具有多層金屬復合電極的有機電致發(fā)光器件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種具有多層金屬復合電極的有機電致發(fā)光器件。該器件是在基片上由下至上依次設置有陽極、空穴傳輸層、有機發(fā)光層、電子傳輸層和陰極，陽極和/或陰極為多層金屬復合電極結構；多層金屬復合電極結構包括有至少兩層金屬層，且在相鄰的兩層金屬層之間夾有光學調節(jié)層。本發(fā)明中的多層金屬復合電極結構可在金屬電極之間形成光學微腔，進而可在不改變有機發(fā)光層結構的基礎上使器件實現高效率發(fā)光，相比現有技術可提高20%~50%的發(fā)光效率。制備光學調節(jié)層時通過對其厚度進行調整可實現對復合電極厚度的精確控制，進而可對發(fā)光波長進行準確控制，實現對器件發(fā)光顏色的調制，對于全彩顯示以及白光大面積照明器件具有很高的應用價值。
【專利說明】具有多層金屬復合電極的有機電致發(fā)光器件
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種有機電致發(fā)光器件，具體地說是一種具有多層金屬復合電極的有機電致發(fā)光器件。
【背景技術】
[0002]有機電致發(fā)光器件是一種近年來受到廣泛關注并且已經在移動顯示等領域得到廣泛應用的新型發(fā)光器件。目前對多色彩和白光的有機電致發(fā)光器件的發(fā)光效率的研究在不斷地進行中。研究顯示，某些單一顏色器件的發(fā)光效率相對來說仍不甚理想，例如藍光器件的發(fā)光效率仍然不及綠光及紅光器件。
[0003]仍有大量的研究采用各種方法來提高有機電致發(fā)光器件的發(fā)光效率，例如合成或選擇新的有機材料，利用光子晶體結構等。利用光子晶體結構，通過選擇合適的周期，使得特定波長的光可以通過該結構，而另外波長的光則被反射或散射到其它方向，從而提高特定波長的光從器件中的耦合輸出效率，達到提高器件發(fā)光效率的目的。該方法對特定波長的光效果明顯，但是要求在器件內部或襯底背面引入亞波長結構的光子晶體結構，這通常需要專門的加工設備，對技術和成本都有較高的要求。而對新材料的研究，也需投入大量的成本。因此，如何能夠尋找一種簡單有效的方法達到對器件性能的改進是一個很有必要解決的實際問題。

【發(fā)明內容】

[0004]本發(fā)明的目的就是提供一種具有多層金屬復合電極的有機電致發(fā)光器件，以解決現有技術中需要投入高成本來提高有機電致發(fā)光器件的發(fā)光效率的問題。
[0005]本發(fā)明的目的是這樣實現的:一種具有多層金屬復合電極的有機電致發(fā)光器件，在基片上由下至上依次設置有陽極、空穴傳輸層、有機發(fā)光層、電子傳輸層和陰極，所述陽極和/或所述陰極為多層金屬復合電極結構；所述多層金屬復合電極結構是包括有至少兩層金屬層，且在相鄰的兩層金屬層之間夾有光學調節(jié)層；所述金屬層包括有金屬電極層和金屬反射層。
[0006]多層金屬復合電極結構的所述陽極或所述陰極是由光學調節(jié)層、金屬反射層、光學調節(jié)層和金屬電極層依次疊合而成。
[0007]在所述陽極與所述空穴傳輸層之間還設置有空穴注入層，在所述電子傳輸層與所述陰極之間還設置有電子注入層。
[0008]所述陰極是由金屬電極層或合金電極層構成的單層電極。
[0009]所述陰極是由金屬氟化物層與金屬層依次疊合而形成的復合電極。
