檢測方法、包括該方法的基板處理方法及基板處理裝置制造方法
【專利摘要】半導(dǎo)體制造裝置和利用該半導(dǎo)體制造裝置的半導(dǎo)體制造方法，具體涉及利用等離子體的基板處理裝置和利用該基板處理裝置的基板處理方法。根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的基板處理方法包括：傳送步驟，基板傳送到腔體內(nèi)部的處理空間；夾緊步驟，第1氣體供給到上述處理空間并激發(fā)為等離子體狀態(tài)，上述基板固定在支承部件上；基板處理步驟，第2氣體供給到上述處理空間并激發(fā)為等離子體狀態(tài)，對上述基板實(shí)施利用上述等離子體的工序；以及檢測步驟，接受上述腔體內(nèi)部的光并分析所接受的上述光從而檢測上述腔體內(nèi)部狀況，在上述檢測步驟中測量上述腔體內(nèi)部狀況，從而決定是否實(shí)施上述基板處理步驟。
【專利說明】檢測方法、包括該方法的基板處理方法及基板處理裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造裝置和利用該半導(dǎo)體制造裝置的半導(dǎo)體制造方法，具體涉及利用等離子體的基板處理裝置和利用該基板處理裝置的基板處理方法。
【背景技術(shù)】
[0002]為了制造半導(dǎo)體元件而對基板實(shí)施光刻、蝕刻、灰化、注入離子、沉積薄膜以及清洗等多種工序，從而在基板上形成所需的圖案。其中，蝕刻工序是去除形成在基板上的膜中被選擇的區(qū)域的工序，其使用濕式蝕刻和干式蝕刻。
[0003]其中，利用等離子體的蝕刻裝置用于干式蝕刻。通常，為了形成等離子體而在腔體的內(nèi)部空間中形成電磁場，電磁場使向腔體內(nèi)提供的處理氣體激發(fā)為等離子體狀態(tài)。
[0004]等離子體是指由離子或電子、自由基等構(gòu)成的被離子化的氣體狀態(tài)。等離子體根據(jù)非常高的溫度、強(qiáng)電場或高頻電磁場(RF Electromagnetic Fields)而生成。在半導(dǎo)體元件制造工序中使用等離子體來實(shí)施蝕刻工序。蝕刻工序是通過等離子體所包含的離子粒子撞擊基板而實(shí)施的。
[0005]通常，在利用等離子體的基板處理工序中，腔體狀況(condition)因隨著工序的進(jìn)行而沉積在腔體內(nèi)部的副產(chǎn)物而發(fā)生變化。并且，基于等離子體源(plasma source)產(chǎn)生的等離子體也可以根據(jù)工序而其狀態(tài)不同。根據(jù)這種腔體內(nèi)部的狀況或等離子體的狀況處理的基板產(chǎn)生不良等，可能會導(dǎo)致基板處理工序的可靠性產(chǎn)生問題。但是，不存在針對根據(jù)每實(shí)施工序時不同的腔體的狀況或者等離子體的狀況的標(biāo)準(zhǔn)化測量方法，從而存在不能進(jìn)行準(zhǔn)確的分析的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的一目的在于，提供對在基板處理工序中發(fā)生變化的腔體內(nèi)部的狀況進(jìn)行測量的基板處理方法及基板處理裝置。
[0007]并且，本發(fā)明的一目的在于，對在基板處理工序中發(fā)生變化的等離子體的狀況進(jìn)行測量的基板處理方法及基板處理裝置。
[0008]并且，本發(fā)明的一目的在于，提供根據(jù)所測量的腔體內(nèi)部的狀況和等離子體的狀況能夠提高基板處理工序的可靠性的基板處理方法及基板處理裝置。
[0009]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題并不限于上述的問題，所屬【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員能夠根據(jù)本說明書和附圖明確地理解未在上面說明的技術(shù)問題。
[0010]本發(fā)明提供檢測方法。
[0011]在根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的檢測方法，接受實(shí)施基板處理工序的腔體內(nèi)部的光，并將所接受的光分析，以檢測腔體內(nèi)部狀況。
[0012]能夠從所接受的上述光中分析等離子體的信息來檢測上述腔體內(nèi)部狀況。
[0013]上述等離子體可以從非活性氣體激發(fā)成等離子體狀態(tài)。
[0014]上述等離子體的信息可通過分析從上述光測量的第I線而被提供。[0015]通過根據(jù)所接受的上述光分析被吸附到上述腔體內(nèi)壁的副產(chǎn)物的信息來檢測上述腔體內(nèi)部狀況。
[0016]上述副產(chǎn)物的信息可通過對從上述光測量而得的第2線進(jìn)行分析而被提供。
[0017]可利用基于所接受的上述光的波長的光強(qiáng)度和提供給上述腔體內(nèi)部的氣體的量之比來檢測上述腔體內(nèi)部狀況。
[0018]并且，本發(fā)明提供基板處理方法。
[0019]根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的基板處理方法包括:傳送步驟，基板傳送到腔體內(nèi)部的處理空間；夾緊步驟，第I氣體供給到上述處理空間并激發(fā)為等離子體狀態(tài)，上述基板固定在支承部件上；基板處理步驟，第2氣體供給到上述處理空間并激發(fā)為等離子體狀態(tài)，對上述基板實(shí)施利用上述等離子體的工序；以及檢測步驟，接受上述腔體內(nèi)部的光并分析所接受的上述光從而檢測上述腔體內(nèi)部狀況，在上述檢測步驟中測量上述腔體內(nèi)部狀況，從而決定是否實(shí)施上述基板處理步驟。
[0020]上述檢測步驟可在上述夾緊步驟中實(shí)施(完成)。
[0021]在上述檢測步驟，可根據(jù)所接受的上述光分析上述等離子體的信息，由此檢測上述腔體內(nèi)部狀況。
[0022]上述第I氣體包含非活性氣體，上述等離子體的信息可通過分析根據(jù)上述光測量的第I線來提供。
[0023]在上述檢測步驟中，可通過根據(jù)所接受的上述光分析被吸附在上述腔體內(nèi)壁的副產(chǎn)物的信息來檢測上述腔體內(nèi)部狀況。
