電子部件用金屬材料及其制造方法、使用其的連接器端子、連接器及電子部件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種具有低晶須性、低粘著磨耗性及高耐久性的電子部件用金屬材料、使用其的連接器端子、連接器及電子部件。本發(fā)明的電子部件用金屬材料具備：基材；下層，其形成在基材上且由選自由Ni、Cr、Mn、Fe、Co及Cu所組成的組即A構(gòu)成元素組中的1種或2種以上所構(gòu)成；中層，其形成在下層上且由選自由Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os及Ir所組成的組即B構(gòu)成元素組中的1種或2種以上所構(gòu)成；上層，其形成在中層上且由選自由Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os及Ir所組成的組即B構(gòu)成元素組中的1種或2種以上、與選自由Sn及In所組成的組即C構(gòu)成元素組中的1種或2種的合金所構(gòu)成；及最表層，其形成在上層上且由選自由Sn及In所組成的組即C構(gòu)成元素組中的1種或2種所構(gòu)成；并且下層的厚度為0.05μm以上且低于5.00μm，中層的厚度為0.01μm以上且低于0.50μm，上層的厚度低于0.50μm，最表層的厚度為0.005μm以上且低于0.30μm。
【專利說(shuō)明】電子部件用金屬材料及其制造方法、使用其的連接器端子、 連接器及電子部件

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明是關(guān)于一種電子部件用金屬材料及其制造方法、使用其的連接器端子、連 接器及電子部件。

【背景技術(shù)】
[0002] 作為民生用及車載用電子設(shè)備用連接部件的連接器使用于黃銅或磯青銅的表面 實(shí)施Ni或化的基底鍛敷，進(jìn)一步在其上實(shí)施Sn或Sn合金鍛敷而成的材料。Sn或Sn合金 鍛敷通常要求低接觸電阻及高焊料潤(rùn)濕性的特性，進(jìn)一步近年來(lái)也謀求降低將利用壓制加 工使鍛敷材料成形而成的公頭端子及母頭端子對(duì)接時(shí)的插入力。另外，有時(shí)在制造步驟中 在鍛敷表面產(chǎn)生引起短路等問(wèn)題的針狀結(jié)晶即晶須，因而也有必要良好地抑制該晶須。
[0003] 對(duì)此，專利文獻(xiàn)1中公開了一種電接點(diǎn)材料，其特征在于；具備接點(diǎn)基材、形成在 上述接點(diǎn)基材的表面的由Ni或Co或兩者的合金所構(gòu)成的基底層、及形成在上述基底層的 表面的Ag-Sn合金層，并且上述Ag-Sn合金層中的Sn的平均濃度低于10質(zhì)量％，且上述 Ag-Sn合金層中的Sn的濃度根據(jù)從與上述基底層的界面向上述Ag-Sn合金層的表層部增大 的濃度梯度而變化。并且記載了由此得到的耐磨耗性、耐蝕性、加工性優(yōu)異的電接點(diǎn)材料及 能夠極其廉價(jià)地制造該電接點(diǎn)材料。
[0004] 另外，專利文獻(xiàn)2中公開了一種電氣、電子部件用材料，其特征在于：至少在表面 由化或化合金構(gòu)成的基體的上述表面隔著由Ni或Ni合金層構(gòu)成之中間層而形成有均含 有AgjSn(e相)化合物的厚度0.5?20ym的由Sn層或Sn合金層構(gòu)成的表面層。并且 記載了其目的在于由此提供一種電氣、電子部件用材料及其制造方法、W及使用了該材料 的電氣、電子部件，該電氣、電子部件用材料的表面層的烙點(diǎn)低于Sn,焊接性優(yōu)異，另外，也 無(wú)晶須的產(chǎn)生，焊接后所形成的接合部的接合強(qiáng)度高，同時(shí)也不易引起該接合強(qiáng)度在高溫 下的經(jīng)時(shí)性降低，因此適宜作為引線材料，另外，即便在高溫環(huán)境下使用時(shí)也可抑制接觸電 阻的上升，也無(wú)導(dǎo)致與對(duì)象材料間的連接可靠性的降低的情況，因此也適宜作為連接器材 料。
