顯示裝置制造方法
【專利摘要】一種顯示裝置，具備第1基板、第2基板和顯示元件，上述第1基板具備：具有第1熱膨脹系數(shù)的第1樹脂基板，將上述第1樹脂基板的內(nèi)面覆蓋、具有比上述第1熱膨脹系數(shù)小的第2熱膨脹系數(shù)的第1阻擋層，以及形成在上述第1阻擋層之上的開關(guān)元件；上述第2基板具備：由與上述第1樹脂基板不同的材料形成且具有與上述第1熱膨脹系數(shù)同等的第3熱膨脹系數(shù)的第2樹脂基板，以及將上述第2樹脂基板的內(nèi)面覆蓋、具有比上述第3熱膨脹系數(shù)小且與上述第1熱膨脹系數(shù)同等的第4熱膨脹系數(shù)的第2阻擋層；上述顯示元件位于上述第1樹脂基板與上述第2樹脂基板之間，并且包含與上述開關(guān)元件電連接的像素電極。
【專利說明】顯示裝置【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]具備有機電致發(fā)光(EL)元件或液晶元件等的顯示裝置被在各種領(lǐng)域中使用。顯示裝置通過將多個部件層疊而構(gòu)成。在這樣的顯示裝置中，有可能因各個部件的熱膨脹系數(shù)的差而發(fā)生翹曲。
[0003]例如，已知這樣一種技術(shù)，即:在將由熱膨脹系數(shù)不同的材質(zhì)構(gòu)成的多個光學(xué)零件粘貼或粘接從而一體化的光學(xué)片材中，設(shè)置具有與光學(xué)功能部件同等的熱膨脹系數(shù)的防翹曲層，從而減輕翹曲。此外，還已知這樣一種技術(shù)，即:在將與設(shè)在由玻璃構(gòu)成的基板主體上的發(fā)光元件對置的翹曲緩和基板、和配置在不與基板主體的發(fā)光元件對置的面上的翹曲緩和基板分別粘接的有機EL裝置中，將兩個翹曲緩和基板用分別具有同等的熱膨脹系數(shù)的材質(zhì)形成，并且該材質(zhì)的熱膨脹系數(shù)與基板主體的熱膨脹系數(shù)接近，從而緩和翹曲。進(jìn)而，還已知這樣一種技術(shù)，即:在將半導(dǎo)體芯片接合在基板上的半導(dǎo)體裝置中，接合在半導(dǎo)體芯片的另一個表面上的防翹曲片材和基板具有大致相等的熱膨脹系數(shù)，從而防止半導(dǎo)體裝置的翹曲。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于提供一種能夠防止翹曲的顯示裝置，具備第I基板、第2基板和顯示元件，上述第I基板具備:具有第I熱膨脹系數(shù)的第I樹脂基板，將上述第I樹脂基板的內(nèi)面覆蓋、具有比上述第I熱膨脹系數(shù)小的第2熱膨脹系數(shù)的第I阻擋層，以及形成在上述第I阻擋層之上的開關(guān)元件；上述第2基板具備:由與上述第I樹脂基板不同的材料形成且具有與上述第I熱膨脹系數(shù)同等的第3熱膨脹系數(shù)的第2樹脂基板，以及將上述第2樹脂基板的內(nèi)面覆蓋、具有比上述第3熱膨脹系數(shù)小且與上述第I熱膨脹系數(shù)同等的第4熱膨脹系數(shù)的第2阻擋層；上述顯示元件位于上述第I樹脂基板與上述第2樹脂基板之間，并且包含與上述開關(guān)元件電連接的像素電極。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0005]圖1A是概略地表示本實施方式的顯示裝置I的構(gòu)造例的剖視圖。
[0006]圖1B是概略地表示本實施方式的顯示裝置I的另一構(gòu)造例的剖視圖。
[0007]圖1C是概略地表示本實施方式的顯示裝置I的另一構(gòu)造例的剖視圖。
[0008]圖2示意地表示在本實施方式的顯示裝置I中、陣列基板AR及對置基板CT雙方發(fā)生了應(yīng)力的狀態(tài)。
[0009]圖3是用來說明本實施方式的顯示裝置I的制造方法的圖，是用來說明準(zhǔn)備第I母基板Ml的工序的圖。
[0010]圖4是用來說明本實施方式的顯示裝置I的制造方法的圖，是用來說明準(zhǔn)備第2母基板M2的工序的圖。
[0011]圖5是用來說明涂敷密封材料SE及粘接劑40的工序的圖。
[0012]圖6是用來說明本實施方式的顯示裝置I的制造方法的圖，是用來說明將第I母基板Ml與第2母基板M2貼合的工序的圖。
[0013]圖7是用來說明本實施方式的顯示裝置I的制造方法的圖，是用來說明將第I母基板Ml的第I支承基板100及第2母基板M2的第2支承基板200剝離的工序的圖。
[0014]圖8是用來說明本實施方式的顯示裝置I的制造方法的圖，是用來說明將第I樹脂基板10割斷的工序的圖。
【具體實施方式】
