電路板、光電子構(gòu)件和光電子構(gòu)件的裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及電路板、光電子構(gòu)件和光電子構(gòu)件的裝置，該電路板是一種用于光電子半導(dǎo)體芯片（2）的電路板（1），其具有導(dǎo)電的第一金屬薄膜（11）以及第一電絕緣薄膜（12）。
【專利說明】電路板、光電子構(gòu)件和光電子構(gòu)件的裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明提出一種電路板。此外，提出一種具有這種電路板的光電子構(gòu)件。此外，提出一種所述光電子構(gòu)件的裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]參考文獻(xiàn)W02009/132615描述一種電路板。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]要實現(xiàn)的目的在于，提出能夠尤其低成本地制造的電路板。其他的要實現(xiàn)的目的在于，提出具有這種電路板的光電子構(gòu)件和光電子構(gòu)件的裝置。
[0004]根據(jù)電路板的至少一個實施形式，電路板適用于容納光電子半導(dǎo)體芯片。也就是說，電路板為用于光電子半導(dǎo)體芯片的電路板。光電子半導(dǎo)體芯片為發(fā)射輻射的或接收輻射的半導(dǎo)體芯片。特別地，其能夠為發(fā)光二級管或光電檢測器芯片。在此，電路板在其形狀和尺寸方面構(gòu)造成，使得能夠由電路板機械地承載光電子半導(dǎo)體芯片并且能夠經(jīng)由電路板來進(jìn)行電接觸。
[0005]根據(jù)電路板的至少一個實施形式，電路板包括導(dǎo)電的第一金屬薄膜。金屬薄膜(英語為:metal foil)為極其薄的金屬板。金屬薄膜是電路板的單獨制造的組件，為了制造電路板，所述組件能夠作為電路板的獨立的元件提供。因此，金屬薄膜尤其不是下述層，在所述層中將材料施加到電路板的另外的組件上，以便從而產(chǎn)生層，而是金屬薄膜在制造電路板之前就已經(jīng)與電路板的其他組件分開地存在。這適用于第一金屬薄膜以及全部在此描述的其他薄膜。薄膜當(dāng)前為極其薄的板，所述板的橫向尺寸、即在平行于薄膜的主延伸平面的方向上的尺寸顯著大于其豎直尺寸，即其厚度。在此描述的薄膜可彎曲地且柔性地構(gòu)成。
[0006]第一金屬薄膜例如由金屬或金屬合金構(gòu)成，并且第一金屬薄膜導(dǎo)電地構(gòu)成。
[0007]根據(jù)電路板的至少一個實施形式，電路板包括第一電絕緣薄膜。第一電絕緣薄膜也不是下述層，在所述層中為了其制造而將第一材料施加到電路板的另一組件上，而是第一電絕緣薄膜在制造電路板之前就已經(jīng)作為單獨的組件存在。
[0008]根據(jù)電路板的至少一個實施形式，電路板包括導(dǎo)電的第二金屬薄膜。例如，第二金屬薄膜能夠在其厚度和/或其材料成分方面與第一金屬薄膜相同地構(gòu)成。
[0009]根據(jù)電路板的至少一個實施形式，第一電絕緣薄膜在第一金屬薄膜的上側(cè)上施加到第一金屬薄膜上并且與第一金屬薄膜機械連接。在此，第一電絕緣薄膜能夠與第一金屬薄膜直接接觸。此外可行的是，在第一電絕緣薄膜和金屬薄膜之間設(shè)置有連接材料。
[0010]根據(jù)電路板的至少一個實施形式，第一電絕緣薄膜具有留空部，在所述留空部中露出第一金屬薄膜。也就是說，第一金屬薄膜在其上側(cè)上局部地不具有第一電絕緣薄膜，更確切地說在第一電絕緣薄膜的留空部的區(qū)域中不具有第一電絕緣薄膜。穿過所述留空部可以自由地觸及第一金屬薄膜。
