太陽能電池和制造太陽能電池的方法
【專利摘要】公開了一種太陽能電池和一種制造太陽能電池的方法。該方法包括：在襯底上形成背電極層；穿過背電極層形成第一通孔；在背電極層上形成光吸收層；在光吸收層上形成緩沖層；以及穿過緩沖層和光吸收層形成第二通孔。在第一通孔和第二通孔之間的距離是大約40μm或者更大。
【專利說明】太陽能電池和制造太陽能電池的方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本實施例涉及一種太陽能電池和一種制造太陽能電池的方法。

【背景技術(shù)】
[0002]制造用于太陽光發(fā)電的太陽能電池的方法如下。首先，在制備襯底之后，將背電極層形成在襯底上并且借助于激光對其構(gòu)圖以形成多個背電極。
[0003]其后，將光吸收層、緩沖層以及高阻抗緩沖層順序地形成在背電極上。通過同時或者單獨地蒸鍍銅(Cu)、銦(In)、鎵(Ga)以及(Se)形成Cu (In，Ga) Se2 (CIGS)基光吸收層的方案和在金屬前體膜已經(jīng)形成之后執(zhí)行砸化工藝的方案已經(jīng)被廣泛地使用，以便形成光吸收層。光吸收層的能量帶隙處于大約IeV至1.8eV的范圍中。
[0004]然后，通過濺射工藝，將包括硫化鎘(CdS)的緩沖層形成在光吸收層上。緩沖層的能量帶隙可以處于大約2.2eV至2.4eV的范圍內(nèi)。然后，通過濺射工藝，將包括氧化鋅(ZnO)的高阻抗緩沖層形成在緩沖層上。高阻抗緩沖層的能量帶隙處于大約3.1eV至大約3.3eV的范圍內(nèi)。
[0005]其后，孔圖案可以形成在光吸收層、緩沖層以及高阻抗緩沖層中。
[0006]然后，透明導(dǎo)電材料層壓在高阻抗緩沖層上，并且孔圖案填充有透明導(dǎo)電材料。因此，透明電極層形成在高阻抗緩沖層上，并且連接導(dǎo)線形成在孔圖案內(nèi)。組成透明電極層和連接導(dǎo)線的材料可以包括摻雜鋁的氧化鋅(AZO)。透明電極層的能量帶隙可以處于大約3.1eV至3.3eV的范圍中。
[0007]然后，孔圖案形成在透明電極層中，從而可以形成多個太陽能電池。透明電極和高阻抗緩沖層分別對應(yīng)于這些電池。透明電極和高阻抗緩沖層可以以條帶或者矩陣的形式設(shè)置。
[0008]透明電極和背電極彼此不對準并且借助于連接導(dǎo)線彼此電連接。因此，太陽能電池可以串聯(lián)地彼此電連接。
[0009]如上所述，為了將太陽光轉(zhuǎn)換成電能，各種太陽能電池設(shè)備已經(jīng)被制造和使用。在韓國未經(jīng)審查的專利公開N0.10-2008-0088744中公開太陽能電池設(shè)備之一。
[0010]同時，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)，因為以500°C的高溫執(zhí)行沉積光吸收層的工藝，所以當(dāng)光吸收層被沉積時，支撐襯底可能彎曲。因此，通過背電極層形成的第一通孔可以被一起彎曲。因此，第一通孔可以與通過緩沖層和光吸收層形成的第二通孔重疊。
[0011 ] 因此，在根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的工藝中，為了防止第一通孔重疊第二通孔，考慮到第一通孔的彎曲，第一通孔與第二通孔間隔開足夠的間隔。
[0012]然而，隨著第一通孔和第二通孔之間的間隔增加，其中產(chǎn)生電力的死區(qū)增加，從而降低了太陽能電池的效率。
[0013]因此，要求能夠通過適當(dāng)?shù)卣{(diào)節(jié)第一通孔和第二通孔之間的間隔減少死區(qū)的太陽能電池和制造該太陽能電池的方法。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0014]技術(shù)問題
