基板處理裝置及基板處理方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及基板處理裝置及基板處理方法，在基板處理裝置中設(shè)置有：上部噴嘴，向基板的上表面供給高于基板的溫度的藥液；以及加熱液供給噴嘴，在中心軸和基板的外周緣之間向基板的下表面供給高于基板的溫度的加熱液。由此，能夠抑制或防止基板的溫度及供給到基板的上表面的藥液的溫度沿著基板的中央部向外周部延伸的方向下降的現(xiàn)象。另外，能夠與上表面的蝕刻處理并行地，進(jìn)行利用加熱液的對基板下表面的蝕刻處理。加熱液供給噴嘴在供給噴嘴中位于加熱氣供給噴嘴的內(nèi)側(cè)，該加熱氣供給噴嘴用于在干燥基板時噴出加熱氣體。由此，能夠?qū)崿F(xiàn)用于對基板下表面進(jìn)行加熱的結(jié)構(gòu)的簡化及小型化。
【專利說明】基板處理裝置及基板處理方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及處理基板的技術(shù)。

【背景技術(shù)】
[0002]以往，在半導(dǎo)體基板(下面，簡稱為“基板”)的制造工藝中，利用基板處理裝置對基板實施各種處理。例如，在日本特開2004-158588號公報(文獻(xiàn)I)中，公開了一種利用去除劑來除去附著在基板上的有機(jī)物的基板處理裝置。在該基板處理裝置中，利用真空吸盤(Vacuum chuck)來吸附基板的背面，由此保持基板。此外，在向基板表面供給去除劑之前，從背面?zhèn)纫后w噴嘴向基板背面供給已調(diào)溫的純水，由此使基板的溫度接近去除劑的溫度?；蛘?，通過從背面?zhèn)葰怏w噴嘴向基板的背面供給已調(diào)溫的氮氣，來使基板的溫度接近去除劑的溫度。由此，提高流經(jīng)基板表面的去除劑的溫度均勻性，從而能夠提高有機(jī)物去除處理在面上的均勻性。
[0003]另一方面，在日本特開平10-57877號公報(文獻(xiàn)2)的基板處理裝置中，設(shè)有與基板背面的中心部分相向的雙層管(double tube)。雙層管具有供給氮氣的內(nèi)管和供給純水的外管。在該基板處理裝置中，在向基板表面供給顯影液時，通過向背面供給純水來形成液膜，由此防止顯影液附著在背面上。另外，在使基板高速旋轉(zhuǎn)來干燥基板時，通過向背面的中心部分供給氮氣，來使中心部分的液體移動至離心力作用的位置。
[0004]但是，在文獻(xiàn)I的基板處理裝置中，不能向基板的下表面中的被真空吸盤吸附的部位供給純水及氮氣。因此，提高基板溫度的面上的均勻性有局限性。另外，在通過向基板的下表面供給藥液來進(jìn)行處理的情況下，若向下表面供給已調(diào)溫的氮氣，則存在向下表面供給的藥液因氮氣而飛散的可能性。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明針對用于處理基板的基板處理裝置，其目的在于，一邊抑制基板外周部的溫度下降，一邊對基板的下表面進(jìn)行液體處理。另外，其目的還在于，在干燥基板時加熱基板。
[0006]本發(fā)明的一個方案的基板處理裝置，具備:基板支撐部，支撐水平狀態(tài)的基板的外緣部，基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，使所述基板支撐部與所述基板一同以上下方向的中心軸為中心旋轉(zhuǎn)，處理液供給噴嘴，向所述基板的上表面供給高于所述基板的溫度的處理液，以及至少一個供給噴嘴，在所述中心軸和所述基板的外周緣之間朝向所述基板的下表面；所述至少一個供給噴嘴的各供給噴嘴具備:加熱液供給噴嘴，向所述基板的所述下表面供給高于所述基板的溫度的加熱液，以及加熱氣供給噴嘴，向所述基板的所述下表面噴出高于所述基板的溫度的加熱氣體，并且與所述加熱液供給噴嘴共有直接接觸所述加熱液及所述加熱氣體的分隔壁。由此，能夠一邊抑制基板的外周部的溫度下降，一邊對基板的下表面進(jìn)行液體處理。另外，能夠在干燥基板時加熱基板。
[0007]在本發(fā)明的一個優(yōu)選的實施方式中，所述各供給噴嘴是由所述加熱氣供給噴嘴包圍所述加熱液供給噴嘴的周圍的雙層管。
