一種薄膜晶體管及其制作方法、tft陣列基板、顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管制作方法，包括：形成半導(dǎo)體有源層和摻雜半導(dǎo)體有源層的步驟；形成源漏金屬層的步驟；形成溝道區(qū)域的步驟；在形成溝道區(qū)域的步驟之后，通過(guò)離子注入的方式，在所述溝道區(qū)域內(nèi)的半導(dǎo)體有源層表面注入用于降低TFT漏電流的離子的步驟。本發(fā)明還涉及一種薄膜晶體管、TFT陣列基板、顯示裝置。本發(fā)明的有益效果是：通過(guò)在溝道區(qū)域內(nèi)注入用于降低TFT漏電流的離子，提升TFT電學(xué)性能，并且可控的改變溝道區(qū)域半導(dǎo)體有源層的厚度。
【專利說(shuō)明】一種薄膜晶體管及其制作方法、TFT陣列基板、顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種薄膜晶體管及其制作方法、TFT陣列基板、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]薄膜晶體管液晶顯不器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display,簡(jiǎn)稱TFT-LCD)，具有體積小、功耗低、無(wú)輻射等特點(diǎn)，在當(dāng)前的平板顯示器市場(chǎng)中占據(jù)了主導(dǎo)地位。其中顯示畫面均勻、高解析度、無(wú)竄擾等是高品質(zhì)TFT-LCD的關(guān)鍵要求，而與此有關(guān)的是TFT的電性參數(shù)-漏電流(1ff )，漏電流是TFT的一個(gè)重要參數(shù)，若其過(guò)大，則影響TFT的開關(guān)特性，從而導(dǎo)致TFT-1XD出現(xiàn)顯示不均、發(fā)白、竄擾等顯示類缺陷。
[0003]目前設(shè)計(jì)的非晶硅TFT-1XD各類產(chǎn)品，采用背溝道刻蝕技術(shù)后，溝道區(qū)域表層為非晶硅層，此區(qū)域的膜質(zhì)如果有問(wèn)題，TFT的性能就會(huì)有較大影響。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供一種TFT陣列基板制作方法，改善溝道區(qū)域膜質(zhì)成分，其他膜層區(qū)域不受影響。
[0005]為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是:一種薄膜晶體管的制作方法，包括:
[0006]形成半導(dǎo)體有源層和摻雜半導(dǎo)體有源層的步驟；
[0007]形成源漏金屬層的步驟；
[0008]形成溝道區(qū)域的步驟；
[0009]在形成溝道區(qū)域的步驟之后，通過(guò)離子注入的方式，在所述溝道區(qū)域內(nèi)的半導(dǎo)體有源層表面注入用于降低TFT漏電流的離子的步驟。
[0010]進(jìn)一步的，所述離子為N離子、C離子或H離子。
[0011]進(jìn)一步的，具體包括:
[0012]在基板上沉積柵金屬層，通過(guò)構(gòu)圖工藝，得到柵極圖形；
[0013]在柵極上沉積柵絕緣層、半導(dǎo)體有源層和摻雜半導(dǎo)體有源層和源漏金屬層，通過(guò)構(gòu)圖工藝得到溝道區(qū)域以及源電極、漏電極的圖形，并在源電極、漏電極的圖形上的光刻膠剝離之前、通過(guò)離子注入的方式，在所述溝道區(qū)域內(nèi)的半導(dǎo)體有源層表面注入用于降低TFT漏電流的離子。
[0014]進(jìn)一步的，具體包括:
[0015]在基板上沉積源漏金屬層，通過(guò)構(gòu)圖工藝得到源電極、漏電極的圖形；
[0016]在源電極、漏電極上形成摻雜半導(dǎo)體有源層和半導(dǎo)體有源層，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成溝道區(qū)域；