[0024]上述副產(chǎn)物的信息可通過分析根據(jù)上述光測量的第2線來提供。
[0025]上述第I氣體包含非活性氣體，在上述檢測步驟中，可通過將分析根據(jù)所接受的上述光測量的第I線的上述等離子體的信息以及分析根據(jù)上述光測量的第2線的吸附在上述腔體內(nèi)壁的副產(chǎn)物的信息綜合來檢測上述腔體內(nèi)部狀況。
[0026]在上述檢測步驟中，當(dāng)上述腔體內(nèi)部狀況不在已設(shè)定的范圍的情況下，在上述基板處理步驟前還可以包括精密檢測步驟，其在上述精密檢測步驟中檢測包括上述腔體的基板處理裝置是否異常。
[0027]上述檢測步驟可利用基于所接受的上述光的波長的光強(qiáng)度和提供給上述腔體內(nèi)部的氣體的量之比來檢測上述腔體內(nèi)部狀況。
[0028]上述基板處理方法還包括解裝步驟，第3氣體供給給上述處理空間并激發(fā)為等離子體狀態(tài)且為了向外部傳送上述基板而解除上述基板的固定，上述檢測步驟可在上述解裝步驟中實(shí)施。
[0029]在上述檢測步驟中，可通過根據(jù)所接受的上述光分析上述等離子體的信息來檢測上述腔體內(nèi)部狀況。
[0030]上述第3氣體包含非活性氣體，上述等離子體的信息可通過分析根據(jù)上述光測量的第I線來提供。
[0031]在上述檢測步驟中，可根據(jù)所接受的上述光分析被吸附在上述腔體內(nèi)壁的副產(chǎn)物的信息來檢測上述腔體內(nèi)部狀況。
[0032]上述副產(chǎn)物的信息可通過分析根據(jù)上述光測量的第2線來提供。
[0033]上述第3氣體包含非活性氣體，在上述檢測步驟中，將分析根據(jù)所接受的上述光測量的第I線的上述等離子體的信息以及分析根據(jù)上述光測量的第2線的吸附在上述腔體內(nèi)壁的副產(chǎn)物的信息進(jìn)行綜合，從而檢測上述腔體內(nèi)部狀況。
[0034]在上述檢測步驟中，可利用取決于所接受的上述光的波長的光強(qiáng)度和提供給上述腔體內(nèi)部的氣體的量之比來檢測上述腔體內(nèi)部狀況。
[0035]并且，本發(fā)明提供基板處理裝置。
[0036]根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的基板處理裝置包括:在內(nèi)部具有處理空間的腔體；位于上述腔體內(nèi)部且支承基板的支承單元；向上述處理空間提供處理氣體的氣體供給單元；在上述處理空間產(chǎn)生等離子體的等離子體源；位于上述腔體內(nèi)側(cè)壁并且根據(jù)所接受的光測量上述腔體的內(nèi)部狀況的傳感器單元；以及以利用上述傳感器單元測量的上述腔體內(nèi)部狀況為基準(zhǔn)控制是否實(shí)施基板處理工序的控制器，當(dāng)針對夾緊上述基板的步驟中利用的有關(guān)上述等離子體的信息不在已設(shè)定的范圍的情況下，上述控制器控制成終止利用上述等離子體的基板處理工序。
[0037]上述控制器可通過利用根據(jù)從上述傳感器單元接受的上述光的波長的光強(qiáng)度和提供給上述腔體內(nèi)部的氣體的量之比來檢測上述腔體內(nèi)部狀況。
[0038]上述傳感器單元可包括分光傳感器。
[0039]根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，可以提供測量在基板處理工序中發(fā)生變化的腔體內(nèi)部的狀況的基板處理方法及基板處理裝置。
[0040]并且，根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，可以提供測量在基板處理工序中發(fā)生變化的等離子體的狀況的基板處理方法及基板處理裝置。
[0041]并且，根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，可以提供根據(jù)所測量的腔體內(nèi)部的狀況和等離子體的狀況能夠提高基板處理工序的可靠性的基板處理方法及基板處理裝置。
[0042]本發(fā)明的效果并不限于上述的效果，本發(fā)明所屬【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員可根據(jù)本說明書及附圖明確了解未作說明的效果。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0043]圖1是表示根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的基板處理裝置的剖視圖。
[0044]圖2是表示根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的基板處理方法的流程圖。
[0045]圖3是表示在圖1所示的基板處理裝置中測量的等離子體及腔體內(nèi)部的狀況的圖。
【具體實(shí)施方式】
[0046]以下，參照附圖進(jìn)一步詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施例。本發(fā)明的實(shí)施例能夠以多種方式變形，而并不能解釋為本發(fā)明的范圍限定在下述的實(shí)施例。本實(shí)施例是為了給所屬【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員完整地說明而提供的。從而，為了進(jìn)一步明確的說明而夸張地示出了附圖中的要素的形狀。
[0047]圖1是表示根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的基板處理裝置的剖視圖。
[0048]如圖1所示，基板處理裝置10利用等離子體來處理基板W。例如，基板處理裝置10可對基板W實(shí)施蝕刻工序。基板處理裝置10包括:腔體100、支承單元200、氣體供給單元300、等離子體源400、擋板單元500、傳感器單元700以及控制器800。[0049]腔體100提供實(shí)施基板處理工序的空間。腔體100包括殼體110、密封蓋件120以及襯板130。
