發(fā)光裝置以及電子設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及發(fā)光裝置以及電子設(shè)備。其中，發(fā)光裝置具備：半導(dǎo)體基板；多個(gè)像素電路，其形成于上述半導(dǎo)體基板；第一布線，其由導(dǎo)電性材料形成，并被供給規(guī)定的電位；以及多個(gè)第一觸點(diǎn)部，其由導(dǎo)電性材料形成，并使上述半導(dǎo)體基板以及上述第一布線連接，其中，上述多個(gè)第一觸點(diǎn)部以及上述第一布線被設(shè)置于配置有上述多個(gè)像素電路的顯示區(qū)域。
【專利說(shuō)明】發(fā)光裝置以及電子設(shè)備
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及發(fā)光裝置以及電子設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來(lái),提出了各種使用有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode,以下稱為“OLED”)元件等發(fā)光元件的發(fā)光裝置。在該發(fā)光裝置中，一般構(gòu)成為與應(yīng)顯示的圖像的像素對(duì)應(yīng)地設(shè)置包括上述發(fā)光元件、向該發(fā)光元件供給電流的晶體管等的像素電路。在這樣的構(gòu)成中，若對(duì)該晶體管的柵極施加與像素的灰度等級(jí)對(duì)應(yīng)的電位的數(shù)據(jù)信號(hào)，則該晶體管向發(fā)光元件供給與柵極-源極間的電壓對(duì)應(yīng)的電流。由此，該發(fā)光元件以與灰度等級(jí)對(duì)應(yīng)的亮度發(fā)光。
[0003]這樣的發(fā)光裝置多要求顯示尺寸的小型化、顯示的高精細(xì)化。為了兼得顯示尺寸的小型化與顯示的高精細(xì)化，需要使像素電路小型化，所以提出了例如將像素電路設(shè)置于半導(dǎo)體基板的技術(shù)(例如參照專利文獻(xiàn)I)。
[0004]專利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)2012 - 083765號(hào)公報(bào)
[0005]然而，為了使發(fā)光元件以與灰度等級(jí)對(duì)應(yīng)的亮度發(fā)光，需要將設(shè)置有包含該發(fā)光元件的像素電路的半導(dǎo)體基板的整體的電位均勻地保持在規(guī)定的電位。但是，半導(dǎo)體基板例如與金屬等相比，電阻較高，所以多數(shù)情況下難以將半導(dǎo)體基板的整體的電位保持在上述規(guī)定的電位。
[0006]在半導(dǎo)體基板的電位為與本來(lái)應(yīng)設(shè)定的電位不同的電位的情況下，發(fā)光元件不能夠以與灰度等級(jí)對(duì)應(yīng)的準(zhǔn)確的亮度發(fā)光，其結(jié)果，有時(shí)產(chǎn)生顯示不均等，導(dǎo)致發(fā)光裝置的顯示品質(zhì)的降低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明是鑒于上述的情況而完成的，其目的之一在于，防止在將像素電路形成于半導(dǎo)體基板時(shí)，該半導(dǎo)體基板被設(shè)定成與本來(lái)應(yīng)設(shè)定的電位不同的電位而引起的顯示不均等顯示上的不良狀況的產(chǎn)生。
[0008]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的發(fā)光裝置的特征在于，具備:半導(dǎo)體基板；多個(gè)像素電路，其形成于上述半導(dǎo)體基板；第一布線，其由導(dǎo)電性材料形成，并被供給規(guī)定的電位；以及多個(gè)第一觸點(diǎn)部，其由導(dǎo)電性材料形成，并連接上述半導(dǎo)體基板以及上述第一布線，上述多個(gè)第一觸點(diǎn)部以及上述第一布線被設(shè)置于配置有上述多個(gè)像素電路的顯示區(qū)域。
[0009]根據(jù)該發(fā)明，在配置有多個(gè)像素電路的顯示區(qū)域設(shè)置由電阻較低的導(dǎo)電性材料形成的第一布線，該第一布線和半導(dǎo)體基板通過(guò)由電阻較低的導(dǎo)電性材料形成的多個(gè)第一觸點(diǎn)部連接。因此，能夠遍及顯示區(qū)域的整個(gè)區(qū)域，將半導(dǎo)體基板的電位設(shè)定成規(guī)定的電位或者能夠視為規(guī)定的電位的電位，與未設(shè)置第一布線的情況和未設(shè)置多個(gè)第一觸點(diǎn)部的情況相比較，能夠使半導(dǎo)體基板的電位均勻化。由此，防止產(chǎn)生因半導(dǎo)體電位成為與本來(lái)應(yīng)設(shè)定的電位不同的電位而引起的顯示不均等顯示上的不良狀況，而能夠?qū)崿F(xiàn)較高的顯示品質(zhì)。[0010]另外，優(yōu)選在上述的發(fā)光裝置中，特征在于，上述多個(gè)像素電路包含兩個(gè)以上的第一像素電路，上述第一像素電路具備發(fā)光元件、和對(duì)上述發(fā)光元件供給電流的第一晶體管，上述第一晶體管的源極電極與上述第一觸點(diǎn)部連接。
[0011]第一晶體管向發(fā)光元件供給與第一晶體管的源極-柵極間的電壓對(duì)應(yīng)的大小的電流。而且，發(fā)光元件以與供給的電流的大小對(duì)應(yīng)的亮度發(fā)光。因此，在第一晶體管的源極的電位為與本來(lái)應(yīng)設(shè)定的電位不同的電位的情況下，從該第一晶體管接受電流的供給的發(fā)光元件以與本來(lái)的亮度不同的亮度發(fā)光，從而顯示品質(zhì)降低。
[0012]根據(jù)該方式，第一晶體管的源極電極與第一觸點(diǎn)部連接。因此，能夠?qū)⒌谝痪w管的源極的電位準(zhǔn)確地設(shè)定為上述規(guī)定的電位，能夠使發(fā)光元件以與灰度等級(jí)對(duì)應(yīng)的準(zhǔn)確的亮度發(fā)光。
[0013]此外，在該方式中，可以是多個(gè)像素電路的全部都是第一像素電路，也可以是多個(gè)像素電路中的一部分是第一像素電路?？傊?，發(fā)光裝置包含兩個(gè)以上的第一像素電路即可。
[0014]另外，優(yōu)選上述的發(fā)光裝置特征在于能夠顯示兩種以上的顯示顏色，上述多個(gè)像素電路具備多個(gè)由與上述兩種以上的顯示顏色一對(duì)一對(duì)應(yīng)的兩個(gè)以上的像素電路構(gòu)成的顯示模塊，上述顯示模塊包含一個(gè)上述第一像素電路。
[0015]根據(jù)該方式，在每一個(gè)顯示模塊設(shè)置一個(gè)第一觸點(diǎn)部，所以能夠遍及顯示區(qū)域的整個(gè)區(qū)域，將半導(dǎo)體基板的電位設(shè)定為規(guī)定的電位或者接近規(guī)定的電位的電位。由此，與未設(shè)置多個(gè)第一觸點(diǎn)部的情況相比較，能夠使半導(dǎo)體基板的電位均勻化，能夠防止產(chǎn)生因半導(dǎo)體電位為與本來(lái)應(yīng)設(shè)定的電位不同的電位而引起的顯示不均等顯示上的不良狀況。
[0016]另外，優(yōu)選在上述的發(fā)光裝置中，特征在于，上述第一觸點(diǎn)部包含上述第一晶體管的源極電極的一部分。
[0017]根據(jù)該方式，第一晶體管的源極電極與第一觸點(diǎn)部連接，所以能夠?qū)⒌谝痪w管的源極的電位準(zhǔn)確地設(shè)定為上述規(guī)定的電位，能夠使發(fā)光元件以與灰度等級(jí)對(duì)應(yīng)的準(zhǔn)確的亮度發(fā)光。
[0018]另外，優(yōu)選在上述的發(fā)光裝置中，特征在于，上述顯示區(qū)域包含面積彼此相等的多個(gè)單位顯示區(qū)域，以與上述多個(gè)單位顯示區(qū)域一對(duì)一對(duì)應(yīng)的方式設(shè)置上述多個(gè)第一觸點(diǎn)部。
[0019]根據(jù)該方式，在顯示區(qū)域中，對(duì)面積彼此相等的多個(gè)單位顯示區(qū)域的每一個(gè)設(shè)置第一觸點(diǎn)部，所以與對(duì)每個(gè)面積彼此不同的區(qū)域設(shè)置第一觸點(diǎn)部的情況相比較，能夠均勻地設(shè)定半導(dǎo)體基板的電位，能夠防止顯示不均的產(chǎn)生。
[0020]此外，在該方式中，也可以在規(guī)定的方向上周期性地配置多個(gè)第一觸點(diǎn)部。例如，在多個(gè)發(fā)光元件以矩陣狀形成于顯示區(qū)域的情況下，多個(gè)第一觸點(diǎn)部也可以在行方向或者列方向上周期性地(換句話說(shuō)，在行方向或者列方向上每隔規(guī)定的間隔)配置。
[0021]另外，優(yōu)選上述的發(fā)光裝置特征在于能夠顯示兩種以上的顯示顏色，上述多個(gè)像素電路具備多個(gè)由與上述兩種以上的顯示顏色一對(duì)一對(duì)應(yīng)的兩個(gè)以上的像素電路構(gòu)成的顯示模塊，在上述單位顯示區(qū)域配置一個(gè)上述顯示模塊。
[0022]根據(jù)該方式，在每一個(gè)顯示模塊上設(shè)置一個(gè)第一觸點(diǎn)部，所以能夠遍及顯示區(qū)域的整個(gè)區(qū)域，將半導(dǎo)體基板的電位設(shè)定為規(guī)定的電位或者能夠視為規(guī)定的電位的電位。
[0023]另外，優(yōu)選在上述的發(fā)光裝置中，特征在于，在上述半導(dǎo)體基板的上述顯示區(qū)域具備第一雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域，上述多個(gè)第一觸點(diǎn)部與上述第一雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域連接。
[0024]另外，優(yōu)選在上述的發(fā)光裝置中，特征在于，上述多個(gè)像素電路以矩陣狀形成于上述顯示區(qū)域，上述多個(gè)第一觸點(diǎn)部以I行的上述像素電路相對(duì)于2行的上述像素電路的比例，或者I列的上述像素電路相對(duì)于2列的上述像素電路的比例，以矩陣狀形成于上述顯示區(qū)域。
[0025]根據(jù)該方式，由于以I行的像素電路相對(duì)于2行的像素電路的比例，或者I列的像素電路相對(duì)于2列的像素電路的比例配置第一觸點(diǎn)部，所以與在各行或者各列配置第一觸點(diǎn)部的情況相比較，能夠使第一觸點(diǎn)部的個(gè)數(shù)大致減半。由此，能夠抑制發(fā)光裝置的制造成本使其較低，并且能夠使像素電路小型化、窄間距化。
[0026]另外，根據(jù)該方式，在每?jī)蓚€(gè)像素電路設(shè)置一個(gè)第一觸點(diǎn)部，所以能夠遍及顯示區(qū)域的整個(gè)區(qū)域，將半導(dǎo)體基板的電位設(shè)定為規(guī)定的電位或者能夠視為規(guī)定的電位的電位。
[0027]此外，在上述的發(fā)光裝置中，也可以為特征在于上述多個(gè)像素電路以矩陣狀形成于上述顯示區(qū)域，上述第一雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域以I列的像素電路相對(duì)于2列的像素電路的比例在列方向上連續(xù)地形成。
[0028]另外，在上述的發(fā)光裝置中，也可以為特征在于上述多個(gè)像素電路以矩陣狀形成于上述顯示區(qū)域，上述第一雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域以I行的像素電路相對(duì)于2行的像素電路的比例在行方向上連續(xù)地形成。
[0029]另外，優(yōu)選在上述的發(fā)光裝置中，特征在于，上述多個(gè)像素電路以矩陣狀形成于上述顯示區(qū)域，上述多個(gè)像素電路包含多個(gè)由第二像素電路和第三像素電路構(gòu)成的兩個(gè)像素電路的組，其中，第二像素電路具備發(fā)光元件以及第二晶體管；第三像素電路具備發(fā)光元件以及第三晶體管，且與上述第二像素電路在行方向或者列方向相鄰，上述第二像素電路所具備的第二晶體管的源極電極和與該第二像素電路同一組的第三像素電路所具備的第三晶體管的源極電極與同一個(gè)上述第一觸點(diǎn)部連接。
[0030]根據(jù)該方式，第二晶體管的源極電極以及第三晶體管的源極電極共同地與第一觸點(diǎn)部連接，所以能夠?qū)⒌诙w管的源極的電位以及第三晶體管的源極的電位準(zhǔn)確地設(shè)定為上述規(guī)定的電位。因此，能夠使第二像素電路所具備的發(fā)光元件以及第三像素電路所具備的發(fā)光元件以與灰度等級(jí)對(duì)應(yīng)的準(zhǔn)確的亮度發(fā)光。
