半導(dǎo)體裝置以及用于制造該半導(dǎo)體裝置的方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體裝置以及用于制造該半導(dǎo)體裝置的方法。所述半導(dǎo)體裝置包括：溝槽，設(shè)置在基底內(nèi)，溝槽包括寬度比下溝槽部分的寬度寬的上溝槽部分；柵極，設(shè)置在溝槽中；層間絕緣層圖案，設(shè)置在上溝槽部分中的柵極上；源極區(qū)域，設(shè)置在基底內(nèi)并且接觸上溝槽部分的側(cè)壁；主體區(qū)域，設(shè)置在基底中的源極區(qū)域的下面；以及接觸溝槽，設(shè)置在主體區(qū)域的上面并且填充有導(dǎo)電材料。
【專利說明】半導(dǎo)體裝置以及用于制造該半導(dǎo)體裝置的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]下面的描述涉及一種半導(dǎo)體裝置，并且涉及例如具有其上部寬度比下部寬度寬的溝槽的半導(dǎo)體裝置以及用來制造該半導(dǎo)體裝置的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中眾所周知的一種半導(dǎo)體裝置。MOSFET的一種類型是垂直導(dǎo)電溝槽M0SFET。
[0003]圖1是示意性示出MOSFET的剖視圖。
[0004]參照圖1，M0SFET10包括溝槽17。溝槽17均包括通過柵極絕緣層19與主體區(qū)域15絕緣的多晶硅柵極21。源極區(qū)域23接觸每個(gè)溝槽17的側(cè)表面。柵極絕緣層19使柵極21與金屬層30絕緣。半導(dǎo)體基底11形成M0SFET10的漏極。
[0005]仍然參照圖1，附圖標(biāo)記A表示溝槽寬度，B表示接觸開口，C表示溝槽與接觸開口之間的間隙。當(dāng)M0SFET10偏置在導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，電流在源極區(qū)域23和半導(dǎo)體基底11之間豎
直流動(dòng)。
[0006]在導(dǎo)通狀態(tài)，M0SFET10的電流能力與漏極和源極之間的導(dǎo)通電阻1?(18?成反比。因此，為了改善M0SFET10的電流能力，必須降低導(dǎo)通電阻Rdsm。 [0007]一種降低M0SFET10的導(dǎo)通電阻的方法是增加溝槽17的密度，即，每單位面積的溝槽個(gè)數(shù)。這個(gè)通過減小單元間距實(shí)現(xiàn)。然而，MOSFET的單元間距可以減小的程度受限于包括在MOSFET單元中的特定部件和制造MOSFET使用的工藝。
[0008]在MOSFET中，源極區(qū)域通常從溝槽沿著水平方向形成在半導(dǎo)體基底上，以使導(dǎo)通電阻降低。這樣增加了每單位面積的MOSFET單元的密度。
[0009]為了降低MOSFET的導(dǎo)通電阻，必須增加每單位面積的溝槽的個(gè)數(shù)。然而，需要在溝槽和表面上的接觸開口之間設(shè)置間隙的工藝，以從溝槽沿著水平方向在半導(dǎo)體基底上形成源極區(qū)域。因此，限制了溝槽間隙可以減小的程度，并且還限制了 MOSFET的導(dǎo)通電阻可以降低的程度。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]在一個(gè)總體方面，提供一種半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置包括:溝槽，設(shè)置在基底的外延層內(nèi)，溝槽具有寬度大于下溝槽部分的寬度的上溝槽部分；柵極絕緣層，設(shè)置在溝槽的內(nèi)表面上；柵極，設(shè)置在溝槽內(nèi)；層間絕緣層圖案，設(shè)置在包括柵極的溝槽內(nèi)的柵極絕緣層上；源極區(qū)域，設(shè)置在基底內(nèi)并且接觸溝槽的上溝槽部分的側(cè)壁；主體區(qū)域，設(shè)置在基底的外延層內(nèi)；接觸溝槽,填充有金屬,接觸溝槽使源極區(qū)域和主體區(qū)域能夠彼此接觸；以及重?fù)诫s區(qū)域，形成在接觸溝槽的下面，重?fù)诫s區(qū)域具有類型與主體區(qū)域的雜質(zhì)類型相同的雜質(zhì)并且具有比主體區(qū)域的雜質(zhì)濃度高的雜質(zhì)濃度。
[0011]源極區(qū)域的下表面可以形成為低于接觸溝槽的下表面。
[0012]柵極的上表面可以與接觸溝槽的下表面齊平或比接觸溝槽的下表面高。[0013]從基底的上表面到接觸溝槽的下表面的深度可以是從基底的上表面到下溝槽部分的下表面的深度的一半。
[0014]柵極的上表面可以與接觸溝槽的下表面齊平或比接觸溝槽的下表面低。
[0015]層間絕緣層可以包括BPSG膜、HLD氧化物或它們的組合。
[0016]在另一個(gè)總體方面，提供一種用于制造半導(dǎo)體裝置的方法，所述方法包括:在基底的外延層內(nèi)形成下溝槽部分；在下溝槽部分的表面上形成第一氧化物層；在下溝槽部分內(nèi)的第一氧化物層上形成犧牲埋層圖案；去除第一氧化物層的暴露部分，以暴露下溝槽部分的側(cè)壁；在下溝槽部分的側(cè)壁上和犧牲埋層圖案的表面上形成第二氧化物層；去除第二氧化物層、犧牲埋層圖案和第一氧化物層，以在下溝槽部分的側(cè)壁上形成上溝槽部分，上溝槽部分的寬度大于下溝槽部分的寬度；在下溝槽部分的表面、上溝槽部分的表面和基底的外延層的表面上形成柵極絕緣層；通過在下溝槽部分和上溝槽部分內(nèi)的柵極絕緣層上沉積多晶硅填充溝槽；在外延層內(nèi)形成主體區(qū)域；通過蝕刻多晶硅在下溝槽部分內(nèi)形成柵極；通過離子注入到上溝槽部分的側(cè)壁中形成源極區(qū)域；在上溝槽部分內(nèi)的柵極絕緣層上形成層間絕緣層圖案；形成接觸溝槽以使源極區(qū)域和主體區(qū)域接觸；在接觸溝槽上形成重?fù)诫s雜質(zhì)區(qū)域，重?fù)诫s雜質(zhì)區(qū)域具有類型與主體區(qū)域的雜質(zhì)類型相同的雜質(zhì)并且具有比主體區(qū)域的雜質(zhì)濃度高的雜質(zhì)濃度；以及用金屬層填充接觸溝槽。