[0050]殼體110在內(nèi)部具有上面開放的空間。殼體110的內(nèi)部空間提供為實(shí)施基板處理工序的空間。殼體Iio由金屬材料形成。殼體110可由鋁材料形成。殼體110可被接地。在殼體110的底面形成排氣孔102。排氣孔102與排氣線151連接。在工序過程中產(chǎn)生的反應(yīng)副產(chǎn)物以及駐留在殼體的內(nèi)部空間的氣體可通過排氣線151向外部排出。根據(jù)排氣過程，殼體110內(nèi)部減壓至規(guī)定壓力。
[0051]密封蓋件120覆蓋殼體110的開放的上面。密封蓋件120形成為板形狀，并密封殼體110的內(nèi)部空間。密封蓋件120可以包括介電體(dielectric substance)窗。
[0052]襯板130形成在殼體110內(nèi)部。襯板130形成在上面和下面開放的空間的內(nèi)部。襯板130可以形成為圓筒形狀。襯板130可以具有與殼體110的內(nèi)側(cè)面相應(yīng)的半徑。襯板130沿著殼體110的內(nèi)側(cè)面形成。在襯板130的上端形成有支承環(huán)131。支承環(huán)131形成為環(huán)形狀的板，并且沿著襯板130的周圍向襯板130的外側(cè)突出。支承環(huán)131位于殼體110的上端，并支承襯板130。襯板130可以由與殼體110相同的材料形成。襯板130可以由鋁材料形成。襯板130保護(hù)殼體110內(nèi)側(cè)面。在激發(fā)處理氣體的過程中，在腔體100的內(nèi)部可能會發(fā)生弧光(Arc)放電?；」夥烹姄p壞周邊裝置。襯板130保護(hù)殼體110的內(nèi)側(cè)面以防止殼體110的內(nèi)側(cè)面因弧光放電而被損壞。并且，防止在基板處理工序中產(chǎn)生的雜質(zhì)沉積在殼體110的內(nèi)側(cè)壁。與殼體110相比，襯板130的費(fèi)用低、交換容易。由此，在襯板130因弧光放電而被損壞的情況下，工作人員能夠交換為新的襯板130。
[0053]在殼體110的內(nèi)部設(shè)置有支承單元200。支承單元200支承基板W。支承單元200可以包括利用靜電力來吸附基板W的靜電卡盤(Chuck)210。與此相對地，支承單元200還可以例如以機(jī)械夾緊等多種方式支承基板W。以下，說明包括靜電卡盤210的支承單元200。
[0054]支承單元200包括靜電卡盤210、絕緣板250以及下部蓋件270。在腔體100的內(nèi)部，支承單元200從殼體110的底面向上部間隔設(shè)置。
[0055]靜電卡盤210包括介電板220、電極223、加熱器225、支承板230以及聚焦環(huán)240。
[0056]介電板220位于靜電卡盤210的上端部。介電板220形成為圓板形狀的介電體(dielectric substance)。在介電板220的上表面設(shè)置有基板W。介電板220的上表面具有比基板W小的半徑。因此，基板W的邊緣區(qū)域位于介電板220的外側(cè)。在介電板220形成有第I供給流路221。第I供給流路221從介電板210的上表面向底面形成。第I供給流路221相隔地形成有多個，其用作向基板W的底面供給導(dǎo)熱介質(zhì)的通路。
[0057]在介電板220的內(nèi)部埋設(shè)有下部電極223和加熱器225。下部電極223位于加熱器225的上部。下部電極223與第I下部電源223a電連接。第I下部電源223a包括直流電源。在下部電極223與第I下部電源223a之間設(shè)置有開關(guān)223b。下部電極223能夠根據(jù)開關(guān)223b的導(dǎo)通/截止(0N/0FF)而與第I下部電源223a電連接。若開關(guān)223b導(dǎo)通(0N)，則直流電流施加至下部電極223。根據(jù)施加至下部電極223的電流，靜電力作用于下部電極223與基板W之間，根據(jù)靜電力，基板W吸附在介電板220。
[0058]加熱器225與第2下部電源225a電連接。加熱器225通過阻礙從第2下部電源225a施加的電流，從而產(chǎn)生熱。產(chǎn)生的熱通過介電板220傳遞到基板W。根據(jù)在加熱器225產(chǎn)生的熱，基板W保持規(guī)定溫度。加熱器225包括螺旋形狀的線圈。[0059]支承板230位于介電板220的下部。介電板220的底面和支承板230的上表面能夠通過粘合劑236粘接。支承板230能夠由鋁材料形成。支承板230的上表面可以形成為階梯狀，使得中心區(qū)域比邊緣區(qū)域高。支承板230的上表面中心區(qū)域具有與介電板220的底面相應(yīng)的面積，并且與介電板220的底面粘接。在支承板230形成有第I循環(huán)流路231、第2循環(huán)流路232以及第2供給流路233。
[0060]第I循環(huán)流路231用作導(dǎo)熱介質(zhì)循環(huán)的通路。第I循環(huán)流路231能夠在支承板230內(nèi)部形成為螺旋形狀?；蛘撸贗循環(huán)流路231能夠配置為具有互相不同的半徑的環(huán)形狀的流路具有相同的中心。各個第I循環(huán)流路231能夠互相連通。第I循環(huán)流路231形成在相同的高度上。
[0061]第2循環(huán)流路232用作冷卻流體循環(huán)的通路。第2循環(huán)流路232能夠在支承板230內(nèi)部形成為螺旋形狀。并且，第2循環(huán)流路232能夠配置為具有互相不同的半徑的環(huán)形狀的流路具有相同的中心。各個第2循環(huán)流路232可以互相連通。第2循環(huán)流路232可以具有比第I循環(huán)流路231大的截面積。第2循環(huán)流路232形成在相同的高度。第2循環(huán)流路232可以位于第I循環(huán)流路231的下部。
[0062]第2供給流路233從第I循環(huán)流路231向上部延伸，并被提供至支承板230的上面。第2供給流路243的數(shù)量為與第I供給流路221對應(yīng)的數(shù)量，其將第I循環(huán)流路231與第I供給流路221連接。
[0063]第I循環(huán)流路231通過導(dǎo)熱介質(zhì)供給線231b與導(dǎo)熱介質(zhì)存儲部231a連接。在導(dǎo)熱介質(zhì)存儲部231a存儲有導(dǎo)熱介質(zhì)。導(dǎo)熱介質(zhì)包括惰性氣體。根據(jù)實(shí)施例，導(dǎo)熱介質(zhì)包括氦氣(He)。氦氣通過供給線231b被供給至第I循環(huán)流路231，并依次通過第2供給流路233和第I供給流路221而被供給到基板W底面。氦氣起到從等離子體向基板W傳遞的熱被傳遞至靜電卡盤210的介質(zhì)作用。