[0031]另外，根據(jù)該方式，在每?jī)蓚€(gè)像素電路上設(shè)置一個(gè)第一觸點(diǎn)部，所以能夠遍及顯示區(qū)域的整個(gè)區(qū)域，將半導(dǎo)體基板的電位設(shè)定為規(guī)定的電位或者能夠視為規(guī)定的電位的電位。
[0032]另外，優(yōu)選上述的發(fā)光裝置其特征在于具備:第二布線，其由導(dǎo)電性材料形成，被供給上述規(guī)定的電位；以及多個(gè)第二觸點(diǎn)部，其由導(dǎo)電性材料形成，并使上述半導(dǎo)體基板以及上述第二布線連接，上述多個(gè)第二觸點(diǎn)部以及上述第二布線被設(shè)置于為包圍上述顯示區(qū)域的周邊區(qū)域的一部分或者全部的配置區(qū)域。
[0033]根據(jù)該方式，在為包圍顯示區(qū)域的周邊區(qū)域的一部分或者全部的配置區(qū)域，設(shè)置由電阻較低的導(dǎo)電性材料形成的第二布線，該第二布線與半導(dǎo)體基板通過(guò)由電阻較低的導(dǎo)電性材料形成的多個(gè)第二觸點(diǎn)部連接。
[0034]因此，至少能夠在配置區(qū)域、和顯示區(qū)域中位于配置區(qū)域的附近的區(qū)域，將半導(dǎo)體基板的電位設(shè)定為規(guī)定的電位或者接近規(guī)定的電位的電位。由此，與未設(shè)置第二布線或者第二觸點(diǎn)部的情況相比較，能夠使半導(dǎo)體基板的電位均勻化。
[0035]此外，也可以為在上述的發(fā)光裝置中，其特征在于，在從與上述半導(dǎo)體基板垂直的方向觀察時(shí)，上述顯示區(qū)域具有四邊形的形狀，上述配置區(qū)域是在上述周邊區(qū)域中，以沿上述四邊形的四條邊中的一條邊、兩條邊、三條邊、或者四條邊的方式設(shè)置的區(qū)域。
[0036]另外，優(yōu)選在上述的發(fā)光裝置中，其特征在于，上述第二布線具備多個(gè)導(dǎo)電性布線層。
[0037]根據(jù)該方式，第二布線包含多個(gè)導(dǎo)電性布線層，所以與由單一的導(dǎo)電性布線層構(gòu)成的情況相比較，能夠抑制第二布線所具有的電阻使其較低。
[0038]另外，優(yōu)選在上述的發(fā)光裝置中，其特征在于，在上述半導(dǎo)體基板的上述配置區(qū)域具備第二雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域，上述多個(gè)第二觸點(diǎn)部與上述第二雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域連接。
[0039]此外，本發(fā)明除了發(fā)光裝置外，也能夠涉及具有該發(fā)光裝置的電子設(shè)備。作為電子設(shè)備，典型地列舉出頭戴式顯示器(HMD)、電子取景器等顯示裝置。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0040]圖1是表示第一實(shí)施方式的發(fā)光裝置的構(gòu)成的立體圖。
[0041]圖2是表示該發(fā)光裝置的構(gòu)成的框圖。
[0042]圖3是表示該發(fā)光裝置中的掃描線驅(qū)動(dòng)電路的動(dòng)作的時(shí)序圖。
[0043]圖4是表示該發(fā)光裝置中的像素電路的圖。
[0044]圖5是用于說(shuō)明該發(fā)光裝置中的顯示區(qū)域以及周邊區(qū)域的說(shuō)明圖。
[0045]圖6是表示該發(fā)光裝置中的像素電路的構(gòu)成的俯視圖。
[0046]圖7是表示該發(fā)光裝置中的像素電路的構(gòu)成的局部剖視圖。
[0047]圖8是表示該發(fā)光裝置中的周邊區(qū)域的構(gòu)成的俯視圖。
[0048]圖9是表示該發(fā)光裝置中的周邊區(qū)域的構(gòu)成的局部剖視圖。
[0049]圖10是第二實(shí)施方式的發(fā)光裝置中的顯示區(qū)域以及周邊區(qū)域的說(shuō)明圖。
[0050]圖11是表示該發(fā)光裝置中的像素電路的構(gòu)成的俯視圖。
[0051]圖12是表示該發(fā)光裝置中的像素電路的構(gòu)成的局部剖視圖。
[0052]圖13是第二實(shí)施方式的發(fā)光裝置中的顯示區(qū)域以及周邊區(qū)域的說(shuō)明圖。
[0053]圖14是第三實(shí)施方式的發(fā)光裝置中的顯示區(qū)域以及周邊區(qū)域的說(shuō)明圖。
[0054]圖15是表示該發(fā)光裝置中的像素電路的構(gòu)成的俯視圖。
[0055]圖16是第四實(shí)施方式的發(fā)光裝置中的顯示區(qū)域以及周邊區(qū)域的說(shuō)明圖。
[0056]圖17是表示第五實(shí)施方式的發(fā)光裝置中的像素電路的構(gòu)成的俯視圖。
[0057]圖18是變形例I的發(fā)光裝置中的顯示區(qū)域以及周邊區(qū)域的說(shuō)明圖。
[0058]圖19是變形例2的發(fā)光裝置中的顯示區(qū)域以及周邊區(qū)域的說(shuō)明圖。
[0059]圖20是表示變形例4的發(fā)光裝置中的像素電路的圖。
[0060]圖21是表示變形例5的發(fā)光裝置中的像素電路的圖。
[0061]圖22是表示該發(fā)光裝置中的像素電路的構(gòu)成的俯視圖。
[0062]圖23是電子設(shè)備(HMD)的立體圖。
[0063]圖24是表示HMD的光學(xué)構(gòu)成的圖。
[0064]圖25是電子設(shè)備(個(gè)人計(jì)算機(jī))的立體圖。[0065]圖26是電子設(shè)備(移動(dòng)電話機(jī))的立體圖。
【具體實(shí)施方式】
[0066]以下，參照附圖對(duì)用于實(shí)施本發(fā)明的方式進(jìn)行說(shuō)明。
[0067]A.第一實(shí)施方式
[0068]圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的發(fā)光裝置I的構(gòu)成的立體圖。
[0069]如圖1所示，發(fā)光裝置I具備顯示面板2、和控制顯示面板2的動(dòng)作的控制電路5。
[0070]顯示面板2具備多個(gè)像素電路、和驅(qū)動(dòng)該像素電路的驅(qū)動(dòng)電路。在本實(shí)施方式中，顯示面板2所具備的多個(gè)像素電路以及驅(qū)動(dòng)電路形成于硅基板，像素電路使用作為發(fā)光元件的一個(gè)例子的0LED。另外，顯示面板2例如被收納于在顯示部開(kāi)口的框狀的殼體6，并且連接FPC (Flexible Printed Circuits:柔性印刷電路)基板7的一端。
[0071]在FPC基板7上利用COF (Chip On Film:覆晶薄膜)技術(shù)安裝有半導(dǎo)體芯片的控制電路5，并且設(shè)置有多個(gè)端子8，與省略圖示的上位電路連接。
[0072]圖2是表示實(shí)施方式的發(fā)光裝置I的構(gòu)成的框圖。如上所述，發(fā)光裝置I具備顯示面板2和控制電路5。 [0073]通過(guò)省略圖示的上位電路與同步信號(hào)同步地向控制電路5供給數(shù)字的圖像數(shù)據(jù)VIDEO。這里，所謂的圖像數(shù)據(jù)VIDEO是例如以8位規(guī)定應(yīng)在顯示面板2上顯示的圖像的像素的灰度等級(jí)的數(shù)據(jù)。另外，所謂同步信號(hào)是包含垂直同步信號(hào)、水平同步信號(hào)、以及點(diǎn)時(shí)鐘信號(hào)的信號(hào)。
[0074]控制電路5基于同步信號(hào)生成各種控制信號(hào)，并將其供給至顯示面板2，并且基于圖像數(shù)據(jù)VIDEO生成模擬的圖像信號(hào)Vid，并將其供給至顯示面板2。具體而言，在控制電路5設(shè)置有將圖像信號(hào)Vid所表示的電位、以及顯示面板2所具備的發(fā)光元件(后述的0LED130)的亮度對(duì)應(yīng)地進(jìn)行存儲(chǔ)的查找表。而且，控制電路5通過(guò)參照該查找表，生成表示與圖像數(shù)據(jù)VIDEO所規(guī)定的發(fā)光元件的亮度對(duì)應(yīng)的電位的圖像信號(hào)Vid，并將其供給至顯示面板2。
[0075]如圖2所示，在顯示面板2的顯示區(qū)域10以矩陣狀排列有與應(yīng)顯示的圖像的像素對(duì)應(yīng)的像素電路110。詳細(xì)而言，在顯示區(qū)域10中，M行的掃描線12被設(shè)置成在圖中沿橫向(X方向)延伸，另外，N列的數(shù)據(jù)線14被設(shè)置成在圖中沿縱向(Y方向)延伸，并且與各掃描線12相互保持電絕緣。而且，與M行的掃描線12和N列的數(shù)據(jù)線14的交叉部對(duì)應(yīng)地設(shè)置有像素電路110。因此，在本實(shí)施方式中，像素電路110被排列成縱M行X橫N列的矩陣狀。
[0076]這里，M、N均為自然數(shù)。為了區(qū)分掃描線12以及像素電路110的矩陣中的行(Row)，在圖中有時(shí)按照從上到下的順序稱為第一行、第二行、第三行、…、第M行。同樣，為了區(qū)分?jǐn)?shù)據(jù)線14以及像素電路110的矩陣的列(Column)，在圖中有時(shí)按照從左到右的順序稱為第一列、第二列、第三列、…、第N列。
[0077]此外，雖然在圖2中省略圖示，但在顯示區(qū)域10中以沿橫向(X方向)延伸，并且與各數(shù)據(jù)線14相互保持電絕緣的方式設(shè)置有M行的供電線16。為了區(qū)分供電線16的行，在圖中有時(shí)按照從左到右的順序稱為第一行、第二行、第三行、…、第M行的供電線16。M行的各供電線16被設(shè)置成與M行的各掃描線12對(duì)應(yīng)。[0078]另外，雖然在圖2中省略圖示，但在包圍顯示區(qū)域10的周邊區(qū)域40設(shè)置有供電線41。后面敘述這些周邊區(qū)域40以及供電線41。
[0079]如圖2所示，顯示面板2具備驅(qū)動(dòng)像素電路110的驅(qū)動(dòng)電路30。驅(qū)動(dòng)電路30具備掃描線驅(qū)動(dòng)電路31、和數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路32。
[0080]掃描線驅(qū)動(dòng)電路31是以行為單位依次掃描(選擇)第一行?第M行的掃描線12的單元。具體而言，如圖3所示，掃描線驅(qū)動(dòng)電路31通過(guò)在一個(gè)幀期間F，將分別輸出給第一行?第M行的掃描線12的掃描信號(hào)G [I]?[M]在每個(gè)水平掃描期間H按順序設(shè)定成規(guī)定的選擇電位，以行為單位依次選擇掃描線12。此外，所謂的一個(gè)幀期間F是發(fā)光裝置I顯示與一個(gè)鏡頭(畫(huà)面)對(duì)應(yīng)的圖像所需要的期間。
[0081]數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路32基于由控制電路5供給的圖像信號(hào)Vid以及控制信號(hào)，生成用于規(guī)定與各像素電路110對(duì)應(yīng)的像素應(yīng)顯示的灰度的數(shù)據(jù)電壓VD [I]?VD [N]，并且，在每個(gè)水平掃描期間H，輸出給N列的數(shù)據(jù)線14。
[0082]此外，在本實(shí)施方式中，控制電路5輸出的圖像信號(hào)Vid是模擬信號(hào)，但控制電路5也可以輸出數(shù)字圖像信號(hào)。該情況下，通過(guò)在數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路32中對(duì)數(shù)字的圖像信號(hào)進(jìn)行D / A轉(zhuǎn)換，來(lái)生成數(shù)據(jù)電壓VD [I]?VD [N]即可。
[0083]圖4示出像素電路110的等效電路圖的一個(gè)例子。此外，從電學(xué)角度來(lái)看，各像素電路Iio的構(gòu)成彼此相同，這里，以第m行第η列的像素電路110為例進(jìn)行說(shuō)明。這里，m是I以上M以下的整數(shù)，η是I以上N以下的整數(shù)。
[0084]如圖4所示，像素電路110包含P溝道MOS型晶體管121以及122、0LED130、和保持電容132。經(jīng)由第m行的掃描線12，從掃描線驅(qū)動(dòng)電路31向該像素電路110供給掃描信號(hào) G [m]。
[0085]晶體管122的柵極與第m行的掃描線12電連接，源極或者漏極的一方與第η列的數(shù)據(jù)線14電連接。另外，晶體管122的源極或者漏極的另一方分別與晶體管121的柵極、保持電容132所具有的兩個(gè)電極中的一方的電極電連接。S卩，晶體管122電連接于晶體管121的柵極與數(shù)據(jù)線14之間，控制晶體管121的柵極與數(shù)據(jù)線14之間的電連接。
