Soi結(jié)構(gòu)及其制作方法
【專利摘要】一種SOI結(jié)構(gòu)的制作方法，包括：提供襯底；形成依次位于所述襯底上的埋氧層、半導(dǎo)體層；在所述埋氧層、半導(dǎo)體層的側(cè)壁上形成側(cè)墻；以所述側(cè)墻為掩模，沿襯底方向去除部分襯底材料，以形成由剩余襯底與所述埋氧層圍成的溝槽；在所述溝槽中形成介質(zhì)材料。此外本發(fā)明還提供了一種SOI結(jié)構(gòu)，包括襯底、位于襯底的邊緣部上的介質(zhì)材料；依次位于所述襯底和所述介質(zhì)材料上的埋氧層、半導(dǎo)體層以及位于埋氧層、半導(dǎo)體層側(cè)壁上的側(cè)墻。本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn)：在襯底上開設(shè)溝槽并在所述溝槽中形成介質(zhì)材料，使得半導(dǎo)體層與襯底之間的間距增大，進(jìn)而使得所述半導(dǎo)體層與襯底之間的寄生電容減小。
【專利說明】SOI結(jié)構(gòu)及其制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種SOI結(jié)構(gòu)及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，集成電路的集成度越來越高，器件的特征尺寸越來越小，器件本身對(duì)射頻特性的影響也越來越明顯。
[0003]采用體硅襯底的半導(dǎo)體器件容易產(chǎn)生閂鎖效應(yīng)?，F(xiàn)有技術(shù)發(fā)展了一種絕緣體上硅SOI (Silicon On Insulator, SOI)結(jié)構(gòu)的襯底,采用所述SOI結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件具有較好的射頻特性。
[0004]參考圖1，示出了現(xiàn)有技術(shù)一種SOI結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體器件的示意圖。所述半導(dǎo)體器件包括:襯底I，所述襯底I上方設(shè)有埋氧層2 (Buried Oxide, BOX)，所述埋氧層2上方設(shè)置有半導(dǎo)體層；所述半導(dǎo)體層用于形成源區(qū)5、漏區(qū)6。
[0005]所述半導(dǎo)體層的源區(qū)5、漏區(qū)6與襯底I之間容易形成寄生電容3、4。
[0006]SOI結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體器件的性能與所述寄生電容大小有關(guān)，寄生電容越大將導(dǎo)致SOI結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件的整體射頻性能降低，具體表現(xiàn)為:輸出信號(hào)強(qiáng)度變差、產(chǎn)生非線性的信號(hào)輸出。
[0007]因此，為了提升SOI結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體器件的射頻性能，如何減小所述半導(dǎo)體層2與襯底I之間的寄生電容成為本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的技術(shù)問題之一。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明解決的問題是提供一種SOI結(jié)構(gòu)，以改善SOI結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件中的寄生電容。
[0009]為解決上述問題，本發(fā)明提供一種SOI結(jié)構(gòu)的制作方法，包括:
[0010]提供襯底；
[0011]形成依次位于所述襯底上的埋氧層、半導(dǎo)體層；
[0012]在所述埋氧層、半導(dǎo)體層的側(cè)壁上形成側(cè)墻；
[0013]以所述側(cè)墻為掩模，沿襯底方向去除部分襯底材料，以形成由剩余襯底與所述埋氧層圍成的溝槽；
[0014]在所述溝槽中形成介質(zhì)材料。
[0015]可選的，所述側(cè)墻的厚度在300?500埃的范圍內(nèi)。