[0011]根據(jù)電路板的至少一個實施形式，留空部設(shè)置用于，將光電子半導(dǎo)體芯片在留空部之內(nèi)導(dǎo)電地固定在第一金屬薄膜上。也就是說，留空部在其形狀和尺寸方面選擇成，使得在所述留空部之內(nèi)能夠?qū)⒐怆娮影雽?dǎo)體芯片施加到第一金屬薄膜上，而不會使所述光電子半導(dǎo)體芯片與第一電絕緣薄膜接觸。在此，留空部選擇成，使得光電子半導(dǎo)體芯片在留空部的區(qū)域中例如能夠?qū)щ姷卣辰踊蚝附拥降谝唤饘俦∧ど稀?br> [0012]根據(jù)電路板的至少一個實施形式，第二金屬薄膜施加在第一電絕緣薄膜的背離第一金屬薄膜的上側(cè)上并且與其機械地連接。在此，第二金屬薄膜和第一電絕緣薄膜能夠彼此直接接觸和/或在兩個薄膜之間設(shè)置有連接機構(gòu)。因此，第一金屬薄膜、第一電絕緣薄膜以及第二金屬薄膜形成由薄膜構(gòu)成的堆，所述薄膜局部彼此相疊地設(shè)置。
[0013]根據(jù)電路板的至少一個實施形式，第一電絕緣薄膜至少在留空部的區(qū)域中不具有第二金屬薄膜。也就是說，第一電絕緣薄膜沒有完全被第二金屬薄膜覆蓋，而是至少在第一電絕緣薄膜具有用于容納光電子半導(dǎo)體芯片的留空部的位置處，所述第一電絕緣薄膜沒有被第二金屬薄膜覆蓋。因此，第二金屬薄膜尤其不遮蓋留空部。
[0014]根據(jù)電路板的至少一個實施形式，第二金屬薄膜設(shè)置用于電接觸光電子半導(dǎo)體芯片。也就是說，第二金屬薄膜在其導(dǎo)電性和其在電路板中的布置方面設(shè)立用于電接觸光電子半導(dǎo)體芯片。例如可行的是，光電子半導(dǎo)體芯片與第一金屬薄膜和第二金屬薄膜分別導(dǎo)電地連接，使得通過經(jīng)由第一金屬薄膜和第二金屬薄膜進(jìn)行通電而能夠?qū)崿F(xiàn)光電子半導(dǎo)體芯片的運行。
[0015]根據(jù)用于光電子半導(dǎo)體芯片的電路板的至少一個實施形式，電路板包括導(dǎo)電的第一金屬薄膜、第一電絕緣薄膜以及導(dǎo)電的第二金屬薄膜。在此，第一電絕緣薄膜在第一金屬薄膜的上側(cè)上施加到第一金屬薄膜上并且與所述第一金屬薄膜機械連接。第一電絕緣薄膜具有留空部，在所述留空部中露出第一金屬薄膜，其中留空部設(shè)置用于，將光電子半導(dǎo)體芯片在留空部之內(nèi)導(dǎo)電地固定在第一金屬薄膜上。第二金屬薄膜施加在第一電絕緣薄膜的背離第一金屬薄膜的上側(cè)上并且與其機械地連接，第一電絕緣薄膜至少在留空部的區(qū)域中不具有第二金屬薄膜，并且第二金屬薄膜設(shè)置用于電接觸光電子半導(dǎo)體芯片。
[0016]在此，此處描述的電路板還基于下述考慮。可行的是，光電子半導(dǎo)體芯片、例如發(fā)光二級管粘接或焊接在印刷電路板上，以便實現(xiàn)面狀的光源。在此應(yīng)用的印刷電路板材料相對昂貴。代替這種印刷電路板，將在此描述的電路板構(gòu)成為金屬薄膜和電絕緣薄膜的層堆，所述層堆能夠尤其低成本地制造。此外，在此描述的電路板的特征還在于其小的厚度，所述小的厚度能夠?qū)崿F(xiàn)，為了制造面狀的光源，在不會使光源變得過厚的情況下，將多個電路板彼此相疊地堆疊。
[0017]根據(jù)電路板的至少一個實施形式，第一金屬薄膜和第二金屬薄膜經(jīng)由粘接劑與電絕緣的薄膜連接。也就是說，由薄膜構(gòu)成的層堆尤其能夠為層壓而成的層堆，其中各個薄膜分別經(jīng)由粘接劑彼此連接。在此，粘接劑能夠使金屬薄膜與電絕緣薄膜局部地彼此直接接觸。