[0017]通過(guò)離子注入的方式，在所述溝道區(qū)域內(nèi)的半導(dǎo)體有源層表面注入用于降低TFT漏電流的離子。[0018]進(jìn)一步的，所述離子注入方式，所采用的注入離子能量為20KV?80KV。
[0019]進(jìn)一步的，所述離子注入方式，所的注入離子劑量為2*1017/cm2?5*1018/cm2。
[0020]本發(fā)明還提供一種薄膜晶體管，所述薄膜晶體管采用上述的薄膜晶體管的制作方法制作得到。
[0021]進(jìn)一步的，所述離子為N離子時(shí)，所述離子為N離子時(shí)，所述半導(dǎo)體有源層注入離子部分所包含的S1、H、N的含量分別為30%?50%，4%?15%，35%?60%。
[0022]進(jìn)一步的，所述離子為C離子時(shí)，所述半導(dǎo)體有源層注入離子部分所包含的S1、H、C的含量分別為30%?50%，4%?15%，40%?60%。
[0023]本發(fā)明還提供一種TFT陣列基板，所述陣列基板包括上述的薄膜晶體管。
[0024]本發(fā)明還提供一種顯示裝置，所述顯示裝置包括上述的TFT陣列基板。
[0025]本發(fā)明的有益效果是:通過(guò)在溝道區(qū)域內(nèi)注入用于降低TFT漏電流的離子，提升TFT電學(xué)性能，并且可控的改變溝道區(qū)域半導(dǎo)體有源層的厚度。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0026]圖1表示本發(fā)明TFT陣列基板形成公共電極圖形后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖2表示本發(fā)明TFT陣列基板形成柵極圖形后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖3表示本發(fā)明TFT陣列基板形成溝道區(qū)域后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖4表示本發(fā)明TFT陣列基板在溝道區(qū)域內(nèi)注入離子示意圖；
[0030]圖5表示本發(fā)明TFT陣列基板形成鈍化層后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031]圖6表示本發(fā)明TFT陣列基本形成像素電極圖形后的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0032]以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明特征和原理進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明，所舉實(shí)施例僅用于解釋本發(fā)明，并非以此限定本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0033]本實(shí)施例提供一種薄膜晶體管的制作方法，包括:
[0034]形成半導(dǎo)體有源層和摻雜半導(dǎo)體有源層的步驟；
[0035]形成源漏金屬層的步驟；
[0036]形成溝道區(qū)域的步驟；
[0037]在形成溝道區(qū)域的步驟之后，通過(guò)離子注入的方式，在所述溝道區(qū)域內(nèi)的半導(dǎo)體有源層表面注入用于降低TFT漏電流的離子的步驟。
[0038]薄膜晶體管根據(jù)柵極和源漏極的位置可分為頂柵結(jié)構(gòu)和底柵結(jié)構(gòu)，底柵結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管的制作方法具體包括:
[0039]步驟一:在基板上沉積公共電極金屬層，通過(guò)構(gòu)圖工藝，得到公共電極圖形；
[0040]公共電極金屬層可以為一層透明的導(dǎo)電薄膜，該透明導(dǎo)電薄膜可以采用氧化銦錫(ΙΤ0)、氧化銦鋅、氧化鋁鋅等材料，形成公共電極金屬層的工藝可以采用濺射沉積形成，也可以為本領(lǐng)域技術(shù)人員所知的其它工藝，經(jīng)過(guò)曝光機(jī)圖形曝光，刻蝕液刻蝕形成透明公共電極圖形。
