半導(dǎo)體模塊及其形成方法
【專利摘要】根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，一種半導(dǎo)體模塊，包括具有第一半導(dǎo)體裸片的第一半導(dǎo)體封裝，該第一半導(dǎo)體裸片被設(shè)置在第一包封劑中。在第一包封劑中設(shè)置有開口。包括第二半導(dǎo)體裸片的第二半導(dǎo)體封裝被設(shè)置在第二包封劑中。第二半導(dǎo)體封裝至少部分地被設(shè)置在第一包封劑中的開口之內(nèi)。
【專利說明】半導(dǎo)體模塊及其形成方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明總體涉及半導(dǎo)體器件，并且更具體而言涉及半導(dǎo)體模塊及其形成方法。
【背景技術(shù)】
[0002]半導(dǎo)體器件被用在許多電子應(yīng)用和其它應(yīng)用中。半導(dǎo)體器件包括集成電路或分立器件，該分立器件通過在半導(dǎo)體晶片之上沉積許多類型的材料的薄膜并且圖案化該材料的薄膜以形成集成電路而形成于半導(dǎo)體晶片上。
[0003]半導(dǎo)體器件通常被封裝在陶瓷或塑料的主體內(nèi)以保護(hù)其免受物理損壞和腐蝕。封裝還支持連接至器件所需要的電接觸。許多類型的封裝取決于被封裝的裸片的類型和預(yù)期用途是可用的。典型的封裝(例如封裝的尺寸、引腳計(jì)數(shù))可以遵守例如來自電子器件工程聯(lián)合委員會(huì)(JEDEC)的開放標(biāo)準(zhǔn)。封裝也可以被稱為半導(dǎo)體器件組裝或僅僅被稱為組裝。
[0004]封裝可以是成本高昂的工藝，這是由于將多個(gè)電連接連接至外部焊盤而同時(shí)保護(hù)這些電連接和下面的芯片的復(fù)雜性。
[0005]經(jīng)封裝的器件被安裝在印刷電路板或其它等效部件上以用于與其它部件連接。在許多應(yīng)用中，在印刷電路板上或最終設(shè)備(例如手持設(shè)備)內(nèi)的空間有限。因此在一些設(shè)計(jì)中封裝被相互堆疊。然而，當(dāng)部件必須被包裝在有限空間內(nèi)時(shí)，豎直堆疊可能是不夠的。備選地，在單個(gè)封裝內(nèi)豎直堆疊的裸片由于更復(fù)雜的封裝工藝而更加昂貴，并且必須預(yù)先設(shè)計(jì)并因此無法為客戶提供靈活性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，一種半導(dǎo)體模塊包括:第一半導(dǎo)體封裝，包括被設(shè)置在第一包封劑中的第一半導(dǎo)體裸片；在第一包封劑中的開口 ；以及第二半導(dǎo)體封裝，包括被設(shè)置在第二包封劑中的第二半導(dǎo)體裸片。第二半導(dǎo)體封裝至少部分地被設(shè)置在第一包封劑中的開口之內(nèi)。
[0007]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，一種半導(dǎo)體封裝包括被設(shè)置在第一包封劑中的第一半導(dǎo)體裸片、在第一包封劑中的開口，以及至少部分地被設(shè)置在第一包封劑中的開口之內(nèi)的第二半導(dǎo)體裸片。
[0008]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，一種形成半導(dǎo)體模塊的方法包括:提供半導(dǎo)體封裝，該半導(dǎo)體封裝包括被設(shè)置在第一包封劑中的半導(dǎo)體裸片；以及在半導(dǎo)體封裝的第一包封劑中形成開口以暴露半導(dǎo)體裸片的多個(gè)接觸金屬。然后在多個(gè)接觸金屬之上形成接觸焊盤。在開口之內(nèi)放置半導(dǎo)體部件并且將半導(dǎo)體部件附接至接觸焊盤。
[0009]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，一種形成半導(dǎo)體模塊的方法包括:提供半導(dǎo)體封裝，該半導(dǎo)體封裝包括:多個(gè)引線、由裸片墊支撐并且被設(shè)置在第一包封劑中的第一半導(dǎo)體裸片、將一個(gè)區(qū)域耦合至半導(dǎo)體封裝的多個(gè)引線中的引線的夾體。在半導(dǎo)體封裝的第一包封劑中形成開口以暴露夾體的頂表面的一部分。將半導(dǎo)體部件放置在開口之內(nèi)。將半導(dǎo)體部件附接至夾體的頂表面的暴露的部分?！緦＠綀D】

【附圖說明】
[0010]為了對(duì)本發(fā)明及其優(yōu)點(diǎn)的更完整理解，現(xiàn)參照如下描述連同附圖，在附圖中:
[0011]圖1包括圖1A-1B，圖1圖示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體模塊，其中圖1A圖示截面圖而圖1B圖不頂視圖；
[0012]圖2包括圖2A-2B，圖2圖示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體模塊，其中圖2A圖示截面圖而圖2B圖不頂視圖；
[0013]圖3包括圖3A-3C，圖3圖示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體模塊，其中圖3A和圖3B圖示截面圖而圖3C圖示頂視圖；
[0014]圖4圖示半導(dǎo)體模塊的截面圖的備選實(shí)施例；
[0015]圖5圖示根據(jù)本發(fā)明的備選實(shí)施例的具有溢出層的半導(dǎo)體模塊的截面圖；
[0016]圖6圖示根據(jù)本發(fā)明的備選實(shí)施例的具有突出半導(dǎo)體部件的半導(dǎo)體模塊；
[0017]圖7圖示根據(jù)本發(fā)明的備選實(shí)施例的半導(dǎo)體模塊，該半導(dǎo)體模塊具有被直接鍵合至基部半導(dǎo)體封裝的半導(dǎo)體部件而沒有附加的保護(hù)層；
[0018]圖8圖示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的在基部半導(dǎo)體模塊的制作期間被附接至引線框架的裸片；