[0018]根據(jù)電路板的至少一個實施形式，第一電絕緣薄膜除留空部之外在第一金屬薄膜的上側(cè)上完全地覆蓋第一金屬薄膜，其中留空部在橫向方向上完全地被第一電絕緣薄膜的材料包圍。通過由第一電絕緣薄膜完全地覆蓋第一金屬薄膜能夠尤其機械穩(wěn)定地構(gòu)成電路板。第一留空部例如構(gòu)成為第一電絕緣薄膜中的穿通部或孔，其中穿通部或孔在橫向方向上環(huán)形地被第一電絕緣薄膜的材料包圍。這也在留空部的區(qū)域中提高電路板的機械穩(wěn)定性，在所述留空部中稍后能夠設(shè)置有光電子半導(dǎo)體芯片。
[0019]根據(jù)電路板的至少一個實施形式，第一金屬薄膜和第二金屬薄膜分別通過鋁薄膜形成。也就是說，這兩個金屬薄膜包含鋁或由其制成。金屬薄膜在此能夠分別具有至少20 μ m和至多500 μ m的、尤其至少20 μ m和至多400 μ m的厚度，所述厚度即在垂直于橫向方向的豎直方向上的延伸。在此優(yōu)選的是，第一金屬薄膜和第二金屬薄膜的厚度位于至少75 μ m和至多200 μ m之間、例如為100 μ m。
[0020]第一電絕緣薄膜能夠比金屬薄膜更薄地構(gòu)成。例如，電絕緣薄膜比金屬薄膜中的一個薄25%地構(gòu)成。如果金屬薄膜例如分別具有IOOym的厚度，那么第一電絕緣薄膜能夠具有75 μ m的厚度。這樣薄的第一電絕緣薄膜由于與其聯(lián)系在一起的熱電阻而被證實為是尤其有利的。
[0021]對于為了改進(jìn)電路板的機械穩(wěn)定而應(yīng)使第一電絕緣薄膜更厚地構(gòu)成的情況而言，第一電絕緣薄膜具有用良好導(dǎo)熱的材料的纖維或顆粒填充的基體材料。例如，那么，第一電絕緣薄膜能夠由陶瓷材料、金屬氧化物、金屬氮化物和/或硅形成，所述陶瓷材料、金屬氧化物、金屬氮化物和/或硅例如被引入到由硅樹脂或環(huán)氧樹脂構(gòu)成的基體材料中。
[0022]根據(jù)電路板的至少一個實施形式，電路板包括第二電絕緣薄膜，所述第二電絕緣薄膜在第一金屬薄膜的背離第一電絕緣薄膜的下側(cè)上施加到第一金屬薄膜上并且與其機械地連接。第二電絕緣薄膜在此能夠與第一電絕緣薄膜相同地構(gòu)成。第二電絕緣薄膜、第一金屬薄膜、第二電絕緣薄膜以及第二金屬薄膜形成薄膜的堆，其中薄膜至少局部地重疊。
[0023]在此尤其可行的是，第一金屬薄膜在其朝向第二電絕緣薄膜的下側(cè)上局部地不具有第二電絕緣薄膜。因此，例如能夠經(jīng)由所述空出的部位進(jìn)行第一金屬薄膜的電接觸。
[0024]根據(jù)電路板的至少一個實施形式，第二電絕緣薄膜在其背離第一金屬薄膜的下側(cè)上具有粘接層。粘接層例如能夠設(shè)置用于將電路板固定在特定位置上。
[0025]此外，提出一種光電子構(gòu)件。光電子構(gòu)件例如能夠為發(fā)光二級管或光電檢測器。光電子構(gòu)件包括在此描述的電路板作為用于光電子半導(dǎo)體芯片的承載件。也就是說，所有對電路板公開的特征也對光電子構(gòu)件公開。
[0026]根據(jù)光電子構(gòu)件的至少一個實施形式，光電子構(gòu)件包括在此描述的電路板以及光電子半導(dǎo)體芯片。在此，光電子半導(dǎo)體芯片在留空部之內(nèi)導(dǎo)電地固定在第一金屬薄膜上，并且光電子半導(dǎo)體芯片與第二金屬薄膜導(dǎo)電地連接。在此可行的是，光電子構(gòu)件包括多個光電子半導(dǎo)體芯片。因此，對于每個光電子半導(dǎo)體芯片而言，電路板能夠例如具有剛好一個留空部，在所述留空部中導(dǎo)電地固定有光電子半導(dǎo)體芯片。在該情況下還可行的是，其中因此，每個光電子半導(dǎo)體芯片與同其一一對應(yīng)地相關(guān)聯(lián)的第二金屬薄膜導(dǎo)電地連接。
