實際中形成為比波長λ充分小的尺寸。
[0052]圖3表示出1個單元21的結(jié)構(gòu)。如該圖所示，單元21具有第1導(dǎo)體22、第2導(dǎo)體23以及供電路24。第1導(dǎo)體22是為了使表面電流流動而設(shè)置的導(dǎo)電性物質(zhì)。在第1導(dǎo)體22中含有至少1個電容。此處，為了滿足該條件，采用大致8字形狀，在上下2個部位設(shè)置間隙部(第1導(dǎo)體22的切縫)C1、C2。由間隙部Cl、C2形成電容。
[0053]第1導(dǎo)體22是導(dǎo)電性物質(zhì)，只要含有至少1個電容即可，其形狀可以應(yīng)用任意的形狀。例如可以采用大致四邊形形狀，大致三角形形狀，或規(guī)定的平面形狀。但是，無論采用任意的形狀，均要包含至少1個電容。電容只要形成在第1導(dǎo)體22的某個位置處即可，該位置沒有限定。另外，作為單元21的尺寸，可以列舉出單元的各邊的長度(例如，第1導(dǎo)體22在平面上的縱、橫的長度、1個單元21中的供電路24的長度方向的長度等)。
[0054]第2導(dǎo)體23作為通路孔(通孔)而形成，沿與圖3的紙面正交的方向延伸。在圖3中，第2導(dǎo)體23設(shè)置在第1導(dǎo)體22的大致8字形狀的交點處，但也可以設(shè)置在第1導(dǎo)體22的任意位置處。第2導(dǎo)體23與未圖示的共通電位(例如，接地)短路(短路短截線)。由此，第2導(dǎo)體23具有電感。另外，第2導(dǎo)體23只要是具有電感的導(dǎo)體即可，也可以應(yīng)用除了通路孔之外的結(jié)構(gòu)。
[0055]供電路24是流動電流的電流通路。在圖3的與紙面正交方向上，供電路24配置在與第1導(dǎo)體22不同高度的位置處。由此，第1導(dǎo)體22和供電路24成為非接觸。而且，供電路24和第2導(dǎo)體23構(gòu)成為非接觸。因此，在供電路24中至少貫穿有比第2導(dǎo)體23的直徑大的孔，第2導(dǎo)體23與供電路24非接觸地嵌合插入至該孔中。
[0056]供電量控制部25與供電路24連接。該供電量控制部25向供電路24進(jìn)行供電，在作為流出電流的電流源起作用的同時，能夠適當(dāng)?shù)乜刂乒╇娏?電流量)。在圖3中，表示出將供電量控制部25和供電路24連接而進(jìn)行供電的接觸供電，但也可以利用非接觸供電(例如，利用無線進(jìn)行的供電)進(jìn)行供電。
[0057]供電量控制部25能夠?qū)Χ鄠€單元21分別進(jìn)行供電，此外能夠使同一個供電量控制部25對多個單元21中的規(guī)定數(shù)量的單元21進(jìn)行供電。例如，也可以是將排列為1列的多個單元21的供電路24進(jìn)行連接，從同一個供電量控制部25進(jìn)行供電。供電的方法是任意的，例如可以通過電波的輻射進(jìn)行供電。此外，也可以構(gòu)成為從1個供電量控制部25向單元區(qū)域20A的所有單元21進(jìn)行供電。
[0058]因此，根據(jù)針對各單元21供電的方式，有時設(shè)置與單元21的個數(shù)相對應(yīng)的供電量控制部25，此外，有時設(shè)置比單元21的個數(shù)少的供電量控制部25。即，盡管根據(jù)供電的方式有所不同，但供電量控制部25的個數(shù)至少大于或等于1個。
[0059]通過向供電路24進(jìn)行供電，從而流出電流(可以是高頻電流，也可以是低頻電流)。由此，如圖3所示，產(chǎn)生磁場M。通過產(chǎn)生磁場M，從而在第1導(dǎo)體22流過表面電流。該表面電流的大小與供電路24的供電量(電流量)成正比。
