電子部件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供具有較大的電感值的電子部件。層疊體（12）通過層疊多個絕緣體層（16）而成。線圈（L）由與絕緣體層（16）一起層疊的線狀的線圈導(dǎo)體層（19a～19d）構(gòu)成且成一邊卷繞一邊向?qū)盈B方向行進(jìn)的螺旋狀。在線圈導(dǎo)體層（19a～19d）的朝向線圈（L）的內(nèi)周側(cè)的面，設(shè)置有朝向該線圈（L）的外周側(cè)凹陷的凹部（Ga～Gd）。
【專利說明】電子部件

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及電子部件，更加特定地說，涉及內(nèi)置有線圈的電子部件。

【背景技術(shù)】
[0002] 作為與以往的電子部件相關(guān)的發(fā)明，例如已知有專利文獻(xiàn)1所記載的層疊式電子 部件。該層疊式電子部件具備層疊體以及線圈。層疊體通過層疊多個鐵氧體片而成。線圈 的多個線圈導(dǎo)體圖案通過通孔連接，呈一邊向?qū)盈B方向行進(jìn)一邊卷繞的螺旋狀。
[0003] 然而，在專利文獻(xiàn)1所記載的層疊式電子部件中，例如若欲獲得直流電阻較低的 線圈，則需要變粗或變厚線圈導(dǎo)體圖案的線寬，但這樣，有難以獲得較大的電感值的問題。 更加詳細(xì)而言，在呈螺旋狀的線圈中，線圈內(nèi)部的磁通密度變高。該情況下，無法通過線圈 內(nèi)部的磁通通過線圈導(dǎo)體圖案。由于在線圈流動高頻信號，所以線圈所產(chǎn)生的磁通的方向 周期性地變動。若通過線圈導(dǎo)體圖案的磁通的方向周期性地變動，則在線圈導(dǎo)體圖案中產(chǎn) 生渦流且產(chǎn)生焦耳熱。其結(jié)果，產(chǎn)生渦流損失，而線圈的電感值降低。
[0004] 專利文獻(xiàn)1 :日本特開2000-286125號公報


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供具有較大的電感值的電子部件。
[0006] 本發(fā)明的一個方式的電子部件的特征在于，具備：層疊體，其通過層疊多個絕緣體 層而成；和線圈，其由與上述絕緣體層一起層疊的線狀的線圈導(dǎo)體層構(gòu)成，上述線圈呈旋渦 狀或者形成為一邊卷繞一邊向?qū)盈B方向行進(jìn)的螺旋狀，在與上述線圈導(dǎo)體層延伸的方向正 交的剖面，在該線圈導(dǎo)體層的朝向上述線圈的內(nèi)周側(cè)的面，設(shè)置有朝向該線圈的外周側(cè)凹 陷的凹部。
[0007] 根據(jù)本發(fā)明，能夠獲得具有較大的電感值的電子部件。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0008] 圖1是一個實施方式的電子部件的外觀立體圖。
[0009] 圖2是圖1的電子部件的分解立體圖。
[0010] 圖3是圖1的電子部件的層疊體的A-A的剖面結(jié)構(gòu)圖。
[0011] 圖4是電子部件的制造時的工序剖視圖。
[0012] 圖5是電子部件的制造時的工序剖視圖。
[0013] 圖6是電子部件的制造時的工序剖視圖。
[0014] 圖7是電子部件的制造時的工序剖視圖。
[0015] 圖8是電子部件的制造時的工序剖視圖。
[0016] 圖9是電子部件的制造時的工序剖視圖。
[0017] 圖10是電子部件的制造時的工序剖視圖。
[0018] 圖11是電子部件的制造時的工序剖視圖。
[0019] 圖12是電子部件的制造時的工序剖視圖。
