校準(zhǔn)目標(biāo)值的方法以及配置用于校準(zhǔn)目標(biāo)值的處理系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】一種處理方法，包括：基于初始數(shù)據(jù)處理晶片；測量多個(gè)區(qū)域的每一個(gè)的誤差；將多個(gè)區(qū)域中的至少一些區(qū)域的誤差相似度計(jì)算為一些區(qū)域的每一對(duì)之間的分隔距離的函數(shù)；選擇第一區(qū)域和與第一區(qū)域相鄰的多個(gè)第二區(qū)域；基于每一對(duì)第二區(qū)域之間的誤差相似度和第一區(qū)域與每個(gè)第二區(qū)域之間的誤差相似度來計(jì)算第二區(qū)域的權(quán)重值；基于第二區(qū)域的測量誤差和第二區(qū)域的權(quán)重值來計(jì)算第一區(qū)域的估計(jì)誤差；以及基于多個(gè)區(qū)域的每一個(gè)的估計(jì)誤差來產(chǎn)生估計(jì)數(shù)據(jù)。
【專利說明】校準(zhǔn)目標(biāo)值的方法以及配置用于校準(zhǔn)目標(biāo)值的處理系統(tǒng)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明概念的實(shí)施例涉及通過校準(zhǔn)或偏移覆蓋、誤差、處理參數(shù)、或目標(biāo)值來處理諸如晶片或顯示面板的工件的方法和系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002]生產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備和面板的工藝可以包括處理各種晶片或顯示面板。處理工藝并不總是獲得一致的結(jié)果，而是會(huì)獲得具有不規(guī)則誤差的不均勻結(jié)果。因此，生產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備的工藝可以包括持續(xù)地校準(zhǔn)反映處理工件的結(jié)果的工藝條件。生產(chǎn)半導(dǎo)體的工藝應(yīng)該包括精確地分析處理結(jié)果，并且在下一工序中校正處理結(jié)果。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明概念的實(shí)施例提供實(shí)際應(yīng)用來自地統(tǒng)計(jì)學(xué)(geostatistics)的克里格法(Kriging)的方法和系統(tǒng)。
[0004]本發(fā)明概念的實(shí)施例提供用于在半導(dǎo)體制造工藝中校準(zhǔn)覆蓋、誤差、處理參數(shù)、或目標(biāo)值的方法和系統(tǒng)。
[0005]本發(fā)明概念的其他實(shí)施例提供用于通過校準(zhǔn)覆蓋、誤差、處理參數(shù)、或目標(biāo)值來制造半導(dǎo)體的方法和處理系統(tǒng)。
[0006]本發(fā)明概念的其 他實(shí)施例提供用于通過對(duì)覆蓋、誤差、處理參數(shù)、或目標(biāo)值進(jìn)行采樣來制造半導(dǎo)體的方法和系統(tǒng)。
[0007]本發(fā)明概念的其他實(shí)施例提供用于通過對(duì)覆蓋、誤差、處理參數(shù)、或目標(biāo)值進(jìn)行估計(jì)來制造半導(dǎo)體的方法和系統(tǒng)。
[0008]本發(fā)明概念的其他實(shí)施例提供用于在半導(dǎo)體制造處理中對(duì)包括覆蓋、誤差、處理參數(shù)、或目標(biāo)值的數(shù)據(jù)進(jìn)行各種加工、處理、或轉(zhuǎn)換的方法和系統(tǒng)。
[0009]本發(fā)明概念的各方面不限于上述說明，并且從這里描述的實(shí)施例中，本領(lǐng)域技術(shù)人員將能清楚地理解未提及的其他方面。
[0010]根據(jù)本發(fā)明概念的一個(gè)方面，一種處理方法包括:使用初始數(shù)據(jù)來處理具有多個(gè)區(qū)域的工件；測量多個(gè)區(qū)域的每一個(gè)的誤差；將多個(gè)區(qū)域中的至少一些的誤差相似度計(jì)算為一些區(qū)域的每一對(duì)之間的分隔距離的函數(shù)；選擇第一區(qū)域和與第一區(qū)域相鄰的多個(gè)第二區(qū)域；基于每對(duì)第二區(qū)域之間的誤差相似度和第一區(qū)域與每個(gè)第二區(qū)域之間的誤差相似度來計(jì)算第二區(qū)域的權(quán)重值；基于第二區(qū)域的測量的誤差和第二區(qū)域的權(quán)重值來計(jì)算第一區(qū)域的估計(jì)誤差；以及基于多個(gè)區(qū)域的每一個(gè)的估計(jì)誤差來產(chǎn)生估計(jì)數(shù)據(jù)。