[0064]第2循環(huán)流路232通過冷卻流體供給線232c與冷卻流體存儲部232a連接。在冷卻流體存儲部232a存儲有冷卻流體。在冷卻流體存儲部232a內(nèi)可以設(shè)置有冷卻器232b。冷卻器232b使冷卻流體冷卻至規(guī)定溫度。與此相對地，冷卻器232b可以設(shè)置在冷卻流體供給線232c上。通過冷卻流體供給線232c供給給第2循環(huán)流路232的冷卻流體沿著第2循環(huán)流路232循環(huán)，并冷卻支承板230。支承板230被冷卻并將介電板220與基板W —起冷卻，使基板W保持規(guī)定溫度。
[0065]聚焦環(huán)240配置在靜電卡盤210的邊緣區(qū)域。聚焦環(huán)240具有環(huán)形狀，并沿著介電板220的周圍配置。聚焦環(huán)240的上表面可以形成為階梯狀，使得外側(cè)部240a比內(nèi)側(cè)部240b高。聚焦環(huán)240的上表面的內(nèi)側(cè)部240b位于與介電板220的上表面相同的高度。聚焦環(huán)240的上表面的內(nèi)側(cè)部240b支承位于介電板220的外側(cè)的基板W的邊緣區(qū)域。聚焦環(huán)240的外側(cè)部240a形成為圍繞基板W的邊緣區(qū)域。聚焦環(huán)240使等離子體在腔體100內(nèi)與基板W對置的區(qū)域集中。
[0066]在支承板230的下部設(shè)置有絕緣板250。絕緣板250形成為具有與支承板230相應(yīng)的截面積。絕緣板250位于支承板230與下部蓋件270之間。絕緣板250由絕緣材料形成，其使支承板230和下部蓋件270電絕緣。
[0067]下部蓋件270位于支承單元200的下端部。下部蓋件270從殼體110的底面向上部間隔設(shè)置。在下部蓋件270的內(nèi)部形成有上面開放的空間。下部蓋件270的上面被絕緣板250覆蓋。由此，下部蓋件270的截面的外部半徑可以形成為與絕緣板250的外部半徑相同的長度。在下部蓋件270的內(nèi)部空間可以設(shè)置有使所傳送的基板W從外部的傳送部件向靜電卡盤210移動的升降銷模塊(lift pin module)(未圖示)等。
[0068]下部蓋件270具有連接部件273。連接部件273連接下部蓋件270的外側(cè)面和殼體Iio的內(nèi)側(cè)壁。在下部蓋件270的外側(cè)面，連接部件273能夠以一定的間隔形成有多個。連接部件273在腔體100的內(nèi)部支承支承單元200。并且，連接部件273與殼體110的內(nèi)側(cè)壁連接，從而使得下部蓋件270電接地(grounding)。與第I下部電源223a連接的第I電源線223c、與第2下部電源225a連接的第2電源線225c、與導(dǎo)熱介質(zhì)存儲部231a連接的導(dǎo)熱介質(zhì)供給線231b以及與冷卻流體存儲部232a連接的冷卻流體供給線232c等通過連接部件273的內(nèi)部空間而向下部蓋件270的內(nèi)部延伸。
[0069]氣體供給單元300向腔體100的內(nèi)部供給處理氣體。氣體供給單元300包括氣體供給噴嘴310、氣體供給線320以及氣體存儲部330。氣體供給噴嘴310設(shè)置在密封蓋件120的中心部。在氣體供給噴嘴310的底面形成有噴射口。噴射口位于密封蓋件120的下部，并向腔體100的內(nèi)部供給處理氣體。氣體供給線320連接氣體供給噴嘴310和氣體存儲部330。氣體供給線320將存儲在氣體存儲部330的處理氣體向氣體供給噴嘴310供給。在氣體供給線320設(shè)置有閥321。閥321將氣體供給線320開啟和關(guān)閉，并且調(diào)節(jié)通過氣體供給線320供給的處理氣體的流量。
[0070]作為處理氣體，根據(jù)各個基板處理工序，可以供給不同的氣體。根據(jù)一個例子，在基板W被夾緊或解裝的步驟中，處理氣體可包含非活性氣體(noble gas)和氮?dú)?。非活性氣體(nob I e gas )是指包括氦、氬等的惰性氣體。與此相對地，如蝕刻、清洗、灰化以及沉積等利用等離子體來處理基板的工序中，能夠在每一個工序中供給與之不同的類型的處理氣體。
[0071]等離子體源400在腔體100內(nèi)使處理氣體激發(fā)為等離子體狀態(tài)。作為等離子體源400,可以使用電感稱合型等離子體(ICP:1nductively coupled plasma)源。等離子體源400包括天線室410、天線(antenna) 420以及等離子體電源430。天線室410形成為下部開放的圓筒形狀。在天線室410的內(nèi)部形成有空間。天線室410形成為具有與腔體100對應(yīng)的直徑。天線室410的下端形成為相對于密封蓋件120可拆卸。天線420配置在天線室410的內(nèi)部。天線420由被卷繞多個圈的螺旋形狀的線圈形成，并與等離子體電源430連接。天線420接受從等離子體電源430施加的電力。等離子體電源430可以位于腔體100的外部。被施加了電力的天線420可以在腔體100的處理空間形成電磁場。處理氣體根據(jù)電磁場而被激發(fā)成等離子體狀態(tài)。
[0072]擋板單元500位于殼體110的內(nèi)側(cè)壁與支承部件400之間。擋板單元500包括形成有貫通孔511的擋板510。擋板510形成為環(huán)形的環(huán)形狀。在擋板510形成有多個貫通孔511。提供給殼體110內(nèi)的處理氣體通過擋板510的貫通孔511而向排氣孔102排出。根據(jù)擋板510的形狀和貫通孔511的形狀，可控制處理氣體的流動。
