發(fā)光元件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種發(fā)光元件，包含一透明基板；至少一半導(dǎo)體發(fā)光疊層位于透明基板上，其中半導(dǎo)體發(fā)光疊層包含靠近透明基板的一第一半導(dǎo)體層、遠(yuǎn)離透明基板的一第二半導(dǎo)體層，及位于第一半導(dǎo)體層與第二半導(dǎo)體層之間的一發(fā)光層，其中發(fā)光層可發(fā)出一光線；及一接合層位于透明基板與半導(dǎo)體發(fā)光疊層之間，其中接合層具有漸變折射率，使發(fā)光層發(fā)出的光線在從發(fā)光層射向透明基板的一行進方向上，在接合層與透明基板的各臨界角皆大于35度。
【專利說明】發(fā)光元件
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是關(guān)于一發(fā)光元件，尤其是一具有漸變折射率的接合層的發(fā)光元件。
【背景技術(shù)】
[0002]發(fā)光二極管(LED)是一種固態(tài)半導(dǎo)體元件，發(fā)光二極管(LED)包含一發(fā)光元件結(jié)構(gòu)，其中發(fā)光元件結(jié)構(gòu)至少包含一 P型半導(dǎo)體層、一 η型半導(dǎo)體層與一發(fā)光層，其中發(fā)光層形成于P型半導(dǎo)體層與η型半導(dǎo)體層之間。發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)包含由II1- V族元素組成的化合物半導(dǎo)體，例如磷化鎵(GaP)、砷化鎵(GaAs)、氮化鎵(GaN),其發(fā)光原理是在一外加電場作用下，利用η型半導(dǎo)體層所提供的電子與P型半導(dǎo)體層所提供的空穴在發(fā)光層的ρ-η接面附近復(fù)合，將電能轉(zhuǎn)換成光能。
[0003]圖1是現(xiàn)有的一發(fā)光元件I的剖面圖，如圖1所示，發(fā)光元件I包含一透明基板10，一第一半導(dǎo)體層12位于透明基板10上，一第二半導(dǎo)體層16位于第一半導(dǎo)體層12上及一發(fā)光層14位于第一半導(dǎo)體層12與第二半導(dǎo)體層16之間。第一半導(dǎo)體層12的材料包含II1- V族半導(dǎo)體材料，其折射率約為3.1?3.5之間。透明基板10的材料包含藍寶石(sapphire)或玻璃，其折射率約為1.5?1.7之間。
[0004]由于透明基板10與第一半導(dǎo)體層12之間的折射率差異大，使得透明基板10與第一半導(dǎo)體層12之間的臨界角Θ c小于35度。發(fā)光層14所發(fā)出的一光線從第一半導(dǎo)體層12往透明基板10射出時，光線的入射角要在35度以內(nèi)才可以射出，入射角超過35度的光線會在透明基板10與第一半導(dǎo)體層12之間形成全反射，光線因此被局限在發(fā)光元件I內(nèi)部，降低發(fā)光元件I的光取出效率。
[0005]圖2是現(xiàn)有的發(fā)光元件I的光場強度分布情形。由于透明基板10與第一半導(dǎo)體層12之間的臨界角Θ c小于35度，只有入射角在35度以內(nèi)的光線才會從透明基板10射出，因此現(xiàn)有的發(fā)光元件I所發(fā)出的光線在50%光場強度下的一遠(yuǎn)場角度約117度。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]為解決上述問題，本發(fā)明公開一種發(fā)光元件，包含一透明基板；至少一半導(dǎo)體發(fā)光疊層位于透明基板上，其中半導(dǎo)體發(fā)光疊層包含靠近透明基板的一第一半導(dǎo)體層、遠(yuǎn)離透明基板的一第二半導(dǎo)體層，及位于第一半導(dǎo)體層與第二半導(dǎo)體層之間的一發(fā)光層，其中發(fā)光層可發(fā)出一光線；及一接合層位于透明基板與半導(dǎo)體發(fā)光疊層之間，其中接合層具有漸變折射率，使發(fā)光層發(fā)出的光線在從發(fā)光層射向透明基板的一行進方向上，在接合層與透明基板的各臨界角皆大于35度。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0007]圖1是現(xiàn)有的發(fā)光元件的示意圖。