[0011]根據(jù)本發(fā)明概念的另一方面，一種處理方法包括:基于初始數(shù)據(jù)來處理具有多個(gè)區(qū)域的第一工件；產(chǎn)生包括多個(gè)區(qū)域的測量誤差的測量數(shù)據(jù)；將其異常因子的絕對(duì)值大于基準(zhǔn)異常因子的那些區(qū)域確定為異常區(qū)(outlier);從測量數(shù)據(jù)中去除被確定為異常區(qū)的那些區(qū)域的測量誤差以產(chǎn)生采樣數(shù)據(jù)；基于多個(gè)區(qū)域的測量誤差來計(jì)算多個(gè)區(qū)域的估計(jì)誤差；將估計(jì)誤差添加到采樣數(shù)據(jù)中以產(chǎn)生估計(jì)數(shù)據(jù)；將估計(jì)數(shù)據(jù)與初始數(shù)據(jù)進(jìn)行比較以產(chǎn)生校準(zhǔn)數(shù)據(jù)；以及基于校準(zhǔn)數(shù)據(jù)來處理第二工件。
[0012]根據(jù)本發(fā)明概念的另一方面，一種處理方法包括:處理具有第一區(qū)域和第二區(qū)域的工件；測量第一區(qū)域的第一誤差；估計(jì)第二區(qū)域的第二誤差；產(chǎn)生包括第一誤差和第二誤差的估計(jì)數(shù)據(jù)；確定第一區(qū)域是否是異常區(qū)；以及從測量數(shù)據(jù)中刪除被確定為異常區(qū)的第一區(qū)域的第一誤差。根據(jù)本發(fā)明概念的另一方面，估計(jì)第二誤差包括:計(jì)算相對(duì)于第一區(qū)域的第一誤差之間的距離的第一相似度；基于第一相似度來估計(jì)第一區(qū)域和第二區(qū)域的誤差之間的第二相似度；基于第一相似度和第二相似度來計(jì)算由第一區(qū)域的第一誤差施加到第二區(qū)域的第二誤差的權(quán)重值；以及基于第一誤差、第一相似度、第二相似度、和權(quán)重值來估計(jì)第二區(qū)域的第二誤差。
[0013]根據(jù)本發(fā)明概念的另一方面，一種處理系統(tǒng)包括:處理部分，其被配置為基于初始數(shù)據(jù)來處理具有多個(gè)區(qū)域的工件；測量部分，其被配置為測量多個(gè)區(qū)域的誤差并且產(chǎn)生測量數(shù)據(jù)；采樣部分，其被配置為從測量數(shù)據(jù)中去除測量誤差中的一些并且產(chǎn)生采樣數(shù)據(jù)；估計(jì)部分，其被配置為計(jì)算多個(gè)區(qū)域的估計(jì)誤差，將估計(jì)誤差添加到采樣數(shù)據(jù)中，并且產(chǎn)生估計(jì)數(shù)據(jù)；以及計(jì)算部分，其被配置為將估計(jì)數(shù)據(jù)與初始數(shù)據(jù)進(jìn)行比較并且產(chǎn)生校準(zhǔn)數(shù)據(jù)。估計(jì)部分將多個(gè)區(qū)域中的至少一些區(qū)域的誤差相似度計(jì)算為多個(gè)區(qū)域中的區(qū)域?qū)χg的分隔距離的函數(shù)，選擇第一區(qū)域和與第一區(qū)域相鄰的多個(gè)第二區(qū)域，基于每對(duì)第二區(qū)域之間的誤差相似度和第一區(qū)域與第二區(qū)域之間的誤差相似度來計(jì)算第二區(qū)域的權(quán)重值，并且基于第二區(qū)域的測量誤差和第二區(qū)域的權(quán)重值來計(jì)算第一區(qū)域的估計(jì)誤差。
[0014]根據(jù)本發(fā)明概念的另一方面，一種處理系統(tǒng)包括:處理部分，其被配置為基于初始數(shù)據(jù)來處理具有多個(gè)區(qū)域的工件；測量部分，其被配置為測量多個(gè)區(qū)域的誤差并且產(chǎn)生測量數(shù)據(jù)；采樣部分，其被配置為確定測量誤差是否是異常區(qū)，從測量數(shù)據(jù)中去除被確定為異常區(qū)的那些區(qū)域的測量誤差并且產(chǎn)生采樣數(shù)據(jù)；估計(jì)部分，其被配置為計(jì)算多個(gè)區(qū)域的估計(jì)誤差，將估計(jì)誤差添加到采樣數(shù)據(jù)中并且產(chǎn)生估計(jì)數(shù)據(jù)；以及計(jì)算部分，其被配置為將估計(jì)數(shù)據(jù)與初始數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，并且產(chǎn)生校準(zhǔn)數(shù)據(jù)。確定測量誤差是否是異常區(qū)包括:選擇多個(gè)區(qū)域中的一個(gè)，并且選擇位于與所選區(qū)域相鄰的至少兩個(gè)第二區(qū)域；基于至少兩個(gè)相鄰的第二區(qū)域的測量誤差來計(jì)算所選擇區(qū)域的加權(quán)平均值；基于加權(quán)平均值來計(jì)算所選區(qū)域的異常因子；設(shè)置基準(zhǔn)異常因子；以及將其異常因子的絕對(duì)值大于基準(zhǔn)異常因子的那些區(qū)域確定為異常區(qū)。