[0017]可以利用自對(duì)準(zhǔn)接觸蝕刻方法形成接觸溝槽。
[0018]層間絕緣層可以包括BPSG膜、HLD氧化物或它們的組合。
[0019]犧牲埋層圖案可以由多晶硅或?qū)娱g絕緣材料制成。
[0020]可以通過回蝕多晶硅形成柵極。
[0021]在另一個(gè)總體方面，提供一種用于制造半導(dǎo)體裝置的方法，所述方法包括:在包括外延層的基底內(nèi)形成下溝槽部分；在下溝槽部分的表面上形成第一氧化物層；在下溝槽部分內(nèi)的第一氧化物層上沉積多晶硅；在外延層內(nèi)形成主體區(qū)域；在下溝槽部分內(nèi)形成柵極并且使第一氧化物層部分地暴露；去除第一氧化物層的暴露部分，以暴露下溝槽部分的側(cè)壁；在柵極和下溝槽部分的側(cè)壁上形成第二氧化物層以形成上溝槽部分，上溝槽部分的寬度大于下溝槽部分的寬度；在包括上溝槽部分的柵極上形成絕緣層；在上溝槽部分內(nèi)的絕緣層上形成層間絕緣層圖案；形成接觸溝槽以接觸主體區(qū)域；在接觸溝槽下面形成重?fù)诫s雜質(zhì)區(qū)域，重?fù)诫s雜質(zhì)區(qū)域具有類型與主體區(qū)域的雜質(zhì)類型相同的雜質(zhì)并且具有比主體區(qū)域的雜質(zhì)濃度高的雜質(zhì)濃度；以及用金屬層填充接觸溝槽。
[0022]可以利用自對(duì)準(zhǔn)接觸蝕刻方法形成接觸溝槽。
[0023]層間絕緣層可以包括BPSG膜、HLD氧化物或它們的組合。
[0024]可以通過回蝕多晶硅形成柵極。
[0025]所述方法的總體方面還可以包括:在形成柵極之后去除第一氧化物層之前，通過離子注入形成源極區(qū)域。
[0026]所述方法的總體方面還可以包括:在上溝槽部分的側(cè)壁上形成第二氧化物層之后，通過離子注入形成源極區(qū)域。
[0027]所述方法的總體方面還可以包括:在去除第二氧化物層之后，通過離子注入形成源極區(qū)域。
[0028]接觸溝槽可以被形成為接觸源極區(qū)域。[0029]在另一個(gè)總體方面，提供一種半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置包括:溝槽，設(shè)置在基底內(nèi)，溝槽包括在寬度上比下溝槽部分寬的上溝槽部分；柵極，設(shè)置在溝槽中；層間絕緣層圖案，設(shè)置在上溝槽部分的柵極上方；源極區(qū)域，設(shè)置在基底內(nèi)并且接觸上溝槽部分的側(cè)壁；主體區(qū)域，設(shè)置在基底中的源極區(qū)域的下面；以及接觸溝槽，設(shè)置在主體區(qū)域的上方并填充有導(dǎo)電材料。
[0030]所述半導(dǎo)體裝置的總體方面還可以包括:雜質(zhì)區(qū)域，形成在接觸溝槽的下面，雜質(zhì)區(qū)域具有與主體區(qū)域的雜質(zhì)類型相同的雜質(zhì)并且具有比主體區(qū)域的雜質(zhì)濃度高的雜質(zhì)濃度。
[0031]從以下詳細(xì)的描述、附圖和權(quán)利要求，本發(fā)明的其他特征和方面可以顯而易見。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0032]圖1是示出使用溝槽的MOSFET的剖視圖的示意圖。
[0033]圖2是示出根據(jù)本公開的半導(dǎo)體裝置的示例的剖視圖的示意圖。
[0034]圖3A至圖3N是半導(dǎo)體裝置在其制造期間的剖視圖，用于順序地示出用于制造半導(dǎo)體裝置的方法的示例。
[0035]圖4A至圖4L是半導(dǎo)體裝置在其制造期間的剖視圖，以示出用于制造半導(dǎo)體裝置的方法的另一個(gè)示例。
[0036]圖5是示出根據(jù)本公開的對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體裝置的示例的單元間距的電阻值變化的曲線圖。
[0037]貫穿整個(gè)附圖和“【具體實(shí)施方式】”，除非另有說明，否則相同的附圖標(biāo)記將理解為指的是同樣的元件、特征和結(jié)構(gòu)。為了清楚、示出和方便起見，可能會(huì)夸大這些元件的相對(duì)尺寸和繪制。
【具體實(shí)施方式】
[0038]提供下面詳細(xì)的描述以用來幫助讀者獲取對(duì)在此描述的方法、設(shè)備和/或系統(tǒng)的全面理解。因此，在此描述的系統(tǒng)、設(shè)備和/或方法的各種改變、修改和等同將被建議給本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員。另外，為了增加清晰度和簡潔度，可能會(huì)省略公知的功能和構(gòu)造的描述。
[0039]圖2是示出根據(jù)本公開的半導(dǎo)體裝置的示例的剖視圖。
[0040]參照圖2，根據(jù)本公開的半導(dǎo)體裝置的示例可以包括:溝槽105，形成在具有外延層1la的半導(dǎo)體基底101內(nèi)，并且上溝槽部分105b的寬度W2比下溝槽部分105a的寬度Wl寬；柵極絕緣層113，形成在溝槽105的下溝槽部分105a的內(nèi)表面上；柵極115a，形成在溝槽105內(nèi)的柵極絕緣層113上；源極區(qū)域117，形成在半導(dǎo)體基底101的外延層1la內(nèi)并且接觸溝槽105的上側(cè)壁；層間絕緣層119a，形成在包含柵極115a的溝槽105內(nèi)的柵極絕緣層113上；主體區(qū)域101b，形成在半導(dǎo)體基底101的外延層1la內(nèi)；重?fù)诫sP型區(qū)域123，形成在主體區(qū)域1lb的表面內(nèi)；以及金屬層127，形成為使主體區(qū)域1lb和源極區(qū)域117彼此接觸。