[0008]圖2是現(xiàn)有的發(fā)光元件的光場強度分布情形的示意圖。
[0009]圖3是本發(fā)明一實施例的發(fā)光元件的示意圖。[0010]圖4是本發(fā)明一實施例的發(fā)光元件的光場強度分布情形的示意圖。
[0011]圖5是本發(fā)明第三實施例的發(fā)光元件的示意圖。
[0012]符號說明
[0013]發(fā)光元件1、2、2’
[0014]透明基板10、20
[0015]接合層21、21’
[0016]第一接合層211
[0017]第二接合層212
[0018]第三接合層213
[0019]半導(dǎo)體發(fā)光疊層23
[0020]第一半導(dǎo)體層12、22
[0021]發(fā)光層14、24
[0022]第二半導(dǎo)體層16、26
[0023]表面SI
[0024]側(cè)壁S2
【具體實施方式】
[0025]為了使本發(fā)明的敘述更加詳盡與完備，請參照下列描述并配合圖3的圖示。依據(jù)本發(fā)明一實施例的一發(fā)光元件2的剖面圖，如圖3所示，發(fā)光元件2包含一透明基板20，一半導(dǎo)體發(fā)光疊層23位于透明基板20上，其中半導(dǎo)體發(fā)光疊層23包含靠近透明基板20的一第一半導(dǎo)體層22,遠(yuǎn)離透明基板20的一第二半導(dǎo)體層26,及一發(fā)光層24位于第一半導(dǎo)體層22與第二半導(dǎo)體層26之間。
[0026]透明基板20的材料包含無機材料或II1- V族半導(dǎo)體材料。無機材料包含碳化硅(SiC)、鍺(Ge)、藍寶石(sapphire)、招酸鋰(LiAlO2)、氧化鋅(ZnO)、玻璃或石英。II1- V族半導(dǎo)體材料包含磷化銦(InP)、磷化鎵(GaP)、氮化鎵(GaN)、氮化鋁(AlN)材料。透明基板20可用以承載及/或成長半導(dǎo)體發(fā)光疊層23。
[0027]半導(dǎo)體發(fā)光疊層23的材料包含II1- V族半導(dǎo)體材料，例如可包含一種以上的元素選自鎵(Ga)、鋁(Al)、銦(In)、磷(P)、氮(N)、鋅(Zn)、鎘(Cd)、及硒(Se)所構(gòu)成的群組。于本發(fā)明的一實施例中，第一半導(dǎo)體層22具有一第一導(dǎo)電性，第二半導(dǎo)體層26具有一第二導(dǎo)電性，其中第一導(dǎo)電性與第二導(dǎo)電性不同，例如第一半導(dǎo)體層22可為一 η型半導(dǎo)體層，第二半導(dǎo)體層26可為一 P型半導(dǎo)體層。來自于η型半導(dǎo)體層的電子與來自于P型半導(dǎo)體層的空穴在一外加電流驅(qū)動的下，在發(fā)光層24復(fù)合，發(fā)出一光線從透明基板20射出。第一半導(dǎo)體層22靠近透明基板20的一表面SI可為一粗糙面，以減少光線在表面SI全反射的機率。形成粗糙面的方法沒有特別限制，例如可使用蝕刻或機械研磨。形成半導(dǎo)體發(fā)光疊層23的方法沒有特別限制，除了有機金屬化學(xué)氣相沉積法(M0CVD)，亦可使用分子束外延(MBE)，氫化物氣相沉積法(HVPE)，蒸鍍法和離子電鍍方法。
[0028]本發(fā)明的發(fā)光元件2并不局限于只包含一個半導(dǎo)體發(fā)光疊層23，亦可包含多個半導(dǎo)體發(fā)光疊層23位于透明基板20上，其中多個半導(dǎo)體發(fā)光疊層23間可具有一導(dǎo)線結(jié)構(gòu)使多個半導(dǎo)體發(fā)光疊層23于此透明基板20上以串聯(lián)、并聯(lián)、串并聯(lián)等方式彼此電連接。[0029]如圖3所示，依據(jù)本發(fā)明的一實施例，發(fā)光元件2還包含一接合層21位于透明基板20與第一半導(dǎo)體層22之間，其中接合層21為一疊層結(jié)構(gòu)，疊層結(jié)構(gòu)的接合層數(shù)目并不局限于2層，也可為2層以上。