[0015]本實施例提供一種具有光電轉(zhuǎn)換效率的太陽能電池及一種制造太陽能電池的方法。
[0016]問題的解決方案
[0017]根據(jù)本實施例，提供一種制造太陽能電池的方法。該方法包括:在襯底上形成背電極層；穿過背電極層形成第一通孔；在背電極層上形成光吸收層；在光吸收層上形成緩沖層；以及穿過緩沖層和光吸收層形成第二通孔。在第一通孔和第二通孔之間的距離是大約40 μ m或者更大。
[0018]根據(jù)實施例，提供一種太陽能電池，包括:襯底；在襯底上的背電極層；在背電極層上的光吸收層；以及在光吸收層上的緩沖層。穿過背電極層形成第一通孔，穿過緩沖層和光吸收層形成第二通孔，并且第一通孔與第二通孔重疊。
[0019]本發(fā)明的有利效果
[0020]如上所述，根據(jù)太陽能電池和制造太陽能電池的方法，在第一通孔和第二通孔之間的間隔被最小化，從而能夠減小其中在太陽能電池中沒有產(chǎn)生電力的無效區(qū)域，即死區(qū)。
[0021]換言之，按照常規(guī)，當(dāng)形成第一通孔TH1和第二通孔TH2時，考慮到第一通孔TH1的彎曲，第一通孔TH1與第二通孔TH2間隔開足夠的間隔，使得第一通孔TH1不與第二通孔TH2重疊，從而增加死區(qū)。
[0022]然而，根據(jù)實施例的太陽能電池和制造太陽能電池的方法，在第一通孔和第二通孔之間的間隔被最小化，從而能夠減小死區(qū)。因此，能夠提高太陽能電池的整體效率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0023]圖1是示出根據(jù)實施例的太陽能電池的平面圖。
[0024]圖2是示出根據(jù)實施例的太陽能電池的一個截面的截面圖。
[0025]圖3至圖5是示出根據(jù)實施例的太陽能電池的另一截面的截面圖。
[0026]圖6至圖12是示出根據(jù)實施例的制造太陽能電池的方法的截面圖。

【具體實施方式】
[0027]在實施例的下面的描述中，將會理解的是，當(dāng)層膜、區(qū)域、圖案或者結(jié)構(gòu)被稱為是在另一襯底、層膜、區(qū)域、墊或者圖案“上”或者“下”時，它能夠“直接地”或者“間接地”在另一襯底、層膜、區(qū)域、墊或者圖案上，或者也可以存在一個或者更多個中間層。將會參考附圖描述每個層的這樣的位置。
[0028]為了方便或清楚起見，在附圖中示出的每個層膜、區(qū)域、圖案或者結(jié)構(gòu)的厚度和尺寸可以被修改。另外，每個層膜、區(qū)域、圖案或者結(jié)構(gòu)的尺寸不完全地反映實際尺寸。
[0029]在下文中，將會參考附圖詳細地描述實施例。
[0030]在下文中，將會參考圖1至圖10詳細地描述根據(jù)實施例的太陽能電池。圖1是示出根據(jù)實施例的太陽能電池的平面圖，并且圖2是示出根據(jù)實施例的太陽能電池的截面圖。圖3至圖10是示出制造根據(jù)實施例的太陽能電池的方法的截面圖。
[0031]參考圖1至圖5，根據(jù)實施例的太陽能電池包括支撐襯底100、背電極層200、光吸收層300、緩沖層400、以及前電極層500。
[0032]支撐襯底100具有板的形狀并且支撐背電極層200、光吸收層300、緩沖層400以及前電極層500。
[0033]支撐襯底100可以包括絕緣體。支撐襯底100可以包括玻璃襯底、塑料襯底或者金屬襯底。更加詳細地，支撐襯底100可以包括鈣鈉玻璃襯底?？商孢x地，支撐襯底100可以包括陶瓷襯底，該陶瓷襯底包括氧化鋁、不銹鋼或者具有柔性特性的聚合體。支撐襯底100可以是透明的。支撐襯底100可以是剛性的或者柔性的。