[0015]根據(jù)本發(fā)明概念的另一方面，一種處理系統(tǒng)包括:處理部分，其被配置為基于初始數(shù)據(jù)來處理具有多個(gè)第一區(qū)域和多個(gè)第二區(qū)域的工件；測量部分，其被配置為測量多個(gè)第一區(qū)域的第一誤差并且產(chǎn)生測量數(shù)據(jù)；采樣部分，其被配置為從測量數(shù)據(jù)中去除第一誤差中的一些，并且產(chǎn)生采樣數(shù)據(jù)；估計(jì)部分，其被配置為估計(jì)第二區(qū)域的第二誤差，將第二誤差添加到采樣數(shù)據(jù)中并且產(chǎn)生估計(jì)數(shù)據(jù)；以及計(jì)算部分，其被配置為將估計(jì)數(shù)據(jù)與初始數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，并且產(chǎn)生校準(zhǔn)數(shù)據(jù)。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，估計(jì)部分計(jì)算相對(duì)于第一區(qū)域的第一誤差之間的距離的第一相似度；基于第一相似度來估計(jì)第一區(qū)域和第二區(qū)域的誤差之間的第二相似度；基于第一相似度和第二相似度來計(jì)算由第一區(qū)域的第一誤差施加到第二區(qū)域的第二誤差的權(quán)重值；以及基于第一誤差、第一相似度、第二相似度、和權(quán)重值來估計(jì)第二區(qū)域的第二誤差。
[0016]其他實(shí)施例的具體細(xì)節(jié)被包括在詳細(xì)的說明書和附圖中?！緦＠綀D】

【附圖說明】
[0017]圖1是根據(jù)本發(fā)明概念的實(shí)施例的處理系統(tǒng)的框圖；
[0018]圖2A至圖2C是根據(jù)本發(fā)明概念的實(shí)施例的處理方法的流程圖；以及
[0019]圖3至圖1OC是示出根據(jù)本發(fā)明概念的實(shí)施例的處理方法的圖。
【具體實(shí)施方式】
[0020]參考其中示出示范性實(shí)施例的附圖更全面地描述各種實(shí)施例。然而，本發(fā)明概念可以以不同的形式實(shí)現(xiàn)，并且不應(yīng)解讀為限于這里描述的實(shí)施例。
[0021]全文中，相似的標(biāo)號(hào)指示相似的元件。附圖不一定按比例來繪制，其重點(diǎn)在于用于圖示本發(fā)明概念的原理。
[0022]圖1是根據(jù)本發(fā)明概念的實(shí)施例的處理系統(tǒng)10的框圖。處理系統(tǒng)10可以處理晶片W，并基于處理前的覆蓋、誤差、和目標(biāo)值以及處理后的覆蓋、誤差、和各種其他目標(biāo)值來產(chǎn)生校準(zhǔn)或偏移覆蓋、誤差、和各種目標(biāo)值。例如，處理系統(tǒng)10可以處理晶片W，測量已處理的晶片W的覆蓋、誤差、或各種其他目標(biāo)值，校準(zhǔn)或者偏移覆蓋、誤差、目標(biāo)值、工藝參數(shù)、和各種其他條件，以使得以處理的晶片W的覆蓋、誤差、或各種其他目標(biāo)值更加接近于目標(biāo)值，并且基于校準(zhǔn)或者偏移覆蓋、誤差、目標(biāo)值、工藝參數(shù)、以及在各種其他條件下重復(fù)地處理晶片W。此外，處理系統(tǒng)10可以根據(jù)初始目標(biāo)執(zhí)行各種工藝，諸如沉積工藝、蝕刻工藝、諸如化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)工藝或回蝕工藝的平坦化工藝、離子注入工藝、以及金屬化工藝，測量處理結(jié)果以校準(zhǔn)或偏移初始目標(biāo)，并重復(fù)地根據(jù)校準(zhǔn)或偏移目標(biāo)來執(zhí)行處理。
[0023]參考圖1，處理系統(tǒng)10可以包括處理部分100、測量部分200、和數(shù)據(jù)處理部分300。數(shù)據(jù)處理部分300可以包括采樣部分310、估計(jì)部分320、計(jì)算部分330、和數(shù)據(jù)庫340。
[0024]處理部分100可以在半導(dǎo)體制造工藝中處理晶片W。例如，處理部分100可以執(zhí)行光刻工藝、沉積工藝、蝕刻工藝、諸如CMP工藝的平坦化工藝、離子注入工藝、或金屬化工藝。在示范性實(shí)施例中，執(zhí)行光刻工藝，然而本發(fā)明概念的實(shí)施例不限于此。處理部分100可以使用基于初始數(shù)據(jù)Di而設(shè)置、確定、和/或分布的初始覆蓋值、初始誤差、或各種其他初始目標(biāo)值來執(zhí)行預(yù)處理，并且使用基于校準(zhǔn)數(shù)據(jù)Dc而重置、確定、和/或分布的校準(zhǔn)覆蓋值、校準(zhǔn)誤差、或各種其他校準(zhǔn)目標(biāo)值來執(zhí)行后處理。例如，初始覆蓋值、誤差、和各種其他目標(biāo)可以在X方向和/或Y方向上規(guī)定照射區(qū)域SA的理想位置或坐標(biāo)，并且預(yù)處理可以按規(guī)定移動(dòng)照射區(qū)域SA。
[0025] 照射區(qū)域SA的位置或坐標(biāo)可以指各個(gè)照射區(qū)域SA的初始啟動(dòng)點(diǎn)。即，在每個(gè)照射區(qū)域SA中，可以在由于校準(zhǔn)數(shù)據(jù)Dc的校準(zhǔn)覆蓋、誤差、或目標(biāo)值而已移離理想位置的位置處開始光刻工藝?？梢灾貜?fù)光刻工藝。替換地，可以基于第一校準(zhǔn)或偏移覆蓋、誤差、或各種其他目標(biāo)值來執(zhí)行第一校準(zhǔn)或偏移光刻工藝，并且可以基于第二校準(zhǔn)或偏移覆蓋、誤差、或各種其他目標(biāo)值來執(zhí)行第二校準(zhǔn)或偏移光刻工藝。另外，在其他實(shí)施例中，可以為晶片W的每個(gè)照射區(qū)域SA重復(fù)光刻工藝。如果初始數(shù)據(jù)Di包括覆蓋目標(biāo)值，則初始數(shù)據(jù)Di可以包括由沿X或Y方向移動(dòng)的理想覆蓋目標(biāo)坐標(biāo)所產(chǎn)生的值。即，光刻工藝將不在每個(gè)照射區(qū)域SA的理想坐標(biāo)處初始化和執(zhí)行，而是在每個(gè)照射區(qū)域SA的偏移坐標(biāo)處初始化和執(zhí)行。理想坐標(biāo)可以指其中覆蓋誤差或?qū)?zhǔn)誤差是零(O)的坐標(biāo)。初始數(shù)據(jù)Di可以是在其上指示目標(biāo)值的晶片地圖或表。替換地，初始數(shù)據(jù)Di可以具有一組用于計(jì)算目標(biāo)值的多項(xiàng)式回歸系數(shù)。
