移動(dòng)體裝置、曝光裝置以及器件制造方法
【專利摘要】載臺(tái)裝置包括載臺(tái)(WST、MST)和平面馬達(dá)，所述載臺(tái)能夠在載臺(tái)底座上沿XY平面移動(dòng)，所述平面馬達(dá)具有設(shè)置在各個(gè)載臺(tái)(WST、MST)上的第一和第二磁鐵單元(51A、51B)、以及包括二維排列在載臺(tái)底座上的多個(gè)線圈的線圈單元(60)，并且所述平面馬達(dá)通過(guò)由于與磁鐵單元(51A、51B)之間的電磁相互作用而產(chǎn)生的驅(qū)動(dòng)力來(lái)驅(qū)動(dòng)載臺(tái)(WST、MST)。按照以下方式來(lái)確定磁鐵的布局：在載臺(tái)(WST、MST)在載臺(tái)底座上在Y軸方向上相互接近至預(yù)定距離以內(nèi)或者接觸的狀態(tài)下，構(gòu)成磁鐵單元(51A)的磁鐵和構(gòu)成磁鐵單元(51B)的磁鐵不同時(shí)與構(gòu)成線圈單元的同一個(gè)線圈(38)相對(duì)。
【專利說(shuō)明】移動(dòng)體裝置、曝光裝置以及器件制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及移動(dòng)體裝置、曝光裝置以及器件制造方法，尤其涉及具有由平面馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的兩個(gè)移動(dòng)體的移動(dòng)體裝置、具有該移動(dòng)體裝置的曝光裝置、以及使用該曝光裝置的器件制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]以往，在制造半導(dǎo)體元件(集成電路等)、液晶顯示元件等的電子器件(微器件)的光刻工序中，使用各種曝光裝置。例如，作為用于制造半導(dǎo)體元件的曝光裝置，已知有經(jīng)由光學(xué)系統(tǒng)和液體對(duì)晶片進(jìn)行曝光的液浸曝光裝置。作為這種曝光裝置，例如已知有具有載置晶片的晶片載臺(tái)和設(shè)置有測(cè)量部件的測(cè)量用載臺(tái)這種類型的液浸曝光裝置(例如參照專利文獻(xiàn)1)、和具有兩個(gè)晶片載臺(tái)的雙晶片載臺(tái)類型的液浸曝光裝置(例如參照專利文獻(xiàn)2)等。
[0003]在專利文獻(xiàn)1公開(kāi)的液浸曝光裝置中，為了始終在投影光學(xué)系統(tǒng)的正下方保持液浸區(qū)域，在測(cè)量用載臺(tái)和晶片載臺(tái)接觸或者接近(相隔預(yù)定距離以內(nèi))的狀態(tài)下在兩者之間進(jìn)行液浸區(qū)域的轉(zhuǎn)移。另外，在專利文獻(xiàn)2公開(kāi)的液浸曝光裝置中，出于同樣的目的，在兩個(gè)晶片載臺(tái)相互接觸或者接近(相隔預(yù)定距離以內(nèi))的狀態(tài)下在兩者之間進(jìn)行液浸區(qū)域的轉(zhuǎn)移。
[0004]但是，晶片載臺(tái)隨著晶片的大型化而大型化，作為今后晶片載臺(tái)的驅(qū)動(dòng)源，平面馬達(dá)被認(rèn)為是有希望的。但是，在與專利文獻(xiàn)1、2等公開(kāi)的類型相同的液浸曝光裝置中采用平面馬達(dá)、特別是動(dòng)磁型平面馬達(dá)來(lái)作為晶片載臺(tái)等的驅(qū)動(dòng)源的情況下，當(dāng)用于上述液浸區(qū)域的轉(zhuǎn)移的兩個(gè)載臺(tái)接近了時(shí)，兩個(gè)載臺(tái)各自具有的磁鐵與同一線圈相對(duì)，由該線圈產(chǎn)生的電場(chǎng)(磁場(chǎng))作用在兩個(gè)載臺(tái)的磁鐵上(例如電磁相互作用)，從而可能會(huì)導(dǎo)致難以獨(dú)立、穩(wěn)定地驅(qū)動(dòng)兩個(gè)晶片載臺(tái)。
[0005]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0006]專利文獻(xiàn)
[0007]專利文獻(xiàn)1:美國(guó)專利申請(qǐng)公開(kāi)第2008/0088843號(hào)說(shuō)明書(shū)
[0008]專利文獻(xiàn)2:美國(guó)專利申請(qǐng)公開(kāi)第2011/0025998號(hào)說(shuō)明書(shū)
【發(fā)明內(nèi)容】
[0009]用于解決問(wèn)題的手段
[0010]根據(jù)本發(fā)明的第一方式，提供第一移動(dòng)體裝置，其包括:第一移動(dòng)體，其能夠在載臺(tái)底座上沿二維平面移動(dòng)；第二移動(dòng)體，其能夠在所述載臺(tái)底座上與所述第一移動(dòng)體獨(dú)立地沿二維平面移動(dòng)；以及平面馬達(dá)，其具有第一磁鐵單元、第二磁鐵單元、以及線圈單元，所述第一磁鐵單元包括設(shè)置在所述第一移動(dòng)體上的多個(gè)磁鐵，所述第二磁鐵單元包括設(shè)置在所述第二移動(dòng)體上的多個(gè)磁鐵，所述線圈單元包括二維排列在所述載臺(tái)底座上的多個(gè)線圈，通過(guò)由于所述第一磁鐵單元和所述線圈單元之間的電磁相互作用而產(chǎn)生的驅(qū)動(dòng)力來(lái)驅(qū)動(dòng)所述第一移動(dòng)體，通過(guò)由于所述第二磁鐵單元和所述線圈單元之間的電磁相互作用而產(chǎn)生的驅(qū)動(dòng)力來(lái)驅(qū)動(dòng)所述第二移動(dòng)體；根據(jù)所述線圈單元的線圈的大小和配置來(lái)確定所述第一和第二磁鐵單元各自的周邊部的多個(gè)磁鐵在所述第一或第二移動(dòng)體上的配置，使得在所述第一移動(dòng)體和所述第二移動(dòng)體位于所述載臺(tái)底座上的預(yù)定范圍內(nèi)并在與所述二維平面相平行的第一方向上相互接近至預(yù)定距離以內(nèi)或者接觸的第一狀態(tài)下、并且在所述第一移動(dòng)體和所述第二移動(dòng)體在所述二維平面內(nèi)在與所述第一方向相垂直的第二方向上至少具有預(yù)定的位置關(guān)系的狀態(tài)下，構(gòu)成所述第一磁鐵單元的磁鐵和構(gòu)成所述第二磁鐵單元的磁鐵不同時(shí)與構(gòu)成所述線圈單元的同一個(gè)第一方向驅(qū)動(dòng)用線圈相對(duì)。
[0011]由此，能夠在預(yù)定的平面內(nèi)相互獨(dú)立且穩(wěn)定地驅(qū)動(dòng)第一和第二移動(dòng)體。
[0012]根據(jù)本發(fā)明的第二方式，提供第二移動(dòng)體裝置，其包括:第一移動(dòng)體，其能夠在載臺(tái)底座上沿二維平面移動(dòng)；第二移動(dòng)體，其能夠在所述載臺(tái)底座上與所述第一移動(dòng)體獨(dú)立地沿二維平面移動(dòng)；以及平面馬達(dá)，其具有第一磁鐵單元、第二磁鐵單元、以及線圈單元，所述第一磁鐵單元包括設(shè)置在所述第一移動(dòng)體上的多個(gè)磁鐵，所述第二磁鐵單元包括設(shè)置在所述第二移動(dòng)體上的多個(gè)磁鐵，所述線圈單元包括二維排列在所述載臺(tái)底座上的多個(gè)線圈，通過(guò)由于所述第一磁鐵單元和所述線圈單元之間的電磁相互作用而產(chǎn)生的驅(qū)動(dòng)力來(lái)驅(qū)動(dòng)所述第一移動(dòng)體，通過(guò)由于所述第二磁鐵單元和所述線圈單元之間的電磁相互作用而產(chǎn)生的驅(qū)動(dòng)力來(lái)驅(qū)動(dòng)所述第二移動(dòng)體；根據(jù)所述線圈單元的線圈的大小和配置來(lái)確定所述第一和第二磁鐵單元各自的周邊部的多個(gè)磁鐵在所述第一或第二移動(dòng)體上的配置，使得在所述第一移動(dòng)體和所述第二移動(dòng)體位于所述載臺(tái)底座上的預(yù)定范圍內(nèi)并在與所述二維平面相平行的第一方向上相互接近至預(yù)定距離以內(nèi)或者接觸的第一狀態(tài)下、并且在所述第一移動(dòng)體和所述第二移動(dòng)體在所述二維平面內(nèi)至少在與所述第一方向相垂直的第二方向上具有預(yù)定的位置關(guān)系的狀態(tài)下，在構(gòu)成所述線圈單元的預(yù)定的線圈所產(chǎn)生的磁場(chǎng)和構(gòu)成所述第一磁鐵單元的磁鐵之間產(chǎn)生電磁相互作用，在所述預(yù)定的線圈所產(chǎn)生的所述磁場(chǎng)和構(gòu)成所述第二磁鐵單元的磁鐵之間不產(chǎn)生電磁相互作用。
[0013]由此，能夠在預(yù)定的平面內(nèi)相互獨(dú)立且穩(wěn)定地驅(qū)動(dòng)第一和第二移動(dòng)體。
[0014]根據(jù)本發(fā)明的第三方式，提供第三移動(dòng)體裝置，其包括:第一移動(dòng)體，其能夠在載臺(tái)底座上沿二維平面移動(dòng)；第二移動(dòng)體，其能夠在所述載臺(tái)底座上與所述第一移動(dòng)體獨(dú)立地沿二維平面移動(dòng)；以及平面馬達(dá)，其具有第一磁鐵單元、第二磁鐵單元、以及線圈單元，所述第一磁鐵單元包括設(shè)置在所述第一移動(dòng)體上的多個(gè)磁鐵，所述第二磁鐵單元包括設(shè)置在所述第二移動(dòng)體上的多個(gè)磁鐵，所述線圈單元包括二維排列在所述載臺(tái)底座上的多個(gè)線圈，通過(guò)由于所述第一磁鐵單元和所述線圈單元之間的電磁相互作用而產(chǎn)生的驅(qū)動(dòng)力來(lái)驅(qū)動(dòng)所述第一移動(dòng)體，通過(guò)由于所述第二磁鐵單元和所述線圈單元之間的電磁相互作用而產(chǎn)生的驅(qū)動(dòng)力來(lái)驅(qū)動(dòng)所述第二移動(dòng)體；在與所述二維平面相平行的第一方向上，從所述第一移動(dòng)體的一側(cè)的端部到所述第一磁鐵單元的所述一側(cè)的端部的距離與從所述第二移動(dòng)體的另一側(cè)的端部到所述第二磁鐵單元的所述另一側(cè)的端部的距離之和大于等于所述第一方向上的至少一個(gè)所述線圈的長(zhǎng)度。
[0015]由此，能夠在預(yù)定的平面內(nèi)相互獨(dú)立且穩(wěn)定地驅(qū)動(dòng)第一和第二移動(dòng)體。
[0016]根據(jù)本發(fā)明的第四方式，提供曝光裝置，其經(jīng)由光學(xué)系統(tǒng)和液體并通過(guò)能量束對(duì)物體進(jìn)行曝光，并且包括:在所述第一和第二移動(dòng)體的至少一者上載置所述物體的、上述第一和第二移動(dòng)體裝置中的一者；以及向所述光學(xué)系統(tǒng)的正下方供應(yīng)液體并在所述光學(xué)系統(tǒng)和所述第一及第二移動(dòng)體中的至少一者之間形成液浸區(qū)域的液浸裝置；當(dāng)所述第一和第二移動(dòng)體處于所述第一狀態(tài)時(shí)，在兩者之間進(jìn)行所述液浸區(qū)域的轉(zhuǎn)移。
[0017]由此，能夠?qū)⒌谝缓偷诙苿?dòng)體之間的間隙尺寸維持為恒定，由此能夠防止兩個(gè)移動(dòng)體之間的沖突、以及液體從兩者的間隙泄露出來(lái)。