[0027]根據(jù)光電子構(gòu)件的至少一個實施形式，光電子半導(dǎo)體芯片經(jīng)由固定在光電子半導(dǎo)體芯片和第二金屬薄膜上的接觸元件、例如接合線(英語為:bonding wire)與第二金屬薄膜導(dǎo)電地連接。也就是說，在光電子半導(dǎo)體芯片和第二金屬薄膜之間的連接尤其能夠經(jīng)由線接合(英語:wire bonding)進(jìn)行。替選于接合線,也能夠使用替選的連接技術(shù),例如薄膜接合方法。此外，代替線也能夠應(yīng)用尤其由金屬構(gòu)成的細(xì)帶。
[0028]根據(jù)光電子構(gòu)件的至少一個實施形式，光電子半導(dǎo)體芯片被澆注體包圍。在此，澆注體與第一金屬薄膜并且與第一電絕緣薄膜直接接觸。也就是說，澆注體設(shè)置在光電子半導(dǎo)體芯片的區(qū)域中，使得其完全地遮蓋第一電絕緣薄膜進(jìn)而既能夠與第一金屬薄膜也能夠與第一電絕緣薄膜直接接觸。在此，到第一電絕緣薄膜的直接接觸不是絕對必要的。
[0029]澆注體例如借助輻射可穿透的塑料材料、例如硅樹脂和/或環(huán)氧樹脂形成。澆注體能夠用散射輻射的或轉(zhuǎn)換輻射的顆粒填充。澆注體例如能夠滴到光電子半導(dǎo)體芯片上。通過澆注體能夠覆蓋光電子半導(dǎo)體芯片并且例如覆蓋接合線，所述接合線將光電子半導(dǎo)體芯片與第二金屬薄膜導(dǎo)電地連接。光電子半導(dǎo)體芯片和接合線以這種方式由澆注體機械地保護(hù)。澆注體例如能夠包含基體材料，散射輻射的或轉(zhuǎn)換輻射的顆粒被引入到所述基體材料中。第一電絕緣薄膜能夠由與基體材料相同的材料、例如硅樹脂形成，由此經(jīng)由在澆注體和第一電絕緣薄膜之間的直接接觸實現(xiàn)在澆注體和電路板之間的尤其良好的粘附。
[0030]此外可行的是，澆注體也局部地與第二金屬薄膜直接接觸。
[0031]還提出一種光電子構(gòu)件的裝置。該裝置包括至少兩個在此描述的光電子構(gòu)件，使得所有對電路板和光電子構(gòu)件公開的特征也對光電子構(gòu)件的裝置公開。
[0032]光電子構(gòu)件的裝置包括至少兩個在此描述的光電子構(gòu)件。例如，光電子構(gòu)件能夠類似地構(gòu)成。也就是說，光電子構(gòu)件在其外部尺寸和/或所應(yīng)用的光電子半導(dǎo)體芯片方面能夠構(gòu)成為是相同的。此外例如可行的是，在裝置的不同的光電子構(gòu)件中應(yīng)用不同的光電子半導(dǎo)體芯片，所述光電子半導(dǎo)體芯片在運行時發(fā)射不同顏色的光。
[0033]根據(jù)光電子構(gòu)件的裝置的至少一個實施形式，該裝置包括至少兩個光電子構(gòu)件，其中光電子構(gòu)件中的第二個設(shè)置在光電子構(gòu)件中的第一個上，使得第二光電子構(gòu)件的第一金屬薄膜局部地遮蓋第一光電子構(gòu)件的第二金屬薄膜，并且這兩個金屬薄膜導(dǎo)電地且機械地相互連接，其中第一光電子構(gòu)件和第二光電子構(gòu)件電串聯(lián)。
[0034]也就是說，通過局部地彼此疊置和例如通過焊接或粘接進(jìn)行的導(dǎo)電連接而實現(xiàn)兩個光電子構(gòu)件的串聯(lián)電路。所述串聯(lián)電路然后能夠經(jīng)由第二光電子構(gòu)件的第一金屬薄膜和第一光電子構(gòu)件的第二金屬薄膜電接觸。