[0020] 圖13是電子部件的制造時的工序剖視圖。
[0021] 圖14是電子部件的制造時的工序剖視圖。
[0022] 圖15是電子部件的制造時的工序剖視圖。
[0023] 圖16是電子部件的制造時的工序剖視圖。
[0024] 圖17是電子部件的制造時的工序剖視圖。
[0025] 圖18是電子部件的制造時的工序剖視圖。
[0026] 圖19是電子部件的制造時的工序剖視圖。
[0027] 圖20是表示模擬結(jié)果的圖表。
[0028] 圖21是線圈導(dǎo)體層的剖面結(jié)構(gòu)的照片。
[0029] 圖22是線圈導(dǎo)體層的剖面結(jié)構(gòu)圖。
[0030] 圖23是表示模擬結(jié)果的圖表。
[0031] 附圖標(biāo)記的說明：
[0032] Ga?Gh…凹部；L·..線圈；Opl?0p4...開口；10、10a…電子部件；12…層疊體； 14a、14b…外部電極；16a?16i…絕緣體層；18a?18h、19a?19d…線圈導(dǎo)體層。

【具體實施方式】
[0033] 以下，對本發(fā)明的一個實施方式的電子部件進(jìn)行說明。
[0034] (電子部件的結(jié)構(gòu)）
[0035] 以下，參照附圖對一個實施方式的電子部件的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。圖1是一個實施方 式的電子部件10的外觀立體圖。圖2是圖1的電子部件10的分解立體圖。圖3是圖1的 電子部件10的層疊體12的A-A的剖面結(jié)構(gòu)圖。圖3中，省略了外部電極14a、14b。以下， 將層疊體12的層疊方向定義為上下方向，將從上側(cè)俯視層疊體12時層疊體12的短邊延伸 的方向定義為前后方向，將層疊體12的長邊延伸的方向定義為左右方向。
[0036] 如圖1至圖3所示，電子部件10具備層疊體12、外部電極14a、14b以及線圈L。 層疊體12通過層疊絕緣體層25、16a?16i而成，呈長方體狀。絕緣體層25、16a?16i從 上側(cè)向下側(cè)依次層疊，而呈長方形的外緣。在絕緣體層25設(shè)置有圓形的空白部分。圓形的 空白部分作為方向識別標(biāo)記而使用。另外，在絕緣體層16b、16d、16f、16h上分別設(shè)置有開 口 Opl?0p4。另外，在絕緣體層16c、16e、16g上設(shè)置有通孔Ta?Tc。這樣，設(shè)置有開口 Opl?0p4的絕緣體層16b、16d、16f、16h和未設(shè)置開口的絕緣體層16c、16e、16g交替層疊。 后面對開口 Opl?0p4以及通孔Ta?Tc進(jìn)行說明。絕緣體層16a?16i由含有磁性體材 料的玻璃制成。以下，將絕緣體層16a?16i的上側(cè)的面稱作表面，將絕緣體層16a?16i 的下側(cè)的面稱作背面。
[0037] 在從上側(cè)俯視時，線圈L呈一邊向順時針方向卷繞一邊從下側(cè)向上側(cè)行進(jìn)的螺旋 狀。線圈L包括線圈導(dǎo)體層19a?19d以及通路孔導(dǎo)體Va?Vc。線圈導(dǎo)體層19a?19d 與絕緣體層16a?16i -起層疊，在從上側(cè)俯視時，線圈導(dǎo)體層19a?19d是以層疊體12 的中心(對角線的交點)為中心地順時針卷繞的線狀導(dǎo)體。線圈導(dǎo)體層19a?19d例如由以 Ag為主成分的導(dǎo)電性材料制成。以下，將線圈導(dǎo)體層19a?19d的順時針方向的上游側(cè)的 端部稱作上游端，將線圈導(dǎo)體層19a?19d的順時針方向的下游側(cè)的端部稱作下游端。