[0018]根據(jù)本發(fā)明的第五方式，提供器件制造方法，其包括:通過(guò)上述曝光裝置對(duì)感應(yīng)物體進(jìn)行曝光；以及對(duì)被曝光了的所述物體進(jìn)行顯像。
【專利附圖】
【附圖說(shuō)明】
[0019]圖1是簡(jiǎn)要地表示一個(gè)實(shí)施方式的曝光裝置的結(jié)構(gòu)的圖。
[0020]圖2是表示圖1的載臺(tái)裝置的俯視圖。
[0021]圖3是放大表示圖2的測(cè)量用載臺(tái)的俯視圖。
[0022]圖4是用于說(shuō)明晶片載臺(tái)和測(cè)量用載臺(tái)接近或者接觸的狀態(tài)下的線圈單元和磁鐵單元的位置關(guān)系的圖。
[0023]圖5是通過(guò)仰視圖來(lái)表示圖4的狀態(tài)下的晶片載臺(tái)和測(cè)量用載臺(tái)的圖。
[0024]圖6是表示以一個(gè)實(shí)施方式的曝光裝置的控制系統(tǒng)為中心構(gòu)成的主控制裝置的輸入輸出關(guān)系的框圖。
[0025]圖7是用于說(shuō)明一個(gè)實(shí)施方式的曝光裝置的動(dòng)作的圖。
[0026]圖8是用于說(shuō)明第一變形例的圖。
[0027]圖9是用于說(shuō)明第二變形例的圖。
【具體實(shí)施方式】
[0028]以下，基于圖1至圖7來(lái)說(shuō)明一個(gè)實(shí)施方式。
[0029]在圖1中，簡(jiǎn)要地表示了一個(gè)實(shí)施方式的曝光裝置100的結(jié)構(gòu)。該曝光裝置100是步進(jìn)掃描式的掃描型曝光裝置、即所謂的掃描儀。如后所述，在本實(shí)施方式中，設(shè)置有投影光學(xué)系統(tǒng)PL,以下將與該投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光軸AX平行的方向設(shè)為Z軸方向，將在與Z軸方向垂直的平面內(nèi)相對(duì)掃描標(biāo)線片和晶片的方向設(shè)為Y軸方向，將與Z軸和Y軸垂直的方向設(shè)為X軸方向，并將圍繞X軸、Y軸、Z軸旋轉(zhuǎn)(傾斜)的方向分別設(shè)為θχ、0y、θ ζ方向來(lái)進(jìn)行說(shuō)明。
[0030]曝光裝置100包括:照明系統(tǒng)ILS ;標(biāo)線片載臺(tái)RST，其保持標(biāo)線片R并向預(yù)定的掃描方向(這里，是圖1中的紙面上的左右方向、即Υ軸方向)移動(dòng)，其中，所述標(biāo)線片R通過(guò)來(lái)自所述照明系統(tǒng)ILS的曝光用照明光(以下簡(jiǎn)稱為照明光)IL而被照明；投影單元其包括投影光學(xué)系統(tǒng)PL，所述投影光學(xué)系統(tǒng)PL將從標(biāo)線片R射出的照明光IL投射到晶片W上；載臺(tái)裝置150，其包括載置晶片W的晶片載臺(tái)WST和用于測(cè)量曝光的測(cè)量用載臺(tái)MST ；以及上述各部件的控制系統(tǒng)等。
[0031]照明系統(tǒng)ILS例如如美國(guó)專利申請(qǐng)公開(kāi)第2003/0025890號(hào)說(shuō)明書(shū)等所公開(kāi)的那樣包括光源和照明光學(xué)系統(tǒng)，其中所述照明光學(xué)系統(tǒng)具有包括光學(xué)積分器等的照度均勻化光學(xué)系統(tǒng)和標(biāo)線片遮簾(reticle blind)等(均未圖示)。照明系統(tǒng)ILS通過(guò)照明光(曝光用光)IL以大致均勻的照度對(duì)通過(guò)標(biāo)線片遮簾(也稱為光罩(masking)系統(tǒng))設(shè)定(限制)的標(biāo)線片R上的狹縫狀的照明區(qū)域IAR進(jìn)行照明。這里，作為照明光IL的一個(gè)例子，使用ArF準(zhǔn)分子激光(波長(zhǎng)193nm)。
[0032]在其圖案面(圖1中的下表面)上形成了電路圖案等的標(biāo)線片R例如通過(guò)真空吸附被固定在標(biāo)線片載臺(tái)RST上。標(biāo)線片載臺(tái)RST例如能夠由包括線性馬達(dá)等的標(biāo)線片載臺(tái)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)55在XY平面內(nèi)微小地驅(qū)動(dòng)，并且能夠以指定的掃描速度向預(yù)定的掃描方向(這里，是圖1中的紙面上的左右方向、即Y軸方向)驅(qū)動(dòng)。
[0033]標(biāo)線片載臺(tái)RST的XY平面內(nèi)的位置信息(包括θ ζ方向的旋轉(zhuǎn)信息)始終由標(biāo)線片激光干涉儀(以下稱為“標(biāo)線片干涉儀”)52經(jīng)由移動(dòng)鏡65 (實(shí)際上，設(shè)置有Y移動(dòng)鏡(或激光反射器(retro reflector))和X移動(dòng)鏡，所述Y移動(dòng)鏡具有與Y軸方向垂直的反射面，所述X移動(dòng)鏡具有與X軸方向垂直的反射面)例如以0.25nm左右的分辨能力進(jìn)行檢測(cè)。將標(biāo)線片干涉儀52的測(cè)量值發(fā)送給主控制裝置20，在主控制裝置20中，基于標(biāo)線片干涉儀52的測(cè)量值，經(jīng)由標(biāo)線片載臺(tái)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)55控制標(biāo)線片載臺(tái)RST在X軸方向、Y軸方向、以及ΘΖ方向(圍繞Ζ軸的旋轉(zhuǎn)方向)上的位置(和速度)。
[0034]由TTR(Through The Reticle,經(jīng)由標(biāo)線片)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)構(gòu)成的一對(duì)標(biāo)線片對(duì)準(zhǔn)檢測(cè)系統(tǒng)RAa、RAb在X軸方向上間隔預(yù)定的距離而設(shè)置在標(biāo)線片R的上方，所述TTR對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)使用用于經(jīng)由投影光學(xué)系統(tǒng)PL同時(shí)觀察以下標(biāo)記的、曝光波長(zhǎng)的光，所述標(biāo)記是標(biāo)線片R上的一對(duì)標(biāo)線片對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記和與其對(duì)應(yīng)的、設(shè)置在測(cè)量用載臺(tái)MST上的基準(zhǔn)標(biāo)記板FM(參照?qǐng)D2等)上的一對(duì)基準(zhǔn)標(biāo)記(以下稱為“第一基準(zhǔn)標(biāo)記”)。作為標(biāo)線片對(duì)準(zhǔn)檢測(cè)系統(tǒng)RAa、RAb，例如使用結(jié)構(gòu)與美國(guó)專利第5，646，413號(hào)說(shuō)明書(shū)等公開(kāi)的結(jié)構(gòu)相同的系統(tǒng)。
[0035]在圖1中，投影單元TO配置在標(biāo)線片載臺(tái)RST的下方。投影單元TO包括鏡筒140、以及由以預(yù)定的位置關(guān)系被保持在鏡筒140內(nèi)的多個(gè)光學(xué)元件構(gòu)成的投影光學(xué)系統(tǒng)PL。作為投影光學(xué)系統(tǒng)PL，例如使用由具有Z軸方向的共同的光軸AX的多個(gè)透鏡(透鏡部件)構(gòu)成的折射光學(xué)系統(tǒng)。投影光學(xué)系統(tǒng)PL例如通過(guò)兩側(cè)焦闌具有預(yù)定的投影倍率(例如1/4倍、1/5倍或1/8倍)。因此，如果通過(guò)來(lái)自照明系統(tǒng)ILS的照明光IL對(duì)標(biāo)線片R上的照明區(qū)域IAR進(jìn)行照明，則通過(guò)透過(guò)了圖案面與投影光學(xué)系統(tǒng)PL的第一面(物體面)基本一致地配置的標(biāo)線片R的照明光IL，經(jīng)由投影光學(xué)系統(tǒng)PL (投影單元TO)，將其照明區(qū)域IAR內(nèi)的標(biāo)線片R的電路圖案的縮小像(電路圖案的一部分的縮小像)形成在晶片W上的、與上述照明區(qū)域IAR共軛的區(qū)域(以下也稱為曝光區(qū)域)IA上，所述晶片W配置在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的第二面(像面)側(cè)，并且其表面上涂布有抗蝕劑(感應(yīng)劑)。并且，通過(guò)標(biāo)線片載臺(tái)RST和晶片載臺(tái)WST的同步驅(qū)動(dòng)，使標(biāo)線片R在掃描方向(Y軸方向)上相對(duì)于照明區(qū)域IAR(照明光IL)進(jìn)行相對(duì)移動(dòng)，并且使晶片W在掃描方向(Y軸方向)上相對(duì)于曝光區(qū)域IA(照明光IL)進(jìn)行相對(duì)移動(dòng)，由此對(duì)晶片W上的一個(gè)曝光區(qū)域(shot reg1n)(劃分區(qū)域)進(jìn)行掃描曝光，向該曝光區(qū)域轉(zhuǎn)印標(biāo)線片R的圖案。即，在本實(shí)施方式中，通過(guò)照明系統(tǒng)ILS和投影光學(xué)系統(tǒng)PL在晶片W上生成標(biāo)線片R的圖案，通過(guò)基于照明光IL實(shí)現(xiàn)的晶片W上的感應(yīng)層(抗蝕劑層)的曝光在晶片W上形成該圖案。
[0036]另外，在本實(shí)施方式的曝光裝置100中，由于進(jìn)行了適用液浸法的曝光，因此標(biāo)線片側(cè)的開(kāi)口隨著開(kāi)口數(shù)NA實(shí)質(zhì)性地增加而變大。因此，在僅由透鏡構(gòu)成的折射光學(xué)系統(tǒng)中，難以滿足珀茲伐(Petzval)的條件，投影光學(xué)系統(tǒng)存在大型化的趨勢(shì)。為了避免該投影光學(xué)系統(tǒng)的大型化，也可以使用包括反射鏡和透鏡的反射折射系統(tǒng)(catad1ptricsystem)。
[0037]另外，在本實(shí)施方式的曝光裝置100中，在構(gòu)成投影光學(xué)系統(tǒng)PL的最靠近像面?zhèn)?晶片W側(cè))的作為終端光學(xué)元件的透鏡(以下也稱為“頂端透鏡”)191的附近，設(shè)置有構(gòu)成液浸裝置132的一部分的液體供應(yīng)嘴131A和液體回收嘴131B。
[0038]液體供應(yīng)嘴131A經(jīng)由未圖示的供應(yīng)管與液體供應(yīng)裝置138 (在圖1中未圖示，參照?qǐng)D6)連接，液體回收嘴131B經(jīng)由未圖示的回收管與液體回收裝置139 (在圖1中未圖示，參照?qǐng)D6)連接。
[0039]在本實(shí)施方式中，液浸用的液體Lq(參照?qǐng)D1)使用ArF準(zhǔn)分子激光(波長(zhǎng)為193nm的光)能夠透過(guò)的純水來(lái)制備。純水的優(yōu)點(diǎn)是:在半導(dǎo)體制造工廠等能夠容易、大量地獲得，并且對(duì)于晶片W上的抗蝕劑和光學(xué)透鏡等的不良影響少。純水對(duì)ArF準(zhǔn)分子激光的折射率η大致為1.44。在該純水中，照明光IL的波長(zhǎng)被短波長(zhǎng)化為193nmX 1/n =約134nm。