[0015]根據(jù)本實施方式，提供一種顯示裝置，具備第I基板、第2基板和顯示元件，上述第I基板具備:具有第I熱膨脹系數(shù)的第I樹脂基板，將上述第I樹脂基板的內(nèi)面覆蓋、具有比上述第I熱膨脹系數(shù)小的第2熱膨脹系數(shù)的第I阻擋層，以及形成在上述第I阻擋層之上的開關(guān)元件；上述第2基板具備:由與上述第I樹脂基板不同的材料形成且具有與上述第I熱膨脹系數(shù)同等的第3熱膨脹系數(shù)的第2樹脂基板，以及將上述第2樹脂基板的內(nèi)面覆蓋、具有比上述第3熱膨脹系數(shù)小且與上述第I熱膨脹系數(shù)同等的第4熱膨脹系數(shù)的第2阻擋層；上述顯示元件位于上述第I樹脂基板與上述第2樹脂基板之間，并且包含與上述開關(guān)元件電連接的像素電極。
[0016]圖1A是概略地表示本實施方式的顯示裝置I的構(gòu)造例的剖視圖。這里，作為顯示裝置I的一例，對有機EL顯示裝置的截面構(gòu)造進(jìn)行說明。
[0017]圖示的有機EL顯示裝置采用了有源矩陣驅(qū)動方式，具備陣列基板AR和對置基板CT。陣列基板AR使用第I樹脂基板10形成。陣列基板AR在第I樹脂基板10的內(nèi)面IOA側(cè)具備:第I絕緣膜11、第2絕緣膜12、第3絕緣膜13、第4絕緣膜14、肋板(rib)15、開關(guān)元件SWl至SW3、作為顯示元件的有機EL元件OLEDl至0LED3等。
[0018]第I樹脂基板10是絕緣基板，例如由以聚酰亞胺(PI)為主成分的材料形成。第I樹脂基板10例如具有5至30 μ m的厚度。作為形成第I樹脂基板10的材料，除了聚酰亞胺以外，還可以選擇聚酰胺酰亞胺、聚芳酰胺等耐熱性高的材料。即，第I樹脂基板10在各種絕緣膜的成膜、開關(guān)元件的形成、有機EL元件的形成等中經(jīng)常被暴露在高溫工藝下。因此，對第I樹脂基板10要求的最應(yīng)重視的性質(zhì)是耐熱性高。如后述那樣，由于有機EL元件是經(jīng)由對置基板CT將光射出的所謂頂部發(fā)射(top emission)型，所以第I樹脂基板10并不需要一定具有高的透明性，第I樹脂基板10也可以著色。
[0019]第I樹脂基板10的內(nèi)面IOA被第I絕緣膜11覆蓋。第I絕緣膜11作為第I阻擋層發(fā)揮功能，抑制來自第I樹脂基板10的離子性的雜質(zhì)的滲入、及經(jīng)由第I樹脂基板10的水分等的滲入。第I絕緣膜11例如由硅氮化物(SiN)、硅氧化物(SiO)或硅氮氧化物(SiON)等以硅為主成分的無機類材料形成，由單層或?qū)盈B體構(gòu)成。作為一例，第I絕緣膜11由將硅氮化物及硅氧化物交替層疊的層疊體構(gòu)成。另外，第I絕緣膜11也可以由能夠確保阻擋性能的其他材料形成。
[0020]開關(guān)元件SWl至SW3形成在第I絕緣膜11之上。開關(guān)元件SWl至SW3例如是分別具備半導(dǎo)體層SC的薄膜晶體管(TFT)。開關(guān)元件SWl至SW3都是相同構(gòu)造，這里著眼于開關(guān)元件SWl更具體地說明其構(gòu)造。
[0021]在圖示的例子中，開關(guān)元件SWl是頂柵(top gate)型,但也可以是底柵(bottomgate)型。半導(dǎo)體層SC例如由非晶硅或多晶硅等硅類、或者作為含有銦(In)、鎵(Ga)、鋅(Zn)的至少I種的氧化物的氧化物半導(dǎo)體形成。
[0022]半導(dǎo)體層SC形成在第I絕緣膜11之上，被第2絕緣膜12覆蓋。第2絕緣膜12也配置在第I絕緣膜11之上。開關(guān)元件SWl的柵極電極WG形成在第2絕緣膜12之上。柵極電極WG被第3絕緣膜13覆蓋。第3絕緣膜13也配置在第2絕緣膜12之上。
[0023]開關(guān)元件SWl的源極電極WS及漏極電極WD形成在第3絕緣膜13之上。源極電極WS與半導(dǎo)體層SC的源極區(qū)域接觸。漏極電極WD與半導(dǎo)體層SC的漏極區(qū)域接觸。源極電極WS及漏極電極WD由第4絕緣膜14覆蓋。第4絕緣膜14也配置在第3絕緣膜13之上。
[0024]有機EL元件OLEDl至0LED3形成在第4絕緣膜14之上。在圖示的例子中，有機EL元件OLEDl與開關(guān)元件SWl電連接，有機EL元件0LED2與開關(guān)元件SW2電連接，有機EL元件0LED3與開關(guān)元件SW3電連接。有機EL元件OLEDl至0LED3的發(fā)光色都是白色。這樣的有機EL元件OLEDl至0LED3都是相同構(gòu)造。