[0026]當(dāng)處理部分100執(zhí)行其他工藝，例如沉積工藝、蝕刻工藝、諸如CMP工藝的平坦化工藝、離子注入工藝、或者金屬化工藝時(shí)，可以根據(jù)溫度、時(shí)間、壓力、或各種其他初始目標(biāo)處理值來執(zhí)行初始處理，并且可以根據(jù)校準(zhǔn)目標(biāo)值來執(zhí)行校準(zhǔn)處理。由處理部分100處理的晶片W可以被傳送并提供給測量部分200。
[0027]測量部分200可以測量由處理部分100處理的晶片W的處理結(jié)果，并且產(chǎn)生測量數(shù)據(jù)Dm。例如，測量部分200可以包括光學(xué)測量設(shè)備、掃描電子顯微鏡(SEM)、或諸如X射線光電子能譜(XPS )系統(tǒng)的高分辨率測量設(shè)備。
[0028]雖然測量部分200可以測量所有的照射區(qū)域SA (圖3)，但是測量部分200也可以對(duì)照射區(qū)域SA進(jìn)行采樣，選擇測量的照射區(qū)域SAm (圖5A至5C)，并測量選定的測量照射區(qū)域SAm以提高生產(chǎn)量和生產(chǎn)率。例如，測量的照射區(qū)域SAm可以以各種排列而從所有的照射區(qū)域SA中采樣，例如，以同心圓、多邊形、交線、格、或若干聚集區(qū)域的形式采樣，或者可以沒有特定的規(guī)則地隨機(jī)地從所有照射區(qū)域SA中采樣。 [0029]測量數(shù)據(jù)Dm可以是包括測量照射區(qū)域SAm的測量覆蓋、誤差、或結(jié)果的晶片地圖或表。例如，測量數(shù)據(jù)Dm可以包括測量照射區(qū)域SAm的覆蓋誤差、測量照射區(qū)域SAm或圖案的對(duì)準(zhǔn)誤差、或者圖案的尺寸誤差、厚度誤差、寬度誤差、長度誤差、深度誤差、或各種其他誤差，其可以對(duì)應(yīng)于執(zhí)行的處理的結(jié)果?？梢酝ㄟ^諸如局部總線或有線/無線局域網(wǎng)(LAN)的網(wǎng)絡(luò)向數(shù)據(jù)處理部分300提供測量數(shù)據(jù)Dm。提供給數(shù)據(jù)處理部分300的測量數(shù)據(jù)Dm可以被提供給采樣部分310，并且額外地提供給并存儲(chǔ)在數(shù)據(jù)庫340中。
[0030]數(shù)據(jù)處理部分300可以從測量部分200接收測量數(shù)據(jù)Dm并執(zhí)行各種處理。
[0031]采樣部分310可以從測量數(shù)據(jù)Dm中去除具有異常值的異常區(qū)，并產(chǎn)生僅包括正常區(qū)(inlier)的采樣數(shù)據(jù)Ds。例如，采樣部分310可以去除具有異常覆蓋、異常誤差、或各種其他異常目標(biāo)值的測量的照射區(qū)域SAm的測量結(jié)果。即，被確定為異常區(qū)的測量的照射區(qū)域Sam可以被視為未測量的照射區(qū)域SAn (圖5A到5C)。下面將描述確定并且去除異常區(qū)的方法。采樣數(shù)據(jù)Ds可以包括晶片地圖、表、或者一組多項(xiàng)式回歸系數(shù)?？梢酝ㄟ^內(nèi)部總線或有線/無線網(wǎng)絡(luò)將采樣數(shù)據(jù)Ds提供給估計(jì)部分320。
[0032]估計(jì)部分320可以分析采樣數(shù)據(jù)Ds，估計(jì)未測量的照射區(qū)域SAn的測量值，并產(chǎn)生測量結(jié)果和包括估計(jì)結(jié)果的估計(jì)數(shù)據(jù)De。即，估計(jì)數(shù)據(jù)De可以包括晶片W的所有照射區(qū)域SA的測量值、測量誤差、估計(jì)值、或估計(jì)誤差。估計(jì)數(shù)據(jù)De可以包括晶片地圖、表、或者一組多項(xiàng)式回歸系數(shù)?？梢酝ㄟ^內(nèi)部總線或有線/無線網(wǎng)絡(luò)將估計(jì)數(shù)據(jù)De提供給計(jì)算部分330。下面將描述產(chǎn)生估計(jì)數(shù)據(jù)De的方法。采樣部分310和估計(jì)部分320可以在單個(gè)處理部分中連續(xù)地進(jìn)行處理。
[0033]計(jì)算部分330可以將估計(jì)數(shù)據(jù)De與初始數(shù)據(jù)Di進(jìn)行比較，并產(chǎn)生校準(zhǔn)數(shù)據(jù)Dc。校準(zhǔn)數(shù)據(jù)Dc可以包括估計(jì)數(shù)據(jù)De與初始數(shù)據(jù)Di之間的偏移差。例如，校準(zhǔn)數(shù)據(jù)Dc可以包括校準(zhǔn)覆蓋、校準(zhǔn)誤差、或各種其他目標(biāo)值。校準(zhǔn)數(shù)據(jù)Dc可以包括晶片地圖、表、或者一組多項(xiàng)式回歸系數(shù)?？梢酝ㄟ^內(nèi)部總線或有線/無線網(wǎng)絡(luò)向處理部分100和/或數(shù)據(jù)庫340提供校準(zhǔn)數(shù)據(jù)Dc。