[0040]包括液體供應(yīng)嘴131A和液體回收嘴131B的液浸裝置132由主控制裝置20控制(參照?qǐng)D6)。主控制裝置20經(jīng)由液體供應(yīng)嘴131A向頂端透鏡191和晶片W之間供應(yīng)液體Lq，并且經(jīng)由液體回收嘴131B從頂端透鏡191和晶片W之間回收液體Lq。此時(shí)，主控制裝置20執(zhí)行控制以使從液體供應(yīng)嘴131A供應(yīng)到頂端透鏡191和晶片W之間的液體Lq的量與經(jīng)由液體回收透鏡131B回收的液體Lq的量始終相等。因此，在頂端透鏡191和晶片W之間保持恒定量的液體L1 (參照?qǐng)D1)，通過(guò)該恒定量的液體形成液浸區(qū)域14(例如參照?qǐng)D2)。在該情況下，經(jīng)常更換保持在頂端透鏡191和晶片W之間的液體Lq。
[0041]另外，在測(cè)量用載臺(tái)MST位于投影單元PU下方的情況下，也能夠與上述說(shuō)明同樣地在測(cè)量臺(tái)MTB和頂端透鏡191之間充滿液體Lq、即形成液浸區(qū)域。
[0042]在投影單元PU的+Y側(cè)，如圖1所示，設(shè)置有通過(guò)光學(xué)方式檢測(cè)晶片W上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記等檢測(cè)對(duì)象標(biāo)記的離軸對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)(以下簡(jiǎn)稱為“對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)”)ALG。另外，作為對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG，可以使用各種方式的傳感器，在本實(shí)施方式中，使用圖像處理方式的傳感器。另外，例如美國(guó)專利第5，493，403號(hào)說(shuō)明書(shū)等公開(kāi)了圖像處理方式的傳感器。將來(lái)自對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG的攝像信號(hào)提供給主控制裝置20 (參照?qǐng)D6)。
[0043]如圖1和圖2所示，載臺(tái)裝置150包括:底座盤(pán)12、配置在底座盤(pán)12上的載臺(tái)底座21、配置在載臺(tái)底座21上的晶片載臺(tái)WST和測(cè)量用載臺(tái)MST、測(cè)量上述兩個(gè)載臺(tái)WST和MST的位置的干涉儀系統(tǒng)118 (參照?qǐng)D6)、以及驅(qū)動(dòng)上述兩個(gè)載臺(tái)WST和MST的載臺(tái)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)124 (參照?qǐng)D6)。
[0044]經(jīng)由防振機(jī)構(gòu)(未圖示)將底座盤(pán)12大致水平(平行于XY平面)地支承在地板面F上。經(jīng)由空氣軸承(未圖示)將載臺(tái)底座21支承在底座盤(pán)12上。在載臺(tái)底座21的上部各納有后述的定子60 (參照?qǐng)D4)。在本實(shí)施方式中，在后述的晶片載臺(tái)WST驅(qū)動(dòng)時(shí)和測(cè)量用載臺(tái)MST驅(qū)動(dòng)時(shí)，載臺(tái)底座21作為配重塊(counter mass)發(fā)揮功能。因此,也可以將驅(qū)動(dòng)載臺(tái)底座21的微調(diào)馬達(dá)(trim motor)設(shè)置在載臺(tái)底座21和底座盤(pán)12之間，以使載臺(tái)底座21從基準(zhǔn)位置的移動(dòng)量收斂于預(yù)定范圍內(nèi)。
[0045]晶片載臺(tái)WST和測(cè)量用載臺(tái)MST分別由載臺(tái)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)124相互獨(dú)立地驅(qū)動(dòng)。晶片載臺(tái)WST和測(cè)量用載臺(tái)MST的6個(gè)自由度方向(X軸、Y軸、Z軸、θχ、0y、θζ的各個(gè)方向)的位置信息由干涉儀系統(tǒng)118檢測(cè)。另外，在圖1中，為了便于說(shuō)明，僅圖示了用于測(cè)量晶片載臺(tái)WST在Υ軸方向上的位置的Υ軸干涉儀116、以及用于測(cè)量測(cè)量用載臺(tái)MST在Υ軸方向上的位置的Y軸干涉儀117。將干涉儀系統(tǒng)118的測(cè)量值傳送給主控制裝置20，主控制裝置20基于干涉儀系統(tǒng)118的測(cè)量值并經(jīng)由載臺(tái)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)124來(lái)控制晶片載臺(tái)WST和測(cè)量用載臺(tái)MST的位置(和速度)。另外，后面將進(jìn)一步說(shuō)明載臺(tái)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)124。
[0046]如圖1所不，晶片載臺(tái)WST包括晶片載臺(tái)主體91和固定在該晶片載臺(tái)主體91上的晶片臺(tái)WTB。在本實(shí)施方式中，如圖4所示，由容納在載臺(tái)底座21的上部的定子60和固定在晶片載臺(tái)主體91的底部(底座相對(duì)面?zhèn)?上的磁鐵單元51Α構(gòu)成的平面馬達(dá)作為晶片載臺(tái)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)50Α(參照?qǐng)D6)來(lái)使用。
[0047]在晶片臺(tái)WTB上，設(shè)置有通過(guò)真空吸附等來(lái)保持晶片W的晶片保持器(未圖示)。該晶片保持器包括板狀的主體部和板件(Plate) 93 (參照?qǐng)D1、圖2)，該板件93固定在上述主體部的上表面，并且在其中央形成有直徑比晶片W的直徑大0.1?2mm左右的圓形開(kāi)口。在板件93的圓形開(kāi)口內(nèi)部的主體部的區(qū)域配置有多個(gè)銷，晶片W在通過(guò)該多個(gè)銷而被支承的狀態(tài)下被真空吸附。在該情況下，在真空吸附晶片W的狀態(tài)下，該晶片W的表面和板件93的表面成為大致相同的高度。板件93的整個(gè)表面涂覆有氟類樹(shù)脂材料和丙烯酸類樹(shù)脂材料等疏液性材料(疏水材料)，形成有疏液膜。另外，在晶片W的表面涂布有抗蝕劑(感應(yīng)劑)，通過(guò)該涂布的抗蝕劑形成了抗蝕劑膜。在該情況下，抗蝕劑膜優(yōu)選使用對(duì)于液浸用的液體Lq具有疏液性的材料。另外，也可以在晶片W的表面上以覆蓋上述抗蝕劑膜的方式形成頂層涂覆膜(層)。作為該頂層涂覆膜，優(yōu)選使用對(duì)于液浸用的液體Lq具有疏液性的材料。
[0048]另外，也可以使用包括晶片載臺(tái)主體和晶片臺(tái)的晶片載臺(tái)，所述晶片載臺(tái)主體能夠在XY平面內(nèi)的3個(gè)自由度方向上移動(dòng)，所述晶片臺(tái)經(jīng)由未圖示的Z校平機(jī)構(gòu)(例如包括音圈馬達(dá)等的致動(dòng)器)搭載在上述晶片載臺(tái)主體上，并且相對(duì)于晶片載臺(tái)主體在Z軸方向、θχ方向、以及9y方向上被微小地驅(qū)動(dòng)。
[0049]如圖1所示，測(cè)量用載臺(tái)MST包括測(cè)量用載臺(tái)主體92和固定在該測(cè)量用載臺(tái)主體92上的測(cè)量臺(tái)MTB。在本實(shí)施方式中，如圖4所示，由定子60和固定在測(cè)量用載臺(tái)主體92的底部(底座相對(duì)面?zhèn)?的磁鐵單元51B構(gòu)成的平面馬達(dá)作為測(cè)量用載臺(tái)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)50B(參照?qǐng)D6)來(lái)使用。
[0050]測(cè)量臺(tái)MTB包括上表面開(kāi)口的中空長(zhǎng)方體形狀的框體、以及封閉該框體的上表面并例如由聚四氟乙烯(特氟隆(注冊(cè)商標(biāo)))等具有疏液性的材料形成的預(yù)定厚度的板部件101 (參照?qǐng)D3)，該測(cè)量臺(tái)MTB具有高度方向的尺寸遠(yuǎn)小于寬度方向和進(jìn)深方向的尺寸的長(zhǎng)方體形狀的外觀。
[0051]如圖3所示，板部件101中形成有:以Y軸方向?yàn)殚L(zhǎng)度方向的長(zhǎng)方形的開(kāi)口 101a，X軸方向的尺寸與上述開(kāi)口 101a大致相同并以該X軸方向?yàn)殚L(zhǎng)度方向的長(zhǎng)方形的開(kāi)口 101b,以及三個(gè)圓形開(kāi)口 101d、101e、101f。
[0052]在板部件101的開(kāi)口 101b的內(nèi)側(cè)和開(kāi)口 101b下方的框體(測(cè)量臺(tái)MTB)的內(nèi)部配置有照度監(jiān)控器(照射量監(jiān)控器)122。在照度監(jiān)控器122的上表面涂覆有氟類樹(shù)脂材料或丙烯酸類樹(shù)脂材料等疏液性材料(疏水材料)，由此形成了疏液膜。在本實(shí)施方式中，將該疏液膜的上表面和板部件101的上表面設(shè)定成大致同一個(gè)平面(齊平)。
[0053]本實(shí)施方式的照度監(jiān)控器122例如具有與美國(guó)專利第5，721，608號(hào)說(shuō)明書(shū)等公開(kāi)的照度監(jiān)控器(照射量監(jiān)控器)同樣的結(jié)構(gòu)，在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面上經(jīng)由液體Lq來(lái)測(cè)量照明光IL的照度。
[0054]如圖3所示，在板部件101的開(kāi)口 101a的內(nèi)部配置有在俯視觀察時(shí)為長(zhǎng)方形的基準(zhǔn)標(biāo)記板FM。將基準(zhǔn)標(biāo)記板FM的上表面設(shè)定為與板部件101的表面大致相同的高度(齊平)。能夠通過(guò)上述一對(duì)標(biāo)線片對(duì)準(zhǔn)檢測(cè)系統(tǒng)RAa、RAb對(duì)每一對(duì)同時(shí)進(jìn)行測(cè)量的三對(duì)第一基準(zhǔn)標(biāo)記RMn?觀32、以及通過(guò)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG進(jìn)行檢測(cè)的三個(gè)第二基準(zhǔn)標(biāo)記?WM3以預(yù)定的位置關(guān)系形成在基準(zhǔn)標(biāo)記板FM的表面上。這些基準(zhǔn)標(biāo)記分別由通過(guò)在鉻層上以上述預(yù)定的位置關(guān)系進(jìn)行圖案化而形成的開(kāi)口圖案形成，所述鉻層大致遍及整個(gè)表面地形成在構(gòu)成基準(zhǔn)標(biāo)記板FM的部件(例如極低膨脹率玻璃陶瓷，例如CLEARCERAM(注冊(cè)商標(biāo)))的表面上。另外，也可以通過(guò)鋁等的圖案(剩余圖案)來(lái)形成各個(gè)基準(zhǔn)標(biāo)記。