[0008]在本發(fā)明的其他優(yōu)選的實施方式中，所述至少一個供給噴嘴是多個供給噴嘴；所述多個供給噴嘴中的兩個以上的供給噴嘴位于以所述中心軸為中心的同一圓周上。
[0009]在本發(fā)明的其他優(yōu)選的實施方式中，所述至少一個供給噴嘴是多個供給噴嘴；所述多個供給噴嘴中的一個供給噴嘴和所述中心軸之間的徑向距離，不同于其他一個供給噴嘴和所述中心軸之間的徑向距離。
[0010]在本發(fā)明的其他優(yōu)選的實施方式中，所述處理液和所述加熱液是相同的液體；所述基板處理裝置還具備液體加熱部，該液體加熱部用于對向所述處理液供給噴嘴及所述各供給噴嘴的所述加熱液供給噴嘴供給的所述液體進(jìn)行加熱。
[0011]更加優(yōu)選地，在所述各供給噴嘴中，由所述加熱氣供給噴嘴內(nèi)的所述加熱氣體經(jīng)由所述分隔壁對所述加熱液供給噴嘴內(nèi)的所述加熱液進(jìn)行加熱，由此所述加熱液的溫度高于所述處理液的溫度。
[0012]在本發(fā)明的其他優(yōu)選的實施方式中，在所述各供給噴嘴中，由所述加熱氣供給噴嘴內(nèi)的所述加熱氣體經(jīng)由所述分隔壁對所述加熱液供給噴嘴內(nèi)的所述加熱液進(jìn)行加熱。
[0013]在本發(fā)明的其他優(yōu)選的實施方式中，所述基板支撐部的形狀為以所述中心軸為中心的環(huán)狀；所述基板處理裝置還具備下表面對置部，該下表面對置部具備在所述基板支撐部的內(nèi)側(cè)與所述基板的所述下表面對置的對置面；所述對置面是隨著遠(yuǎn)離所述中心軸而遠(yuǎn)離所述基板的傾斜面。
[0014]在本發(fā)明的其他優(yōu)選的實施方式中，所述至少一個供給噴嘴相對于所述中心軸傾斜。
[0015]在本發(fā)明的其他優(yōu)選的實施方式中，所述處理液供給噴嘴以與所述基板的所述上表面的中央部相對置的方式固定。
[0016]在本發(fā)明的其他優(yōu)選的實施方式中，還具備用于形成密閉的內(nèi)部空間的密閉空間形成部，該內(nèi)部空間為利用所述處理液對所述基板進(jìn)行處理的空間。
[0017]本發(fā)明的一個方案的基板處理裝置，具備:基板支撐部，支撐水平狀態(tài)的基板的外緣部；基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，使所述基板支撐部與所述基板一同以上下方向的中心軸為中心旋轉(zhuǎn)；處理液供給噴嘴，向所述基板的上表面供給高于所述基板的溫度的處理液；至少一個加熱液供給噴嘴，在所述中心軸和所述基板的外周緣之間向所述基板的下表面供給高于所述基板的溫度的加熱液；以及至少一個加熱氣供給噴嘴，在所述中心軸和所述基板的所述外周緣之間向所述基板的所述下表面噴出高于所述基板的溫度的加熱氣體。由此，能夠一邊抑制基板的外周部的溫度下降，一邊對基板的下表面進(jìn)行液體處理。另外，能夠在干燥基板時加熱基板。
[0018]在本發(fā)明的一個優(yōu)選的實施方式中，還具備控制部，該控制部用于控制所述基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)、從所述處理液供給噴嘴的所述處理液的供給、從所述至少一個加熱液供給噴嘴的所述加熱液的供給、以及從所述至少一個加熱氣供給噴嘴的所述加熱氣體的供給；通過所述控制部的控制，一邊使所述基板旋轉(zhuǎn)，一邊向所述基板的所述上表面供給所述處理液且向所述基板的所述下表面供給所述加熱液，并且在停止所述處理液及所述加熱液的供給之后，一邊使所述基板旋轉(zhuǎn)，一邊向所述基板的所述下表面噴出所述加熱氣體來干燥所述基板。
[0019]在本發(fā)明的其他優(yōu)選的實施方式中，還具備控制部，該控制部用于控制所述基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)、從所述處理液供給噴嘴的所述處理液的供給、從所述至少一個加熱液供給噴嘴的所述加熱液的供給、以及從所述至少一個加熱氣供給噴嘴的所述加熱氣體的供給；通過所述控制部的控制，一邊使所述基板旋轉(zhuǎn)，一邊向所述基板的所述上表面供給所述處理液且與所述處理液的供給并行地，向所述基板的所述下表面供給所述加熱液并且向所述基板的下方空間供給所述加熱氣體。