[0016]可選的，沿襯底方向去除部分襯底材料，形成溝槽的步驟包括:使所述溝槽沿襯底方向的深度小于所述半導(dǎo)體層寬度的二分之一。
[0017]可選的，在所述溝槽中形成介質(zhì)材料的步驟包括:在所述溝槽中形成由所述介質(zhì)材料圍成的空隙。
[0018]可選的，所述半導(dǎo)體層用于形成源區(qū)和漏區(qū)，所述空隙的位置與所述源區(qū)和漏區(qū)的位置相對(duì)應(yīng)。[0019]可選的，在所述溝槽中形成介質(zhì)材料的步驟包括:通過高密度等離子體化學(xué)氣相沉積的方式形成所述介質(zhì)材料。
[0020]可選的，沿襯底方向去除部分襯底材料的步驟包括:通過濕法蝕刻去除部分襯底材料。
[0021]可選的，所述襯底的材料為硅，所述側(cè)墻的材料為氧化硅，所述濕法蝕刻的蝕刻劑采用氫氧化鉀或者四甲基氫氧化銨。
[0022]本發(fā)明還提供一種SOI結(jié)構(gòu)，包括:
[0023]襯底，所述襯底的中心部相對(duì)于邊緣部凸起；
[0024]位于所述襯底的邊緣部上的介質(zhì)材料；
[0025]依次位于所述襯底和所述介質(zhì)材料上的埋氧層、半導(dǎo)體層；
[0026]位于所述埋氧層、半導(dǎo)體層側(cè)壁上的側(cè)墻。
[0027]可選的，所述介質(zhì)材料內(nèi)形成有空隙。
[0028]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0029]在襯底上開設(shè)溝槽并在所述溝槽中形成介質(zhì)材料，使得半導(dǎo)體層與襯底之間的間距增大，進(jìn)而使得所述半導(dǎo)體層與襯底之間的寄生電容減小。
[0030]進(jìn)一步，在所述介質(zhì)材料中形成空隙，空隙的介電常數(shù)低于介質(zhì)材料的介電常數(shù)，從而進(jìn)一步減小了所述半導(dǎo)體層與襯底之間的寄生電容。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0031]圖1是現(xiàn)有技術(shù)一種SOI結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0032]圖2是本發(fā)明SOI結(jié)構(gòu)的制作方法一實(shí)施例的流程示意圖；
[0033]圖3至圖7是本發(fā)明SOI結(jié)構(gòu)的制作方法一實(shí)施例形成的SOI結(jié)構(gòu)的示意圖；
[0034]圖8是本發(fā)明SOI結(jié)構(gòu)第一實(shí)施例的俯視圖；
[0035]圖9至圖11是本發(fā)明SOI結(jié)構(gòu)形成的半導(dǎo)體器件的示意圖；
[0036]圖12是本發(fā)明SOI結(jié)構(gòu)第二實(shí)施例的俯視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0037]在現(xiàn)有的SOI結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件中，源區(qū)、漏區(qū)與襯底之間容易產(chǎn)生一定大小的寄生電容，寄生電容會(huì)對(duì)半導(dǎo)體器件的射頻特性造成影響，使器件輸出的信號(hào)強(qiáng)度變差、信號(hào)波形失真。
[0038]為了解決所述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種SOI結(jié)構(gòu)，參考圖2是本發(fā)明SOI結(jié)構(gòu)的制作方法一實(shí)施例的流程示意圖。所述制作方法大致包括:
[0039]步驟SI，提供襯底；
[0040]步驟S2，形成依次位于所述襯底上的埋氧層、半導(dǎo)體層；
[0041]步驟S3，在所述埋氧層、半導(dǎo)體層的側(cè)壁上形成側(cè)墻；
[0042]步驟S4，以所述側(cè)墻為掩模，沿襯底方向去除部分襯底材料，以形成由剩余襯底與所述埋氧層圍成的溝槽；
[0043]步驟S5,在所述溝槽中形成介質(zhì)材料。