[0019]圖9包括圖9A-9C，圖9圖示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的在附接互連之后的在制作期間的半導(dǎo)體封裝，其中圖9A和圖9B圖示不同類型的夾體而圖9C圖示作為互連的鍵合線；
[0020]圖10圖示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的在裸片周圍形成保護(hù)包封劑層之后的在制作期間的半導(dǎo)體封裝；
[0021]圖11圖示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的在包封劑層中形成開口之后的在制作期間的半導(dǎo)體封裝。
[0022]圖12圖示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的在暴露的開口中形成焊盤之后的在制作期間的半導(dǎo)體封裝；
[0023]圖13圖示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的在開口之上放置半導(dǎo)體部件之后的在制作期間的半導(dǎo)體封裝；
[0024]圖14圖示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的在制作期間的半導(dǎo)體封裝，其具有被設(shè)置在第一包封劑材料之上并且填充容納有半導(dǎo)體部件的開口的第二包封劑材料；
[0025]圖15圖示根據(jù)本發(fā)明的備選實(shí)施例的在第一包封劑材料之上形成開口之后的在制作期間的半導(dǎo)體模塊。
[0026]圖16圖示根據(jù)本發(fā)明的備選實(shí)施例的在開口之上放置半導(dǎo)體部件之后的在制作期間的半導(dǎo)體模塊；
[0027]圖17圖示根據(jù)本發(fā)明的備選實(shí)施例的在半導(dǎo)體部件之上形成另一包封劑之后的在制作期間的半導(dǎo)體模塊。
[0028]除非另外指明，則不同附圖中對(duì)應(yīng)的標(biāo)號(hào)和符號(hào)一般表示對(duì)應(yīng)的部分。繪制附圖以清楚地圖示實(shí)施例的相關(guān)方面并且未必按比例繪制。
【具體實(shí)施方式】
[0029]在下面詳細(xì)論述各實(shí)施例的制作和使用。然而應(yīng)當(dāng)理解的是本發(fā)明提供許多能夠在廣泛的特定環(huán)境中體現(xiàn)的可應(yīng)用的發(fā)明構(gòu)思。所論述的具體實(shí)施例僅僅說明制作和使用本發(fā)明的特定方式而不限制本發(fā)明的范圍。
[0030]將利用圖1描述本發(fā)明的結(jié)構(gòu)性實(shí)施例。將利用圖2-5描述其它的備選結(jié)構(gòu)性實(shí)施例。將利用圖8-14描述組裝半導(dǎo)體模塊的方法。將利用圖15-17描述組裝半導(dǎo)體模塊的備選實(shí)施例。
[0031]圖1包括圖1A-1B，圖1圖示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體模塊，其中圖1A圖示截面圖而圖1B圖不頂視圖。
[0032]在各實(shí)施例中，半導(dǎo)體模塊包括基部半導(dǎo)體封裝200和在半導(dǎo)體封裝200之上的半導(dǎo)體部件150。雖然在各實(shí)施例中示出了單個(gè)的半導(dǎo)體部件150，但是本發(fā)明的實(shí)施例包括堆疊在半導(dǎo)體封裝200之上的多于一個(gè)半導(dǎo)體部件。另外在一些實(shí)施例中，可以在半導(dǎo)體部件150之上堆疊一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體部件。
[0033]參照?qǐng)D1A，半導(dǎo)體封裝包括被嵌入在第一包封劑材料80內(nèi)的至少一個(gè)裸片50。裸片50被設(shè)置在引線框架10之上，引線框架10具有多個(gè)引線60以用于接觸半導(dǎo)體封裝。裸片50利用第一粘結(jié)劑層被附接至引線框架10，第一粘結(jié)劑層30可以是將裸片50固定至引線框架10的任何合適的材料。第一粘接劑層30可以是允許與裸片50的背面接觸的傳導(dǎo)性粘接劑。例如，裸片50的背面可以包括用于耦合裸片50的接觸焊盤。裸片50也可以具有在正面上的一個(gè)或多個(gè)接觸焊盤。裸片接觸焊盤可以包括傳導(dǎo)性材料，并且可以包括金、錫、銅、鋁、銀、鎳、鉬及其組合。在其它實(shí)施例中，半導(dǎo)體封裝可以包括任意類型的封裝，比如芯片級(jí)封裝，芯片級(jí)封裝包括晶片級(jí)工藝封裝或嵌入式晶片級(jí)工藝封裝、球柵陣列封裝、薄外形封裝、晶體管外形封裝及其它。在一個(gè)實(shí)施例中，半導(dǎo)體封裝是薄短外形封裝(thin short outline package)。
[0034]在各實(shí)施例中，裸片50可以通過各種類型的互連被耦合至多個(gè)引線60。例如在一個(gè)實(shí)施例中，第一夾體20A和第二夾體20B可以被設(shè)置在裸片50第一接觸區(qū)域和第二接觸區(qū)域之上，并且被嵌入在第一包封劑材料80內(nèi)。在備選實(shí)施例中，裸片50可以利用其它類型的互連(諸如鍵合線、引腳、帶以及其它合適的連接方式)進(jìn)行耦合。
[0035]第一和第二夾體20A和20B可以利用第二粘合劑層40被附接至裸片50中，第二粘合劑層40可以包括傳導(dǎo)層。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，第一粘結(jié)劑層30和第二粘結(jié)劑層40可以包括諸如氰化酯或環(huán)氧樹脂之類的聚合物，并且可以包括銀顆粒。在一個(gè)實(shí)施例中，第一粘結(jié)劑層30和第二粘結(jié)劑層40可以包括復(fù)合材料，復(fù)合材料包括在聚合物基體中的傳導(dǎo)性顆粒。在備選實(shí)施例中，第一粘結(jié)劑層30和第二粘結(jié)劑層40可以包括傳導(dǎo)性納米漿料。備選地，在另一實(shí)施例中，第一粘結(jié)劑層30和第二粘結(jié)劑層40可以包括諸如鉛-錫材料之類的焊料。在各實(shí)施例中，可以使用包括金屬或金屬合金(比如鋁、鈦、金、銀、銅、鈀、鉬、鎳、鉻、或者鎳釩)的任意適合的傳導(dǎo)性粘結(jié)劑材料來形成第一粘結(jié)劑層30和第二粘結(jié)劑層40。
