新型相變存儲單元結構及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種新型相變存儲單元結構及其制備方法。該新型相變存儲單元結構包括依次沉積于襯底上的第一電極層、氮化物絕緣材料層、相變材料層和第二電極層，該絕緣材料層內設置有加熱電極，所述加熱電極分別與第一電極層和相變材料層電性接觸，并且相變材料層還與第二電極層電性接觸。該加熱電極優(yōu)選采用氮化物加熱電極。本發(fā)明通過采用氮化物絕緣材料層包覆加熱電極，能夠有效阻止加熱電極被氧化，避免出現(xiàn)加熱電極阻值不穩(wěn)定和相變存儲器件失效的問題，提高了器件成品率，并大幅降低了器件功耗，且本發(fā)明在應用于相變存儲器中時，還具有低功耗、高密度和高穩(wěn)定性等特點，是一種可實現(xiàn)對信息的寫入，擦除和讀出功能的非易失性半導體存儲器。
【專利說明】新型相變存儲單元結構及其制備方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種新型相變存儲單元結構及其制備方法，屬于微納電子【技術領域】。【背景技術】
[0002]相變存儲器技術是基于Ovshinsky在20世紀60年代末(Phys.Rev.Lett., 21，1450-1453，1968)70 年代初(Appl.Phys.Lett., 18，254-257，1971)提出的相變薄膜可以應用于相變存儲介質的構想建立起來，是一種價格便宜、性能穩(wěn)定的存儲器件。相變存儲器可以做在硅晶片襯底上，其關鍵材料是可記錄的相變薄膜、加熱電極材料、絕熱材料和引出電極的研究熱點也就圍繞其器件工藝展開:器件的物理機制研究，包括如何減小器件功耗等。相變存儲器的基本原理是利用硫族材料的可逆相變而產生的電阻差異的變化來表征兩種狀態(tài)，從而實現(xiàn)數(shù)據的存儲。
[0003]存儲器內的相變材料從低阻態(tài)(結晶態(tài))向高阻態(tài)(非晶態(tài))轉變時，需要大到足以融化相變材料的電流流經存儲器，而此電流作用時間很短，相變材料在快速冷卻的過程中，從熔化態(tài)變?yōu)榉蔷B(tài)，使得相變材料呈現(xiàn)高阻態(tài)，這種狀態(tài)轉變稱為“復位”(RESET)操作。為了使存儲器從高阻態(tài)轉變?yōu)榈妥钁B(tài)，需要一個較低的電流流經存儲器內的相變材料，力口熱使相變材料的溫度超過其相變溫度，相變材料逐漸結晶并呈現(xiàn)低阻態(tài)，這種狀態(tài)轉變稱為“置位”(SET)操作。而為了讀取存儲器的阻值高低，需要施加一個比置位電流還要小得多的電流，通過測量存儲器的電壓值來確定阻值。所以，相變存儲器主要是由電流通過相變材料產生的焦耳熱來使材料發(fā)生相變從而實現(xiàn)數(shù)據的存儲。由此帶來的問題就是在集成度逐漸提高的情況下，整個器件的功耗也會較大，且會出現(xiàn)熱串擾等不良現(xiàn)象。
[0004]存儲器的研究一直朝著隨著高速、高密度、低功耗、高可靠性的方向發(fā)展。目前世界上從事相變存儲器研發(fā)工作的機構大多數(shù)是半導體行業(yè)的大公司，他們關注的焦點之一是如何減小相變存儲器的加熱電極尺寸，目前比較普通采用的是三星公司的側壁接觸型加熱電極(Proc.Symp.Very Large Scale Integr.(VLSI) Technol., 2003: 175-176)、環(huán)形加熱電極(Jpn.J.Appl.Phys., 2006, 45 (4B): 3233-3237)與刀片狀加熱電極(IEEE Conference Proceedings of International Electron Devices Meeting, 2011,