[0060]通過在第I導(dǎo)體22中流過表面電流，從而在電容Cl、C2中積蓄電荷，并且在第2導(dǎo)體23中流過電流。由此，構(gòu)成與供電路24的供電量相對應(yīng)的具有一定的諧振頻率的LC諧振電路。因此，I個單元21構(gòu)成LC諧振電路，通過在縱橫方向上排列多個該單元21，從而形成為排列有多個LC諧振電路的狀態(tài)。
[0061]其中，各單元21配置在與相鄰的單元21靠近的位置處，但彼此非接觸地排列。由此，在I個單元21和該單元21周圍的單元21之間產(chǎn)生雜散電容。該雜散電容也構(gòu)成LC諧振電路的電容。雜散電容依賴于第I導(dǎo)體22的表面電流，因此與供電路24的供電量成正比。
[0062]如圖2所示，通過將與信號的波長λ相比充分小的微小尺寸的單元21以在2維下靠近且非接觸的方式排列多個，從而構(gòu)成具有一定面積的單元區(qū)域20Α。S卩，單元區(qū)域20Α形成為微小尺寸的LC諧振電路以陣列狀排列多個的狀態(tài)。該構(gòu)造能夠作為CRLH構(gòu)造起作用。
[0063]供電量控制部25對構(gòu)成單元區(qū)域20Α的各單元21的供電路24進(jìn)行供電。由此，在LC諧振電路中引起諧振，單元區(qū)域20Α及其附近的空間的介電常數(shù)、磁導(dǎo)率被決定。而且，供電量控制部25通過使供電量變化，從而使介電常數(shù)、磁導(dǎo)率發(fā)生變化。S卩，能夠通過對供電量進(jìn)行控制，從而控制單元區(qū)域20Α及其附近的空間的介電常數(shù)、磁導(dǎo)率。
[0064]如前述所示，單元區(qū)域20Α形成為將多個單元21作為LC諧振電路進(jìn)行排列而得到的結(jié)構(gòu)，能夠與供電量相對應(yīng)地控制介電常數(shù)、磁導(dǎo)率。因此，能夠通過對介電常數(shù)和磁導(dǎo)率中的一個或兩者進(jìn)行控制，從而向信號施加使振幅、相位、延遲等發(fā)生變化等的期望的作用。
[0065]如圖1所示，利用第2層的單元區(qū)域20Α?20D，對其附近的空間的介電常數(shù)和磁導(dǎo)率的一個或兩者進(jìn)行控制。此處，設(shè)為對介電常數(shù)進(jìn)行控制，但也可以對磁導(dǎo)率或者兩者進(jìn)行控制。如果對單元區(qū)域20Α?20D的介電常數(shù)進(jìn)行控制，則其附近的空間的介電常數(shù)發(fā)生變化。
[0066]如圖1所示，電路部5配置于第I層(Layerl)的第I層基板3。因此，電路部5配置在受到單元區(qū)域20Α?20D的介電常數(shù)、磁導(dǎo)率的作用的位置處(例如，相對于單元區(qū)域20Α?20D而言，二維或三維下的附近的位置處)。該作用施加至電路部5，電路部5的特性發(fā)生變化。即，馬卡德巴倫的特性發(fā)生變化。
[0067]另外，對于絕緣電路，其特性根據(jù)物理的電路設(shè)計而唯一地確定，所使用的信號的頻率、相位特性處于預(yù)定的范圍內(nèi)。即，通常的絕緣電路的特性是固定的。例如，在使用IGHz頻帶的電路設(shè)計的絕緣電路的情況下，不能將2GHz頻帶的信號使用于該絕緣電路中。此夕卜，相位特性也是同樣的。此外，在絕緣電路中也存在輸入/輸出阻抗特性、通過損耗特性，這些特性也根據(jù)絕緣電路的設(shè)計而是固定的。
[0068]因此，通常的絕緣電路根據(jù)其電路設(shè)計，絕緣電路的特性是固定的。因此，在使用不同特性的絕緣電路的情況下，需要進(jìn)行絕緣電路的更換。因此，在本實施方式中，無需更換絕緣電路I，而使絕緣電路的特性自由地變化。為此，通過對單元區(qū)域20和電路部5進(jìn)行層疊，使用供電量控制部25向單元區(qū)域20進(jìn)行供電，從而進(jìn)行介電常數(shù)、磁導(dǎo)率的控制。如前述所示，通過對介電常數(shù)、磁導(dǎo)率進(jìn)行控制，從而針對通過絕緣電路I的信號，使振幅、相位、延遲、阻抗、通過損耗特性等發(fā)生變化。由此，絕緣電路I的特性發(fā)生變化。
