薄膜層疊元件的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明的目的在于提供一種能夠?qū)p傷較少的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記用于蝕刻時(shí)的光掩膜的定位的薄膜層疊元件的制造方法。本發(fā)明的薄膜層疊元件的制造方法具備：第二工序，在該第二工序中通過(guò)使用了光蝕刻法的蝕刻來(lái)在薄膜層疊體(7)上形成元件部(10)以及對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記；以及第三工序，在該第三工序中具有：在薄膜層疊體(7)上涂覆感光性抗蝕劑的步驟、將具有對(duì)準(zhǔn)圖案的光掩膜通過(guò)對(duì)準(zhǔn)圖案與在前面的工序中形成的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的位置匹配來(lái)配置在感光性抗蝕劑上的步驟、對(duì)感光性抗蝕劑曝光并顯影的步驟、以及通過(guò)對(duì)涂覆了感光性抗蝕劑的薄膜層疊體蝕刻來(lái)在薄膜層疊體上形成元件部以及對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的步驟。
【專利說(shuō)明】薄膜層疊元件的制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及作為薄膜電容器等發(fā)揮作用的薄膜層疊元件的制造方法。

【背景技術(shù)】
[0002]在現(xiàn)有的薄膜層疊元件的制造方法中，例如有在先行文獻(xiàn)I (日本特開2010 -21478號(hào))中公開的下方行進(jìn)方式。
[0003]在先行文獻(xiàn)I中公開的下方行進(jìn)方式中，首先如圖22的(A)所示，形成具有作為電容器用電極等發(fā)揮作用的多個(gè)薄膜103、104、105、106的薄膜層疊體107。然后，通過(guò)反復(fù)進(jìn)行多次使用了光蝕刻法的蝕刻，來(lái)從表面開始依次加工薄膜層疊體107的規(guī)定的薄膜103、104、105、106。
[0004]在先行文獻(xiàn)I中公開的下方行進(jìn)方式中，為了以較高的位置精度對(duì)薄膜層疊體107蝕刻，如圖22的(B)所示，通過(guò)使用了光蝕刻法的蝕刻來(lái)在薄膜層疊體107的最上層預(yù)先形成多個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記131。該多個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記131在反復(fù)進(jìn)行多次的蝕刻工序的任意一個(gè)工序中被用于光掩膜的定位。
[0005]在各蝕刻工序中，需要利用感光性抗蝕劑覆蓋在該蝕刻工序中不使用的未使用的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記131，以使對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記131不受蝕刻的損傷。因此，在反復(fù)進(jìn)行多次的蝕刻工序中，在之后使用的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記131上幾次涂覆感光性抗蝕劑并剝離。
[0006]專利文獻(xiàn)1:日本特開2010 - 21478號(hào)
[0007]然而，在上述的以往的制造方法中，由于幾次在同一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記131上涂覆感光性抗蝕劑并剝離，所以存在對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記131容易受到損傷這樣的課題。若使用受到了損傷的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記131，則存在位置的識(shí)別偏差增大，薄膜層疊體107的加工精度降低這樣的課題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]因此，本發(fā)明的目的在于提供一種能夠?qū)p傷較少的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記用于蝕刻時(shí)的光掩膜的定位的薄膜層疊元件的制造方法。