[0041]在這個(gè)示例中，柵極絕緣層113可以實(shí)施為氧化硅層并且可以具有大約300 A至I ooo A的厚度。
[0042]柵極115a可以由多晶硅制成并且形成在下溝槽部分105a內(nèi)。柵極115a可以大約為5000人至丨0000人厚。柵極115a的多晶硅可以摻雜有雜質(zhì)。
[0043]源極區(qū)域117可以形成在半導(dǎo)體基底101內(nèi)，并且可以接觸上溝槽部分105b。源極區(qū)域117可以通過沿著半導(dǎo)體基底的與上溝槽部分105b接觸的區(qū)域注入N型雜質(zhì)(諸如，砷或磷)來形成。即，源極區(qū)域117可以對(duì)應(yīng)于上溝槽部分105b形成在半導(dǎo)體基底101內(nèi)。在這個(gè)示例中，半導(dǎo)體基底101可以被用作漏極區(qū)域。
[0044]此外，層間絕緣層119a可以由諸如BPSG (硼磷硅玻璃)膜、HLD (高溫低壓沉積)氧化物或它們的組合的絕緣材料制成，并且可以具有大約4000 A至15000 A的厚度。
[0045]同時(shí)，P型主體區(qū)域1lb可以形成在溝槽105外側(cè)的半導(dǎo)體基底101內(nèi)。例如，P型主體區(qū)域1lb可以以注入P型雜質(zhì)(諸如硼)的方式形成在相鄰溝槽105之間的半導(dǎo)體基底101的外延層內(nèi)。
[0046]重?fù)诫sP型區(qū)域123可以允許金屬層127和主體區(qū)域1lb之間的歐姆接觸。根據(jù)本發(fā)明，重?fù)诫sP型區(qū)域123可以具有比P型主體區(qū)域1lb的雜質(zhì)濃度高的雜質(zhì)濃度。
[0047]金屬層127可以通過從每個(gè)溝槽的上表面延伸并且填充上溝槽部分105b的層間絕緣層圖案119a與柵極115a絕緣。
[0048]如上所述，在根據(jù)本公開的半導(dǎo)體裝置100中，上溝槽部分105b的寬度W2會(huì)比下溝槽部分105a的寬度Wl寬。這樣可以確保溝槽和接觸開口之間的間隙，以允許在上溝槽的下端上形成源極區(qū)域。
[0049]例如，因?yàn)樯蠝喜鄄糠值膶挾萕2比下溝槽部分105a的寬度Wl寬，所以半導(dǎo)體裝置可以確保源極區(qū)域117在接觸上溝槽部分105b的半導(dǎo)體基底內(nèi)。這樣可以使單元間距(溝槽與溝槽之間的寬度)最小化，以增加單元密度。因此，可以降低作為使用溝槽的半導(dǎo)體裝置的主要特征之一的導(dǎo)通電阻Rdsm。
[0050]在下文中，將參照圖3A至圖3N來描述用于制造具有所述構(gòu)造的半導(dǎo)體裝置的方法。
[0051]圖3A至圖3N示出了半導(dǎo)體裝置在其制造期間的剖視圖，以順序地示出用于制造這種半導(dǎo)體裝置的方法的示例。
[0052]如圖3A所示，可以將輕摻雜N型外延層1la設(shè)置在重?fù)诫sN型半導(dǎo)體基底101上。
[0053]雖然未示出，但是可以在由無源層區(qū)域和有源區(qū)域限定的半導(dǎo)體基底101上順序地沉積襯墊氧化物層(未示出)和襯墊氮化硅層(未示出)。例如，襯墊氧化物層(未示出)和襯墊氮化硅層(未示出)可以用作硬掩模材料層。另外，硬掩模材料層的厚度可以比深溝槽的深度小得多。
[0054]接下來，雖然未示出，但是可以在襯墊氮化硅層(未示出)上涂覆第一感光層(未示出)。
[0055]第一感光層(未不出)可以通過利用曝光掩模(未不出)的光刻工藝來曝光并顯影，并且可以去除顯影的部分，從而形成感光層圖案104。
[0056]仍然參照圖3A，可以利用感光層圖案104作為掩模來蝕刻構(gòu)成硬掩模的襯墊氮化硅層和襯墊氧化物層，以形成襯墊氮化硅圖案103和氧化物層圖案102。然后可以去除第一感光層圖案104。這里，蝕刻執(zhí)行到襯墊氮化硅層103和襯墊氧化物層102中，以防止在執(zhí)行蝕刻以形成淺溝槽(即，上溝槽部分)時(shí)可能引起的感光層的有缺陷的涂覆。即，使用襯墊氮化硅層103和襯墊氧化物層102可以有助于通過采用硬掩模蝕刻工藝限定淺溝槽形成區(qū)域(即，上溝槽部分形成區(qū)域)的工藝。然后，通過利用硬掩模的襯墊氮化硅圖案103形成淺溝槽。
[0057]參照圖3B，構(gòu)成硬掩模的襯墊氮化硅層圖案103和襯墊氧化物層圖案102可以被用作蝕刻掩模來蝕刻位于這些圖案下面的半導(dǎo)體基底101的外延層1la的暴露部分，從而形成對(duì)應(yīng)于深溝槽的下溝槽部分105a。
[0058]接下來，參照圖3C，可以去除襯墊氮化硅圖案103和襯墊氧化物層圖案102。然后，可以使包含下溝槽部分105a在內(nèi)的半導(dǎo)體基底101的外延層1la的表面氧化以形成第一氧化物層107。在這個(gè)工藝中，可以利用氮化物層形成側(cè)壁氮化物層代替第一氧化物層107。在使用氮化物層的情況下，在形成氮化物層之前可以形成側(cè)壁氧化物層以減小半導(dǎo)體基底和氮化物層材料之間的應(yīng)力。第一氧化物層107可以以熱氧化方式生長。
[0059]第一氧化物層107的厚度可以根據(jù)執(zhí)行氧化所使用的持續(xù)時(shí)間而變化。即，第一氧化物層107的厚度可以通過調(diào)節(jié)氧化時(shí)間來適當(dāng)?shù)乜刂啤?br> [0060]參照圖3D，可以在第一氧化物層107上沉積多晶硅或?qū)娱g絕緣層材料，形成犧牲埋層109，其中，第一氧化物層107位于包括下溝槽部分105a的半導(dǎo)體基底101的外延層1la上。在這個(gè)示例中，犧牲埋層109可以形成有充足的厚度以掩埋并且填滿下溝槽部分105a的內(nèi)側(cè)。