[0005] 另外，專利文獻(xiàn)3中公開了一種被覆材料，其具備具有導(dǎo)電性的基材、及形成于上 述基材的被覆層，其特征在于：上述被覆層至少在表面?zhèn)劝琒n與貴金屬的金屬間化合 物。并且記載了其目的在于由此提供一種被覆材料、及其制造方法，該被覆材料具有如下特 性；接觸電阻低，具有低摩擦系數(shù)，對(duì)插入力的降低有效，且耐氧化性優(yōu)異而長(zhǎng)期穩(wěn)定。
[0006] 現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn) 專利文獻(xiàn) 專利文獻(xiàn)1 ;日本特開平4-370613號(hào)公報(bào) 專利文獻(xiàn)2 ;日本特開平11-350189號(hào)公報(bào) 專利文獻(xiàn)3 ;日本特開2005-126763號(hào)公報(bào)。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007] 發(fā)明要解決的的技術(shù)課題 然而，在專利文獻(xiàn)1中所記載的技術(shù)中，近年來(lái)所謀求的插入力的降低化與有無(wú)晶須 產(chǎn)生的關(guān)系尚不明確。另外，Ag-Sn合金層中的Sn的平均濃度低于10質(zhì)量％，Ag-Sn合金 層中的Ag的比例相當(dāng)高，因此在本發(fā)明人等的評(píng)價(jià)中，對(duì)氯氣、亞硫酸氣體、硫化氨等氣體 的耐氣體腐蝕性不足夠。
[0008] 另外，在專利文獻(xiàn)2中所記載的技術(shù)中，對(duì)于在含有AgjSn(e相）化合物的厚度 0. 5?20ym的由Sn層或Sn合金層構(gòu)成的表面層，在本發(fā)明人等的評(píng)價(jià)中，該表面層厚度 中存在無(wú)法充分降低插入力的區(qū)域。進(jìn)一步，也記載了由Sn層或Sn合金層構(gòu)成的表面層 的AggSn(e相)的含量WAg換算計(jì)為0. 5?5質(zhì)量％，由Sn層或Sn合金層構(gòu)成的表面層 中的Sn的比例多，由Sn層或Sn合金層構(gòu)成的表面層的厚度也厚，因此在本發(fā)明人等的評(píng) 價(jià)中，產(chǎn)生晶須，耐微滑動(dòng)磨耗性不足夠。耐熱性或焊料潤(rùn)濕性也不足夠。
[0009] 另外，在專利文獻(xiàn)3中所記載的技術(shù)中，被覆層包含Sn與貴金屬的金屬間化合物， 但Sn與貴金屬的金屬間化合物（AggSn)的厚度優(yōu)選為成為1ymW上且3ymW下。在本 發(fā)明人等的評(píng)價(jià)中，該厚度無(wú)法充分降低插入力。
[0010] 如此，先前的具有Sn-Ag合金/Ni基底鍛敷結(jié)構(gòu)的電子部件用金屬材料還無(wú)法充 分降低插入力，另外，還存在產(chǎn)生晶須的問(wèn)題。另外，關(guān)于耐久性(耐熱性、焊料潤(rùn)濕性、耐微 滑動(dòng)磨耗性及耐氣體腐蝕性)，也難W實(shí)現(xiàn)可充分令人滿意的規(guī)格，因而尚不明確。
[0011] 本發(fā)明是為了解決上述課題而完成的，其課題在于提供一種具有低晶須性、低粘 著磨耗性及高耐久性的電子部件用金屬材料、使用其的連接器端子、連接器及電子部件。需 要說(shuō)明的是，粘著磨耗是指起因于構(gòu)成固體間的真實(shí)接觸面積的粘著部分因摩擦運(yùn)動(dòng)導(dǎo)致 斷裂而產(chǎn)生的磨耗現(xiàn)象。若該粘著磨耗增大，則將公頭端子與母頭端子對(duì)接時(shí)的插入力增 商。