[0069]電路部5是馬卡德巴倫，從輸入端口 10輸入單相信號(單端信號)。該單相信號在第1線路11中進(jìn)行傳送。通過在第1線路11中流過單相信號，從而信號流向第2線路12，而且利用電磁耦合的作用，在第3線路13、第4線路14中流過信號。此時，在第3線路13和第4線路14這兩者中流過信號，而且，2個信號是逆相的。由此，將從輸入端口 10輸入的單相信號變換為差分信號，并從第1輸出端口 17以及第2輸出端口 19輸出。由此，實現(xiàn)馬卡德巴倫的功能。
[0070]馬卡德巴倫是絕緣電路，有時絕緣電路1的特性與1GHz頻帶的信號相對應(yīng)，而不與2GHz頻帶的信號相對應(yīng)。在該情況下，不能輸出2GHz頻帶的差分信號。因此，供電量控制部25對在供電路24中流過的供電量進(jìn)行控制。
[0071]由此，各單元區(qū)域20A?20D及其附近的介電常數(shù)、磁導(dǎo)率發(fā)生變化。通過電路部5受到該介電常數(shù)、磁導(dǎo)率的作用，從而電路部5的特性(信號的通頻帶特性)發(fā)生變化。由此，絕緣電路1能夠?qū)?GHz頻帶的單相信號變換為差分信號。即，僅通過使供電量控制部25的供電量發(fā)生變化，就能夠使絕緣電路1的特性本身發(fā)生變化。由此，能夠使絕緣電路1的特性、此處是馬卡德巴倫的特性發(fā)生變化，能夠?qū)⒉煌l帶的信號從單相信號變換為差分信號。
[0072]能夠通過使供電量控制部25的供電量發(fā)生變化，從而對單元區(qū)域20A?20D及其附近的介電常數(shù)和磁導(dǎo)率中的一個或兩者進(jìn)行控制。由此，不僅能夠使可使用的頻帶可變，還能夠?qū)π盘柕南辔惶匦?、通過時的損耗特性、輸入/輸出阻抗特性、信號的衰減特性等各種特性進(jìn)行控制。
[0073]例如，電路設(shè)計而得到的絕緣電路在輸入/輸出阻抗特性方面產(chǎn)生相當(dāng)程度的不匹配，但通過供電量控制部25使供電量發(fā)生變化，從而能夠?qū)斎?輸出阻抗特性進(jìn)行控制。由此，通過將供電量控制為最佳，從而能夠使輸入/輸出阻抗特性完全地實現(xiàn)阻抗匹配，能夠消除信號的反射。
[0074]如上所述，單元區(qū)域20分割為4個單元區(qū)域20A?20D，將各個單元區(qū)域20A?20D構(gòu)成為絕緣部，但分割數(shù)量能夠任意設(shè)定。此處，由于與第1線路11?第4線路14分別對應(yīng)而設(shè)置單元區(qū)域20A?20D，因此將分割數(shù)量設(shè)為4。因此，第1線路11的特性由單元區(qū)域20A控制，第2線路12的特性由單元區(qū)域20B控制，第3線路13的特性由單元區(qū)域20C控制，第4線路14的特性由單元區(qū)域20D控制。
[0075]如前述所示，能夠?qū)卧獏^(qū)域20的分割數(shù)量任意設(shè)定，分割后的各個單元區(qū)域利用不同的介電常數(shù)、磁導(dǎo)率進(jìn)行控制。例如，也可以將第1線路11的一半和剩余的一半控制為不同的特性。此外，單元區(qū)域20的分割方法不限于十字狀，也可以在傾斜方向上分割。但是，需要使得分割而成的單元區(qū)域構(gòu)成為絕緣部。能夠通過增多單元區(qū)域20的分割數(shù)量，從而在電路部5的各處使特性發(fā)生變化。即，能夠通過增多分割數(shù)量，從而使電路部5所具有的特性的參數(shù)的調(diào)整精度更精細(xì)。