[0061]參照圖3E，可以對(duì)犧牲埋層109進(jìn)行回蝕，以在下溝槽部分105a內(nèi)形成犧牲埋層圖案109a。這里，會(huì)使第一氧化物層107部分地暴露于外部。
[0062]參照圖3F，可以去除第一氧化物層107的暴露在外的部分，以將下溝槽部分105a的側(cè)壁和犧牲埋層圖案109a的上表面暴露于外部。
[0063]接下來，參照圖3G，可以使下溝槽部分105a暴露在外的側(cè)壁和半導(dǎo)體基底101的外延層1la的表面氧化，以形成第二氧化物層111。在這個(gè)示例中，第二氧化物層111可以以熱氧化方式生長。然而，在其他示例中可以采用形成第二氧化物層111的其他方法。
[0064]在這個(gè)示例中，第二氧化物層111的厚度可以根據(jù)執(zhí)行氧化所用的持續(xù)時(shí)間而變化。即，第二氧化物層111的厚度可以通過調(diào)節(jié)氧化時(shí)間來適當(dāng)?shù)乜刂?。在這個(gè)示例中，由于在氧化期間半導(dǎo)體基底101的硅(Si)與外界氧(O2)反應(yīng)，所以可以在下溝槽部分105a的表面和半導(dǎo)體基底101的表面上形成第二氧化物層111。
[0065]參照圖3H，可以去除第二氧化物層111，犧牲埋層圖案109a和第一氧化物層107a，以形成包括下溝槽部分105a和上溝槽部分105b的溝槽105，其中，上溝槽部分105b的寬度W2比下溝槽部分105a的寬度Wl寬。例如，可以根據(jù)第二氧化物層111的厚度來適當(dāng)?shù)乜刂粕蠝喜鄄糠?05b的寬度W2。S卩，由于第二氧化物層111的厚度可通過適當(dāng)?shù)乜刂蒲趸瘯r(shí)間而改變，所以可以通過適當(dāng)?shù)卣{(diào)節(jié)氧化時(shí)間來控制上溝槽部分105b的寬度W2。
[0066]參照圖31，可以在包括溝槽105在內(nèi)的半導(dǎo)體基底101的外延層1la的整個(gè)表面上形成柵極絕緣層113，其中，溝槽105設(shè)置有下溝槽部分105a和上溝槽部分105b。在這
個(gè)示例中，柵極絕緣層113可以實(shí)施為氧化硅層，并且柵極絕緣層113可以具有大約300 A至I ooo A的厚度。
[0067]然后，如圖3J所示，可以在溝槽105內(nèi)的柵極絕緣層113上以充分的厚度沉積多晶硅層115來填滿溝槽105?？梢杂秒s質(zhì)摻雜多晶硅層115。在示例中，通過將P型雜質(zhì)(諸如硼)離子注入到半導(dǎo)體基底101的在溝槽105外側(cè)的外延層1la中，可以在相鄰溝槽105之間的半導(dǎo)體基底101內(nèi)形成P型主體區(qū)域101b。在這個(gè)示例中，可以將P型雜質(zhì)離子注入到半導(dǎo)體基底101的外延層1la中而不用單獨(dú)的掩模。
[0068]參照圖3K，可以將多晶硅層115回蝕僅留下下溝槽部分105a，從而形成柵極115a。
[0069]參照圖3L，可以將諸如砷或磷的N型雜質(zhì)注入到半導(dǎo)體基底101的外延層1la的與上溝槽部分105b接觸的表面中，從而在半導(dǎo)體基底101的主體區(qū)域1lb的與上溝槽部分105b接觸的表面內(nèi)形成源極區(qū)域117。例如，源極區(qū)域117可以對(duì)應(yīng)于上溝槽部分105b形成在半導(dǎo)體基底101的外延層1la內(nèi)。半導(dǎo)體基底101可以被用作漏極區(qū)域。
[0070]參照圖3M，可以在柵極115a和柵極絕緣層113上沉積層間絕緣層119。在這個(gè)示例中，層間絕緣層119可以由諸如BPSG膜、HLD氧化物或它們的組合的絕緣材料制成。然而，在其他示例中，可以使用不同的絕緣材料來形成層間絕緣層119。
[0071]參照圖3N，可以通過平坦化選擇性地去除層間絕緣層119，從而在溝槽115內(nèi)形成層間絕緣層圖案119a。
[0072]然后，為了使半導(dǎo)體基底101的主體區(qū)域1lb和源極區(qū)域117能夠彼此接觸，可以利用自對(duì)準(zhǔn)接觸(SAC)蝕刻工藝形成接觸溝槽，然后可以通過離子注入到所述接觸溝槽的下表面中來重?fù)诫sP型區(qū)域123。在這種情況下，柵極115a的上表面可以與接觸溝槽的下表面齊平或者高于接觸溝槽的下表面。另外，從基底101的上表面到接觸溝槽的下表面的深度可以是從基底101的上表面到下溝槽部分105a的下表面的深度的一半。
[0073]可以用金屬填滿所述接觸溝槽以形成金屬層127。因此，可以完成根據(jù)本公開的半導(dǎo)體裝置100的制造工藝。這里，重?fù)诫sP型區(qū)域123可以允許金屬層127和主體區(qū)域1lb之間的歐姆接觸。另外，金屬層127可以通過沿著每個(gè)溝槽的上表面延伸的層間絕緣層圖案119a與柵極115a絕緣。
[0074]在下文中，將參照圖4A至圖4L來描述根據(jù)另一個(gè)示例的用于制造半導(dǎo)體裝置的方法。
[0075]圖4A至圖4L是順序地示出用于制造半導(dǎo)體裝置的方法的另一個(gè)示例的剖視圖。
[0076]參照圖4A，可以在重?fù)诫sN型半導(dǎo)體基底201上設(shè)置輕摻雜N型外延層201a。
[0077]雖然未示出，但是可以在通過無源層區(qū)域和有源區(qū)域限定的半導(dǎo)體基底201上順序地沉積襯墊氧化物層(未示出)和襯墊氮化硅層(未示出)。這里，襯墊氧化物層(未示出)和襯墊氮化硅層(未示出)可以一起用作硬掩模材料層。另外，硬掩模材料層的厚度可以比深溝槽的深度薄。因此，可以抑制或防止感光層發(fā)生有缺陷的涂覆。
[0078]接下來，雖然未示出，但是可以在襯墊氮化硅層(未示出)上涂覆第一感光層(未示出)。
