發(fā)光元件材料及發(fā)光元件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明的目的是提供發(fā)光效率、驅(qū)動電壓、耐久壽命全部被改善了的有機薄膜發(fā)光元件，本發(fā)明的發(fā)光元件材料的特征在于，具有包含熒蒽骨架的特定的化合物。
【專利說明】發(fā)光元件材料及發(fā)光元件
【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及可以將電能轉(zhuǎn)換為光的發(fā)光元件以及使用于該發(fā)光元件的材料。本發(fā) 明能夠用于顯示元件、平板顯示器、背光源、照明、內(nèi)飾、標識、廣告牌、電子照相機和光信號 發(fā)生器等領域。
【背景技術】
[0002] 近年來活躍地進行著由陰極注入的電子與由陽極注入的空穴在被兩極夾著的有 機熒光體內(nèi)再結(jié)合時發(fā)光這樣的有機薄膜發(fā)光元件的研究。該發(fā)光元件的特征在于，薄型 并且能夠?qū)崿F(xiàn)低驅(qū)動電壓下的高亮度發(fā)光，能夠通過選擇熒光材料來進行多色發(fā)光，因此 備受:關注。
[0003] 該研究由=夕' 7々社的C.W.Tang等人揭示出有機薄膜元件高亮度地發(fā)光而一直 以來進行了大量實用化研究，有機薄膜發(fā)光元件在便攜電話的主顯示器等中采用等實用化 平穩(wěn)進展。然而，技術上的課題仍然多，其中兼顧元件的高效率化和長壽命化是大的課題之 〇
[0004] 對于有機薄膜發(fā)光元件，需要滿足發(fā)光效率的提高、驅(qū)動電壓的降低、耐久性的提 高。其中，兼顧發(fā)光效率和耐久壽命成為大的課題。例如，為了提高發(fā)光效率以及耐久壽命， 開發(fā)了具有熒蒽骨架、含氮雜環(huán)的材料（例如，參照專利文獻1?3)。
[0005] 現(xiàn)有技術文獻 [0006] 專利文獻
[0007] 專利文獻1 :國際公開第2010/114264號
[0008] 專利文獻2 :國際公開第2007/100010號
[0009] 專利文獻3 :國際公開第2004/053019號
【發(fā)明內(nèi)容】
[0010] 發(fā)明所要解決的課題
[0011] 然而，在以往的技術中，充分地降低元件的驅(qū)動電壓是困難的，此外即使可以降低 驅(qū)動電壓，元件的發(fā)光效率、耐久壽命也不充分。這樣，高發(fā)光效率、低驅(qū)動電壓、以及耐久 壽命也兼顧的技術仍未發(fā)現(xiàn)。
[0012] 本發(fā)明的目的在于解決這樣的現(xiàn)有技術的問題，提供發(fā)光效率、驅(qū)動電壓、耐久壽 命全部改善了的有機薄膜發(fā)光元件。
[0013] 用于解決課題的手段
[0014] 本發(fā)明為一種發(fā)光元件材料，其特征在于，具有下述通式（1)所示的化合物。
[0015]
【權利要求】
1. 一種發(fā)光元件材料，其特征在于，具有下述通式（1)所示的化合物，
式中，Z由下述通式（2)表示，Ar由下述通式（3)表示，L為單鍵、取代或未取代的亞芳 基、或者取代或未取代的雜亞芳基，n為1或2,當n為2時2個Z可W相同也可W不同，
式中，環(huán)A和環(huán)B各自表示取代或未取代的苯環(huán)、取代或未取代的稠合芳香族姪環(huán)、取 代或未取代的單環(huán)芳香族雜環(huán)、或者取代或未取代的稠合芳香族雜環(huán)，其中，構成環(huán)A和環(huán) B的至少1個原子為受電子性氮，環(huán)A和環(huán)B被取代了的情況下的取代基、W及Ri各自選自 焼基、環(huán)焼基、雜環(huán)基、鏈帰基、環(huán)帰基、快基、焼氧基、焼硫基、芳基離基、芳基硫離基、芳基、 雜芳基、團素、撰基、駿基、氧基撰基、氨基甲醜基和-p( = 0)R2R3，R1可W為氨，R2和R3為芳 基或雜芳基，此外R 2和R3可W縮合而形成環(huán)，其中，在Ri、環(huán)A和環(huán)B中的任一位置與L連 接，當n為2時2個Z與L連接的位置分別可W相同也可W不同，
式中，RW1?Riw分別可W相同也可W不同，選自氨、焼基、環(huán)焼基、雜環(huán)基、鏈帰基、環(huán) 帰基、快基、焼氧基、焼硫基、芳基離基、芳基硫離基、芳基、雜芳基、團素、撰基、駿基、氧基撰 基和氨基甲醜基，RW1?Riw中相鄰的取代基彼此可W形成環(huán)，其中，不形成苯環(huán)，此外，在 RW1?Riw中的任一個位置與L連接。
2. 根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光元件材料，所述通式（1)所示的化合物為下述通式（4) 所示的化合物，