[0036]如圖1A所不,開口 100被設(shè)置于在裸片50上方的第一包封材料80中。在一個(gè)實(shí)施例中，開口 100可以暴露裸片50的一個(gè)或多個(gè)接觸焊盤。備選地，開口 100可以暴露在裸片50之上的金屬層。在一個(gè)實(shí)施例中，開口 100暴露第一和第二夾體20A和20B的一部分。
[0037]半導(dǎo)體部件150在開口 100內(nèi)被設(shè)置于在第一和第二夾體20A和20B之上。在各實(shí)施例中，半導(dǎo)體部件150可以被完全地設(shè)置在開口 100內(nèi)。備選地，在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體部件150可以突出到開口 100之外。
[0038]在各實(shí)施例中，半導(dǎo)體部件150可以是單裸片封裝或者可以包括多個(gè)裸片。在備選實(shí)施例中，半導(dǎo)體部件150可以在封裝之前包括半導(dǎo)體裸片。在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體部件150可以包括例如利用晶片級(jí)工藝生產(chǎn)的芯片級(jí)封裝。在其它實(shí)施例中，半導(dǎo)體部件150可以包括其它類型的封裝，比如球柵陣列封裝、薄短外形封裝、晶體管外形封裝及其它。
[0039]在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體部件150可以包括諸如電感器、電阻器和/或電容器之類的無源器件。在一個(gè)實(shí)施例中，半導(dǎo)體部件150包括例如是分立電感器、分立電阻器或分立電容器的分立無源器件。
[0040]如圖1A所示，半導(dǎo)體部件150可以包括部件焊盤140以用于將半導(dǎo)體部件150與在下面的第一和第二夾體20A和20B接觸和耦合。在一個(gè)實(shí)施例中，部件焊盤140可以直接被耦合至第一和第二夾體20A和20B。在備選實(shí)施例中，部件焊盤140可以利用例如是焊料材料、傳導(dǎo)性漿料及其它的粘結(jié)劑層被附接至第一和第二夾體20A和20B。
[0041 ] 在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，第二包封材料180可以被設(shè)置在半導(dǎo)體部件150之上。第二包封材料180可以部分地或者完全地填充開口 100。在一個(gè)實(shí)施例中，第一包封材料80和第二包封材料180可以包括相同的材料。然而在一些實(shí)施例中，第一包封材料80可以不同于第二包封材料180。具體而言，第二包封材料180可能必須在比第一包封材料80低的溫度形成(沉積和固化)。另外，第二包封材料180可能需要流入到半導(dǎo)體部件150與開口100的側(cè)壁之間的腔體中。因此，第二包封材料180可以被設(shè)計(jì)為比第一包封材料80更好地流動(dòng)。
[0042]如圖1A所示，第一包封材料80 (或基部半導(dǎo)體封裝200)具有第一厚度D1，該厚度Dl是基部半導(dǎo)體封裝的厚度。半導(dǎo)體部件150具有第二厚度D2，該厚度D2是小于第一厚度D1。然而，包括基部半導(dǎo)體封裝和半導(dǎo)體部件150的組合封裝具有第三厚度D3，該厚度D3小于第一厚度Dl與第二厚度D2之和。
[0043]圖1B圖示半導(dǎo)體封裝的頂視截面圖。如圖1B所示，第一和第二夾體20A和20B從裸片50之上向多個(gè)引線60延伸。半導(dǎo)體部件150在開口 100內(nèi)被設(shè)置第一和第二夾體20A和20B之上。
[0044]因此，在各實(shí)施例中，半導(dǎo)體部件使用基部半導(dǎo)體封裝的引線與外部部件接觸。
[0045]圖2包括圖2A-2B，圖2圖示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體模塊，其中圖2A圖示截面圖而圖2B圖示頂視圖。
[0046]在多個(gè)實(shí)施例中，半導(dǎo)體部件150可以被放置在半導(dǎo)體封裝之上的任意位置。例如，在圖2所示的一個(gè)實(shí)施例中，半導(dǎo)體部件150在多個(gè)夾體之上被放置半導(dǎo)體封裝的一側(cè)。
[0047]圖3包括圖3A-3C，圖3圖示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體模塊，其中圖3A和圖3B圖示截面圖而圖3C圖示頂視圖。
[0048]在備選實(shí)施例中，半導(dǎo)體部件150可以直接被放置在裸片50的接觸焊盤之上。如圖3A所示，基部半導(dǎo)體封裝200可以包括在第一主表面上具有多個(gè)接觸區(qū)域的裸片50。裸片50的第二主表面可以利用如在之前實(shí)施例中描述的粘結(jié)劑層30被耦合至引線框架的裸片墊(die paddle) 10。[0049]在各實(shí)施例中，裸片50可以被耦合至多個(gè)引線60。在一個(gè)實(shí)施例中，半導(dǎo)體部件150可以被耦合至重分布引線130，在一些實(shí)施例中重分布引線130可以被耦合至裸片50。備選地，一個(gè)或多個(gè)重分布引線130可以與裸片50電隔離。例如，半導(dǎo)體部件150的接觸焊盤可以被耦合至多個(gè)引線60中的引線而不被耦合至裸片50。
[0050]在一個(gè)實(shí)施例中，半導(dǎo)體部件150可以突出到第一包封材料80之外。在其它實(shí)施例中，半導(dǎo)體部件150可以被完全地設(shè)置在基部半導(dǎo)體封裝200之內(nèi)。
[0051 ] 在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，可以在基部半導(dǎo)體200或者第一包封材料80之上覆蓋第二包封材料180。第二包封材料180可以部分地或者完全地填充第一包封材料80內(nèi)的開口100。