[0010]所述金屬電極層是用金屬材料鋰、鎂、鋁、鈣、鍶或銦制成；所述合金電極層是用銅與鋰、鎂、鋁、鈣、鍶或銦制作的合金材料制成，或者是用銀與鋰、鎂、鋁、鈣、鍶或銦制作的合金材料制成，或者是用金與鋰、鎂、鋁、鈣、鍶或銦制作的合金材料制成。
[0011]所述陽極是由氧化銦錫、氧化鋅、氧化錫、金、銅、銀、鋅、聚噻吩、聚乙烯苯磺酸鈉或聚苯胺構成的單層電極。
[0012]所述光學調節(jié)層是用Alq3、NPB、TiO2, SiO2或ZnS材料制成。
[0013]所述有機發(fā)光層是用小分子或聚合物有機電致發(fā)光材料制成。
[0014]所述基片為玻璃基片、硅基片或柔性基片；所述柔性基片是用聚酯類或聚酞亞胺類化合物制成。
[0015]本發(fā)明將有機電致發(fā)光器件的陽極和陰極中的一種或兩種設計成多層金屬復合電極結構，多層金屬復合電極結構包括有至少兩層金屬薄膜，在金屬薄膜層之間間隔有光學調節(jié)層。本發(fā)明中的多層金屬復合電極結構可在金屬電極之間形成光學微腔，進而可在不改變有機發(fā)光層結構的基礎上使器件實現高效率發(fā)光，相比現有技術而言，可提高20%~50%的發(fā)光效率。在制作光學調節(jié)層時通過對光學調節(jié)層的厚度進行調整，可實現對復合電極厚度的精確控制，進而可對發(fā)光波長進行準確控制，實現對器件發(fā)光顏色的調制，對于全彩顯示以及白光大面積照明器件具有很高的應用價值。
[0016]本發(fā)明多層金屬復合電極結構中的各膜層可采用真空熱蒸鍍或磁控濺射等方法來制備，即:本發(fā)明只需在原有有機電致發(fā)光器件制備的基礎上制備多層金屬薄膜及光學調節(jié)層即可，不需另外使用其他設備和特殊發(fā)光材料，因此，制作工藝簡單，成本低廉，易于推廣，尤其適用于新型彩色顯示以及白光照明有機電致發(fā)光器件的生產。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0017]圖1是本發(fā)明中陽極和陰極均為多層金屬復合電極的有機電致發(fā)光器件的一種結構示意圖。
[0018]圖2是本發(fā)明實施例1中陰極為多層金屬復合電極的有機電致發(fā)光器件的結構示意圖。
[0019]圖3是本發(fā)明實施例1中所制備的器件與陰極為單層Al電極的器件的電流效率一電流密度曲線對比圖。
[0020]圖4是本發(fā)明實施例1中所制備的器件與陰極為單層Al電極的器件的正面歸一化光譜對比圖。
[0021]圖5是本發(fā)明實施例2中陽極為多層金屬復合電極的有機電致發(fā)光器件的結構示意圖。
[0022]圖6是本發(fā)明實施例2中所制備的器件與陽極為單層Ag電極的器件的電流效率一電流密度曲線對比圖。
[0023]圖7是本發(fā)明實施例2中所制備的器件與陽極為單層Ag電極的器件的正面歸一化光譜對比圖。
【具體實施方式】
[0024]本發(fā)明所提供的有機電致發(fā)光器件包括基片，在基片上由下至上依次設置有陽極、空穴傳輸層、有機發(fā)光層、電子傳輸層和陰極。該有機電致發(fā)光器件的陽極和/或陰極可以設計成多層金屬復合電極結構，具體地，根據器件的設計要求，根據發(fā)光峰的位置，可以僅設計陽極為多層金屬復合電極結構，也可以僅設計陰極為多層金屬復合電極結構，也可以將兩者同時設計為多層金屬復合電極 結構?？昭▊鬏攲?、有機發(fā)光層和電子傳輸層也可根據發(fā)光材料能級的不同進行調整。這種將陽極和/或陰極設計成多層金屬復合電極結構的有機電致發(fā)光器件，能夠以較低成本的普通發(fā)光材料制備出可發(fā)出多種波長的彩色或白色的高發(fā)光效率的器件。