[0009]為了實(shí)現(xiàn)上述的目的，本發(fā)明的薄膜層疊元件的制造方法的特征在于，具備:第一工序，在該第一工序中具有形成具有多層薄膜的薄膜層疊體的步驟；第二工序，在該第二工序中具有:在上述薄膜層疊體上涂覆感光性抗蝕劑的步驟；使用光掩膜對(duì)上述抗蝕劑曝光并顯影的步驟；通過(guò)對(duì)上述顯影后的涂覆了感光性抗蝕劑的上述薄膜層疊體蝕刻來(lái)在上述薄膜層疊體上形成元件部以及對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的步驟；以及從上述蝕刻了的薄膜層疊體上去除上述感光性抗蝕劑的步驟；以及第三工序，在該第三工序中具有:在上述薄膜層疊體上涂覆感光性抗蝕劑的步驟；將具有對(duì)準(zhǔn)圖案的光掩膜通過(guò)對(duì)上述對(duì)準(zhǔn)圖案與在前面的工序中形成的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的位置匹配，來(lái)配置在上述感光性抗蝕劑上的規(guī)定的位置的步驟；使用上述光掩膜對(duì)上述感光性抗蝕劑曝光并顯影的步驟；通過(guò)對(duì)上述顯影后的涂覆了感光性抗蝕劑的上述薄膜層疊體蝕刻來(lái)在上述薄膜層疊體上形成元件部以及對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的步驟；以及從上述蝕刻了的薄膜層疊體上去除上述感光性抗蝕劑的步驟。
[0010]根據(jù)本發(fā)明的薄膜層疊元件的制造方法，能夠減小對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的損傷，并能夠減小位置的識(shí)別偏差，所以能夠提高薄膜層疊體的加工精度。
[0011]另外，由于依次形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記并形成薄膜層疊體，所以能夠?qū)?duì)準(zhǔn)標(biāo)記的位置偏差的公差設(shè)定得較小。因此，以往，在電容器等導(dǎo)體的重疊面積給元件的功能帶來(lái)影響的元件中，為了即使產(chǎn)生位置偏差功能也不低于公差，必須預(yù)先將導(dǎo)體設(shè)計(jì)得較大，導(dǎo)致元件的尺寸變大，但根據(jù)本發(fā)明的制造方法，能夠不增大尺寸且能夠得到所希望的功能。另外，能夠以比以往小的尺寸構(gòu)成相同功能的元件。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0012]圖1是表示在本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的薄膜層疊元件100的制造方法中應(yīng)用的工序的剖視圖。
[0013]圖2是圖1的延續(xù)，圖2表示在本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的薄膜層疊元件100的制造方法中應(yīng)用的工序的剖視圖。
[0014]圖3是圖2的延續(xù)，圖3表示在本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的薄膜層疊元件100的制造方法中應(yīng)用的工序的剖視圖。
[0015]圖4是圖3的延續(xù)，圖4表示在本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的薄膜層疊元件100的制造方法中應(yīng)用的工序，圖4的㈧是A — A線的剖視圖，圖4的⑶是省略了一部分的俯視圖。
[0016]圖5是圖4的延續(xù)，圖5表示在本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的薄膜層疊元件100的制造方法中應(yīng)用的工序，圖5的㈧是A — A線的剖視圖，圖5的⑶是省略了一部分的俯視圖。
[0017]圖6是圖5的延續(xù)，圖6表示在本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的薄膜層疊元件100的制造方法中應(yīng)用的工序，圖6的㈧是A — A線的剖視圖，圖6的⑶是省略了一部分的俯視圖。
[0018]圖7是圖6的延續(xù)，圖7表示在本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的薄膜層疊元件100的制造方法中應(yīng)用的工序，圖7的㈧是A — A線的剖視圖，圖7的⑶是省略了一部分的俯視圖。
[0019]圖8是圖7的延續(xù)，圖8表示在本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的薄膜層疊元件100的制造方法中應(yīng)用的工序，圖8的㈧是A — A線的剖視圖，圖8的⑶是省略了一部分的俯視圖。
