一種陣列基板及其制備方法、有機電致發(fā)光顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種陣列基板及其制備方法、有機電致發(fā)光顯示裝置，屬于顯示【技術(shù)領域】，其可解決現(xiàn)有的陣列基板、有機電致發(fā)光顯示裝置存在出光效率低的問題。本發(fā)明的陣列基板、有機電致發(fā)光顯示裝置包括襯底和在襯底上設置的發(fā)光層，以及位于發(fā)光層兩側(cè)為發(fā)光層提供電壓的電極層，所述襯底至少具有一個粗糙表面。本發(fā)明的陣列基板、有機電致發(fā)光顯示裝置能夠使光在襯底的粗糙表面上發(fā)生散射或衍射，增強出光效率。
【專利說明】一種陣列基板及其制備方法、有機電致發(fā)光顯示裝置
【技術(shù)領域】
[0001]本發(fā)明屬于顯示【技術(shù)領域】，具體涉及一種陣列基板及其制備方法和包括該陣列基板有機電致發(fā)光顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]在有機發(fā)光二極管(OrganicElectroluminesence Display, 0LED)顯不技術(shù)中內(nèi)量子效率可以達到100%，而外量子效率只有20%，其原因是OLED顯示器件結(jié)構(gòu)中的表面等離子模態(tài)、波導模態(tài)和襯底模態(tài)共同作用，使光在器件結(jié)構(gòu)中難以發(fā)射出。
[0003]如圖1所不,傳統(tǒng)的OLED器件結(jié)構(gòu)中，包括襯底I和在襯底I上設置的發(fā)光層4,以及位于發(fā)光層4兩側(cè)為發(fā)光層4提供電壓的電極層，該電極層包括出光側(cè)(圖1中的箭頭方向)的第一電極層2,以及位于另一側(cè)的第二電極5。
[0004]發(fā)光層4的折射率為1.7-2.0、電極層(材料為Indium Tin Oxide, ITO)的折射率是1.8-1.9、襯底(玻璃)的折射率約為1.5。襯底模態(tài)對出光效率有較大的影響，因為光從高折射率的物質(zhì)進入低折射的物質(zhì)時，在兩者的界面上會發(fā)生全反射現(xiàn)象；現(xiàn)有技術(shù)中電極層的折射率一般大于襯底(玻璃)的折射率，而襯底(玻璃)的折射率大于空氣的折射率，會造成在電極層/襯底、襯底/空氣界面處容易發(fā)生全反射，限制光從器件中傳輸與發(fā)射效率。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005]本發(fā)明的目的是解決現(xiàn)有技術(shù)的陣列基板、有機電致發(fā)光顯示裝置中存在由于電極層和襯底界面易發(fā)生全反射造成的出光效率低的問題，提供一種能提高出光效率的陣列基板、有機電致發(fā)光顯示裝置。
[0006]解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種陣列基板，包括襯底和在襯底上設置的發(fā)光層，以及位于發(fā)光層兩側(cè)為發(fā)光層提供電壓的電極層，其特征在于，所述襯底至少具有一個粗糙表面。
[0007]由于本發(fā)明的陣列基板的襯底具有粗糙表面，能夠使光在襯底的粗糙表面上發(fā)生散射或衍射，增強出光效率。
[0008]優(yōu)選的是，所述襯底靠近發(fā)光層的一側(cè)為內(nèi)側(cè)表面，所述內(nèi)側(cè)表面為粗糙表面，所述內(nèi)側(cè)表面與所述發(fā)光層之間的電極層為第一電極層，所述發(fā)光層的另一側(cè)的電極層為第
二電極層。
[0009]由于平坦化層的折射率大于或等于電極層的折射率，使得電極層/平坦化層之間不發(fā)生全反射，提高了出光效率。
[0010]優(yōu)選的是，所述第一電極層與襯底之間設有平坦化層，所述平坦化層與所述襯底的內(nèi)側(cè)表面接觸；所述平坦化層的折射率大于或等于所述第一電極層的折射率。這樣進一步降低襯底與空氣接觸界面的全反射，提高出光效率。
[0011]優(yōu)選的是，所述平坦化層的折射率為2.0-3.0，所述第一電極層的折射率為1.8-1.9。
[0012]優(yōu)選的是，所述襯底的另一側(cè)表面為外側(cè)表面，所述外側(cè)表面為粗糙表面。
[0013]優(yōu)選的是，所述粗糖表面的粗糖度的Ra為5_500nm,其中，Ra為輪廊算術(shù)平均偏差。
[0014]優(yōu)選的是，所述襯底為由二氧化硅、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酰亞胺中的任意一種材料制作而成的基板。
[0015]優(yōu)選的是，所述平坦化層的材料為Zr02、TiO2, Ta2O5, Nb2O5中的任意一種。
[0016]優(yōu)選的是，所述平坦化層的材料為氟化聚酰亞胺。
[0017]本發(fā)明的另一個目的是提供一種有機電致發(fā)光顯示裝置，所述有機電致發(fā)光顯示裝置包括上述的陣列基板。