[0030]依據(jù)圖3所示的實施例，接合層21包含靠近第一半導(dǎo)體層22的一第一接合層211與遠(yuǎn)離第一半導(dǎo)體層22的一第二接合層212。依據(jù)本發(fā)明的一實施例，第一接合層211是與第一半導(dǎo)體層22相鄰。第一接合層211與第二接合層212是依序形成于第一半導(dǎo)體層22的上以構(gòu)成接合層21。于本實施例中，第一接合層211或第二接合層212的厚度小于3 μ m，接合層21的總厚度小于4 μ m。接合層21的材料包含氧化物或金屬氧化物。金屬氧化物包含二氧化鈦(TiO2)、氧化鉭(Ta2O5)、二氧化碲(TeO2)、氧化釔(Y2O3)、二氧化鉿(HfO2)、氧化鋁(Al2O3)、氧化銦鋅(IZO)或是氧化銦錫(ITO)。形成接合層21的方法沒有特別限制，除了旋轉(zhuǎn)涂布，亦可使用蒸鍍法。
[0031]接合層21及透明基板20的材料對于發(fā)光層24所發(fā)出的光線具有一穿透度是為60%以上，較佳在70%以上，更佳在80%以上，使光線可以從透明基板20射出。
[0032]依據(jù)本發(fā)明的一實施例，第一接合層211至少包含一種金屬氧化物材料不同于第二接合層212的金屬氧化物材料。例如第一接合層211的材料可以是二氧化碲(TeO2)，其折射率約為2.26，第二接合層212的材料可以是二氧化鉿(HfO2)，其折射率約為2.05。
[0033]依據(jù)本發(fā)明的另一實施例，第一接合層211與第二接合層212包含相同的金屬氧化物材料，其中第一接合層211金屬氧化物材料的氧含量不同于第二接合層212金屬氧化物材料的氧含量。例如第一接合層211的材料可以是TiOx，第二接合層212的材料可以是TiOy,其中X Φ y,且TiOx的折射率大于TiOy。
[0034]第一半導(dǎo)體層22具有一第一折射率Ii1，透明基板20具有一第二折射率n2，其中第一折射率Ii1大于第二折射率n2。依據(jù)本發(fā)明的一實施例,第一半導(dǎo)體層22的第一折射率Ii1范圍可為3.0?3.6之間，透明基板20的第二折射率112范圍可為1.4?1.7之間，第二折射率n2與第一折射率H1相差I(lǐng)以上。
[0035]接合層21為一具有漸變折射率的結(jié)構(gòu)，靠近第一半導(dǎo)體層22的第一接合層211的折射率nbl不同于遠(yuǎn)離第一半導(dǎo)體層22的第二接合層212的折射率nb2，折射率nbl與折射率nb2之間可為一連續(xù)變化或一梯度變化。換言之，在第一半導(dǎo)體層22、接合層21及透明基板20之間，第一折射率Ii1、折射率nbl、折射率nb2、到第二折射率n2之間是呈現(xiàn)一連續(xù)變化或一梯度變化。
[0036]第一接合層211的折射率nbl小于第一半導(dǎo)體層22的第一折射率Ii1，且大于透明基板20的第二折射率n2。具體而言，第一接合層211的折射率nbl范圍可為2.3?2.9之間。第二接合層212的折射率nb2小于第一接合層211的折射率nbl，且大于透明基板20的第二折射率n2。具體而言，第二接合層212的折射率nb2范圍可為1.8?2.2之間。
[0037]由于II1- V族半導(dǎo)體材料的折射率在3.0?3.6之間，透明基板20材料的折射率在1.4?1.7之間。當(dāng)光線從第一半導(dǎo)體層22直接進入到透明基板20時，臨界角0C的范圍在22?35度之間，如果入射角大于此范圍，光線會反射到半導(dǎo)體發(fā)光疊層23而被吸收。本發(fā)明的一實施例通過在透明基板20和半導(dǎo)體發(fā)光疊層23之間形成具有漸變折射率的接合層21，使光線在從發(fā)光層24射向透明基板20的行進方向上，光線在各接合層，例如第一接合層211、第二接合層212，與透明基板20的各臨界角Θ c皆大于35度，較佳大于40度，更佳大于50度。折射率的變化可改變光線從發(fā)光層24射向透明基板20的行進方向，減少光線全反射的機率，避免光線局限在發(fā)光元件2內(nèi)部，因此發(fā)光元件2的亮度相較于現(xiàn)有的發(fā)光元件I的亮度約可增加15%。