[0020]圖9是圖8的延續(xù)，圖9表示在本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的薄膜層疊元件100的制造方法中應(yīng)用的工序，圖9的㈧是A — A線的剖視圖，圖9的⑶是省略了一部分的俯視圖。
[0021]圖10是圖9的延續(xù)，圖10表示在本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的薄膜層疊元件100的制造方法中應(yīng)用的工序，圖10的㈧是A — A線的剖視圖，圖10的⑶是省略了一部分的俯視圖。
[0022]圖11是圖10的延續(xù)，圖11表示在本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的薄膜層疊元件100的制造方法中應(yīng)用的工序，圖11的(A)是A — A線的剖視圖，圖11的(B)是省略了一部分的俯視圖。
[0023]圖12是圖11的延續(xù)，圖12表示在本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的薄膜層疊元件100的制造方法中應(yīng)用的工序，圖12的㈧是A — A線的剖視圖，圖12的⑶是省略了一部分的俯視圖。
[0024]圖13是圖12的延續(xù)，圖13表示在本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的薄膜層疊元件100的制造方法中應(yīng)用的工序，圖13的㈧是A — A線的剖視圖，圖13的⑶是省略了一部分的俯視圖。
[0025]圖14是圖13的延續(xù)，圖14表示在本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的薄膜層疊元件100的制造方法中應(yīng)用的工序，圖14的㈧是A — A線的剖視圖，圖14的⑶是省略了一部分的俯視圖。
[0026]圖15是圖14的延續(xù)，圖15表示在本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的薄膜層疊元件100的制造方法中應(yīng)用的工序，圖15的㈧是A — A線的剖視圖，圖15的⑶是省略了一部分的俯視圖。
[0027]圖16是圖15的延續(xù)，圖16表示在本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的薄膜層疊元件100的制造方法中應(yīng)用的工序，圖16的㈧是A — A線的剖視圖，圖16的⑶是省略了一部分的俯視圖。
[0028]圖17是圖16的延續(xù)，圖17表示在本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的薄膜層疊元件100的制造方法中應(yīng)用的工序，圖17的㈧是A — A線的剖視圖，圖17的⑶是省略了一部分的俯視圖。
[0029]圖18是圖17的延續(xù)，圖18表示在本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的薄膜層疊元件100的制造方法中應(yīng)用的工序，圖18的㈧是A — A線的剖視圖，圖18的⑶是省略了一部分的俯視圖。
[0030]圖19是圖18的延續(xù)，圖19表示在本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的薄膜層疊元件100的制造方法中應(yīng)用的工序，圖19的㈧是A — A線的剖視圖，圖19的⑶是省略了一部分的俯視圖。
[0031]圖20是圖19的延續(xù)，圖20表示在本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的薄膜層疊元件100的制造方法中應(yīng)用的工序，圖20的(A)是A — A線的剖視圖，圖20的(B)是省略了一部分的俯視圖。
[0032]圖21是圖20的延續(xù)，圖21表示在本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的薄膜層疊元件100的制造方法中應(yīng)用的工序，圖21的㈧是A — A線的剖視圖，圖21的⑶是省略了一部分的俯視圖。此外，圖21也是本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的薄膜層疊元件100的完成圖。
[0033]圖22表示以往的薄膜層疊元件的制造方法，圖22的(A)是薄膜層疊體107的剖視圖，圖22的(B)是形成在薄膜層疊體107的最上層的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記131的俯視圖。

【具體實(shí)施方式】