[0055]在本實(shí)施方式中，例如與美國(guó)專利第5，243，195號(hào)說(shuō)明書(shū)等公開(kāi)的內(nèi)容相同地，按照以下方式來(lái)確定上述各個(gè)基準(zhǔn)標(biāo)記的配置:能夠經(jīng)由液體Lq并通過(guò)上述一對(duì)標(biāo)線片對(duì)準(zhǔn)檢測(cè)系統(tǒng)RAa、RAb來(lái)同時(shí)測(cè)量上述第一基準(zhǔn)標(biāo)記RMyRMpG.= 1?3)，并且能夠在測(cè)量該第一基準(zhǔn)標(biāo)記RMyRMp的同時(shí)不經(jīng)由液體Lq地通過(guò)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG來(lái)測(cè)量第二基準(zhǔn)標(biāo)記麗」。在基準(zhǔn)標(biāo)記板FM的上表面上，雖未進(jìn)行圖示，但在上述鉻層的上部形成有由上述氟類樹(shù)脂材料或丙烯酸類樹(shù)脂材料等疏液性材料形成的疏液膜。
[0056]在板部件101的開(kāi)口 101d的內(nèi)側(cè)和開(kāi)口 101d下方的框體的內(nèi)部配置有具有圖案板103的照度不均測(cè)量器104，所述圖案板103在俯視觀察時(shí)為圓形。
[0057]照度不均測(cè)量器104具有上述圖案板103、以及由配置在該圖案板下方的未圖示的受光元件(上述硅光二極管或光電倍增管)構(gòu)成的傳感器。圖案板103由石英玻璃等構(gòu)成，在其表面形成有鉻等的遮光膜，在該遮光膜的中央形成有作為光透過(guò)部的銷孔103a。并且，在該遮光膜上形成有由上述氟類樹(shù)脂材料或丙烯酸類樹(shù)脂材料等疏液性材料構(gòu)成的疏液膜。
[0058]照度不均測(cè)量器104例如具有與美國(guó)專利第4，465，368號(hào)說(shuō)明書(shū)等公開(kāi)的照度不均測(cè)量器相同的結(jié)構(gòu)，在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面上經(jīng)由液體Lq來(lái)測(cè)量照明光IL的照度不均。
[0059]在板部件101的開(kāi)口 101e的內(nèi)部，俯視觀察時(shí)圓形的狹縫板105在其表面與板部件101的表面大致為同一表面(齊平)的狀態(tài)下配置。狹縫板105具有石英玻璃和在該石英玻璃的表面上形成的鉻等的遮光膜，在該遮光膜的預(yù)定部位形成有作為光透過(guò)部的、向X軸方向和Y軸方向延伸的狹縫圖案。并且，在該遮光膜上形成有由上述氟類樹(shù)脂材料或丙烯酸類樹(shù)脂材料等疏液性材料構(gòu)成的疏液膜。該狹縫板105構(gòu)成了空間像測(cè)量器的一部分，所述空間像測(cè)量器測(cè)量通過(guò)投影光學(xué)系統(tǒng)PL投影的圖案的空間像(投影像)的光強(qiáng)度。在本實(shí)施方式中，在該狹縫板105下方的測(cè)量臺(tái)MTB(框體)的內(nèi)部設(shè)置有受光系統(tǒng)，所述受光系統(tǒng)經(jīng)由所述狹縫圖案接受經(jīng)由投影光學(xué)系統(tǒng)PL和液體Lq照射在板部件101上的照明光IL，由此構(gòu)成了例如與美國(guó)專利申請(qǐng)公開(kāi)第2002/0041377號(hào)說(shuō)明書(shū)等公開(kāi)的空間像測(cè)量器相同的空間像測(cè)量器。
[0060]在板部件101的開(kāi)口 101f的內(nèi)部，俯視觀察時(shí)圓形的波面像差測(cè)量用圖案板107以其表面與板部件101的表面大致為同一表面(齊平)的狀態(tài)配置。該波面像差測(cè)量用圖案板107具有石英玻璃和形成在該石英玻璃的表面上的鉻等的遮光膜，在該遮光膜的中央形成有圓形的開(kāi)口。并且，在該遮光膜上形成有由上述氟類樹(shù)脂材料或丙烯酸類樹(shù)脂材料等疏液性材料構(gòu)成的疏液膜。在該波面像差測(cè)量用圖案板107下方的測(cè)量臺(tái)MTB (框體)的內(nèi)部設(shè)置有受光系統(tǒng)，所述受光系統(tǒng)包括經(jīng)由投影光學(xué)系統(tǒng)PL和液體Lq接受照明光IL的例如微透鏡陣列，由此構(gòu)成了例如歐洲專利第1，079，223號(hào)說(shuō)明書(shū)等公開(kāi)的波面像差測(cè)量器。
[0061]另外，從抑制熱的影響的觀點(diǎn)來(lái)看，也可以僅將上述空間像測(cè)量器和波面像差測(cè)量器等中的例如光學(xué)系統(tǒng)等的一部分搭載在測(cè)量用載臺(tái)MST上。
[0062]并且，在本實(shí)施方式的曝光裝置100中，雖然在圖1中未進(jìn)行圖示，但是設(shè)置有包括照射系統(tǒng)110a和受光系統(tǒng)110b (參照?qǐng)D6)的、例如與美國(guó)專利第5，448，332號(hào)說(shuō)明書(shū)等公開(kāi)的內(nèi)容相同的斜入射方式的多點(diǎn)焦點(diǎn)位置檢測(cè)系統(tǒng)。
[0063]在本實(shí)施方式中，如圖2的A-A剖視圖即圖4所示，在晶片載臺(tái)主體91的底部以矩陣狀配置有多個(gè)永久磁鐵(以下簡(jiǎn)稱為磁鐵)53，由這些磁鐵53構(gòu)成了磁鐵單元51A。另夕卜，圖4是從X軸方向觀察的圖，實(shí)際上在XY平面上配置成矩陣狀。作為多個(gè)磁鐵53，+Z偵偽N極且-Z側(cè)為S極的N極磁鐵和極性相反的S極磁鐵在XY平面內(nèi)以預(yù)定間隔交替地配置，在N磁鐵和S磁鐵之間配置有與N極磁鐵相對(duì)的一側(cè)的磁極為N且與S極磁鐵相對(duì)的一側(cè)的磁極為S、并在X軸方向或Y軸方向上磁化的磁鐵，由此構(gòu)成了磁鐵單元51A。另夕卜，在測(cè)量用載臺(tái)主體92的底部，與磁鐵單元51A —樣，配置有多個(gè)磁鐵53并由該多個(gè)磁鐵構(gòu)成了磁鐵單元51B。另外，圖4是用于說(shuō)明線圈單元60的線圈38和磁鐵單元51A、51B的位置關(guān)系的圖，在該圖4中簡(jiǎn)化地表示了磁鐵單元51A、51B的磁鐵的配置，與實(shí)際不同。線圈單元60的線圈38的配置也是一樣的。
[0064]如圖2所示，載臺(tái)底座21包括上表面開(kāi)口的中空的主體部35、以及封閉主體部35的開(kāi)口部的陶瓷板36 (參照?qǐng)D4)。
[0065]在由主體部35和陶瓷板36形成的載臺(tái)底座21的內(nèi)部空間內(nèi)，在XY 二維方向上多個(gè)電樞線圈(以下簡(jiǎn)稱為線圈)38配置成矩陣狀(參照?qǐng)D2)。由這些線圈38構(gòu)成了作為平面馬達(dá)(以下適當(dāng)?shù)乇硎緸槠矫骜R達(dá)50a、50B)的定子60的線圈單元(以下也適當(dāng)?shù)胤Q為線圈單元60)，所述平面馬達(dá)是構(gòu)成晶片載臺(tái)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)50A和測(cè)量用載臺(tái)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)50B中的每一個(gè)的動(dòng)磁型的電磁驅(qū)動(dòng)式的磁懸浮型平面馬達(dá)。如圖2所示，使用正方形的線圈來(lái)作為多個(gè)線圈38中的每一個(gè)線圈。提供給構(gòu)成定子60的多個(gè)線圈38中的每一個(gè)的電流的大小和方向由主控制裝置20(參照?qǐng)D6)控制。另外，如上所述，配置成矩陣狀的多個(gè)磁鐵(N極磁鐵和S極磁鐵)以預(yù)定的間隔交替地配置，該預(yù)定的間隔(磁極間距)、多個(gè)線圈的大小、以及相鄰線圈之間的間隔作為馬達(dá)(平面馬達(dá))的規(guī)格值而被預(yù)先設(shè)定為具有預(yù)定的關(guān)系。并且，在本實(shí)施方式中，向一部分電樞線圈38例如如美國(guó)專利第6，304，320號(hào)說(shuō)明書(shū)公開(kāi)的那樣疊加地提供X推力用電流和Z推力用電流，被提供了這樣的電流的電樞線圈38在與構(gòu)成磁鐵單元51A、51B中的每一個(gè)的一部分磁鐵53之間產(chǎn)生電磁相互作用，從而產(chǎn)生X軸方向和Z軸方向的驅(qū)動(dòng)力(推力)。另外，在本實(shí)施方式中，向一部分線圈38疊加地提供Y推力用電流和Z推力用電流，被提供了這樣的電流的線圈38在與構(gòu)成磁鐵單元51A、51B中的每一個(gè)的一部分磁鐵之間產(chǎn)生電磁相互作用，從而產(chǎn)生Y軸方向和Z軸方向的驅(qū)動(dòng)力(推力)。即，在本實(shí)施方式中，通過(guò)平面馬達(dá)50，能夠向6個(gè)自由度方向(X軸、Y軸、Z軸、Θ X、Θ y、θ Z的各個(gè)方向)驅(qū)動(dòng)晶片載臺(tái)WST。在該情況下,通過(guò)平面馬達(dá)50A，在X軸方向和Y軸方向上以長(zhǎng)的行程來(lái)驅(qū)動(dòng)晶片載臺(tái)WST，在其余的4個(gè)自由度方向上微小地驅(qū)動(dòng)晶片載臺(tái)WST。另外，通過(guò)平面馬達(dá)50B，與晶片載臺(tái)WST同樣地在6個(gè)自由度方向上驅(qū)動(dòng)測(cè)量用載臺(tái)MST。在本實(shí)施方式中，通過(guò)構(gòu)成晶片載臺(tái)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的平面馬達(dá)50A和構(gòu)成測(cè)量用載臺(tái)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的平面馬達(dá)50B，構(gòu)成了載臺(tái)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)124 (參照?qǐng)D6)。