[0086]晶體管121的源極與第m行的供電線16電連接。供電線16被供給在像素電路110中成為電源的高位側(cè)的電位Vel (“規(guī)定的電位”的一個(gè)例子)。
[0087]另外，晶體管121的漏極與0LED130的陽(yáng)極130a電連接。該晶體管121作為供給與晶體管121的柵極以及源極之間的電壓對(duì)應(yīng)的電流的驅(qū)動(dòng)晶體管發(fā)揮作用。
[0088]此外，以下，有時(shí)將與晶體管121的柵極電連接的布線(具體而言，使晶體管121的柵極、晶體管122的源極或者漏極的另一方、和保持電容132的一方的電極電連接的布線)稱為晶體管121的柵極電極。
[0089]另外，有時(shí)將與晶體管121的源極電連接的布線(具體而言，使晶體管121的源極與供電線16電連接的布線)稱為晶體管121的源極電極。
[0090]另外，有時(shí)將與晶體管121的漏極電連接的布線(具體而言，使晶體管121的漏極與0LED130的陽(yáng)極130a電連接的布線)稱為晶體管121的漏極電極。
[0091]在本實(shí)施方式中，顯示面板2形成于硅基板。這里，晶體管121以及晶體管122的溝道設(shè)置于硅基板。另外，該硅基板被供給電位Vel。即，晶體管121以及晶體管122的基板電位是電位VeI。[0092]此外，上述的晶體管121以及晶體管122的源極和漏極也可以根據(jù)晶體管121以及晶體管122的溝道型，或者施加給這些晶體管的源極和漏極的電位的關(guān)系來(lái)進(jìn)行更換。另外，晶體管可以是薄膜晶體管，也可以是場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
[0093]對(duì)于保持電容132，保持電容132所具有的兩個(gè)電極中的一方的電極與晶體管121的柵極電連接，另一方的電極與供電線16電連接。因此，保持電容132作為用于保持晶體管121的柵極-源極間的電壓的保持電容發(fā)揮作用。
[0094]此外，作為保持電容132，可以使用寄生于晶體管121的柵極電極的電容，也可以使用在硅基板上以相互不同的導(dǎo)電層夾持絕緣層而形成的電容。
[0095]OLED130的陽(yáng)極130a是在多個(gè)像素電路110中分別獨(dú)立地設(shè)置的像素電極。另一方面，0LED130的陰極是以在全部像素電路110中共用的方式設(shè)置的共用電極，在像素電路110中被保持在電源的低位側(cè)的電位Vet。在本實(shí)施方式中，供電線118相當(dāng)于共用電極。
[0096]0LED130是在上述硅基板上，由陽(yáng)極130a和具有透光性的陰極夾持白色有機(jī)EL層而成的元件。而且，在0LED130的射出側(cè)(陰極側(cè))重疊有與R (紅)、G (綠)、B (藍(lán))的任意一個(gè)對(duì)應(yīng)的彩色濾光片。
[0097]在這樣的0LED130中，若從陽(yáng)極130a向陰極流入電流，則從陽(yáng)極130a注入的空穴與從陰極注入的電子在有機(jī)EL層重新復(fù)合而生成激子，產(chǎn)生白色光。此時(shí)產(chǎn)生的白色光透過(guò)與硅基板(陽(yáng)極130a)相反的一側(cè)的陰極，并經(jīng)由彩色濾光片的著色，在觀察者側(cè)被視覺(jué)確認(rèn)。
[0098]接下來(lái)，參照?qǐng)D5至圖9，對(duì)設(shè)置于顯示區(qū)域10的像素電路110的構(gòu)造、設(shè)置于周邊區(qū)域40的供電線41的構(gòu)造、以及像素電路110和供電線41的配置位置進(jìn)行說(shuō)明。
[0099]圖5是顯示區(qū)域10以及周邊區(qū)域40的俯視圖，是示意地表示設(shè)置于顯示區(qū)域10的像素電路110以及供電線16、與設(shè)置于周邊區(qū)域40的供電線41的配置位置的關(guān)系的圖。如上所述，顯示區(qū)域10是設(shè)置排列成M行N列的多個(gè)像素電路110的區(qū)域，周邊區(qū)域40是包圍顯示區(qū)域10的周圍的區(qū)域。
[0100]如圖5所示，在顯示區(qū)域10中以矩陣狀排列有縱M行X橫N列的像素電路110，并且設(shè)置有M行的供電線16。
[0101]另外，在顯示區(qū)域10中，以與M行的供電線16—對(duì)一對(duì)應(yīng)、且在圖中沿橫向(X方向)延伸的方式設(shè)置有M行的N型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域Dl。
[0102]另外，在顯示區(qū)域10中，以與M行N列的像素電路110—對(duì)一對(duì)應(yīng)的方式設(shè)置有縱M個(gè)X橫N個(gè)的觸點(diǎn)部Cl。各觸點(diǎn)部Cl由鋁等金屬或者其他導(dǎo)電性材料形成，使供電線16與N型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域Dl連接。更具體而言，配置在第m行的N個(gè)觸點(diǎn)部Cl的各個(gè)使配置在第m行的供電線16、和配置在第m行的N型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域Dl連接。
[0103]即，N型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域Dl相當(dāng)于設(shè)置在顯示區(qū)域10的“第一雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域”，供電線16相當(dāng)于供給規(guī)定的電位的“第一布線”，觸點(diǎn)部Cl相當(dāng)于使第一布線以及第一雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域連接的“第一觸點(diǎn)部”。
[0104]另外，如圖5所示，在周邊區(qū)域40以包圍顯示區(qū)域10的方式設(shè)置有供電線41以及N型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域D2。N型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域D2被設(shè)置為與M行的各N型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域Dl連接。另外，供電線41被設(shè)置為與M行的各供電線16連接。該供電線41被供給電位Vel。
[0105]另外，在周邊區(qū)域40設(shè)置有多個(gè)觸點(diǎn)部C2。各觸點(diǎn)部C2由鋁等金屬或者其他導(dǎo)電性材料形成，使供電線41與N型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域D2連接。
[0106]即，N型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域D2相當(dāng)于設(shè)置在周邊區(qū)域40的“第二雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域”，供電線41相當(dāng)于供給規(guī)定的電位的“第二布線”，觸點(diǎn)部C2相當(dāng)于使第二布線以及第二雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域連接的“第二觸點(diǎn)部”。
[0107]參照?qǐng)D6以及圖7對(duì)像素電路110的構(gòu)造進(jìn)行說(shuō)明。
[0108]圖6例如是表示如圖5的部分Areal所示那樣的、在Y方向上相互相鄰的兩個(gè)像素電路Iio的構(gòu)成的俯視圖。此外，圖6中示出了從表面?zhèn)雀┮曧敳堪l(fā)光構(gòu)造的像素電路110時(shí)的布線構(gòu)造，但為了簡(jiǎn)單化，省略了與后述的第三導(dǎo)電布線層相比靠近表面?zhèn)鹊臉?gòu)造體。
[0109]另外，圖7是以圖6中的E— e線剖開(kāi)的局部剖視圖。為了簡(jiǎn)單化，圖7中省略了與0LED130的陽(yáng)極130a相比靠近表面?zhèn)鹊臉?gòu)造體。
[0110]這里，在圖7中，所謂“表面?zhèn)取北硎緩陌雽?dǎo)體基板150觀察設(shè)置有陽(yáng)極130a的方向，所謂“背面?zhèn)取北硎緩年?yáng)極130a觀察設(shè)置有半導(dǎo)體基板150的方向。
[0111]另外，對(duì)于圖6所示的俯視圖以及圖7所示的剖視圖，為了使各層、各部件、各區(qū)域等為能夠識(shí)別的大小，存在使比例尺不同的情況(以下，對(duì)于在本說(shuō)明書(shū)中說(shuō)明的俯視圖以及剖視圖也相同)。
[0112]如圖7所示，構(gòu)成像素電路110的各要素形成在半導(dǎo)體基板150上。在本實(shí)施方式中，使用P型半導(dǎo)體基板作為半導(dǎo)體基板150。
[0113]半導(dǎo)體基板150具備P型半導(dǎo)體層151、和通過(guò)向P型半導(dǎo)體層151注入N型雜質(zhì)而形成的N阱152。具體而言，通過(guò)從表面?zhèn)认騊型半導(dǎo)體層151打入離子，以幾乎覆蓋半導(dǎo)體基板150的表面?zhèn)鹊恼麄€(gè)面的方式形成有N阱152。
[0114]另外，半導(dǎo)體基板150具備在顯示區(qū)域10中，向N阱152注入N型雜質(zhì)而形成的N型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域、和向N阱152注入P型雜質(zhì)而形成的P型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域。具體而言，在N阱152的表面?zhèn)龋以陲@示區(qū)域10中，在各行設(shè)置有N型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域Dl，在各像素電路110設(shè)置有四個(gè)P型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域Pl?P4。
[0115]另外，在半導(dǎo)體基板150 (N阱152)的表面設(shè)置有由非導(dǎo)電性材料形成的柵極絕緣層L0，在柵極絕緣層LO的表面設(shè)置有由鋁等金屬或者其他導(dǎo)電性材料形成的柵極節(jié)點(diǎn)Gl以及G2。
[0116]如圖6以及圖7所示，晶體管121具有柵極節(jié)點(diǎn)Gl、P型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域P1、以及P型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域P2。P型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域Pl相當(dāng)于晶體管121的源極，P型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域P2相當(dāng)于晶體管121的漏極，柵極節(jié)點(diǎn)Gl相當(dāng)于晶體管121的柵極。
[0117]另外，晶體管122具有柵極節(jié)點(diǎn)G2、P型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域P3、以及P型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域P4。P型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域P3相當(dāng)于晶體管122的源極或者漏極的一方，P型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域P4相當(dāng)于晶體管122的源極或者漏極的另一方，柵極節(jié)點(diǎn)G2相當(dāng)于晶體管122的柵極。
[0118]如圖7所示，以覆蓋半導(dǎo)體基板150以及柵極節(jié)點(diǎn)Gl和G2的方式設(shè)置有第一層間絕緣層LI。
[0119]在第一層間絕緣層LI的表面?zhèn)葓D案化有由鋁等金屬或者其他導(dǎo)電性材料構(gòu)成的導(dǎo)電布線層。具體而言，在第一層間絕緣層LI的表面?zhèn)?，作為?dǎo)電布線層，以像素電路110為單位設(shè)置有中繼節(jié)點(diǎn)Nll?N16。以下，有時(shí)將設(shè)置于第一層間絕緣層LI的表面?zhèn)鹊膶?dǎo)電布線層稱為“第一導(dǎo)電布線層”。