[0041]步驟二:在基板上沉積柵金屬層，通過(guò)構(gòu)圖工藝，得到柵極圖形；
[0042]柵金屬層的材料可以為鑰、鋁、鋁鎳合金、鑰鎢合金、鉻或銅等金屬，也可以使用上述幾種材料的組合結(jié)構(gòu)。形成柵金屬層的工藝可以采用濺射沉積形成，也可以為本領(lǐng)域技術(shù)人員所知的其它工藝，經(jīng)過(guò)曝光機(jī)圖形曝光，刻蝕液刻蝕形成柵極圖形。
[0043]步驟三:在柵極上沉積柵絕緣層、半導(dǎo)體有源層和摻雜半導(dǎo)體有源層和源漏金屬層，通過(guò)構(gòu)圖工藝得到溝道區(qū)域以及源電極、漏電極的圖形，并在源電極、漏電極的圖形上的光刻膠剝離之前、通過(guò)離子注入的方式，在所述溝道區(qū)域內(nèi)的半導(dǎo)體有源層表面注入用于降低TFT漏電流的離子；
[0044]通過(guò)化學(xué)氣相沉積gate SiNx和a_Si:H,分別作為柵絕緣層和半導(dǎo)體有源層和摻雜半導(dǎo)體有源層，然后通過(guò)濺射沉積金屬層形成源漏金屬層，然后經(jīng)過(guò)曝光機(jī)圖形曝光，刻蝕，形成TFT溝道區(qū)域。源漏金屬層的材料可以為鑰、鋁、鋁鎳合金、鑰鎢合金、鉻或銅等金屬，也可以使用上述幾種材料的組合結(jié)構(gòu)。柵絕緣層的材料可以采用氧化物、氮化物或氧氮化合物。
[0045]步驟四:在所述源電極、漏電極上形成包括有接觸過(guò)孔的鈍化層的圖形；鈍化層的形成對(duì)TFT溝道區(qū)域進(jìn)行保護(hù)，防止水分等物質(zhì)的侵蝕。
[0046]步驟五:在所述鈍化層上形成像素電極圖形，所述像素電極通過(guò)所述接觸過(guò)孔與所述漏電極相連接。
[0047]在鈍化層上沉積一層透明的導(dǎo)電薄膜，該透明導(dǎo)電薄膜可以采用氧化銦錫(ΙΤ0)、氧化銦鋅、氧化鋁鋅等材料，形成導(dǎo)電薄膜的工藝可以采用濺射沉積形成，也可以為本領(lǐng)域技術(shù)人員所知的其它工藝，經(jīng)過(guò)曝光機(jī)圖形曝光，刻蝕液刻蝕形成透明像素電極圖形。
[0048]頂柵結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管的制作方法具體包括:
[0049]步驟一:在基板上沉積金屬層，通過(guò)構(gòu)圖工藝，得到像素電極圖形；
[0050]沉積一層透明的導(dǎo)電薄膜，該透明導(dǎo)電薄膜可以采用氧化銦錫(ΙΤ0)、氧化銦鋅、氧化鋁鋅等材料，形成導(dǎo)電薄膜的工藝可以采用濺射沉積形成，也可以為本領(lǐng)域技術(shù)人員所知的其它工藝，經(jīng)過(guò)曝光機(jī)圖形曝光，刻蝕液刻蝕形成透明像素電極圖形。
[0051]步驟二:在基板上沉積源漏金屬層，通過(guò)構(gòu)圖工藝得到源電極、漏電極的圖形；
[0052]通過(guò)化學(xué)氣相沉積gate SiNx和a_Si:H,分別作為柵絕緣層和半導(dǎo)體有源層和摻雜半導(dǎo)體有源層，然后通過(guò)濺射沉積金屬層形成源漏金屬層，然后經(jīng)過(guò)曝光機(jī)圖形曝光，刻蝕，形成TFT溝道區(qū)域。源漏金屬層的材料可以為鑰、鋁、鋁鎳合金、鑰鎢合金、鉻或銅等金屬，也可以使用上述幾種材料的組合結(jié)構(gòu)。柵絕緣層的材料可以采用氧化物、氮化物或氧氮化合物。
[0053]步驟三:在源電極、漏電極上形成摻雜半導(dǎo)體有源層和半導(dǎo)體有源層，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成溝道區(qū)域；
[0054]將溝道區(qū)域注入N離子，使表面一部分膜層成分變?yōu)镾iNx，這樣可提高溝道表面層的穩(wěn)定，當(dāng)然也可以注入H離子，C離子等以達(dá)到提高溝道區(qū)域表面層的穩(wěn)定。