[0052]圖3C圖示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體模塊的頂視圖。如圖3C所示，裸片50可以利用各種類型的互連被耦合至多個(gè)引線60。例如，圖3C示出第一夾體20A和第二夾體20B被耦合至多個(gè)引線60中的不同引線。另外，半導(dǎo)體部件150被耦合至第一重分布引線130A和第二重分布引線130B。重分布引線在各實(shí)施例中可以具有不同的形狀。例如在一個(gè)實(shí)施例中，圖示L形的重分布引線作為第二重分布引線130B。如在圖3C中進(jìn)一步圖示的，第一重分布引線130A被耦合至第一接觸焊盤140A，而第二重分布引線130B被耦合至第二接觸焊盤140B。第一和第二接觸焊盤140A和140B可以是半導(dǎo)體部件150的一部分。
[0053]在各實(shí)施例中，在裸片50上的一個(gè)或多個(gè)焊盤可以利用鍵合線75被耦合至多個(gè)引線60。在一個(gè)實(shí)施例中，裸片50可以是功率裸片，其被配置為以例如20V以上的較高電壓進(jìn)行操作。在一個(gè)實(shí)施例中，功率裸片的柵極區(qū)可以利用鍵合線75而被耦合，而功率裸片的源極區(qū)可以利用夾體類型互連而被耦合。本發(fā)明的實(shí)施例包括在圖2和圖3中描述的實(shí)施例的結(jié)合。例如在一個(gè)實(shí)施例中，第一部件可以如圖3那樣被堆疊在基部半導(dǎo)體封裝的接觸金屬之上，而第二部件可以如圖2那樣被堆疊在夾體之上。
[0054]圖4圖示半導(dǎo)體模塊的截面圖的備選實(shí)施例。
[0055]參照?qǐng)D4，半導(dǎo)體部件150被完全地設(shè)置在第一包封材料80的開口 100之內(nèi)。如圖所示，第二厚度D2可以小于開口 100的高度。在這樣的實(shí)施例中，基部半導(dǎo)體封裝200的第一厚度Dl與半導(dǎo)體模塊的第三厚度D3大致相同。
[0056]圖5圖示根據(jù)本發(fā)明的備選實(shí)施例的具有溢出層(overflow layer)的半導(dǎo)體模塊。
[0057]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，第二包封材料180可以具有覆蓋第一包封材料80的頂部主表面的溢出部。溢出層可以有助于防止在開口 100的拐角周圍的第二包封材料180的層離(delamination)。
[0058]圖6圖示根據(jù)本發(fā)明的備選實(shí)施例的、具有突出半導(dǎo)體部件的半導(dǎo)體模塊。
[0059]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，半導(dǎo)體部件150可以被鍵合至基部半導(dǎo)體封裝200的夾體。在一些實(shí)施例中，開口 100的高度可以小于半導(dǎo)體部件的高度(第二深度D2)。在這樣的實(shí)施例中，半導(dǎo)體部件150可以突出出來。另外如圖所示，在一些實(shí)施例中，可能無需附加的包封材料或保護(hù)材料。在一個(gè)實(shí)施例中，半導(dǎo)體部件150可以被直接鍵合，在此之后沒有進(jìn)一步的處理。這對(duì)于最小化處理成本而言可以是有用的，并且可以在低成本設(shè)施處執(zhí)行。
[0060]圖7圖示根據(jù)本發(fā)明的備選實(shí)施例的半導(dǎo)體模塊，該半導(dǎo)體模塊具有被直接鍵合至基部半導(dǎo)體封裝200的半導(dǎo)體部件而沒有附加的保護(hù)層。
[0061]在又一實(shí)施例中，半導(dǎo)體部件150被鍵合至基部半導(dǎo)體封裝200的鍵合焊盤或接觸焊盤。如在圖6的實(shí)施例中，在基部半導(dǎo)體封裝200之上沒有附加的保護(hù)層。因而在開口 100的側(cè)壁與半導(dǎo)體部件150之間保留有縫隙。在所示實(shí)施例中，半導(dǎo)體部件150被完全地設(shè)置在開口 100內(nèi)。同樣，由于它需要最少的處理步驟，所以這一實(shí)施例可以在低成本設(shè)施中執(zhí)行。
[0062]圖8至14圖示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體模塊的制作的各個(gè)階段。
[0063]圖8圖示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的在基部半導(dǎo)體模塊的制作期間被附接至引線框架的裸片；
[0064]在各實(shí)施例中，基部半導(dǎo)體封裝200可以是任意類型的封裝。在一個(gè)實(shí)施例中，基部半導(dǎo)體封裝200是引線框架封裝。圖8至10圖示根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的引線框架封裝的制作。然而如果基部半導(dǎo)體封裝有所不同，則本領(lǐng)域技術(shù)人員可以相應(yīng)地修改基部半導(dǎo)體封裝的制作。
[0065]例如可以利用常規(guī)處理對(duì)晶片進(jìn)行劃片以形成多個(gè)裸片50?？梢栽谥T如體硅襯底或絕緣體上硅(SOI)襯底的之類硅襯底上形成裸片50。備選地，裸片50可以是在硅碳化硅(SiC)上形成的器件。本發(fā)明的實(shí)施例還可以包括在復(fù)合半導(dǎo)體襯底上形成的器件，并且可以包括在異質(zhì)外延襯底上的器件。在一個(gè)實(shí)施例中，裸片50是至少部分地在氮化鎵(GaN)上形成的器件，該氮化鎵(GaN)可以是在藍(lán)寶石或硅襯底上的氮化鎵(GaN)。
[0066]在各實(shí)施例中，裸片50可以包括功率芯片，該功率芯片例如可以汲取(例如大于30安培的)大電流。在各實(shí)施例中，裸片50可以包括分立豎直器件，比如兩端子功率器件或三端子功率器件。裸片50的示例包括PIN或肖特基二極管、MISFET、JFET、BJT、IGBT或晶閘管。