[0012] 解決課題的技術(shù)手段 本發(fā)明人等進(jìn)行努力研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)在基材上設(shè)置下層、中層、上層、及最表層，在下 層、中層、上層、及最表層使用特定的金屬，且設(shè)為特定的厚度及組成，由此可制作具有低晶 須性、低粘著磨耗性及高耐久性的電子部件用金屬材料。
[0013] 基于W上見解而完成的本發(fā)明在一方面中是一種具有低晶須性、低粘著磨耗性 及高耐久性的電子部件用金屬材料，其具備；基材；下層，其形成在上述基材上且由選自由 Ni、化、Mn、Fe、Co及化所組成的組即A構(gòu)成元素組中的1種或2種W上所構(gòu)成沖層，其 形成在上述下層上且由選自由Ag、All、Pt、Pd、Riu化、化及Ir所組成的組即B構(gòu)成元素組 中的1種或2種W上所構(gòu)成；上層，其形成在上述中層上且由選自由Ag、Au、Pt、Pd、Ru、^、 化及Ir所組成的組即B構(gòu)成元素組中的1種或2種W上、與選自由Sn及In所組成的組 即C構(gòu)成元素組中的1種或2種的合金所構(gòu)成；及最表層，其形成在上述上層上且由選自由 Sn及In所組成的組即C構(gòu)成元素組中的1種或2種所構(gòu)成；并且上述下層的厚度為0. 05 UmW上且低于5.00ym，上述中層的厚度為0.01ymW上且低于0.50ym，上述上層的 厚度低于0.50ym，上述最表層的厚度為0.005ymW上且低于0.30ym。
[0014] 本發(fā)明的電子部件用金屬材料在一實(shí)施方式中，上述最表層的最小厚度（ym)為 上述最表層的厚度（Um)的50%W上。
[0015] 本發(fā)明的電子部件用金屬材料在另一實(shí)施方式中，上述最表層與上述上層的界面 輪廓的相鄰的山與谷的高低差的最大值（ym)為上述最表層的厚度（Um)的50%W下。
[0016] 本發(fā)明的電子部件用金屬材料在另一實(shí)施方式中，上述上層含有上述C構(gòu)成元素 組的金屬10?50at%。
[0017] 本發(fā)明的電子部件用金屬材料在另一實(shí)施方式中，在上述上層存在為包含Sn 11. 8 ?22. 9at% 的SnAg合金的？> (zeta)相。
[0018] 本發(fā)明的電子部件用金屬材料在另一實(shí)施方式中，在上述上層存在為AgsSn的e (epsilon)才目。
[0019] 本發(fā)明的電子部件用金屬材料在另一實(shí)施方式中，在上述上層存在為包含Sn 11. 8?22. 9at%的SnAg合金的？>(zeta)相、及為AggSn的e(epsilon)相。
[0020] 本發(fā)明的電子部件用金屬材料在另一實(shí)施方式中，在上述上層僅存在為AgsSn的 e(epsilon)才目。
[0021] 本發(fā)明的電子部件用金屬材料在另一實(shí)施方式中，在上述上層存在為AgsSn的e (epsilon)相、及為Sn單相的目Sn。
[0022] 本發(fā)明的電子部件用金屬材料在另一實(shí)施方式中，在上述上層存在為包含Sn 11. 8 ?22. 9at% 的SnAg合金的？> (zeta)相、為AgsSn的e(epsilon)相、及為Sn單相 的目Sn。
[0023] 本發(fā)明的電子部件用金屬材料在另一實(shí)施方式中，上述最表層的厚度低于0. 20 ym。
[0024] 本發(fā)明的電子部件用金屬材料在另一實(shí)施方式中，上述上層的厚度為0.05 UmW 上。
[00巧]本發(fā)明的電子部件用金屬材料在另一實(shí)施方式中，上述中層的厚度為0.05ymW上且低于0. 30ym。
[0026] 本發(fā)明的電子部件用金屬材料在另一實(shí)施方式中，上述最表層與上述上層的厚度 的比為最表層：上層=1 ;9?6 ;4。
[0027] 本發(fā)明的電子部件用金屬材料在另一實(shí)施方式中，在從上述最表層起，到自上述 最表層的最表面去除0.03Um的范圍的上述中層為止含有分別為2at%W下的C、S、0。