[0055]步驟四:通過(guò)構(gòu)圖工藝在半導(dǎo)體有源層上形成柵絕緣層和柵極圖形。
[0056]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，以底柵結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管為例對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0057]在本發(fā)明的實(shí)施例中，構(gòu)圖工藝，包括曝光、顯影、刻蝕等形成圖形的工藝；源漏金屬層，指形成源漏電極的金屬。一次構(gòu)圖工藝，指使用一張掩模板(mask)的構(gòu)圖工藝。
[0058]本發(fā)明實(shí)施例提供一種TFT陣列基板的制造方法，參照?qǐng)D1?圖6對(duì)該方法進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
[0059]步驟一、形成公共電極圖形。
[0060]此步驟可以采用任何可以通過(guò)一次構(gòu)圖工藝實(shí)現(xiàn)的現(xiàn)有技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)。比如，利用普通掩摸工藝實(shí)現(xiàn)，如圖1所示，借助普通掩膜版(圖中未示出)對(duì)襯底基板201上的金屬層(圖中未示出)進(jìn)行圖案化，以形成的圖案化的公共電極202的圖形。具體地，包括:在基板上沉積公共電極金屬層，利用普通掩摸板進(jìn)行曝光、顯影和刻蝕，得到公共電極圖形。
[0061]普通(常規(guī))掩膜版指通常所使用的具有透光區(qū)和非透光區(qū)的掩膜版，借助該第一常規(guī)掩膜版對(duì)形成在公共電極金屬層上的光刻膠層進(jìn)行曝光顯影后，需要保留的公共電極金屬層上覆蓋有光刻膠，而不需要保留的公共電極金屬層上的光刻膠被去除，通過(guò)刻蝕步驟，將不需要的公共電極金屬層刻蝕掉，剩余的公共電極金屬層即為所需的圖案化的公共電極202。
[0062]公共電極金屬層采用氧化銦錫(ITO)，形成公共電極金屬層的工藝可以為濺射工藝，也可以為本領(lǐng)域技術(shù)人員所知的其它工藝。
[0063]步驟二:形成柵極圖形
[0064]此步驟可以采用任何可以通過(guò)一次構(gòu)圖工藝實(shí)現(xiàn)的現(xiàn)有技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)。比如，利用普通掩摸工藝實(shí)現(xiàn)，如圖2所示，借助普通掩膜版(圖中未示出)對(duì)襯底基板201上的柵極金屬層(圖中未示出)進(jìn)行圖案化，以形成的圖案化的包括柵極203的圖形。具體地，包括:在基板上沉積柵金屬層，利用普通掩摸板進(jìn)行曝光、顯影和刻蝕，得到包括柵極203的圖形。
[0065]普通(常規(guī))掩膜版指通常所使用的具有透光區(qū)和非透光區(qū)的掩膜版，借助該第一常規(guī)掩膜版對(duì)形成在柵極金屬層上的光刻膠層進(jìn)行曝光顯影后，需要保留的柵極金屬層上覆蓋有光刻膠，而不需要保留的柵極金屬層上的光刻膠被去除，通過(guò)刻蝕步驟，將不需要的柵極金屬層刻蝕掉，剩余的柵極金屬層即為所需的圖案化的柵極203。
[0066]形成柵極金屬層的工藝可以為濺射工藝，也可以為本領(lǐng)域技術(shù)人員所知的其它工藝。
[0067]步驟三:形成柵絕緣層204、半導(dǎo)體有源層205、摻雜半導(dǎo)體有源層211、和溝道區(qū)域206，并在溝道區(qū)域半導(dǎo)體有源層205表面注入用于降低TFT漏電流的離子，形成離子注入層210。
[0068]如圖3所示,通過(guò)化學(xué)氣相沉積gate SiNx和a_Si:H,分別作為柵極絕緣層204和半導(dǎo)體有源層205，然后濺射沉積源漏金屬層207，在源漏金屬層207上涂布光刻膠，源漏金屬層207與半導(dǎo)體有源層205之間設(shè)有摻雜半導(dǎo)體有源層211，所述摻雜半導(dǎo)體有源層為磷摻雜半導(dǎo)體有源層(n+a-Si)，位于有源層與源漏金屬層之間，目的是降低接觸電阻。