[0067]在各實(shí)施例中，裸片50可以是被配置為在約20V至約1000V操作的豎直半導(dǎo)體器件。在一個(gè)實(shí)施例中，裸片50可以被配置為在約20V至約100V操作。在另一實(shí)施例中，裸片50可以被配置為在約100V至約500V操作。在又一實(shí)施例中，裸片50可以被配置為在約500V至約1000V操作。在一個(gè)實(shí)施例中，裸片50可以是NPN晶體管。在另一實(shí)施例中，裸片50可以是PNP晶體管。在又一實(shí)施例中，裸片50可以是η溝道MISFET。在再一實(shí)施例中，裸片50可以是P溝道MISFET。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，裸片50可以包括多個(gè)器件，比如豎直MISFET和二極管、或者備選地為被隔離區(qū)分開的兩個(gè)MISFET器件。
[0068]在各實(shí)施例中，裸片50的自頂表面至相對(duì)的底表面的厚度可以小于50 μ m。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，裸片50的自頂表面至底表面的厚度可以小于20 μ m。在一些實(shí)施例中，為了改善散熱，在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，裸片50的自頂表面至底表面的厚度可以小于10 μ m0
[0069]參照?qǐng)D8，在引線框架10之上放置裸片50?？梢岳玫谝徽辰Y(jié)劑層30將裸片50附接至引線框架10，在一個(gè)實(shí)施例中第一粘結(jié)劑層30可以是絕緣的。在一些實(shí)施例中，第一粘結(jié)劑層30可以是傳導(dǎo)性的，例如可以包括納米傳導(dǎo)性漿料。在備選實(shí)施例中，第一粘結(jié)劑層30是可焊接材料。
[0070]在一個(gè)實(shí)施例中，第一粘結(jié)劑層30包括諸如氰化酯或環(huán)氧樹脂材料之類的聚合物，并且可以包括銀顆粒。在一個(gè)實(shí)施例中，可以將第一粘結(jié)劑層30涂敷為在聚合物基體中的傳導(dǎo)性顆粒，以便在固化之后形成復(fù)合材料。在備選實(shí)施例中，可以涂敷諸如銀納米漿料之類的傳導(dǎo)性納米漿料。備選地，在另一實(shí)施例中，第一粘結(jié)劑層30包括諸如鉛-錫材料之類的焊料。在各實(shí)施例中，可以使用包括金屬或金屬合金(比如鋁、鈦、金、銀、銅、鈀、鉬、鎳、鉻、或者鎳釩)的任意適合的傳導(dǎo)性粘結(jié)劑材料來形成裸片附接層280。
[0071]可以在裸片50之下按受控?cái)?shù)量施與第一粘結(jié)劑層30。具有聚合物的第一粘結(jié)劑層30可以在約125°C至約200°C被固化，而基于焊料的第一粘結(jié)劑層30可以在250°C至約350°C被固化。利用第一粘結(jié)劑層30將裸片50附接至引線框架10的裸片墊。
[0072]圖9包括圖9A-9C，圖9圖示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的在附接互連之后的在制作期間的半導(dǎo)體封裝。圖9A和圖9B圖示不同類型的夾體而圖9C圖示作為互連的鍵合線。
[0073]參照?qǐng)D9A，在一個(gè)實(shí)施例，將多個(gè)夾體(例如第一夾體20A)附接至裸片50上的焊盤。例如可以同時(shí)在另一截面平面中附接其它夾體(未示出)?？梢栽诼闫?0之上形成第二粘結(jié)劑層40，并且可以利用第二粘結(jié)劑層40將第一夾具20A附接至裸片50。利用第二粘結(jié)劑層40將裸片50附接至第一夾體20A。參照?qǐng)D9A，可以利用第二粘結(jié)劑層40的另一部分將第一夾體20A的另一端附接至多個(gè)引線60中的引線。在各實(shí)施例中，可以按照與第一粘結(jié)劑層30相似的方式形成第二粘結(jié)劑層40。
[0074]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，第二粘結(jié)劑層40可以是導(dǎo)電的粘結(jié)劑層。在其它實(shí)施例中，第二粘結(jié)劑層40可以是軟焊料或納米裸片附接物。在一個(gè)實(shí)施例中，第二粘結(jié)劑層40包括諸如氰化酯或環(huán)氧樹脂材料之類的聚合物，并且可以包括銀顆粒。在一個(gè)實(shí)施例中，可以將第二粘結(jié)劑層40涂敷為在聚合物基體中的傳導(dǎo)性顆粒，以便在固化之后形成復(fù)合材料。在備選實(shí)施例中，可以涂敷諸如銀納米漿料之類的傳導(dǎo)性納米漿料。備選地，在另一實(shí)施例中，第二粘結(jié)劑層40包括諸如鉛-錫材料之類的焊料。在各實(shí)施例中，可以使用包括金屬或金屬合金(比如鋁、鈦、金、銀、銅、鈀、鉬、鎳、鉻、或者鎳釩)的任意適合的傳導(dǎo)性粘結(jié)劑材料來形成第二粘結(jié)劑層40?？梢栽诩s125°C至約200°C固化具有聚合物的第二粘結(jié)劑層40，而可以在250°C至約350°C固化基于焊料的第二粘結(jié)劑層40。
[0075]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，利用接線鍵合工藝(圖9A)使用鍵合線75將在裸片50上的其它接觸焊盤耦合至引線框架10?？梢岳煤盖?qū)㈡I合線75焊接至引線框架10的引線60和接觸焊盤。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，可以使用高速接線鍵合設(shè)備來最小化形成接線鍵合的時(shí)間。在一些實(shí)施例中，在接線鍵合工藝期間可以使用圖像識(shí)別系統(tǒng)來對(duì)裸片50進(jìn)行定向。
[0076]圖9B圖示互連的備選實(shí)施例，在該互連中壓制、模制或彎曲夾體以形成與裸片50的接觸。圖9C圖示利用接線鍵合的另一備選實(shí)施例。線鍵合中的某些線鍵合可以更厚以支持更高的電流。例如，去往裸片50的源極接觸焊盤的源極接線鍵合75S可以比去往柵極接觸焊盤的柵極接線鍵合75G更厚。
[0077]圖10圖示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的在裸片周圍形成保護(hù)包封劑層之后的在制作期間的半導(dǎo)體模塊。