[0028] 本發(fā)明的電子部件用金屬材料在另一實(shí)施方式中，通過(guò)超微小硬度試驗(yàn)對(duì)上述最 表層的表面W載荷10mN壓出凹痕而測(cè)得的硬度即上述最表層的表面的壓痕硬度為1000 M化社。
[0029] 本發(fā)明的電子部件用金屬材料在另一實(shí)施方式中，通過(guò)超微小硬度試驗(yàn)對(duì)上述最 表層的表面W載荷10mN壓出凹痕而測(cè)得的硬度即上述最表層的表面的壓痕硬度為10000 M化W下。
[0030] 本發(fā)明的電子部件用金屬材料在另一實(shí)施方式中，上述最表層的表面的算術(shù)平均 高度（Ra)為0.3UmW下。
[0031] 本發(fā)明的電子部件用金屬材料在另一實(shí)施方式中，上述最表層的表面的最大高度 (Rz)為 3JimW下。
[0032] 本發(fā)明的電子部件用金屬材料在另一實(shí)施方式中，上述最表層、上述上層、上述中 層及上述下層是通過(guò)在上述基材上使選自上述A構(gòu)成元素組中的1種或2種W上成膜，其 后使選自上述B構(gòu)成元素組中的I種或2種成膜，其后使選自上述C構(gòu)成元素組中的I種 或2種W上成膜，使上述B構(gòu)成元素組及上述C構(gòu)成元素組的各元素?cái)U(kuò)散而分別形成。
[0033] 本發(fā)明的電子部件用金屬材料在另一實(shí)施方式中，通過(guò)熱處理進(jìn)行上述擴(kuò)散。
[0034] 本發(fā)明的電子部件用金屬材料在另一實(shí)施方式中，在上述C構(gòu)成元素組的金屬的 烙點(diǎn)W上進(jìn)行上述熱處理，形成選自上述B構(gòu)成元素組中的1種或2種W上及選自上述C 構(gòu)成元素組中的1種或2種的合金層。
[00巧]本發(fā)明的電子部件用金屬材料在另一實(shí)施方式中，上述A構(gòu)成元素組的金屬W Ni、化、Mn、Fe、Co、化的合計(jì)計(jì)為50mass%W上，且進(jìn)一步包含選自由B、P、Sn及化所組 成的組中的1種或2種W上。
[0036] 本發(fā)明的電子部件用金屬材料在另一實(shí)施方式中，上述B構(gòu)成元素組的金屬W Ag、Au、Pt、PtRu、化、Os、及Ir的合計(jì)計(jì)為50mass%W上，且其余合金成分由選自由Bi、 CcUCo、CiuFe、In、Mn、Mo、Ni、Pb、Sb、Se、Sn、W、Tl及化所組成的組中的 1 種或 2 種W上 的金屬所構(gòu)成。
[0037] 本發(fā)明的電子部件用金屬材料在另一實(shí)施方式中，上述C構(gòu)成元素組的金屬WSn 與In的合計(jì)計(jì)為50mass%W上，且其余合金成分由選自由Ag、As、Au、Bi、Cd、Co、化、化、 Fe、Mn、Mo、Ni、Pb、Sb、W及化所組成的組中的I種或2種W上的金屬所構(gòu)成。
[0038] 本發(fā)明的電子部件用金屬材料在另一實(shí)施方式中，上述下層的剖面的維氏硬度為 Hv300W上。
[0039] 本發(fā)明的電子部件用金屬材料在另一實(shí)施方式中，通過(guò)超微小硬度試驗(yàn)對(duì)上述下 層的剖面W載荷10HiN壓出凹痕而測(cè)得的硬度即上述下層的剖面的壓痕硬度為1500MPa 社。
[0040] 本發(fā)明的電子部件用金屬材料在另一實(shí)施方式中，上述下層的剖面的維氏硬度為 HvlOOOW下。
[0041] 本發(fā)明的電子部件用金屬材料在另一實(shí)施方式中，通過(guò)超微小硬度試驗(yàn)對(duì)上述下 層的剖面W載荷10HiN壓出凹痕而測(cè)得的硬度即上述下層的剖面的壓痕硬度為10000MPa W下。