[0038]圖4是本發(fā)明實施例所揭示的發(fā)光元件2其光場強度分布情形。如圖4所示，發(fā)光元件2所發(fā)出的光線在50%光場強度下具有一遠(yuǎn)場角度大于120度。本發(fā)明的一實施例通過在透明基板20和半導(dǎo)體發(fā)光疊層23之間形成具有漸變折射率的接合層21，使光線在從發(fā)光層24射向透明基板20的行進方向上,光線在各接合層,例如第一接合層211和第二接合層212，與透明基板20接面的臨界角Θ c變大，減少光線反射到半導(dǎo)體發(fā)光疊層23而被吸收，使光線容易從透明基板20及接合層21側(cè)壁S2出光，并可使發(fā)光元件2的光型較現(xiàn)有的發(fā)光元件I飽滿。
[0039]以下繼續(xù)說明本發(fā)明的第二實施例的發(fā)光元件。此第二實施例為上述圖3實施例的變化型，由此第二實施例的實施，可對上述圖3實施例中的半導(dǎo)體發(fā)光疊層23與透明基板20的接合做加強，故接續(xù)利用圖3進行說明。為加強半導(dǎo)體發(fā)光疊層23與透明基板20的接合，在本實施例中，選擇與透明基板20相同的材料形成第二接合層212。例如，在本實施例中，透明基板20為藍寶石(sapphire)基板，而第二接合層212的材料則選擇氧化鋁(Al2O3)。如上述第一實施例中所述，由于半導(dǎo)體發(fā)光疊層23為II1- V族半導(dǎo)體材料，其所具的第一折射率nl約在3.0~3.6之間，而透明基板20選擇藍寶石(sapphire)基板,故透明基板20所具的第二折射率n2約1.7。而第二接合層212因選擇與透明基板20相同的材料，即氧化鋁(Al2O3)，故在本實施例中，第二接合層212的折射率nb2與透明基板20所具的第二折 射率n2大致相等(即nb2=n2)，亦約為1.7。而如同上述第一實施例中所述，由于透明基板20的第二折射率n2與半導(dǎo)體發(fā)光疊層23的第一折射率Ill相差較大(在本實施例同樣相差I(lǐng)以上)，為減少光線全反射的機率，本實施例的第一接合層211在材料選擇上，同樣亦使接合層21在半導(dǎo)體發(fā)光疊層23與透明基板20之間形成一使折射率漸變的結(jié)構(gòu)，亦即第一接合層211的折射率nbl須介于半導(dǎo)體發(fā)光疊層23的第一折射率Ii1與第二接合層212的折射率nb2間，以使半導(dǎo)體發(fā)光疊層23與透明基板20透過接合層21在折射率上形成一連續(xù)變化或一梯度變化。故而，在本實施例中，第一半導(dǎo)體層22所具有的第一折射率Ii1,透明基板20所具有的第二折射率n2，第一接合層211具有一折射率nbl，及第二接合層212所具有的折射率nb2，各折射率滿足以下關(guān)系式第一接合層211的材料可包含二氧化鈦(TiO2)、氧化鉭(Ta2O5)、二氧化碲(TeO2)、氧化釔(Y2O3)、二氧化鉿(HfO2)、氧化鋁(Al2O3)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦錫(ITO)、或是鈮酸鋰(LiNbO3)。
[0040]而值得說明的是，當(dāng)本實施例中的第一接合層211的材料選擇進一步使第一接合層211的折射率nbl，第一半導(dǎo)體層22的第一折射率Ii1，及透明基板20的第二折射率n2滿足以下關(guān)系式:(Iidn2) 1/2+0.3≥nbl≥(H1^n2) 1/2-0.3時，可發(fā)現(xiàn)上述藉折射率漸變以減少光線全反射的機率的效果更為顯著。