[0073]傳感器單元700包括一個或者多個傳感器。傳感器單元700可以位于腔體100的內(nèi)部。傳感器單元700可以位于殼體110的內(nèi)側(cè)壁且位于密封蓋件120與支承單元200之間的高度。傳感器單元700可以包括分光傳感器。根據(jù)一個例子，傳感器單元700可以利用OES (Optical Emission Spectroscopy)系統(tǒng)。傳感器單元700接受腔體100的內(nèi)部的光。傳感器單元700收集所接受的光的波長和各個波長的光強(qiáng)度的信息。利用所接受的光的波長和各個波長的光強(qiáng)度，可以測量腔體100的內(nèi)部的狀況。傳感器單元700向控制器800提供所收集的信息。
[0074]控制器800與氣體供給單元300、等離子體源400、傳感器單元700連接，從而控制腔體100的內(nèi)部的基板處理工序的進(jìn)行與否?？刂破?00從傳感器單元700接受關(guān)于腔體100的內(nèi)部狀況的信息。根據(jù)一個例子，控制器800可以接受包括傳感器單元700在腔體100的內(nèi)部接受的光的波長和各個波長的光強(qiáng)度在內(nèi)的信息。控制器800分析所提供的信息來控制基板處理工序的進(jìn)行與否。
[0075]根據(jù)一個例子，控制器800利用從傳感器單元700接受的光的波長的光強(qiáng)度和向腔體100的內(nèi)部提供的氣體的量之比來檢測腔體100的內(nèi)部狀況。隨著向腔體100的內(nèi)部提供的氣體的量增加，在腔體100的內(nèi)部產(chǎn)生的光強(qiáng)度增加。由此，為了檢測更加準(zhǔn)確的腔體100的內(nèi)部狀況，可通過比較所接受的光的波長的光強(qiáng)度和向腔體100的內(nèi)部提供的氣體的量之比來判斷。
[0076]在腔體100的內(nèi)部狀況不是正常的情況下，控制器800可以終止基板處理工序。例如，控制器800可以控制調(diào)節(jié)處理氣體的閥321，使得處理氣體不向腔體100的內(nèi)部流入。并且，可以控制從等離子體電源430供給的電力，使得不會產(chǎn)生等離子體。由此，基板處理裝置可以僅在腔體內(nèi)部的狀況為正常狀態(tài)的情況下才實(shí)施基板處理工序。由此，可提高基板處理工序的可靠性。
[0077]下面，利用上述的圖1的基板處理裝置來說明處理基板的過程。
[0078]圖2表示根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的基板處理方法的流程圖。
[0079]如圖2所示，基板處理方法包括:傳送步驟S10，基板傳送到腔體內(nèi)部的處理空間；夾緊步驟S20，第I氣體供給至處理空間而激發(fā)成等離子體狀態(tài)且基板固定在支承部件；基板處理步驟S30，第2氣體供給至處理空間而被激發(fā)成等離子體狀態(tài)且對基板實(shí)施利用等離子體的工序；解裝步驟S40，第3氣體供給至處理空間而被激發(fā)成等離子體狀態(tài)且為了向外部傳送基板而解除基板的固定；傳送步驟S50，向腔體外部傳送基板處理結(jié)束的基板；以及檢測步驟，接受腔體內(nèi)部的光且分析所接受的光從而檢測腔體內(nèi)部狀況。根據(jù)一個例子，檢測步驟可在夾緊步驟S20和解裝步驟S40中完成。
[0080]在傳送步驟S10，從腔體100的外部向腔體100內(nèi)部的處理空間傳送基板W?；錡根據(jù)傳送機(jī)器人(未圖示)傳送至腔體100的內(nèi)部。所傳送的基板W被放置在支承部件200。
[0081]在夾緊步驟S20，基板W固定在支承部件200上。若基板W被放置在支承部件200，則直流電流從第I下部電源223a施加至下部電極223。根據(jù)施加至下部電極223的直流電流，靜電力作用于下部電極223與基板W之間，基板W根據(jù)靜電力而吸附在靜電卡盤210。
[0082]并且，第I氣體從氣體供給單元300供給至腔體100的內(nèi)部。第I氣體可以包括非活性氣體或者氮(S21)。非活性氣體包括氦、氬等惰性氣體。并且，電力供給至等離子體源400，由此，在處理空間產(chǎn)生電磁場。腔體100內(nèi)部的非活性氣體或者氮?dú)飧鶕?jù)在等離子體源400產(chǎn)生的電磁場而激發(fā)成等離子體狀態(tài)(S22)。由非活性氣體或者氮?dú)猱a(chǎn)生的等離子體起到幫助基板W吸附到靜電卡盤210的作用。
[0083]根據(jù)一個例子，檢測步驟S23是在夾緊步驟S20中完成的。[0084]在檢測步驟S23，檢測腔體100的內(nèi)部狀況。腔體100的內(nèi)部狀況是通過分析數(shù)據(jù)來檢測的，上述數(shù)據(jù)是接受腔體100的內(nèi)部的光來測量的。通過傳感器單元700接受腔體100的內(nèi)部的光。根據(jù)一個例子,傳感器單兀700可以包括分光傳感器。分光傳感器根據(jù)利用OES系統(tǒng)接受的光來測量波長和各個波長的光的強(qiáng)度。
[0085]腔體100的內(nèi)部的光是處理氣體被激發(fā)成等離子體狀態(tài)時產(chǎn)生的。腔體100的內(nèi)部的處理氣體從等離子體源400接受能量而激發(fā)成等離子體狀態(tài)。此時，在腔體100的內(nèi)部，等離子體狀態(tài)的處理氣體、離子狀態(tài)的處理氣體以及基態(tài)的處理氣體混合存在。腔體100的內(nèi)部的光是根據(jù)處理氣體激發(fā)成等離子體狀態(tài)或從等離子體狀態(tài)變成基態(tài)時產(chǎn)生。
[0086]并且，若離子狀態(tài)的處理氣體撞擊腔體100的內(nèi)壁，則根據(jù)該沖擊，腔體100的內(nèi)壁的構(gòu)成物和副產(chǎn)物被濺出。腔體100的內(nèi)壁的構(gòu)成物和副產(chǎn)物以分子或原子狀態(tài)被提供給腔體100的內(nèi)部。腔體100的內(nèi)壁的構(gòu)成物和副產(chǎn)物以分子或原子狀態(tài)從腔體100的內(nèi)壁濺出時，產(chǎn)生光。
[0087]上述的各個光具有分別不同的波長，根據(jù)每個波長具有不同的光強(qiáng)度。此時，光強(qiáng)度與提供給腔體100的內(nèi)部的處理氣體的量成比例地產(chǎn)生。由此，如果分析特定波長下的光強(qiáng)度，則可知關(guān)于在等離子體狀態(tài)下產(chǎn)生的光和由腔體100的內(nèi)壁的構(gòu)成物和副產(chǎn)物產(chǎn)生的光的信息。