[0042] 本發(fā)明的電子部件用金屬材料在另一實(shí)施方式中，在上述最表層的表面附著有P， 上述P的附著量為1X10-11?4X10-8mol/cm2。
[0043] 本發(fā)明的電子部件用金屬材料在另一實(shí)施方式中，在上述上層的表面進(jìn)一步附著 有N，上述N的附著量為2X1Q-12?8X10-9mol/cm2。
[0044] 本發(fā)明的電子部件用金屬材料在另一實(shí)施方式中，在利用對(duì)上述最表層進(jìn)行 分析時(shí)將所檢測(cè)出的P的基于2S軌道電子的光電子檢測(cè)強(qiáng)度設(shè)為I(P2S)，將N的基于IS 軌道電子的光電子檢測(cè)強(qiáng)度設(shè)為I(Nls)時(shí)，滿足0.1《I(P2s)^ (Nls)《1。
[0045] 本發(fā)明的電子部件用金屬材料在另一實(shí)施方式中，在利用對(duì)上述最表層進(jìn)行 分析時(shí)將所檢測(cè)出的P的基于2S軌道電子的光電子檢測(cè)強(qiáng)度設(shè)為I(P2s)，將N的基于IS 軌道電子的光電子檢測(cè)強(qiáng)度設(shè)為I(Nls)時(shí)，滿足1<1 (P2s)^ (Nls)《50。
[0046] 本發(fā)明在另一方面中是一種本發(fā)明的電子部件用金屬材料的制造方法，其是利用 含有下述通式[1]及[2]所表示的磯酸醋的至少1種、及選自下述通式[3]及[4]所表示 的環(huán)狀有機(jī)化合物組中的至少1種的磯酸醋系液對(duì)金屬材料的表面進(jìn)行表面處理，該金屬 材料具備有：基材；下層，其形成在上述基材上且由選自由NiXr、Mn、Fe、Co及化所組成的 組即A構(gòu)成元素組中的1種或2種W上所構(gòu)成；中層，其形成在上述下層上且由選自由Ag、 八11、？1、？(1、師、化、化及11'所組成的組即6構(gòu)成元素組中的1種或2種^上所構(gòu)成；上層， 其形成在上述中層上且由選自由Ag、All、Pt、PcURiu化、化及Ir所組成的組即B構(gòu)成元素 組中的1種或2種W上、與選自由Sn及In所組成的組即C構(gòu)成元素組中的1種或2種的 合金所構(gòu)成；及最表層，其形成在上述上層上且由選自由Sn及In所組成的組即C構(gòu)成元素 組中的1種或2種所構(gòu)成；

【權(quán)利要求】
1. 電子部件用金屬材料，其具有低晶須性、低粘著磨耗性及高耐久性，并且具備： 基材； 下層，其形成在所述基材上且由選自由Ni、Cr、Mn、Fe、Co及Cu所組成的組即A構(gòu)成元 素組中的1種或2種以上所構(gòu)成； 中層，其形成在所述下層上且由選自由Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os及Ir所組成的組即B 構(gòu)成元素組中的1種或2種以上所構(gòu)成； 上層，其形成在所述中層上且由選自由Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os及Ir所組成的組即B 構(gòu)成元素組中的1種或2種以上、與選自由Sn及In所組成的組即C構(gòu)成元素組中的1種 或2種的合金所構(gòu)成；及 最表層，其形成在所述上層上且由選自由Sn及In所組成的組即C構(gòu)成元素組中的1 種或2種所構(gòu)成；并且 所述下層的厚度為0.05 μ m以上且低于5.00 μ m， 所述中層的厚度為0.01 μ m以上且低于0.50 μ m， 所述上層的厚度低于0.50 μ m， 所述最表層的厚度為0.005 μ m以上且低于0.30 μ m。
2. 如權(quán)利要求1所述的電子部件用金屬材料，其中所述最表層的最小厚度（μ m)為所 述最表層的厚度（μ m)的50%以上。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的電子部件用金屬材料，其中所述最表層與所述上層的界面 輪廓的相鄰的山與谷的高低差的最大值（μ m)為所述上層的厚度（μ m)的50%以下。