[0038] 另外，如圖2所示，線圈導(dǎo)體層19a包括線圈導(dǎo)體層18a、18b。在從上側(cè)俯視時，線 圈導(dǎo)體層18a、18b大致呈相同的形狀，在上下方向上層疊。更加詳細(xì)而言，線圈導(dǎo)體層18b 設(shè)置在絕緣體層16c的表面上。開口 Opl如上所述地設(shè)置在絕緣體層16b上。在從上側(cè)俯 視時，開口 〇pl呈與線圈導(dǎo)體層18b重合的線狀并且呈與線圈導(dǎo)體層18b大致相同的形狀。 其中，開口 Opl的線寬W3比線圈導(dǎo)體層18a的線寬W1以及線圈導(dǎo)體層18b的線寬W2細(xì)。
[0039] 如圖2以及圖3所示，線圈導(dǎo)體層18a設(shè)置在開口 Opl內(nèi)以及絕緣體層16b的表 面上。然而，在從上側(cè)俯視時，線圈導(dǎo)體層18a在絕緣體層16b的表面上從開口 Opl的周圍 突出。由此，在與線圈導(dǎo)體層18a延伸的方向正交的剖面，線圈導(dǎo)體層18a呈T字形的剖面 形狀。而且，線圈導(dǎo)體層18a的下表面與線圈導(dǎo)體層18b的上表面接觸。由此，在與線圈導(dǎo) 體層19a延伸的方向正交的剖面，線圈導(dǎo)體層19a呈Η字形旋轉(zhuǎn)90度后的剖面形狀。因 此，在與線圈導(dǎo)體層19a延伸的方向正交的剖面，在線圈導(dǎo)體層19a的朝向線圈L的內(nèi)周側(cè) 的面設(shè)置有朝向線圈L的外周側(cè)凹陷的凹部Ga。優(yōu)選地，凹部Ga的深度D1 (參照圖3)為 6μπι以上且為線圈導(dǎo)體層18a?18h的線寬W1、W2的40%以下。
[0040] 線圈導(dǎo)體層19b如圖2所示地具備線圈導(dǎo)體層18c、18d。線圈導(dǎo)體層19c如圖2 所示地具備線圈導(dǎo)體層18e、18f。線圈導(dǎo)體層19d如圖2所示地具備線圈導(dǎo)體層18g、18h。 其中，線圈導(dǎo)體層19b?19d的結(jié)構(gòu)與線圈導(dǎo)體層19a的結(jié)構(gòu)相同，因此省略說明。另外， 開口 0p2?0p4的結(jié)構(gòu)也與開口 Opl的結(jié)構(gòu)相同，因此省略說明。
[0041] 通孔Ta?Tc是分別沿上下方向貫通絕緣體層16c、16e、16g的孔。在從上側(cè)俯視 時，通孔Ta與線圈導(dǎo)體層18b的上游端以及線圈導(dǎo)體層18c的下游端重合。在從上側(cè)俯視 時，通孔Tb與線圈導(dǎo)體層18d的上游端以及線圈導(dǎo)體層18e的下游端重合。在從上側(cè)俯視 時，通孔Tc與線圈導(dǎo)體層18f的上游端以及線圈導(dǎo)體層18g的下游端重合。
[0042] 通路孔導(dǎo)體Va從線圈導(dǎo)體層18b的上游端向下方突出，并設(shè)置在通孔Ta內(nèi)。由 此，通路孔導(dǎo)體Va連接線圈導(dǎo)體層18b的上游端和線圈導(dǎo)體層18c的下游端。通路孔導(dǎo)體 Vb從線圈導(dǎo)體層18d的上游端向下方突出，并設(shè)置在通孔Tb內(nèi)。由此，通路孔導(dǎo)體Vb連接 線圈導(dǎo)體層18d的上游端和線圈導(dǎo)體層18e的下游端。通路孔導(dǎo)體Vc從線圈導(dǎo)體層18f 的上游端向下方突出，并設(shè)置在通孔Tc內(nèi)。由此，通路孔導(dǎo)體Vc連接線圈導(dǎo)體層18f的上 游端和線圈導(dǎo)體層18g的下游端。由此，線圈導(dǎo)體層19a?19d通過由通路孔導(dǎo)體Va?Vc 連接，而呈螺旋狀的線圈L。