[0025]本發(fā)明中的多層金屬復合電極結構包括有至少兩層金屬層，且在相鄰的兩層金屬層之間夾有光學調節(jié)層，兩層金屬層中包括有金屬電極層和金屬反射層。對于具有兩層金屬層的復合電極結構而言，其一般形式為“金屬層/光學調節(jié)層/金屬層”。除了這種形式的結構外，還可以在金屬層外側再設置一層光學調節(jié)層，這是由于光學調節(jié)層本身即是可根據發(fā)光峰的要求進行調整，因此根據需要可以將具有兩層金屬層的復合電極結構設計成“光學調節(jié)層/金屬層/光學調節(jié)層/金屬層”的結構形式。對于具有多層金屬層的復合電極結構而言，以具有三層金屬層的復合電極結構為例進行說明，可以在任意相鄰金屬層之間設置一光學調節(jié)層，從而形成“金屬層/光學調節(jié)層/金屬層/光學調節(jié)層/金屬層”的結構形式，也可以只在一個相鄰的金屬層之間設置光學調節(jié)層，即可以形成如“金屬層/金屬層/光學調節(jié)層/金屬層”這樣的結構形式。當然，也可以在最外側的金屬層外再設置一光學調節(jié)層。本發(fā)明設置多層金屬復合電極結構的目的是為了在金屬電極之間形成光學微腔，從而可在不改變有機發(fā)光層結構的基礎上使器件實現高效率發(fā)光。通過在相鄰金屬層之間設置光學調節(jié)層，可對不同波長的可見光進行選擇性增強，進而得到任意發(fā)光峰增強的高效率有機電致發(fā)光器件。
[0026]圖1是一種將陽極和陰極均設計成多層金屬復合電極的有機電致發(fā)光器件的結構示意圖。圖中，多層金屬復合電極的結構形式為“光學調節(jié)層/金屬層/光學調節(jié)層/金屬層”。圖1中的有機電致發(fā)光器件由下至上依次是基片1、第一光學調節(jié)層2、第一金屬反射層3、第二光學調節(jié)層4、陽極金屬電極層5、空穴傳輸層6、有機發(fā)光層7、電子傳輸層8、陰極金屬電極層9、第三光學調節(jié)層10、第二金屬反射層11和第四光學調節(jié)層12。
[0027]本發(fā)明還可以在陽極與空穴傳輸層之間增設空穴注入層，在電子傳輸層與陰極之間增設電子注入層。這在下面實施例1和實施例2中均有體現。
[0028]結合圖1，對本發(fā)明所提供的器件的制備過程進行詳細描述，具體制備過程如下:
(I)基片清洗。
[0029]采用去離子水、丙酮及乙醇溶液先后對基片I (或稱基底)進行超聲清洗，之后將基片I放置在紅外燈下烘干?；琁可以為玻璃基片、硅基片或柔性基片，柔性基片可以由聚酯類或聚酞亞胺類化合物而形成。
[0030](2)陽極的制備。
[0031]若陽極為常規(guī)的單層陽極結構，則其材料可以為無機材料或有機導電聚合物，該無機材料為氧化銦錫、氧化鋅和氧化錫中的一種或為金、銅、銀和鋅中的一種金屬，有機導電聚合物為聚噻吩、聚乙烯苯磺酸鈉或聚苯胺，制備時可采用真空蒸鍍或磁控濺射等方法。