[0035]根據(jù)裝置的至少一個實施形式，光電子構(gòu)件中的三個或更多個彼此相疊地設(shè)置，其中光電子構(gòu)件分別將光電子構(gòu)件中的一個的第一金屬薄膜與直接位于其下的光電子構(gòu)件的第二金屬薄膜電串聯(lián)。也就是說，光電子構(gòu)件彼此疊置成，使得第一和第二金屬薄膜能夠直接將相繼的光電子構(gòu)件導(dǎo)電地且機械地彼此連接。以這種方式，能夠以極其簡單的方式實現(xiàn)多個光電子構(gòu)件的串聯(lián)。
[0036]在此也可行的是，在各個光電子構(gòu)件之間不設(shè)有連接材料，而是將光電子構(gòu)件在其彼此重疊的區(qū)域中通過壓力緊固，以至于直接相繼的光電子構(gòu)件的第一金屬薄膜和第二金屬薄膜彼此直接接觸。然后，壓緊例如能夠通過外部的夾子或通過沖壓連接或螺絲連接來進(jìn)行，所述螺絲連接延伸穿過光電子構(gòu)件的所有電路板。
[0037]根據(jù)裝置的至少一個實施形式，裝置的所有光電子構(gòu)件在連接區(qū)域之內(nèi)彼此重疊并且光電子構(gòu)件的光電子半導(dǎo)體芯片不重疊。這例如能夠通過扇形或星形設(shè)置的光電子構(gòu)件來實現(xiàn)。
[0038]根據(jù)裝置的至少一個實施形式，裝置的光電子構(gòu)件的光電子半導(dǎo)體芯片沿著至少一個假設(shè)的圓或假設(shè)的螺旋線設(shè)置。也就是說，光電子半導(dǎo)體芯片例如能夠沿著假設(shè)的閉合線設(shè)置。以這種方式，例如能夠借助多個光電子半導(dǎo)體芯片遮蓋大的面積，由此面狀光源能夠由串聯(lián)的半導(dǎo)體芯片以簡單的方式產(chǎn)生?！緦＠綀D】

【附圖說明】
[0039]下面，借助于實施例和所附的附圖詳細(xì)闡明在此描述的電路板、在此描述的光電子構(gòu)件以及在此描述的裝置。
[0040]圖1A至1D、2A至2C、3A至3C、4和5示出在此描述的電路板和光電子構(gòu)件的示意圖。
[0041]圖6A和6B示出在此描述的裝置的示意圖。
[0042]借助于圖7詳細(xì)闡明將在此描述的光電子構(gòu)件互聯(lián)成在此描述的裝置。
【具體實施方式】
[0043]相同的、同類的或起相同作用的元件在附圖中設(shè)有相同的附圖標(biāo)記。附圖和附圖中示出的元件彼此間的尺寸比例不視為是符合比例的。更確切地說，為了更好的可示出性和/或為了更好地理解能夠夸張大地示出個別元件。
[0044]借助于圖1A和IB的示意立體圖詳細(xì)描述在此描述的電路板。電路板I包括第一金屬薄膜11、第一電絕緣薄膜12、第二金屬薄膜13。各個薄膜例如通過粘接劑16機械地彼此連接。第一金屬薄膜和第二金屬薄膜能夠在其厚度和其材料成分方面構(gòu)成為是相同的。例如，第一金屬薄膜11和第二金屬薄膜13分別為具有大約ΙΟΟμπι厚度的鋁薄膜。
[0045]第一電絕緣薄膜12為將兩個金屬薄膜11、13彼此電絕緣的塑料薄膜。此外，第一電絕緣薄膜12用于電路板I的機械穩(wěn)定。
[0046]第一電絕緣薄膜12具有留空部15，第一金屬薄膜11在所述留空部中是可自由觸及的。第二金屬薄膜13在橫向方向I上具有比第一金屬薄膜11更小的尺寸。替選地，第二金屬薄膜13也如第一電絕緣薄膜12那樣能夠具有留空部15。第一電絕緣薄膜12除留空部15之外在第一金屬薄膜的上側(cè)上完全地覆蓋第一金屬薄膜11。第一電絕緣薄膜12例如具有75 μ m的厚度。
[0047]如從圖1B中可見的是，各個薄膜11、12、13例如通過層壓而彼此連接。