[0044]本發(fā)明通過所述溝槽增大了半導(dǎo)體層(用于形成源區(qū)、漏區(qū))與溝槽下方襯底之間的距離，根據(jù)電容公式，源區(qū)、漏區(qū)到所述襯底的距離增大意味著減小了源區(qū)、漏區(qū)與所述襯底之間的寄生電容。
[0045]下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】做詳細(xì)的說明。在以下描述中闡述了具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以多種不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣。因此本發(fā)明不受下面公開的【具體實(shí)施方式】的限制。
[0046]如圖3所示，執(zhí)行步驟SI，提供襯底100。
[0047]在本實(shí)施例中，所述襯底100采用硅襯底。但是，本發(fā)明對(duì)襯底100的材料不作任何限制，在具體應(yīng)用中可采用其他半導(dǎo)體材料作為所述襯底100。
[0048]繼續(xù)參考圖3，執(zhí)行步驟S2，形成依次位于所述襯底100上的埋氧層101以及半導(dǎo)體層102。
[0049]具體地，形成埋氧層101以及半導(dǎo)體層102的步驟包括:
[0050]先在襯底100上依次覆蓋埋氧層材料和半導(dǎo)體層材料。
[0051]之后，通過曝光、刻蝕等步驟圖形化半導(dǎo)體層材料以形成有源區(qū)。圖形化后的半導(dǎo)體層材料為半導(dǎo)體層102。
[0052]在刻蝕所述半導(dǎo)體層102時(shí)還刻蝕所述埋氧層材料，直至露出襯底100，所述埋氧層材料圖形化后形成埋氧層101。
[0053]其中，所述半導(dǎo)體層102用于形成半導(dǎo)體器件。在本實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體層102用做MOS管的基底，所述半導(dǎo)體層102中會(huì)形成源區(qū)和漏區(qū)。在本實(shí)施例中，半導(dǎo)體層102為P型硅層，不應(yīng)以此限制本發(fā)明半導(dǎo)體層102的材料和摻雜類型。
[0054]所述埋氧層101可以起到隔離所述半導(dǎo)體層102與所述襯底100的作用。在本實(shí)施例中，埋氧層101的材料為氧化硅。
[0055]需要說明的是，本實(shí)施例中，所述方法還包括:在半導(dǎo)體層102上方依次形成墊氧層103和頂層104，其中:
[0056]頂層104用作化學(xué)機(jī)械研磨工藝的阻擋層。在本實(shí)施例中，所述頂層104采用氮化硅材料。
[0057]墊氧層103用于緩沖所述頂層104應(yīng)力。在本實(shí)施例中，墊氧層103采用二氧化硅材料。
[0058]如圖4所示，執(zhí)行步驟S3，在所述埋氧層101、半導(dǎo)體層102的側(cè)壁上形成側(cè)墻105，所述側(cè)墻105用于作為掩模，保護(hù)所述埋氧層101、半導(dǎo)體層102。
[0059]具體地，所述側(cè)墻105的材料是氧化硅。形成所述側(cè)墻105的方法是，在所述埋氧層101、半導(dǎo)體層102上以及埋氧層101、半導(dǎo)體層102露出的襯底100上沉積氧化硅，隨后去除位于所述埋氧層101與所述半導(dǎo)體層102露出部分的表面上的氧化硅，留下的位于埋氧層101、半導(dǎo)體層102側(cè)壁上的剩余部分的氧化硅構(gòu)成所述側(cè)墻105。
[0060]在本實(shí)施例中，所述沉積氧化硅的步驟可以采用化學(xué)氣相沉積的方式形成，但是本發(fā)明對(duì)第一側(cè)墻105的材料和形成工藝不做限制。
[0061]需要說明的是，如果所述側(cè)墻105的厚度過小，則無法起到保護(hù)所述埋氧層101、半導(dǎo)體層102的作用；但是，如果所述側(cè)墻105的厚度過大，將妨礙到后續(xù)的介質(zhì)材料的形成并造成材料的浪費(fèi)。因此，可選地，側(cè)墻105的厚度在300?500埃的范圍內(nèi)。[0062]如圖5所示，在執(zhí)行步驟S4時(shí)，以所述側(cè)墻105作為掩模，沿襯底100方向(即沿襯底100表面朝向襯底100中心的方向，如圖5中箭頭A示意的方向)去除與埋氧層101相接觸的一部分襯底材料，使剩余的襯底100的寬度小于所述半導(dǎo)體層102的寬度，形成由剩余襯底100與所述埋氧層101以及側(cè)墻105圍成的溝槽109。