[0034]背電極層200設(shè)置在支撐襯底100上。背電極層200是導(dǎo)電層，且背電極層200可以包括鉬(Mo)、金(Au)、鋁(Al)、鉻(Cr)、鎢(W)以及銅(Cu)中的一種。在它們當(dāng)中，特別地，當(dāng)與其它元素相比較時，Mo與支撐襯底100在熱膨脹系數(shù)方面的差異上較小，使得Mo呈現(xiàn)優(yōu)異的粘附特性，從而防止上述脫層現(xiàn)象。
[0035]另外，背電極層200可以包括至少兩個層。在這樣的情況下，這些層可以包括相同的金屬或者不同的金屬。
[0036]第一通孔THl形成在背電極層200中。稍后將會詳細描述第一通孔THl。
[0037]光吸收層300設(shè)置在背電極層200上。組成光吸收層300的材料填充在第一通孔THl 中。
[0038]光吸收層300可以包括1-1I1-VI族基化合物。例如，光吸收層300可以具有Cu (In, Ga) Se2 (CIGS)晶體結(jié)構(gòu)、Cu (In) Se2晶體結(jié)構(gòu)或者Cu (Ga) Se 2晶體結(jié)構(gòu)。
[0039]光吸收層300可以具有在IeV至1.8eV的范圍內(nèi)的能量帶隙。
[0040]緩沖層400設(shè)置在光吸收層300上，并且緩沖層400直接地接觸光吸收層300。緩沖層400包括CdS、ZnS、InxSy, InxSeyZn, O以及OH。緩沖層400的厚度可以在大約50nm至大約150nm的范圍內(nèi)。緩沖層400的能量帶隙可以在大約2.2eV至大約2.4eV的范圍內(nèi)。
[0041]高阻抗緩沖層可以進一步設(shè)置在緩沖層400上。高阻抗緩沖層包括1-ZnO，該1-ZnO沒有摻雜有雜質(zhì)。高阻抗緩沖層的能量帶隙可以在大約3.1eV至大約3.3eV的范圍中。另外，高阻抗緩沖層可以被省略。
[0042]第二通孔TH2可以形成在緩沖層400上。下面將會描述第二通孔TH2。
[0043]前電極層500設(shè)置在緩沖層400上。當(dāng)高阻抗緩沖層被形成時，前電極層500設(shè)置在高阻抗緩沖層上。前電極層500是透明的。前電極層500是導(dǎo)電層。另外，前電極層500的阻抗比背電極層200的阻抗高。
[0044]前電極層500包括氧化物。例如，組成前電極層500的材料可以包括摻雜Al的氧化鋅(AZO)、氧化銦鋅(IZO)或者氧化銦錫(ITO)。
[0045]前電極層500可以具有在大約500nm至大約1.5 μπι的范圍中的厚度。另外，如果前電極層500包括摻雜Al的ΖηΟ，則Al可以被摻雜有大約2.5wt%至大約3.5wt%的含量。
[0046]緩沖層400和前電極層500在其中形成有第三通孔TH3。通過緩沖層400、高阻抗緩沖層以及前電極層500的一部分或整個部分可以形成第三通孔TH3。換言之，第三通孔TH3可以使背電極層200的頂表面暴露。
[0047]第三通孔TH3形成為與第二通孔TH2相鄰。詳細地，第三通孔TH3設(shè)置在第二通孔TH2旁邊。換言之，當(dāng)在平面圖中看時，第三通孔TH3設(shè)置成與第二通孔TH2平行。第三通孔TH3可以具有在第一方向上延伸的形狀。
[0048]通過前電極層500形成第三通孔TH3。詳細地，通過光吸收層300、緩沖層400以及/或者高阻抗緩沖層的一部分或者整個部分可以形成第三通孔TH3。
[0049]借助于第三通孔TH3，前電極層500被劃分為多個前電極。換言之，借助于第三通孔TH3限定這些前電極。
[0050]每個前電極具有與每個背電極的形狀相對應(yīng)的形狀。換言之，這些前電極布置成條帶的形狀?？商孢x地，這些前電極可以被布置成矩陣的形狀。
[0051]另外，借助于第三通孔TH3限定多個太陽能電池C1、C2、…以及Cn。詳細地，借助于第二通孔TH2和第三通孔TH3限定太陽能電池Cl、C2、…以及Cn。換言之，借助于第二通孔TH2和第三通孔TH3，根據(jù)實施例的太陽能電池設(shè)備被劃分成太陽能電池C1、C2、…以及Cn。