[0066]在圖5中表示了晶片載臺(tái)WST和測(cè)量用載臺(tái)MST的仰視圖。如該圖5所示，在晶片載臺(tái)WST的晶片載臺(tái)主體91的底部，大致遍及整個(gè)面地配置有磁鐵單元51A。另一方面，在測(cè)量用載臺(tái)MST的測(cè)量用載臺(tái)主體92的底部，在除了其+Y側(cè)的端部以外的其他區(qū)域配置有磁鐵單元51B。在該情況下，在晶片載臺(tái)WST和測(cè)量用載臺(tái)MST在Y軸方向上相互間隔預(yù)定距離、例如接近至300 μ m以內(nèi)或者接觸的狀態(tài)下，磁鐵單元51A和磁鐵單元51B的間隔如圖4所示為L(zhǎng)m，在該間隔Lm與線圈38的Y軸方向上的長(zhǎng)度Lc之間，Lm ^ Lc的關(guān)系成立。即，在Y軸方向上，從晶片載臺(tái)WST的一側(cè)(-Y側(cè))的端部到磁鐵單元51A的一側(cè)的端部的距離(D1)和從測(cè)量用載臺(tái)MST的另一側(cè)(+Y側(cè))的端部到磁鐵單元51B的另一側(cè)的端部的距離(D2)的合計(jì)至少大于等于1個(gè)線圈38的Y軸方向上的長(zhǎng)度。即，在本實(shí)施方式中，根據(jù)線圈單元60的線圈38的大小、配置來(lái)確定磁鐵單元51A的周邊部的多個(gè)磁鐵在晶片載臺(tái)WST上的配置和磁鐵單元51B的周邊部的多個(gè)磁鐵在測(cè)量用載臺(tái)MST上的配置，使得Lm彡(D1+D2)彡Lc的關(guān)系成立，換言之，使得在晶片載臺(tái)WST和測(cè)量用載臺(tái)MST位于載臺(tái)底座21上的預(yù)定范圍(與定子60相對(duì)的范圍)內(nèi)并在Y軸方向上相互接近至預(yù)定距離(例如300 μ m以內(nèi))或者接觸的狀態(tài)下，構(gòu)成磁鐵單元51A的磁鐵53和構(gòu)成磁鐵單元51B的磁鐵53不同時(shí)與構(gòu)成線圈單元60的同一個(gè)線圈38相對(duì)。另外，將Lm設(shè)定為至少大于等于Y軸方向上的線圈長(zhǎng)度Lc，并且優(yōu)選比2個(gè)線圈的長(zhǎng)度小，例如也可以設(shè)定為2Lc彡Lm彡(D1+D2)彡Lc的關(guān)系成立。或者也可以比一個(gè)半的線圈的長(zhǎng)度小，1.5Lc彡Lm彡(D1+D2)彡Lc的關(guān)系成立。另外，也可以基于磁鐵單元51A(或者磁鐵單元51B)中的上述磁極間距來(lái)設(shè)定間隔Lm。例如，也可以設(shè)定為間隔Lm大于等于2個(gè)磁極間距。
[0067]在圖6中圖示了框圖，該框圖表示了以曝光裝置100的控制系統(tǒng)為中心構(gòu)成并綜合地控制各個(gè)構(gòu)成部分的主控制裝置20的輸入輸出關(guān)系。主控制裝置20包括工作站(或微型計(jì)算機(jī))等，綜合地控制構(gòu)成曝光裝置100的各個(gè)部分。在圖6中，附圖標(biāo)記143表示設(shè)置在上述測(cè)量臺(tái)MTB上的照度監(jiān)控器122、照度不均測(cè)量器104、空間像測(cè)量器、波面像差測(cè)量器等測(cè)量器組。
[0068]接下來(lái)，基于圖7等來(lái)說(shuō)明本實(shí)施方式的曝光裝置100中的、使用了晶片載臺(tái)WST和測(cè)量用載臺(tái)MST的并行處理動(dòng)作。另外，在以下的動(dòng)作中，主控制裝置20控制液浸裝置132，從液體供應(yīng)嘴131A供應(yīng)預(yù)定量的液體Lq，并且從液體回收嘴131B回收預(yù)定量的液體Lq,由此通過(guò)液體Lq來(lái)持續(xù)地充滿投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)鹊墓饴房臻g。
[0069]在圖7中，圖示了對(duì)晶片載臺(tái)WST上的晶片W(這里，作為一個(gè)例子，設(shè)定為某一批(一批為25片或50片)的最后的晶片)執(zhí)行步進(jìn)掃描式的曝光的狀態(tài)。此時(shí)，測(cè)量用載臺(tái)MST實(shí)際上在不與晶片載臺(tái)WST沖突的預(yù)定的待機(jī)位置待機(jī)。
[0070]上述曝光動(dòng)作通過(guò)在主控制裝置20的控制下，基于事先執(zhí)行的例如增強(qiáng)型全晶片對(duì)準(zhǔn)(EGA)等晶片對(duì)準(zhǔn)的結(jié)果等，重復(fù)地執(zhí)行曝光間移動(dòng)動(dòng)作和掃描曝光動(dòng)作來(lái)執(zhí)行，所述曝光間移動(dòng)動(dòng)作是用于晶片W上的各個(gè)曝光區(qū)域的曝光的、使晶片載臺(tái)WST向掃描開(kāi)始位置(加速開(kāi)始位置)移動(dòng)的動(dòng)作，所述掃描曝光動(dòng)作是通過(guò)掃描曝光方式來(lái)轉(zhuǎn)印形成在對(duì)各個(gè)曝光區(qū)域的標(biāo)線片R上的圖案的動(dòng)作。另外，上述曝光動(dòng)作在頂端透鏡191和晶片W之間保持有液體Lq的狀態(tài)下進(jìn)行。
[0071 ] 并且，在晶片載臺(tái)WST側(cè)，在對(duì)晶片W的曝光結(jié)束了的階段，主控制裝置20基于干涉儀系統(tǒng)118的測(cè)量值來(lái)控制載臺(tái)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)124的平面馬達(dá)50B，并如圖2所示那樣使測(cè)量用載臺(tái)MST(測(cè)量臺(tái)MTB)移動(dòng)至與位于曝光結(jié)束位置的晶片載臺(tái)WST的-Y側(cè)接近的位置。此時(shí)，主控制裝置20檢測(cè)干涉儀系統(tǒng)118中的、監(jiān)控各個(gè)臺(tái)在Y軸方向上的位置的干涉儀的測(cè)量值，使測(cè)量臺(tái)MTB和晶片臺(tái)WTB在Y軸方向上間隔例如300 μ m左右，保持非接觸的狀態(tài)。另外，不限于此，主控制裝置20也可以使測(cè)量臺(tái)MTB的-Y側(cè)面和晶片臺(tái)WTB的+Y側(cè)面接觸。
[0072]接下來(lái)，主控制裝置20在保持晶片臺(tái)WTB和測(cè)量臺(tái)MTB在Y軸方向上的位置關(guān)系的同時(shí)，開(kāi)始執(zhí)行將兩個(gè)載臺(tái)WST、MST同時(shí)向+Y方向驅(qū)動(dòng)的動(dòng)作。
[0073]這樣，當(dāng)通過(guò)主控制裝置20使晶片載臺(tái)WST、測(cè)量用載臺(tái)MST同時(shí)移動(dòng)了時(shí)，伴隨著該晶片載臺(tái)WST和測(cè)量用載臺(tái)MST向+Y方向的移動(dòng)，保持在投影單元TO的頂端透鏡191和晶片W之間的液體Lq依次移動(dòng)到晶片W—板件93(晶片臺(tái)WTB)—測(cè)量臺(tái)MTB上。即，成為在測(cè)量臺(tái)MTB和頂端透鏡191之間保持有液體Lq的狀態(tài)。
[0074]這里，在本實(shí)施方式中，根據(jù)圖4可知，當(dāng)將上述液體Lq (液浸區(qū)域14)從晶片臺(tái)WTB上轉(zhuǎn)移到測(cè)量臺(tái)MTB上時(shí)，構(gòu)成磁鐵單元51A的一部分磁鐵53和構(gòu)成磁鐵單元51B的一部分磁鐵53不同時(shí)與任一個(gè)線圈38相對(duì)。因此，在本實(shí)施方式中，能夠通過(guò)主控制裝置20并經(jīng)由平面馬達(dá)50A和50B，在將晶片載臺(tái)WST和測(cè)量用載臺(tái)MST維持為在Y軸方向上相互接近或者接觸的狀態(tài)的同時(shí)使晶片載臺(tái)WST和測(cè)量用載臺(tái)MST向+Y方向移動(dòng)并使液體Lq(液浸區(qū)域14)從晶片臺(tái)WTB上轉(zhuǎn)移到測(cè)量臺(tái)MTB上。在該情況下，由于同一線圈38產(chǎn)生的磁場(chǎng)不會(huì)同時(shí)作用于磁鐵單元51A和磁鐵單元51B，因此能夠穩(wěn)定地驅(qū)動(dòng)晶片載臺(tái)WST和測(cè)量用載臺(tái)MST，不會(huì)出現(xiàn)兩者沖突、兩者間的間隙局部地?cái)U(kuò)大并導(dǎo)致液體Lq從該間隙泄露水的情況。
[0075]當(dāng)上述液體Lq(液浸區(qū)域14)從晶片臺(tái)WTB上向測(cè)量臺(tái)MTB上的轉(zhuǎn)移結(jié)束了時(shí)，主控制裝置20基于干涉儀系統(tǒng)118對(duì)晶片載臺(tái)WST的位置的測(cè)量值來(lái)控制平面馬達(dá)50A，使晶片載臺(tái)WST移動(dòng)到預(yù)定的晶片更換位置并更換為下一批的最初的晶片，與此并行，根據(jù)需要使用測(cè)量用載臺(tái)MST來(lái)執(zhí)行預(yù)定的測(cè)量。
[0076]作為上述預(yù)定的測(cè)量，例如可以將對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG的基線測(cè)量作為一個(gè)例子。具體地說(shuō)，主控制裝置20使用上述的標(biāo)線片對(duì)準(zhǔn)檢測(cè)系統(tǒng)RAa、RAb同時(shí)檢測(cè)設(shè)置在測(cè)量臺(tái)MTB上的基準(zhǔn)標(biāo)記板FM上的一對(duì)第一基準(zhǔn)標(biāo)記和對(duì)應(yīng)的標(biāo)線片R上的一對(duì)標(biāo)線片對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，并檢測(cè)與一對(duì)第一基準(zhǔn)標(biāo)記對(duì)應(yīng)的標(biāo)線片對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的位置關(guān)系。此時(shí)，經(jīng)由投影光學(xué)系統(tǒng)PL和液體Lq檢測(cè)第一基準(zhǔn)標(biāo)記。另外，與此同時(shí)，主控制裝置20通過(guò)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG檢測(cè)上述基準(zhǔn)標(biāo)記板FM上的第二基準(zhǔn)標(biāo)記，由此檢測(cè)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG的檢測(cè)中心和第二基準(zhǔn)標(biāo)記的位置關(guān)系。
[0077]然后，主控制裝置20基于上述一對(duì)第一基準(zhǔn)標(biāo)記和對(duì)應(yīng)的標(biāo)線片對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的位置關(guān)系、對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG的檢測(cè)中心和第二基準(zhǔn)標(biāo)記的位置關(guān)系、以及已知的一對(duì)第一基準(zhǔn)標(biāo)記和第二基準(zhǔn)標(biāo)記的位置關(guān)系，求出基于投影光學(xué)系統(tǒng)PL產(chǎn)生的標(biāo)線片圖案的投影中心和對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG的檢測(cè)中心的距離(或位置關(guān)系)、即對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALG的基線。