[0063]所述溝槽109的位置與半導(dǎo)體層102后續(xù)將要做出的源區(qū)、漏區(qū)的位置相互對(duì)應(yīng)(在圖5中，所述溝槽109位于半導(dǎo)體層102中將要做出源區(qū)、漏區(qū)的位置的下方)，用于形成介質(zhì)材料，所述溝槽109增大了剩余的襯底100與半導(dǎo)體層102之間的間距d，基于電容公式C= ε S/d，在增大了間距d之后，可以減小寄生電容C。
[0064]可選的，所述溝槽109的位置與半導(dǎo)體層102后續(xù)形成的源區(qū)、漏區(qū)的位置相對(duì)應(yīng)，(即所述溝槽109位于半導(dǎo)體層102中源區(qū)、漏區(qū)的下方)，以便于使后續(xù)填充于所述溝槽109中的本征半導(dǎo)體層與所述源區(qū)、漏區(qū)的位置相對(duì)應(yīng)。
[0065]在本實(shí)施例中，為了保證襯底100對(duì)埋氧層101的支撐強(qiáng)度，所述溝槽109沿襯底100方向的深度小于所述半導(dǎo)體層102寬度的二分之一。
[0066]在本實(shí)施例中，去除襯底材料的方法可以采用濕法蝕刻。具體地，所述襯底100的材料為硅，所采用的蝕刻劑可以是氫氧化鉀或者四甲基氫氧化銨，這種蝕刻劑能夠快速去除部分襯底材料，而不會(huì)對(duì)側(cè)墻105產(chǎn)生過多地?fù)p傷。
[0067]如圖6所示，執(zhí)行步驟S5，在所述溝槽109中形成介質(zhì)材料107。
[0068]所述介質(zhì)材料107位于襯底100與部分埋氧層101之間，使得半導(dǎo)體層102中的源區(qū)、漏區(qū)與溝槽109下方襯底100之間的間距d增大，從而減小了襯底100與源區(qū)、漏區(qū)之間的寄生電容。
[0069]在本實(shí)施例中，所述介質(zhì)材料107采用氧化硅，形成介質(zhì)材料107的方式可以是高密度等離子體化學(xué)氣相沉積。但是，本發(fā)明對(duì)介質(zhì)材料107的材料和形成工藝不做限制。
[0070]可選地，如圖7所示，在本實(shí)施例中，在溝槽109中形成介質(zhì)材料109的步驟中，溝槽109內(nèi)的介質(zhì)材料107有時(shí)將無法全部覆蓋溝槽109內(nèi)壁，使溝槽109內(nèi)容易形成由介質(zhì)材料107、溝槽109所圍成的空隙106。
[0071]所述空隙106與所述半導(dǎo)體層102內(nèi)形成源區(qū)、漏區(qū)的位置相對(duì)應(yīng)。具體地說，所述空隙106在垂直于襯底100的方向上與所述源區(qū)、漏區(qū)相重疊。
[0072]由于空隙106的介電常數(shù)小于介質(zhì)材料107的介電常數(shù)，結(jié)合電容公式中電容與介電常數(shù)成正比的關(guān)系，在存在有所述空隙106時(shí)，襯底100與源區(qū)、漏區(qū)之間的寄生電容將得到進(jìn)一步的減小。
[0073]在本實(shí)施例中，形成介質(zhì)材料107時(shí)采用密度等離子體化學(xué)氣相沉積的方式，采用這種方式容易形成所述空隙106，但是本發(fā)明對(duì)形成介質(zhì)材料107的具體工藝不作限制。
[0074]除此以外，在形成介質(zhì)材料107后，還包括通過化學(xué)機(jī)械拋光去除多余的介質(zhì)材料107，直至剩余介質(zhì)材料107與頂層104齊平。以便于在SOI結(jié)構(gòu)上形成半導(dǎo)體器件。
[0075]至此，完成了本實(shí)施例SOI結(jié)構(gòu)的制作過程。
[0076]為了更清楚地介紹本發(fā)明SOI結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)，下面結(jié)合SOI結(jié)構(gòu)的應(yīng)用進(jìn)行說明。參考圖8至圖12，是本發(fā)明SOI結(jié)構(gòu)一實(shí)施例形成的半導(dǎo)體器件的示意圖。需要說明的是，此處半導(dǎo)體器件是以MOS器件為例進(jìn)行說明，但是本發(fā)明對(duì)此不作限制，所述SOI結(jié)構(gòu)上還可以形成其他半導(dǎo)體器件。[0077]在SOI結(jié)構(gòu)上形成半導(dǎo)體器件之前，還包括去除墊氧層103、頂層104，直至露出半導(dǎo)體層102。