[0120]另外，如圖7所示，在各像素電路110設(shè)置有貫通第一層間絕緣層LI的層間連接部 Hll ?H17。
[0121]所謂層間連接部是設(shè)置于將層間絕緣層開(kāi)孔的接觸孔，且使該層間絕緣層的表面?zhèn)鹊膶?dǎo)電布線層與背面?zhèn)鹊膶?dǎo)電布線層電連接的連接布線(接觸插件)。該層間連接部由鋁等金屬或者其他導(dǎo)電性材料形成。在圖6中，將層間連接部表示為在不同種類的布線層彼此重疊的部分在“ 口 ”標(biāo)記上標(biāo)注了 “ X ”標(biāo)記的部分。
[0122]此外，在本實(shí)施方式中，層間絕緣層的表面?zhèn)鹊膶?dǎo)電布線層與該層間絕緣層的背面?zhèn)鹊膶?dǎo)電布線層經(jīng)由由接觸插件構(gòu)成的層間連接部電連接，但也可以將表面?zhèn)鹊膶?dǎo)電布線層的一部分埋設(shè)于接觸孔，使表面?zhèn)鹊膶?dǎo)電布線層與背面?zhèn)鹊膶?dǎo)電布線層直接連接，從而使兩者電連接。
[0123]如圖7 (以及圖6)所示，中繼節(jié)點(diǎn)Nll經(jīng)由層間連接部Hll與P型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域Pl電連接，并且，經(jīng)由層間連接部H14與N型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域Dl電連接。中繼節(jié)點(diǎn)N13經(jīng)由層間連接部H15與P型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域P2電連接。
[0124]另外，中繼節(jié)點(diǎn)N14經(jīng)由層間連接部H12與柵極節(jié)點(diǎn)Gl電連接，并且經(jīng)由層間連接部H13與P型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域P4電連接。即，中繼節(jié)點(diǎn)N14、層間連接部H12、以及層間連接部H13相當(dāng)于晶體管121的柵極電極。
[0125]中繼節(jié)點(diǎn)N15經(jīng)由層間連接部H16與柵極節(jié)點(diǎn)G2電連接。中繼節(jié)點(diǎn)N16經(jīng)由層間連接部H17與P型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域P3電連接。
[0126]另外，如圖6所示，通過(guò)中繼節(jié)點(diǎn)N12與柵極節(jié)點(diǎn)Gl夾持第一層間絕緣層LI，來(lái)形成保持電容132。S卩，柵極節(jié)點(diǎn)Gl相當(dāng)于保持電容132的一方的電極，中繼節(jié)點(diǎn)N12相當(dāng)于保持電容132的另一方的電極。
[0127]如圖7所示，以覆蓋第一導(dǎo)電布線層以及第一層間絕緣層LI的方式設(shè)置有第二層間絕緣層L2。
[0128]在第二層間絕緣層L2的表面?zhèn)葓D案化有由鋁等金屬或者其他導(dǎo)電性材料構(gòu)成的導(dǎo)電布線層。具體而言，在第二層間絕緣層L2的表面?zhèn)?，作為?dǎo)電布線層，以行為單位設(shè)置有掃描線12以及供電線16，并且以像素電路110為單位設(shè)置有中繼節(jié)點(diǎn)N21?N23。以下，有時(shí)將設(shè)置于第二層間絕緣層L2的表面?zhèn)鹊膶?dǎo)電布線層稱為“第二導(dǎo)電布線層”。
[0129]如圖6以及圖7所示，在各像素電路110設(shè)置有貫通第二層間絕緣層L2的層間連接部H21?H25。
[0130]中繼節(jié)點(diǎn)N21與供電線16連接，并且經(jīng)由層間連接部H21與中繼節(jié)點(diǎn)Nll電連接。由此，供電線16經(jīng)由中繼節(jié)點(diǎn)N21、層間連接部H21、中繼節(jié)點(diǎn)NI 1、以及層間連接部Hl I與P型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域PI電連接，并且經(jīng)由中繼節(jié)點(diǎn)N21、層間連接部H21、中繼節(jié)點(diǎn)NI 1、以及層間連接部H14與N型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域Dl電連接。其結(jié)果，通過(guò)供電線16向N型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域Dl以及P型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域Pl供給電位Vel。
[0131]中繼節(jié)點(diǎn)N21、層間連接部H21、中繼節(jié)點(diǎn)NI 1、以及層間連接部Hl I相當(dāng)于晶體管121的源極電極。另外，中繼節(jié)點(diǎn)N21、層間連接部H21、中繼節(jié)點(diǎn)Nil、以及層間連接部H14相當(dāng)于觸點(diǎn)部Cl。
[0132]S卩，在本實(shí)施方式中，觸點(diǎn)部Cl與晶體管121的源極電極連接。更具體而言，觸點(diǎn)部Cl包含晶體管121的源極電極的一部分。
[0133]此外，在本實(shí)施方式中，從表面?zhèn)扔^察時(shí)，供電線16以及N型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域Dl被配置于彼此不重疊的位置，但也可以將供電線16以及N型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域Dl配置在彼此重疊的位置。該情況下，像素電路110也可以不具備中繼節(jié)點(diǎn)N21，而供電線16經(jīng)由層間連接部H21與中繼節(jié)點(diǎn)Nll電連接。
[0134]如圖6以及圖7所示，中繼節(jié)點(diǎn)N22經(jīng)由層間連接部H23與中繼節(jié)點(diǎn)N13電連接。中繼節(jié)點(diǎn)N23經(jīng)由層間連接部H25與中繼節(jié)點(diǎn)N16電連接。
[0135]另外，掃描線12經(jīng)由層間連接部H24與中繼節(jié)點(diǎn)N15電連接。因此，掃描線12與柵極節(jié)點(diǎn)G2電連接。另外，供電線16經(jīng)由層間連接部H22與中繼節(jié)點(diǎn)N12電連接。因此，向中繼節(jié)點(diǎn)NI2供給電位Vel。
[0136]如圖7所示，以覆蓋第二導(dǎo)電布線層以及第二層間絕緣層L2的方式設(shè)置有第三層間絕緣層L3。
[0137]在第三層間絕緣層L3的表面?zhèn)葓D案化有由鋁等金屬或者其他導(dǎo)電性材料構(gòu)成的導(dǎo)電布線層。具體而言，在第三層間絕緣層L3的表面?zhèn)?，作為?dǎo)電布線層，以列為單位設(shè)置有數(shù)據(jù)線14，并且以像素電路110為單位設(shè)置有中繼節(jié)點(diǎn)N31。以下，有時(shí)將設(shè)置于第三層間絕緣層L3的表面?zhèn)鹊膶?dǎo)電布線層稱為“第三導(dǎo)電布線層”。
[0138]如圖7 (以及圖6)所示，在各像素電路110設(shè)置有貫通第三層間絕緣層L3的層間連接部H31以及H32。
[0139]中繼節(jié)點(diǎn)N31經(jīng)由層間連接部H31與中繼節(jié)點(diǎn)N22電連接。另外，數(shù)據(jù)線14經(jīng)由層間連接部H32與中繼節(jié)點(diǎn)N23電連接。因此，數(shù)據(jù)線14與P型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域P3電連接。
[0140]如圖7所示，以覆蓋第三導(dǎo)電布線層以及第三層間絕緣層L3的方式設(shè)置有第四層間絕緣層L4。通過(guò)在第四層間絕緣層L4的表面?zhèn)葓D案化由鋁、ITO (Indium Tin Oxide:銦錫氧化物)等導(dǎo)電性材料構(gòu)成的導(dǎo)電性布線層，形成有0LED130的陽(yáng)極130a。0LED130的陽(yáng)極130a是按照每個(gè)像素電路110分別獨(dú)立的像素電極，經(jīng)由貫通第四層間絕緣層L4的層間連接部H41與中繼節(jié)點(diǎn)N31連接。因此，0LED130的陽(yáng)極130a與P型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域P2電連接。即，使陽(yáng)極130a與P型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域P2電連接的層間連接部H41、中繼節(jié)點(diǎn)N31、層間連接部H31、中繼節(jié)點(diǎn)N22、層間連接部H23、中繼節(jié)點(diǎn)NI3、以及層間連接部H15相當(dāng)于晶體管121的漏極電極。
[0141]另外，雖省略圖示，但在0LED130的陽(yáng)極130a的表面?zhèn)?，層疊有按照每個(gè)像素電路110進(jìn)行劃分，且由有機(jī)EL材料構(gòu)成的發(fā)光層。而且，在發(fā)光層上，遍及多個(gè)像素電路110的全部而設(shè)置有作為共用的透明電極的陰極(換句話說(shuō)，作為共用電極的供電線118)。BP,0LED130以相互對(duì)置的陽(yáng)極與陰極夾持發(fā)光層，且以與從陽(yáng)極流向陰極的電流對(duì)應(yīng)的亮度發(fā)光。在0LED130發(fā)出的光中，朝向與半導(dǎo)體基板150相反方向即表面?zhèn)鹊墓庾鳛橛诚癖挥^察者視覺(jué)確認(rèn)(頂部發(fā)光構(gòu)造)。
[0142]此外，雖省略圖示，但除此之外，在陰極的表面?zhèn)仍O(shè)置有用于將發(fā)光層從大氣隔離的密封材料等。
[0143]接下來(lái)，參照?qǐng)D8以及圖9對(duì)設(shè)置于周邊區(qū)域40的供電線41、觸點(diǎn)部C2、以及N型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域D2進(jìn)行說(shuō)明。
[0144]圖8例如是表示如圖5的部分Area2所示的、配置于顯示區(qū)域10的端部的在Y方向上相互相鄰的兩個(gè)像素電路Iio的一部分、和設(shè)置于周邊區(qū)域40的供電線41的構(gòu)成的俯視圖。
[0145]此外，圖9是以圖8中的F— f線剖開(kāi)的局部剖視圖。在圖9中，與圖7相同，省略在0LED130的陽(yáng)極130a以后形成的構(gòu)造體。
[0146]如圖8以及圖9所示，在半導(dǎo)體基板150且在周邊區(qū)域40，向N阱152注入N型雜質(zhì)，從而形成有N型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域D2。如上所述，該N型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域D2與N型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域Dl連接。
[0147]另外，在半導(dǎo)體基板150的表面?zhèn)惹以谥苓厖^(qū)域40也設(shè)置有第一層間絕緣層LI，在第一層間絕緣層LI的表面?zhèn)茸鳛榈谝粚?dǎo)電布線層設(shè)置有供電線411。該供電線411與供電線16連接。另外，向供電線411供給電位Vel。此外，以俯視時(shí)，包圍顯示區(qū)域10的方式配置有供電線411。
[0148]供電線411具有多個(gè)突出部411a，該突出部411a經(jīng)由貫通第一層間絕緣層LI的層間連接部Hal與N型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域D2電連接。如圖5或者圖8所示，在各行或者各列周期性地配置有多個(gè)突出部411a以及層間連接部Hal。
[0149]如圖8以及圖9所示，在周邊區(qū)域40，且在第二層間絕緣層L2的表面?zhèn)?，作為第二?dǎo)電布線層設(shè)置有供電線412。與供電線411相同，該供電線412也供給電位Vel，并被配置成俯視時(shí)包圍顯示區(qū)域10。