[0069]利用灰色調(diào)或半色調(diào)掩模板對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光和顯影，形成完全去除區(qū)、對(duì)應(yīng)源電極、漏電極的完全保留區(qū)和對(duì)應(yīng)溝道區(qū)域的部分保留區(qū)，之后刻蝕掉完全去除區(qū)的半導(dǎo)體有源層205和摻雜半導(dǎo)體有源層211、源漏金屬層207，去除掉所述部分保留區(qū)的光刻膠，之后先刻蝕掉部分保留區(qū)的源漏金屬層207摻雜半導(dǎo)體有源層211，形成薄膜晶體管的溝道區(qū)域206。
[0070]在本步驟工藝的過(guò)程中，TFT溝道部分，半導(dǎo)體有源層a-S1:H層的厚度及其膜質(zhì)成分都會(huì)對(duì)TFT特性起著決定性作用，TFT溝道的a-Si:H層部分，需要背溝道處理，才能提升TFT性質(zhì)(譬如降低光照漏電流photo 1ff)。
[0071]在對(duì)應(yīng)源電極、漏電極的完全保留區(qū)光刻膠剝離之前，在溝道區(qū)域處采用離子注入的方法，將溝道區(qū)域a-S1:H層(半導(dǎo)體有源層205)注入N離子，使a-S1:H層表面一部分膜層成分變?yōu)镾iNx，這樣可提高溝道表面層的穩(wěn)定，并且a-S1:H層的厚度，可以由注入離子的能量不同，可控的改變溝道a-S1:H層的厚度，而且注入的離子比的調(diào)節(jié)，可調(diào)整S1-H健和N-H鍵的比例，改善光照漏電流過(guò)大(photo 1ff), TFT 1n改善溝道處TFT的電學(xué)性，而不引起其他膜層的電學(xué)和膜質(zhì)較大變化，從而達(dá)到實(shí)現(xiàn)TFT性能提升的目的，圖4中，箭頭方向所指為離子注入的位置。
[0072]本實(shí)施例中通過(guò)注入N離子的方式以降低TFT漏電流的原理如下:
[0073]本發(fā)明實(shí)施例提供的TFT陣列基板的制造方法中，不改變正常的mask工序，在溝道區(qū)域內(nèi)注入用于降低TFT漏電流的離子，提升了 TFT電學(xué)性能，尤其是在對(duì)應(yīng)源電極、漏電極的完全保留區(qū)的光刻膠剝離之前，在溝道區(qū)域內(nèi)注入離子，使得其他膜層不受影響，在溝道區(qū)域處采用離子注入的方法，將溝道區(qū)域a-Si:H層(半導(dǎo)體有源層)注入N離子，注入N離子使a-S1:H層表面一部分膜層成分變?yōu)镾iNx，這樣可提高溝道表面層的穩(wěn)定。因?yàn)閍-S1:H層中的H在a-S1:H層中擴(kuò)散，容易引起弱S1-Si鍵的斷裂和H的聚集，受到光照后會(huì)發(fā)生不同的反應(yīng)，在其內(nèi)部產(chǎn)生缺陷而使薄膜性能下降，進(jìn)而產(chǎn)生光致漏電流。半導(dǎo)體有源層a-S1:H層性能的衰退與S1-Si弱鍵有關(guān)，要提高其穩(wěn)定性，應(yīng)盡可能的消除或減少鍵能較弱的S1-Si鍵。所以在a-S1:H層中引入N離子，可以將鍵能較弱的S1-Si鍵打斷，形成鍵能相對(duì)較強(qiáng)的S1-N鍵，從而降低a-S1:H層中多包含的S1-Si鍵的比例，達(dá)到膜質(zhì)穩(wěn)定的目的，從而達(dá)到實(shí)現(xiàn)TFT電學(xué)穩(wěn)定的目的。