[0078]參照?qǐng)D10，在包括第一夾體20A的多個(gè)夾體、裸片50和引線框架10之上沉積第一包封材料80。在各實(shí)施例中，在整個(gè)第一夾體20A、裸片50和引線框架10之上覆蓋第一包封材料80。因而裸片50被嵌入在第一包封材料80內(nèi)。在一個(gè)實(shí)施例中，利用壓縮模制工藝來涂敷第一包封材料80。在壓縮模制中，可以將第一包封材料80放置到模制腔中，然后關(guān)閉模制腔以壓縮第一包封材料80。當(dāng)模制單個(gè)圖案時(shí)可以利用壓縮模制。在備選實(shí)施例中，例如在批處理中利用傳遞模制工藝來涂敷第一包封材料80，并且可以在固化工藝之后通過單片化來形成單獨(dú)的封裝。
[0079]在其它實(shí)施例中，可以利用注入模制、?；Ｖ?、粉料模制或液體模制來涂敷第一包封材料80。備選地，可以利用諸如模版或絲網(wǎng)印刷之類的印刷工藝來涂敷第一包封材料80。
[0080]在各實(shí)施例中，第一包封材料80包括介電材料,并且在一個(gè)實(shí)施例中可以包括模制化合物。在其它實(shí)施例中，第一包封材料80可以包括聚合物、生物聚合物、纖維浸潰聚合物(例如在樹脂中的碳纖維或玻璃纖維)、填充有顆粒的聚合物以及其它有機(jī)材料。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，第一包封材料80包括并非利用模制化合物以及諸如環(huán)氧樹脂和/或硅樹脂之類的材料形成的密封劑。在各實(shí)施例中，第一包封材料80可以由任意適當(dāng)?shù)挠操|(zhì)塑料、熱塑性塑料或熱固性材料、或者層壓板制成。第一包封材料80的材料在一些實(shí)施例中可以包括填充材料。在一個(gè)實(shí)施例中，第一包封材料80可以包括環(huán)氧樹脂材料和填充材料，該填充材料包括玻璃或像氧化鋁之類的其它電絕緣礦物填充材料或是有機(jī)填充材料的小顆粒。
[0081]可以將第一包封材料80固化，即經(jīng)受熱處理以硬化，因而形成保護(hù)裸片50、第一和第二粘結(jié)劑層30和40、第一夾體20A和引線框架10的密封。因此根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例形成基部半導(dǎo)體封裝200。
[0082]圖11圖示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的在包封劑層中形成開口之后的在制作期間的半導(dǎo)體封裝。
[0083]接著參照?qǐng)D11，可以在基部半導(dǎo)體封裝200內(nèi)形成開口 100。開口 100旨在于在裸片50上打開接觸區(qū)域。例如，開口 100可以在裸片50之上打開重分布金屬。備選地，開口 100可以打開第一夾體20A的區(qū)域。在一個(gè)實(shí)施例中可以利用蝕刻工藝來形成開口 100。在另一實(shí)施例中，可以利用激光工藝(例如局部加熱工藝)來形成開口 100。在各實(shí)施例中，可以利用化學(xué)、機(jī)械、等離子體和/或加熱工藝來形成開口 100。
[0084]圖12圖示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的在暴露的開口中形成焊盤之后的在制作期間的半導(dǎo)體封裝。
[0085]接著如圖12所示，在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，可以執(zhí)行電鍍工藝(galvanicprocess)以形成在裸片50之上的更大接觸區(qū)域。在一個(gè)實(shí)施例中，可以將裸片50的接觸焊盤暴露于電鍍工藝。電鍍工藝可以在裸片50的暴露的焊盤之上生長(zhǎng)銅層，由此形成電鍍焊盤55。
[0086]例如在一個(gè)實(shí)施例中，裸片50可以包括重分布線和/或下方凸塊金屬，該下方凸塊金屬可以包括多層。例如，堆疊可以包括傳導(dǎo)襯墊、種子層和在上面形成的薄傳導(dǎo)層。在各實(shí)施例中，開口 100可以暴露這些重分布線和/或下方凸塊金屬焊盤。
[0087]在各實(shí)施例中，可以通過電鍍工藝在這些重分布線之上形成附加的接觸焊盤(電鍍焊盤55)。在各實(shí)施例中，可以沉積諸如銅之類的電鍍金屬。盡管在一些實(shí)施例中可以使用其它適合的導(dǎo)體。在另外的實(shí)施例中，附加的接觸焊盤可以被配置為形成與被鍵合至基部半導(dǎo)體封裝200的半導(dǎo)體部件150的良好鍵合。在各實(shí)施例中，電鍍焊盤55可以包括多層，例如在一個(gè)實(shí)施例中包括Cu/N1、Cu/Ni/Pd/Au、Cu/NiMoP/Pd/Au或Cu/Sn。當(dāng)與半導(dǎo)體部件150的接觸材料組合時(shí)，可以選擇電鍍焊盤55的材料以形成焊料(例如共晶焊料)。
[0088]圖13圖示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的在開口之上放置半導(dǎo)體部件之后的在制作期間的半導(dǎo)體模塊。
[0089]接著參考圖13，在基部半導(dǎo)體封裝200中的開口 100之上定位半導(dǎo)體部件150?？梢詫雽?dǎo)體部件150附接至電鍍焊盤55。在各實(shí)施例中，可以利用納米傳導(dǎo)性漿料、焊料材料來執(zhí)行半導(dǎo)體部件150的附接。在另一個(gè)實(shí)施例中，將半導(dǎo)體部件150上的部件焊盤140鍵合至電鍍焊盤55。
[0090]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，可以利用電鍍工藝來裁剪重分布引線。如一個(gè)示例，可以加寬重分布引線以形成接觸焊盤。在另一示例中，可以在某些實(shí)施例中在開口 100內(nèi)形成新的重分布引線。
[0091]在一些實(shí)施例中，可以停止進(jìn)一步的處理。然而在備選實(shí)施例中，可以將半導(dǎo)體部件150密封在第二包封材料180之內(nèi)。
[0092]圖14圖示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的在制作期間的半導(dǎo)體封裝，其具有被設(shè)置在第一包封劑材料之上并且填充容納有半導(dǎo)體部件的開口的第二包封劑材料。