[0079]可以利用曝光掩模(未示出)通過光刻工藝對(duì)感光層(未示出)進(jìn)行曝光并顯影，并且可以去除顯影部分，從而形成感光層圖案204。
[0080]仍然參照圖4A，可以利用感光層圖案204作為掩模來蝕刻構(gòu)成硬掩模的襯墊氮化硅層和襯墊氧化物層，以形成襯墊氮化硅層圖案203和襯墊氧化物層圖案202。然后，可以去除第一感光層圖案204。在這個(gè)示例中，蝕刻執(zhí)行到襯墊氮化硅層和襯墊氧化物層中，以防止當(dāng)執(zhí)行用于形成淺溝槽(即，溝槽的上溝槽部分)的蝕刻時(shí)可能引起的感光層發(fā)生有缺陷的涂覆。即，襯墊氮化硅層圖案203和襯墊氧化物層圖案202的形成有助于通過硬掩模蝕刻限定淺溝槽形成區(qū)域(即，上溝槽部分區(qū)域)的工藝。然后，通過利用襯墊氮化硅圖案203作為硬掩模來形成淺溝槽。
[0081]參照圖4B，形成硬掩模的襯墊氮化硅層圖案203和襯墊氧化物層圖案202可以用作蝕刻掩膜來蝕刻位于這些圖案下面的半導(dǎo)體基底201的外延層201a的暴露部分，從而形成對(duì)應(yīng)于深溝槽的下溝槽部分205a。
[0082]接下來，參照圖4C，可以去除襯墊氮化硅層圖案203和襯墊氧化物層圖案202。然后，可以使包括下溝槽部分105a在內(nèi)的半導(dǎo)體基底201的外延層201a的表面氧化，以形成第一氧化物層207。在這個(gè)示例中，可以利用氮化物層形成側(cè)壁氮化物層代替形成第一氧化物層207。在形成側(cè)壁氮化物層的情形中，在形成氮化物層之前可以形成側(cè)壁氧化物層以減小半導(dǎo)體基底和氮化物層材料之間的應(yīng)力。第一氧化物層207可以以熱氧化方式生長。
[0083]第一氧化物層207的厚度可以根據(jù)執(zhí)行氧化所用的持續(xù)時(shí)間而變化。即，第一氧化物層207的厚度可以通過調(diào)節(jié)氧化時(shí)間來適當(dāng)?shù)乜刂啤?br> [0084]參照圖4D，可以在位于包括下溝槽部分205a在內(nèi)的半導(dǎo)體基底201的外延層201a上的第一氧化物層207上沉積多晶硅，從而形成多晶硅層209。在這個(gè)示例中，多晶硅層209可以形成有充分的厚度以填滿下溝槽部分205a的內(nèi)側(cè)。通過將諸如硼的P型雜質(zhì)離子注入到溝槽205外側(cè)的半導(dǎo)體基底201的外延層201a中，可以在相鄰溝槽205之間的半導(dǎo)體基底201內(nèi)形成P型主體區(qū)域201b。P型雜質(zhì)可以離子注入到半導(dǎo)體基底201的外延層201a中而不用單獨(dú)掩膜。
[0085]如在圖4E中所示，可以回蝕多晶硅層209，以在下溝槽部分205a內(nèi)形成柵極209a。第一氧化物層209可以部分暴露在外。
[0086]參照圖4F，可以去除第一氧化物層207的暴露在外的部分以形成柵極絕緣層207a，并且可以使下溝槽部分205a的側(cè)壁和柵極209a的上表面暴露在外。
[0087]參照圖4G，可以使下溝槽部分205a的暴露在外的部分和半導(dǎo)體基底201的外延層201a的表面氧化以形成第二氧化物層211。在示例中，可以利用氮化物層形成側(cè)壁氮化物層代替形成第二氧化物層。當(dāng)形成氮化物層時(shí)，在氮化物層形成之前，可以形成側(cè)壁氧化物以減小半導(dǎo)體基底和氮化物層材料之間的應(yīng)力。第二氧化物層211可以以熱氧化方式生長。
[0088]第二氧化物層211的厚度可以根據(jù)執(zhí)行氧化所用的持續(xù)時(shí)間而變化。S卩，第二氧化物層211的厚度可以通過調(diào)節(jié)氧化時(shí)間來適當(dāng)?shù)乜刂?。例如，在氧化期間，半導(dǎo)體基底201中的硅(Si)可以與外界的氧(O2)反應(yīng)，因此可以在下溝槽部分205a的表面和半導(dǎo)體基底201的外延層201a的表面上形成第二氧化物層211。
[0089]參照圖4H，可以去除第二氧化物層211以形成包括下溝槽部分205a和上溝槽部分205b的溝槽205，其中，上溝槽部分205b的寬度W2比下溝槽部分205a的寬度Wl寬。在這個(gè)示例中，上溝槽部分205b的寬度W2可以根據(jù)第二氧化物層211的厚度而被適當(dāng)?shù)乜刂啤＜?，由于第二氧化物?11的厚度可以通過適當(dāng)?shù)乜刂蒲趸瘯r(shí)間而改變，所以可以通過適當(dāng)?shù)卣{(diào)節(jié)氧化時(shí)間來控制上溝槽部分205b的寬度W2。[0090]參照圖41，可以在包括上溝槽部分205b的半導(dǎo)體基底201的整個(gè)表面上形成絕緣層 213。
[0091]參照圖4J，可以將諸如砷或磷的N型雜質(zhì)注入到半導(dǎo)體基底201的外延層201a的與上溝槽部分205b接觸的表面中，從而在半導(dǎo)體基底201的外延層201a的與上溝槽部分205b接觸的表面內(nèi)形成源極區(qū)域215。例如，源極區(qū)域215可以對(duì)應(yīng)于上溝槽部分205b形成在半導(dǎo)體基底201的外延層201a內(nèi)。半導(dǎo)體基底201可以被用作漏極區(qū)域。
[0092]參照圖4K，可以在絕緣層213上以充分的厚度沉積層間絕緣層219，從而填滿上溝槽部分205b。層間絕緣層219可以由諸如BPSG膜、HIL氧化物或它們的組合的絕緣材料制成。
[0093]參照圖4L，可以通過平坦化選擇性地去除層間絕緣層219，從而在上溝槽部分205b內(nèi)形成層間絕緣層圖案219a。
[0094]然后，為了使半導(dǎo)體基底201的源極區(qū)域215和主體區(qū)域201b能夠彼此接觸，可以利用自對(duì)準(zhǔn)接觸(SAC)蝕刻工藝形成接觸溝槽，然后可以通過將離子注入到接觸溝槽的下表面中形成重?fù)诫sP型區(qū)域223。在這種情況下，柵極209a的上表面可以與接觸溝槽的下表面齊平或者低于接觸溝槽的下表面。