[0034]數(shù)據(jù)庫340可以存儲(chǔ)各種數(shù)據(jù)，并將各種數(shù)據(jù)提供給其他的功能部分和/或設(shè)備。例如，數(shù)據(jù)庫340可以完全地或選擇性地存儲(chǔ)初始數(shù)據(jù)D1、測量數(shù)據(jù)Dm、采樣數(shù)據(jù)Ds、估計(jì)數(shù)據(jù)De、或校準(zhǔn)數(shù)據(jù)Dc，并將初始數(shù)據(jù)D1、測量數(shù)據(jù)Dm、采樣數(shù)據(jù)Ds、估計(jì)數(shù)據(jù)De、或校準(zhǔn)數(shù)據(jù)Dc提供給內(nèi)部組件或其他處理設(shè)備和控制系統(tǒng)。
[0035]之后，處理部分100可以從計(jì)算部分330或數(shù)據(jù)庫340接收校準(zhǔn)數(shù)據(jù)Dc，并基于校準(zhǔn)目標(biāo)值來處理下一個(gè)晶片W?？梢灾貜?fù)上述過程。
[0036]圖2A至圖2C是處理方法的流程圖，而圖3至圖1OC是示出根據(jù)本發(fā)明概念的實(shí)施例的處理方法的圖。以下，將描述使用圖1中所示的處理系統(tǒng)10來執(zhí)行處理的方法。此外，非限制性的實(shí)施例可以假定處理部分100包括光刻設(shè)備，并且在處理部分100內(nèi)執(zhí)行光刻工藝。因此，本發(fā)明的實(shí)施例可以假定光刻工藝包括測量覆蓋誤差以及校準(zhǔn)或偏移覆蓋誤差。覆蓋可以指以精確坐標(biāo)表示的圖案的位置的移動(dòng)、或者下部圖案與上部圖案之間的重疊度，而覆蓋誤差可以指相對(duì)于作為理想覆蓋值的零(O)而測得的覆蓋歪斜(skew)。理想地，覆蓋誤差可以盡可能地接近零(O )。
[0037]參考圖2A和圖3和表1，處理方法可以包括向處理部分100提供初始數(shù)據(jù)Di(SlO)0初始數(shù)據(jù)Di可以包括所有照射區(qū)域SA的初始處理目標(biāo)值、初始覆蓋目標(biāo)值、或初始校準(zhǔn)覆蓋目標(biāo)值。初始目標(biāo)值可以是晶片地圖的向量或者具有各個(gè)照射區(qū)域SA的數(shù)值的表。替換地，初始目標(biāo)值可以包括每個(gè)照射區(qū)域SA的坐標(biāo)，其可以使用一組多項(xiàng)式回歸系數(shù)來計(jì)算。
[0038]參考圖3，將要基于初始數(shù)據(jù)Di來執(zhí)行的處理晶片W的過程的初始目標(biāo)值、初始覆蓋、或初始校準(zhǔn)覆蓋可以在概念上提供為晶片地圖。以下，出于簡潔的考慮，將使用目標(biāo)值或誤差值。目標(biāo)值可以指執(zhí)行處理之前的各種數(shù)值，而誤差值可以指在執(zhí)行處理之后通過測量處理結(jié)果獲得的各種數(shù)值。此外，本發(fā)明概念的實(shí)施例包括校準(zhǔn)或偏移覆蓋誤差的過程。因此，以下描述的數(shù)據(jù)的X分量和Y分量的數(shù)值可以分開或者一起來描述。
[0039]參照表1，可以將初始數(shù)據(jù)Di提供為表。具體地，初始數(shù)據(jù)Di可以包括用于每個(gè)照射區(qū)域SA的X分量目標(biāo)值Xtawt和Y分量目標(biāo)值Ytawt。為簡潔起見，通過沒有單位的整數(shù)來表示每個(gè)照射區(qū)域SA的X分量目標(biāo)值Xtawt和Y分量目標(biāo)值Ytogrt?？梢詾樵O(shè)備的每個(gè)工件使用任何方便的單位。例如，可以使用mil、fm、pm、nm、μπι、或其他單位。
[0040][表 1]
【權(quán)利要求】
1.一種處理方法，包括: 使用初始數(shù)據(jù)來處理具有多個(gè)區(qū)域的工件； 測量多個(gè)區(qū)域的每一個(gè)的誤差； 將多個(gè)區(qū)域中的至少一些區(qū)域的誤差相似度計(jì)算為一些區(qū)域的每一對(duì)之間的分隔距離的函數(shù)； 選擇第一區(qū)域和與第一區(qū)域相鄰的多個(gè)第二區(qū)域； 基于每對(duì)第二區(qū)域之間的誤差相似度和第一區(qū)域與每個(gè)第二區(qū)域之間的誤差相似度來計(jì)算第二區(qū)域的權(quán)重值； 基于第二區(qū)域的測量誤差和第二區(qū)域的權(quán)重值來計(jì)算第一區(qū)域的估計(jì)誤差；以及 基于多個(gè)區(qū)域的每一個(gè)的估計(jì)誤差來產(chǎn)生估計(jì)數(shù)據(jù)。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，計(jì)算誤差相似度包括計(jì)算