[0093]可以在基部半導(dǎo)體封裝200的主表面之上涂覆第二包封材料180。第二包封材料180可以填充進(jìn)入半導(dǎo)體部件150與開口 100的側(cè)壁之間的縫隙。在另外的實(shí)施例中，第二包封材料180可以是液體，其在半導(dǎo)體部件150下面流動(dòng)以填充半導(dǎo)體部件150與裸片50之間的任何空隙。
[0094]在各實(shí)施例中，在第一包封材料80的整個(gè)表面之上涂敷第二包封材料180，并且對(duì)第二包封材料180進(jìn)行固化。在一個(gè)實(shí)施例中，可以將第二包封材料180放入模制腔，然后關(guān)閉模制腔以壓縮第二包封材料180。在固化工藝之后可以獲得最終結(jié)構(gòu)。
[0095]圖15至17圖示根據(jù)本發(fā)明的備選實(shí)施例的在制作的各個(gè)階段期間的半導(dǎo)體模塊。
[0096]圖15圖示根據(jù)本發(fā)明的備選實(shí)施例的在第一包封劑材料之上形成開口之后的在制作期間的半導(dǎo)體模塊。
[0097]在圖15所示的實(shí)施例中，開口 100暴露夾體(諸如第一夾體20A)的一部分。電鍍工藝可以在第一夾體20A的暴露的部分之上形成附加的接觸焊盤或焊料層(圖示為電鍍焊盤55)。例如，在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中可以在第一夾體20A之上沉積Cu/N1、Cu/Ni/Pd/Au、Cu/NiMoP/Pd/Au 或 Cu/Sn 的多層堆疊。
[0098]圖16圖示根據(jù)本發(fā)明的備選實(shí)施例的在開口之上放置半導(dǎo)體部件之后的在制作期間的半導(dǎo)體模塊。在開口 100之上放置半導(dǎo)體部件150，并且例如通過應(yīng)用加壓和/或加熱將其鍵合至電鍍焊盤55 (圖16)。
[0099]圖17圖示根據(jù)本發(fā)明的備選實(shí)施例的在半導(dǎo)體部件之上形成另一包封劑之后的半導(dǎo)體模塊。
[0100]如圖17所示，在一些實(shí)施例中，可以利用第二包封材料180來可選地密封半導(dǎo)體部件150。備選地，在一些實(shí)施例中，可以避免進(jìn)一步的處理以最小化生產(chǎn)成本。
[0101]雖然已經(jīng)參照說明性實(shí)施例描述了本發(fā)明，但是這一描述并不旨在于在限制意義上理解。在參照描述后，本發(fā)明的說明性實(shí)施例以及其它實(shí)施例的各種修改和組合將對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員而言是顯而易見的。作為示例，在圖1-17中描述的實(shí)施例在備選實(shí)施例中可以互相組合。因此希望的是所附權(quán)利要求涵蓋任何這樣的修改或?qū)嵤├?br> [0102]雖然已經(jīng)詳細(xì)描述了本發(fā)明及其優(yōu)點(diǎn)，但是應(yīng)當(dāng)理解，可以在此做出各種改變、替換和變更而不偏離如所附權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍。例如，本領(lǐng)域技術(shù)人員將容易理解的是可以對(duì)本文描述的許多特征、功能、工藝和材料做出改變而仍在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
[0103]此外，本申請(qǐng)的范圍并不旨在于限于在說明書中描述的工藝、機(jī)器、制造、物質(zhì)組成、裝置、方法以及步驟的特定實(shí)施例。本領(lǐng)域技術(shù)人員將易于根據(jù)本發(fā)明的公開意識(shí)到根據(jù)本發(fā)明可以利用當(dāng)前現(xiàn)有的或有待之后開發(fā)的工藝、機(jī)器、制造、物質(zhì)組成、裝置、方法以及步驟，其與對(duì)應(yīng)的實(shí)施例執(zhí)行基本上相同的功能或者達(dá)到基本上相同的結(jié)果。因此，所附權(quán)利要求旨在于在其范圍內(nèi)包括此類工藝、機(jī)器、制造、物質(zhì)組成、裝置、方法以及步驟。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體模塊，包括: 第一半導(dǎo)體封裝，包括被設(shè)置在第一包封劑中的第一半導(dǎo)體裸片； 在所述第一包封劑中的開口；以及 第二半導(dǎo)體封裝，包括被設(shè)置在第二包封劑中的第二半導(dǎo)體裸片，其中所述第二半導(dǎo)體封裝至少部分地被設(shè)置在所述第一包封劑中的所述開口之內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體模塊，還包括: 被設(shè)置在所述第二半導(dǎo)體封裝之上的第三包封劑。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體模塊，其中所述第一半導(dǎo)體裸片和所述第二半導(dǎo)體裸片包括分立功率半導(dǎo)體。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體模塊，其中所述第一半導(dǎo)體封裝包括將在所述第一半導(dǎo)體裸片上的接觸焊盤耦合至引線的夾體，其中所述第二半導(dǎo)體封裝包括被耦合至所述夾體的一部分的接觸焊盤。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體模塊，其中所述第一半導(dǎo)體裸片包括接觸焊盤，其中所述第二半導(dǎo)體封裝包括被耦合至所述第一半導(dǎo)體裸片的所述接觸焊盤的接觸焊盤。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體模塊，還包括被設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體裸片之上的重分布層、被設(shè)置在所述重分布層上的接觸焊盤，所述第二半導(dǎo)體封裝包括被耦合至所述接觸焊盤的部件焊盤。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體模塊，其中所述第二半導(dǎo)體封裝包括電感器、電阻器和/或電容器。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體模塊，其中所述第二半導(dǎo)體封裝包括分立無源器件。