[0078]如圖8所示是本發(fā)明SOI結(jié)構(gòu)第一實(shí)施例的俯視圖，在上述SOI結(jié)構(gòu)制作完后，去除SOI結(jié)構(gòu)的頂層104和墊氧層103，并在露出的半導(dǎo)體層102上形成多叉指結(jié)構(gòu)(multiple finger device)的柵極 108。
[0079]此外，還可以在所述半導(dǎo)體層102內(nèi)形成源極和漏極(圖中未標(biāo)出)，由于所述源極和漏極與襯底100之間的間距較大，可減小源極和漏極與襯底100之間的寄生電容。
[0080]相應(yīng)的，本發(fā)明還提供一種SOI結(jié)構(gòu)，參考9所示，在柵極108兩側(cè)的半導(dǎo)體層102中源區(qū)111和漏區(qū)112。(需要說明的是，為了使附圖更加清楚、簡(jiǎn)潔，此處圖9只示意了圖8中的一個(gè)柵極并加以放大，不應(yīng)以此限制本發(fā)明)
[0081]結(jié)合參考圖10和圖11，分別示出了圖9沿剖線AA’和B_B’的剖面示意圖。
[0082]所述源區(qū)111和漏區(qū)112位于半導(dǎo)體層102，位于溝槽109的上方，而所述襯底100位于所述溝槽的下方，所述源區(qū)111和漏區(qū)112與所述襯底100之間的間距較大，因此，可以減小所述源區(qū)111和漏區(qū)112與所述襯底100的寄生電容，進(jìn)而增強(qiáng)了半導(dǎo)體器件的射
頻特性。
[0083]可選的，所述溝槽中形成有由介質(zhì)材料107與溝槽109所圍城的空隙，所述空隙處于源區(qū)111和漏區(qū)112和所述襯底100之間，使得源區(qū)111、漏區(qū)112和襯底100之間的介電常數(shù)減小，因此，可以減小所述源區(qū)111和漏區(qū)112與所述襯底100的寄生電容，進(jìn)一步增強(qiáng)半導(dǎo)體器件的射頻特性。
[0084]參考圖12，為本發(fā)明SOI結(jié)構(gòu)的制作方法的第二實(shí)施例的俯視圖。本實(shí)施例與第一實(shí)施例的相同之處不再贅述。
[0085]本實(shí)施例與第一實(shí)施例的不同之處在于，本實(shí)施例有源區(qū)面積較大(本實(shí)施例用于形成多叉指結(jié)構(gòu)的柵極，因此有源區(qū)面積較大)，因此，在執(zhí)行步驟S2，形成依次位于所述襯底上的埋氧層以及半導(dǎo)體層時(shí)，包括以下分步驟:
[0086]先在襯底上依次覆蓋埋氧層材料和半導(dǎo)體層材料。
[0087]之后，通過曝光、刻蝕等步驟圖形化半導(dǎo)體層材料和埋氧層材料時(shí)，除了通過圖形化定義有源區(qū)之外，還對(duì)有源區(qū)內(nèi)的半導(dǎo)體層材料和埋氧層材料也進(jìn)行圖形化直至露出襯底，從而將較大尺寸的有源區(qū)劃分成多個(gè)較小的區(qū)域。
[0088]繼續(xù)參考圖12，在有源區(qū)內(nèi)形成有3個(gè)并列的小塊區(qū)域，但是本發(fā)明對(duì)有源區(qū)內(nèi)小塊區(qū)域的數(shù)量和排布方式不作限制。
[0089]之后與上述實(shí)施例類似地，繼續(xù)執(zhí)行步驟S3，在有源區(qū)的埋氧層、半導(dǎo)體層的側(cè)壁上形成第一側(cè)墻(圖中未示出)。
[0090]執(zhí)行步驟S4，以所述第一側(cè)墻為掩模進(jìn)行刻蝕，可以形成有源區(qū)之間的第一溝槽201。以所述第二側(cè)墻為掩模進(jìn)行刻蝕，可以形成小塊區(qū)域之間的第二溝槽202。
[0091]后續(xù)步驟與上述實(shí)施例的技術(shù)方案類似，在此不再贅述。此外，本發(fā)明還提供一種SOI結(jié)構(gòu)，請(qǐng)繼續(xù)參考圖7所示，所述SOI結(jié)構(gòu)包括襯底100，所述襯底100上方設(shè)置有埋氧層101，埋氧層101上方設(shè)有半導(dǎo)體層102，所述半導(dǎo)體層102上方從上到下依次設(shè)有墊氧層103和頂層104。