[0076]下面，使用圖4說明第1變形例。第1變形例的絕緣電路1形成為至少3層的層疊構(gòu)造。即，第1層在第1層基板3上配置馬卡德巴倫電路，第2層在第2層基板4上配置單元區(qū)域20，第3層(Layerf)在第3層基板31上配置屏蔽區(qū)域32。屏蔽區(qū)域32采用與單元區(qū)域20相同的結(jié)構(gòu)，通過在縱橫方向上排列多個單元21，從而設(shè)為排列有多個LC諧振電路的結(jié)構(gòu)。但是，屏蔽區(qū)域32沒有設(shè)置絕緣部，沒有對區(qū)域進(jìn)行分割。
[0077]因此，在屏蔽區(qū)域32中也排列有多個單元21，能夠?qū)Ω鲉卧?1的供電量自由地控制。由此，能夠自由地控制介電常數(shù)、磁導(dǎo)率。屏蔽區(qū)域32是為了防止噪聲從外部混入而設(shè)置的。如果噪聲從外部混入，則會對通過絕緣電路I的信號造成影響。
[0078]通過控制屏蔽區(qū)域32及其附近區(qū)域的介電常數(shù)、磁導(dǎo)率，從而能夠使屏蔽區(qū)域32的折射率發(fā)生變化，使來自外部的噪聲發(fā)生反射。因此，未圖示的供電量控制部對針對各單元21的供電量進(jìn)行控制，以得到用于使來自外部的噪聲反射的介電常數(shù)、磁導(dǎo)率。由此，能夠不使對電路部5的信號的純度造成影響的噪聲混入。
[0079]圖5表示第2變形例。圖5設(shè)為4層的層疊構(gòu)造。在第I層的第I層基板3上層疊有上層屏蔽部33，在第2層的第2層基板4上層疊有電路部5。在第3層的第3層基板31上層疊有單元區(qū)域20，在第4層(Layer4)的第4層基板35上層疊有下層屏蔽部34。在第2變形例中，形成為電路部5位于層疊構(gòu)造的內(nèi)部，且電路部5以及單元區(qū)域20被夾在上層屏蔽部33和下層屏蔽部34之間的層疊構(gòu)造。另外，圖5所示的層疊構(gòu)造是4層構(gòu)造，但也可以是更多的多層構(gòu)造。對于圖1、圖4也可以同樣地設(shè)為大于或等于5層的多層構(gòu)造。
[0080]單元區(qū)域20如前述所示，使電路部5的特性發(fā)生變化。上層屏蔽部33 (上層屏蔽層)以及下層屏蔽部34(下層屏蔽層)與單元區(qū)域20同樣地，通過在縱橫方向上排列多個單元21，從而形成為排列有多個LC諧振電路的結(jié)構(gòu)。但是，上層屏蔽部33以及下層屏蔽部34沒有設(shè)置絕緣部，沒有對區(qū)域進(jìn)行分割。
[0081]單元區(qū)域20的各單元21由供電量控制部25控制供電量。由此，使電路部5的特性發(fā)生變化。上層屏蔽部33以及下層屏蔽部34相對于多個單元21，也由未圖示的供電量控制部控制供電量。由此，使上層屏蔽部33以及下層屏蔽部34具有使外部的噪聲進(jìn)行反射的這種特性。即，上層屏蔽部33以及下層屏蔽部34具有與屏蔽區(qū)域32相同的特性。
[0082]由此，由于不會向由上層屏蔽部33和下層屏蔽部34夾著的電路部5中混入來自外部的噪聲，因此由噪聲帶來的影響不會施加至電路部5的信號。在圖4所示的屏蔽區(qū)域32中，僅能夠?qū)﹄娐凡?實現(xiàn)針對I個方向的噪聲的保護(hù)，而不能實現(xiàn)針對相反方向的噪聲的保護(hù)。
[0083]因此，通過將電路部5夾在上層屏蔽部33和下層屏蔽部34之間，從而能夠?qū)﹄娐凡?進(jìn)行針對雙向的噪聲的保護(hù)。通過對上層屏蔽部33以及下層屏蔽部34的各單元21的供電量進(jìn)行控制，以使來自外部的噪聲進(jìn)行反射，從而能夠大體完全地保護(hù)電路部5的信號。