[0043] 外部電極14a覆蓋層疊體12的右側(cè)的端面，并且向上表面、下表面以及前后方向 的側(cè)面折回。線圈導(dǎo)體層19a的下游端被引出至層疊體12的右側(cè)的端面。由此，線圈導(dǎo)體 層19a的下游端與外部電極14a連接。
[0044] 外部電極14b覆蓋層疊體12的左側(cè)的端面，并且向上表面、下表面以及前后方向 的側(cè)面折回。線圈導(dǎo)體層19d的上游端被引出至層疊體12的左側(cè)的端面。由此，線圈導(dǎo)體 層19d的上游端與外部電極14b連接。
[0045] (電子部件的制造方法）
[0046] 接下來，參照附圖對電子部件10的制造方法進(jìn)行說明。圖4至圖19是電子部件 10的制造時的工序剖視圖。以下，對制造一個電子部件10的工序進(jìn)行說明，但實際上，通過 制成母層疊體后進(jìn)行切割來同時制成多個電子部件10。
[0047] 首先，如圖4所示，通過印刷涂覆感光性絕緣糊。而且，如圖5所示，對該感光性絕 緣糊的整個面進(jìn)行曝光。由此，使感光性絕緣糊固化而形成絕緣體層16i。
[0048] 接下來，如圖6所示，通過印刷在絕緣體層16i上涂覆感光性導(dǎo)電糊。而且，如圖7 所示，隔著掩模Ml對感光性導(dǎo)電糊進(jìn)行曝光。在掩模Ml設(shè)置有與線圈導(dǎo)體層18h相同的 形狀的開口。由此，感光性導(dǎo)電糊內(nèi)的與線圈導(dǎo)體層18h相當(dāng)?shù)牟糠止袒?。并且，如圖8所 示，用顯影液除去未固化的感光性導(dǎo)電糊。由此，形成線圈導(dǎo)體層18h。
[0049] 接下來，如圖9所示，通過印刷在絕緣體層16i上以及線圈導(dǎo)體層18h上涂覆感光 性絕緣糊。而且，如圖10所示，隔著掩模M2對該感光性絕緣糊進(jìn)行曝光。掩模M2覆蓋感 光性絕緣糊的與開口 0p4對應(yīng)的部分。由此，感光性絕緣糊內(nèi)的除開口 0p4以外的部分固 化。并且，如圖11所示，用顯影液除去未固化的感光性絕緣糊。由此，形成絕緣體層16h。
[0050] 接下來，如圖12所示，通過印刷在絕緣體層16h上以及開口 0p4內(nèi)涂覆感光性導(dǎo) 電糊。而且，如圖13所示，隔著掩模M3對感光性導(dǎo)電糊進(jìn)行曝光。在掩模M3設(shè)置有與線圈 導(dǎo)體層18g相同的形狀的開口。由此，感光性導(dǎo)電糊內(nèi)的與線圈導(dǎo)體層18g相當(dāng)?shù)牟糠止?化。并且，如圖14所示，用顯影液除去未固化的感光性導(dǎo)電糊。由此，形成線圈導(dǎo)體層18g。
[0051] 接下來，如圖15所示，通過印刷在絕緣體層16h上以及線圈導(dǎo)體層18g上涂覆感 光性絕緣糊。而且，如圖16所示，隔著未圖示的掩模對該感光性絕緣糊進(jìn)行曝光。未圖示 的掩模覆蓋感光性絕緣糊的與通孔Tc對應(yīng)的部分。由此，感光性絕緣糊內(nèi)的除通孔Tc以 外的部分固化。而且，用顯影液除去未固化的感光性絕緣糊。由此，形成絕緣體層16g。之 后，通過反復(fù)進(jìn)行圖6至圖16的工序，如圖17所示地形成絕緣體層16b?16f、線圈導(dǎo)體層 18a ?18f。
[0052] 接下來，如圖18所示，通過印刷在絕緣體層16b上以及線圈導(dǎo)體層18a上涂覆感 光性絕緣糊。而且，如圖19所示，對感光性絕緣糊的整個面進(jìn)行曝光。由此，感光性絕緣糊 固化，形成絕緣體層16a。而且，通過印刷在絕緣體層16a上涂覆絕緣糊而形成絕緣體層25。 由此，獲得作為多個層疊體12的集合體的母層疊體。