[0034]以下，參照附圖對(duì)用于實(shí)施本發(fā)明的方式進(jìn)行說(shuō)明。
[0035]在圖21中作為應(yīng)用本實(shí)施方式所涉及的薄膜層疊元件的制造方法的薄膜層疊元件的一個(gè)例子示出了作為薄膜電容器發(fā)揮作用的薄膜層疊元件100。
[0036]薄膜層疊元件100具備基板1，在該基板I的表面具有由S12構(gòu)成的Si熱氧化膜2，該基板I由Si構(gòu)成。
[0037]在熱氧化膜2上形成有作為密接層發(fā)揮作用的由(Ba，Sr) T13 (以下記載為BST)構(gòu)成的電介質(zhì)薄膜3。在電介質(zhì)薄膜3上形成有作為電容器用電極發(fā)揮作用的由Pt構(gòu)成的導(dǎo)體薄膜4。在導(dǎo)體薄膜4上形成有作為電容器用電介質(zhì)發(fā)揮作用的由BST構(gòu)成的電介質(zhì)薄膜5。根據(jù)需要進(jìn)一步在電介質(zhì)薄膜5上反復(fù)地形成有導(dǎo)體薄膜4、電介質(zhì)薄膜5。而且，在最上層的導(dǎo)體薄膜4上形成有作為保護(hù)層發(fā)揮作用的由BST構(gòu)成的電介質(zhì)薄膜6。由電介質(zhì)薄膜3、多個(gè)導(dǎo)體薄膜4、多個(gè)電介質(zhì)薄膜5、以及電介質(zhì)薄膜6構(gòu)成薄膜層疊體7。
[0038]在薄膜層疊體7上形成有作為薄膜電容器發(fā)揮作用的元件部10。
[0039]在元件部10的周圍形成有用于提高耐濕性的由S12構(gòu)成的無(wú)機(jī)保護(hù)膜12以及用于緩和外力的有機(jī)保護(hù)膜13。
[0040]外部電極14以與作為電容器用電極發(fā)揮作用的導(dǎo)體薄膜4的規(guī)定位置連接的方式形成在有機(jī)保護(hù)膜13上。外部電極14是按照Ti薄膜、Ni薄膜、Au薄膜的順序?qū)盈B而成的(未圖示)。
[0041]接下來(lái)，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的薄膜層疊元件100的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。
[0042](第一工序)
[0043]在第一工序中，在表面具有熱氧化膜2的基板I上形成薄膜層疊體7。
[0044]首先，如圖1所示，準(zhǔn)備在表面具有由S12構(gòu)成的Si熱氧化膜2的由Si構(gòu)成的基板I。將熱氧化膜2的膜厚例如設(shè)為700nm，將基板I的厚度例如設(shè)為0.5mm。
[0045]接下來(lái)，如圖2所示，利用有機(jī)金屬分解(MOD:Metal Organic Deposit1n:金屬有機(jī)沉積)法在熱氧化膜2上形成由BST構(gòu)成的電介質(zhì)薄膜3。將電介質(zhì)薄膜3的膜厚例如設(shè)為lOOnm。利用濺射法在該電介質(zhì)薄膜3上形成由Pt構(gòu)成的導(dǎo)體薄膜4。將導(dǎo)體薄膜4的膜厚例如設(shè)為200nm。并且通過(guò)與上述相同的方法在該導(dǎo)體薄膜4上交替地反復(fù)四次由BST構(gòu)成的電介質(zhì)薄膜5和由Pt構(gòu)成的導(dǎo)體薄膜4的形成。最后，形成由BST構(gòu)成的電介質(zhì)薄膜6。
[0046]通過(guò)以上的步驟，在表面具有熱氧化膜2的基板I上形成由電介質(zhì)薄膜3、多個(gè)導(dǎo)體薄膜4、多個(gè)電介質(zhì)薄膜5、以及電介質(zhì)薄膜6構(gòu)成的薄膜層疊體7。
[0047](第二工序)
[0048]在第二工序中，在薄膜層疊體7的表面形成在該第二工序之后實(shí)施的第三工序中使用的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記31a。
[0049]首先，如圖3所示，通過(guò)旋涂法在電介質(zhì)薄膜6上涂覆正型感光性抗蝕劑8并焙烤。
[0050]接下來(lái)，如圖4的(A)、⑶所示，在感光性抗蝕劑8上配置設(shè)置了元件部用圖案Ila以及對(duì)準(zhǔn)圖案21a的光掩膜9a。對(duì)準(zhǔn)圖案21a由被設(shè)置規(guī)定的間隙地配置的四個(gè)正方形的要素構(gòu)成。
[0051]接下來(lái)，如圖5的(A)、(B)所示，通過(guò)從光掩膜9a上對(duì)感光性抗蝕劑8曝光，并在之后去除光掩膜9a，來(lái)在感光性抗蝕劑8上形成未感光部8a和感光部8b。
[0052]接下來(lái)，如圖6的㈧、⑶所示，通過(guò)顯影去除感光性抗蝕劑8的未感光部Sb，在薄膜層疊體7上形成具有圖案的感光性抗蝕劑8。