[0084]下面，參照圖6說明第3變形例。在第3變形例中，能夠自動地將絕緣電路I的特性調(diào)整為最佳。該圖表示絕緣電路的特性調(diào)整系統(tǒng)40。該絕緣電路的特性調(diào)整系統(tǒng)40具有:絕緣電路1、輸入端41、衰減器42、輸出端43、信號檢測部44、特性控制部45以及供電量控制部46。此外，特性控制部45具有:調(diào)整量運算部47、供電量運算部48以及衰減器控制部49 ο
[0085]絕緣電路I也可以應(yīng)用圖1所示的絕緣電路1、圖4所示的絕緣電路1、圖5所示的絕緣電路I中的某一者。但是，進(jìn)行供電量的調(diào)整是針對單元區(qū)域20A?20D的，為了使電路部5的特性發(fā)生變化而進(jìn)行調(diào)整。從輸入端41輸入信號S。衰減器42是可變衰減器，信號S通過衰減器42進(jìn)行規(guī)定量的衰減。而且，信號S輸入至絕緣電路I。
[0086]從絕緣電路1輸出的信號S是從輸出端43輸出的。此時，信號S也向信號檢測部44輸入。信號檢測部44對信號S的電平(信號的振幅、功率等)進(jìn)行檢測。其中，信號S的信號電平是信號檢測部44的檢測結(jié)果。檢測到的信號電平輸入至特性控制部45的調(diào)整量運算部47。在調(diào)整量運算部47中，對檢測到的信號電平進(jìn)行識別。
[0087]從輸出端43輸出的信號S的信號電平需要設(shè)為規(guī)定的信號電平。例如，如果由于絕緣電路1發(fā)生輸入/輸出阻抗的不匹配，在信號S中發(fā)生反射，則在信號電平中產(chǎn)生損耗。因此，調(diào)整量運算部47向供電量運算部48輸出該情況。隨后，供電量運算部48運算出使得絕緣電路1的輸入/輸出阻抗匹配的供電量的值。另外，在信號S的信號電平并不很高的情況下，無需使衰減器42的衰減量發(fā)生變化。
[0088]運算出的供電量的值輸入至供電量控制部46，由供電量控制部46向絕緣電路1的供電路24供電。由此，單元區(qū)域20A?20D及其附近的介電常數(shù)也發(fā)生變化，能夠?qū)崿F(xiàn)阻抗的匹配。因此，從絕緣電路1輸出的信號S的信號電平也不會衰減而變高。由此，絕緣電路1輸入/輸出阻抗成為期望的阻抗，因此能夠從輸出端43輸出目標(biāo)信號電平的信號S。
[0089]另一方面，有時從輸入端41輸入的信號S的信號電平過高。在該情況下,在信號檢測部44中檢測到高信號電平。也能夠通過控制向單元區(qū)域20A?20D的各單元21的供電量，從而使信號電平降低。但是，由于與絕緣電路1相比，衰減器42能夠使信號電平更大程度地降低，因此在使信號電平降低的幅度較大的情況下，使用衰減器42。
[0090]為此，調(diào)整量運算部47在使信號S的信號電平降低幅度較大的情況下，將信號電平的降低幅度(衰減量)向衰減器控制部49通知。衰減器控制部49由此控制衰減器42。因此，信號S通過衰減器42進(jìn)行規(guī)定量的衰減。隨后，衰減后的信號S輸入至絕緣電路1。
[0091]調(diào)整量運算部47在衰減器42中進(jìn)行了較大程度的衰減后，進(jìn)一步識別使信號S進(jìn)行衰減的量。該衰減是在絕緣電路1的單元區(qū)域20A?20D進(jìn)行的。供電量運算部48運算出為此的供電量的值，供電量控制部46向各單元21進(jìn)行供電。由此，能夠?qū)⑿盘朣設(shè)為期望的信號電平，并從輸出端43輸出。
[0092]能夠?qū)^緣電路1的單元區(qū)域20A?20D的各單元21的供電量進(jìn)行控制，但利用衰減器42進(jìn)行衰減能夠得到大的衰減量。因此，能夠通過利用衰減器42使信號電平較大程度地衰減，且利用絕緣電路1細(xì)微地進(jìn)行信號電平的調(diào)整，從而將信號S的信號電平設(shè)為期望的電平。