[0025]有機EL元件OLEDl具備形成在第4絕緣膜14之上的像素電極PEl。像素電極PEl與開關(guān)元件SWl的漏極電極WD接觸，與開關(guān)元件SWl電連接。同樣，有機EL元件0LED2具備與開關(guān)元件SW2電連接的像素電極PE2，有機EL元件0LED3具備與開關(guān)元件SW3電連接的像素電極PE3。像素電極PEl至PE3例如作為陽極發(fā)揮功能。像素電極PEl至PE3既可以由例如銦錫氧化物(ΙΤ0)、銦鋅氧化物(IZO)等透明的導(dǎo)電材料形成，也可以由鋁(Al)、鎂(Mg)、銀(Ag)、鈦(Ti)或它們的合金等金屬材料形成。在頂部發(fā)射型的情況下，像素電極PEl至PE3優(yōu)選的是包含由反射性高的金屬材料形成的反射層。
[0026]有機EL元件OLEDl至0LED3還具備有機發(fā)光層ORG及共通電極CE。有機發(fā)光層ORG分別位于像素電極PEl至PE3之上。此外，有機發(fā)光層ORG遍及有機EL元件OLEDl至0LED3不中斷地連續(xù)形成。共通電極CE位于有機發(fā)光層ORG之上。此外，共通電極CE遍及有機EL元件OLEDl至0LED3不中斷地連續(xù)形成。這樣的共通電極CE例如由ITO或IZO等透明的導(dǎo)電材料形成。
[0027]S卩，有機EL元件OLEDl由像素電極PE1、有機發(fā)光層ORG及共通電極CE構(gòu)成。有機EL元件0LED2由像素電極PE2、有機發(fā)光層ORG及共通電極CE構(gòu)成。有機EL元件0LED3由像素電極PE3、有機發(fā)光層ORG及共通電極CE構(gòu)成。
[0028]另外，在有機EL元件OLEDl至0LED3中，在像素電極PEl至PE3各自與有機發(fā)光層ORG之間，也可以進(jìn)一步介有空穴注入層、空穴輸送層，此外，在有機發(fā)光層ORG與共通電極CE之間，也可以進(jìn)一步介有電子注入層、電子輸送層。
[0029]有機EL元件OLEDl至0LED3分別被肋板15分隔。肋板15形成在第4絕緣膜14之上，將像素電極PEl至PE3各自的邊緣覆蓋。另外，肋板15例如在第4絕緣膜14之上形成為格子狀或條狀。肋板15被有機發(fā)光層ORG覆蓋。即，有機發(fā)光層ORG不僅形成在像素電極PEl至PE3之上，還延伸在肋板15之上。
[0030]在圖示的例子中，有機EL元件OLEDI至0LED3被封固膜20封固。封固膜20作為阻擋膜發(fā)揮功能，保護(hù)有機EL元件OLEDl至0LED3不受到水分、氧、氫等污染物質(zhì)的影響。封固膜20由硅氮化物(SiN)、硅氧化物(SiO)或硅氮氧化物(SiON)等以硅為主成分的無機類材料形成，通過單層或?qū)盈B體構(gòu)成。
[0031]對置基板CT使用透明的第2樹脂基板30形成。對置基板CT在第2樹脂基板30的內(nèi)面30A側(cè)具備:第5絕緣膜31、藍(lán)色濾色器32B、綠色濾色器32G及紅色濾色器32R等。
[0032]第2樹脂基板30是透明的絕緣基板，例如由以聚酰亞胺(PI)為主成分的材料形成。第2樹脂基板30具有與第I樹脂基板10同等的厚度，例如具有5至30 μ m的厚度。作為形成第2樹脂基板30的材料，選擇透明性高的材料。即，從頂部發(fā)射型的有機EL元件OLEDl至0LED3射出的光透過第2樹脂基板30。因此，對第2樹脂基板30要求的最應(yīng)重視的性質(zhì)是透明性高。這樣，在第I樹脂基板10和第2樹脂基板30中，被要求的性質(zhì)不同。因此，第2樹脂基板30由與第I樹脂基板10不同的材料形成。例如，第I樹脂基板10使用耐熱性良好的非透明的聚酰亞胺形成，第2樹脂基板30使用透明聚酰亞胺形成。
[0033]第2樹脂基板30的內(nèi)面30A被第5絕緣膜31覆蓋。第5絕緣膜31作為第2阻擋層發(fā)揮功能，抑制來自第2樹脂基板30的離子性的雜質(zhì)的滲入、及經(jīng)由第2樹脂基板30的水分等的滲入。第5絕緣膜31例如由硅氮化物(SiN)、硅氧化物(SiO)或硅氮氧化物(SiON)等以硅為主成分的無機類材料形成，通過單層或?qū)盈B體構(gòu)成。作為一例，第5絕緣膜31是與第I絕緣膜11同樣的結(jié)構(gòu)，由交替地層疊了硅氮化物及硅氧化物的層疊體構(gòu)成。
[0034]第2樹脂基板30的熱膨脹系數(shù)與第I樹脂基板10的熱膨脹系數(shù)大致同等。此夕卜，第5絕緣膜31的熱膨脹系數(shù)與第I絕緣膜11的熱膨脹系數(shù)大致同等。此外，第5絕緣膜31及第I絕緣膜11的熱膨脹系數(shù)比第I樹脂基板10及第2樹脂基板30的熱膨脹系數(shù)小。作為一例，第5絕緣膜31及第I絕緣膜11的熱膨脹系數(shù)是0.5?3ppm/°C，第I樹脂基板10及第2樹脂基板30的熱膨脹系數(shù)是20?50ppm/°C。通過將第I樹脂基板10、第2樹脂基板30、第5絕緣膜31及第I絕緣膜11各自的熱膨脹系數(shù)設(shè)定得滿足上述關(guān)系，能夠防止顯示裝置I的翹曲。
