一種解決dv微影對準標志破壞的方法
【專利摘要】一種解決DV微影對準標志破壞的方法，包括如下步驟：步驟一，DV微影光罩上設(shè)置DV對準標志圖形，進行DV微影工藝：在待處理晶圓上定義DV對準標志圖形；步驟二，刻蝕待處理晶圓上DV對準標志圖形，形成溝槽形式的DV對準標志；步驟三，TE微影光罩上設(shè)置類DV對準標志圖形，進行TE微影工藝：在待處理晶圓上定義類DV對準標志圖形；步驟四，進行TE干法蝕刻：干法刻蝕所述DV對準標志的溝槽。本發(fā)明一種解決DV微影對準標志破壞的方法，在TE微影工藝時，將DV對準標志上的光阻打開，TE蝕刻將蝕刻DV對準標志溝槽內(nèi)的殘留物，使TE蝕刻后，DV對準標志溝槽內(nèi)沒有殘留物，使后續(xù)工藝可以正常的進行，有效的解決了因DV對準標志被破壞而嚴重影響產(chǎn)品良率的問題。
【專利說明】一種解決DV微影對準標志破壞的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體集成電路制造工藝方法，特別是涉及一種解決DV微影對準標志破壞的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在UTS (Ultra Thin Stacking:超薄層)技術(shù)中，連結(jié)pixel wafer (像素晶圓)和logical wafer (邏輯晶圓)金屬層的工藝是非常關(guān)鍵的技術(shù)，通常包括如下步驟:第一步，進行SE (SEiSilicon Etch，硅刻蝕)工藝，并停在二氧化硅上；第二步，在SE溝槽內(nèi)進行DV (DV:Deep Via Etch,深孔工藝)工藝來連結(jié) pixel wafer 與 logical wafer ;第三步，蝕刻pixel wafer,露出pixel wafer的金屬層，在此稱為TE(TE:Trench Etch,溝槽工藝)工藝；第四步，形成連接層，連結(jié)pixel wafer和logical wafer。微影技術(shù)必須使用對準工藝來防止SE、DV和TE的錯位。目前，UTS深洞(連結(jié)兩層金屬)微影對準工藝采用的對準標記為溝槽形式，在連結(jié)UTS的pixel wafer和logical wafer金屬層的工藝過程中,在填銅和沉積氮化硅后發(fā)現(xiàn)DV微影對準標志被破壞，并產(chǎn)生大量剝落薄膜掉在晶圓上，嚴重影響接下來的工藝和產(chǎn)品的良率，如圖1和圖2所示，圖1為DV對準標志被破壞的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為DV對準標志被破壞的剖示圖；TE蝕刻后，發(fā)現(xiàn)DV對準標志溝槽側(cè)壁有大量的殘留物(包含C、S1、0)，如圖3所示，圖3為TE蝕刻后DV對準標志溝槽示意圖；DV對準標志溝槽側(cè)壁有大量的殘留物將導(dǎo)致接下來銅的阻擋層在有些區(qū)域覆蓋不好，在填銅后，沉積氮化硅的過程中，由于高溫(約400攝氏度)，導(dǎo)致銅擴散到硅中，最后導(dǎo)致DV對準標志被破壞，并產(chǎn)生大量剝落薄膜掉在晶圓上。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明提供一種解決DV微影對準標志破壞的方法，解決因DV微影對準標志被破壞，而嚴重影響產(chǎn)品的良率的問題。
[0004]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種解決DV微影對準標志破壞的方法，包括如下步驟:
[0005]步驟一，DV微影光罩上設(shè)置DV對準標志圖形，進行DV微影工藝:在待處理晶圓上定義DV對準標志圖形；
[0006]步驟二，刻蝕所述待處理晶圓上的DV對準標志圖形，形成溝槽形式的DV對準標志；
[0007]步驟三，TE微影光罩上設(shè)置類DV對準標志圖形，所述類DV對準標志圖形的位置與所述DV微影光罩上的DV對準標志圖形的位置相同；所述類DV對準標志圖形的形狀與所述DV微影光罩上的DV對準標志圖形的形狀相同；
[0008]進行TE微影工藝:在待處理晶圓上定義類DV對準標志圖形，所述類DV對準標志圖形覆蓋所述DV對準標志；
[0009]步驟四，進行TE干法蝕刻:干法刻蝕所述DV對準標志的溝槽。[0010]現(xiàn)有技術(shù)由于TE微影工藝不開DV對準標志上的光阻，光阻和表面被破壞的硅粘結(jié)在一起，TE光阻去除將產(chǎn)生大量的殘留物在DV對準標志溝槽內(nèi)。本發(fā)明所述方法通過在TE微影工藝定義類DV對準標志的圖形，將DV對準標志上的光阻打開，這樣TE蝕刻將蝕刻DV對準標志溝槽內(nèi)的殘留物，采用干法蝕刻使TE蝕刻后，DV對準標志溝槽內(nèi)沒有殘留物，在接下來進行的工藝中銅的阻擋層將很好地覆蓋在硅表面，防止銅的擴散，從而避免DV對準標志被破壞，有效的解決了因DV對準標志被破壞而嚴重影響產(chǎn)品的良率的問題，節(jié)約了生產(chǎn)成本。