[0078]然后，在上述兩個(gè)臺(tái)WST、MST上的操作結(jié)束了的階段，主控制裝置20將測(cè)量用載臺(tái)MST和晶片載臺(tái)WST設(shè)定為上述接近或者接觸的狀態(tài)，并且在保持晶片載臺(tái)WST和測(cè)量用載臺(tái)MST在Y軸方向上的位置關(guān)系的同時(shí)，在將液體Lq保持在投影光學(xué)系統(tǒng)PL下的狀態(tài)下與剛才相反地將兩個(gè)臺(tái)WST、MST向-Y方向驅(qū)動(dòng)，使晶片載臺(tái)WST(晶片)移動(dòng)到投影光學(xué)系統(tǒng)PL的下方。這里，當(dāng)液體Lq(液浸區(qū)域14)從測(cè)量臺(tái)MTB上轉(zhuǎn)移到晶片臺(tái)WTB上時(shí)，構(gòu)成磁鐵單元51A的一部分磁鐵53和構(gòu)成磁鐵單元51B的一部分磁鐵53也不會(huì)同時(shí)與任一個(gè)線圈38相對(duì)。因此，在本實(shí)施方式中，能夠通過(guò)主控制裝置20并經(jīng)由平面馬達(dá)50A和50B的每一個(gè)，在將晶片載臺(tái)WST和測(cè)量用載臺(tái)MST維持為在Y軸方向上相互接近或者接觸的狀態(tài)的同時(shí)使晶片載臺(tái)WST和測(cè)量用載臺(tái)MST向-Y方向移動(dòng)并使液體Lq(液浸區(qū)域14)從測(cè)量臺(tái)MTB上轉(zhuǎn)移到晶片臺(tái)WTB上。在該情況下，由于與上述相同的理由，也能夠穩(wěn)定地驅(qū)動(dòng)晶片載臺(tái)WST和測(cè)量用載臺(tái)MST，不會(huì)出現(xiàn)兩者沖突、兩者間的間隙局部地?cái)U(kuò)大并導(dǎo)致液體Lq從該間隙泄露水的情況。
[0079]當(dāng)晶片載臺(tái)WST(晶片)向投影光學(xué)系統(tǒng)PL下方的移動(dòng)結(jié)束了時(shí)，主控制裝置20使測(cè)量用載臺(tái)MST退回到預(yù)定的位置。
[0080]然后，主控制裝置20對(duì)新的晶片執(zhí)行晶片對(duì)準(zhǔn)、步進(jìn)掃描式的曝光動(dòng)作，向晶片上的多個(gè)曝光區(qū)域依次轉(zhuǎn)印標(biāo)線片圖案。之后，重復(fù)同樣的動(dòng)作。
[0081]如上所述，根據(jù)本實(shí)施方式的曝光裝置100，載臺(tái)裝置150包括:晶片載臺(tái)WST和測(cè)量用載臺(tái)MST，其能夠在載臺(tái)底座21上相互獨(dú)立地向6個(gè)自由度方向移動(dòng)；以及平面馬達(dá)50A、50B(載臺(tái)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)124)，其設(shè)置在晶片載臺(tái)WST和測(cè)量用載臺(tái)MST的每一個(gè)上，具有包括分別具有多個(gè)磁鐵53的磁鐵單元51A、51B和二維地配置在載臺(tái)底座21上的多個(gè)線圈38的線圈單元60，通過(guò)由于磁鐵單元51A、51B之間的電磁相互作用而產(chǎn)生的驅(qū)動(dòng)力來(lái)驅(qū)動(dòng)晶片載臺(tái)WST和測(cè)量用載臺(tái)MST。另外，根據(jù)線圈單元60的線圈38的大小、配置來(lái)確定磁鐵單元51A和51B各自的周邊部的多個(gè)磁鐵在晶片載臺(tái)WST或測(cè)量用載臺(tái)MST上的配置，使得在晶片載臺(tái)WST和測(cè)量用載臺(tái)MST位于載臺(tái)底座21上的預(yù)定范圍內(nèi)并在Y軸方向上相互接近至預(yù)定距離以內(nèi)或者接觸的狀態(tài)下，構(gòu)成磁鐵單元51A的磁鐵和構(gòu)成磁鐵單元51B的磁鐵53不同時(shí)與構(gòu)成線圈單元60的同一個(gè)線圈38相對(duì)。因此，能夠通過(guò)主控制裝置20來(lái)相互獨(dú)立地在XY平面內(nèi)穩(wěn)定地驅(qū)動(dòng)晶片載臺(tái)WST和測(cè)量用載臺(tái)MST。
[0082]另外，根據(jù)本實(shí)施方式的曝光裝置100，即使在上述液體Lq (液浸區(qū)域14)于晶片臺(tái)WTB與測(cè)量臺(tái)MTB之間轉(zhuǎn)移時(shí)，也能夠通過(guò)主控制裝置20在XY平面內(nèi)相互獨(dú)立且穩(wěn)定地驅(qū)動(dòng)晶片載臺(tái)WST和測(cè)量用載臺(tái)MST。具體地說(shuō)，在液體Lq(液浸區(qū)域14)轉(zhuǎn)移時(shí)，主控制裝置20也能夠在將晶片載臺(tái)WST和測(cè)量用載臺(tái)MST維持為在Y軸方向上相互接近或者接觸的狀態(tài)的同時(shí)獨(dú)立地在Y軸方向上驅(qū)動(dòng)晶片載臺(tái)WST和測(cè)量用載臺(tái)MST。因此，能夠?qū)⒕d臺(tái)WST和測(cè)量用載臺(tái)MST之間的間隙尺寸維持為恒定，由此能夠防止兩個(gè)臺(tái)WST、MST之間的沖突、以及液體從兩者的間隙泄露出來(lái)。因此，根據(jù)曝光裝置100，能夠有效地抑制兩個(gè)載臺(tái)WST、MST之間的沖突和液體的泄露等異常的發(fā)生，進(jìn)而能夠有效地抑制由于該異常的發(fā)生而造成的裝置停止運(yùn)轉(zhuǎn)等所導(dǎo)致的生產(chǎn)率的降低。
[0083]另外，根據(jù)本實(shí)施方式的曝光裝置100，通過(guò)液浸曝光來(lái)執(zhí)行高析像度且焦點(diǎn)深度比空氣中的焦點(diǎn)深度大的曝光，由此能夠高精度地將標(biāo)線片R的圖案轉(zhuǎn)印到晶片上，例如能夠通過(guò)ArF準(zhǔn)分子激光作為器件規(guī)則(device rule)來(lái)實(shí)現(xiàn)45?lOOnm左右的精細(xì)圖案的轉(zhuǎn)印。
[0084]另外，在上述實(shí)施方式中說(shuō)明了以下情況:使用XY二維排列的正方形線圈38來(lái)構(gòu)成線圈單元60，并且與其相對(duì)應(yīng)地使用由配置在正方形區(qū)域中的多個(gè)磁鐵構(gòu)成的磁鐵單元51A、51B。但是，不限于此，例如也可以采用如圖8中分別由仰視圖示出的晶片載臺(tái)WST'、MST,那樣在晶片載臺(tái)主體91、測(cè)量用載臺(tái)主體92的底面的Y軸方向上的一個(gè)端部和另一個(gè)端部上的、如存在凹凸那樣的區(qū)域中配置磁鐵單元51A、51B的磁鐵的陣列。在具有該圖8的變形例的晶片載臺(tái)WST'、MST'的載臺(tái)裝置和具有該載臺(tái)裝置的液浸曝光裝置中，根據(jù)線圈單元60的線圈38的大小、配置來(lái)確定磁鐵單元51A和51B各自的周邊部的多個(gè)磁鐵在晶片載臺(tái)WST'或測(cè)量用載臺(tái)MST'上的配置，使得在圖8所示的位置關(guān)系，即晶片載臺(tái)WST'和測(cè)量用載臺(tái)MST'位于載臺(tái)底座21上的預(yù)定范圍內(nèi)且在Y軸方向上相互接近至預(yù)定距離以內(nèi)或者接觸的狀態(tài)，并且在兩者在X軸方向上處于圖8所示的預(yù)定位置關(guān)系的狀態(tài)下，構(gòu)成磁鐵單元51A的磁鐵和構(gòu)成磁鐵單元51B的磁鐵不同時(shí)與構(gòu)成線圈單元60的同一線圈38相對(duì)。因此，主控制裝置20能夠獨(dú)立地驅(qū)動(dòng)圖8所示的晶片載臺(tái)WST'和測(cè)量用載臺(tái)MST'，并且能夠通過(guò)在維持這兩個(gè)載臺(tái)的位置關(guān)系的同時(shí)，一邊向+Y方向或-Y方向驅(qū)動(dòng)晶片載臺(tái)WST和測(cè)量用載臺(tái)MST、一邊進(jìn)行上述液體Lq在兩者之間的轉(zhuǎn)移，來(lái)有效地抑制兩個(gè)載臺(tái)WST、MST之間的沖突和液體的泄露等異常的發(fā)生，進(jìn)而能夠有效地抑制由于該異常的發(fā)生而造成的裝置停止運(yùn)轉(zhuǎn)等所導(dǎo)致的生產(chǎn)率的降低。
[0085]另外，在上述實(shí)施方式中，通過(guò)使構(gòu)成磁鐵單元51A的Y驅(qū)動(dòng)用磁鐵和構(gòu)成磁鐵單元51B的Y驅(qū)動(dòng)用磁鐵不同時(shí)與構(gòu)成線圈單元60的同一 Y軸方向驅(qū)動(dòng)用線圈相對(duì)，能夠獨(dú)立地驅(qū)動(dòng)晶片載臺(tái)WST和測(cè)量用載臺(tái)MST，但是不限于此。
[0086]例如，也可以根據(jù)線圈單元60的線圈的大小和配置來(lái)確定磁鐵單元51A、51B各自的周邊部的多個(gè)磁鐵(特別是Y驅(qū)動(dòng)用磁鐵)在晶片載臺(tái)WST或測(cè)量用載臺(tái)MST上的配置，以使得構(gòu)成線圈單元60的預(yù)定的線圈所產(chǎn)生的磁場(chǎng)和構(gòu)成磁鐵單元51A的磁鐵之間產(chǎn)生電磁相互作用，并且該預(yù)定的線圈所產(chǎn)生的磁場(chǎng)和構(gòu)成磁鐵單元51B的磁鐵之間不產(chǎn)生電磁相互作用。在該情況下，不產(chǎn)生電磁相互作用既包括上述預(yù)定的線圈產(chǎn)生的磁場(chǎng)不影響構(gòu)成磁鐵單元51B的磁鐵，從而完全不產(chǎn)生電磁相互作用的情況，也包括即便產(chǎn)生電磁相互作用并產(chǎn)生了驅(qū)動(dòng)力，其大小也足夠小，從而處于能夠相互獨(dú)立地控制晶片載臺(tái)WST和測(cè)量用載臺(tái)MST的狀態(tài)的情況。
[0087]另外，在上述實(shí)施方式中說(shuō)明了具有與晶片載臺(tái)WST分體的測(cè)量用載臺(tái)MST的曝光裝置，但是不限于此，例如具有多個(gè)如美國(guó)專利申請(qǐng)公開(kāi)第2011/0025998號(hào)說(shuō)明書(shū)和美國(guó)專利第5，969，441號(hào)說(shuō)明書(shū)等公開(kāi)的那樣的、保持晶片的晶片載臺(tái)的多載臺(tái)型曝光裝置也可以適用上述實(shí)施方式。在該情況下，也可以如圖9所示的變形例那樣，在構(gòu)成兩個(gè)晶片載臺(tái)WST1、WST2中的每一個(gè)的晶片載臺(tái)主體91的上部搭載具有一對(duì)突出部的晶片臺(tái)WTB，所述一對(duì)晶片臺(tái)從上述晶片載臺(tái)主體91的Y軸方向上的兩個(gè)側(cè)面突出Lm/2或者更多。在該情況下，也可以遍及晶片載臺(tái)主體91的整個(gè)底面來(lái)配置磁鐵單元。并且，在該情況下，既可以僅在一個(gè)晶片臺(tái)WTB上設(shè)置Y軸方向上的尺寸大于等于Lm的一對(duì)突出部，也可以僅在兩個(gè)晶片臺(tái)WTB的Y軸方向上的一側(cè)設(shè)置Y軸方向上的尺寸大于等于Lm的突出部。總而言之，只要在兩個(gè)晶片臺(tái)WTB在Y軸方向上接近至預(yù)定距離以內(nèi)或者接觸的狀態(tài)下，兩個(gè)晶片載臺(tái)WST所具有的晶片載臺(tái)主體91相互之間的Y軸方向上的間隔大于等于Lm即可。不言而喻，也可以代替設(shè)置突出部，而使晶片載臺(tái)主體91和晶片臺(tái)WTB在俯視觀察時(shí)為相同的形狀，并使兩個(gè)晶片載臺(tái)主體91的底面上的磁鐵單元的布局如下:在兩個(gè)晶片載臺(tái)WST在Y軸方向上接近至預(yù)定距離以內(nèi)或者接觸的狀態(tài)下，磁鐵單元相互之間的Y軸方向上的距離大于等于Lm。對(duì)于上述實(shí)施方式的晶片載臺(tái)WST和測(cè)量用載臺(tái)MST的組合也是一樣的。