[0150]供電線412具有多個(gè)突出部412a，該突出部412a經(jīng)由貫通第二層間絕緣層L2的層間連接部Ha2與供電線411電連接。在各行或者各列周期性地配置有多個(gè)突出部412a以及層間連接部Ha2。
[0151]以上說(shuō)明的供電線411、供電線412、以及多個(gè)層間連接部Ha2相當(dāng)于供電線41。即，供電線41具備多個(gè)導(dǎo)電布線層。另外，層間連接部Hal相當(dāng)于觸點(diǎn)部C2。
[0152]這樣，經(jīng)由觸點(diǎn)部C2從供電線41 (具體而言，從供電線411以及供電線412)向N型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域D2供給電位Vel。
[0153]此外，在本實(shí)施方式中，如圖8以及圖9所示，從表面?zhèn)扔^察時(shí)，供電線411、供電線412、以及N型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域D2被配置于彼此不重疊的位置，但也可以配置于彼此重疊的位置。該情況下，也可以為供電線411不具有突出部411a，供電線412不具有突出部412a。在該情況下，供電線412經(jīng)由層間連接部Ha2與供電線411電連接，供電線411經(jīng)由層間連接部Hal與N型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域D2電連接即可。
[0154]如以上說(shuō)明的那樣，在本實(shí)施方式中，在顯示區(qū)域10設(shè)置有M行的供電線16，并且在顯示區(qū)域10與多個(gè)像素電路110—對(duì)一對(duì)應(yīng)地設(shè)置有多個(gè)觸點(diǎn)部Cl。另外，經(jīng)由該多個(gè)觸點(diǎn)部Cl從供電線16向N型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域Dl供給電位Vel。
[0155]N型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域Dl的電阻比由導(dǎo)電性材料形成的供電線16的電阻高。因此，N型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域Dl的電位在供給電位Vel的供電位置的附近，成為幾乎與電位Vel或者與電位VeI相同的電位，在遠(yuǎn)離供電位置的地方，成為與電位VeI不同的電位。具體而言，N型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域Dl的電位與電位Vel的電位差隨著與供給電位Vel的供電位置的距離變遠(yuǎn)而增大。
[0156]因此，假設(shè)在顯示區(qū)域10未設(shè)置觸點(diǎn)部Cl，僅經(jīng)由觸點(diǎn)部C2向N阱152供給電位Vel的情況下，N型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域Dl的電位在顯示區(qū)域10的中心部成為與電位Vel相差較大的電位。另外，假設(shè)在顯示區(qū)域10未設(shè)置多個(gè)觸點(diǎn)部Cl，例如僅設(shè)置一個(gè)觸點(diǎn)部Cl的情況下，N型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域Dl的電位在遠(yuǎn)離與這一個(gè)觸點(diǎn)部Cl的連接位置的地方，成為與電位Vel偏離較大的電位。即，在這些情況下，N阱152的電位根據(jù)顯示區(qū)域10內(nèi)的位置而不同，成為不均勻的電位。
[0157]與此相對(duì)，在本實(shí)施方式中，在顯示區(qū)域10與多個(gè)像素電路110 —對(duì)一對(duì)應(yīng)地設(shè)置有多個(gè)觸點(diǎn)部Cl，所以能夠遍及顯示區(qū)域10的整體將N阱152的電位設(shè)定為電位Vel、或者接近電位Vel的電位，從而能夠作為顯示區(qū)域10整體使基板電位均勻化。
[0158]然而，晶體管121向0LED130供給與柵極-源極間的電位差對(duì)應(yīng)的大小的電流。因此，在晶體管121的源極(換句話說(shuō)，P型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域Pl)的附近，N阱152的電位成為與電位Vel不同的電位的情況下，存在晶體管121的源極的電位也成為與本來(lái)應(yīng)設(shè)定的電位即電位Vel不同的電位的情況。該情況下，晶體管121向OLED130供給與和圖像數(shù)據(jù)VIDEO所規(guī)定的灰度對(duì)應(yīng)的大小的電流不同的大小的電流，所以0LED130以與和圖像數(shù)據(jù)VIDEO所規(guī)定的灰度對(duì)應(yīng)的亮度不同的亮度發(fā)光。
[0159]另外，在N阱152的電位為根據(jù)顯示區(qū)域10內(nèi)的位置而不同的不均勻的電位的情況下，該像素電路Iio所具備的0LED130根據(jù)顯示區(qū)域10中的像素電路110的配置位置以與和灰度等級(jí)對(duì)應(yīng)的亮度不同的亮度發(fā)光，所以其被視覺(jué)確認(rèn)為顯示不均。
[0160]與此相對(duì)，在本實(shí)施方式中，以包含晶體管121的源極電極的一部分的方式設(shè)置有觸點(diǎn)部Cl。因此，如圖6以及圖7所示，觸點(diǎn)部Cl與N型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域Dl的連接位置位于P型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域Pl的附近。因此，晶體管121的源極的附近的N阱152的電位被設(shè)定為電位Vel或者能夠視為與電位Vel相同的電位，所以P型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域Pl的電位也被設(shè)定為電位VeI或者能夠視為與電位VeI相同的電位。因此，各晶體管121所具備的OLED130能夠以與圖像數(shù)據(jù)VIDEO所規(guī)定的灰度對(duì)應(yīng)的準(zhǔn)確的亮度發(fā)光。
[0161]另外，在本實(shí)施方式中，以包圍顯示區(qū)域10的方式配置有N型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域D2，從供電線41經(jīng)由多個(gè)觸點(diǎn)部C2向N型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域D2供給電位Vel。因此，至少在顯示區(qū)域10的端部，能夠?qū)阱152的電位設(shè)定為電位Vel或者接近電位Vel的電位。
[0162]因此，在本實(shí)施方式中，與在顯示區(qū)域10的周圍不具備供電線41、觸點(diǎn)部C2、以及N型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域D2的情況相比較，能夠使N阱152的電位均勻化為接近電位Vel的電位。
[0163]并且，在本實(shí)施方式中，供電線41構(gòu)成為包含多個(gè)導(dǎo)電布線層(供電線411、供電線412)，所以與由單一的導(dǎo)電布線層構(gòu)成的情況相比較，能夠降低供電線41的布線電阻。
[0164]此外，在本實(shí)施方式中，供電線41構(gòu)成為包含第一導(dǎo)電布線層以及第二導(dǎo)電布線層這兩個(gè)導(dǎo)電布線層，但也可以構(gòu)成為包含三個(gè)以上的導(dǎo)電布線層。
[0165]以下，有時(shí)將像素電路110所具備的晶體管中，該晶體管所具備的源極電極與觸點(diǎn)部Cl連接的晶體管稱為“第一晶體管”。另外，有時(shí)將像素電路110中，具備第一晶體管的像素電路110稱為“第一像素電路”。
[0166]在本實(shí)施方式中，全部的像素電路110相當(dāng)于第一像素電路，各像素電路110所具備的晶體管121相當(dāng)于第一晶體管。
[0167]另外，有時(shí)將周邊區(qū)域40中，從表面?zhèn)扔^察配置有供電線41、觸點(diǎn)部C2、以及N型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域D2的區(qū)域稱為“配置區(qū)域”。
[0168]在本實(shí)施方式中，以包圍顯示區(qū)域10的整體的方式，沿顯示區(qū)域10的四邊，且遍及周邊區(qū)域40的整體地配置有供電線41、觸點(diǎn)部C2、以及N型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域D2。S卩，在本實(shí)施方式中，周邊區(qū)域40的全部都為配置區(qū)域。
[0169]此外，也能夠?qū)@示區(qū)域10表現(xiàn)為包含與設(shè)置于顯示區(qū)域10的多個(gè)觸點(diǎn)部Cl 一對(duì)一對(duì)應(yīng)的、面積彼此相等的多個(gè)單位顯示區(qū)域的區(qū)域。
[0170]更具體而言，在本實(shí)施方式中，在將設(shè)置一個(gè)像素電路110的區(qū)域定義為單位顯示區(qū)域的情況下，以與單位顯示區(qū)域一對(duì)一對(duì)應(yīng)的方式來(lái)設(shè)置觸點(diǎn)部Cl。
[0171]B:第二實(shí)施方式
[0172]在上述的第一實(shí)施方式中，與像素電路110—對(duì)一對(duì)應(yīng)地設(shè)置有觸點(diǎn)部Cl。與此相對(duì)，第二實(shí)施方式在對(duì)于多個(gè)像素電路HO共用地設(shè)置一個(gè)觸點(diǎn)部Cl的這一點(diǎn)，與第一實(shí)施方式不同。
[0173]以下，參照?qǐng)D10?圖12，對(duì)第二實(shí)施方式的發(fā)光裝置進(jìn)行說(shuō)明。此外，在以下例示的各方式中，對(duì)作用、功能與第一實(shí)施方式等同的要素，借用在以上的說(shuō)明中所參照的符號(hào)，并適當(dāng)?shù)厥÷运鼈兊脑敿?xì)說(shuō)明(對(duì)于以下說(shuō)明的實(shí)施方式以及變形例也相同)。
[0174]圖10是第二實(shí)施方式的發(fā)光裝置的顯示面板中的顯示區(qū)域10以及周邊區(qū)域40的俯視圖。
[0175]如圖10所示，第二實(shí)施方式的發(fā)光裝置在顯示區(qū)域10中以I行的像素電路110相對(duì)于2行的像素電路110的比例設(shè)置有N型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域Dl以及供電線16。另外，第二實(shí)施方式的發(fā)光裝置在顯示區(qū)域10中相對(duì)于I行的供電線16，以在各列各配置一個(gè)觸點(diǎn)部Cl的方式配置有N個(gè)觸點(diǎn)部Cl。即，在第二實(shí)施方式的發(fā)光裝置中，相對(duì)于在圖中在縱向(Y方向)上相互相鄰的兩個(gè)像素電路110設(shè)置一個(gè)觸點(diǎn)部Cl。
[0176]此外，與第一實(shí)施方式的發(fā)光裝置I相同，在周邊區(qū)域40以包圍顯示區(qū)域10的方式，沿著顯示區(qū)域10的四邊配置有供電線41、N型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域D2、以及多個(gè)觸點(diǎn)部C2。
[0177]參照?qǐng)D11以及圖12，對(duì)第二實(shí)施方式的像素電路110的構(gòu)造進(jìn)行說(shuō)明。
[0178]圖11例如是表示如圖10的部分Area3所示的，隔著供電線16在Y方向上相互相鄰的兩個(gè)像素電路110的構(gòu)成的俯視圖。如圖11所示，隔著供電線16在Y方向上相互相鄰的兩個(gè)像素電路110被配置成以供電線16為中心線而呈線對(duì)稱。
[0179]圖12是以圖11中的E — e線剖開(kāi)的局部剖視圖。在圖11以及圖12中，為了使各層、各部件、各區(qū)域等為能夠識(shí)別的大小，存在使比例尺與實(shí)際不同的情況。
[0180]在本實(shí)施方式中，為了便于說(shuō)明，在圖11中有時(shí)將隔著供電線16在Y方向上相鄰的兩個(gè)像素電路110中，供電線16的上側(cè)的像素電路110記作像素電路IlOs (“第二像素電路”的一個(gè)例子)，將供電線16的下側(cè)的像素電路110記作像素電路IlOt (“第三像素電路”的一個(gè)例子)。即，在第二實(shí)施方式中，配置于顯示區(qū)域10的多個(gè)像素電路110包含多個(gè)隔著供電線16在Y方向上相互相鄰的像素電路IlOs以及像素電路IlOt的兩個(gè)像素電路110的組。