4. 如權(quán)利要求1?3中任一項(xiàng)所述的電子部件用金屬材料，其中所述上層含有所述C 構(gòu)成元素組的金屬10?50 at%。
5. 如權(quán)利要求1?4中任一項(xiàng)所述的電子部件用金屬材料，其中在所述上層存在為包 含 Sn 11. 8 ?22. 9 at% 的 SnAg 合金的 ζ (zeta)相。
6. 如權(quán)利要求1?4中任一項(xiàng)所述的電子部件用金屬材料，其中在所述上層存在為 Ag3Sn 的 ε (epsilon)相。
7. 如權(quán)利要求1?4中任一項(xiàng)所述的電子部件用金屬材料，其中在所述上層存在為包 含 Sn 11. 8 ?22. 9 at% 的 SnAg 合金的 ζ (zeta)相、及為 Ag3Sn 的 ε (epsilon)相。
8. 如權(quán)利要求1?4中任一項(xiàng)所述的電子部件用金屬材料，其中在所述上層僅存在為 Ag3Sn 的 ε (epsilon)相。
9. 如權(quán)利要求1?4中任一項(xiàng)所述的電子部件用金屬材料，其中在所述上層存在為 Ag3Sn 的 ε (epsilon)相、及為 Sn 單相的 PSn。
10. 如權(quán)利要求1?4中任一項(xiàng)所述的電子部件用金屬材料，其中在所述上層存在為包 含 Sn 11. 8 ?22. 9 at% 的 SnAg 合金的 ζ (zeta)相、為 Ag3Sn 的 ε (epsilon)相、及為 Sn單相的β Sn。
11. 如權(quán)利要求1?10中任一項(xiàng)所述的電子部件用金屬材料，其中所述最表層的厚度 低于 〇· 20 μ m。
12. 如權(quán)利要求1?11中任一項(xiàng)所述的電子部件用金屬材料，其中所述上層的厚度為 0· 05 μ m 以上。
13. 如權(quán)利要求1?12中任一項(xiàng)所述的電子部件用金屬材料，其中所述中層的厚度為 0. 05 μ m以上且低于0· 30 μ m。
14. 如權(quán)利要求I?13中任一項(xiàng)所述的電子部件用金屬材料，其中所述最表層與所述 上層的厚度的比為最表層：上層=1 :9?6 :4。
15. 如權(quán)利要求1?14中任一項(xiàng)所述的電子部件用金屬材料，其中在從所述最表層起， 到自所述最表層的最表面去除0.03 μ m的范圍的所述中層為止含有分別為2 at%以下的 C、S、0。
16. 如權(quán)利要求1?15中任一項(xiàng)所述的電子部件用金屬材料，其中通過(guò)超微小硬度試 驗(yàn)對(duì)所述最表層的表面以載荷10 mN壓出凹痕而測(cè)得的硬度即所述最表層的表面的壓痕硬 度為1000 MPa以上。
17. 如權(quán)利要求1?16中任一項(xiàng)所述的電子部件用金屬材料，其中通過(guò)超微小硬度試 驗(yàn)對(duì)所述最表層的表面以載荷10 mN壓出凹痕而測(cè)得的硬度即所述最表層的表面的壓痕硬 度為10000 MPa以下。
18. 如權(quán)利要求1?17中任一項(xiàng)所述的電子部件用金屬材料，其中所述最表層的表面 的算術(shù)平均高度（Ra)為0.3 ym以下。
19. 如權(quán)利要求1?18中任一項(xiàng)所述的電子部件用金屬材料，其中所述最表層的表面 的最大高度（Rz)為3 μπι以下。
20. 如權(quán)利要求1?19中任一項(xiàng)所述的電子部件用金屬材料，其中所述最表層、所述上 層、所述中層及所述下層是如下形成的， 通過(guò)在所述基材上使選自所述A構(gòu)成元素組中的1種或2種以上成膜，其后使選自所 述B構(gòu)成元素組中的1種或2種成膜，其后使選自所述C構(gòu)成元素組中的1種或2種以上 成膜，使所述B構(gòu)成元素組及所述C構(gòu)成元素組的各元素?cái)U(kuò)散而分別形成。