[0053] 接下來，通過切割機等切割母層疊體，而獲得未燒制的多個層疊體12。并且，在規(guī) 定條件下對未燒制的層疊體12進(jìn)行燒制。
[0054] 接下來，通過浸漬，對層疊體12的兩端面涂覆由Ag構(gòu)成的導(dǎo)電性糊，并進(jìn)行燒結(jié)， 從而形成基底電極。最后，在基底電極上實施Ni、Cu、Sn等的鍍覆，從而形成外部電極14a、 14b。經(jīng)由以上的工序，完成電子部件10。
[0055](效果）
[0056] 根據(jù)本實施方式的電子部件10,能夠獲得較大的電感值。更加詳細(xì)而言，在形成為 螺旋狀的線圈L中，線圈L內(nèi)部的磁通密度變高。而且，無法通過線圈L內(nèi)部的磁通可以通 過線圈導(dǎo)體層18a?18h。這樣，若磁通通過線圈導(dǎo)體層18a?18h，則產(chǎn)生渦流，從而線圈 L的電感值降低。
[0057] 此處，無法通過線圈L內(nèi)部的磁通在線圈導(dǎo)體層19a?19d的朝向線圈L的內(nèi)周 側(cè)的面附近通過。因此，渦流也容易在線圈導(dǎo)體層19a?19d的朝向線圈L的內(nèi)周側(cè)的面 附近產(chǎn)生。因此，電子部件10中，在線圈導(dǎo)體層19a?19d的朝向線圈L的內(nèi)周側(cè)的面，設(shè) 置有朝向線圈L的外周側(cè)凹陷的凹部Ga?Gd。由此，線圈導(dǎo)體層19a?19d的朝向線圈L 的內(nèi)周側(cè)的面附近的上下方向的厚度變小。因而，磁通通過線圈導(dǎo)體層19a?19d的距離 也變短。其結(jié)果，線圈導(dǎo)體層19a?19d中產(chǎn)生渦流的情況減少，從而抑制線圈L的電感值 降低。此外，由后述的計算機模擬可知，優(yōu)選地，凹部Ga?Gd的深度D1為6 μ m以上且為 線圈導(dǎo)體層18a?18h的線寬W1、W2的40%以下。
[0058] (計算機模擬）
[0059] 本申請發(fā)明人為了確認(rèn)線圈L的電感值變大的原理在上述說明中是正確的，進(jìn)行 了以下的計算機模擬。如圖3的放大圖所示，將在線圈導(dǎo)體層19a?19d的朝向線圈L的 外周側(cè)的面設(shè)置的凹部設(shè)為凹部Ge?Gh。而且，將凹部Ge?Gh的深度設(shè)為深度D2。本 申請發(fā)明人使深度D1、D2變化，而計算了線圈L的電感值。以下，對計算機模擬中使用的第 一模型至第三模型的條件進(jìn)行說明。
[0060] 第一模型
[0061] 深度 Dl:0ym
[0062] 深度 D2:0ym
[0063] 第二模型
[0064] 深度 Dl:10ym
[0065] 深度 D2:0ym
[0066] 第三模型
[0067] 深度 Dl:0ym
[0068] 深度 D2:10ym
[0069] 第一模型中，電感值是2. 276nH。第二模型中，電感值是2. 321nH。即，第二模型中， 與第一模型相比，電感值增加了 〇. 〇45nH。另一方面，第三模型中，電感值是2. 282nH。即，第 三模型中，與第一模型相比，電感值僅增加了 〇.〇〇6nH。這樣，可知，與在線圈導(dǎo)體層19a? 19d的朝向線圈L的外周側(cè)的面設(shè)置有凹部Ge?Gh的情況相比，在線圈導(dǎo)體層19a?19d 的朝向線圈L的內(nèi)周側(cè)的面設(shè)置有凹部Ga?Gd的情況下，線圈L的電感值變大。因此，根 據(jù)本計算機模擬，可知通過設(shè)置凹部Ga?Gd，能夠減少在線圈導(dǎo)體層19a?19d中產(chǎn)生的 渦流，從而抑制線圈L的電感值的降低。