[0035]藍(lán)色濾色器32B與有機EL元件OLEDl對置，使白色中的藍(lán)色波長的光透過。綠色濾色器32G與有機EL元件0LED2對置，使白色中的綠色波長的光透過。紅色濾色器32R與有機EL元件0LED3對置，使白色中的紅色波長的光透過。鄰接的濾色器的邊界位于肋板15的上方。
[0036]這樣的陣列基板AR和對置基板CT，在對圖像進(jìn)行顯示的顯示部的外側(cè)利用與陣列基板AR和對置基板CT粘接的密封材料而被粘接。在陣列基板AR與對置基板CT之間封入了透明的填充劑40。S卩，有機EL元件OLEDl至0LED3位于第I樹脂基板10與第2樹脂基板30之間。在圖示的例子中，在有機EL元件OLEDl與藍(lán)色濾色器32B之間、有機EL元件0LED2與綠色濾色器32G之間、以及有機EL元件0LED3與紅色濾色器32R之間，分別介有封固膜20及填充劑40。這樣的填充劑40優(yōu)選的是由具有吸水能力的材料形成。由此，即使在封固膜20中發(fā)生了缺陷，填充劑40也會進(jìn)入到封固膜20的缺陷中，能夠?qū)⑺值那秩肼窂蕉氯?br> [0037]另外，作為填充劑的替代，也可以用具有吸水能力的粘接劑將陣列基板AR與對置基板CT粘接。
[0038]根據(jù)作為這樣的顯示裝置I的一例的有機EL顯示裝置，在有機EL元件OLEDl至0LED3各自發(fā)光時，各自的放射光(白色光)經(jīng)由藍(lán)色濾色器32B、綠色濾色器32G、紅色濾色器32R的某個向外部射出。此時，從有機EL元件OLEDl放射的白色光中的藍(lán)色波長的光透過藍(lán)色濾色器32B。此外，從有機EL元件0LED2放射的白色光中的綠色波長的光透過綠色濾色器32G。此外，從有機EL元件0LED3放射的白色光中的紅色波長的光透過紅色濾色器32R。由此,實現(xiàn)彩色顯示。
[0039]接著，對本實施方式的顯示裝置I的另一構(gòu)造例進(jìn)行說明。
[0040]圖1B是概略地表示本實施方式的顯示裝置I的另一構(gòu)造例的剖視圖。
[0041]圖示的構(gòu)造例與圖1A所示的構(gòu)造例相比，不同點在于，省略了對置基板CT的濾色器，有機EL元件OLEDl至0LED3分別以不同顏色發(fā)光。另外，關(guān)于與圖1A所示的構(gòu)造例相同的結(jié)構(gòu)，賦予相同的標(biāo)號而省略詳細(xì)的說明。
[0042]S卩，陣列基板AR具備第I樹脂基板10、第I絕緣膜11、第2絕緣膜12、第3絕緣膜
13、第4絕緣膜14、肋板15、開關(guān)元件SWl至SW3、有機EL元件OLEDl至0LED3、以及封固膜20。第I絕緣膜11的熱膨脹系數(shù)比第I樹脂基板10的熱膨脹系數(shù)小。
[0043]有機EL元件OLEDl由與開關(guān)元件SWl連接的像素電極PE1、位于像素電極PEl的上方的有機發(fā)光層ORG (B)、以及位于有機發(fā)光層ORG (B)的上方的共通電極CE構(gòu)成。有機EL元件0LED2由與開關(guān)元件SW2連接的像素電極PE2、位于像素電極PE2的上方的有機發(fā)光層ORG (G)、以及位于有機發(fā)光層ORG (G)的上方的共通電極CE構(gòu)成。有機EL元件0LED3由與開關(guān)元件SW3連接的像素電極PE3、位于像素電極PE3的上方的有機發(fā)光層ORG(R)、以及位于有機發(fā)光層ORG (R)的上方的共通電極CE構(gòu)成。
[0044]有機發(fā)光層ORG (B)以藍(lán)色發(fā)光，有機發(fā)光層ORG (G)以綠色發(fā)光，有機發(fā)光層ORG (R)以紅色發(fā)光。有機發(fā)光層ORG (B)、有機發(fā)光層ORG (G)及有機發(fā)光層ORG (R)都在肋板15之上中斷。共通電極CE遍及有機EL元件OLEDl至0LED3不中斷地連續(xù)形成，將肋板15之上也覆蓋。
[0045]對置基板CT具備第2樹脂基板30及第5絕緣膜31。第2樹脂基板30例如由透明聚酰亞胺形成，第I樹脂基板10例如由耐熱性良好的非透明的聚酰亞胺形成。