3.1.1-3.1.4)和意法半導體公司的μ型加熱電極(Proc.Symp.Very Large ScaleIntegr.(VLSI) Technol.，2004: 3.1:18-19)，但上述結構中的電極周圍都以氧化物介質層為主，其缺點是在進行相變存儲器的RESET操作時，所流過的電流密度很高，加熱電極的溫度很高，經過多次操作循環(huán)后，加熱電極很容易因氧化物介質中的氧擴散被氧化，致使加熱電極的電阻升高，在加熱電極上的分壓過多，使得相變材料的壓降減少，最終導致無法使相變材料進行正常的寫擦操作而失敗。究其原因是因為加熱電極的氧化導致其阻值變化較大造成的。

【發(fā)明內容】

[0005]本發(fā)明的目的在于提供一種新型相變存儲單元結構及其制備方法，以克服現(xiàn)有技術中的不足。
[0006]為實現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明采用了如下技術方案:
一種新型相變存儲單元結構，包括依次沉積于襯底上的第一電極層、氮化物絕緣材料層、相變材料層和第二電極層，所述氮化物絕緣材料層內設置有加熱電極，所述加熱電極分別與所述第一電極層和所述相變材料層電性接觸，并且所述相變材料層還與所述第二電極層電性接觸。
[0007]作為較佳實施方案之一，所述氮化物絕緣材料層包括依次形成在第一電極層上的第一絕緣材料層、第二絕緣材料層和第三絕緣材料層，所述第一絕緣材料層、第二絕緣材料層和第三絕緣材料層內分別設有第一加熱電極、第二加熱電極和第三加熱電極，所述第一加熱電極一端部與第一電極層電性接觸，另一端部與第二加熱電極的一端部電性接觸，所述第二加熱電極的另一端部與第三加熱電極一端部電性接觸，所述第三加熱電極另一端部與所述相變材料層電性接觸。
[0008]進一步的,所述氮化物絕緣材料層還包括形成在第三絕緣材料層上的第四絕緣材料層，所述相變材料層分布在所述第四絕緣材料層中，且所述相變材料層的兩端部分別與第二電極層和第三加熱電極電性接觸。
[0009]進一步的，所述加熱電極采用氮化物加熱電極。
[0010]進一步的，所述相變材料層可以為蘑菇型、限制型或直線型，但不限于此。
[0011]進一步的，所述第一絕緣材料層、第二絕緣材料層、第三絕緣材料層及第四絕緣材料層的厚度優(yōu)選為50-300nm。
[0012]進一步的，所述第一加熱電極的半徑優(yōu)選為50_500nm。
[0013]進一步的，所述第三加熱電極的半徑優(yōu)選為5-100nm。
[0014]進一步的，所述第二加熱電極具有層狀結構，其厚度為50_300nm，半徑為500_5000nm。
[0015]進一步的，所述第三絕緣材料層中對稱分布有兩根以上第三加熱電極。
[0016]一種新型相變存儲單元結構的制備方法，包括如下步驟:
(1)依次在襯底上形成第一電極層和第一絕緣材料層，并在第一絕緣材料層上加工形成第一加熱電極孔洞，所述第一加熱電極孔洞貫穿第一絕緣材料層，并直達第一電極層；
(2)在所述第一加熱電極孔洞內置入導電加熱材料，形成第一加熱電極，而后在第一絕緣材料層上形成第二絕緣材料層，并在第二絕緣材料層上加工形成第二加熱電極孔洞，所述第二加熱電極孔洞貫穿第二絕緣材料層，并直達第一加熱電極；
(3)在所述第二加熱電極孔洞內置入導電加熱材料，形成第二加熱電極，而后在第二絕緣材料層上形成第三絕緣材料層，并在第三絕緣材料層上加工形成第三加熱電極孔洞，所述第三加熱電極孔洞貫穿第二絕緣材料層，并直達第二加熱電極；
(4 )在所述第三加熱電極孔洞內置入導電加熱材料，形成第三加熱電極，而后在第三絕緣材料層上形成第四絕緣材料層，并在第四絕緣材料層上加工形成貫穿第四絕緣材料層的相變材料層孔洞；
(5)在所述相變材料層孔洞內置入相變材料，形成相變材料層，并使相變材料層與第三加熱電極電性接觸；
(6)在所述相變材料層上形成第二電極層。[0017]進一步的，所述第一絕緣材料層、第二絕緣材料層和第三絕緣材料層的材料包括氮化硅、氮化鍺和氮化鉭中的任意一種，且不限于此。