[0070] 接下來，為了調(diào)查凹部Ga?Gd的最優(yōu)的深度D1，作成具有以下的條件的第四模型 至第七模型，并計算了各模型的電感值。
[0071] 第四模型
[0072] 線圈導(dǎo)體層19a?19d的線寬（線寬W1、W2) :70μπι
[0073] 線圈導(dǎo)體層19a?19d的厚度：12 μ m
[0074] 第五模型
[0075] 線圈導(dǎo)體層19a?19d的線寬(線寬W1、W2) :60μπι
[0076] 線圈導(dǎo)體層19a?19d的厚度：12 μ m
[0077] 第六模型
[0078] 線圈導(dǎo)體層19a?19d的線寬（線寬W1、W2) :40μπι
[0079] 線圈導(dǎo)體層19a?19d的厚度：12 μ m
[0080] 第七模型
[0081] 線圈導(dǎo)體層19a?19d的線寬(線寬W1、W2) :40μπι
[0082] 線圈導(dǎo)體層19a?19d的厚度：8 μ m
[0083] 在以上的第四模型至第七模型中，使凹部Ga?Gd的深度D1變化，而計算了線圈L 的電感值。圖20是表示模擬結(jié)果的圖表?？v軸表示電感值的變化率，橫軸表示凹部Ga? Gd的深度D1。電感值的變化率指的是，深度D1是0 μ m時的相對于電感值的變化率。
[0084] 根據(jù)圖20可知，在第四模型至第七模型的任一模型中，隨著深度D1變大，電感值 增加。而且，在第四模型至第七模型的任一模型中，深度D1是6 μ m以上的情況下電感值基 本不增加。因而，可知深度D1優(yōu)選是6μηι以上。此外,本申請發(fā)明人將深度D1設(shè)為ΙΟμπι 而計算了電感值。因而，優(yōu)選地，深度D1為10 μ m以下。
[0085] 另外，在第四模型中，可知到深度D1為30 μ m為止，電感值基本不變動。在第四模 型中，線寬W1為70 μ m。因此，在第四模型中，若深度D1為線寬W1的42. 8%以下，則電感值 基本不變動。同樣地，在第五模型中，可知到深度D1為25 μ m為止，電感值基本不變動。在 第五模型中，線寬W1為60 μ m。因此，在第五模型中，若深度D1為線寬W1的42. 5%以下，則 電感值基本不變動。在第六模型中，可知到深度D1為16 μ m為止，電感值基本不變動。在 第六模型中，線寬W1為40 μπι。因此，在第六模型中，若深度D1為線寬W1的40. 0%以下，則 電感值基本不變動。在第七模型中，可知到深度D1為16 μ m為止，電感值基本不變動。在 第七模型中，線寬W1為40 μ m。因此，在第七模型中，若深度D1為線寬W1的40. 0%以下，則 電感值基本不變動。如上所述，優(yōu)選地，凹部Ga?Gd的深度D1為線圈導(dǎo)體層18a?18h 的線寬W1、W2的40%以下。
[0086] 此外，也對線圈導(dǎo)體層19a?19d的其它的尺寸進(jìn)行說明。如圖3所示，優(yōu)選地， 線圈導(dǎo)體層18a、18c、18e、18g的設(shè)置在絕緣體層16b、16d、16f、16h上的部分的厚度H1為 8 μ m?12 μ m。另夕卜，優(yōu)選地，線圈導(dǎo)體層18a、18c、18e、18g的設(shè)置在開口 Opl?0p4內(nèi)的 部分的厚度H3為7 μ m。另外，優(yōu)選地，線圈導(dǎo)體層18b、18d、18f、18h的厚度H2為8 μ m? 12 μ m〇
[0087] (凹部的深度的測量方法）