[0048]在下一步驟中，圖1C，能夠?qū)⒐怆娮影雽?dǎo)體芯片2、例如發(fā)光二極管在電絕緣薄膜12的留空部之內(nèi)機械固定地并且導(dǎo)電地安裝到第一金屬薄膜11上。因此，光電子半導(dǎo)體芯片2經(jīng)由接合線21與第二金屬薄膜13導(dǎo)電地連接。以這種方式實現(xiàn)在此描述的光電子構(gòu)件、例如發(fā)光二級管。
[0049]光電子芯片2例如能夠為薄膜芯片，其中移除芯片的外延生長層的生長襯底。
[0050]圖1D示出光電子構(gòu)件的示意側(cè)視圖，從所述側(cè)視圖中可見的是，光電子構(gòu)件的特征還在于其小的厚度。
[0051]結(jié)合圖2A至2C，借助于示意圖描述在此描述的光電子構(gòu)件。如從附圖中可見的是，各個光電子構(gòu)件3在其外部尺寸方面例如能夠沿著所示出的虛線切割。為此，能夠切割穿過薄膜的層堆。
[0052]圖2B不出:在此描述的光電子構(gòu)件能夠包括多于僅一個光電子半導(dǎo)體芯片2,其中可行的是，光電子構(gòu)件分割成使得再次形成分別僅承載一個光電子半導(dǎo)體芯片的光電子構(gòu)件3。以這種方式能夠產(chǎn)生條帶形的光電子構(gòu)件，見圖2C。
[0053]結(jié)合圖3A至3C描述光電子構(gòu)件，其中半導(dǎo)體芯片2被澆注體22包圍。澆注體22例如由基體材料形成，其中所述基體材料能夠為與第一電絕緣薄膜12的材料相同的材料。以這種方式能夠?qū)崿F(xiàn)在澆注體22和電路板I之間的尤其良好的粘附。澆注體22遮蓋半導(dǎo)體芯片2和留空部15并且當(dāng)前與第一金屬薄膜11、第二金屬薄膜13以及第一電絕緣薄膜12直接接觸。
[0054]澆注體22在其背離電路板I的上側(cè)上透鏡形地彎曲，由此提高在半導(dǎo)體芯片2中例如在運行時產(chǎn)生的電磁輻射的耦合輸出。此外，澆注體22表現(xiàn)為對接合線21和半導(dǎo)體芯片2進(jìn)行機械保護(hù)。接合線21能夠完全地設(shè)置在澆注體22中。
[0055]結(jié)合圖3描述澆注體22的不同的配置。在此，澆注體22能夠具有未填充的、光學(xué)透明的區(qū)域22a以及已填充的區(qū)域22b。已填充的區(qū)域22b例如能夠用發(fā)光轉(zhuǎn)換材料填充。光電子構(gòu)件因此能夠在運行時例如適合于發(fā)射白光。
[0056]如果澆注體22例如具有未填充的區(qū)域22a，所述區(qū)域被已填充的區(qū)域22b包圍，那么在放射角之上得到由光電子構(gòu)件所發(fā)射的混合輻射的尤其均勻的顏色。
[0057]如果在已填充的區(qū)域22b之上引入透鏡狀彎曲的未填充的區(qū)域22a，那么在放射角之上在效率尤其高的情況下得到均勻的顏色。
[0058]結(jié)合圖4和5借助于示意圖詳細(xì)闡明在此描述的電路板的另外的實施例。在該實施例中，電路板包括設(shè)置在第一金屬薄膜11的背離第一電絕緣層12的下側(cè)上的第二電絕緣層14。第二電絕緣薄膜14例如能夠為粘接薄膜，所述粘接薄膜在其下側(cè)具有粘接層17。粘接薄膜能夠設(shè)置用于將電路板粘接在冷卻體上。此外，粘接薄膜能夠形成相對于冷卻體的電絕緣。
[0059]第二電絕緣薄膜14能夠包括一個(見圖4)或多個(見圖5)孔狀接縫18，沿著所述孔狀接縫能夠局部地移除第二電絕緣薄膜14。在移除第二電絕緣薄膜14的位置處，露出第一金屬薄膜11并且例如能夠?qū)λ龅谝唤饘俦∧みM(jìn)行電接觸。