[0095]可以用金屬填滿接觸溝槽，以形成金屬層227。因此，可以完成根據(jù)本公開的用于半導(dǎo)體裝置200的制造工藝。這里，重?fù)诫sP型區(qū)域223可以允許金屬層227和主體區(qū)域201b之間的歐姆接觸。另外，金屬層227可以通過沿著每個(gè)溝槽的上表面延伸的層間絕緣層圖案219a與柵極209a絕緣。
[0096]在圖4J中所示的源極區(qū)域215可以在形成柵極之后去除第一氧化物層之前形成。然后，可以立即形成層間絕緣層圖案而不用去除第二氧化物層。另外，在形成第二氧化物層后可以通過離子注入直接形成源極區(qū)域215而不用去除第二氧化物層。然后，可以形成層間絕緣層圖案而不用去除第二氧化物層。
[0097]圖5是示出根據(jù)本公開的與半導(dǎo)體裝置的單元間距相對(duì)應(yīng)的電阻值變化的曲線圖。
[0098]如在圖5所示，曲線圖包括對(duì)應(yīng)于4.5V的柵-源偏置電壓的曲線。
[0099]可以注意到，在根據(jù)本公開的半導(dǎo)體裝置中單元間距減小到1.0微米。
[0100]因此，在根據(jù)本公開的半導(dǎo)體裝置的單元間距中，導(dǎo)通電阻Rdsm根據(jù)柵-源偏置電壓可以減小大約20%至30%。
[0101]如上所述，根據(jù)本公開的半導(dǎo)體裝置可以具有其寬度比下溝槽部分的寬度寬的上溝槽部分。這個(gè)可以增加每單位面積形成的溝槽的個(gè)數(shù)，從而使得半導(dǎo)體裝置的溝槽電阻減小。
[0102]由于根據(jù)本公開的半導(dǎo)體裝置具有其寬度比下溝槽部分的寬度寬的上溝槽部分，所以可以確保源極區(qū)域在接觸上溝槽部分的半導(dǎo)體裝置內(nèi)。這可以使單元間距(溝槽與溝槽之間的寬度)最小化并因此增加了單元密度。結(jié)果，可以使作為使用溝槽的半導(dǎo)體裝置的主要特征之一的導(dǎo)通電阻值降低。
[0103]根據(jù)按照本公開的半導(dǎo)體裝置及其制造方法的各種示例，在形成下溝槽部分，然后沉積實(shí)施為多晶硅層或?qū)娱g絕緣層的犧牲埋層之后，可以通過回蝕工藝控制將要形成有具有寬的寬度的上溝槽部分的區(qū)域的深度。另外，可以通過自對(duì)準(zhǔn)接觸氧化來增大將要形成有上溝槽部分的區(qū)域的寬度。因此，上溝槽部分的寬度可以根據(jù)氧化時(shí)間或通過控制氧化物層的厚度而有效地控制。與其他技術(shù)相比較，這可以使單元間距(溝槽與溝槽之間的寬度)最小化，并因此增加單元密度。結(jié)果，可以降低使用溝槽的半導(dǎo)體裝置的電阻值。
[0104]此外，在此描述的是通過形成寬度寬的上溝槽和在寬度寬的上溝槽內(nèi)的層間絕緣層，然后利用層間絕緣層作為掩模形成接觸溝槽而具有減小的單元間距和低的導(dǎo)通電阻的半導(dǎo)體裝置示例。
[0105]根據(jù)本公開，提供了一種半導(dǎo)體裝置，該半導(dǎo)體裝置包括:半導(dǎo)體基底，具有外延層；溝槽，形成在半導(dǎo)體基底的外延層內(nèi)，溝槽具有在寬度上比下溝槽部分寬的上溝槽部分；柵極絕緣層，形成在溝槽的內(nèi)表面上；柵極，形成在溝槽內(nèi)的柵極絕緣層上；層間絕緣層圖案，形成在包括柵極在內(nèi)的溝槽內(nèi)的柵極絕緣層上；源極區(qū)域，形成在半導(dǎo)體基底內(nèi)，源極區(qū)域接觸溝槽的上溝槽部分的側(cè)壁；主體區(qū)域，形成在半導(dǎo)體基底的外延層內(nèi)；接觸溝槽，填滿金屬，接觸溝槽使得源極區(qū)域和主體區(qū)域能夠彼此接觸；以及重?fù)诫s區(qū)域，形成在接觸溝槽的下面，重?fù)诫s區(qū)域與主體區(qū)域具有相同類型的雜質(zhì)。
[0106]還提供了一種用于制造半導(dǎo)體裝置的方法，所述方法包括以下步驟:在具有外延層的半導(dǎo)體裝置內(nèi)形成下溝槽部分；在下溝槽部分的表面上形成第一氧化物層；在下溝槽部分內(nèi)的第一氧化物層上形成犧牲埋層圖案；去除第一氧化物層的暴露部分以暴露下溝槽部分的側(cè)壁；在下溝槽部分的側(cè)壁和犧牲埋層圖案的表面上形成第二氧化物層；去除第二氧化物層、犧牲埋層圖案和第一氧化物層，以在下溝槽部分的側(cè)壁上形成上溝槽部分，上溝槽部分的寬度比下溝槽部分的寬度寬；在下溝槽部分、上溝槽部分和半導(dǎo)體基底的表面上形成柵極絕緣層；通過在上溝槽部分和下溝槽部分內(nèi)的柵極絕緣層上沉積多晶硅來填充溝槽；在半導(dǎo)體基底的外延層內(nèi)形成主體區(qū)域；通過蝕刻多晶硅在下溝槽部分內(nèi)形成柵極；通過離子注入到上溝槽部分的側(cè)壁中形成源極區(qū)域；在上溝槽部分內(nèi)的柵極絕緣層上形成層間絕緣層圖案；形成接觸溝槽以使源極區(qū)域和主體區(qū)域接觸；在接觸溝槽上形成重?fù)诫s區(qū)域，重?fù)诫s區(qū)域具有與主體區(qū)域的雜質(zhì)類型相同類型的雜質(zhì)；以及用金屬層填滿接觸溝槽。
[0107]根據(jù)本公開的另一個(gè)示例，提供了一種用來制造半導(dǎo)體裝置的方法，所述方法包括以下步驟:在包括外延層的半導(dǎo)體基底內(nèi)形成下溝槽部分；在下溝槽部分的表面上形成第一氧化物層；在下溝槽部分內(nèi)的第一氧化物層上沉積多晶硅；在半導(dǎo)體基底的外延層內(nèi)形成主體區(qū)域；在下溝槽部分內(nèi)形成柵極并且部分地暴露第一氧化物層；去除第一氧化物層的暴露部分，以暴露下溝槽部分的側(cè)壁；在柵極和下溝槽部分的側(cè)壁上形成第二氧化物層，以形成上溝槽部分，上溝槽部分的寬度比下溝槽部分的寬度寬；在包括上溝槽部分的柵極上形成絕緣層；在上溝槽部分內(nèi)的絕緣層上形成層間絕緣層圖案；形成接觸溝槽以接觸主體區(qū)域；在接觸溝槽的下面形成重?fù)诫s區(qū)域，重?fù)诫s區(qū)域具有與主體區(qū)域相同類型的雜質(zhì)；以及用金屬層填滿接觸溝槽。這里，可以在形成柵極之后去除第一氧化物層之前去除源極區(qū)域，然后可以立即形成層間絕緣層圖案而不用去除第二氧化物層。另外，在形成第二氧化物層之后可以通過離子注入直接形成源極區(qū)域而不用去除第二氧化物層，然后，可以形成層間絕緣層圖案而不用去除第二氧化物層。