[0181]另外，為了便于說(shuō)明，在構(gòu)成像素電路110的各要素中，有時(shí)標(biāo)注附標(biāo)“s”來(lái)表現(xiàn)構(gòu)成像素電路IlOs的各要素，有時(shí)標(biāo)注附標(biāo)“t”來(lái)表現(xiàn)構(gòu)成像素電路IlOt的各要素。例如，在層間連接部Hll設(shè)置于像素電路IlOs的情況下，有時(shí)表現(xiàn)為“層間連接部Hlls”。
[0182]如圖11以及圖12所示，像素電路IlOs所具備的晶體管121s具備作為晶體管121s的源極發(fā)揮作用的P型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域Pis、作為漏極發(fā)揮作用的P型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域P2S、以及作為柵極發(fā)揮作用的柵極節(jié)點(diǎn)Gls。
[0183]另外，像素電路IlOt所具備的晶體管121t具備作為晶體管121t的源極發(fā)揮作用的P型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域Pit、作為漏極發(fā)揮作用的P型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域P2t、以及作為柵極發(fā)揮作用的柵極節(jié)點(diǎn)Git。
[0184]供電線16經(jīng)由層間連接部H21、中繼節(jié)點(diǎn)Nil、以及層間連接部Hlls與P型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域Pls電連接，并且經(jīng)由層間連接部H21、中繼節(jié)點(diǎn)Nil、以及層間連接部Hllt與P型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域Plt電連接。另外，供電線16經(jīng)由層間連接部H21、中繼節(jié)點(diǎn)Nil、以及層間連接部H14與N型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域Dl電連接。
[0185]因此，通過(guò)供電線16向P型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域Pis、P型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域PU、以及N型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域Dl供給電位Vel。
[0186]層間連接部H21、中繼節(jié)點(diǎn)Nil、以及層間連接部Hlls相當(dāng)于晶體管121s的源極電極，層間連接部H21、中繼節(jié)點(diǎn)Nil、以及層間連接部Hllt相當(dāng)于晶體管121t的源極電極。另外，層間連接部H21、中繼節(jié)點(diǎn)NI 1、以及層間連接部H14相當(dāng)于觸點(diǎn)部Cl。
[0187]S卩，在第二實(shí)施方式中，觸點(diǎn)部Cl與晶體管121s的源極電極、以及晶體管121t的源極電極連接。更具體而言，在第二實(shí)施方式中，觸點(diǎn)部Cl包含晶體管121s的源極電極的一部分，并且包含晶體管121t的源極電極的一部分。
[0188]如以上說(shuō)明的那樣，在第二實(shí)施方式中，在顯示區(qū)域10以I行的像素電路110相對(duì)于2行的像素電路110的比例設(shè)置有N型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域Dl、供電線16、以及多個(gè)觸點(diǎn)部Cl，所以與第一實(shí)施方式相比較，能夠使N型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域Dl、供電線16、以及觸點(diǎn)部Cl的個(gè)數(shù)減半。因此，能夠?qū)崿F(xiàn)像素電路110的窄間距化，另外，能夠使發(fā)光裝置小型化。
[0189]另外，在第二實(shí)施方式中，在顯示區(qū)域10中設(shè)置有多個(gè)觸點(diǎn)部Cl，所以能夠遍及顯示區(qū)域10的整體，將N阱152的電位設(shè)定為電位Vel、或者接近電位Vel的電位，能夠使作為顯示區(qū)域10整體的基板電位均勻化。
[0190]此外，在第二實(shí)施方式中，全部的像素電路110也相當(dāng)于第一像素電路。S卩，第二像素電路以及第三像素電路與第一像素電路相對(duì)應(yīng)。另外，各像素電路110所具備的晶體管121相當(dāng)于第一晶體管。
[0191]另外，從表面?zhèn)扔^察，第二實(shí)施方式中的單位顯示區(qū)域是設(shè)置有隔著供電線16在Y方向上相互相鄰的兩個(gè)像素電路Iio的區(qū)域(例如，圖10中的部分Area3)。
[0192]此外，在圖10?圖12中，例示了相對(duì)于兩個(gè)像素電路110共用地設(shè)置一個(gè)觸點(diǎn)部Cl的情況，但本發(fā)明并不局限于這樣的方式，也可以針對(duì)三個(gè)以上的像素電路110共用地設(shè)置一個(gè)觸點(diǎn)部Cl。
[0193]例如，如圖13所示，也可以相對(duì)于四個(gè)像素電路110共用地設(shè)置一個(gè)觸點(diǎn)部Cl。在該情況下，該一個(gè)觸點(diǎn)部Cl與該四個(gè)像素電路110所具備的四個(gè)晶體管121的源極電極連接。
[0194]此外，在該例中，從表面?zhèn)扔^察，一個(gè)單位顯示區(qū)域相當(dāng)于設(shè)置有與一個(gè)觸點(diǎn)部Cl連接的四個(gè)像素電路110的區(qū)域(例如，圖13中的部分Area4)。
[0195]另外，例如，也可以對(duì)于與發(fā)光裝置能夠顯示的三種顯示顏色(RGB)對(duì)應(yīng)的三個(gè)像素電路110設(shè)置一個(gè)觸點(diǎn)部Cl。該情況下，一個(gè)觸點(diǎn)部Cl與該三個(gè)像素電路110所具備的三個(gè)晶體管121的源極電極連接。[0196]此外，以下，有時(shí)將與發(fā)光裝置能夠顯示的三種顯示顏色(RGB)對(duì)應(yīng)的三個(gè)像素電路110的組稱為“顯示模塊”的情況。
[0197]C:第三實(shí)施方式
[0198]在上述的第一實(shí)施方式以及第二實(shí)施方式中，觸點(diǎn)部Cl包含晶體管121的源極電極的一部分。與此相對(duì)，第三實(shí)施方式在觸點(diǎn)部Cl不包含晶體管121的源極電極而形成的這一點(diǎn)與第一實(shí)施方式以及第二實(shí)施方式不同。
[0199]圖14是第三實(shí)施方式的發(fā)光裝置的顯示面板中的顯示區(qū)域10以及周邊區(qū)域40的俯視圖。如圖14所示，第三實(shí)施方式的發(fā)光裝置在顯示區(qū)域10中相對(duì)于三個(gè)像素電路110設(shè)置有兩個(gè)觸點(diǎn)部Cl。換句話說(shuō)，以I個(gè)像素電路110相對(duì)于1.5個(gè)像素電路110的比例配置有觸點(diǎn)部Cl。即，在第三實(shí)施方式中，單位顯示區(qū)域相當(dāng)于1.5個(gè)設(shè)置有像素電路110的區(qū)域的區(qū)域。
[0200]參照?qǐng)D15，對(duì)第三實(shí)施方式的像素電路110的構(gòu)造進(jìn)行說(shuō)明。圖15是表示在Y方向上相互相鄰的兩個(gè)像素電路Iio的構(gòu)成的俯視圖。
[0201 ] 如圖15所示，供電線16經(jīng)由中繼節(jié)點(diǎn)N21、層間連接部H21、中繼節(jié)點(diǎn)NI 1、以及層間連接部Hll (參照?qǐng)D7)與P型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域Pl電連接。換句話說(shuō)，中繼節(jié)點(diǎn)N21、層間連接部H21、中繼節(jié)點(diǎn)Nil、以及層間連接部Hll相當(dāng)于晶體管121s的源極電極。
[0202]另外，供電線16經(jīng)由中繼節(jié)點(diǎn)N24、層間連接部H26、中繼節(jié)點(diǎn)N17、以及貫通第一層間絕緣層LI連接中繼節(jié)點(diǎn)N17以及N型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域Dl的層間連接部(在圖15中省略圖示)，與N型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域Dl電連接。換句話說(shuō)，中繼節(jié)點(diǎn)N24、層間連接部H26、中繼節(jié)點(diǎn)N17、以及連接中繼節(jié)點(diǎn)N17和N型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域Dl的層間連接部相當(dāng)于觸點(diǎn)部Cl。
[0203]像這樣，在第三實(shí)施方式中，觸點(diǎn)部Cl不包含晶體管121的源極電極而形成。換句話說(shuō)，第三實(shí)施方式的發(fā)光裝置不具備第一像素電路，而且也不具備第一晶體管。
[0204]在以上說(shuō)明的第三實(shí)施方式中，在顯示區(qū)域10設(shè)置有多個(gè)觸點(diǎn)部Cl，所以能夠遍及顯示區(qū)域10的整體將N阱152的電位設(shè)定為電位Vel或者接近電位Vel的電位，能夠使作為顯示區(qū)域10整體的基板電位均勻化。
[0205]此外，在圖14中，例示了相對(duì)于1.5個(gè)像素電路110設(shè)置有一個(gè)觸點(diǎn)部Cl的情況，但本發(fā)明并不局限于這樣的方式，例如，也可以相對(duì)于由與發(fā)光裝置能夠顯示的三種顯示顏色(RGB)對(duì)應(yīng)的三個(gè)像素電路110構(gòu)成的顯示模塊，設(shè)置一個(gè)觸點(diǎn)部Cl。總之，相對(duì)于多于一個(gè)的像素電路110設(shè)置一個(gè)觸點(diǎn)部Cl即可。
[0206]D:第四實(shí)施方式
[0207]在上述的第一實(shí)施方式?第三實(shí)施方式中，設(shè)置于顯示區(qū)域10的多個(gè)像素電路110的全部被統(tǒng)一成第一像素電路、或者非第一像素電路的像素電路中的任意一方。與此相對(duì)，第四實(shí)施方式在作為設(shè)置于顯示區(qū)域10的多個(gè)像素電路110，第一像素電路和非第一像素電路的像素電路混在一起這一點(diǎn)與第一實(shí)施方式?第三實(shí)施方式不同。
[0208]圖16是第四實(shí)施方式的發(fā)光裝置的顯示面板中的顯示區(qū)域10以及周邊區(qū)域40的俯視圖。如圖16所示，在第四實(shí)施方式的發(fā)光裝置中，在顯示區(qū)域10中相對(duì)于構(gòu)成顯示模塊的三個(gè)像素電路110 (110RU10GU10B)設(shè)置一個(gè)觸點(diǎn)部Cl。
[0209]更具體而言，構(gòu)成顯示模塊的三個(gè)像素電路110中，一個(gè)像素電路110(在圖16所示的例子中是像素電路110G)是第一像素電路，其以外的兩個(gè)像素電路110 (在該例中是像素電路110R、像素電路110B)是非第一像素電路的像素電路。包含于顯示模塊的一個(gè)第一像素電路所具備的晶體管121的源極電極與觸點(diǎn)部Cl連接。
[0210]像這樣，在第四實(shí)施方式中，顯示模塊包含一個(gè)第一像素電路。換言之，一個(gè)單位顯示區(qū)域包含一個(gè)顯示模塊。
[0211]在第四實(shí)施方式中，在顯示區(qū)域10設(shè)置有多個(gè)觸點(diǎn)部Cl，所以能夠遍及顯示區(qū)域10的整體，將N阱152的電位設(shè)定為電位Vel、或者接近電位Vel的電位，能夠使作為顯示區(qū)域10整體的基板電位均勻化。
[0212]E:第五實(shí)施方式
[0213]在上述的第一實(shí)施方式?第四實(shí)施方式中，相對(duì)于一個(gè)以上的像素電路110設(shè)置一個(gè)觸點(diǎn)部Cl。與此相對(duì)，第五實(shí)施方式在相對(duì)于一個(gè)像素電路110設(shè)置多于一個(gè)的觸點(diǎn)部Cl這一點(diǎn)與第一實(shí)施方式?第四實(shí)施方式不同。參照?qǐng)D17,對(duì)第五實(shí)施方式的像素電路110的構(gòu)造進(jìn)行說(shuō)明。