[0018]進一步的，所述第一加熱電極、第二加熱電極和第三加熱電極的材料包括氮化鈦、氮化硅鈦和氮化鋁鈦中的任意一種，且不限于此。
[0019]進一步的,所述第一電極層、第二電極層的材料包括W、Pt、Au、T1、Al、Ag、Cu、和Ni
中的任意一種或兩種以上的合金或其氮化物或氧化物，且不限于此。
[0020]進一步的，所述相變材料層包括Ge2Sb2Te5、GeTe, SbTe, BiTe, SnTe, AsTe, GeSe,SbSe、BiSe、SnSe、AsSe、InSe、GeSbTe和AgInSbTe中的任意一種或其與摻雜兀素形成的混合物，所述摻雜元素包括S、N、O、Cu、S1、Au、Al、W或Ga元素,且均不限于此。
[0021]與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明的有益效果包括:通過采用絕緣材料層，特別是氮化物絕緣材料層包覆加熱電極，特別是氮化物加熱電極，能夠有效阻止加熱電極被氧化，從而避免出現(xiàn)加熱電極阻值不穩(wěn)定和相變存儲器器件失效的問題，提高器件的成品率，并大幅降低了器件功耗。本發(fā)明在應用于相變存儲器中時，還具有低功耗、高密度和高穩(wěn)定性等特點，從而提供了一種可實現(xiàn)對信息的寫入，擦除和讀出功能的非易失性半導體存儲器。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0022]圖1是本發(fā)明一較佳實施方案中一種新型相變存儲單元的結構示意圖；
圖2是實施例1中一種新型相變存儲單元的制備工藝流程圖；
附圖標記說明:基底110、襯底120、第一電極層130、第一絕緣材料層140、第一加熱電極150、第二絕緣材料層160、第二加熱電極170、第三絕緣材料層180、第三加熱電極190、第四絕緣材料層200、相變材料層210、第二電極層220。
【具體實施方式】
[0023]為了使本發(fā)明的目的、技術方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結合附圖及具體實施例，對本發(fā)明進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0024]但是，在本說明書中，諸如第一和第二等之類的關系術語僅僅用來將一個實體或者操作與另一個實體或操作區(qū)分開來，而不一定要求或者暗示這些實體或操作之間存在任何這種實際的關系或者順序。而且，術語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者設備不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、物品或者設備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句“包括一個……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的過程、方法、物品或者設備中還存在另外的相同要素。
[0025]請參閱圖1，該新型相變存儲單元包括 依次沉積于襯底120上的第一電極層130、氮化物絕緣材料層、相變材料層210和第二電極層220，氮化物絕緣材料層內設置有加熱電極，加熱電極分別與第一電極層130和相變材料層210電性接觸，并且相變材料層210還與第二電極層220電性接觸。
[0026]前述基底110可采用硅單晶片。
[0027]進一步的，氮化物絕緣材料層包括依次形成在第一電極層130上的第一絕緣材料層140、第二絕緣材料層160和第三絕緣材料層180，第一絕緣材料層140、第二絕緣材料層160和第三絕緣材料層180內分別設有第一加熱電極150、第二加熱電極170和第三加熱電極190,第一加熱電極150 —端部與第一電極層130電性接觸,另一端部與第二加熱電極170的一端部電性接觸，第二加熱電極170的另一端部與第三加熱電極190 —端部電性接觸，第三加熱電極190另一端部與相變材料層210電性接觸。