[0108]根據(jù)本公開的半導(dǎo)體裝置及其制造方法的各種示例，通過在形成溝槽時(shí)同時(shí)形成具有寬的上部寬度的溝槽，可以提前確保源極形成區(qū)域。因此，不需要溝槽與接觸開口之間的間隙。這樣可以使單元間距最小化并且因此增加了同樣面積內(nèi)溝槽的個(gè)數(shù)。
[0109]由于單元間距(溝槽與溝槽之間的寬度)的最小化，可以增加單元密度。這樣可以降低作為使用溝槽的半導(dǎo)體裝置的主要特征之一的導(dǎo)通電阻值。
[0110]根據(jù)按照本公開的半導(dǎo)體裝置及其制造方法的各種示例，在形成下溝槽部分然后沉積實(shí)施為多晶硅層或?qū)娱g絕緣層的犧牲埋層之后，可以通過回蝕工藝控制將要形成有寬度寬的上溝槽部分的區(qū)域的深度。另外，可以通過自對(duì)準(zhǔn)接觸氧化增加形成將要形成有上溝槽部分的區(qū)域的寬度。因此，上溝槽部分的寬度可以根據(jù)氧化時(shí)間(即，氧化物層的厚度)而有效地被控制。與相關(guān)技術(shù)相比，這樣可以使單元間距(溝槽與溝槽之間的寬度)最小化，并且這樣可以增加單元密度。因此，可以降低使用溝槽的半導(dǎo)體裝置的電阻值。
[0111]理解的是，本公開的特征可以以不同的形式來實(shí)施并且不應(yīng)該被解釋為局限于在此提出的示例。而是，提供這些示例使得本公開將是徹底的且完整的，并將把本公開的完整范圍傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。附圖可能不一定按比例，并且在一些情況中，為了清楚地示出示例的特征，可能會(huì)夸大比例。當(dāng)?shù)谝粚颖环Q為“在”第二層“上”或“在”基底“上”時(shí)，它不僅可以指第一層直接形成在第二層或基底上的情形，而且也可能指在第一層與第二層或基底之間存在第三層的情形。此外，盡管諸如“第一”或“第二”的表述可以用來指各種元件，但是這些元件并不受這些表述的限制。這些表述僅是用來將一個(gè)元件與另一個(gè)元件區(qū)分開來。除非另有說明，否則單數(shù)形式的表述包括復(fù)數(shù)意思。貫穿本說明書，使用表述“包括”或“具有”僅表示存在在此描述的特性、步驟、操作、元件、組件或它們的組合，但不排除存在或附加一個(gè)或多個(gè)其他特性、步驟、操作、元件、組件或它們的組合的可能性。
[0112]諸如“在…下面”、“在…下方”、“下部的”、“在…上面”、“上部的”等空間相對(duì)表述可以被用來方便地描述一個(gè)裝置或元件與其他裝置或元件之間的關(guān)系。空間相對(duì)表述應(yīng)該被理解為包含了在附圖中描述的方位，以及在使用或操作中的其他方位。此外，所述裝置可被定位于其他方向，因此，基于所述方位來解釋空間相對(duì)表述。
[0113]此外，在此所使用的諸如“第一導(dǎo)電類型”和“第二導(dǎo)電類型”的表述可以是指彼此相反的如N型或P型的導(dǎo)電類型，在此解釋和例證的示例包括了其互補(bǔ)的示例。
[0114]以上已經(jīng)描述了多個(gè)示例。不管怎樣，將理解的是可以對(duì)其進(jìn)行各種修改。例如，如果以不同的順序執(zhí)行描述的技術(shù)和/或如果以不同的方式組合和/或用其他組件或它們的等同物替換或補(bǔ)充所描述的系統(tǒng)、架構(gòu)、裝置或電路中的組件，則可以實(shí)現(xiàn)適當(dāng)?shù)慕Y(jié)果。因此，其他的實(shí)施方式在權(quán)利要求的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置包括: 溝槽，設(shè)置在基底的外延層內(nèi)，溝槽具有寬度比下溝槽部分的寬度寬的上溝槽部分； 柵極絕緣層，設(shè)置在溝槽的內(nèi)表面上； 柵極，設(shè)置在溝槽內(nèi)； 層間絕緣層圖案，設(shè)置在包含柵極的溝槽內(nèi)的柵極絕緣層上； 源極區(qū)域，設(shè)置在基底內(nèi)并且接觸溝槽的上溝槽部分的側(cè)壁； 主體區(qū)域，設(shè)置在基底的外延層內(nèi)； 接觸溝槽,填充有金屬,接觸溝槽使源極區(qū)域和主體區(qū)域彼此接觸；以及重?fù)诫s區(qū)域，形成在接觸溝 槽的下面，重?fù)诫s區(qū)域的雜質(zhì)類型與主體區(qū)域的雜質(zhì)類型相同并且重?fù)诫s區(qū)域具有比主體區(qū)域的雜質(zhì)濃度高的雜質(zhì)濃度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，源極區(qū)域的下表面形成為比接觸溝槽的下表面低。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，柵極的上表面與接觸溝槽的下表面齊平或者高于接觸溝槽的下表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，柵極的上表面與接觸溝槽的下表面齊平或低于接觸溝槽的下表面。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，層間絕緣層包括硼磷硅玻璃膜、高溫低壓沉積氧化物或它們的組合。
