鋁前體、使用其形成薄膜的方法和形成電容器的方法
【專(zhuān)利摘要】鋁化合物由下式1表示。在式1中，X為由以下式2或式3表示的官能團(tuán)。
【專(zhuān)利說(shuō)明】鋁前體、使用其形成薄膜的方法和形成電容器的方法
[0001]相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0002]將2013年2月25日在韓國(guó)專(zhuān)利局提交的且題為“鋁前體、使用其形成薄膜的方法和形成電容器的方法”的韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)N0.10-2013-0019559全部引入本文中作為參考。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]實(shí)例實(shí)施方式涉及鋁前體、使用其形成薄膜的方法和形成電容器的方法。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]實(shí)施方式涉及由下式I表示的招前體，
[0005]
【權(quán)利要求】
1.由下式I表示的鋁化合物，
2.形成薄膜的方法，所述方法包括: 將沉積源提供到基材上，所述沉積源包括由下式I表示的鋁前體；和將反應(yīng)氣體提供到所述基材上以與所述沉積源反應(yīng)，
3.權(quán)利要求2的方法，其中所述沉積源進(jìn)一步包括硅前體或有機(jī)金屬前體。
4.權(quán)利要求2的方法，其中使用包括惰性氣體的載氣將所述沉積源提供到所述基材上。
5.權(quán)利要求2的方法，其中所述反應(yīng)氣體包括選自氧化劑、還原劑和氮化劑的至少一種。
6.權(quán)利要求2的方法，進(jìn)一步包括，在提供包括由式I表示的鋁前體的沉積源之后，在所述基材上進(jìn)行吹掃過(guò)程。
7.形成電容器的方法，所述方法包括: 在基材上形成下電極； 使用由下式I表示的鋁前體在所述下電極上形成介電層；和 在所述介電層上形成上電極，
8.權(quán)利要求7的方法，其中使用由式I表示的鋁前體在所述下電極上形成介電層包括: 將包括所述鋁前體的沉積源提供到所述下電極上； 將反應(yīng)氣體提供到所述下電極上；和 使所述沉積源和所述反應(yīng)氣體反應(yīng)以在所述下電極上形成薄膜。
9.權(quán)利要求8的方法，其中所述沉積源進(jìn)一步包括硅前體或有機(jī)金屬前體。
10.權(quán)利要求8的方法，其中所述反應(yīng)氣體包括選自氧化劑、還原劑和氮化劑的至少一種。
11.權(quán)利要求8的方法，進(jìn)一步包括，在使所述沉積源和所述反應(yīng)氣體反應(yīng)以在所述下電極上形成薄膜之后，在所述基材上進(jìn)行回流過(guò)程。
12.權(quán)利要求7的方法，進(jìn)一步包括，在基材上形成下電極之前: 在所述基材上形成絕緣中間層；和穿過(guò)所述絕緣中間層形成接觸塞以接觸所述基材的頂面， 其中所述下電極形成于所述接觸塞上以與其電連接。
13.權(quán)利要求12的方法，進(jìn)一步包括，在所述基材上形成絕緣中間層之前: 在所述基材上形成柵極結(jié)構(gòu)；和 在所述基材的鄰近所述柵極結(jié)構(gòu)的上部處形成雜質(zhì)區(qū)， 其中所述接觸塞接觸所述雜質(zhì)區(qū)的頂面。
14.權(quán)利要求12的方法，其中在基材上形成下電極包括: 在所述絕緣中間層上形成具有暴露所述接觸塞的頂面的開(kāi)口的模子層； 在所述開(kāi)口的內(nèi)壁上形成導(dǎo)電層圖案；和 除去所述模子層。
15.形成介電層的方法，所述方法包括: 將沉積源沉積到基材上，所述沉積源包括選自下式4和5的鋁前體；和使所述沉積源與包括選自氧化劑、還原劑和氮化劑的至少一種的反應(yīng)氣體反應(yīng)以在所述基材上形成包括氧化鋁和/或氮化鋁的薄膜，
16.權(quán)利要求15的方法，進(jìn)一步包括； 重復(fù)在所述基材上形成氧化鋁和/或氮化鋁薄膜，和 在所述基材上形成氧化鋁和/或氮化鋁薄膜與重復(fù)形成氧化鋁和/或氮化鋁薄膜之間進(jìn)行吹掃過(guò)程。
17.權(quán)利要求15的方法，其中所述沉積源進(jìn)一步包括硅前體和/或具有不同于鋁的金屬的有機(jī)金屬前體，使得所述薄膜進(jìn)一步包括氧化硅、氮化硅、不同于氧化鋁的金屬氧化物和/或不同于氮化鋁的金屬氮化物。
18.權(quán)利要求15的方法，進(jìn)一步包括，在所述基材上形成所述包括氧化鋁和/或氮化鋁的薄膜之前或之后，在所述基材上形成包括氧化硅、氮化硅、不同于氧化鋁的金屬氧化物和/或不同于氮化鋁的金屬氮化物的薄膜，使得形成多層介電膜。
19.權(quán)利要求15的方法，其中所述基材為包括開(kāi)口、凹處、或接觸孔的結(jié)構(gòu)體，和所述方法進(jìn)一步包括在形成所述薄膜之后進(jìn)行回流過(guò)程。
【文檔編號(hào)】H01G4/08GK104004007SQ201410063617
【公開(kāi)日】2014年8月27日 申請(qǐng)日期:2014年2月25日 優(yōu)先權(quán)日:2013年2月25日
【發(fā)明者】尹相喆, 櫻井淳, 畑瀨雅子, 曹侖廷, 姜知那, 山田直樹(shù), 崔晶植 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社, 株式會(huì)社Adeka