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，計(jì)算誤差相似度包括: 獨(dú)立地計(jì)算 基于沿X方向布置為彼此相鄰的區(qū)域的測量誤差的X分量誤差相似度， 基于沿Y方向布置為彼此相鄰的區(qū)域的測量誤差的Y分量誤差相似度，以及基于X分量誤差相似度、Y分量誤差相似度、和沿對(duì)角線方向布置為彼此相鄰的區(qū)域的測量誤差的對(duì)角線誤差相似度。
4.如權(quán)利要求2所述的方法，其中，計(jì)算權(quán)重值包括計(jì)算
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中，計(jì)算估計(jì)誤差包括計(jì)算:
6.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括: 確定區(qū)域是否是異常區(qū)；以及 從測量數(shù)據(jù)中刪除被確定為異常區(qū)的區(qū)域的測量誤差， 其中，確定第一區(qū)域是否是異常區(qū)包括: 計(jì)算多個(gè)區(qū)域的異常因子； 設(shè)置基準(zhǔn)異常因子；以及 將其異常因子的絕對(duì)值大于基準(zhǔn)異常因子的那些區(qū)域確定為異常區(qū)。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中，設(shè)置基準(zhǔn)異常因子包括: 設(shè)置基準(zhǔn)誤差； 將基準(zhǔn)異常因子設(shè)置為相對(duì)小于其測量誤差大于基準(zhǔn)誤差的區(qū)域的計(jì)算的異常因子；以及 將基準(zhǔn)異常因子設(shè)置為相對(duì)大于其測量誤差小于基準(zhǔn)誤差的區(qū)域的計(jì)算的異常因子。
8.如權(quán)利要求6所述的方法，其中，計(jì)算多個(gè)區(qū)域的異常因子包括: 選擇多個(gè)區(qū)域中的一個(gè)； 選擇被布置為與所選區(qū)域相鄰的至少兩個(gè)第二區(qū)域； 基于至少兩個(gè)相鄰第二區(qū)域的測量誤差來計(jì)算所選區(qū)域的加權(quán)平均； 計(jì)算所選區(qū)域的加權(quán)平均與所選區(qū)域的測量誤差之間的差； 對(duì)于所有的多個(gè)區(qū)域，計(jì)算所選區(qū)域的加權(quán)平均與所選區(qū)域的測量誤差之間的差的平均和標(biāo)準(zhǔn)偏差；以及 將通過從所選區(qū)域的加權(quán)平均和測量誤差之間的差中減去平均值而獲得的值除以標(biāo)準(zhǔn)偏差， 其中，計(jì)算加權(quán)平均包括計(jì)算:
9.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括計(jì)算包括估計(jì)數(shù)據(jù)與初始數(shù)據(jù)之間的差的校準(zhǔn)數(shù)據(jù)， 其中，校準(zhǔn)數(shù)據(jù)包括所有的多個(gè)區(qū)域的X分量校準(zhǔn)目標(biāo)值和Y分量校準(zhǔn)目標(biāo)值，其中，估計(jì)數(shù)據(jù)包括: 具有多個(gè)區(qū)域的X分量測量誤差的X分量估計(jì)數(shù)據(jù)；以及 具有多個(gè)區(qū)域的Y分量測量誤差的Y分量估計(jì)數(shù)據(jù)。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括計(jì)算包括估計(jì)數(shù)據(jù)與初始數(shù)據(jù)之間的差的校準(zhǔn)數(shù)據(jù)， 其中，校準(zhǔn)數(shù)據(jù)包括從以下公式計(jì)算的一組多項(xiàng)式回歸系數(shù)L至kj，
11.一種處理方法,包括: 處理具有第一區(qū)域和第二區(qū)域的工件； 測量第一區(qū)域的第一誤差； 估計(jì)第二區(qū)域的第二誤差； 產(chǎn)生包括第一誤差和第二誤差的估計(jì)數(shù)據(jù)， 確定第一區(qū)域是否是異常區(qū)；以及 從測量數(shù)據(jù)中刪除被確定為異常區(qū)的第一區(qū)域的第一誤差， 其中，估計(jì)第二誤差包括: 相對(duì)于第一區(qū)域的第一誤差之間的距離來計(jì)算第一相似度； 基于第一相似度來估計(jì)第一區(qū)域和第二區(qū)域的誤差之間的第二相似度； 基于第一相似度和第二相似度計(jì)算由第一區(qū)域的第一誤差施加到第二區(qū)域的第二誤差的權(quán)重值；以及 基于第一誤差、第一相似度、第二相似度、和權(quán)重值來估計(jì)第二區(qū)域的第二誤差。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中，從以下公式計(jì)算第一相似度，
13.如權(quán)利要求11所述的方法，其中，從以下的公式計(jì)算權(quán)重值:
14.如權(quán)利要求11所述的方法，其中，確定第一區(qū)域是否是異常區(qū)包括: 計(jì)算各個(gè)第一區(qū)域的異常因子的絕對(duì)值； 設(shè)置基準(zhǔn)異常因子；以及 將具有大于基準(zhǔn)異常因子的絕對(duì)值的異常因子的第一區(qū)域確定為異常區(qū)， 其中，設(shè)置基準(zhǔn)異常因子包括: 設(shè)置基準(zhǔn)誤差； 當(dāng)每個(gè)第一區(qū)域的第一誤差大于基準(zhǔn)誤差時(shí)，將基準(zhǔn)異常因子設(shè)置為相對(duì)小的值；以及 當(dāng)每個(gè)第一區(qū)域的第一誤差小于基準(zhǔn)誤差時(shí)，將基準(zhǔn)異常因子設(shè)置為相對(duì)大的值，并且 其中，計(jì)算各個(gè)第一區(qū)域的異常因子包括: 選擇第一區(qū)域中的一個(gè)； 選擇被布置為與所述一個(gè)選擇的第一區(qū)域相鄰的至少兩個(gè)第一區(qū)域； 基于被布置為與所選第一區(qū)域相鄰的所述至少兩個(gè)第一區(qū)域的第一誤差來計(jì)算所述一個(gè)選擇的第一區(qū)域的加權(quán)平均； 計(jì)算所述一個(gè)選擇的第一區(qū)域的加權(quán)平均與第一誤差之間的差； 計(jì)算所有的第一區(qū)域的所有的第一誤差的平均； 計(jì)算所有的第一區(qū)域的所有的第一誤差的標(biāo)準(zhǔn)偏差；以及 將通過從所述一個(gè)選擇的第一區(qū)域的加權(quán)平均與第一誤差之間的差減去平均值而獲得的值除以標(biāo)準(zhǔn)偏差。
15.如權(quán)利要求11所述的方法，其中，估計(jì)數(shù)據(jù)包括: 具有第一和第二區(qū)域的X分量第一誤差和X分量第二誤差的X分量估計(jì)數(shù)據(jù)；以及 具有第一和第二區(qū)域的Y分量第一誤差和Y分量第二誤差的Y分量估計(jì)數(shù)據(jù)， 其中，該方法進(jìn)一步包括: 計(jì)算包括估計(jì)數(shù)據(jù)與初始數(shù)據(jù)之間的差的校準(zhǔn)數(shù)據(jù)， 其中，校準(zhǔn)數(shù)據(jù)包括所有的第一和第二區(qū)域的X分量校準(zhǔn)目標(biāo)值和Y分量校準(zhǔn)目標(biāo)值。
16.一種處理系統(tǒng)，包括: 處理部分，其被配置為基于初始數(shù)據(jù)來處理具有多個(gè)區(qū)域的工件； 測量部分，其被配置為測量多個(gè)區(qū)域的誤差，并且產(chǎn)生測量數(shù)據(jù)； 采樣部分，其被配置為從測量數(shù)據(jù)中去除測量誤差中的一些，并且產(chǎn)生采樣數(shù)據(jù)； 估計(jì)部分，其被配置為計(jì)算多個(gè)區(qū)域的估計(jì)誤差，將估計(jì)誤差添加到采樣數(shù)據(jù)中，并且產(chǎn)生估計(jì)數(shù)據(jù)；以及 計(jì)算部分，其被配置為將估計(jì)數(shù)據(jù)與初始數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，并且產(chǎn)生校準(zhǔn)數(shù)據(jù)， 其中，估計(jì)部分將多個(gè)區(qū)域中的至少一些區(qū)域的誤差相似度計(jì)算為多個(gè)區(qū)域中的區(qū)域?qū)χg的分隔距離的函數(shù)，選擇第一區(qū)域和與第一區(qū)域相鄰的多個(gè)第二區(qū)域，基于每對(duì)第二區(qū)域之間的誤差相似度和第一區(qū)域與每個(gè)第二區(qū)域之間的誤差相似度來計(jì)算第二區(qū)域的權(quán)重值，并且基于第二區(qū)域的測量誤差和第二區(qū)域的權(quán)重值來計(jì)算第一區(qū)域的估計(jì)誤差。
17.如權(quán)利要求16所述的系統(tǒng)，其中，初始數(shù)據(jù)包括:包括多個(gè)區(qū)域的X分量初始目標(biāo)值和Y分量初始目標(biāo)值的表、或者用于計(jì)算多個(gè)區(qū)域的初始目標(biāo)值的一組初始多項(xiàng)式回歸系數(shù)中的任何一個(gè)，并且 校準(zhǔn)數(shù)據(jù)包括:包括多個(gè)區(qū)域的X分量校準(zhǔn)目標(biāo)值和Y分量校準(zhǔn)目標(biāo)值的表、或者用于計(jì)算多個(gè)區(qū)域的校準(zhǔn)目標(biāo)值的一組多項(xiàng)式回歸系數(shù)中的任何一個(gè)， 其中，初始數(shù)據(jù)包括用于光刻工藝的多個(gè)區(qū)域的覆蓋目標(biāo)值， 其中，處理部分包括光刻設(shè)備，其被配置為以與多個(gè)區(qū)域的數(shù)量一樣多地沿X方向執(zhí)行步進(jìn)，并且沿Y方向執(zhí)行掃描， 其中，估計(jì)數(shù)據(jù)包括: 包括多個(gè)區(qū)域的X分量測量誤差的X分量估計(jì)數(shù)據(jù)；以及 包括多個(gè)區(qū)域的Y分量測量誤差的Y分量估計(jì)數(shù)據(jù)。
18.如權(quán)利要求16所述的系統(tǒng)，其中，多個(gè)區(qū)域的測量誤差包括理想覆蓋值與測量覆蓋值之間的差。
19.如權(quán)利要求16所述的系統(tǒng)，其中，從測量數(shù)據(jù)中去除測量誤差中的一些包括: 確定區(qū)域是否是異常區(qū)；以及 從測量數(shù)據(jù)中去除被確定為異常區(qū)的那些區(qū)域的測量誤差，并且在采樣數(shù)據(jù)中包括沒有被確定為異常區(qū)的那些區(qū)域的測量誤差。