21. 如權(quán)利要求20所述的電子部件用金屬材料，其中通過(guò)熱處理進(jìn)行所述擴(kuò)散。
22. 如權(quán)利要求21所述的電子部件用金屬材料，其中在所述C構(gòu)成元素組的金屬的熔 點(diǎn)以上進(jìn)行所述熱處理，形成選自所述B構(gòu)成元素組中的1種或2種以上與選自所述C構(gòu) 成元素組中的1種或2種的合金層。
23. 如權(quán)利要求1?22中任一項(xiàng)所述的電子部件用金屬材料，其中所述A構(gòu)成元素組 的金屬以Ni、Cr、Mn、Fe、Co、Cu的合計(jì)計(jì)為50 mass%以上，且進(jìn)一步包含選自由B、P、Sn及 Zn所組成的組中的1種或2種以上。
24. 如權(quán)利要求1?23中任一項(xiàng)所述的電子部件用金屬材料，其中所述B構(gòu)成元素組 的金屬以Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os、及Ir的合計(jì)計(jì)為50 mass%以上，且其余合金成分由選 自由 Bi、Cd、Co、Cu、Fe、In、Mn、Mo、Ni、Pb、Sb、Se、Sn、W、Tl 及 Zn 所組成的組中的 1 種或 2 種以上的金屬所構(gòu)成。
25. 如權(quán)利要求1?24中任一項(xiàng)所述的電子部件用金屬材料，其中所述C構(gòu)成元素組 的金屬以Sn與In的合計(jì)計(jì)為50 mass%以上，且其余合金成分由選自由Ag、As、Au、Bi、Cd、 Co、Cr、Cu、Fe、Μη、Mo、Ni、Pb、Sb、W及Zn所組成的組中的1種或2種以上的金屬所構(gòu)成。
26. 如權(quán)利要求1?25中任一項(xiàng)所述的電子部件用金屬材料，其中所述下層的剖面的 維氏硬度為Hv300以上。
27. 如權(quán)利要求1?26中任一項(xiàng)所述的電子部件用金屬材料，其中通過(guò)超微小硬度試 驗(yàn)對(duì)所述下層的剖面以載荷10 mN壓出凹痕而測(cè)得的硬度即所述下層的剖面的壓痕硬度為 1500 MPa 以上。
28. 如權(quán)利要求1?27中任一項(xiàng)所述的電子部件用金屬材料，其中所述下層的剖面的 維氏硬度為HvlOOO以下。
29. 如權(quán)利要求1?28中任一項(xiàng)所述的電子部件用金屬材料，其中通過(guò)超微小硬度試 驗(yàn)對(duì)所述下層的剖面以載荷10 mN壓出凹痕而測(cè)得的硬度即所述下層的剖面的壓痕硬度為 10000 MPa 以下。
30. 如權(quán)利要求1?29中任一項(xiàng)所述的電子部件用金屬材料，其中在所述最表層的表 面附著有P，所述P的附著量為IXKT11?4ΧΚΓ 8 mol/cm2。
31. 如權(quán)利要求30所述的電子部件用金屬材料，其中在所述最表層的表面進(jìn)一步附著 有N，所述N的附著量為2X10_12?8X10_ 9 mol/cm2。
32. 如權(quán)利要求31所述的電子部件用金屬材料，其中在利用XPS對(duì)所述最表層進(jìn)行分 析時(shí)將所檢測(cè)出的P的基于2S軌道電子的光電子檢測(cè)強(qiáng)度設(shè)為I(P2s)，將N的基于IS軌 道電子的光電子檢測(cè)強(qiáng)度設(shè)為I (Nls)時(shí)，滿足0.1彡I (P2s)/I (Nls)彡1。
33. 如權(quán)利要求31所述的電子部件用金屬材料，其中在利用XPS對(duì)所述最表層進(jìn)行分 析時(shí)將所檢測(cè)出的P的基于2S軌道電子的光電子檢測(cè)強(qiáng)度設(shè)為I(P2s)，將N的基于IS軌 道電子的光電子檢測(cè)強(qiáng)度設(shè)為I (Nls)時(shí)，滿足1< I (P2s)/I (Nls) <50。