[0028]進一步的,氮化物絕緣材料層還包括形成在第三絕緣材料層180上的第四絕緣材料層200，相變材料層210分布在第四絕緣材料層200中，且相變材料層210的兩端部分別與第二電極層220和第三加熱電極190電性接觸。
[0029]其中，第一加熱電極150、第二加熱電極170和第三加熱電極190采用氮化物加熱電極；相變材料層為直線型；
優(yōu)選的，第一絕緣材料層140、第二絕緣材料層160、第三絕緣材料層180及第四絕緣材料層200的厚度優(yōu)選為50-300nm ;第一加熱電極150的半徑優(yōu)選為50_500nm ;第三加熱電極190的半徑優(yōu)選為5-100nm ;第二加熱電極170具有層狀結構，其厚度為50_300nm，半徑為500-5000nm ;第三絕緣材料層180中對稱分布有兩根以上第三加熱電極190。
[0030]以下結合若干更為具體的實施例對該新型相變存儲單元結構的制備工藝作詳細說明。
[0031]實施例1參閱圖2，本實施例所涉及的新型相變存儲單元的制備過程具體如下: 步驟1:采用磁控濺射法在襯底120上制備TiW第一電極層130 (亦可稱為第一電極層
130)，TiW第一電極層130的厚度為200nm;制備該TiW第一電極層130所采用的方法可以選為濺射法、蒸發(fā)法、化學氣相沉積法、等離子體增強化學氣相沉積法、低壓化學氣相沉積法、金屬化合物氣相沉積法、分子束外延法、原子氣相沉積法和原子層沉積法中任意一種，而TiW第一電極層130的材料還可以為單金屬材料W、Pt、Au、T1、Al、Ag、Cu、和Ni中的任意一種，或其合金材料，或由所述單金屬材料的氮化物或氧化物；
步驟2:在TiW第一電極層130上采用PECVD法制備第一絕緣材料層140，本實施例中，第一絕緣材料層140的材料為氮化硅，厚度為10(T300nm，最好為IOOnm ;此外，該第一絕緣材料層140的材料還可以選用氮化鍺或氮化鉭中的任意一種，但不限于此。
[0032]步驟3:在第一絕緣材料層140上采用電子束曝光和刻蝕法制備第一加熱電極孔洞，該第一加熱電極孔洞的半徑為50-500nm,最好為150nm ;
步驟4:采用磁控濺射法在所述第一加熱電極孔洞內沉積加熱金屬材料，形成第一加熱電極150 ;制備第一加熱電極150所米用的方法可以選為派射法、蒸發(fā)法、化學氣相沉積法、等離子體增強化學氣相沉積法、低壓化學氣相沉積法、金屬化合物氣相沉積法、分子束外延法、原子氣相沉積法和原子層沉積法中任意一種；第一加熱電極150材料可以為單金屬材料氮化鈦、氮化硅鈦或氮化鋁鈦中的任意一種，但不限于此；
步驟5:去除所述第一加熱電極孔洞以外的加熱金屬材料，再采用PECVD沉積第二絕緣體材料層160,第二絕緣材料層160的材料為氮化娃,厚度為5?100nm,最好為20nm ;另外，第二絕緣材料層160的材料還可以選為氮化鍺或氮化鉭中的任意一種，但不限于此。
[0033]步驟6:然后利用紫外光刻和刻蝕第二絕緣材料層160直至第一加熱電極150表面，形成直達第一加熱電極150的第二加熱電極孔洞，第二加熱電極孔洞的半徑為500-5000nm，最好為 IOOOnm; 步驟7:采用磁控濺射法在第二加熱電極孔洞內沉積加熱金屬材料，形成第二加熱電極170 ;制備加熱電極170的方法可以選為濺射法、蒸發(fā)法、化學氣相沉積法、等離子體增強化學氣相沉積法、低壓化學氣相沉積法、金屬化合物氣相沉積法、分子束外延法、原子氣相沉積法和原子層沉積法中任意一種；第二加熱電極170材料可以為單金屬材料氮化鈦、氮化硅鈦或氮化鋁鈦中的任意一種，但不限于此；
步驟8:去除第二加熱電極孔洞以外的加熱金屬材料，再采用PECVD沉積第三絕緣體材料層180，第三絕緣材料層180的材料為氮化硅，厚度為5(T500nm，最好為IOOnm ;第三絕緣材料層的材料還可以選為氮化鍺或氮化鉭中的任意一種，但不限于此；