[0088]根據(jù)所測量的光的不同波長區(qū)域的光強(qiáng)度，可判斷腔體100的內(nèi)部狀況。根據(jù)一個例子，利用根據(jù)所接受的光的波長的光強(qiáng)度和提供給腔體內(nèi)部的氣體的量之比，可以了解關(guān)于腔體100的內(nèi)部狀況的信息。腔體100的內(nèi)部狀況包括有關(guān)吸附在腔體100內(nèi)壁的副產(chǎn)物的信息以及有關(guān)等離子體的狀態(tài)的信息。具體而言，可以得到有關(guān)吸附在腔體100的內(nèi)壁的副產(chǎn)物的種類、吸附程度、吸附的副產(chǎn)物的濃度等信息。并且，可以得到有關(guān)等離子體的密度、溫度、能量、電子排布圖等信息。
[0089]圖3是表示在圖1的基板處理裝置測量的等離子體以及腔體內(nèi)部的狀況的圖表。
[0090]如圖3所示，圖表表示有關(guān)所接受的光的信息。所接受的光的根據(jù)OES系統(tǒng)分析的信息可如圖表所不。根據(jù)一個例子，圖表的橫軸表不波長，縱軸表不光強(qiáng)度。分析該圖表可知，針對在腔體100的內(nèi)部接受的光，表示根據(jù)該波長區(qū)域的光的強(qiáng)度。
[0091]例如，在圖表中波長為700?800nm區(qū)域的圖表71可以提供與等離子體相關(guān)的信息。可以將700?800nm區(qū)域的圖表線定義為第I線71。第I線71提供與等離子體的密度、溫度、能量、電子排布圖等相關(guān)的信息?？梢詫⒌贗線71的測量值脫離已設(shè)定的正常狀態(tài)的情況認(rèn)定為，在腔體100的內(nèi)部狀況產(chǎn)生問題。在這種情況下，在進(jìn)行基板處理步驟S30之前，可以進(jìn)一步進(jìn)行一定的步驟。并且，300?600nm區(qū)域的圖表72提供關(guān)于吸附在腔體100內(nèi)壁的副產(chǎn)物的信息。可以將300?600nm區(qū)域的圖表定義為第2線72。第2線72提供與吸附在腔體100內(nèi)壁的副產(chǎn)物的種類、吸附程度、吸附的副產(chǎn)物的濃度等有關(guān)的信息。在第2線72的測量值脫離已設(shè)定的正常狀態(tài)的情況下，可以在進(jìn)行基板處理步驟S30之前進(jìn)一步進(jìn)行一定的步驟。第I線71僅提供關(guān)于等離子體的信息，但是第2線72中的副產(chǎn)物的種類可以是多種，因此可以分析較廣的波長區(qū)域。由此，雖然在圖3中，第2線72對300?600nm區(qū)域進(jìn)行說明，但是與此相對地，也能夠提供關(guān)于超過300?600nm區(qū)域的區(qū)域中的副產(chǎn)物的信息。
[0092]當(dāng)?shù)贗線71或者第2線72脫離已設(shè)定的正常狀態(tài)的數(shù)據(jù)的情況下，可以判斷為腔體100的內(nèi)部狀況不是正常的。在這種情況下，在對基板W實(shí)施的蝕刻等基板處理過程中發(fā)生不良的概率高。由此，根據(jù)所測量的數(shù)據(jù)的數(shù)值，在進(jìn)行基板處理步驟S30之前，可以進(jìn)行精密地測量腔體100的內(nèi)部狀況的精密檢測步驟。通過精密檢測步驟準(zhǔn)確地確認(rèn)基板處理裝置是否有異常，使得基板處理裝置能夠在正常狀態(tài)下實(shí)施基板處理工序。在確認(rèn)到基板處理裝置為正常狀態(tài)的情況下，進(jìn)行基板處理步驟S30。
[0093]再次參照圖2，在基板處理步驟S30中，對固定在靜電卡盤210的基板W實(shí)施基板處理工序。根據(jù)一個例子，基板處理工序包括利用等離子體的蝕刻工序。
[0094]若基板W被吸附在靜電卡盤210，則通過氣體供給噴嘴310向殼體110內(nèi)部供給第2氣體。另外，在等離子體電源430生成的高頻電力通過天線420被施加至殼體110內(nèi)部。所施加的高頻電力使滯留在殼體110內(nèi)部的第2氣體激發(fā)成等離子體狀態(tài)。激發(fā)的等離子體被提供給基板W，以進(jìn)行基板處理工序。
[0095]在解裝步驟S40，結(jié)束了利用等離子體的基板處理工序的基板W被解除自支承部件200的固定，以便向外部傳送。與夾緊步驟S20相反，終止向下部電極223流入直流電流。由此，不再提供提供給下部電極223與基板W之間的靜電力。由此，基板W能夠從支承部件200解除固定。
[0096]并且，從氣體供給單元300向腔體100的內(nèi)部供給第3氣體(S31)。第3氣體可以包括非活性氣體以及氮?dú)狻２⑶?，向等離子體源400供給電力，由此，在處理空間產(chǎn)生電磁場。腔體100的內(nèi)部的非活性氣體和氮?dú)飧鶕?jù)在等離子體源400產(chǎn)生的電磁場而激發(fā)為等離子體狀態(tài)(S32)。由非活性氣體和氮?dú)猱a(chǎn)生的等離子體起到幫助基板W從靜電卡盤210解除固定的作用。
[0097]根據(jù)一個例子，檢測步驟S43也可以在解裝步驟S40中實(shí)施。檢測步驟S43以與夾緊步驟S40中的檢測步驟S23相同的方法實(shí)施。
[0098]在檢測步驟S43檢測腔體100的內(nèi)部狀況。腔體100的內(nèi)部狀況是分析接受腔體100的內(nèi)部的光而測量的數(shù)據(jù)來檢測的。腔體100的內(nèi)部的光被傳感器單元700接受。根據(jù)一個例子，傳感器單元700可以包括分光傳感器。分光傳感器根據(jù)利用OES系統(tǒng)接受的光來測量波長和基于各個波長的光的強(qiáng)度。
[0099]可以根據(jù)測量的光的不同波長區(qū)域的光強(qiáng)度來判斷腔體100的內(nèi)部狀況。根據(jù)一個例子，可以利用根據(jù)所接受的光的波長的光強(qiáng)度和向腔體內(nèi)部提供的氣體的量之比，得知關(guān)于腔體100的內(nèi)部狀況的信息。腔體100的內(nèi)部狀況包括有關(guān)吸附在腔體100內(nèi)壁的副產(chǎn)物的信息和有關(guān)等離子體的狀態(tài)的信息。具體而言，可以得到有關(guān)吸附在腔體100內(nèi)壁的副產(chǎn)物的種類、吸附程度、吸附的副產(chǎn)物的濃度等的信息。并且，可以得到有關(guān)等離子體的密度、溫度、能量、電子排布圖等的信息。