34. 權(quán)利要求30?33中任一項(xiàng)所述的電子部件用金屬材料的制造方法，其中，利用含 有下述通式[1]及[2]所表示的磷酸酯的至少1種、和選自下述通式[3]及[4]所表示的 環(huán)狀有機(jī)化合物組中的至少1種的磷酸酯系液對(duì)金屬材料的表面進(jìn)行表面處理，所述金屬 材料具備有： 基材； 下層，其形成在所述基材上且由選自由Ni、Cr、Mn、Fe、Co及Cu所組成的組即A構(gòu)成元 素組中的1種或2種以上所構(gòu)成； 中層，其形成在所述下層上且由選自由Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os及Ir所組成的組即B 構(gòu)成元素組中的1種或2種以上所構(gòu)成； 上層，其形成在所述中層上且由選自由Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os及Ir所組成的組即B 構(gòu)成元素組中的1種或2種以上、與選自由Sn及In所組成的組即C構(gòu)成元素組中的1種 或2種的合金所構(gòu)成；及
最表層，其形成在所述上層上且由選自由Sn及In所組成的組即C構(gòu)成元素組中的1 種或2種所構(gòu)成； [化1] [化2]
(式[1]、[2]中，R1及R2分別表示取代燒基，M表示氫或堿金屬） [化3] [化4]

(式[3]、[4]中，R1表不氧、燒基、或取代燒基，R2表不喊金屬、氧、燒基、或取代燒基，R 3 表示堿金屬或氫，R4表示-SH、被烷基或芳基取代的氨基、或被烷基取代的咪唑基烷基，R5及 R6表示-NH2、-SH或-SM (M表示堿金屬））。
35. 如權(quán)利要求34所述的電子部件用金屬材料的制造方法，其中通過(guò)在所述最表層的 表面涂布磷酸酯系液而進(jìn)行所述利用磷酸酯系液的表面處理。
36. 如權(quán)利要求34所述的電子部件用金屬材料的制造方法，其中通過(guò)將形成所述最表 層后的金屬材料浸漬在磷酸酯系液中，以所述最表層形成后的金屬材料作為陽(yáng)極進(jìn)行電解 而進(jìn)行所述利用磷酸酯系液的表面處理。
37. 連接器端子，其在接點(diǎn)部分使用了權(quán)利要求1?33中任一項(xiàng)所述的電子部件用金 屬材料。
38. 連接器，其使用了權(quán)利要求37所述的連接器端子。 39. FFC端子，其在接點(diǎn)部分使用了權(quán)利要求1?33中任一項(xiàng)所述的電子部件用金屬材 料。 40. FPC端子，其在接點(diǎn)部分使用了權(quán)利要求1?33中任一項(xiàng)所述的電子部件用金屬材 料。 41. FFC，其使用了權(quán)利要求39所述的FFC端子。 42. FPC，其使用了權(quán)利要求40所述的FPC端子。
43. 電子部件，其在外部連接用電極使用了權(quán)利要求1?33中任一項(xiàng)所述的電子部件 用金屬材料。
44. 電子部件，其在壓入型端子使用了權(quán)利要求1?33中任一項(xiàng)所述的電子部件用金 屬材料，該壓入型端子是分別在安裝于外殼的安裝部的一側(cè)設(shè)置母頭端子連接部，在另一 側(cè)設(shè)置基板連接部，并將所述基板連接部壓入到形成于基板的通孔而安裝在所述基板。
【文檔編號(hào)】H01B5/02GK104379818SQ201380034077
【公開日】2015年2月25日 申請(qǐng)日期:2013年6月27日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月27日
【發(fā)明者】涉谷義孝, 深町一彥, 兒玉篤志 申請(qǐng)人:Jx日礦日石金屬株式會(huì)社