[0093]另外，特性控制部45例如能夠利用未圖示的外部的計算機(jī)實現(xiàn)。即，將信號檢測部44的檢測值自動或手動導(dǎo)入計算機(jī)，并基于該檢測值利用計算機(jī)運算供電量的值或衰減器42的衰減量的值。隨后，這些值從計算機(jī)自動或手動導(dǎo)入至供電量控制部46或衰減器42。
[0094]因此，能夠通過控制單元區(qū)域20A?20D的各單元21的供電量，從而使絕緣電路1的特性發(fā)生各種變化。例如，能夠使用任意的頻帶的信號，能夠自由地調(diào)整輸入/輸出阻抗，也能夠進(jìn)行衰減量的控制。而且，如圖6所示，能夠通過信號檢測部44對信號S進(jìn)行檢測，特性控制部45對供電量控制部46的供電量進(jìn)行控制，從而自動地得到期望的絕緣電路1的特性。
[0095]另外，在圖6中，能夠自動地得到期望(最佳)的絕緣電路1的特性，但需要絕緣電路1的特性調(diào)整系統(tǒng)40。關(guān)于該點，如果能夠預(yù)先識別出絕緣電路1的期望的特性，則無需使用絕緣電路I的特性調(diào)整系統(tǒng)40。例如，在使用2GHz頻帶的信號的情況下，通過在圖3的供電量控制部25中設(shè)定與該2GHz頻帶對應(yīng)的供電量，從而能夠得到與目標(biāo)相對應(yīng)的絕緣電路I的特性。
[0096]S卩，也能夠無需自動調(diào)整絕緣電路I的特性，而預(yù)先設(shè)定出期望的絕緣電路I的特性。例如，在接下來使用IGHz頻帶的信號的情況下，能夠通過在圖3的供電量控制部25中設(shè)定與IGHz頻帶相對應(yīng)的供電量，從而使用與IGHz頻帶相對應(yīng)的絕緣電路I。另外，在分別設(shè)計IGHz頻帶用的絕緣電路和2GHz頻帶用的絕緣電路的情況下，也能夠通過對向各個供電量控制部25設(shè)定的供電量進(jìn)行相應(yīng)的變更而實現(xiàn)，因此，能夠使設(shè)計作業(yè)變得容易。
[0097]下面，參照圖7說明第4變形例。第4變形例是實現(xiàn)絕緣電路I的保護(hù)的絕緣電路的屏蔽裝置50的例子。如該圖所示，絕緣電路I夾在第I屏蔽部51和第2屏蔽部52之間。在絕緣電路I的環(huán)境下存在噪聲N，該噪聲N會對絕緣電路I的信號造成影響。
[0098]因此，利用第I屏蔽部51以及第2屏蔽部52對噪聲N進(jìn)行反射。第I屏蔽部51以及第2屏蔽部52如圖1所示的單元區(qū)域20這樣，在縱橫方向上排列有多個單元21。但是，無需設(shè)置絕緣部。因此，能夠通過控制供電量控制部25的供電量，從而調(diào)整第I屏蔽部51以及第2屏蔽部52的特性。
[0099]該特性的調(diào)整通過以下的動作進(jìn)行。噪聲N輸入至屏蔽控制裝置53的天線61。輸入至天線61中的噪聲N由頻率解析部62對頻率進(jìn)行解析，如果是不會對絕緣電路I的信號造成影響的噪聲N，則無需進(jìn)行特別的動作。即，也可以構(gòu)成為使噪聲N透過第I屏蔽部51以及第2屏蔽部52。
[0100]另一方面，在由頻率解析部62解析出噪聲N是會對絕緣電路I的信號造成影響的頻率時，電平檢測部63對由天線61檢測到的噪聲N的電平進(jìn)行檢測。隨后，供電量運算部64通過對第I屏蔽部51以及第2屏蔽部52的折射率進(jìn)行控制，從而運算出能夠?qū)υ肼昇進(jìn)行充分反射而阻斷噪聲N這樣的供電量的值。隨后，將運算出的供電量的值輸出至供電量控制部65。
[0101]供電量控制部65供給針對第I屏蔽部51以及第2屏蔽部52的各單元21運算出的供電量。由此，第I屏蔽部51以及第2屏蔽部52通過對介電常數(shù)的控制，從而折射率發(fā)生變化而對噪聲N進(jìn)行反射。由此，由噪聲N造成的影響不會施加至第I屏蔽部51和第2屏蔽部52之間的絕緣電路I的信號。