[0018]本發(fā)明的另一個目的是提供一種上述陣列基板的制備方法，包括以下步驟:
[0019]I)制備至少具有一個粗糖表面的襯底；
[0020]2)在所述襯底的一側(cè)粗糙表面上形成平坦化層；
[0021]3)在所述平坦化層上形成第一電極層。
[0022]優(yōu)選的是，所述平坦化層的折射率大于或等于所述第一電極層的折射率。
[0023]本發(fā)明的陣列基板及其制備方法、有機電致發(fā)光陣列基板、有機電致發(fā)光顯示裝置的襯底具有粗糙表面，能夠使光在襯底的粗糙表面上發(fā)生散射或衍射，增強出光效率。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0024]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0025]圖2為本發(fā)明實施例1中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0026]圖3為本發(fā)明實施例1中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0027]其中:
[0028]1.襯底；11.內(nèi)側(cè)表面；12.外側(cè)表面；2.平坦化層；3.第一電極層；4.發(fā)光層；
5.第二電極層。
【具體實施方式】
[0029]為使本領域技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和【具體實施方式】對本發(fā)明作進一步詳細描述。
[0030]實施例1
[0031]如圖2所示，本實施例提供一種陣列基板，包括襯底I和在襯底I上依次設置的平坦化層2、發(fā)光層4，以及位于發(fā)光層4兩側(cè)為發(fā)光層4提供電壓的電極層，襯底I靠近發(fā)光層4的一側(cè)為內(nèi)側(cè)表面11,內(nèi)側(cè)表面11為粗糙表面，內(nèi)側(cè)表面11與所述發(fā)光層4之間的電極層為第一電極層3,發(fā)光層4的另一側(cè)為第二電極層5,上述的第一電極層和第二電極層可以分別為陰極電極層和陽極電極層。
[0032]由于本發(fā)明的陣列基板的襯底I的內(nèi)側(cè)表面11為粗糙表面，能夠使光(圖2中用箭頭表示)在襯底I的粗糙表面上發(fā)生散射或衍射，增強出光效率。
[0033]應當理解的是，具有粗糙表面的襯底I可以采用市售的玻璃基板，也可以采用現(xiàn)有技術(shù)的加工方法對玻璃進行粗糙處理。粗糙表面的粗糙度的Ra為5-500nm，其中，Ra為輪廓算術(shù)平均偏差。
[0034]圖1中襯底I的內(nèi)側(cè)表面11為粗糙表面，不能與第一電極層3直接接觸，因此，需要在第一電極層3與襯底I之間設置平坦化層2，防止襯底I的粗糙表面與第一電極層3的表面直接接觸。為了避免平坦化層2與第一電極層3的界面發(fā)生全反射，平坦化層2的折射率大于或等于第一電極層3的折射率，使得第一電極層3與平坦化層2的界面不發(fā)生全反射，不會造成光損失，提高了出光效率。
[0035]通常第一電極層3是采用氧化銦錫(ITO)材料制備，應當理解的是，其它現(xiàn)有技術(shù)中的材料也可以的，氧化銦錫的折射率為1.8-1.9。
[0036]應當理解是，平坦化層的材料的折射率是根據(jù)第一電極層3材料的折射率選取的，只要平坦化層2的折射率大于或等于第一電極層3的折射率就是適用的，優(yōu)選的，平坦化層2的折射率為2.0-3.0。
[0037]優(yōu)選的，平坦化層2的材料為ZrO2、TiO2、Ta2O5、Nb2O5中的任意一種，本實施例中采用折射率為2.55-2.70的TiO2制作平坦化層2。
[0038]優(yōu)選的，平坦化層2的材料也可以為氟化聚酰亞胺，氟化聚酰亞胺折射率為2.0。
[0039]應當理解的是，其它現(xiàn)有技術(shù)中的其它材料也是可以的，例如，含硫聚合物、高折射率無機納米復合聚合物材料只要折射率大于或等于第一電極層3的折射率即可。
[0040]應當理解的是，平坦化層2的材料為無機材料是可以采用現(xiàn)有技術(shù)的中相應的方法進行沉淀，例如，等離子氣相沉積等。平坦化層2的材料為有機材料是可以采用現(xiàn)有技術(shù)的中相應的方法進行涂覆，例如，旋涂等。陣列基板的其它功能層的制備為現(xiàn)有技術(shù)范疇在此不再一一贅述。
[0041]應當理解的是，如圖3所示，當襯底I也可以具有兩個粗糙表面，例如，襯底I的另一側(cè)表面為外側(cè)表面12，所述外側(cè)表面為粗糙表面。這樣進一步降低襯底I與空氣接觸界面的全反射，提高出光效率。
[0042]實施例2
[0043]本實施例提供一種上述陣列基板的制備方法，包括以下步驟:
[0044]I)制備至少具有一個粗糖表面的襯底；