[0100]所接受的光可以表現(xiàn)為，根據(jù)OES系統(tǒng)分析的信息如圖3所示的圖表。根據(jù)一個例子，圖表的橫軸表不波長，縱軸表不光強(qiáng)度。分析該圖表可知，表不了在腔體100的內(nèi)部，對于所接受的光的根據(jù)該波長區(qū)域的光的強(qiáng)度。
[0101]例如，在圖表中，波長為700?800nm區(qū)域的圖表71提供關(guān)于等離子體的信息。可以將700?800nm區(qū)域的圖表線定義為第I線71。第I線71提供與等離子體的密度、溫度、能量、電子排布圖等相關(guān)的信息。可以將第I線71的測量值脫離已設(shè)定的正常狀態(tài)的情況認(rèn)定為，在腔體100的內(nèi)部狀況產(chǎn)生問題。在這種情況下，在傳送基板W后還沒有新的基板W再次被傳送之前，可以進(jìn)一步進(jìn)行一定的步驟。并且，300?600nm區(qū)域的圖表72提供關(guān)于吸附在腔體100內(nèi)壁的副產(chǎn)物的信息。可以將300?600nm區(qū)域的圖表定義為第2線72。第2線72提供與吸附在腔體100內(nèi)壁的副產(chǎn)物的種類、吸附程度、吸附的副產(chǎn)物的濃度等有關(guān)的信息。在第2線72的測量值脫離已設(shè)定的正常狀態(tài)的情況下，可以認(rèn)定為在腔體100的內(nèi)部狀況產(chǎn)生問題。在這種情況下，在傳送基板W后還沒有新的基板W再次被傳送之前，可以進(jìn)一步進(jìn)行一定的步驟。第I線71僅提供關(guān)于等離子體的信息，但是第2線72中的副產(chǎn)物的種類可以是多種，因此可以分析較廣的波長區(qū)域。
[0102]在第I線71或者第2線72脫離已設(shè)定的正常狀態(tài)的數(shù)據(jù)的情況下，可以判斷為腔體100的內(nèi)部狀況不是正常的。在這種情況下，在對基板W實(shí)施的蝕刻等基板處理過程中發(fā)生不良的概率高。由此，在解裝步驟S40和傳送步驟S50后，在傳送新的基板W的傳送步驟SlO之前，可以進(jìn)行精密地測量腔體100的內(nèi)部狀況的精密檢測步驟。通過精密檢測步驟準(zhǔn)確地確認(rèn)基板處理裝置是否有異常，使得基板處理裝置能夠在正常狀態(tài)下實(shí)施基板處理工序。在確認(rèn)到基板處理裝置為正常狀態(tài)的情況下，從向腔體內(nèi)部傳送新的基板的傳送步驟SlO開始進(jìn)行。
[0103]在上述的基板處理方法及基板處理裝置，作為等離子體源而使用感應(yīng)耦合型等離子體(ICP:1nductively coupled plasma)的情況進(jìn)行說明。但是,對使用電容稱合型等離子體(CCP:capacitively coupled plasma)的基板處理裝置,也能夠提供上述的基板處理方法。
[0104]以上的詳細(xì)說明是用于示例性地描述本發(fā)明的。并且，上述的內(nèi)容是通過本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式來進(jìn)行說明的，本發(fā)明可以在多種其他的組合、變更以及環(huán)境下使用。即，在本說明書中公開的發(fā)明的概念的范圍、所描述的公開內(nèi)容以及等效的范圍和/或所屬【技術(shù)領(lǐng)域】的公知技術(shù)或知識的范圍內(nèi)，可以對本發(fā)明進(jìn)行變更或者修改。上述的實(shí)施例是說明用于實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的技術(shù)思想的最佳狀態(tài)，其還可以進(jìn)行在本發(fā)明的具體適用領(lǐng)域以及用途下要求的多種變更。因此，以上的發(fā)明的詳細(xì)內(nèi)容并不是通過所公開的實(shí)施方式來限制本發(fā)明。并且，應(yīng)理解為，所附的權(quán)利要求書還包括其他實(shí)施方式。
[0105]附圖標(biāo)記說明
[0106]10:基板處理裝置；100:腔體；120:密封蓋件；130:襯板；200:支承單元；300:氣體供給單元；400:等離子體源；500:擋板單元；700:傳感器單元；800:控制器。
【權(quán)利要求】
1.一種檢測方法，其中， 接受在實(shí)施基板處理工序的腔體內(nèi)部產(chǎn)生的光，并分析所接受的上述光來檢測腔體內(nèi)部的狀況。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測方法，其中， 從所接受的上述光中分析等離子體的信息，從而檢測上述腔體內(nèi)部的狀況。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的檢測方法，其中， 上述等離子體是從非活性氣體激發(fā)為等離子體狀態(tài)的等離子體。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的檢測方法，其中， 上述等離子體的信息通過分析從上述光中測量得到的第I線而被提供。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測方法，其中， 從所接受的上述光中分析被吸附在腔體內(nèi)壁的副產(chǎn)物的信息，從而檢測上述腔體內(nèi)部的狀況。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的檢測方法，其中， 上述副產(chǎn)物的信息 通過分析從上述光中測量得到的第2線而被提供。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中的任意一項所述的檢測方法，其中， 利用取決于所接受的上述光的波長的光強(qiáng)度和提供給上述腔體內(nèi)部的氣體的量之比來檢測上述腔體內(nèi)部的狀況。