步驟9:利用電子束曝光和刻蝕刻蝕第三絕緣材料層180直至第二加熱電極170，形成直達第二加熱電極170的第三加熱電極孔洞；第三加熱電極孔洞的半徑為5-50nm,最好為20nm ；
步驟10:采用磁控濺射法在第三加熱電極孔洞內沉積加熱金屬材料，形成第三加熱電極190 ;制備第三加熱電極190的方法可以選為濺射法、蒸發(fā)法、化學氣相沉積法、等離子體增強化學氣相沉積法、低壓化學氣相沉積法、金屬化合物氣相沉積法、分子束外延法、原子氣相沉積法和原子層沉積法中任意一種；第三加熱電極190材料可以為單金屬材料氮化鈦、氮化硅鈦或氮化鋁鈦中的任意一種，但不限于此；
步驟11:去除所述第三加熱電極孔洞以外的加熱金屬材料，再采用PECVD沉積第四絕緣體材料層200，第四絕緣材料層200的材料為氮化硅，厚度為5(T300nm，最好為IOOnm ;此夕卜，該第四絕緣材料層200的材料還可以選用氮化鍺或氮化鉭中的任意一種，但不限于此；步驟12:利用電子束曝光和刻蝕第四絕緣材料層200直至第三加熱電極190，形成直達第三加熱電極190的相變材料層孔洞；
步驟13:再采用磁控濺射法在相變材料層孔洞內沉積相變材料形成相變材料層210，形成相變材料層210材料采用Ge2Sb2Te5，其工藝參數(shù):本底氣壓為8 X 10_6，濺射時Ar氣氣壓為3mTorr，濺射功率為50W，襯底溫度為25°C，薄膜厚度為IOOnm ;所采用的方法為濺射法、蒸發(fā)法、化學氣相沉積法、等離子體增強化學氣相沉積法、低壓化學氣相沉積法、金屬化合物氣相沉積法、分子束外延法、原子氣相沉積法和原子層沉積法中任意一種；相變材料層210 材料還可以為 GeTe、SbTe、BiTe、SnTe、AsTe、GeSe、SbSe、BiSe、SnSe、AsSe、InSe、GeSbTe和AgInSbTe中的任意一種，或者上述任意一種化合物摻雜S或N或O或Cu或Si或Au或Al或W或Ga元素形成的混合物；
步驟14:去除相變材料層孔洞以外的相變材料，再采用磁控濺射法沉積TiW電極材料，形成第二電極層220，第二電極層220的厚度為200nm ;制備第二電極層220方法還可以選為濺射法、蒸發(fā)法、化學氣相沉積法、等離子體增強化學氣相沉積法、低壓化學氣相沉積法、金屬化合物氣相沉積法、分子束外延法、原子氣相沉積法和原子層沉積法中任意一種；第二電極層220材料還可以為單金屬材料W、Pt、Au、T1、Al、Ag、Cu、和Ni中的任意一種,或其組合成合金材料，或由所述電極單金屬材料的氮化物或氧化物；
步驟15:采用標準半導體工藝刻蝕出引出第一電極層130和第二電極層220，并與器件單元的控制開關、驅動電路和外圍電路集成，從而制備出完整的相變存儲器器件單元；即，將上述步驟制作的相變存儲器單元的第一電極層130和第二電極層220與器件單元的控制開關及外圍電路集成，制備出相變存儲器器件，所采用的加工方法為常規(guī)的半導體工藝；其引出電極的材料為W、Pt、Au、T1、Al、Ag、Cu、和Ni中的任意一種，或其組合成合金材料。
[0034]本發(fā)明能有效解決現(xiàn)有技術中加熱電極很容易因氧化物介質中的氧擴散被氧化，致使加熱電極的電阻升高，在加熱電極上的分壓過多，使得相變材料的壓降減少，最終導致無法使相變材料進行正常的寫操作而失效的問題，從而能夠杜絕阻值漂移，并大幅降低了整個器件的功耗，以及有效提升了數(shù)據穩(wěn)定性，而且該相變存儲器制備方法簡單，易于規(guī)?；瘜嵤?br> [0035]以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術人員，在不脫離本發(fā)明技術方案范圍內，當可利用上述揭示的技術內容做出些許更動或修飾為等同變化的等效實施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術方案內容，依據本發(fā)明的技術實質對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術方案的范圍內。