[0011]進一步，所述類DV對準標志的圖形的尺寸比所述DV對準標志的圖形的尺寸大
0.3um以上。
[0012]上述進一步方案的有益效果是:在TE微影工藝中準確的將DV對準標志上的光阻打開，保證TE蝕刻能蝕刻DV對準標志。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0013]圖1為DV對準標志被破壞的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0014]圖2為DV對準標志被破壞的剖示圖；
[0015]圖3為TE蝕刻后DV對準標志溝槽示意圖；
[0016]圖4為本發(fā)明一種解決DV微影對準標志破壞的方法實施例的流程圖。
【具體實施方式】
[0017]以下結(jié)合附圖對本發(fā)明的原理和特征進行描述，所舉實例只用于解釋本發(fā)明，并非用于限定本發(fā)明的范圍。
[0018]圖4為本發(fā)明一種解決DV微影對準標志破壞的方法實施例的流程圖，如圖4所示，一種解決DV微影對準標志破壞的方法，包括如下步驟:
[0019]步驟一，DV微影光罩上設(shè)置DV對準標志圖形，進行DV微影工藝:在待處理晶圓上定義DV對準標志圖形；
[0020]步驟二，刻蝕待處理晶圓上的DV對準標志圖形，形成溝槽形式的DV對準標志；
[0021]步驟三，TE微影光罩上設(shè)置類DV對準標志圖形，類DV對準標志圖形的位置與DV微影光罩上的DV對準標志圖形的位置相同；類DV對準標志圖形的形狀與DV微影光罩上的DV對準標志圖形的形狀相同；進行TE微影工藝:在待處理晶圓上定義類DV對準標志圖形，類DV對準標志圖形覆蓋DV對準標志。一般微影工藝包括如下步驟:在待處理晶圓上涂覆一光阻層；利用光罩進行曝光步驟，利用顯影液將要去除的光阻洗掉，完成在光阻上的圖案轉(zhuǎn)移。在本實施例中，TE微影光罩上設(shè)計類DV對準標志，將DV對準標志上的光阻打開，這樣在進行TE蝕刻時將蝕刻DV對準標志溝槽內(nèi)的殘留物；TE微影光罩上的類DV對準標志和DV微影光罩上的DV對準標志的圖形和位置相同，類DV對準標志圖形尺寸比DV對準標志圖形尺寸大0.3um以上，保證TE蝕刻能蝕刻DV對準標志。
[0022]步驟四，進行TE干法蝕刻:干法刻蝕所述DV對準標志的溝槽；采用干法蝕刻使TE蝕刻后，DV對準標志溝槽內(nèi)沒有殘留物。
[0023]本發(fā)明一種解決DV微影對準標志破壞的方法，使用本發(fā)明所述方法，DV微影對準標志沒有被破壞，晶圓不再遭受剝落薄膜影響，接下來的工藝不受影響，產(chǎn)品的良率大大地提聞，有效的節(jié)約了生廣成本。
[0024]以上所述實施步驟和方法僅僅表達了本發(fā)明的一種實施方式，描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。在不脫離本發(fā)明專利構(gòu)思的前提下，所作的變形和改進應(yīng)當都屬于本發(fā)明專利的保護范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種解決DV微影對準標志破壞的方法，包括如下步驟: 步驟一，DV微影光罩上設(shè)置DV對準標志圖形，進行DV微影工藝:在待處理晶圓上定義DV對準標志圖形； 步驟二，刻蝕所述待處理晶圓上的DV對準標志圖形，形成溝槽形式的DV對準標志； 步驟三，TE微影光罩上設(shè)置類DV對準標志圖形，所述類DV對準標志圖形的位置與所述DV微影光罩上的DV對準標志圖形的位置相同；所述類DV對準標志圖形的形狀與所述DV微影光罩上的DV對準標志圖形的形狀相同； 進行TE微影工藝:在待處理晶圓上定義類DV對準標志圖形，所述類DV對準標志圖形覆蓋所述DV對準標志； 步驟四，進行TE干法蝕刻:干法刻蝕所述DV對準標志的溝槽。
2.如權(quán)利要求1所述一種解決DV微影對準標志破壞的方法，其特征在于，所述類DV對準標志圖形的尺寸比所述DV對準標志圖形的尺寸大0.3um以上。
【文檔編號】H01L23/544GK103762207SQ201410003732
【公開日】2014年4月30日 申請日期:2014年1月3日 優(yōu)先權(quán)日:2014年1月3日
【發(fā)明者】董金文, 張國民 申請人:武漢新芯集成電路制造有限公司