[0102]另外，圖7的絕緣電路的屏蔽裝置50與在圖5中所說明的上層屏蔽部33以及下層屏蔽部34具有相同的功能。即，針對噪聲N對在上層屏蔽部33(第I屏蔽部51)和下層屏蔽部34(第2屏蔽部52)之間夾著的絕緣電路I進(jìn)行保護(hù)。在這個意義上，具有相同的功能。
[0103]因此，也可以將圖7的屏蔽控制裝置53與圖5的上層屏蔽部33以及下層屏蔽部34連接。在該情況下，也能夠自動地具有對絕緣電路I進(jìn)行保護(hù)的最佳的屏蔽效果。
[0104]下面，參照圖8，說明第5變形例。前述的絕緣電路1、絕緣電路的特性調(diào)整系統(tǒng)40以及絕緣電路的屏蔽裝置50能夠使用介電常數(shù)較高的基板而單芯片化。能夠通過使用介電常數(shù)高的基板，從而將單片化的芯片小型化。此時，可以將絕緣電路I以及絕緣電路的特性調(diào)整系統(tǒng)40的全部單芯片化，也可以將一部分單芯片化。
[0105]圖8的芯片80表示出將絕緣電路的特性調(diào)整系統(tǒng)40單芯片化而得到的芯片80的例子。芯片80除了前述的輸入端41和輸出端43之外，還具有第I控制端口 81和第2控制端口 82。從輸入端41輸入信號S，從輸出端43輸出信號S。信號S能夠通過絕緣電路I，而從輸出端43輸出。
[0106]如前述所示，設(shè)有用于對各單元21的供電路24的供電量進(jìn)行控制的供電量控制部46。供電量控制部25是用于供給電流的電流源，能夠通過設(shè)置于第I控制端口 81或第2控制端口 82的端口(供電端口 )而實現(xiàn)該供電量控制部25。
[0107]另外，在芯片80 中包含 CPU、ALC(Automatic Level Control)、可變衰減器、VCO(Voltage Controlled Oscillator)、PLL(Phase locked loop)、功率分配合成器(PowerDivider/Combiner)、天線等的情況下,將用于控制這些器件的端口設(shè)置于第I控制端口 81或第2控制端口 82。
[0108]另外，以上的說明只不過是以本發(fā)明的說明和例示為目的的特定的優(yōu)選實施例。因此本發(fā)明不限于上述實施例，在不脫離其本質(zhì)的范圍內(nèi)包含更多的變更、變形。
[0109]本申請基于2012年6月12日提出的日本專利申請(日本特愿2012 — 132443)，在這里，作為參照而引用其內(nèi)容。
[0110]標(biāo)號的說明
[0111]I絕緣電路
[0112]2層疊體
[0113]5電路部
[0114]10輸入端口
[0115]11 第I線路
[0116]12 第2線路
[0117]13 第3線路
[0118]14 第4線路
[0119]20 單元區(qū)域
[0120]201絕緣部
[0121]21 單元
[0122]22 導(dǎo)體
[0123]23 通路孔
[0124]24 供電路
[0125]25 供電量控制部
[0126]32 屏蔽區(qū)域
[0127]33 上層屏蔽部
[0128]34 下層屏蔽部
[0129]40 絕緣電路的特性調(diào)整系統(tǒng)
[0130]44 信號檢測部
[0131]45 特性控制部
[0132]46 供電量控制部
[0133]47 調(diào)整量運算部
[0134]48 供電量運算部
[0135]50絕緣電路的屏蔽裝置
[0136]51第1屏蔽部
[0137]52第2屏蔽部
[0138]53屏蔽控制裝置
[0139]65供電量控制部
[0140]80芯片
【權(quán)利要求】