[0041]圖5是本發(fā)明第三實施例的發(fā)光元件，此第三實施例為上述第二實施例的變化型，相較于上述第二實施例，在本實施例中發(fā)光元件2’還包含一第三接合層213位于第二接合層212與透明基板20之間，其余元件則與上述第二實施例相同，故不再贅述。如圖所示，第三接合層213是形成于透明基板20上，且其材料與第二接合層212的材料相同。例如如上述第二實施例所述，透明基板20為藍寶石(sapphire)基板，而第二接合層212的材料則選擇氧化鋁(Al2O3),則在透明基板20上同樣形成材料為氧化鋁(Al2O3)的第三接合層213，之后將第三接合層213與第二接合層212相接合。由于第三接合層213與第二接合層212為相同材料，故有助于增加其接合力。特別是在制作工藝上，可以是包含半導(dǎo)體發(fā)光疊層23的晶片(wafer)與透明基板20同時進入同一個制作工藝機臺以同時分別于其上形成第二接合層212與第三接合層213 (此種情形其兩者厚度大致相同)，然后再將第三接合層213與第二接合層212相接合，由于兩者在相同制作工藝條件下形成，更有助于兩者間接合力的提升。接合后，形成一包含第一接合層211，第二接合層212及第三接合層213的接合層21’位于透明基板20與半導(dǎo)體發(fā)光疊層23之間，如前所述，第二接合層212的材料與透明基板20的材料相同且第三接合層213與第二接合層212的材料相同。
[0042]綜合上述第一至第三實施例的說明，熟悉此領(lǐng)域技術(shù)的人士得在適當(dāng)?shù)牟牧线x擇下，形成一發(fā)光元件，此發(fā)光元件包含一透明基板；一半導(dǎo)體發(fā)光疊層位于此透明基板上，其中半導(dǎo)體發(fā)光疊層包含靠近透明基板的一第一半導(dǎo)體層、遠(yuǎn)離透明基板的一第二半導(dǎo)體層，及位于第一半導(dǎo)體層與第二半導(dǎo)體層之間的一發(fā)光層，其中發(fā)光層可發(fā)出一光線 '及一接合層位于透明基板與半導(dǎo)體發(fā)光疊層之間，此接合層為一疊層結(jié)構(gòu)，包含靠近第一半導(dǎo)體層的一第一接合層，與遠(yuǎn)離第一半導(dǎo)體層的一第二接合層。而若第一半導(dǎo)體層具有第一折射率H1，透明基板具有第二折射率n2，第一接合層具有一折射率nbl，且第二接合層具有一折射率nb2，則各折射率滿足以下關(guān)系式=I^nbAnb2 ^ n2，如此除了可使半導(dǎo)體發(fā)光疊層與透明基板得到良好的接合外，更透過接合層而在折射率上形成一連續(xù)變化或一梯度變化，使發(fā)光層發(fā)出的光線在從發(fā)光層射向透明基板的行進方向上，在接合層與透明基板的各臨界角皆大于35度，增進出光效率。另外，當(dāng)各折射率滿足(Ii^n2) 1/2+0.3≥nbl≥(H1^n2) 1/2_0.3的關(guān)系式時，其減少光線全反射的機率的效果更為顯著。
[0043]以上各圖式與說明雖僅分別對應(yīng)特定實施例，然而，各個實施例中所說明或公開的元件、實施方式、設(shè)計準(zhǔn)則、及技術(shù)原理除在彼此顯相沖突、矛盾、或難以共同實施之外，吾人當(dāng)可依其所需任意參照、交換、搭配、協(xié)調(diào)、或合并。
[0044]雖然結(jié)合以上說明公開了本發(fā)明，然而其并非用以限制本發(fā)明的范圍、實施順序、或使用的材料與制作工藝。對于本發(fā)明所作的各種修飾與變更，皆不脫本發(fā)明的精神與范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種發(fā)光元件,包含: 透明基板； 至少一半導(dǎo)體發(fā)光疊層，位于該透明基板上，其中該半導(dǎo)體發(fā)光疊層包含靠近該透明基板的一第一半導(dǎo)體層、遠(yuǎn)離該透明基板的一第二半導(dǎo)體層，及位于該第一半導(dǎo)體層與該第二半導(dǎo)體層之間的一發(fā)光層，其中該發(fā)光層可發(fā)出一光線；及 接合層，位于該透明基板與該半導(dǎo)體發(fā)光疊層之間，其中該接合層具有漸變折射率，使該發(fā)光層發(fā)出的光線在從該發(fā)光層射向該透明基板的一行進方向上，在該接合層與該透明基板的各臨界角皆大于35度。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中該第一半導(dǎo)體層具有第一折射率Ii1及該透明基板具有第二折射率n2，其中該第二折射率n2與該第一折射率Ill相差I(lǐng)以上。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中該接合層是為一疊層結(jié)構(gòu)，包含靠近該第一半導(dǎo)體層的第一接合層，與遠(yuǎn)離該第一半導(dǎo)體層的第二接合層，且其中該第一接合層包含一種金屬氧化物材料不同于該第二接合層的金屬氧化物材料，或該第一接合層與該第二接合層包含不同氧含量的相同金屬氧化物材料。