[0053]接下來(lái)，如圖7的⑷、⑶所示，通過(guò)RIE(反應(yīng)性離子蝕刻)一體地加工涂覆了感光性抗蝕劑8的電介質(zhì)薄膜6以及導(dǎo)體薄膜4，在薄膜層疊體7的表面的一部分形成元件部10以及對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記31a。
[0054]接下來(lái)，如圖8的(A)、(B)所示，通過(guò)02等離子體灰化來(lái)從薄膜層疊體7上去除感光性抗蝕劑8。
[0055]通過(guò)以上的步驟，在薄膜層疊體7的表面的一部分完成元件部10和接下來(lái)的工序中使用的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記31a。
[0056](第三工序)
[0057]在第三工序中，通過(guò)將在上述第二工序中形成的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記31a用于了光掩膜的定位的蝕刻，從表面加工薄膜層疊體7，進(jìn)一步形成元件部10，并且形成新的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。
[0058]首先，如圖9的(A)、(B)所示，通過(guò)旋涂法在薄膜層疊體7的表面上涂覆正型感光性抗蝕劑8并焙烤。
[0059]接下來(lái)，如圖10的(A)、⑶所示，在感光性抗蝕劑8上配置具有元件部用圖案Ilb以及對(duì)準(zhǔn)圖案21b和十字型的對(duì)準(zhǔn)圖案41a的光掩膜％。
[0060]具體而言，通過(guò)使十字型的對(duì)準(zhǔn)圖案41a和在前面的工序中形成在薄膜層疊體7的表面上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記31a的位置匹配，來(lái)在感光性抗蝕劑8上的規(guī)定的位置配置光掩膜％。
[0061]接下來(lái)，如圖11的(A)、(B)所示，通過(guò)從光掩膜9b上對(duì)感光性抗蝕劑8曝光并去除光掩膜％，來(lái)在感光性抗蝕劑8形成未感光部8a和感光部8b。
[0062]接下來(lái)，如圖12的㈧、⑶所示，通過(guò)顯影去除感光性抗蝕劑8的感光部Sb，在薄膜層疊體7上形成具有圖案的感光性抗蝕劑8。
[0063]接下來(lái)，如圖13的⑷、⑶所示，通過(guò)RIE —體地加工涂覆了感光性抗蝕劑的電介質(zhì)薄膜6以及導(dǎo)體薄膜4，在薄膜層疊體7上進(jìn)一步形成元件部10，并且形成新的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記 3 Ib ο
[0064]接下來(lái)，如圖14的(A)、(B)所示，通過(guò)02等離子體灰化來(lái)從薄膜層疊體7上去除感光性抗蝕劑8。
[0065](第二次以后的第三工序)
[0066]在第二次以后的第三工序中，通過(guò)反復(fù)多次地進(jìn)行上述第三工序，來(lái)從表面依次加工薄膜層疊體7，進(jìn)一步形成元件部10。對(duì)于反復(fù)進(jìn)行多次的第三工序的每次工序中的光掩膜的定位，使用在該第三工序的前一工序中形成的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。
[0067]首先，如圖15的(A)、⑶所示，通過(guò)將新的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記31b用于光掩膜(未圖示)的位置匹配并反復(fù)進(jìn)行上述第三工序，來(lái)進(jìn)一步在薄膜層疊體7上形成元件部10，并且形成在接下來(lái)的工序中使用的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記31c。
[0068]接下來(lái)，如圖16的(A)、⑶所示，通過(guò)將新的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記31c用于光掩膜(未圖示)的位置匹配并反復(fù)進(jìn)行上述第三工序，來(lái)進(jìn)一步在薄膜層疊體7上形成元件部10，并且形成在接下來(lái)的工序中使用的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記31d。
[0069]接下來(lái)，如圖17的(A)、⑶所示，通過(guò)將新的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記31d用于光掩膜(未圖示)的位置匹配并反復(fù)進(jìn)行上述第三工序，來(lái)進(jìn)一步在薄膜層疊體7上形成元件部10，并且形成在接下來(lái)的工序中使用的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記31e。