[0046]第I樹脂基板10的熱膨脹系數(shù)與第2樹脂基板30的熱膨脹系數(shù)大致同等，第I絕緣膜11的熱膨脹系數(shù)與第5絕緣膜31的熱膨脹系數(shù)大致同等。此外，第I絕緣膜11及第5絕緣膜31的熱膨脹系數(shù)比第I樹脂基板10及第2樹脂基板30的熱膨脹系數(shù)小。作為一例，第I絕緣膜11及第5絕緣膜31的熱膨脹系數(shù)是0.5?3ppm/°C，第I樹脂基板10及第2樹脂基板30的熱膨脹系數(shù)是20?50ppm/°C。如上述那樣，通過將第I樹脂基板10、第2樹脂基板30、第I絕緣膜11及第5絕緣膜31各自的熱膨脹系數(shù)設(shè)定得滿足上述關(guān)系，能夠防止顯示裝置I的翹曲。
[0047]這些陣列基板AR與對置基板CT被粘接。
[0048]圖1C是概略地表示本實施方式的顯示裝置I的另一構(gòu)造例的剖視圖。這里，作為顯示裝置I的一例，對液晶顯示裝置的截面構(gòu)造進(jìn)行說明。
[0049]圖示的構(gòu)造例與圖1A所示的構(gòu)造例相比,不同點在于,作為顯示元件而具備液晶元件。另外，對于與圖1A所示的構(gòu)造例相同的結(jié)構(gòu)賦予相同的標(biāo)號，省略詳細(xì)的說明。
[0050]S卩，陣列基板AR具備第I樹脂基板10、第I絕緣膜11、第2絕緣膜12、第3絕緣膜13、第4絕緣膜14、開關(guān)元件SWl至SW3、像素電極PEl至PE3、以及第I取向膜AL1。第I絕緣膜11的熱膨脹系數(shù)比第I樹脂基板10的熱膨脹系數(shù)小。[0051]像素電極PEl與開關(guān)元件SWl連接，像素電極PE2與開關(guān)元件SW2連接，像素電極PE3與開關(guān)元件SW3連接。第I取向膜ALl將像素電極PEl至PE3覆蓋。
[0052]對置基板CT具備第2樹脂基板30、第5絕緣膜31、藍(lán)色濾色器32B、綠色濾色器32G、紅色濾色器32R、共通電極CE、以及第2取向膜AL2。第2樹脂基板30由與第I樹脂基板10不同的材料形成。例如，第2樹脂基板30由透明聚酰亞胺形成，第I樹脂基板10由耐熱性良好的非透明的聚酰亞胺形成。
[0053]第I樹脂基板10的熱膨脹系數(shù)與第2樹脂基板30的熱膨脹系數(shù)大致同等，第I絕緣膜11的熱膨脹系數(shù)與第5絕緣膜31的熱膨脹系數(shù)大致同等。此外，第I絕緣膜11及第5絕緣膜31的熱膨脹系數(shù)比第I樹脂基板10及第2樹脂基板30的熱膨脹系數(shù)小。作為一例，第I絕緣膜11及第5絕緣膜31的熱膨脹系數(shù)是0.5?3ppm/°C，第I樹脂基板10及第2樹脂基板30的熱膨脹系數(shù)是20?50ppm/°C。如上述那樣，通過將第I樹脂基板10、第2樹脂基板30、第I絕緣膜11及第5絕緣膜31各自的熱膨脹系數(shù)設(shè)定得滿足上述關(guān)系，能夠防止顯示裝置I的翹曲。
[0054]藍(lán)色濾色器32B位于像素電極PEl的上方，綠色濾色器32G位于像素電極PE2的上方，紅色濾色器32R位于像素電極PE3的上方。共通電極CE與像素電極PEl至PE3分別對置。第2取向膜AL2將共通電極CE覆蓋。
[0055]這些陣列基板AR和對置基板CT在由未圖示的間隔件(spacer)形成規(guī)定的單元間隙(cell gap)的狀態(tài)下,通過粘接劑(或密封材料)而被粘接。液晶層LQ被保持在陣列基板AR與對置基板CT之間的單元間隙中。液晶層LQ包含取向狀態(tài)被像素電極PE與共通電極CE之間的電場控制的液晶分子。
[0056]液晶元件LCl由像素電極PEl、液晶層LQ及共通電極CE構(gòu)成。液晶元件LC2由像素電極PE2、液晶層LQ及共通電極CE構(gòu)成。液晶元件LC3由像素電極PE3、液晶層LQ及共通電極CE構(gòu)成。
[0057]另外，在圖示的例子中，對構(gòu)成各液晶元件的像素電極PEI至PE3設(shè)置在陣列基板AR上、共通電極CE設(shè)置在對置基板CT上的情況進(jìn)行了說明，但也可以將像素電極PEl至PE3和共通電極CE雙方設(shè)置在陣列基板AR上。
[0058]根據(jù)本實施方式，由于顯示裝置I是采用了第I樹脂基板10及第2樹脂基板30的結(jié)構(gòu)，所以與采用了玻璃基板的顯示裝置相比，能夠?qū)崿F(xiàn)薄型化及輕量化，并且柔性高，形狀的自由度高。此外，第I樹脂基板10及第2樹脂基板30具有比較高的吸濕性，但第I樹脂基板10的內(nèi)面IOA被作為第I阻擋層的第I絕緣膜11覆蓋，此外，第2樹脂基板30的內(nèi)面30A被作為第2阻擋層的第5絕緣膜31覆蓋。因此，能夠抑制經(jīng)由第I樹脂基板10或第2樹脂基板30的水分等的侵入。由此，能夠抑制位于第I樹脂基板10與第2樹脂基板30之間的顯示元件的因水分等造成的劣化。