4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光兀件，其中該光線在50%光場強度下具有一遠(yuǎn)場角度,該遠(yuǎn)場角度大于120度。
5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中該接合層為一疊層結(jié)構(gòu)，包含靠近該第一半導(dǎo)體層的第一接合層， 與遠(yuǎn)離該第一半導(dǎo)體層的一第二接合層，且該第一半導(dǎo)體層具有一第一折射率H1，該透明基板具有一第二折射率n2，該第一接合層具有一折射率nbl，該第二接合層具有一折射率nb2,各該折射率滿足以下關(guān)系式InAnbAnb2 ^ n2。
6.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光元件，其中該第一接合層的折射率nbl，該第一折射率Ii1，及該第二折射率n2間滿足以下關(guān)系式:(H1^n2) 1/2+0.3≥nbl≥(H1^n2) 1/2-0.3。
7.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中該接合層為一疊層結(jié)構(gòu)，包含靠近該第一半導(dǎo)體層的第一接合層，與遠(yuǎn)離該第一半導(dǎo)體層的第二接合層，且該第二接合層的材料與該透明基板的材料相同，或該第二接合層的材料包含氧化鋁(Al2O3),該透明基板為藍寶石(sapphire)基板。
8.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光元件，其中該第一接合層的材料包含二氧化鈦(TiO2)、氧化鉭(Ta2O5)、二氧化碲(TeO2)、氧化釔(Y2O3)、二氧化鉿(HfO2)、氧化鋁(Al2O3)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦錫(ITO)、或是鈮酸鋰(LiNbO3)。
9.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光元件，還包含第三接合層，位于該第二接合層與該透明基板之間，且/或該第三接合層與該第二接合層的材料相同。
10.一種發(fā)光元件，包含: 透明基板； 至少一半導(dǎo)體發(fā)光疊層位于該透明基板上，其中該半導(dǎo)體發(fā)光疊層包含靠近該透明基板的第一半導(dǎo)體層、遠(yuǎn)離該透明基板的第二半導(dǎo)體層，及位于該第一半導(dǎo)體層與該第二半導(dǎo)體層之間的發(fā)光層，其中該發(fā)光層可發(fā)出一光線；及 接合層，位于該透明基板與該半導(dǎo)體發(fā)光疊層之間，該接合層為一疊層結(jié)構(gòu)，包含靠近該第一半導(dǎo)體層的第一接合層，與遠(yuǎn)離該第一半導(dǎo)體層的第二接合層，其中該第一半導(dǎo)體層具有第一折射率Ii1，該透明基板具有第二折射率n2，該第一接合層具有折射率nbl，該第二接合層具有折射率nb2，并且各該折射率滿足以下關(guān)系式=I^nbAnb2≥n2且(I^n2) V2+0.3≥nbl ≥ (H1^n2) 1/2-0.3o
【文檔編號】H01L33/02GK103996761SQ201410046186
【公開日】2014年8月20日 申請日期:2014年2月10日 優(yōu)先權(quán)日:2013年2月16日
【發(fā)明者】楊宗憲, 徐子杰, 陳怡名, 賴易堂, 楊治政, 魏志偉, 陳慶升, 陳世益, 許嘉良, 許晏銘 申請人:晶元光電股份有限公司