[0032]若陽極為多層金屬復合電極結構，例如為圖1所示的結構，則制備時依序在基片I上形成第一光學調節(jié)層2、第一金屬反射層3、第二光學調節(jié)層4和陽極金屬電極層5，光學調節(jié)層的材料可以是有機電致發(fā)光器件常用有機半導體材料如8-羥基喹啉鋁(Alq3)或NPB,也可以是透過率較高的無機材料，如二氧化鈦、二氧化硅或硫化鋅等。金屬層材料可以為鋰、鎂、鋁、鈣、鍶、銦、金、銀、銅或鋅等。各膜層的制備方法可以采用真空蒸鍍、磁控濺射或溶液旋涂等方法。[0033]以真空蒸鍍法為例，將潔凈的基片I放入真空腔室內，在I X 10-3 Pa的氣壓下加熱制備第一光學調節(jié)層2所需的材料，使其沉積在基片I上，蒸鍍速率為0.2~3 nm/s，膜厚為0.1~3 Mm。再根據所需發(fā)光峰的位置，制作第一金屬反射層3，保持在IX 10_3 Pa的氣壓以下，蒸鍍薄層金屬，蒸鍍速率為0.2~3 11!11/8，膜厚為0.01、.1 Mm。之后在同樣的真空條件下蒸鍍第二光學調節(jié)層4,蒸鍍速率為0.2~3 nm/s,膜厚為0.01、.5 Mm。最后制作陽極金屬電極層5，例如可以制作陽極銀電極，厚度為0.015、.05 Mm。
[0034](3)各有機功能層的制備。
[0035]制備方法可以為真空蒸鍍或磁控濺射法。仍以真空蒸鍍法為例，把做好陽極的基片繼續(xù)放入到真空腔內，依次蒸鍍空穴傳輸材料形成空穴傳輸層6，蒸鍍速率為0.01~0.5nm/s,膜厚為10~40 nm ;在空穴傳輸層6上蒸鍍有機電致發(fā)光材料形成有機發(fā)光層7,蒸鍍速率為0.01~0.5 nm/s，膜厚為30~40 nm，有機電致發(fā)光材料可以為小分子或聚合物有機電致發(fā)光材料等；在有機發(fā)光層7上蒸鍍電子傳輸層材料形成電子傳輸層8,蒸鍍速率為 0.01 ~0.5 nm/s,膜厚為 10 ~40 nm。
[0036](4)陰極的制備。
[0037]若陰極為常規(guī)的陰極結構，則其可以為金屬電極層或合金電極層構成的單層電極，也可以是由金屬氟化物層與金屬層依次疊合而形成的復合電極。金屬電極層可用金屬材料鋰、鎂、鋁、鈣、鍶或銦等制成；合金電極層可用銅與鋰、鎂、鋁、鈣、鍶或銦等制作的合金材料制成，或者用銀與鋰、鎂、鋁、鈣、鍶或銦等制作的合金材料制成，或者用金與鋰、鎂、鋁、鈣、鍶或銦等制作的合金材料制成。陰極在制備時可采用真空蒸鍍或磁控濺射等方法。
[0038]若陰極為多層金屬復合電極結構，例如為圖1所示結構，則可根據所需發(fā)光峰的位置，在前述樣品上依序制作陰極金屬電極層9、第三光學調節(jié)層10、第二金屬反射層11和第四光學調節(jié)層12。光學調節(jié)層的材料可以為常用的有機發(fā)光材料如Alq3、NPB等，也可以為Ti02、SiO2或ZnS等材料；金屬層材料可以為鋰、鎂、鋁、鈣、鍶、銦、金、銀、銅或鋅等。各膜層在制備時可采用真空蒸鍍、磁控濺射或溶液旋涂等方法。
[0039]以真空蒸鍍法為例，將基片放入真空腔室內，在1X10_3 Pa的氣壓下制備陰極金屬電極層9，以銀電極為例，厚度為0.015、.05 Mm，為保證電子注入，可以先制作Al電極5nm。之后加熱第三光學調節(jié)層材料，使其沉積在基片上，蒸鍍速率為0.2~3 nm/s，膜厚為
0.1~3 Mm。再制作第二金屬反射層11，保持在1X10_3 Pa的氣壓以下，蒸鍍薄層金屬，蒸鍍速率為0.2~3 11!11/8，膜厚為0.01、.1 Mm。最后在同樣的真空條件下蒸鍍第四光學調節(jié)層12，蒸鍍速率為0.2~3 11111/8，膜厚為0.01、.5 Mm。本例子中由于增加了 Al電極，因此，最終形成的多層金屬復合電極的結構形式為“金屬層/金屬層/光學調節(jié)層/金屬層/光學調節(jié)層”，即包含了三層金屬層。