[0088]另外，在上述實(shí)施方式中說(shuō)明了在測(cè)量用載臺(tái)MST上設(shè)置能夠同時(shí)執(zhí)行標(biāo)線片對(duì)準(zhǔn)和對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)的基線測(cè)量的大型的基準(zhǔn)標(biāo)記板FM的情況，但是不限于此，在標(biāo)線片對(duì)準(zhǔn)時(shí)和基線測(cè)量時(shí)，也可以在晶片載臺(tái)WST上設(shè)置需要相對(duì)于基準(zhǔn)標(biāo)記板的投影光學(xué)系統(tǒng)和對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)進(jìn)行移動(dòng)的小型的基準(zhǔn)標(biāo)記板。
[0089]另外，還已知有以下的平面馬達(dá)裝置:代替正方形線圈，而是例如如美國(guó)專利第6，445，093號(hào)說(shuō)明書(shū)等公開(kāi)的那樣二維地配置長(zhǎng)方形線圈或六邊形線圈，將各個(gè)線圈設(shè)定為X驅(qū)動(dòng)用線圈、Y驅(qū)動(dòng)用線圈，并且與此相對(duì)應(yīng)，磁鐵單元也使用X驅(qū)動(dòng)用磁鐵、Y驅(qū)動(dòng)用磁鐵。具有該平面馬達(dá)裝置的載臺(tái)裝置和曝光裝置也可以適用上述實(shí)施方式。在該情況下，也可以不針對(duì)所有的磁鐵，根據(jù)線圈單元60的線圈的大小和配置來(lái)確定磁鐵單元51A、51B各自的周邊部的多個(gè)磁鐵(特別是Y驅(qū)動(dòng)用磁鐵)在晶片載臺(tái)WST或測(cè)量用載臺(tái)MST上的配置，使得在晶片載臺(tái)WST (第一移動(dòng)體)和測(cè)量用載臺(tái)MST (第二移動(dòng)體)位于載臺(tái)底座21上的預(yù)定范圍內(nèi)并在Y軸方向上相互接近至預(yù)定距離以內(nèi)或者接觸的狀態(tài)，并且在X軸方向上至少處于預(yù)定的位置關(guān)系的狀態(tài)下，構(gòu)成磁鐵單元51A的Y驅(qū)動(dòng)用磁鐵和構(gòu)成磁鐵單元51B的Y驅(qū)動(dòng)用磁鐵不同時(shí)與構(gòu)成線圈單元60的同一個(gè)Y軸方向驅(qū)動(dòng)用線圈相對(duì)。
[0090]另外，在上述實(shí)施方式中說(shuō)明了載臺(tái)裝置150具有磁懸浮型平面馬達(dá)的情況，但是不限于此，載臺(tái)裝置(移動(dòng)體裝置)也可以具有氣懸浮型平面馬達(dá)。在該情況下，在成為晶片載臺(tái)WST和測(cè)量用載臺(tái)MST移動(dòng)時(shí)的引導(dǎo)面的載臺(tái)底座21的上表面上非接觸地支承晶片載臺(tái)WST和測(cè)量用載臺(tái)MST的空氣軸承等氣體靜壓軸承設(shè)置在晶片載臺(tái)WST和測(cè)量用載臺(tái)MST各自的底面上。
[0091]另外，在上述實(shí)施方式中說(shuō)明了晶片載臺(tái)WST和測(cè)量用載臺(tái)MST均為能夠在6個(gè)自由度方向上驅(qū)動(dòng)的單一載臺(tái)的情況，但是不限于此，也可以是包括所謂的粗動(dòng)載臺(tái)和微動(dòng)載臺(tái)的粗動(dòng)載臺(tái)。在該情況下，設(shè)置在粗動(dòng)載臺(tái)上的磁鐵單元的磁鐵的配置滿足上述條件即可。
[0092]另外，在上述實(shí)施方式中，液體供應(yīng)嘴和液體回收嘴各設(shè)置有1個(gè)，但是不限于此，例如也可以如國(guó)際公開(kāi)第99/49504號(hào)公開(kāi)的那樣采用具有多個(gè)嘴的結(jié)構(gòu)。另外，液浸裝置132也可以采用歐洲專利申請(qǐng)公開(kāi)第1，598，855號(hào)公報(bào)等公開(kāi)的結(jié)構(gòu)?？偠灾灰軌蛳驑?gòu)成投影光學(xué)系統(tǒng)PL的最下端的光學(xué)部件(頂端透鏡)191和晶片W之間供應(yīng)液體，液浸裝置132的結(jié)構(gòu)就可以是任意的。另外，不限于液浸曝光裝置，也可以對(duì)不使用液體的干式曝光型的通常的曝光裝置適用上述實(shí)施方式和變形例。
[0093]另外，在上述實(shí)施方式中說(shuō)明了曝光裝置為步進(jìn)掃描式等的掃描型曝光裝置的情況，但是不限于此，也可以是步進(jìn)重復(fù)式的投影曝光裝置、步進(jìn)拼接式(step-and-stitch)的曝光裝置、或者接近式曝光裝置等。
[0094]另外，在上述實(shí)施方式中說(shuō)明了使用干涉儀系統(tǒng)來(lái)測(cè)量晶片載臺(tái)WST和測(cè)量用載臺(tái)MST的位置的情況，但是也可以代替干涉儀系統(tǒng)而使用編碼器系統(tǒng)，或者也可以與干涉儀系統(tǒng)同時(shí)使用編碼器系統(tǒng)。作為該情況下的編碼器系統(tǒng)，既可以采用例如如美國(guó)專利申請(qǐng)公開(kāi)第2008/0088843號(hào)說(shuō)明書(shū)等公開(kāi)的那樣在晶片臺(tái)或測(cè)量臺(tái)上設(shè)置刻度(scale)、并與其相對(duì)地在晶片臺(tái)WTB、測(cè)量臺(tái)MTB的外部配置編碼器頭(encoder head)部的編碼器系統(tǒng)，或者也可以采用例如如美國(guó)專利申請(qǐng)公開(kāi)第2006/0227309號(hào)說(shuō)明書(shū)等公開(kāi)的那樣在晶片臺(tái)WTB、測(cè)量臺(tái)MTB上設(shè)置多個(gè)編碼器頭部，并與其相對(duì)地在晶片臺(tái)WTB、測(cè)量臺(tái)MTB的外部配置網(wǎng)格部(例如二維網(wǎng)格或二維地配置的一維的網(wǎng)格部)的結(jié)構(gòu)的編碼器系統(tǒng)。
[0095]另外，上述實(shí)施方式的曝光裝置中的投影光學(xué)系統(tǒng)不僅可以是縮小系統(tǒng)，也可以是等倍及放大系統(tǒng)的任一種，投影光學(xué)系統(tǒng)PL不僅可以是折射系統(tǒng)，也可以是反射系統(tǒng)及反射折射系統(tǒng)的任一種，其投影像可以是倒立像或正立像。
[0096]另外，上述實(shí)施方式的曝光裝置的光源不限于發(fā)出ArF準(zhǔn)分子激光的設(shè)備，也可以使用發(fā)出KrF準(zhǔn)分子激光(輸出波長(zhǎng)為248nm)、F2激光(輸出波長(zhǎng)為157nm)、Ar2激光(輸出波長(zhǎng)為126nm)、Kr2激光(輸出波長(zhǎng)為146nm)等的脈沖激光光源，以及發(fā)出g線(波長(zhǎng)為436nm)、i線(波長(zhǎng)為365nm)等輝線的超高壓水銀燈等。另外，也可以使用YAG激光的高次諧波產(chǎn)生裝置等。另外，也可以使用例如通過(guò)摻雜了鉺(或鉺和鐿這兩者)的光纖放大器將從DFB半導(dǎo)體激光或光纖激光振蕩的紅外區(qū)域或可視區(qū)域的單一波長(zhǎng)的激光放大并使用非線性光學(xué)晶體將波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換為紫外線的高次諧波。另外，投影光學(xué)系統(tǒng)不僅可以是縮小系統(tǒng)，也可以是等倍或放大系統(tǒng)。
[0097]另外，在上述實(shí)施方式中，使用在光透過(guò)性的基板上形成了預(yù)定的遮光圖案(或相位圖案、減光圖案)的光透過(guò)型光罩，但是代替該光罩，也可以例如如美國(guó)專利第6，778，257號(hào)說(shuō)明書(shū)公開(kāi)的那樣使用基于應(yīng)曝光圖案的電子數(shù)據(jù)形成透過(guò)圖案、反射圖案或發(fā)光圖案的電子光罩。
[0098]另外，也可以對(duì)如國(guó)際公開(kāi)第2001/035168號(hào)等公開(kāi)的那樣通過(guò)在晶片W上形成干涉條紋而在晶片W上形成線與間隙(line and space)圖案的曝光裝置(光刻系統(tǒng))適用上述實(shí)施方式。
[0099]另外，也可以對(duì)例如如美國(guó)專利第6，611，316號(hào)說(shuō)明書(shū)公開(kāi)的那樣經(jīng)由投影光學(xué)系統(tǒng)在晶片上合成兩個(gè)標(biāo)線片圖案并通過(guò)一次的掃描曝光基本上同時(shí)地對(duì)晶片上的一個(gè)曝光區(qū)域進(jìn)行雙重曝光的曝光裝置適用上述實(shí)施方式。
[0100]另外，在上述實(shí)施方式中應(yīng)形成圖案的物體(被照射能量束的曝光對(duì)象的物體)不限于晶片，也可以是玻璃板(glass plate)、陶瓷基板、膜部件或空白光罩(mask blanks)等其他的物體。
[0101]作為曝光裝置的用途，不限于半導(dǎo)體制造用的曝光裝置，例如也可以廣泛地適用于向方形的玻璃板轉(zhuǎn)印液晶顯示元件圖案的液晶用的曝光裝置，用于制造有機(jī)EL、薄膜磁頭、攝像元件(<XD等)、微機(jī)械(Micro machine)、以及DNA芯片等的曝光裝置。另外，不僅是半導(dǎo)體元件等微器件，為了制造光曝光裝置、EUV曝光裝置、X線曝光裝置、以及電子線曝光裝置等所使用的標(biāo)線片或光罩而向玻璃基板或硅晶片等轉(zhuǎn)印電路圖案的曝光裝置也可以適用上述實(shí)施方式。
[0102]另外，經(jīng)過(guò)以下步驟來(lái)制造半導(dǎo)體器件:設(shè)計(jì)器件的功能、性能的步驟；制造基于上述設(shè)計(jì)步驟設(shè)計(jì)出的標(biāo)線片的步驟；通過(guò)硅材料來(lái)制造晶片的步驟；通過(guò)上述實(shí)施方式的曝光裝置將形成在標(biāo)線片上的圖案通過(guò)上述液浸曝光轉(zhuǎn)印到晶片等物體上的光刻步驟；器件組裝步驟(包括切割工序、接合(bonding)工序、封裝工序)；檢查步驟等。在該情況下，在光刻步驟中，由于使用上述實(shí)施方式的曝光裝置執(zhí)行上述液浸曝光方法在物體上形成器件圖案，因此能夠以高的成品率來(lái)制造高集成度的器件。
[0103]另外，援引在此前的說(shuō)明中引用的與曝光裝置等相關(guān)的所有公報(bào)、國(guó)際公開(kāi)、美國(guó)專利申請(qǐng)公開(kāi)說(shuō)明書(shū)、以及美國(guó)專利說(shuō)明書(shū)的公開(kāi)內(nèi)容來(lái)作為本說(shuō)明書(shū)的記載的一部分。
[0104]產(chǎn)業(yè)上的可利用性
[0105]如上所述，本發(fā)明的移動(dòng)體裝置適于在預(yù)定面內(nèi)驅(qū)動(dòng)兩個(gè)移動(dòng)體。另外，本發(fā)明的曝光裝置和器件制造方法適用制造微器件。
【權(quán)利要求】