[0074]并且a-S1:H層的厚度，可以由注入離子的能量不同來(lái)進(jìn)行調(diào)控，因?yàn)樽⑷腚x子的能量不同，則離子到達(dá)膜層的深度會(huì)不一樣，這樣就會(huì)形成可控厚度的SiNx層(離子注入層210)，從而達(dá)到可控的改變溝道區(qū)域a-S1:H層的離子注入層210的厚度的目的；同時(shí)可達(dá)到的調(diào)節(jié)a-S1:H層中離子比的目的，因?yàn)樽⑷隢離子會(huì)引起膜層里面原子的重新成鍵，而注入N離子含量的不同能夠調(diào)整S1-H健和N-H鍵的比例，改善光照漏電流過(guò)大(photo1ff)，TFT 1n改善溝道處TFT的電學(xué)性，而不引起其他膜層的電學(xué)和膜質(zhì)較大變化，從而達(dá)到實(shí)現(xiàn)TFT性能提升的目的。
[0075]進(jìn)一步的，所述離子注入方式，所采用的注入離子能量為20KV?80KV，但并不以此為限。
[0076]進(jìn)一步的，所述離子注入方式，所的注入離子劑量為2*1017/cm2?5*1018/cm2，但并不以此為限。
[0077]本發(fā)明還提供一種薄膜晶體管，所述薄膜晶體管采用上述的薄膜晶體管的制作方法制作得到。
[0078]進(jìn)一步的，所述離子為N離子時(shí)，所述離子為N離子時(shí)，所述半導(dǎo)體有源層注入離子部分所包含的S1、H、N的含量分別為30%?50%，4%?15%，35%?60%。
[0079]進(jìn)一步的，所述離子為C離子時(shí)，所述半導(dǎo)體有源層注入離子部分所包含的S1、H、C的含量分別為30%?50%，4%?15%，40%?60%。
[0080]所述離子可以為N離子，也可以為C離子或H離子，也可以是其他離子，可以打斷S1-Si鍵，以避免半導(dǎo)體有源層內(nèi)部產(chǎn)生缺陷而使薄膜性能下降即可。
[0081]本實(shí)施例中通過(guò)注入H離子的方式以降低TFT漏電流的原理為:注入H離子，改變Si含量和H含量的配比，無(wú)摻雜的a-si薄膜(半導(dǎo)體有源層)，懸掛鍵密度很高，電學(xué)性質(zhì)差，不能滿足器件的應(yīng)用要求，H離子的引入可以飽和或者部分飽和薄膜中的懸掛鍵缺陷態(tài)，通過(guò)離子注入的方式注入H離子，可以進(jìn)一步調(diào)節(jié)有源導(dǎo)電層(半導(dǎo)體有源層)中H離子含量，從而使懸掛鍵的密度降低，以達(dá)到膜質(zhì)的穩(wěn)定的目的，從而達(dá)到實(shí)現(xiàn)TFT電學(xué)穩(wěn)定的目的。
[0082]步驟四:在所述源電極、漏電極圖形上形成包括有接觸過(guò)孔的鈍化層208的圖形。
[0083]如圖4所示，在完成第二次構(gòu)圖工藝的基板201上沉積鈍化層208，具體地，可以通過(guò)化學(xué)氣相沉積工藝沉積厚度為2000 ~ 5000 A的鈍化層208，鈍化層208可以選用氧化物、氮化物或者氧氮化合物，鈍化層208可以是單層結(jié)構(gòu)也可以是多層結(jié)構(gòu)，對(duì)應(yīng)的反應(yīng)氣體可以為SiH4, NH3, N2或SiH2Cl2, NH3, N2。在鈍化層上涂布光刻膠，利用掩模板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光和顯影之后進(jìn)行刻蝕，形成包括有接觸過(guò)孔的鈍化層208的圖形。
[0084]步驟五:所述鈍化層上形成像素電極209的圖形，所述像素電極209通過(guò)所述接觸過(guò)孔與所述漏電極相連接。
[0085]如圖5所示，具體的，可以通過(guò)濺射或熱蒸發(fā)的方法在形成有鈍化層208的基板
201上沉積厚度力300 ~ 1500人的透明導(dǎo)電層，透明導(dǎo)電層可以采用ITO或者ΙΖ0，或者
其他的透明金屬氧化物。在透明導(dǎo)電層上涂布光刻膠，利用掩模板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光和顯影之后進(jìn)行刻蝕，形成像素電極209，像素電極209通過(guò)接觸過(guò)孔與漏電極相連接。