[0214]圖17是表示在Y方向上相互相鄰的兩個(gè)像素電路110的構(gòu)成的俯視圖。如該圖所示，在第五實(shí)施方式的發(fā)光裝置中，相對(duì)于一個(gè)像素電路110設(shè)置有兩個(gè)觸點(diǎn)部Cl。
[0215]如圖17所示，使供電線16以及P型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域Pl電連接的中繼節(jié)點(diǎn)N21、層間連接部H21、中繼節(jié)點(diǎn)Nil、以及層間連接部Hll (參照?qǐng)D7)相當(dāng)于晶體管121s的源極電極。另外，使供電線16以及N型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域Dl電連接的中繼節(jié)點(diǎn)N21、層間連接部H21、中繼節(jié)點(diǎn)Nil、以及層間連接部H14 (參照?qǐng)D7)相當(dāng)于觸點(diǎn)部Cl。并且，使供電線16以及N型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域DI電連接的中繼節(jié)點(diǎn)N24、層間連接部H26、中繼節(jié)點(diǎn)NI7、連接中繼節(jié)點(diǎn)N17以及N型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域Dl電連接的層間連接部也相當(dāng)于觸點(diǎn)部Cl。
[0216]像這樣，在第五實(shí)施方式中，相對(duì)于一個(gè)像素電路110設(shè)置有兩個(gè)觸點(diǎn)部Cl。因此，能夠遍及顯示區(qū)域10的整體，將N阱152的電位設(shè)定為電位Vel、或者接近電位Vel的電位，能夠使作為顯示區(qū)域10整體的基板電位均勻化。
[0217]在圖17中，例示了相對(duì)于一個(gè)像素電路110設(shè)置兩個(gè)觸點(diǎn)部Cl的情況，但本發(fā)明并不局限于這樣的方式，也可以相對(duì)于一個(gè)像素電路110設(shè)置三個(gè)以上的觸點(diǎn)部Cl。
[0218]另外，第五實(shí)施方式的發(fā)光裝置并不局限于設(shè)置像素電路110的個(gè)數(shù)的整數(shù)倍的個(gè)數(shù)的觸點(diǎn)部Cl的方式，例如，也可以相對(duì)于兩個(gè)像素電路110設(shè)置三個(gè)觸點(diǎn)部Cl?？傊?，相對(duì)于一個(gè)像素電路110設(shè)置多于一個(gè)的觸點(diǎn)部Cl即可。
[0219]此外，在圖17中，假定設(shè)置于顯示區(qū)域10的多個(gè)像素電路110全部都是第一像素電路的情況。即，假定相對(duì)于像素電路110設(shè)置的多于一個(gè)的觸點(diǎn)部Cl中，至少一個(gè)觸點(diǎn)部Cl以包含晶體管121的源極電極的一部分的方式形成。
[0220]但本發(fā)明并不局限于這樣的方式，也可以為其全部都是非第一像素電路的像素電路的方式，還可以為第一像素電路以及非第一像素電路的像素電路混在一起的方式。
[0221]F:變形例
[0222]本發(fā)明并不局限于上述的實(shí)施方式，例如能夠?qū)嵤┤缦滤龅母鞣N變形。另外，也可以任意地選擇出以下所述的變形的方式的一個(gè)或者多個(gè)適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行組合。
[0223]變形例I
[0224]在上述的實(shí)施方式中，周邊區(qū)域40的全部為配置區(qū)域，但本發(fā)明并不局限于這樣的方式，配置區(qū)域也可以是周邊區(qū)域40的一部分。該情況下，配置區(qū)域可以是一個(gè)連續(xù)的區(qū)域，也可以是相互分離的兩個(gè)以上的區(qū)域。
[0225]例如，如圖18所示，配置區(qū)域也可以由構(gòu)成表示顯示區(qū)域10與周邊區(qū)域40的邊界的四邊形的四條邊Lnl?Ln4中，在圖中沿左側(cè)的邊Lnl的區(qū)域、和沿右側(cè)的邊Ln2的區(qū)域的兩個(gè)區(qū)域構(gòu)成。另外，配置區(qū)域也可以是沿四條邊Lnl?Ln4中的一條邊的區(qū)域，還可以是沿三條邊的區(qū)域。另外，配置區(qū)域是包含至少沿四條邊Lnl?Ln4中的一條邊的一部分(例如，邊Lnl中，上半部分)的區(qū)域的區(qū)域即可?？傊渲脜^(qū)域是包含周邊區(qū)域40的至少一部分的區(qū)域即可。
[0226]變形例2
[0227]在上述的實(shí)施方式以及變形例中，供電線16以及N型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域Dl被設(shè)置成沿橫向(X方向)延伸，但本發(fā)明并不局限于這樣的方式，如圖19所示，也可以設(shè)置成沿縱向(Y方向)延伸。在該情況下，相對(duì)于沿縱向延伸的I列供電線16以及N型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域Dl設(shè)置有多個(gè)使它們連接的觸點(diǎn)部Cl。
[0228]此外，在本變形例中，也可以相對(duì)于像素電路110以I列比I列的比例設(shè)置供電線16以及N型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域Dl，還可以相對(duì)于像素電路110以I列比2列的比例設(shè)置供電線16以及N型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域Dl。
[0229]變形例3
[0230]在上述的實(shí)施方式以及變形例中，供電線16以及N型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域Dl被設(shè)置成沿橫向(X方向)或者縱向(Y方向)中的任意一方的方向延伸，但本發(fā)明并不局限于這樣的方式，也可以沿橫向(X方向)以及縱向(Y方向)延伸地設(shè)置成格子狀。
[0231]變形例4
[0232]在上述的實(shí)施方式以及變形例中，像素電路110所具備的晶體管121以及晶體管122是P溝道型的晶體管，但本發(fā)明并不局限于這樣的方式，例如如圖20所示，也可以是N溝道型的晶體管。
[0233]如圖20所示，變形例4的像素電路110具備N溝道MOS型的晶體管121以及122。晶體管121的源極與供電線118電連接，并且漏極與0LED130的陰極電連接。
[0234]供電線118被供給電位Vet。另外，從供電線118經(jīng)由設(shè)置于該半導(dǎo)體基板的P型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域向設(shè)置有像素電路的半導(dǎo)體基板供給電位Vet。
[0235]像這樣，在圖20所示的例子中，半導(dǎo)體基板中被供給電位Vct的P型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域相當(dāng)于“第一雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域”，電位Vct相當(dāng)于“規(guī)定的電位”。另外，向半導(dǎo)體基板供給電位Vct的供電線118相當(dāng)于“第一布線”，與供電線118以及P型雜質(zhì)擴(kuò)散層連接的布線相當(dāng)于“第一觸點(diǎn)部”。
[0236]在該情況下，優(yōu)選將使晶體管121的源極與供電線118電連接的布線(晶體管121的源極電極)設(shè)置成與第一觸點(diǎn)部連接。
[0237]此外，在圖20所示的例子中，像素電路110所具備的多個(gè)晶體管被統(tǒng)一成N溝道型的晶體管，但像素電路Iio也可以包含P溝道型的晶體管、與N溝道型的晶體管的雙方。
[0238]變形例5
[0239]在上述的實(shí)施方式以及變形例中，像素電路110具備晶體管121以及晶體管122這兩個(gè)晶體管，但本發(fā)明并不局限于這樣的方式，像素電路110也可以具備三個(gè)以上的晶體管。例如，如圖21以及圖22所示，像素電路110也可以具備五個(gè)晶體管。[0240]如圖21以及圖22所示，變形例5的像素電路110具備P溝道MOS型的晶體管121?125、0LED130、和保持電容132。晶體管121?125的基板電位為電位Vel。
[0241]另外，在變形例5的顯示面板的各行設(shè)置有控制線143?145，從驅(qū)動(dòng)電路30經(jīng)由控制線143向晶體管123的柵極供給用于控制晶體管123的導(dǎo)通截止的控制信號(hào)，經(jīng)由控制線144向晶體管124的柵極供給用于控制晶體管124的導(dǎo)通截止的控制信號(hào)，經(jīng)由控制線145向晶體管125的柵極供給用于控制晶體管125的導(dǎo)通截止的控制信號(hào)。
[0242]如圖21以及圖22所示，晶體管122與上述的實(shí)施方式以及變形例相同，包含P型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域P3、P型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域P4、以及柵極節(jié)點(diǎn)G2。該晶體管122被設(shè)置于數(shù)據(jù)線14以及晶體管121的柵極之間，控制晶體管121的柵極與數(shù)據(jù)線14之間的電連接。
[0243]晶體管121與上述的實(shí)施方式以及變形例相同，包含P型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域P1、P型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域P2、以及柵極節(jié)點(diǎn)G1。該晶體管121的源極與供電線16電連接，漏極分別與晶體管123的源極或者漏極的一方和晶體管124的源極電連接。晶體管121作為使與晶體管121的柵極以及源極間的電壓對(duì)應(yīng)的電流流過(guò)的驅(qū)動(dòng)晶體管發(fā)揮作用。
[0244]晶體管123包含P型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域P4、P型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域P5、以及柵極節(jié)點(diǎn)G3。該晶體管123被設(shè)置于晶體管121的柵極以及漏極之間，基于經(jīng)由控制線143供給的控制信號(hào)，控制晶體管121的柵極以及漏極之間的電連接。
[0245]晶體管124包含P型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域P6、P型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域P7、以及柵極節(jié)點(diǎn)G4。該晶體管124被設(shè)置于晶體管121的漏極與0LED130的陽(yáng)極130a之間，基于經(jīng)由控制線144供給的控制信號(hào)，控制晶體管121的漏極與陽(yáng)極130a之間的電連接。
[0246]晶體管125包含P型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域P8、P型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域P9、以及柵極節(jié)點(diǎn)G5。該晶體管125被設(shè)置于0LED130的陽(yáng)極130a與供給復(fù)位電位Vorst的供電線18之間，基于經(jīng)由控制線145供給的控制信號(hào)，控制陽(yáng)極130a與供電線18之間的電連接。
[0247]如圖22所示，使供電線16以及P型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域Pl電連接的中繼節(jié)點(diǎn)N21、層間連接部H21、中繼節(jié)點(diǎn)Nil、以及層間連接部Hll (參照?qǐng)D7)是晶體管121的源極電極。另夕卜，使供電線16以及N型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域Dl電連接的中繼節(jié)點(diǎn)N21、層間連接部H21、中繼節(jié)點(diǎn)Nil、以及層間連接部H14 (參照?qǐng)D7)相當(dāng)于觸點(diǎn)部Cl。