9.一種半導(dǎo)體模塊,包括: 半導(dǎo)體封裝，包括被設(shè)置在第一包封劑中的第一半導(dǎo)體裸片； 在所述第一包封劑中的開口 ；以及 第二半導(dǎo)體裸片，至少部分地被設(shè)置在所述第一包封劑中的所述開口之內(nèi)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體模塊，其中所述第二半導(dǎo)體裸片包括電感器、電阻器和/或電容器。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體模塊，其中所述第二半導(dǎo)體裸片包括分立無源器件。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體模塊，還包括: 被設(shè)置在所述第二半導(dǎo)體裸片和所述半導(dǎo)體封裝之上的第二包封劑。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體模塊，其中所述第一半導(dǎo)體裸片和所述第二半導(dǎo)體裸片包括分立功率半導(dǎo)體。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體模塊，其中所述第二半導(dǎo)體裸片突出到所述開口之外。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體模塊，其中所述第二半導(dǎo)體裸片被完全設(shè)置在所述開口之內(nèi)。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體模塊，其中所述半導(dǎo)體封裝包括將在所述第一半導(dǎo)體裸片上的接觸焊盤耦合至引線的夾體，其中所述第二半導(dǎo)體裸片包括被耦合至所述夾體的一部分的接觸焊盤，并且其中所述第二半導(dǎo)體裸片被設(shè)置在所述夾體之上。
17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體模塊，其中所述第一半導(dǎo)體裸片包括第一接觸焊盤，其中所述第二半導(dǎo)體裸片包括被附接至所述第一半導(dǎo)體裸片的所述第一接觸焊盤的第二接觸焊盤。
18.—種形成半導(dǎo)體模塊的方法，所述方法包括: 提供半導(dǎo)體封裝，所述半導(dǎo)體封裝包括被設(shè)置在第一包封劑中的半導(dǎo)體裸片； 在所述半導(dǎo)體封裝的所述第一包封劑中形成開口以暴露所述半導(dǎo)體裸片的多個(gè)接觸金屬； 在所述多個(gè)接觸金屬之上形成接觸焊盤； 在所述開口之內(nèi)放置半導(dǎo)體部件；以及 將所述半導(dǎo)體部件附接至所述接觸焊盤。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，還包括在所述半導(dǎo)體部件之上形成第二包封劑。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中在所述多個(gè)接觸金屬之上形成接觸焊盤包括執(zhí)行電化學(xué)沉積工藝。
21.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中將所述半導(dǎo)體部件附接至所述接觸焊盤包括使用鍵合工藝來電耦合所述半導(dǎo)體部件。
22.根據(jù)權(quán)利要求18 所述的方法，還包括在將所述半導(dǎo)體部件附接至所述接觸焊盤之后涂敷第二包封劑。
23.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中所述半導(dǎo)體裸片包括功率半導(dǎo)體裸片。
24.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中所述半導(dǎo)體部件包括被封裝在包封劑之內(nèi)的半導(dǎo)體裸片。
25.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中所述半導(dǎo)體部件包括在晶片單片化之后的半導(dǎo)體裸片。
26.—種形成半導(dǎo)體模塊的方法，所述方法包括: 提供半導(dǎo)體封裝，所述半導(dǎo)體封裝包括: 多個(gè)引線； 第一半導(dǎo)體裸片，其由裸片墊支撐并且被設(shè)置在第一包封劑中， 夾體，其將一個(gè)區(qū)域耦合至所述半導(dǎo)體封裝的所述多個(gè)引線中的引線； 在所述半導(dǎo)體封裝的所述第一包封劑中形成開口以暴露所述夾體的頂表面的一部分； 在所述開口之內(nèi)放置半導(dǎo)體部件；以及 將所述半導(dǎo)體部件附接至所述夾體的所述頂表面的暴露的所述部分。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的方法，還包括在所述半導(dǎo)體部件之上形成第二包封劑。
28.根據(jù)權(quán)利要求26所述的方法，還包括在暴露所述夾體的所述頂表面的所述部分之后通過執(zhí)行電化學(xué)沉積工藝來沉積接觸焊盤。
29.根據(jù)權(quán)利要求26所述的方法，還包括在附接所述半導(dǎo)體部件之后涂敷第二包封劑。
30.根據(jù)權(quán)利要求26所述的方法，其中所述半導(dǎo)體部件包括被封裝在包封劑內(nèi)的半導(dǎo)體裸片。
31.根據(jù)權(quán)利要求26所述的方法，其中所述半導(dǎo)體部件包括在晶片單片化之后的半導(dǎo)體裸片。
【文檔編號(hào)】H01L23/31GK103996663SQ201410053705
【公開日】2014年8月20日 申請(qǐng)日期:2014年2月17日 優(yōu)先權(quán)日:2013年2月18日
【發(fā)明者】R·奧特雷姆巴, J·赫格勞爾 申請(qǐng)人:英飛凌科技股份有限公司