8.—種基板處理方法，其中，包括: 傳送步驟，基板被傳送至腔體內(nèi)部的處理空間； 夾緊步驟，第I氣體供給到上述處理空間并激發(fā)為等離子體狀態(tài)，上述基板被固定于支承部件； 基板處理步驟，第2氣體供給到上述處理空間并激發(fā)為等離子體狀態(tài)，對上述基板實(shí)施利用上述等離子體的工序；以及 檢測步驟，接受上述腔體內(nèi)部的光，并分析所接受的上述光，從而檢測上述腔體內(nèi)部的狀況， 其中，在上述檢測步驟中測量上述腔體內(nèi)部的狀況，來決定是否實(shí)施上述基板處理步驟。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的基板處理方法，其中， 上述檢測步驟在上述夾緊步驟中實(shí)施。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基板處理方法，其中， 在上述檢測步驟中，從所接受的上述光中分析上述等離子體的信息來檢測上述腔體內(nèi)部的狀況。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的基板處理方法，其中， 上述第I氣體包含非活性氣體， 上述等離子體的信息通過分析從上述光中測量得到的第I線而被提供。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基板處理方法，其中， 在上述檢測步驟中從所接受的上述光中分析被吸附在腔體內(nèi)壁的副產(chǎn)物的信息來檢測上述腔體內(nèi)部的狀況。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的基板處理方法，其中，上述副產(chǎn)物的信息是通過分析從上述光中測量得到的第2線而被提供。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基板處理方法，其中， 上述第I氣體包含非活性氣體， 在上述檢測步驟中，將分析從所接受的上述光中測量得到的第I線而得到的上述等離子體的信息以及分析從上述光中測量得到的第2線而得到的吸附在腔體內(nèi)壁的副產(chǎn)物的信息進(jìn)行綜合，從而檢測上述腔體內(nèi)部的狀況。
15.根據(jù)權(quán)利要求8至14中任意一項所述的基板處理方法，其中， 在上述檢測步驟中，當(dāng)上述腔體內(nèi)部的狀況脫離已設(shè)定的范圍的情況下，在上述基板處理步驟之前還包括精密檢測步驟，在上述精密檢測步驟中檢測包括上述腔體的基板處理裝置是否異常。
16.根據(jù)權(quán)利要求8至14中任意一項所述的基板處理方法，其中， 在上述檢測步驟中，利用取決于所接受的上述光的波長的光強(qiáng)度和提供給上述腔體內(nèi)部的氣體的量之比來檢測上述腔體內(nèi)部的狀況。
17.根據(jù)權(quán)利要求8所述的基板處理方法，其中， 上述基板處理 方法還包括解裝步驟，在該解裝步驟中第3氣體被供給給上述處理空間并激發(fā)為等離子體狀態(tài)，并且為了向外部傳送上述基板而解除上述基板的固定， 上述檢測步驟在上述解裝步驟中實(shí)施。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的基板處理方法，其中， 在上述檢測步驟中，通過從所接受的上述光中分析上述等離子體的信息來檢測上述腔體內(nèi)部的狀況。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的基板處理方法，其中， 上述第3氣體包含非活性氣體， 上述等離子體的信息通過分析從上述光中測量得到的第I線而被提供。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的基板處理方法，其中， 在上述檢測步驟中，從所接受的上述光中分析被吸附在腔體內(nèi)壁的副產(chǎn)物的信息來檢測上述腔體內(nèi)部的狀況。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的基板處理方法，其中， 上述副產(chǎn)物的信息通過分析從上述光中測量得到的第2線而被提供。
22.根據(jù)權(quán)利要求17所述的基板處理方法，其中， 上述第3氣體包含非活性氣體， 在上述檢測步驟中，將分析從所接受的上述光中測量得到的第I線而得到的上述等離子體的信息以及分析從上述光中測量得到的第2線而得到的吸附在腔體內(nèi)壁的副產(chǎn)物的信息進(jìn)行綜合，從而檢測上述腔體內(nèi)部的狀況。
23.根據(jù)權(quán)利要求17至22中任意一項所述的基板處理方法，其中， 在上述檢測步驟中，利用取決于所接受的上述光的波長的光強(qiáng)度和提供給上述腔體內(nèi)部的氣體的量之比來檢測上述腔體內(nèi)部的狀況。
24.一種基板處理裝置，其中，包括: 在內(nèi)部具備處理空間的腔體； 位于上述腔體內(nèi)部且支承基板的支承單元；向上述處理空間提供處理氣體的氣體供給單元； 在上述處理空間產(chǎn)生等離子體的等離子體源； 位于上述腔體內(nèi)側(cè)壁并且從所接受的光測量上述腔體內(nèi)部的狀況的傳感器單元；以及以從上述傳感器單元測得的上述腔體內(nèi)部的狀況為基準(zhǔn)，來控制是否實(shí)施基板處理工序的控制器， 其中，上述控制器在夾緊上述基板的步驟中所利用的有關(guān)上述等離子體的信息脫離已設(shè)定的范圍的情況下，以終止利用上述等離子體進(jìn)行的基板處理工序的方式進(jìn)行控制。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的基板處理裝置，其中， 上述控制器利用取決于從上述傳感器單元接受的上述光的波長的光強(qiáng)度和提供給上述腔體內(nèi)部的氣體的量之比來檢測上述腔體內(nèi)部的狀況。
26.根據(jù)權(quán)利要求24或25所述的基板處理裝置，其中， 上述傳感器單元 包括分光傳感器。
【文檔編號】H01L21/66GK103996634SQ201410054295
【公開日】2014年8月20日 申請日期:2014年2月18日 優(yōu)先權(quán)日:2013年2月19日
【發(fā)明者】具一教, 阿列克謝·加里寧, 李守真, 成曉星 申請人:細(xì)美事有限公司