1.一種移動(dòng)體裝置，包括: 第一移動(dòng)體，其能夠在載臺(tái)底座上沿二維平面移動(dòng)； 第二移動(dòng)體，其能夠在所述載臺(tái)底座上與所述第一移動(dòng)體獨(dú)立地沿二維平面移動(dòng)；以及 平面馬達(dá)，其具有第一磁鐵單元、第二磁鐵單元、以及線圈單元，所述第一磁鐵單元包括設(shè)置在所述第一移動(dòng)體上的多個(gè)磁鐵，所述第二磁鐵單元包括設(shè)置在所述第二移動(dòng)體上的多個(gè)磁鐵，所述線圈單元包括二維排列在所述載臺(tái)底座上的多個(gè)線圈，通過(guò)由于所述第一磁鐵單元和所述線圈單元之間的電磁相互作用而產(chǎn)生的驅(qū)動(dòng)力來(lái)驅(qū)動(dòng)所述第一移動(dòng)體，通過(guò)由于所述第二磁鐵單元和所述線圈單元之間的電磁相互作用而產(chǎn)生的驅(qū)動(dòng)力來(lái)驅(qū)動(dòng)所述第二移動(dòng)體， 根據(jù)所述線圈單元的線圈的大小和配置來(lái)確定所述第一磁鐵單元和第二磁鐵單元各自的周邊部的多個(gè)磁鐵在所述第一移動(dòng)體或第二移動(dòng)體上的配置，使得在所述第一移動(dòng)體和所述第二移動(dòng)體位于所述載臺(tái)底座上的預(yù)定范圍內(nèi)并在與所述二維平面相平行的第一方向上相互接近至預(yù)定距離以內(nèi)或者接觸的第一狀態(tài)下、并且在所述第一移動(dòng)體和所述第二移動(dòng)體在所述二維平面內(nèi)在與所述第一方向相垂直的第二方向上至少具有預(yù)定的位置關(guān)系的狀態(tài)下，構(gòu)成所述第一磁鐵單元的磁鐵和構(gòu)成所述第二磁鐵單元的磁鐵不同時(shí)與構(gòu)成所述線圈單元的同一個(gè)第一方向驅(qū)動(dòng)用線圈相對(duì)。
2.一種移動(dòng)體裝置，包括: 第一移動(dòng)體，其能夠在載臺(tái)底座上沿二維平面移動(dòng)； 第二移動(dòng)體，其能夠在所述載臺(tái)底座上與所述第一移動(dòng)體獨(dú)立地沿二維平面移動(dòng)；以及 平面馬達(dá)，其具有第一磁鐵單元、第二磁鐵單元、以及線圈單元，所述第一磁鐵單元包括設(shè)置在所述第一移動(dòng)體上的多個(gè)磁鐵，所述第二磁鐵單元包括設(shè)置在所述第二移動(dòng)體上的多個(gè)磁鐵，所述線圈單元包括二維排列在所述載臺(tái)底座上的多個(gè)線圈，通過(guò)由于所述第一磁鐵單元和所述線圈單元之間的電磁相互作用而產(chǎn)生的驅(qū)動(dòng)力來(lái)驅(qū)動(dòng)所述第一移動(dòng)體，通過(guò)由于所述第二磁鐵單元和所述線圈單元之間的電磁相互作用而產(chǎn)生的驅(qū)動(dòng)力來(lái)驅(qū)動(dòng)所述第二移動(dòng)體， 根據(jù)所述線圈單元的線圈的大小和配置來(lái)確定所述第一磁鐵單元和第二磁鐵單元各自的周邊部的多個(gè)磁鐵在所述第一移動(dòng)體或第二移動(dòng)體上的配置，使得在所述第一移動(dòng)體和所述第二移動(dòng)體位于所述載臺(tái)底座上的預(yù)定范圍內(nèi)并在與所述二維平面相平行的第一方向上相互接近至預(yù)定距離以內(nèi)或者接觸的第一狀態(tài)下、并且在所述第一移動(dòng)體和所述第二移動(dòng)體在所述二維平面內(nèi)在與所述第一方向相垂直的第二方向上至少具有預(yù)定的位置關(guān)系的狀態(tài)下，在構(gòu)成所述線圈單元的預(yù)定的線圈所產(chǎn)生的磁場(chǎng)和構(gòu)成所述第一磁鐵單元的磁鐵之間產(chǎn)生電磁相互作用，在所述預(yù)定的線圈所產(chǎn)生的所述磁場(chǎng)和構(gòu)成所述第二磁鐵單元的磁鐵之間不產(chǎn)生電磁相互作用。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的移動(dòng)體裝置，其中， 根據(jù)所述線圈單元的線圈的大小和配置來(lái)確定所述第一磁鐵單元和第二磁鐵單元各自的周邊部的多個(gè)磁鐵在所述第一移動(dòng)體或第二移動(dòng)體上的配置，使得當(dāng)所述第一移動(dòng)體和所述第二移動(dòng)體處于所述第一狀態(tài)時(shí)，無(wú)論兩者在所述第二方向上的位置關(guān)系如何，構(gòu)成所述第一磁鐵單元的磁鐵和構(gòu)成所述第二磁鐵單元的磁鐵不同時(shí)與構(gòu)成所述線圈單元的同一個(gè)第一方向驅(qū)動(dòng)用線圈相對(duì)。
4.一種移動(dòng)體裝置，包括: 第一移動(dòng)體，其能夠在載臺(tái)底座上沿二維平面移動(dòng)； 第二移動(dòng)體，其能夠在所述載臺(tái)底座上與所述第一移動(dòng)體獨(dú)立地沿二維平面移動(dòng)；以及 平面馬達(dá)，其具有第一磁鐵單元、第二磁鐵單元、以及線圈單元，所述第一磁鐵單元包括設(shè)置在所述第一移動(dòng)體上的多個(gè)磁鐵，所述第二磁鐵單元包括設(shè)置在所述第二移動(dòng)體上的多個(gè)磁鐵，所述線圈單元包括二維排列在所述載臺(tái)底座上的多個(gè)線圈，通過(guò)由于所述第一磁鐵單元和所述線圈單元之間的電磁相互作用而產(chǎn)生的驅(qū)動(dòng)力來(lái)驅(qū)動(dòng)所述第一移動(dòng)體，通過(guò)由于所述第二磁鐵單元和所述線圈單元之間的電磁相互作用而產(chǎn)生的驅(qū)動(dòng)力來(lái)驅(qū)動(dòng)所述第二移動(dòng)體； 在與所述二維平面相平行的第一方向上，從所述第一移動(dòng)體的一側(cè)的端部到所述第一磁鐵單元的所述一側(cè)的端部的距離與從所述第二移動(dòng)體的另一側(cè)的端部到所述第二磁鐵單元的所述另一側(cè)的端部的距離的合計(jì)包含所述第一方向上的至少一個(gè)所述線圈的長(zhǎng)度。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的移動(dòng)體裝置，其中， 在所述第一移動(dòng)體和所述第二移動(dòng)體位于所述載臺(tái)底座上的預(yù)定范圍內(nèi)、并且在所述第一方向上所述第一移動(dòng)體的所述一側(cè)的端部和所述第二移動(dòng)體的所述另一側(cè)的端部相互接近至預(yù)定距離以內(nèi)或者接觸的第一狀態(tài)下，并且在所述第一移動(dòng)體和所述第二移動(dòng)體在所述二維平面內(nèi)在與所述第一方向相垂直的第二方向上至少具有預(yù)定的位置關(guān)系的狀態(tài)下，當(dāng)在所述第一軸方向上將從所述第一移動(dòng)體的所述一側(cè)的端部到所述第一磁鐵單元的所述一側(cè)的端部的距離設(shè)為D1、將從所述第二移動(dòng)體的所述另一側(cè)的端部到所述第二磁鐵單元的所述另一側(cè)的端部的距離設(shè)為D2，并且將所述第一方向上的一個(gè)所述線圈的長(zhǎng)度設(shè)為L(zhǎng)c時(shí)，成立(D1+D2)彡Lc的關(guān)系。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的移動(dòng)體裝置，其中， 在所述第一移動(dòng)體和所述第二移動(dòng)體位于所述載臺(tái)底座上的預(yù)定范圍內(nèi)、并且在所述第一方向上所述第一移動(dòng)體的所述一側(cè)的端部和所述第二移動(dòng)體的所述另一側(cè)的端部相互接近至預(yù)定距離以內(nèi)或者接觸的第一狀態(tài)下，并且在所述第一移動(dòng)體和所述第二移動(dòng)體在所述二維平面內(nèi)在與所述第一方向相垂直的第二方向上至少具有預(yù)定的位置關(guān)系的狀態(tài)下，當(dāng)將所述第一方向上的所述第一磁鐵單元和所述第二磁鐵單元之間的間隔設(shè)為L(zhǎng)m，并將所述第一方向上的一個(gè)所述線圈的長(zhǎng)度設(shè)為L(zhǎng)c時(shí)，成立Lm ^ Lc的關(guān)系。
7.—種曝光裝置，經(jīng)由光學(xué)系統(tǒng)和液體利用能量束對(duì)物體進(jìn)行曝光，其包括: 在所述第一移動(dòng)體和第二移動(dòng)體的至少一者上載置所述物體的、權(quán)利要求1至6中的任一項(xiàng)所述的移動(dòng)體裝置；以及 向所述光學(xué)系統(tǒng)的正下方供應(yīng)液體并在所述光學(xué)系統(tǒng)與所述第一移動(dòng)體及第二移動(dòng)體中的至少一者之間形成液浸區(qū)域的液浸裝置， 當(dāng)所述第一移動(dòng)體和第二移動(dòng)體處于所述第一狀態(tài)時(shí)，在兩者之間進(jìn)行所述液浸區(qū)域的轉(zhuǎn)移。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的曝光裝置，其中， 所述第一移動(dòng)體是載置所述物體的物體載臺(tái)， 所述第二移動(dòng)體是設(shè)置有測(cè)量部件的測(cè)量用載臺(tái)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的曝光裝置，其中， 在所述物體載臺(tái)上，在與所述載臺(tái)底座相對(duì)側(cè)的面的幾乎整面上配置有所述第一磁鐵單元， 在所述測(cè)量用載臺(tái)上，在與所述載臺(tái)底座相對(duì)側(cè)的面的、除了所述第一方向上的一個(gè)端部、且是能夠接近所述物體載臺(tái)側(cè)的端部以外的區(qū)域配置有所述第二磁鐵單元。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的曝光裝置，其中， 所述第一移動(dòng)體和第二移動(dòng)體均是載置所述物體的物體載臺(tái)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的曝光裝置，其中， 在所述第一移動(dòng)體和第二移動(dòng)體上，在各自的上端部的所述第一方向上的至少一側(cè)設(shè)置有向外部突出的突出部， 根據(jù)所述第一方向驅(qū)動(dòng)用線圈的第一方向上的尺寸來(lái)確定所述突出部在第一方向上的關(guān)出尺寸。
12.根據(jù)權(quán)利要求7至11中的任一項(xiàng)所述的曝光裝置，其中， 對(duì)經(jīng)過(guò)了所述光學(xué)系統(tǒng)的所述能量束，在所述第一方向上掃描載置于所述第一移動(dòng)體或第二移動(dòng)體上的所述物體，由此對(duì)所述物體進(jìn)行曝光。
13.一種器件制造方法，包括: 通過(guò)權(quán)利要求7至12中的任一項(xiàng)所述的曝光裝置對(duì)感應(yīng)物體進(jìn)行曝光；以及 對(duì)被曝光了的所述物體進(jìn)行顯像。
【文檔編號(hào)】H01L21/027GK104364881SQ201380031270
【公開(kāi)日】2015年2月18日 申請(qǐng)日期:2013年3月15日 優(yōu)先權(quán)日:2012年4月13日
【發(fā)明者】森本樹(shù) 申請(qǐng)人:株式會(huì)社尼康