[0060]結(jié)合圖6A詳細(xì)闡明在此描述的光電子構(gòu)件3的裝置。所述裝置當(dāng)前為面狀光源。也就是說，半導(dǎo)體芯片2當(dāng)前例如是發(fā)光二極管芯片。所述裝置包括多個光電子構(gòu)件3，所述光電子構(gòu)件在連接區(qū)域31中彼此重疊成，使得第二金屬薄膜13與相鄰的光電子構(gòu)件3的直接處于所述第二金屬薄膜下的第一金屬薄膜11電接觸并且必要時直接接觸。
[0061]實施為長形的光電子構(gòu)件當(dāng)前星形地設(shè)置，其中半導(dǎo)體芯片2沿著閉合線設(shè)置，所述閉合線當(dāng)前為圓K。
[0062]圖6B以不同于圖6A的方式示出下述裝置，其中將較小的和較大的光電子構(gòu)件彼此組合，使得半導(dǎo)體芯片沿著兩個同心的圓或沿著螺旋線S設(shè)置。以這種方式能夠用尤其多的光電子半導(dǎo)體芯片填充所述裝置的放射面。
[0063]結(jié)合圖7詳細(xì)闡明如在圖6A和6B中示出的裝置的電學(xué)互聯(lián)。光電子構(gòu)件3的各個電路板I在連接區(qū)域31中彼此電連接和機械連接。以這種方式實現(xiàn)各個光電子構(gòu)件之間的串聯(lián)。在此可行的是，光電子構(gòu)件3在其背離第一金屬薄膜11的表面上在第二金屬薄膜13上具有另外的第三電絕緣薄膜，所述第三電絕緣薄膜僅在連接區(qū)域31的區(qū)域中以及在接觸線21的區(qū)域中被移除。
[0064]本發(fā)明申請要求德國專利申請102013201327.2的優(yōu)先權(quán)，其公開內(nèi)容通過參引的方式并入本文。
[0065]本發(fā)明不由于借助于實施例進(jìn)行的描述而局限于此。更確切地說，本發(fā)明包括每個新的特征以及特征的任意的組合，這尤其是包含本文中所述的特征的任意的組合，即使 所述特征或這些組合本身沒有明確地在本文或?qū)嵤├姓f明時也如此。
【權(quán)利要求】
1.一種用于光電子半導(dǎo)體芯片(2)的電路板(1)，具有: -導(dǎo)電的第一金屬薄膜(11); -第一電絕緣薄膜(12)； -導(dǎo)電的第二金屬薄膜(13)，其中 -所述第一電絕緣薄膜(12)在所述第一金屬薄膜(11)的上側(cè)上施加到所述第一金屬薄膜(11)上并且與所述第一金屬薄膜機械地連接， -所述第一電絕緣薄膜(12)具有留空部(15)，在所述留空部中露出所述第一金屬薄膜(11)， -所述留空部(15)設(shè)置用于，將所述光電子半導(dǎo)體芯片在所述留空部(15)之內(nèi)導(dǎo)電地固定在所述第一金屬薄膜(11)上， -將所述第二金屬薄膜(13)施加在所述第 一電絕緣薄膜(12)的背離所述第一金屬薄膜(11)的上側(cè)上并且與其機械地連接， -所述第一電絕緣薄膜(12)至少在所述留空部(15)的區(qū)域中不具有所述第二金屬薄膜(13)，并且 -所述第二金屬薄膜(13 )設(shè)置用于電接觸所述光電子半導(dǎo)體芯片(2 )。
2.根據(jù)上一項權(quán)利要求所述的電路板(1)，其中所述第一金屬薄膜(11)和所述第二金屬薄膜(13)經(jīng)由粘接劑(16)與電絕緣的薄膜(12)連接。
3.根據(jù)上述權(quán)利要求中的任一項所述的電路板(1)，其中所述第一電絕緣薄膜(12)除所述留空部(15)之外在所述第一金屬薄膜的上側(cè)上完全地覆蓋所述第一金屬薄膜(11)，其中所述留空部(15)在橫向方向(I)上完全地被所述第一電絕緣薄膜(12)的材料包圍。
4.根據(jù)上述權(quán)利要求中的任一項所述的電路板(1)，其中所述第一金屬薄膜(11)和所述第二金屬薄膜(13)分別由鋁薄膜形成。