[0059]此外，構(gòu)成陣列基板AR的第I樹脂基板10例如由耐熱性良好的非透明的聚酰亞胺等形成，構(gòu)成對置基板CT的第2樹脂基板30例如由透明聚酰亞胺等不同的材料形成。并且，第I樹脂基板10的熱膨脹系數(shù)與第2樹脂基板30的熱膨脹系數(shù)同等。因此，即使顯示裝置I熱膨脹，也由于幾乎沒有第I樹脂基板10與第2樹脂基板30的熱膨脹系數(shù)的差，所以能夠抑制顯示裝置I的翹曲的發(fā)生。
[0060]并且，將第I樹脂基板10的內(nèi)面IOA覆蓋的第I絕緣膜(第I阻擋層)11具有比第I樹脂基板10小的熱膨脹系數(shù)，此外，將第2樹脂基板30的內(nèi)面30A覆蓋的第5絕緣膜(第2阻擋層)31具有比第2樹脂基板30小的熱膨脹系數(shù)。第I樹脂基板10與第I絕緣膜11之間的熱膨脹率的差和第2樹脂基板30與第5絕緣膜31之間的熱膨脹率的差同等。因此，雖然在陣列基板AR側(cè)及對置基板CT側(cè)都發(fā)生應(yīng)力，但由于兩者的應(yīng)力平衡，所以能夠抑制顯示裝置I的翹曲的發(fā)生。因而，能夠穩(wěn)定地維持顯示裝置I的形狀。
[0061]進(jìn)而，由于第I樹脂基板10的厚度與第2樹脂基板30的厚度同等，所以由熱膨脹帶來的第I樹脂基板10及第2樹脂基板30的尺寸變化同等，顯示裝置I的形狀能夠更穩(wěn)定。
[0062]在圖2中，各個箭頭示意地表示本實施方式的顯示裝置I的陣列基板AR及對置基板CT中的第I樹脂基板10、第I絕緣膜11、第2樹脂基板30及第5絕緣膜31的熱膨脹率的關(guān)系。
[0063]在本實施方式的顯示裝置I的制造工序中，第I樹脂基板10、第I絕緣膜11、第2樹脂基板30及第5絕緣膜31在比較高溫的狀態(tài)下形成。此時，由于第I樹脂基板10及第2樹脂基板30的熱膨脹系數(shù)比第I絕緣膜11及第5絕緣膜31的熱膨脹系數(shù)大，所以在剛剛將顯示裝置I在高溫下形成之后，第I樹脂基板10及第2樹脂基板30以比第I絕緣膜11及第5絕緣膜31更大膨脹的狀態(tài)形成為規(guī)定的尺寸。從高溫狀態(tài)冷卻時的第I樹脂基板10及第2樹脂基板30的收縮率比第I絕緣膜11及第5絕緣膜31的收縮率大。因此，隨著將在高溫下形成的顯示裝置I冷卻，在陣列基板AR的周邊部發(fā)生朝向第I樹脂基板10的外側(cè)(即，從對置基板CT遠(yuǎn)離的一側(cè))翹曲那樣的應(yīng)力。另一方面，在對置基板CT中也同樣，對置基板CT的周邊部發(fā)生朝向第2樹脂基板30的外側(cè)(即，從陣列基板AR遠(yuǎn)離的一偵D翹曲那樣的應(yīng)力。此外，由于第I樹脂基板10及第2樹脂基板30的熱膨脹系數(shù)同等，第I絕緣膜11及第5絕緣膜31的熱膨脹系數(shù)也同等，所以在陣列基板AR側(cè)朝向外側(cè)翹曲那樣的應(yīng)力、與在對置基板CT側(cè)朝向外側(cè)翹曲那樣的應(yīng)力大致相等。
[0064]這樣，雖然陣列基板AR及對置基板CT雙方分別發(fā)生應(yīng)力，但由于這些應(yīng)力以大致同等的力作用在使陣列基板AR和對置基板CT更接近的方向上，所以能夠維持顯示裝置I的形狀。進(jìn)而，在顯示裝置I的使用環(huán)境是低溫的情況下，由于陣列基板AR及對置基板CT雙方各自的應(yīng)力以同等的力產(chǎn)生以向外側(cè)進(jìn)一步翹曲，所以能夠維持顯示裝置I的形狀。在顯示裝置I的使用環(huán)境是高溫的情況下，也由于原本產(chǎn)生應(yīng)力以向外側(cè)翹曲，所以只要使用溫度不超過制造工序中的溫度，就能夠維持顯示裝置I的形狀。關(guān)于圖1A及圖1B所示那樣的有機EL顯示裝置，即使是將陣列基板AR與對置基板CT粘接的粘接劑的粘接力弱的情況，也由于陣列基板AR及對置基板CT雙方產(chǎn)生的應(yīng)力作用在使陣列基板AR與對置基板CT更接近的方向上，所以能夠維持顯示裝置I的形狀。關(guān)于圖1C所示那樣的液晶顯示裝置，由于陣列基板AR及對置基板CT雙方產(chǎn)生的應(yīng)力作用在將介于陣列基板AR與對置基板CT之間的間隔件推壓的方向上，所以能夠維持顯示裝置I的形狀，并且能夠維持單元間隙，能夠抑制顯示品質(zhì)的劣化。
[0065]另外，作為比較例，對第I樹脂基板10的熱膨脹系數(shù)比第I絕緣膜11的熱膨脹系數(shù)小、第2樹脂基板30的熱膨脹系數(shù)比第5絕緣膜31的熱膨脹系數(shù)小的情況進(jìn)行討論。在這樣的比較例中，在制造后，在陣列基板AR中廣生陣列基板AR的中央部朝向弟I樹脂基板10的外側(cè)翹曲那樣的應(yīng)力。另一方面，在對置基板CT中，在制造后產(chǎn)生對置基板CT的中央部朝向第2樹脂基板30的外側(cè)翹曲那樣的應(yīng)力。這樣，陣列基板AR及對置基板CT雙方產(chǎn)生的各個應(yīng)力作用在陣列基板AR和對置基板CT在顯示裝置I的中央部更加分離的方向上。