[0092]襯底100的中心部相對(duì)于邊緣部凸起，且所述襯底100的側(cè)壁開設(shè)有溝槽109 ;所述溝槽109內(nèi)設(shè)置有介質(zhì)材料107。
[0093]所述介質(zhì)材料107增大了半導(dǎo)體層102中到襯底100的間距d，從而減小了源區(qū)、漏區(qū)與所述襯底100之間的寄生電容。
[0094]在本實(shí)施例中，介質(zhì)材料107中還形成有空隙106，所述空隙106的存在減小了源區(qū)、漏區(qū)與所述襯底100之間的介電常數(shù)，進(jìn)一步減小所述寄生電容。
[0095]需要說明的是，所述SOI結(jié)構(gòu)可以由上述的制作方法形成，也可以由其他制作方法形成，本發(fā)明對(duì)此不作限制。
[0096]雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種SOI結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，包括: 提供襯底； 形成依次位于所述襯底上的埋氧層、半導(dǎo)體層； 在所述埋氧層、半導(dǎo)體層的側(cè)壁上形成側(cè)墻； 以所述側(cè)墻為掩模，沿襯底方向去除部分襯底材料，以形成由剩余襯底與所述埋氧層圍成的溝槽； 在所述溝槽中形成介質(zhì)材料。
2.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述側(cè)墻的厚度在300?500埃的范圍內(nèi)。
3.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，沿襯底方向去除部分襯底材料，形成溝槽的步驟包括:使所述溝槽沿襯底方向的深度小于所述半導(dǎo)體層寬度的二分之一。
4.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述溝槽中形成介質(zhì)材料的步驟包括:在所述溝槽中形成由所述介質(zhì)材料圍成的空隙。
5.如權(quán)利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體層用于形成源區(qū)和漏區(qū)，所述空隙的位置與所述源區(qū)和漏區(qū)的位置相對(duì)應(yīng)。
6.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述溝槽中形成介質(zhì)材料的步驟包括:通過高密度等離子體化學(xué)氣相沉積的方式形成所述介質(zhì)材料。
7.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，沿襯底方向去除部分襯底材料的步驟包括:通過濕法蝕刻去除部分襯底材料。
8.如權(quán)利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述襯底的材料為硅，所述側(cè)墻的材料為氧化硅，所述濕法蝕刻的蝕刻劑采用氫氧化鉀或者四甲基氫氧化銨。
9.一種SOI結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括: 襯底,所述襯底的中心部相對(duì)于邊緣部凸起； 位于所述襯底的邊緣部上的介質(zhì)材料； 依次位于所述襯底和所述介質(zhì)材料上的埋氧層、半導(dǎo)體層； 位于所述埋氧層、半導(dǎo)體層側(cè)壁上的側(cè)墻。
10.如權(quán)利要求9所述SOI結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述介質(zhì)材料內(nèi)形成有空隙。
【文檔編號(hào)】H01L21/762GK103730405SQ201410006921
【公開日】2014年4月16日 申請(qǐng)日期:2014年1月7日 優(yōu)先權(quán)日:2014年1月7日
【發(fā)明者】劉張李 申請(qǐng)人:上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司