[0045]本實施中的襯底I為玻璃基板，也可以采用現(xiàn)有技術(shù)的加工方法對玻璃進行粗糙處理，例如，砂輪打磨或氟化氫溶液腐蝕等，將粗糙表面的粗糙度的Ra控制在5-500nm范圍內(nèi)，其中，Ra為輪廓算術(shù)平均偏差。本實施例的玻璃基板采用砂輪打磨的方法打造具有粗糙表面的玻璃基板，其中，玻璃基板的粗糙度的Ra為300nm。
[0046]應當理解的是，具有粗糙表面的玻璃基板可以采用市售的具有粗糙表面的玻璃基板；對于其它材料制備的基板可以在制備過程采用已知方法使其表面具有特定的粗糙度，在此不再一一贅述。
[0047]2)在所述襯底的一側(cè)粗糙表面形成平坦化層；
[0048]平坦化層2的材料的折射率是根據(jù)第一電極層3材料的折射率選取的，本實施例中第一電極層3材料為氧化銦錫，其折射率為1.8-1.9，故平坦化層2的折射率可以為
2.0-3.0，平坦化層2的材料可以采用ZrO2、TiO2、Ta2O5, Nb2O5中的任意一種。
[0049]本實施例中采用折射率為2.55-2.70的TiO2制作平坦化層。采用已知的氣相沉積的方法制備平坦化層2。[0050]當然，平坦化層2的材料也可以為氟化聚酰亞胺，氟化聚酰亞胺折射率為2.0。
[0051]應當理解的是，其它現(xiàn)有技術(shù)中的其它材料也是可以的，例如，含硫聚合物、高折射率無機納米復合聚合物材料只要折射率大于或等于第一電極層的折射率即可。
[0052]3)在所述平坦化層上形成第一電極層。
[0053]本實施例采用采用氧化銦錫(ITO)材料制備第一電極層3，氧化銦錫的折射率為
1.8-1.9。采用已知的濺射工藝制備氧化銦錫電極層。
[0054]應當理解的是，其它現(xiàn)有技術(shù)中的材料也可以的，只要其折射率小于平坦化層的折射率，在此不作限定。
[0055]陣列基板的其它功能層采用已知技術(shù)進行制備，在此不再一一贅述。
[0056]實施例3
[0057]本實施例提供一種有機電致發(fā)光顯示裝置，所述有機電致發(fā)光顯示裝置包括上述的有機電致發(fā)光陣列基板。
[0058]可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本發(fā)明的保護范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板,包括襯底和在襯底上設置的發(fā)光層，以及位于發(fā)光層兩側(cè)為發(fā)光層提供電壓的電極層，其特征在于，所述襯底至少具有一個粗糙表面。
2.如權(quán)利要求1所述陣列基板，其特征在于，所述襯底靠近發(fā)光層的一側(cè)為內(nèi)側(cè)表面，所述內(nèi)側(cè)表面為粗糙表面，所述內(nèi)側(cè)表面與所述發(fā)光層之間的電極層為第一電極層，所述發(fā)光層的另一側(cè)的電極層為第二電極層。
3.如權(quán)利要求2所述陣列基板，其特征在于，所述第一電極層與襯底之間設有平坦化層，所述平坦化層與所述襯底的內(nèi)側(cè)表面接觸；所述平坦化層的折射率大于或等于所述第一電極層的折射率。
4.如權(quán)利要求3所述陣列基板，其特征在于，所述平坦化層的折射率為2.0-3.0，所述第一電極層的折射率為1.8-1.9。
5.如權(quán)利要求1-4任一所述陣列基板,其特征在于,所述襯底的另一側(cè)表面為外側(cè)表面，所述外側(cè)表面為粗糙表面。
6.如權(quán)利要求5所述陣列基板，其特征在于，所述粗糙表面的粗糙度的Ra為5-500nm，其中，Ra為輪廓算術(shù)平均偏差。
7.如權(quán)利要求1所述陣列基板，其特征在于，所述襯底為由二氧化硅、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酰亞胺中的任意一種材料制作而成的基板。
8.如權(quán)利要求1所述陣列基板，其特征在于，所述平坦化層的材料為Zr02、Ti02、Ta205、Nb2O5中的任意一種。
9.如權(quán)利要求1所述陣列基板，其特征在于，所述平坦化層的材料為氟化聚酰亞胺。
10.一種有機電致發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述有機電致發(fā)光顯示裝置包括如權(quán)利要求1-9任一所述的陣列基板。
11.一種權(quán)利要求1-9所述陣列基板的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: O制備至少具有一個粗糙表面的襯底； 2)在所述襯底的一側(cè)粗糙表面上形成平坦化層； 3)在所述平坦化層上形成第一電極層。
12.如權(quán)利要求11所述陣列基板的制備方法，其特征在于，所述平坦化層的折射率大于或等于所述第一電極層的折射率。
【文檔編號】H01L21/77GK103887237SQ201410099160
【公開日】2014年6月25日 申請日期:2014年3月17日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月17日
【發(fā)明者】侯文軍, 劉則 申請人:京東方科技集團股份有限公司