[0040]本發(fā)明中有機電致發(fā)光器件可以為頂發(fā)射器件，也可以為底發(fā)射器件。下面以兩個實施例分別具體介紹本發(fā)明的結構。
[0041]實施例1:
參考圖2，本實施例中的有機電致發(fā)光器件為底發(fā)射有機電致發(fā)光器件，其具體結構由下至上依次是:玻璃基片13、IT0(100nm)14、Ag (20 nm)/MoO3 (I nm) 15(表示先制備20nm的 Ag,再制備 Inm 的 Mo03)、NPB (60 nm) 16、Alq3 (60 nm) 17、LiF (I nm) /Al (3 nm) /Ag(18 nm) 18,Alq3 (110 nm) 19,Al (150 nm) 20。本實施例中的陰極為包含 LiF (I nm)/Al (3 nm) /Ag (18 nm) 18、Alq3 (110 nm) 19 和 Al (150 nm) 20 的多層金屬復合電極結構。
[0042]本實施例中器件的具體制備方法如下:
(O陽極的制備:采用去離子水、丙酮以及乙醇溶液先后對透明導電玻璃基片13進行超聲清洗，之后將玻璃基片13放置在紅外燈下烘干。在玻璃基片13上制作氧化銦錫(Indium Tin Oxide, ITO)薄膜14，作為器件的陽極調節(jié)層(該光學調節(jié)層是為了對陽極起光調作用，其與緊挨的Ag薄膜層并不構成多層金屬復合陽極結構)，厚度為100 nm，方塊電阻為20 Ω。再在上面利用真空熱蒸鍍的方法，在IX 10-3 Pa的氣壓下制作20 nm的Ag薄膜，同時作為陽極電極以及半透明的金屬反射層，蒸鍍速率為3 nm/s，之后繼續(xù)蒸鍍I nm的MoO3以提高空穴注入效率。
[0043](2)各有機功能層的制備:將制作好陽極的玻璃基片13放入到真空腔內，依次蒸鍍空穴傳輸材料NPB形成空穴傳輸層16，蒸鍍速率為0.1 nm/s，膜厚為60 nm ;在空穴傳輸層16上蒸鍍有機電致發(fā)光材料及電子傳輸材料Alq3 (此處的Alq3既作為有機電致發(fā)光材料，還作為電子傳輸材料，從而使得有機發(fā)光層和電子傳輸層一起形成)形成有機發(fā)光層和電子傳輸層17，蒸鍍速率為0.1 nm/s,膜厚為60 nm。
[0044](3)多層金屬復合陰極的制備:保持上述真空腔內壓力不變，在上述電子傳輸層17之上依次蒸鍍LiF作為電子注入層，蒸鍍Al作為陰極，Al的厚度為3 nm，為確保電子注入平衡，再蒸鍍Ag薄膜18 nm，作為陰極以及半透明的金屬反射層，繼續(xù)蒸鍍110 nm的Alq3光學調節(jié)層19，最后再蒸鍍150 nm的Al薄膜作為金屬反射層20。本實施例中多層金屬復合陰極的結構形式為“金屬層/金屬層/光學調節(jié)層/金屬層”。
[0045]對依照本實施例的制備方法所形成的有機電致發(fā)光器件與陰極為單層Al金屬電極的有機電致發(fā)光器件進行性能對比測試，所得結果見圖3和圖4。
[0046]圖3為所制備器件的電流效率-電流密度曲線圖，其中，“ 口”代表的曲線對應本實施例中陰極為多層金屬復合電極的有機電致發(fā)光器件，“ □”代表的曲線對應陰極采用單層150 nm厚的Al作為電極的有機電致發(fā)光器件，兩個器件的陽極及各有機功能層部分結構完全相同。由圖中可以看出，使用本發(fā)明所制作的器件與陽極和各有機功能層結構完全相同的單層Al陰極器件相比，電流效率提高了 50%。