[0088] 以下，參照附圖對凹部Ga?Gd的深度D1的測量方法進(jìn)行說明。
[0089] 首先，用固化樹脂加固電子部件10。對由固化樹脂加固后的電子部件10進(jìn)行研 磨，使線圈導(dǎo)體層19a的剖面露出。而且，對露出的線圈導(dǎo)體層19a的剖面實施拋光，消除 線圈導(dǎo)體層19a的剖面的研磨傷痕。而且，利用激光顯微鏡(基恩士公司制的VK-8700)，對 線圈導(dǎo)體層19a的剖面進(jìn)行拍攝。圖21是線圈導(dǎo)體層19a的剖面結(jié)構(gòu)的照片。
[0090] 如圖21所示，線圈導(dǎo)體層19a的剖面形狀實際上呈從Η字形較大地壓潰的形狀。 因此，在測量凹部Ga?Gd的深度D1時，決定凹部Ga?Gd的底部。凹部Ga?Gd的底部如 圖21所示是位于凹部Ga?Gd中最靠線圈L的外周側(cè)的部分P1。接下來，決定凹部Ga? Gd的入口。凹部Ga?Gd的入口如圖21所示是位于線圈導(dǎo)體層19a中最靠線圈L的內(nèi)周 側(cè)的部分P2。而且，測量部分P1和部分P2的左右方向的距離，設(shè)為深度D1。通過以上的 工序，能夠測量深度D1。
[0091] (變形例）
[0092] 以下，參照附圖對變形例的電子部件10a進(jìn)行說明。圖22是線圈導(dǎo)體層19a的剖 面結(jié)構(gòu)圖。對于電子部件l〇a的外觀立體圖以及分解立體圖，引用圖1及圖2。
[0093] 電子部件10a在線圈導(dǎo)體層19a?19d的剖面形狀方面與電子部件10不同。以 下，對線圈導(dǎo)體層19a?19d的剖面形狀進(jìn)行，省略其它的結(jié)構(gòu)的說明。
[0094] 如圖22所示，線圈導(dǎo)體層18c中與線圈導(dǎo)體層18b隔著絕緣體層16c而對置的面 (即，上表面）凹陷。由此，線圈導(dǎo)體層18b與線圈導(dǎo)體層18c的距離增大。其結(jié)果，抑制了 因接近效果所引起的電子部件l〇a的插入損失的增大。此外，以線圈導(dǎo)體層18b與線圈導(dǎo) 體層18c的關(guān)系為例進(jìn)行了說明，但對于線圈導(dǎo)體層18d與線圈導(dǎo)體層18e的關(guān)系以及線 圈導(dǎo)體層18f與線圈導(dǎo)體層18g的關(guān)系，也和線圈導(dǎo)體層18b與線圈導(dǎo)體層18c的關(guān)系相 同。
[0095] 本申請發(fā)明人為了使抑制電子部件10a的插入損失的情況明確，進(jìn)行了以下說明 的計算機模擬。更加詳細(xì)而言，本申請發(fā)明人作成具有以下的條件的第八模型至第十模型， 調(diào)查了高頻信號的頻率與Q值的關(guān)系。
[0096] 第八模型至第十模型共通的條件
[0097] 線圈導(dǎo)體層的線寬(線寬W1、W2) :65μπι
[0098] 線圈導(dǎo)體層的數(shù)量：5層
[0099] 線圈L的匝數(shù)：4.5匝
[0100] 線圈L至層疊體的端面的距離：23 μ m
[0101] 第八模型
[0102] 線圈導(dǎo)體層18b與線圈導(dǎo)體層18c之間的距離L1 :5 μ m
[0103] 第九模型
[0104] 線圈導(dǎo)體層18b與線圈導(dǎo)體層18c之間的距離L1 :10 μ m
[0105] 第十模型
[0106] 線圈導(dǎo)體層18b與線圈導(dǎo)體層18c之間的距離L1 :15 μ m