[0052]換言之，太陽能電池面板10包括支撐襯底100和太陽能電池Cl、C2、…以及Cn。太陽能電池Cl、C2、…以及Cn設(shè)置在支撐襯底100上，并且彼此間隔開預(yù)定的間隔。
[0053]連接部分設(shè)置在第二通孔TH2中。連接部分從前電極層500向下延伸，同時接觸背電極層200。例如，連接部分從第一電池C1的前電極延伸以接觸第二電池C2的背電極。
[0054]另外，連接部分連接彼此相鄰的太陽能電池。連接部分分別連接在相鄰太陽能電池中包括的前電極和背電極。
[0055]連接部分與前電極層500 —體化。另外，組成連接部分的材料與組成前電極層500的材料相同。
[0056]在下文中，將會參考圖3至圖5描述根據(jù)實施例的第一通孔TH1和第二通孔TH2。
[0057]第一通孔TH1是敞開區(qū)域以使支撐襯底100的頂表面暴露。當(dāng)在平面圖中看時，第一通孔TH1可以具有在第一方向上延伸的形狀。第一通孔TH1中的每一個均可以具有在大約80 μ m至大約200 μ m的范圍中的寬度，但是實施例不限于此。
[0058]借助于第一通孔TH1將背電極層200劃分成多個背電極。換言之，由第一通孔TH1限定這些背電極。
[0059]借助于第一通孔TH1將這些背電極彼此間隔開。這些背電極以帶的形式布置。
[0060]可替選地，這些背電極可以以矩陣的形式布置。在這樣的情況下，當(dāng)在平面圖中看時，第一通孔TH1可以以柵格的形式設(shè)置。
[0061]第二通孔TH2是敞開區(qū)域以使支撐襯底100的頂表面和背電極層200的頂表面暴露。第二通孔TH2可以形成為與第一通孔TH1平行。當(dāng)在平面圖中看時，第二通孔TH2可以具有在一個方向上延伸的形狀。第二通孔TH2可以具有大約100 μ m至大約200 μ m的寬度，但是實施例不限于此。
[0062]借助于第二通孔TH2，多個緩沖層被限定在緩沖層400中。換言之，借助于第二通孔TH2將緩沖層400劃分成這些緩沖層。
[0063]第一通孔TH1可以與第二通孔TH2間隔開預(yù)定的間隔。詳細地，第一通孔TH1部分地重疊第二通孔TH2，同時部分地彼此間隔開。
[0064]第一通孔TH1中的每一個在其兩個端部處或者在其中心部分處均與第二通孔TH2中的每一個重疊。當(dāng)?shù)谝煌譚H1中的每一個在其兩個端部處均與第二通孔TH2中的每一個重疊時，則第一通孔TH1可以沿著從其中心部分朝向其兩個端部延伸的方向與第二通孔TH2間隔開。另外，當(dāng)?shù)谝煌譚H1在其中心部分處與第二通孔TH2重疊時，則第一通孔TH1可以沿著從其兩個端部朝向其中心部分延伸的方向與第二通孔TH2間隔開。
[0065]換言之，在第一通孔THl彎曲的方向上，第一通孔THl與第二通孔TH2間隔開預(yù)定的間隔。
[0066]在這樣的情況下，如在圖4中所示，當(dāng)?shù)谝煌譚Hl彎曲時，在第一通孔THl和第二通孔TH2之間的間隔dl可以是大約40 μ m或者更大。優(yōu)選地，在第一通孔THl和第二通孔TH2之間的間隔dl可以是在大約40 μπι至大約200 μπι的范圍內(nèi)。
[0067]另外，如在圖5中所示，當(dāng)?shù)谝煌譚Hl是彎曲的時，在第一通孔THl和第二通孔ΤΗ2之間的間隔d2可以是大約40 μm或者更大。優(yōu)選地，在第一通孔THl和第二通孔TH2之間的間隔d2可以是在大約40 μ m至大約200 μ m的范圍內(nèi)。