[0047]圖4為20 mA時兩個器件正面的歸一化光譜圖，其中，“ 口”代表的曲線對應本實施例中陰極為多層金屬復合電極的有機電致發(fā)光器件，“ □”代表的曲線對應陰極采用單層150 nm厚的Al作為電極的有機電致發(fā)光器件，由圖中可以看出，應用本發(fā)明結構后，器件的發(fā)光峰確實有明顯的改變，由原來的520 nm改變?yōu)?80 nm處最大尖峰，并且還伴隨有480 nm處的尖峰。由此可見本發(fā)明結構對于雙發(fā)光峰的白光器件可以有較明顯的效率提聞。
[0048]實施例2
參考圖5，本實施例中的有機電致發(fā)光器件為頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件，其具體結構由下至上依次是:硅片 21、Al (150 nm) 22、Alq3 (90 nm) 23、Ag (20 nm) /MoO3 (I nm) 24、m-MTDATA (40 nm) 25,NPB (40 nm) 26,Alq3 (60 nm) 27、 LiF (I nm)/Al (3 nm)/Ag (18nm) 28 和 Alq3 (40 nm) 29。本實施例中的陽極為包含 Al (150 nm) 22、Alq3 (90 nm) 23和Ag (20 nm)/MoO3 (1nm) 24的多層金屬復合電極結構。[0049]本實施例中器件的具體制備方法如下:
(O多層金屬復合陽極的制備:利用去離子水、丙酮以及乙醇溶液先后對硅片21進行超聲清洗，之后將硅片21放置在紅外燈下烘干。在硅片21表面利用真空熱蒸鍍的方法，在I X IO^3Pa的氣壓下制作150 nm的Al薄膜22,作為陽極的金屬反射層,蒸鍍速率為3 nm/s，之后蒸鍍90 nm的Alq3作為陽極光學調節(jié)層23，之后蒸鍍20 nm的Ag作為陽極電極以及半透明的金屬反射層，最后蒸鍍I nm的MoO3以提高空穴注入效率(MoO3為優(yōu)選的鍍層，當然其他實施例中也可以沒有)。本實施例中多層金屬復合陽極的結構形式為“金屬層/光學調節(jié)層/金屬層”。
[0050](2)各有機功能層的制備:將m-MTDATA以5 wt%的比例溶于氯苯溶劑中，以2000rmp的轉速旋涂于制作好陽極的硅片上，再放入真空烘箱中以80° C的溫度烘烤半小時得到空穴注入層25，之后將硅片放入到真空腔內，依次蒸鍍空穴傳輸材料NPB形成空穴傳輸層26，蒸鍍速率為0.1 nm/s，膜厚為40 nm ;在空穴傳輸層26上蒸鍍有機電致發(fā)光材料及電子傳輸材料Alq3形成有機發(fā)光層和電子傳輸層27,蒸鍍速率為0.1 nm/s,膜厚為60 nm。
[0051](3)陰極的制備:保持上述真空腔內壓力不變，在上述電子傳輸層27之上依次蒸鍍LiF作為電子注入層，蒸鍍Al作為陰極，Al的厚度為3 nm，為確保電子注入平衡，再蒸鍍Ag薄膜18 nm,作為陰極以及半透明的金屬反射層28,之后繼續(xù)蒸鍍40 nm的Alq3作為光學調節(jié)層29 (該光學調節(jié)層是為了對陰極起光調作用，其與緊挨的Ag薄膜層并不構成多層金屬復合陰極結構)。
[0052]對依照本實施例的制備方法所形成的有機電致發(fā)光器件與陽極為單層Ag金屬電極的有機電致發(fā)光器件進行性能對比測試，所得結果見圖6和圖7。