[0248]S卩，在圖22中，供電線16相當(dāng)于向半導(dǎo)體基板供給電位Vel的“第一布線”，N型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域Dl相當(dāng)于半導(dǎo)體基板中被供給電位Vct的“第一雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域”，使供電線16以及N型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域Dl電連接的觸點(diǎn)部Cl相當(dāng)于“第一觸點(diǎn)部”。
[0249]此外，在圖22所示的例子中，將像素電路110中的晶體管121?125統(tǒng)一成P溝道型，但也可以統(tǒng)一成N溝道型，還可以適當(dāng)?shù)亟M合P溝道型以及N溝道型。
[0250]變形例6
[0251]在上述的實(shí)施方式以及變形例中，發(fā)光裝置能夠顯示由RGB構(gòu)成的三種顯示顏色，但本發(fā)明并不局限于這樣的方式，能夠顯示一種或者多種顯示顏色即可。例如，還可以顯示由RGB和W (白)構(gòu)成的四種顯示顏色。
[0252]變形例7
[0253]在上述的實(shí)施方式以及變形例中，供電線41由多個(gè)導(dǎo)電布線層形成，但也可以由單一的導(dǎo)電布線層形成。
[0254]另外，在上述的實(shí)施方式以及變形例中，發(fā)光裝置在周邊區(qū)域40設(shè)置供電線41、N型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域D2、以及觸點(diǎn)部C2，但也可以不具備這些。
[0255]變形例8
[0256]在上述的實(shí)施方式以及變形例中，控制電路5與顯示面板2分別獨(dú)立，但也可以使控制電路5和顯示面板2形成在同一基板上。例如，也可以將控制電路5與顯示區(qū)域10以及驅(qū)動(dòng)電路30等一起集成在半導(dǎo)體基板上。
[0257]變形例9
[0258]在上述的實(shí)施方式以及變形例中，作為電光元件例示了作為發(fā)光元件的OLEDJM例如是無(wú)機(jī)發(fā)光二極管、LED (Light Emitting Diode:發(fā)光二級(jí)管)等以與電流對(duì)應(yīng)的亮度發(fā)光的電光元件即可。
[0259]G:應(yīng)用例
[0260]接下來(lái)，對(duì)應(yīng)用了實(shí)施方式或者變形例的發(fā)光裝置的電子設(shè)備進(jìn)行說(shuō)明。
[0261]圖23是表示頭戴式顯示器的外觀的圖，圖24是表示其光學(xué)構(gòu)成的圖。首先，如圖23所示，頭戴式顯示器300在外觀上與一般的眼鏡相同，具有眼鏡腿310、鼻架320、鏡片301L、301R。另外，如圖24所示，在頭戴式顯示器300的鼻架320附近，且在鏡片301L、301R的內(nèi)側(cè)(在圖中為下側(cè) )設(shè)置有左眼用的發(fā)光裝置IL與右眼用的發(fā)光裝置IR。發(fā)光裝置IL的圖像顯示面在圖24中被配置在左側(cè)。由此，發(fā)光裝置IL的顯示圖像經(jīng)由光學(xué)透鏡302L在圖中向9點(diǎn)鐘的方向射出。半透半反鏡303L使發(fā)光裝置IL的顯示圖像向6點(diǎn)鐘的方向反射，另一方面，使從12點(diǎn)鐘的方向入射進(jìn)來(lái)的光透過(guò)。發(fā)光裝置IR的圖像顯示面被配置在與發(fā)光裝置IL相反的右側(cè)。由此，發(fā)光裝置IR的顯示圖像經(jīng)由光學(xué)透鏡302R在圖中向3點(diǎn)鐘的方向射出。半透半反鏡303R使發(fā)光裝置IR的顯示圖像向6點(diǎn)鐘方向反射，另一方面，使從12點(diǎn)鐘的方向入射進(jìn)來(lái)的光透過(guò)。
[0262]在該構(gòu)成中，頭戴式顯示器300的佩戴者能夠在與外面的樣子重疊的透視狀態(tài)下觀察發(fā)光裝置1L、1R的顯示圖像。另外，在該頭戴式顯示器300中，若使發(fā)光裝置IL顯示伴有視差的兩眼圖像中的左眼用圖像，使發(fā)光裝置IR顯示右眼用圖像，則能夠使佩戴者感覺(jué)顯示的圖像具有縱深感和立體感(3D顯示)。
[0263]圖25是采用了實(shí)施方式或者變形例的發(fā)光裝置的攜帶式的個(gè)人計(jì)算機(jī)的立體圖。個(gè)人計(jì)算機(jī)400具備用于顯示各種圖像的發(fā)光裝置1、和設(shè)置有電源開(kāi)關(guān)401、鍵盤402的主體部403。
[0264]圖26是應(yīng)用了實(shí)施方式或者變形例的發(fā)光裝置的移動(dòng)電話機(jī)的立體圖。移動(dòng)電話機(jī)500具備多個(gè)操作按鈕501以及滾動(dòng)按鈕502、和顯示各種圖像的發(fā)光裝置I。通過(guò)操作滾動(dòng)按鈕502，來(lái)滾動(dòng)顯示于發(fā)光裝置I的畫(huà)面。
[0265]此外，作為應(yīng)用了本發(fā)明的發(fā)光裝置的電子設(shè)備，除了圖23至圖26所例示出的設(shè)備之外，還可以列舉出便攜信息終端(PDA:Personal Digital Assistants)、數(shù)碼相機(jī)、電視機(jī)、攝像機(jī)、車輛導(dǎo)航裝置、車載用的顯示器(儀表板)、電子記事本、電子紙張、臺(tái)式電子計(jì)算機(jī)、文字處理器、工作站、視頻電話、POS終端、打印機(jī)、掃描儀、復(fù)印機(jī)、視頻播放器、具備觸摸面板的設(shè)備等。
[0266]附圖標(biāo)記說(shuō)明
[0267]I…發(fā)光裝置;2…顯不面板;5…控制電路;10…顯不區(qū)域;16…供電線;30…驅(qū)動(dòng)電路；31…掃描線驅(qū)動(dòng)電路；32…數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路；40…周邊區(qū)域；41...供電線；110…像素電路； 121…晶體管；122…晶體管；130...0Ι^ ;C1...觸點(diǎn)部；?1...Ν型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域；C2…觸點(diǎn)部；D2…N型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域。
【權(quán)利要求】
1.一種發(fā)光裝置，其特征在于，具備: 半導(dǎo)體基板； 多個(gè)像素電路，其形成于所述半導(dǎo)體基板； 第一布線，其由導(dǎo)電性材料形成，并被供給規(guī)定的電位；以及多個(gè)第一觸點(diǎn)部，其由導(dǎo)電性材料形成，并連接所述半導(dǎo)體基板以及所述第一布線，其中，所述多個(gè)第一觸點(diǎn)部以及所述第一布線被設(shè)置于配置有所述多個(gè)像素電路的顯示區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 所述多個(gè)像素電路包含兩個(gè)以上的第一像素電路， 所述第一像素電路具備發(fā)光元件、和對(duì)所述發(fā)光元件供給電流的第一晶體管， 所述第一晶體管的源極電極與所述第一觸點(diǎn)部連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 所述發(fā)光裝置能夠顯示兩種以上的顯示顏色， 所述多個(gè)像素電路具備多個(gè)由與所述兩種以上的顯示顏色一對(duì)一對(duì)應(yīng)的兩個(gè)以上的像素電路構(gòu)成的顯示 模塊， 所述顯示模塊包含一個(gè)所述第一像素電路。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或者3所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 所述第一觸點(diǎn)部包含所述第一晶體管的源極電極的一部分。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 所述顯示區(qū)域包含面積彼此相等的多個(gè)單位顯示區(qū)域， 與所述多個(gè)單位顯示區(qū)域一對(duì)一對(duì)應(yīng)地設(shè)置所述多個(gè)第一觸點(diǎn)部。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 所述發(fā)光裝置能夠顯示兩種以上的顯示顏色， 所述多個(gè)像素電路具備多個(gè)由與所述兩種以上的顯示顏色一對(duì)一對(duì)應(yīng)的兩個(gè)以上的像素電路構(gòu)成的顯示模塊， 在所述單位顯示區(qū)域配置有一個(gè)所述顯示模塊。
7.根據(jù)權(quán)利要求1~6中任意一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 所述半導(dǎo)體基板在所述顯示區(qū)域具備第一雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域， 所述多個(gè)第一觸點(diǎn)部與所述第一雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求1~7中任意一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 所述多個(gè)像素電路以矩陣狀形成于所述顯示區(qū)域， 所述多個(gè)第一觸點(diǎn)部以I行的所述像素電路相對(duì)于2行的所述像素電路的比例，或者I列的所述像素電路相對(duì)于2列的所述像素電路的比例以矩陣狀形成于所述顯示區(qū)域。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 所述多個(gè)像素電路以矩陣狀形成于所述顯示區(qū)域， 所述多個(gè)像素電路包含多個(gè)由第二像素電路和第三像素電路構(gòu)成的兩個(gè)像素電路的組，其中，該第二像素電路具備發(fā)光元件以及第二晶體管，該第三像素電路具備發(fā)光元件以及第三晶體管且在行方向或者列方向與所述第二像素電路相鄰， 所述第二像素電路所具備的第二晶體管的源極電極、和與該第二像素電路同一組的第三像素電路所具備的第三晶體管的源極電極與同一個(gè)所述第一觸點(diǎn)部連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求1~9中任意一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 所述發(fā)光裝置具備: 第二布線，其由導(dǎo)電性材料形成，并被供給所述規(guī)定的電位，以及多個(gè)第二觸點(diǎn)部，其由導(dǎo)電性材料形成，并連接所述半導(dǎo)體基板以及所述第二布線，所述多個(gè)第二觸點(diǎn)部以及所述第二布線被設(shè)置于為包圍所述顯示區(qū)域的周邊區(qū)域的一部分或者全部的配置區(qū)域。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 所述第二布線具備多個(gè)導(dǎo)電性布線層。
12.根據(jù)權(quán)利要求10或者11所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 所述半導(dǎo)體基板在所述配置區(qū)域具備第二雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域， 所述多個(gè)第二觸點(diǎn)部與所述第二雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域連接。
13.—種電子設(shè)備,其特征在于， 具備權(quán)利要求1~12中任意一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置。
【文檔編號(hào)】H01L27/32GK103985730SQ201410043092
【公開(kāi)日】2014年8月13日 申請(qǐng)日期:2014年1月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年2月7日
【發(fā)明者】太田人嗣, 野澤陵一, 野村猛 申請(qǐng)人:精工愛(ài)普生株式會(huì)社