[0068]另外，可以以預(yù)定的比例重疊第一通孔THl和第二通孔TH2。詳細地，第二通孔TH2可以與第一通孔THl重疊第二通孔TH2寬度的1%至20%。例如，當(dāng)?shù)诙譎T2的寬度是100 μ m時，第二通孔TH2與第一通孔THl重疊了在I μ m至40 μ m的范圍內(nèi)的寬度。
[0069]通過考慮借助于第二通孔TH2彼此連接的前電極層和背電極層的效率而設(shè)置在第一通孔THl和第二通孔TH2之間的重疊比例的范圍。換言之，當(dāng)?shù)诙譚H2與第一通孔THl重疊了 1%至20%時，在前電極層和背電極層之間的連接沒有被影響。因此，沒有降低太陽能電池的整體效率。
[0070]雖然為了解釋，圖3至圖5示出一個第一通孔THl和一個第二通孔TH2，但是實施例不限于此。根據(jù)實施例，理所當(dāng)然，可以形成多個第一通孔THl和多個第二通孔TH2。
[0071]另外，在第一通孔THl和第二通孔TH2之間的間隔被最小化，從而能夠減小其中在太陽能電池中沒有產(chǎn)生電力的無效區(qū)域，即死區(qū)。
[0072]換言之，按照常規(guī)，當(dāng)形成第一通孔THl和第二通孔TH2時，考慮到第一通孔THl的彎曲而將第一通孔THl與第二通孔TH2間隔開足夠的間隔，使得第一通孔THl不與第二通孔TH2重疊，從而增加死區(qū)。
[0073]然而，根據(jù)實施例的太陽能電池，在第一通孔THl和第二通孔TH2之間的間隔被最小化，從而能夠減小其中在太陽能電池中沒有產(chǎn)生電力的死區(qū)。因此，能夠提高太陽能電池的整體效率。
[0074]在下文中，參考圖6至圖12描述制造根據(jù)實施例的太陽能電池的方法。圖3至圖10是示出制造根據(jù)實施例的太陽能電池的方法的視圖。太陽能電池的上述描述將會合并在制造太陽能電池的方法的描述中。
[0075]參考圖6，背電極層200形成在支撐襯底100上。通過物理汽相沉積PVD或者鍍覆方案可以形成背電極層200。
[0076]其后，參考圖7，通過對背電極層200構(gòu)圖形成第一通孔TH1。因此，多個背電極形成在支撐襯底100上。通過激光對背電極層200進行構(gòu)圖。
[0077]每個第一通孔THl可以使支撐襯底100的頂表面暴露，并且具有大約80 μ m至大約200 μ m的寬度，但是實施例不限于此。
[0078]另外，諸如抗擴散層的附加層可以插入在支撐襯底100和背電極層200之間。在這樣的情況下，第一通孔THl使附加層的頂表面暴露。
[0079]其后，參考圖8，光吸收層300形成在背電極層200上。通過濺射工藝或者蒸鍍方案可以形成光吸收層300。
[0080]例如，為了形成光吸收層300，通過同時或者單獨地蒸鍍Cu、In、Ga以及Se形成Cu (In, Ga) Se2 (CIGS)基光吸收層300的方案和在形成金屬前體膜之后執(zhí)行砸化工藝的方案已經(jīng)被廣泛地執(zhí)行。
[0081 ] 關(guān)于在形成金屬前體膜之后的砸化工藝的詳情，通過采用Cu靶材、In靶材或者Ga靶材的濺射工藝，將金屬前體層形成在背電極上。
[0082]其后，金屬前體層經(jīng)受砸化工藝，使得形成Cu(In，Ga)Se2(CIGS)基光吸收層300。
[0083]可替選地，可以同時執(zhí)行采用Cu靶材、In靶材以及Ga靶材的濺射工藝和砸化工
ο
[0084]可替選地，通過采用僅Cu靶材和In靶材或者僅Cu靶材和Ga靶材的濺射工藝和砸化工藝可以形成CIS或者CIG光吸收層300。
[0085]其后，參考圖9，緩沖層400形成在光吸收層300上。通過本領(lǐng)域的技術(shù)人員公知的作為形成太陽能電池的緩沖層的方案的各種方案可以形成緩沖層400。例如，通過選自如下組的一個可以形成緩沖層400，該組由濺射方案、蒸鍍方案、CVD (化學(xué)汽相沉積)方案、M0CVD (金屬有機化學(xué)汽相沉積)方案、CSS (近空間升華)方案、噴霧熱解方案、化學(xué)噴射方案、絲網(wǎng)印刷方案、無真空液相膜沉積、CBD (化學(xué)浴沉積)方案、VTD (汽相輸運沉積)方案、ALD (原子層沉積)方案以及電極沉積方案組成。詳細地，緩沖層400可以通過CBD方案、ALD方案或者M0CVD方案形成。