[0066]因此，對于圖1A及圖1B所示那樣的有機EL顯示裝置，在陣列基板AR與對置基板CT之間的粘接力弱的情況下，難以維持顯示裝置I的形狀。對于圖1C所示那樣的液晶顯示裝置，由于陣列基板AR及對置基板CT雙方產(chǎn)生的應(yīng)力作用在陣列基板AR與對置基板CT之間的單元間隙擴大的方向上，所以有可能導(dǎo)致顯示品質(zhì)的劣化或氣泡的發(fā)生。
[0067]這樣，根據(jù)本實施方式的顯示裝置1，與比較例相比，能夠穩(wěn)定地維持形狀，并且還能夠抑制顯示品質(zhì)的劣化。
[0068]接著，對本實施方式的顯示裝置I的制造方法的一例進(jìn)行說明。這里，對圖1A所示的構(gòu)造例的顯示裝置I的制造方法的一例進(jìn)行說明。
[0069]首先，如圖3所示，準(zhǔn)備第I母基板Ml。即，在玻璃基板等第I支承基板100之上，將樹脂材料以希望的厚度成膜后使其硬化，形成第I樹脂基板10。此時，第I樹脂基板10在后述的割斷工序后成為各個陣列基板的區(qū)域中的、與顯示部對應(yīng)的區(qū)域中延伸。在圖示的例子中，第I樹脂基板10在與3個顯示部對應(yīng)的區(qū)域，即第I區(qū)域Al、第2區(qū)域A2、第3區(qū)域A3中分別延伸。然后，在第I樹脂基板10之上，使由無機類材料構(gòu)成的薄膜成膜，根據(jù)需要而形成薄膜的多層膜，形成第I絕緣膜11。第I絕緣膜11分別在第I區(qū)域Al、第2區(qū)域A2及第3區(qū)域A3中延伸。
[0070]并且，在第I絕緣膜11之上的第I區(qū)域Al中形成顯示元件部121，在第I絕緣膜11之上的第2區(qū)域A2中形成顯示元件部122，在第I絕緣膜11之上的第3區(qū)域A3中形成顯示元件部123。此外，在第I絕緣膜11之上，形成用來安裝驅(qū)動IC芯片及柔性印刷電路基板等的信號供給源的安裝部131至133。顯示元件部121至123都是相同構(gòu)造，分別包含配置為矩陣狀的多個顯示元件，例如有機EL元件。
[0071]顯示元件部121至123分別如以下這樣形成。即，在第I絕緣膜11之上，形成開關(guān)元件SWl至SW3、第2絕緣膜12、第3絕緣膜13、第4絕緣膜14等。同時，還形成各種布線。并且，在第4絕緣膜14之上，在形成像素電極PEl至PE3后形成肋板15，形成有機發(fā)光層0RG，形成共通電極CE。經(jīng)過這些工序，形成有機EL元件OLEDl至0LED3。然后，根據(jù)需要，形成將有機EL元件OLEDl至0LED3覆蓋的封固膜20。
[0072]接著，如圖4所示，準(zhǔn)備第2母基板M2。即，在玻璃基板等第2支承基板200之上，將樹脂材料以希望的厚度成膜后使其硬化，然后將利用光刻工藝等成膜的樹脂材料形成圖案，從而形成透明的第2樹脂基板30。各個第2樹脂基板30相互離開。即，第2樹脂基板30分別以島狀形成在第2支承基板200之上。
[0073]并且，在第2樹脂基板30的各自之上，使由無機類材料構(gòu)成的薄膜成膜，根據(jù)需要而形成薄膜的多層膜，形成第5絕緣膜31。
[0074]并且，在第5絕緣膜31的各自之上形成濾色器層CF。濾色器層CF都是相同構(gòu)造，分別具有藍(lán)色濾色器32B、綠色濾色器32G、紅色濾色器32R。
[0075]接著，如圖5所示，在第I區(qū)域Al、第2區(qū)域A2、第3區(qū)域A3的各自中，形成框狀的密封材料SE，然后在由密封材料SE包圍的內(nèi)側(cè)涂敷填充材料(或粘接劑)40。
[0076]接著，如圖6所示，將第I母基板Ml與第2母基板M2貼合。S卩，將顯示元件部121至123分別與濾色器層CF通過密封材料SE及粘接劑40粘接。
[0077]接著，如圖7所示，對于第2母基板M2，從第2樹脂基板30將第2支承基板200剝離，將第2支承基板200除去。同樣，對于第I母基板M1，從第I樹脂基板10將第I支承基板100剝離，將第I支承基板100除去。關(guān)于這些第I支承基板100及第2支承基板200的剝離、除去，例如可以采用被稱作激光燒蝕(laser ablation)的技術(shù)等。所謂激光燒蝕，是這樣一種技術(shù)，即:通過朝向支承基板照射激光，在支承基板與樹脂基板的界面中局部地引起能量吸收，支承基板變得能夠從樹脂基板分離。作為射出激光的光源，例如可以采用準(zhǔn)分子激光器等。