[0086]以上所述為本發(fā)明較佳實(shí)施例，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明所述原理的前提下，還可以作出若干潤(rùn)飾和改進(jìn)，這些潤(rùn)飾和改進(jìn)也應(yīng)視為本發(fā)明保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，包括: 形成半導(dǎo)體有源層和摻雜半導(dǎo)體有源層的步驟； 形成源漏金屬層的步驟； 形成溝道區(qū)域的步驟； 在形成溝道區(qū)域的步驟之后，通過(guò)離子注入的方式，在所述溝道區(qū)域內(nèi)的半導(dǎo)體有源層表面注入用于降低TFT漏電流的離子的步驟。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述離子為N離子、C離子或H離子。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，具體包括: 在基板上沉積柵金屬層，通過(guò)構(gòu)圖工藝，得到柵極圖形； 在柵極上沉積柵絕緣層、半導(dǎo)體有源層和摻雜半導(dǎo)體有源層和源漏金屬層，通過(guò)構(gòu)圖工藝得到溝道區(qū)域以及源電極、漏電極的圖形，并在源電極、漏電極的圖形上的光刻膠剝離之前、通過(guò)離子注入的方式，在所述溝道區(qū)域內(nèi)的半導(dǎo)體有源層表面注入用于降低TFT漏電流的離子。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，具體包括: 在基板上沉積源漏金屬層，通過(guò)構(gòu)圖工藝得到源電極、漏電極的圖形； 在源電極、漏電極上形成摻雜半導(dǎo)體有源層和半導(dǎo)體有源層，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成溝道區(qū)域； 通過(guò)離子注入的方式，在所述溝道區(qū)域內(nèi)的半導(dǎo)體有源層表面注入用于降低TFT漏電流的離子。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述離子注入方式，所采用的注入離子能量為20KV?80KV。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述離子注入方式，所注入的離子劑量為2*1017/cm2?5*1018/cm2。
7.一種薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管采用如權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管的制作方法制作得到。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述離子為N離子時(shí)，所述半導(dǎo)體有源層注入離子部分所包含的S1、H、N的含量分別為30%?50%，4%?15%，35%?60%。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述離子為C離子時(shí)，所述半導(dǎo)體有源層注入離子部分所包含的S1、H、C的含量分別為30%?50%，4%?15%，40%?60%。
10.一種TFT陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括如權(quán)利要求7-9所述的薄膜晶體管。
11.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括如權(quán)利要求10所述的TFT陣列基板。
【文檔編號(hào)】H01L21/265GK103824779SQ201410054172
【公開日】2014年5月28日 申請(qǐng)日期:2014年2月18日 優(yōu)先權(quán)日:2014年2月18日
【發(fā)明者】王守坤, 郭會(huì)斌, 劉曉偉, 馮玉春, 郭總杰 申請(qǐng)人:北京京東方顯示技術(shù)有限公司, 京東方科技集團(tuán)股份有限公司