[0086]其后，通過沉積工藝將氧化鋅沉積在緩沖層400上，并且可以進一步形成高阻抗緩沖層。通過沉積二乙基鋅(DEZ)和H20可以形成高阻抗緩沖層。
[0087]通過化學(xué)汽相沉積、(CVD)方案、金屬有機化學(xué)汽相沉積(M0CVD)方案或者原子層沉積(ALD)可以形成高阻抗緩沖層。優(yōu)選地，通過M0CVD方案可以形成高阻抗緩沖層。
[0088]其后，參考圖10，去除光吸收層300和緩沖層400的部分以形成第二通孔TH2。
[0089]通過諸如刀片的機械裝置或者激光裝置可以形成第二通孔TH2。
[0090]例如，借助于具有大約40 μπι至大約180 μπι的寬度的刀片可以對光吸收層300和緩沖層400和/或高阻抗緩沖層構(gòu)圖。另外，借助于具有大約200nm至大約600nm的波長的激光可以形成第二通孔TH2。
[0091]在這樣的情況下，第二通孔TH2可以具有大約100 μπι至大約200 μπι的寬度。另夕卜，第二通孔ΤΗ2使背電極層200的頂表面的一部分暴露。
[0092]在這樣的情況下，第二通孔ΤΗ2與第一通孔ΤΗ1可以部分地間隔開，并且部分地重疊第一通孔ΤΗ1。詳細地，第一通孔ΤΗ1和第二通孔ΤΗ2可以具有大約40 μ m或者更大的間隔。更加詳細地，第一通孔TH1和第二通孔TH2可以具有在大約40 μπι至大約200 μπι的范圍中的間隔。
[0093]換言之，在形成光吸收層300的步驟中，第一通孔ΤΗ1可以在如圖4和圖5中所示的預(yù)定的方向上彎曲。換言之，根據(jù)第一通孔ΤΗ1的彎曲方向可以使第二通孔ΤΗ2和第一通孔ΤΗ1在其中心部分處或者在其兩個端部處彼此重疊。
[0094]另外，第二通孔ΤΗ2可以與第一通孔ΤΗ1重疊基于第二通孔ΤΗ2的全部寬度的1 %至 40%。
[0095]其后，參考圖11，前電極層可以形成在緩沖層400上。例如，可以通過使用ΖηΟ靶材的RF濺射方案、使用Ζη靶材的反應(yīng)濺射方案、或者M0CVD方案沉積前電極層500。
[0096]其后，參考圖12，通過去除光吸收層300、緩沖層400以及前電極層500的部分形成第三通孔TH3。因此，通過對前電極層500構(gòu)圖限定多個前電極，即第一電池Cl、第二電池C2以及第三電池C3。第三通孔TH3具有大約80 μ m至大約200 μ m的范圍中的寬度。
[0097]如上所述，根據(jù)制造根據(jù)實施例的太陽能電池的方法，在第一通孔THl和第二通孔TH2之間的間隔被最小化，從而能夠減小其中在太陽能電池中沒有產(chǎn)生電力的無效區(qū)域，即死區(qū)。因此，能夠提高太陽能電池的整體效率。
[0098]在本說明書中對于“一個實施例”、“實施例”、“示例性實施例”等的任何引用表示在本發(fā)明的至少一個實施例中包括與實施例相結(jié)合地描述的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性。在說明書中的各個位置中的這樣的短語的出現(xiàn)不必全部指示相同的實施例。此外，當(dāng)結(jié)合任何實施例描述特定特征、結(jié)構(gòu)或特性時，認為結(jié)合其它實施例來實現(xiàn)這樣的特征、結(jié)構(gòu)或特性在本領(lǐng)域技術(shù)人員的認識范圍內(nèi)。