[0070]如上所述，在加工薄膜層疊體7時(shí)，將在前面的工序中形成的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記用于蝕刻時(shí)的光掩膜的位置匹配。因此，在位置匹配之前，在對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的表面上僅涂覆一次感光性抗蝕劑8并剝離，能夠減小對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的損傷。若將損傷較小的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記用于位置匹配，則能夠減小對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的位置的識(shí)別偏差，所以元件部10的加工精度不容易降低。
[0071](第四工序)
[0072]在第四工序中形成覆蓋元件部10的周圍的由S12構(gòu)成的無(wú)機(jī)保護(hù)膜12以及有機(jī)保護(hù)膜13和與作為電容器用電極發(fā)揮作用的導(dǎo)體薄膜4的一部分連接的外部電極14，使薄膜層疊元件100完成。
[0073]首先，對(duì)包括元件部10的薄膜層疊體7的整體進(jìn)行約850°C的熱處理。
[0074]接下來(lái)，如圖18的(A)、⑶所示，利用化學(xué)蒸鍍(CVD:Chemical VaporDeposit1n:化學(xué)氣相沉積)法形成由S12構(gòu)成的無(wú)機(jī)保護(hù)膜12。然后，通過(guò)旋涂法涂覆作為正型感光性抗蝕劑發(fā)揮作用的有機(jī)保護(hù)膜13。將無(wú)機(jī)保護(hù)膜12的膜厚例如設(shè)為700nm，將有機(jī)保護(hù)膜13的膜厚例如設(shè)為5000nm。
[0075]接下來(lái)，如圖19的(A)、(B)所示，與上述第二工序相同，通過(guò)將光掩膜9f的十字型的對(duì)準(zhǔn)圖案41e與在前面的工序形成的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記31e進(jìn)行位置匹配，來(lái)在有機(jī)保護(hù)膜13上的規(guī)定的位置配置設(shè)置了對(duì)準(zhǔn)圖案21f的光掩膜9f。
[0076]接下來(lái)，通過(guò)使用設(shè)置了對(duì)準(zhǔn)圖案21f的光掩膜9f對(duì)正型有機(jī)保護(hù)膜13曝光并顯影，來(lái)在有機(jī)保護(hù)膜13上形成圖案。
[0077]接下來(lái)，如圖20的㈧、⑶所示，將形成了圖案的有機(jī)保護(hù)膜13作為掩膜，使用CHF3氣體一體地對(duì)無(wú)機(jī)保護(hù)膜12以及電介質(zhì)薄膜5干式蝕刻，使作為電容器用電極發(fā)揮作用的導(dǎo)體薄膜4的一部分露出。同時(shí)，通過(guò)對(duì)無(wú)機(jī)保護(hù)膜12蝕刻，形成新的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記31f。
[0078]最后，如圖21的㈧、⑶所示，使用對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記31f，并通過(guò)濺射法形成與元件部10的作為電容器用電極發(fā)揮作用的導(dǎo)體薄膜4的一部分連接的外部電極14，使薄膜層疊元件100完成。
[0079]具體而言，首先通過(guò)濺射法，將Ti薄膜、Ni薄膜、Au薄膜順序成膜。將Ti薄膜的膜厚例如設(shè)為50nm，將Ni薄膜的膜厚例如設(shè)為100nmdf Au薄膜的膜厚例如設(shè)為200nm。
[0080]接下來(lái)，通過(guò)旋涂法涂覆正型感光性抗蝕劑(未圖示)。
[0081]接下來(lái)，將光掩膜(未圖示)的對(duì)準(zhǔn)圖案與對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記31f進(jìn)行位置匹配，并使用該光掩膜在感光性抗蝕劑上形成與外部電極14對(duì)應(yīng)的圖案。接下來(lái)，通過(guò)RIE加工感光性抗蝕劑中被掩膜的由Ti薄膜、Ni薄膜、Au薄膜構(gòu)成的層，形成與作為電容器用電極發(fā)揮作用的導(dǎo)體薄膜4的一部分連接的外部電極14。
[0082]最后，通過(guò)利用O2等離子體灰化來(lái)去除感光性抗蝕劑8，來(lái)使具有圖案的外部電極14完成。