6.一種用于制造半導(dǎo)體裝置的方法，所述方法包括以下步驟: 在基底的外延層內(nèi)形成下溝槽部分； 在下溝槽部分的表面上形成第一氧化物層； 在下溝槽部分內(nèi)的第一氧化物層上形成犧牲埋層圖案； 去除第一氧化物層的暴露部分，以暴露下溝槽部分的側(cè)壁； 在下溝槽部分的側(cè)壁和犧牲埋層圖案的表面上形成第二氧化物層； 去除第二氧化物層、犧牲埋層圖案和第一氧化物層，以在下溝槽部分的側(cè)壁上形成上溝槽部分，上溝槽部分的寬度比下溝槽部分的寬度寬； 在下溝槽部分的表面、上溝槽部分的表面和基底的外延層的表面上形成柵極絕緣層； 通過在下溝槽部分和上溝槽部分內(nèi)的柵極絕緣層上沉積多晶硅填充溝槽； 在外延層內(nèi)形成主體區(qū)域； 通過蝕刻多晶硅在下溝槽部分內(nèi)形成柵極； 通過離子注入到上溝槽部分的側(cè)壁中形成源極區(qū)域； 在上溝槽部分內(nèi)的柵極絕緣層上形成層間絕緣層圖案； 形成接觸溝槽以使源極區(qū)域和主體區(qū)域接觸； 在接觸溝槽上形成重?fù)诫s雜質(zhì)區(qū)域，重?fù)诫s雜質(zhì)區(qū)域具有雜質(zhì)類型與主體區(qū)域的雜質(zhì)類型相同的雜質(zhì)并且具有比主體區(qū)域的雜質(zhì)濃度高的雜質(zhì)濃度；以及用金屬層填充接觸溝槽。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，利用自對(duì)準(zhǔn)接觸蝕刻方法形成接觸溝槽。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，層間絕緣層包括硼磷硅玻璃膜、高溫低壓沉積氧化物或它們的組合。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，犧牲埋層圖案由多晶硅或?qū)娱g絕緣材料制成。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，通過回蝕多晶硅形成柵極。
11.一種用于制造半導(dǎo)體裝置的方法，所述方法包括以下步驟: 在包括外延層的基底內(nèi)形成下溝槽部分； 在下溝槽部分的表面上形成第一氧化物層； 在下溝槽部分內(nèi)的第一氧化物層上沉積多晶硅； 在外延層內(nèi)形成主體區(qū)域； 在下溝槽部分內(nèi)形成柵極并且使第一氧化物層部分地暴露； 去除第一氧化物層的暴露部分，以暴露下溝槽部分的側(cè)壁； 在柵極和下溝槽部分的側(cè)壁上形成第二氧化物層以形成上溝槽部分，上溝槽部分的寬度比下溝槽部分的寬度寬； 在包括上溝槽部分的柵極上形成絕緣層； 在上溝槽部分內(nèi)的絕緣層上形成層間絕緣層圖案； 形成接觸溝槽以接觸主 體區(qū)域； 在接觸溝槽下面形成重?fù)诫s雜質(zhì)區(qū)域，重?fù)诫s雜質(zhì)區(qū)域具有雜質(zhì)類型與主體區(qū)域的雜質(zhì)類型相同的雜質(zhì)并且具有比主體區(qū)域的雜質(zhì)濃度高的雜質(zhì)濃度；以及用金屬層填充接觸溝槽。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，利用自對(duì)準(zhǔn)接觸蝕刻方法形成接觸溝槽。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，層間絕緣層包括硼磷硅玻璃膜、高溫低壓沉積氧化物或它們的組合。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，通過回蝕多晶硅形成柵極。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，所述方法還包括:在形成柵極之后去除第一氧化物層之前，通過離子注入形成源極區(qū)域。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，所述方法還包括:在上溝槽部分的側(cè)壁上形成第二氧化物層之后，通過離子注入形成源極區(qū)域。
17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，所述方法還包括:在去除第二氧化物層之后，通過離子注入形成源極區(qū)域。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，接觸溝槽被形成為與源極區(qū)域接觸。
19.一種半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置包括: 溝槽，設(shè)置在基底內(nèi)，溝槽包括寬度比下溝槽部分的寬度寬的上溝槽部分； 柵極，設(shè)置在溝槽內(nèi)； 層間絕緣層圖案，設(shè)置在上溝槽部分內(nèi)的柵極上； 源極區(qū)域，設(shè)置在基底內(nèi)并且接觸上溝槽部分的側(cè)壁； 主體區(qū)域，設(shè)置在基底中的源極區(qū)域的下面；以及 接觸溝槽，設(shè)置在主體區(qū)域的上面并填充有導(dǎo)電材料。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置還包括: 雜質(zhì)區(qū)域，形成在接觸溝槽的下面，雜質(zhì)區(qū)域具有雜質(zhì)類型與主體區(qū)域的雜質(zhì)類型相同的雜質(zhì)并且具有比主體區(qū)域的雜質(zhì)濃度高的雜質(zhì)濃度。
【文檔編號(hào)】H01L29/10GK104037229SQ201410066498
【公開日】2014年9月10日 申請日期:2014年2月26日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月5日
【發(fā)明者】姜守昶, 金榮載 申請人:美格納半導(dǎo)體有限公司