[0078]接著，如圖8所示，將第I樹脂基板10割斷。在圖示的例子中，在第I區(qū)域Al與第2區(qū)域A2之間、以及第2區(qū)域A2與第3區(qū)域A3之間分別將第I樹脂基板10割斷。由此，分離為芯片Cl至C3。芯片Cl在第I區(qū)域Al中具備顯示元件部121，在第I區(qū)域Al的外側(cè)具備安裝部131。芯片C2在第2區(qū)域A2中具備顯示元件部122，在第2區(qū)域A2的外側(cè)具備安裝部132。芯片C3在第3區(qū)域A3中具備顯示元件部123，在第3區(qū)域A3的外側(cè)具備安裝部133。
[0079]然后，在安裝部131至133上分別安裝信號供給源。
[0080]由此，制造本實施方式的顯示裝置(有機EL顯示裝置)I。
[0081]在上述制造工序中，本實施方式的顯示裝置(有機EL顯示裝置)I被暴露在高溫的狀態(tài)下，但如上述那樣，通過將第I樹脂基板10、第2樹脂基板30、第I絕緣膜11及第5絕緣膜31各自的熱膨脹系數(shù)設(shè)定得滿足上述關(guān)系，能夠防止顯示裝置I的翹曲。
[0082]如以上說明的那樣，根據(jù)本實施方式，能夠提供能夠穩(wěn)定地維持其形狀的顯示裝置。
[0083]以上說明了一些實施方式，但這些實施方式只是用來例示的，并不意味著限定本發(fā)明的范圍。事實上，這里給出的新的實施方式可以通過各種各樣的形式表現(xiàn)，并且在不脫離本發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)能夠進(jìn)行各種省略、替換及變更。權(quán)利要求書及其等價物涵蓋本發(fā)明的技術(shù)范圍和主旨內(nèi)的這些形式或變更。
【權(quán)利要求】
1.一種顯示裝置，其特征在于，具備: 第I基板，該第I基板具備:具有第I熱膨脹系數(shù)的第I樹脂基板，將上述第I樹脂基板的內(nèi)面覆蓋、具有比上述第I熱膨脹系數(shù)小的第2熱膨脹系數(shù)的第I阻擋層，以及形成在上述第I阻擋層之上的開關(guān)元件； 第2基板，該第2基板具備:由與上述第I樹脂基板不同的材料形成且具有與上述第I熱膨脹系數(shù)同等的第3熱膨脹系數(shù)的第2樹脂基板，以及將上述第2樹脂基板的內(nèi)面覆蓋、具有比上述第3熱膨脹系數(shù)小且與上述第I熱膨脹系數(shù)同等的第4熱膨脹系數(shù)的第2阻擋層；以及 顯示元件，位于上述第I樹脂基板與上述第2樹脂基板之間，并且包含與上述開關(guān)元件電連接的像素電極。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于， 上述第I樹脂基板的厚度與上述第2樹脂基板的厚度同等。
3.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于， 上述顯示元件是有機電致發(fā)光元件； 該顯示裝置還具備將上述顯示元件覆蓋的封固膜。
4.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于， 上述顯示元件是液晶元件。
5.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于， 上述第I熱膨脹系數(shù)與上述第2熱膨脹系數(shù)之差和上述第3熱膨脹系數(shù)與上述第4熱膨脹系數(shù)之差同等。
6.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于， 上述第I熱膨脹系數(shù)及上述第3熱膨脹系數(shù)是20?50ppm/°C。
7.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于， 上述第2熱膨脹系數(shù)及上述第4熱膨脹系數(shù)是0.5?3.0ppm/°C。
8.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于， 上述第I樹脂基板及上述第2樹脂基板由以聚酰亞胺為主成分的材料形成。
9.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于， 上述第I阻擋層及上述第2阻擋層由以硅為主成分的無機類材料形成。
【文檔編號】H01L51/52GK103996691SQ201410056603
【公開日】2014年8月20日 申請日期:2014年2月19日 優(yōu)先權(quán)日:2013年2月20日
【發(fā)明者】石田有親, 川田靖 申請人:株式會社日本顯示器