[0099]雖然已經(jīng)參考其多個說明性實施例描述了本發(fā)明的實施例，但是應(yīng)當(dāng)理解，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以設(shè)計落在本公開的原理的精神和范圍內(nèi)的多個其它變型和實施例。更具體地，在本公開、附圖和所附的權(quán)利要求的范圍內(nèi)的主題組合布置的組成部分和/或布置中，各種變體和變型是可能的。除了在組成部分和/或布置中的變體和變型之外，替代使用對于本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員也是顯而易見的。
【權(quán)利要求】
1.一種制造太陽能電池的方法，所述方法包括: 在襯底上形成背電極層； 穿過所述背電極層形成第一通孔； 在所述背電極層上形成光吸收層； 在所述光吸收層上形成緩沖層；以及 穿過所述緩沖層和所述光吸收層形成第二通孔， 其中，在所述第一通孔與所述第二通孔之間的間隔是大約40 μ m或者更大。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一通孔與所述第二通孔之間的間隔在大約40 μ m至大約200 μ m的范圍內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述第一通孔具有在80μπι至200 μπι的范圍內(nèi)的寬度，并且所述第二通孔具有在100 μ m至200 μ m的范圍內(nèi)的寬度。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，在所述背電極層上形成所述光吸收層之后，所述第一通孔與所述第二通孔重疊。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述第一通孔和所述第二通孔彼此重疊了所述第二通孔的整個寬度的大約1%至大約20%。
6.—種太陽能電池，包括: 襯底； 在所述襯底上的背電極層； 在所述背電極層上的光吸收層；以及 在所述光吸收層上的緩沖層， 其中，穿過所述背電極層形成第一通孔，穿過所述緩沖層和所述光吸收層形成第二通孔，并且所述第一通孔與所述第二通孔重疊。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的太陽能電池，其中，所述第一通孔具有在80μπι至200 μπι的范圍內(nèi)的寬度，并且所述第二通孔具有在100 μ m至200 μ m的范圍內(nèi)的寬度。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的太陽能電池，其中，所述第一通孔和所述第二通孔彼此重疊了所述第二通孔的整個寬度的大約1%至大約20%。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的太陽能電池，其中，所述第一通孔和所述第二通孔在一個方向上平行地延伸。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的太陽能電池，其中，所述第一通孔與所述第二通孔之間的距離是40 μπι或者更大。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的太陽能電池，其中，所述第一通孔與所述第二通孔之間的間隔在40 μ m至200 μ m的范圍內(nèi)。
【文檔編號】H01L31/18GK104428903SQ201380034356
【公開日】2015年3月18日 申請日期:2013年7月26日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月27日
【發(fā)明者】權(quán)珍浩 申請人:Lg伊諾特有限公司