【權利要求】
1.一種新型相變存儲單元結構，其特征在于包括依次沉積于襯底上的第一電極層、氮化物絕緣材料層、相變材料層和第二電極層，其特征在于，所述氮化物絕緣材料層包括依次形成在第一電極層上的第一絕緣材料層、第二絕緣材料層和第三絕緣材料層，所述第一絕緣材料層、第二絕緣材料層和第三絕緣材料層內分別設有第一加熱電極、第二加熱電極和第三加熱電極，所述第一加熱電極一端部與第一電極層電性接觸，另一端部與第二加熱電極的一端部電性接觸，所述第二加熱電極的另一端部與第三加熱電極一端部電性接觸，所述第三加熱電極另一端部與所述相變材料層電性接觸。
2.根據權利要求1所述的新型相變存儲單元結構，其特征在于，所述氮化物絕緣材料層還包括形成在第三絕緣材料層上的第四絕緣材料層，所述相變材料層分布在所述第四絕緣材料層中，且所述相變材料層的兩端部分別與第二電極層和第三加熱電極電性接觸。
3.根據權利要求1-2任一項所述的新型相變存儲單元結構，其特征在于，所述相變材料層為蘑菇型、限制型或直線型。
4.根據權利要求1所述的新型相變存儲單元結構，其特征在于，所述第一絕緣材料層、第二絕緣材料層、第三絕緣材料層及第四絕緣材料層的厚度為50-300nm。
5.根據權利要求1所述的新型相變存儲單元結構，其特征在于，所述第一加熱電極的半徑為50-500nm,所述第三加熱電極的半徑為5-100nm,所述第二加熱電極具有層狀結構，其厚度為50-300nm，半徑為500-5000nm。
6.根據權利要求1所述的新型相變存儲單元結構，其特征在于，所述第三絕緣材料層中對稱分布有兩根以上第三加熱電極。
7.根據權利要求1 所述的新型相變存儲單元結構，其特征在于，所述第一加熱電極、第二加熱電極和第三加熱電極均采用氮化物加熱電極。
8.權利要求1所述新型相變存儲單元結構的制備方法，其特征在于包括如下步驟: (1)依次在襯底上形成第一電極層和第一絕緣材料層，并在第一絕緣材料層上加工形成第一加熱電極孔洞，所述第一加熱電極孔洞貫穿第一絕緣材料層，并直達第一電極層； (2)在所述第一加熱電極孔洞內置入導電加熱材料，形成第一加熱電極，而后在第一絕緣材料層上形成第二絕緣材料層，并在第二絕緣材料層上加工形成第二加熱電極孔洞，所述第二加熱電極孔洞貫穿第二絕緣材料層，并直達第一加熱電極； (3)在所述第二加熱電極孔洞內置入導電加熱材料，形成第二加熱電極，而后在第二絕緣材料層上形成第三絕緣材料層，并在第三絕緣材料層上加工形成第三加熱電極孔洞，所述第三加熱電極孔洞貫穿第二絕緣材料層，并直達第二加熱電極； (4)在所述第三加熱電極孔洞內置入導電加熱材料，形成第三加熱電極，而后在第三絕緣材料層上形成第四絕緣材料層，并在第四絕緣材料層上加工形成貫穿第四絕緣材料層的相變材料層孔洞； (5)在所述相變材料層孔洞內置入相變材料，形成相變材料層，并使相變材料層與第三加熱電極電性接觸； (6)在所述相變材料層上形成第二電極層。
9.權利要求8所述新型相變存儲單元結構的制備方法，其特征在于，所述第一絕緣材料層、第二絕緣材料層和第三絕緣材料層的材料包括氮化硅、氮化鍺和氮化鉭中的任意一種。
10.權利要求8所述新型相變存儲單元結構的制備方法，其特征在于，所述第一加熱電極、第二加熱電極 和第三加熱電極的材料包括氮化鈦、氮化硅鈦和氮化鋁鈦中的任意一種。
【文檔編號】H01L45/00GK103794722SQ201410057855
【公開日】2014年5月14日 申請日期:2014年2月20日 優(yōu)先權日:2014年2月20日
【發(fā)明者】程國勝, 衛(wèi)芬芬, 孔濤, 張 杰, 黃榮 申請人:中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所