5.根據(jù)上述權(quán)利要求中的任一項所述的電路板(1)，其中所述第一金屬薄膜(11)和所述第二金屬薄膜(13)分別具有位于至少20 μ m和至多400 μ m之間的厚度。
6.根據(jù)上述權(quán)利要求中的任一項所述的電路板(1)，其具有第二電絕緣薄膜(14)，所述第二電絕緣薄膜在所述第一金屬薄膜(11)的背離所述第一電絕緣薄膜(12)的下側(cè)上施加到所述第一金屬薄膜(11)上并且與其機械地連接。
7.根據(jù)上一項權(quán)利要求所述的電路板(1)，其中所述第二電絕緣薄膜(14)在其背離所述第一金屬薄膜(11)的下側(cè)上具有粘接層(17)。
8.一種光電子構(gòu)件(3),具有: -根據(jù)上述權(quán)利要求中的任一項所述的電路板(I);和 -光電子半導(dǎo)體芯片(2)，其中 -所述光電子半導(dǎo)體芯片(2)在所述留空部(15)之內(nèi)導(dǎo)電地固定在所述第一金屬薄膜(11)上，并且 -所述光電子半導(dǎo)體芯片(2)與所述第二金屬薄膜(13)導(dǎo)電地連接。
9.根據(jù)上一項權(quán)利要求所述的光電子構(gòu)件(3)，其中所述光電子半導(dǎo)體芯片(2)經(jīng)由固定在所述光電子半導(dǎo)體芯片(2)和所述第二金屬薄膜(13)上的接觸元件、尤其是接合線(21)與所述第二金屬薄膜(13)導(dǎo)電地連接。
10.根據(jù)上兩項權(quán)利要求中的至少一項所述的光電子構(gòu)件(3)，其中所述光電子半導(dǎo)體芯片(2)被澆注體(22)包圍，其中所述澆注體(22)與所述第一金屬薄膜(11)和所述第一電絕緣薄膜(12)直接地接觸。
11.一種光電子構(gòu)件的裝置，具有 -根據(jù)上三項權(quán)利要求中的至少一項所述的至少兩個光電子構(gòu)件(3)，其中 -所述光電子構(gòu)件(3)中的第二個設(shè)置在所述光電子構(gòu)件(3)中的第一個上，使得所述第二光電子構(gòu)件的第一金屬薄膜(11)局部地遮蓋所述第一光電子構(gòu)件的第二金屬薄膜(13)，并且這兩個金屬薄膜(11，13)相互導(dǎo)電地且機械地連接，其中所述第一光電子構(gòu)件和第二光電子構(gòu)件電串聯(lián)。
12.根據(jù)上一項權(quán)利要求所述的裝置，其中所述光電子構(gòu)件(3)中的三個或更多個彼此相疊地設(shè)置，其中所述光電子構(gòu)件(3)分別經(jīng)由在所述光電子構(gòu)件中的一個的第一金屬薄膜(11)與直接位于其下的所述光電子構(gòu)件的第二金屬薄膜(13)的導(dǎo)電的并且機械的連接而電串聯(lián)。
13.根據(jù)上兩項權(quán)利要求中的至少一項所述的裝置，其中所有光電子構(gòu)件(3)在連接區(qū)域(31)之內(nèi)彼此重疊，并且所述光電子構(gòu)件(3)的所述光電子半導(dǎo)體芯片(2)不重疊。
14.根據(jù)上三 項權(quán)利要求中的至少一項所述的裝置，其中所述光電子半導(dǎo)體芯片(2)沿著至少一條假設(shè)的線、尤其是假設(shè)的圓(K)或假設(shè)的螺旋線(S)設(shè)置。
【文檔編號】H01L33/62GK103972361SQ201410041542
【公開日】2014年8月6日 申請日期:2014年1月28日 優(yōu)先權(quán)日:2013年1月28日
【發(fā)明者】馬丁·魯?shù)婪颉へ惲指? 斯特凡·格勒奇 申請人:歐司朗股份有限公司