1.一種絕緣電路，其具有: 單元區(qū)域，其排列有多個單元，所述單元具有第I導(dǎo)體、第2導(dǎo)體及供電路，該第I導(dǎo)體包含至少I個電容，該第2導(dǎo)體與所述第I導(dǎo)體連接，包含電感，且與共通電位短路，該供電路與所述第I導(dǎo)體以及所述第2導(dǎo)體非接觸地設(shè)置，該單元以比受到所述單元的作用的信號的波長小的尺寸構(gòu)成； 至少I個供電量控制部，其通過對供給至構(gòu)成所述單元區(qū)域的各單元的所述供電路的供電量進(jìn)行控制，從而控制所述單元區(qū)域的介電常數(shù)和磁導(dǎo)率中的某一個或兩者；以及電路部，其配置在受到所述介電常數(shù)和所述磁導(dǎo)率中的某一個或兩者的作用的位置處，使輸入側(cè)和輸出側(cè)電絕緣。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣電路，其中， 所述供電量控制部通過使所述供電量變化，從而使所述電路部的特性變化。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的絕緣電路，其中， 在所述供電量控制部中預(yù)先設(shè)定所述供電量，以使得所述電路部成為期望的特性。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的絕緣電路，其中， 所述單元區(qū)域被分割為多個區(qū)域，針對每個該區(qū)域，所述供電量控制部對所述供電量進(jìn)行控制。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的絕緣電路，其中， 所述第I導(dǎo)體設(shè)為大致8字形狀，在該大致8字形狀的至少一個部位處形成有切縫。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的絕緣電路，其中，具有: 電路層，其配置有所述電路部； 單元區(qū)域?qū)?，其配置有所述單元區(qū)域；以及 屏蔽層，其還具有所述單元區(qū)域和所述供電量控制部，且設(shè)置在與所述電路層以及所述單元區(qū)域?qū)硬煌膶樱瑢碜酝獠康脑肼曔M(jìn)行反射。
7.一種絕緣電路的特性調(diào)整系統(tǒng)，其具有: 權(quán)利要求1至6中任一項所述的絕緣電路； 信號檢測部，其對從所述絕緣電路輸出的信號進(jìn)行檢測；以及供電量運算部，為了向所述供電量控制部提供所述供電量的值，基于所述信號檢測部的檢測結(jié)果，運算出使所述絕緣電路成為期望的特性的所述供電量的值。
8.—種絕緣電路的屏蔽裝置，其具有: 權(quán)利要求1至5中任一項所述的絕緣電路； 第I屏蔽部，其配置在所述絕緣電路的外部，還具有所述單元區(qū)域和所述供電量控制部，對來自外部的噪聲進(jìn)行反射；以及 第2屏蔽部，其配置在所述絕緣電路的外部，還具有所述單元區(qū)域和所述供電量控制部，對所述噪聲進(jìn)行反射， 所述絕緣電路夾在所述第I屏蔽部和所述第2屏蔽部之間。
9.一種芯片，其是將權(quán)利要求1至6中任一項所述的絕緣電路、權(quán)利要求7所述的絕緣電路的特性調(diào)整系統(tǒng)、或權(quán)利要求8所述的絕緣電路的屏蔽裝置單芯片化而得到的。
10.一種絕緣電路的特性調(diào)整方法，其中，包含以下步驟，即， 對從權(quán)利要求1至6中任一項所述的絕緣電路輸出的信號進(jìn)行檢測； 為了向所述供電量控制部提供所述供電量的值，基于檢測到的所述信號的結(jié)果，運算出使所述絕緣電路成為期望的特性的所述供電量的值；以及 所述供電量控制部將具有所述供電量的值的供電量供給至所述供電路。
【文檔編號】H01P1/20GK104380525SQ201380031183
【公開日】2015年2月25日 申請日期:2013年5月24日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月12日
【發(fā)明者】望月聰 申請人:橫河電機(jī)株式會社