20.如權(quán)利要求19所述的系統(tǒng)，其中，確定區(qū)域是否是異常區(qū)包括為多個(gè)區(qū)域的每個(gè)區(qū)域計(jì)算異常因子，包括: 選擇多個(gè)區(qū)域中的一個(gè)； 選擇被布置為與選擇的區(qū)域相鄰的至少兩個(gè)第二區(qū)域；基于所述至少兩個(gè)相鄰第二區(qū)域的測量誤差來計(jì)算選擇的區(qū)域的加權(quán)平均； 計(jì)算選擇的區(qū)域的加權(quán)平均與選擇的區(qū)域的測量誤差之間的差； 為所有的多個(gè)區(qū)域計(jì)算選擇的區(qū)域的加權(quán)平均與選擇的區(qū)域的測量誤差之間的差的平均和標(biāo)準(zhǔn)偏差；以及 將通過從差中減去平均值而獲得的值除以標(biāo)準(zhǔn)偏差。
21.如權(quán)利要求20所述的系統(tǒng)，其中，計(jì)算加權(quán)平均包括計(jì)算:
22.如權(quán)利要求16所述的系統(tǒng)，其中，計(jì)算誤差相似度包括計(jì)算:
23.如權(quán)利要求16所述的系統(tǒng)，其中，計(jì)算誤差相似度包括: 獨(dú)立地計(jì)算基于沿X方向布置為彼此相鄰的區(qū)域的測量誤差的X分量誤差相似度，基于沿Y方向布置為彼此相鄰的區(qū)域的測量誤差的Y分量誤差相似度，以及基于X分量誤差相似度、Y分量誤差相似度、和沿對(duì)角線方向布置為彼此相鄰的區(qū)域的測量誤差的對(duì)角線誤差相似度。
24.如權(quán)利要求16所述的系統(tǒng)，其中，計(jì)算權(quán)重值包括計(jì)算:
25.如權(quán)利要求16所述的系統(tǒng)，其中，計(jì)算估計(jì)誤差包括計(jì)算:
26.—種處理系統(tǒng)，包括: 處理部分，其被配置為基于初始數(shù)據(jù)來處理具有多個(gè)第一區(qū)域和多個(gè)第二區(qū)域的工件； 測量部分，其被配置為測量多個(gè)第一區(qū)域的第一誤差，并且產(chǎn)生測量數(shù)據(jù)； 采樣部分，其被配置為從測量數(shù)據(jù)中去除第一誤差中的一些，并且產(chǎn)生采樣數(shù)據(jù)； 估計(jì)部分，其被配置為估計(jì)第二區(qū)域的第二誤差，將第二誤差添加到采樣數(shù)據(jù)中，并且產(chǎn)生估計(jì)數(shù)據(jù)；以及 計(jì)算部分，其被配置為將估計(jì)數(shù)據(jù)與初始數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，并且產(chǎn)生校準(zhǔn)數(shù)據(jù)， 其中，估計(jì)部分計(jì)算相對(duì)于第一區(qū)域的第一誤差之間的距離的第一相似度，基于第一相似度來估計(jì)第一區(qū)域和第二區(qū)域的誤差之間的第二相似度，基于第一相似度和第二相似度來計(jì)算由第一區(qū)域的第一誤差施加到第二區(qū)域的第二誤差的權(quán)重值，并且基于第一誤差、第一相似度、第二相似度、和權(quán)重值來估計(jì)第二區(qū)域的第二誤差。
27.如權(quán)利要求26所述的系統(tǒng)，其中，從測量數(shù)據(jù)中去除第一誤差中的一些包括: 確定第一區(qū)域是否是異常區(qū)；以及 從測量數(shù)據(jù)中去除被確定為異常區(qū)的第一區(qū)域的第一誤差，其中，僅將未被確定為異常區(qū)的第一區(qū)域的第一誤差包括在采樣數(shù)據(jù)中。
28.如權(quán)利要求26所述的系統(tǒng)，其中，計(jì)算每個(gè)第一區(qū)域的異常因子包括: 選擇第一區(qū)域中的一個(gè)； 計(jì)算所述一個(gè)選擇的第一區(qū)域的加權(quán)平均； 計(jì)算所述一個(gè)選擇的第一區(qū)域的加權(quán)平均與所述一個(gè)選擇的第一區(qū)域的第一誤差之間的差； 計(jì)算所有的第一區(qū)域的第一誤差的平均； 計(jì)算所有的第一區(qū)域的第一誤差的標(biāo)準(zhǔn)偏差；以及 將通過從差中減去平均值而獲得的值除以標(biāo)準(zhǔn)偏差。
29.如權(quán)利要求26所述的系統(tǒng)，其中，估計(jì)數(shù)據(jù)包括: 包括第一和第二區(qū)域的X分量第一誤差和X分量第二誤差的X分量估計(jì)數(shù)據(jù)；以及 包括第一和第二區(qū)域的Y分量第一誤差和Y分量第二誤差的Y分量估計(jì)數(shù)據(jù)。
30.如權(quán)利要求26所述的系統(tǒng)，其中，從以下的公式計(jì)算第二誤差:
【文檔編號(hào)】H01L21/66GK104022049SQ201410037347
【公開日】2014年9月3日 申請(qǐng)日期:2014年1月26日 優(yōu)先權(quán)日:2013年2月13日
【發(fā)明者】韓昌虎, 金大煜, 李珍寧, 崔誠元, 金炳勛, 樸瀚欽, 崔相鎮(zhèn), 具滋欽 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社