式中，Ri°2?RW分別可W相同也可W不同，選自氨、焼基、環(huán)焼基、雜環(huán)基、鏈帰基、環(huán)帰 基、快基、焼氧基、焼硫基、芳基離基、芳基硫離基、芳基、雜芳基、團素、撰基、駿基、氧基撰基 和氨基甲醜基，Ri°2?Riw中相鄰的取代基彼此可W形成環(huán)，其中，不形成苯環(huán)，L、Z和n與 所述通式（1)同樣。
3. 根據(jù)權利要求1或2所述的發(fā)光元件材料，n為1。
4. 根據(jù)權利要求1?3的任一項所述的發(fā)光元件材料，Z為下述通式（5)?巧）的任 一通式所示的基團，
式中，環(huán)B表示取代或未取代的苯環(huán)、取代或未取代的稠合芳香族姪環(huán)、取代或未取代 的單環(huán)芳香族雜環(huán)、或者取代或未取代的稠合芳香族雜環(huán)，其中，在通式巧）的情況下，環(huán)B
為取代或未取代的單環(huán)芳香族雜環(huán)、或者取代或未取代的稠合芳香族雜環(huán)，并且，構成環(huán)B 的至少1個原子為受電子性氮，環(huán)B被取代了的情況下的取代基W及Ri與所述通式（2)同 樣，Rie?RSi各自選自鐘1、焼基、環(huán)焼基、雜環(huán)基、鏈帰基、環(huán)帰基、快基、焼氧基、焼硫基、芳基 離基、芳基硫離基、芳基、雜芳基、團素、撰基、駿基、氧基撰基、氨基甲醜基和-p( = o)r2r3， 其中，在通式（5)的情況下，在Ri、Rie?Ri\環(huán)B中的任一位置與L連接，在通式（6)的情況 下，在R1、RW?R 22、環(huán)B中的任一位置與L連接，在通式（7)的情況下，在Ri、R23?R25、環(huán)B 中的任一位置與L連接，在通式巧）的情況下，在Ri、R 26?R28、環(huán)B中的任一位置與L連接， 在通式（9)的情況下，在Ri、R29?R 3\環(huán)B中的任一位置與L連接，當n為2時2個Z可W 相同也可W不同。
5. 根據(jù)權利要求4所述的發(fā)光元件材料，環(huán)B為下述通式（10)?（13)的任一通式所 示的結(jié)構，
式中，Bi?B22表示C-R32或N，其中，在Z為通式妨所示的基團的情況下，環(huán)B所包含 的Bk的至少1個為受電子性氮，其中k = 1?22, Bi?B22被取代了的情況下的取代基與所 述通式（2)同樣，R32各自選自氨、焼基、環(huán)焼基、雜環(huán)基、鏈帰基、環(huán)帰基、快基、焼氧基、焼硫 基、芳基離基、芳基硫離基、芳基、雜芳基、團素、撰基、駿基、氧基撰基、氨基甲醜基和-P( = 0)R2R3。
6. 根據(jù)權利要求1?4的任一項所述的發(fā)光元件材料，在Z由通式似表示的情況下， 在環(huán)A和環(huán)B中的任一位置與L連接，在Z由通式妨表示的情況下，Z在Rie?Ri\環(huán)B中 的任一位置與L連接，在Z由通式（6)表示的情況下，Z在RW?R 22、環(huán)B中的任一位置與L 連接，在Z由通式（7)表示的情況下，Z在R23?R25、環(huán)B中的任一位置與L連接，在Z由通 式做表示的情況下，Z在R 26?R28、環(huán)B中的任一位置與L連接，在Z由通式（9)表示的 情況下，Z在R29?護1、環(huán)B中的任一位置與L連接。
7. -種發(fā)光元件，其特征在于，是在陽極與陰極之間存在有機層，通過電能進行發(fā)光的 發(fā)光元件，所述有機層中含有權利要求1?6的任一項所述的發(fā)光元件材料。
8. 根據(jù)權利要求7所述的發(fā)光元件，所述有機層包含電子輸送層，所述權利要求1?6 的任一項所述的發(fā)光元件材料包含于所述電子輸送層。
9. 根據(jù)權利要求8所述的發(fā)光元件，所述電子輸送層進一步包含供電子性化合物。
10. 根據(jù)權利要求9所述的發(fā)光元件，其特征在于，所述供電子性化合物為堿金屬、含 有堿金屬的無機鹽、堿金屬與有機物的配位化合物、堿±金屬、含有堿±金屬的無機鹽、或
堿±金屬與有機物的配位化合物。
11. 根據(jù)權利要求10所述的發(fā)光元件，所述供電子性化合物為堿金屬與有機物的配位 化合物、或堿±金屬與有機物的配位化合物。
12. 根據(jù)權利要求7?11的任一項所述的發(fā)光元件，在陽極與陰極之間進一步包含空 穴輸送層，所述空穴輸送層含有具有巧哇骨架的材料。
13. 根據(jù)權利要求12所述的發(fā)光元件，所述具有巧哇骨架的材料為巧哇多聚體。
【文檔編號】H01L51/50GK104428916SQ201380035572
【公開日】2015年3月18日 申請日期:2013年7月3日 優(yōu)先權日:2012年7月5日
【發(fā)明者】市橋泰宜, 田中大作, 池田武史, 新井猛, 池田篤, 富永剛 申請人:東麗株式會社