[0053]圖6為所制備器件的電流效率-電流密度曲線圖，其中，“ □”代表的曲線對應本實施例中陽極為多層金屬復合電極的有機電致發(fā)光器件，“ □”代表的曲線對應陽極采用單層150 nm厚的Ag作為電極的有機電致發(fā)光器件，兩個器件的陰極及各有機功能層部分結構完全相同。由圖中可以看出，使用本發(fā)明所制作的器件與陰極和各有機功能層結構完全相同的單層Ag陽極器件相比，電流效率有約40%的提升。
[0054]圖7為20 mA時兩個器件正面的歸一化光譜圖，其中，“ □”代表的曲線對應本實施例中陽極為多層金屬復合電極的有機電致發(fā)光器件，“ □”代表的曲線對應陽極采用單層150 nm厚的Ag作為電極的有機電致發(fā)光器件，兩個器件的陰極及各有機功能層部分結構完全相同。由圖中可以看出，本發(fā)明的結構相對于傳統(tǒng)單層陽極電極器件而言，在發(fā)光層材料和結構不變的前提下，可以明顯的改變發(fā)光峰的位置，達到全彩色顯示的目的。
【權利要求】
1.一種具有多層金屬復合電極的有機電致發(fā)光器件，在基片上由下至上依次設置有陽極、空穴傳輸層、有機發(fā)光層、電子傳輸層和陰極，其特征是，所述陽極和/或所述陰極為多層金屬復合電極結構；所述多層金屬復合電極結構是包括有至少兩層金屬層，且在相鄰的兩層金屬層之間夾有光學調節(jié)層；所述金屬層包括有金屬電極層和金屬反射層。
2.根據權利要求1所述的具有多層金屬復合電極的有機電致發(fā)光器件，其特征是，多層金屬復合電極結構的所述陽極或所述陰極是由光學調節(jié)層、金屬反射層、光學調節(jié)層和金屬電極層依次疊合而成。
3.根據權利要求1所述的具有多層金屬復合電極的有機電致發(fā)光器件，其特征是，在所述陽極與所述空穴傳輸層之間還設置有空穴注入層，在所述電子傳輸層與所述陰極之間還設置有電子注入層。
4.根據權利要求1所述的具有多層金屬復合電極的有機電致發(fā)光器件，其特征是，所述陰極是由金屬電極層或合金電極層構成的單層電極。
5.根據權利要求1所述的具有多層金屬復合電極的有機電致發(fā)光器件，其特征是，所述陰極是由金屬氟化物層與金屬層依次疊合而形成的復合電極。
6.根據權利要求4所述的具有多層金屬復合電極的有機電致發(fā)光器件，其特征是，所述金屬電極層是用金屬材料鋰、鎂、鋁、鈣、鍶或銦制成；所述合金電極層是用銅與鋰、鎂、鋁、鈣、鍶或銦制作的合金材料制成，或者是用銀與鋰、鎂、鋁、鈣、鍶或銦制作的合金材料制成，或者是用金與鋰、鎂、鋁、鈣、鍶或銦制作的合金材料制成。
7.根據權利要求1所述的具有多層金屬復合電極的有機電致發(fā)光器件，其特征是，所述陽極是由氧化銦錫、氧化鋅、氧化錫、金、銅、銀、鋅、聚噻吩、聚乙烯苯磺酸鈉或聚苯胺構成的單層電極。
8.根據權利要求1飛任一項所述的具有多層金屬復合電極的有機電致發(fā)光器件，其特征是，所述光學調節(jié)層是用Alq3、NPB, TiO2, SiO2或ZnS材料制成。
9.根據權利要求1飛任一項所述的具有多層金屬復合電極的有機電致發(fā)光器件，其特征是，所述有機發(fā)光層是用小分子或聚合物有機電致發(fā)光材料制成。
10.根據權利要求1?6任一項所述的具有多層金屬復合電極的有機電致發(fā)光器件,其特征是，所述基片為玻璃基片、硅基片或柔性基片；所述柔性基片是用聚酯類或聚酞亞胺類化合物制成。
【文檔編號】H01L51/54GK103824969SQ201410085174
【公開日】2014年5月28日 申請日期:2014年3月10日 優(yōu)先權日:2014年3月10日
【發(fā)明者】李戰(zhàn)鋒, 馬寧, 王志慧, 喬宗華, 司長峰 申請人:太原理工大學