[0083]應(yīng)予說(shuō)明，本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的薄膜層疊元件的制造方法并不局限于上述的內(nèi)容，能夠按照發(fā)明的主旨形成各種變更。例如，在上述實(shí)施方式的制造方法中，反復(fù)進(jìn)行了多次第三工序，但也可以僅為一次。另外，雖然在感光性抗蝕劑中使用了正型感光性抗蝕劑，但也可以使用負(fù)型感光性抗蝕劑。另外，雖然在每次的各蝕刻工序中逐層且一體地蝕刻了導(dǎo)體薄膜和電介質(zhì)薄膜，但蝕刻的層數(shù)可以是任意層。另外，對(duì)于形成于薄膜層疊體的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的形狀以及光掩膜的對(duì)準(zhǔn)圖案的形狀，只要能夠正確地進(jìn)行蝕刻時(shí)的位置匹配，則可以是任意的形狀。
[0084]符號(hào)說(shuō)明:1…基板，2...熱氧化膜，3、5、6...電介質(zhì)薄膜，4…導(dǎo)體薄膜，7…薄膜層疊體，8吣感光性抗蝕劑，8&-未感光部，8匕”感光部，9&、％、9&”光掩膜，10…元件部，11a、llb、llf…元件部用圖案，12...無(wú)機(jī)保護(hù)膜，13...有機(jī)保護(hù)膜，14...外部電極，21a、21b、21f、41a、41e…對(duì)準(zhǔn)圖案，31a?31f…對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，100…薄膜層疊元件。
【權(quán)利要求】
1.一種薄膜層疊元件的制造方法，其特征在于，具備: 第一工序，在該第一工序中具有形成具有多層薄膜的薄膜層疊體的步驟； 第二工序，在該第二工序中具有: 在所述薄膜層疊體上涂覆感光性抗蝕劑的步驟； 使用光掩膜對(duì)所述抗蝕劑曝光并顯影的步驟； 通過(guò)對(duì)所述顯影后的涂覆了感光性抗蝕劑的所述薄膜層疊體蝕刻來(lái)在所述薄膜層疊體上形成元件部以及對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的步驟；和 從所述蝕刻了的薄膜層疊體上去除所述感光性抗蝕劑的步驟；以及 第三工序，在該第三工序中具有: 在所述薄膜層疊體上涂覆感光性抗蝕劑的步驟； 將具有對(duì)準(zhǔn)圖案的光掩膜通過(guò)對(duì)所述對(duì)準(zhǔn)圖案與在前面的工序中形成的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的位置進(jìn)行匹配來(lái)配置于所述感光性抗蝕劑上的規(guī)定位置的步驟； 使用所述光掩膜對(duì)所述感光性抗蝕劑曝光并顯影的步驟； 通過(guò)對(duì)所述顯影后的涂覆了感光性抗蝕劑的所述薄膜層疊體蝕刻來(lái)在所述薄膜層疊體上形成元件部以及對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的步驟；和 從所述蝕刻了的薄膜層疊體上去除所述感光性抗蝕劑的步驟。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜層疊元件的制造方法，其特征在于， 反復(fù)進(jìn)行兩次以上所述第三工序。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的薄膜層疊元件的制造方法，其特征在于， 在所述第三工序中形成的所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記與在該第三工序的前一個(gè)工序中已形成的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記相比被設(shè)置在所述薄膜層疊體的下層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1?3中任意一項(xiàng)所述的薄膜層疊元件的制造方法，其特征在于， 所述薄膜層疊體包括交替地層疊的導(dǎo)體薄膜和電介質(zhì)薄膜， 在所述第二工序或者所述第三工序中一體地蝕刻所述導(dǎo)體薄膜和所述電介質(zhì)薄膜。
【文檔編號(hào)】H01L21/027GK104471675SQ201380034371
【公開日】2015年3月25日 申請(qǐng)日期:2013年6月14日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月27日
【發(fā)明者】野村雅信, 竹島裕 申請(qǐng)人:株式會(huì)社村田制作所