[0107] 圖23是表不模擬結(jié)果的圖表?？v軸表不Q值，橫軸表不頻率。根據(jù)圖23可知，隨 著距離L1變大，Q值的峰值變大。即，可知由于線圈導(dǎo)體層18c的上表面凹陷，而線圈導(dǎo)體 層18b與線圈導(dǎo)體層18c之間的距離L1變大，電子部件10a的Q值增加。即，可知若距離 L1變大，則能抑制電子部件10a的插入損失。
[0108] 另外，根據(jù)圖23可知，在距離L1是10 μ m以上時，較大地改善了 Q值的峰值。因 而，優(yōu)選地，距離L1為10 μ m以上。
[0109] (其它的實施方式）
[0110] 本發(fā)明的電子部件并不局限于上述電子部件l〇、l〇a，能夠在其主旨的范圍內(nèi)變 更。
[0111] 此外，電子部件10、10a設(shè)置有凹部Ge?Gh，但凹部Ge?Gh不是必須的。
[0112] 另外，在電子部件10、10a中，線圈L是螺旋狀的線圈，但例如也可以是在從上側(cè)俯 視的情況下形成為旋渦狀的線圈。另外，線圈L也可以是連接有多個旋渦狀的線圈導(dǎo)體層 的螺旋狀的線圈。
[0113] 工業(yè)上的可利用性
[0114] 如上所述，本發(fā)明對電子部件有用，尤其在能夠獲得具有較大的電感值的電子部 件的方面優(yōu)異。
【權(quán)利要求】
1. 一種電子部件，其特征在于，具備： 層疊體，其通過層疊多個絕緣體層而成；和 線圈，其由與所述絕緣體層一起層疊的線狀的線圈導(dǎo)體層構(gòu)成，所述線圈呈旋渦狀或 者呈一邊卷繞一邊向?qū)盈B方向行進(jìn)的螺旋狀， 在與所述線圈導(dǎo)體層延伸的方向正交的剖面，在該線圈導(dǎo)體層的朝向所述線圈的內(nèi)周 側(cè)的面，設(shè)置有朝向該線圈的外周側(cè)凹陷的凹部。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子部件，其特征在于， 所述凹部的深度為6μπι以上。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電子部件，其特征在于， 所述凹部的深度是所述線圈導(dǎo)體層的線寬的40%以下。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1?3中任一項所述的電子部件，其特征在于， 所述多個絕緣體層包括第一絕緣體層和層疊在該第一絕緣體層上的第二絕緣體層， 所述線圈導(dǎo)體層包括第一線圈導(dǎo)體層和第二線圈導(dǎo)體層， 所述第一線圈導(dǎo)體層設(shè)置在所述第一絕緣體層上， 在所述第二絕緣體層設(shè)置有線狀的開口，該開口具有比所述第一線圈導(dǎo)體層的線寬以 及所述第二線圈導(dǎo)體層的線寬細(xì)的線寬，并且在從層疊方向俯視時，所述開口與該第一線 圈導(dǎo)體層重合， 所述第二線圈導(dǎo)體層設(shè)置在所述開口內(nèi)以及所述第二絕緣體層上。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的電子部件，其特征在于， 所述多個第一絕緣體層和所述多個第二絕緣體層交替地層疊， 所述線圈是連接分別包括所述第一線圈導(dǎo)體層和所述第二線圈導(dǎo)體層的所述多個線 圈導(dǎo)體層而成的螺旋狀的線圈， 在所述第二線圈導(dǎo)體層中隔著所述第一絕緣體層而與所述第一線圈導(dǎo)體層對置的面 是凹陷的。
【文檔編號】H01F27/32GK104103398SQ201410081799
【公開日】2014年10月15日 申請日期:2014年3月7日 優(yōu)先權(quán)日:2013年4月11日
【發(fā)明者】米田昌行, 吉田健二, 中嶋泰成 申請人:株式會社村田制作所