[0020]本發(fā)明還針對用于處理基板的基板處理方法。本發(fā)明的一個方案的基板處理方法包括:a)工序，一邊使水平狀態(tài)的基板以上下方向的中心軸為中心旋轉(zhuǎn)，一邊向所述基板的上表面供給高于所述基板的溫度的處理液山)工序，與所述a)工序并行地，從至少一個加熱液供給噴嘴，在所述中心軸和所述基板的外周緣之間，向所述基板的下表面供給高于所述基板的溫度的加熱液；c)工序，在停止所述處理液及所述加熱液的供給之后，一邊使所述基板旋轉(zhuǎn)，一邊從至少一個加熱氣供給噴嘴，在所述中心軸和所述基板的所述外周緣之間，向所述基板的所述下表面噴出高于所述基板的溫度的加熱氣體來干燥所述基板。
[0021]本發(fā)明的另一個方案的基板處理方法包括:a)工序，一邊使水平狀態(tài)的基板以上下方向的中心軸為中心旋轉(zhuǎn)，一邊向所述基板的上表面供給高于所述基板的溫度的處理液山)工序，與所述a)工序并行地，從至少一個加熱液供給噴嘴，在所述中心軸和所述基板的外周緣之間，向所述基板的下表面噴出高于所述基板的溫度的加熱液；c)工序，與所述
b)工序并行地，從至少一個加熱氣供給噴嘴，向所述基板的下方空間供給高于所述基板的溫度的加熱氣體。
[0022]上述的目的及其他目的、特征、方式及優(yōu)點，將會通過參照所附加的附圖來進(jìn)行的本發(fā)明的詳細(xì)說明變得明了。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0023]圖1是第一實施方式的基板處理裝置的剖面圖。
[0024]圖2是供給噴嘴的橫向剖面圖。
[0025]圖3是供給噴嘴的縱向剖面圖。
[0026]圖4是示出氣液供給部及氣液排出部的框圖。
[0027]圖5是下表面對置部的俯視圖。
[0028]圖6是下表面對置部的剖面圖。
[0029]圖7是示出基板處理裝置的處理流程的圖。
[0030]圖8及圖9是基板處理裝置的剖面圖。
[0031]圖10及圖11是示出進(jìn)行藥液處理時的基板的溫度分布的圖。
[0032]圖12是示出基板處理裝置的處理流程的一部分的圖。
[0033]圖13是示出進(jìn)行藥液處理時的基板的溫度分布的圖。
[0034]圖14及圖15是示出供給噴嘴的配置的其他例的俯視圖。
[0035]圖16是第二實施方式的基板處理裝置的剖面圖。
[0036]圖17是示出氣液供給部及氣液排出部的框圖。
[0037]圖18是下表面對置部的俯視圖。
[0038]圖19是下表面對置部的剖面圖。
[0039]圖20及圖21是基板處理裝置的剖面圖。
[0040]圖22及圖23是示出進(jìn)行藥液處理時的基板的溫度分布的圖。
[0041]圖24是示出供給噴嘴的其他例的橫向剖面圖。
[0042]附圖標(biāo)記說明
[0043]1、Ia基板處理裝置
[0044]9 基板
[0045]10控制部
[0046]12 容腔
[0047]15基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)
[0048]91 (基板的)上表面
[0049]92 (基板的)下表面
[0050]100擴(kuò)張密閉空間
[0051]121容腔本體
[0052]122容腔蓋部
[0053]141基板支撐部
[0054]161防濺部
[0055]163防濺對置部
[0056]180、180c 供給噴嘴
[0057]180a加熱氣供給噴嘴
[0058]180b加熱液供給噴嘴
[0059]181上部噴嘴
[0060]188液體加熱部
[0061]211下表面對置部
[0062]211a 對置面
[0063]801內(nèi)周壁
[0064]Jl 中心軸
[0065]Sll ?S16、S121 步驟

【具體實施方式】
[0066]圖1是示出本發(fā)明的第一實施方式的基板處理裝置I的剖面圖。基板處理裝置I是一種向大體圓板狀的半導(dǎo)體基板9 (下面，簡稱為“基板9”)供給處理液，來逐個處理基板9的單片式裝置。在圖1中，在基板處理裝置I的一部分結(jié)構(gòu)的截面上沒有標(biāo)出平行斜線(在其他剖面圖中也同樣)。
[0067]基板處理裝置I具備:容腔12，頂板123，容腔開閉機(jī)構(gòu)131，基板保持部14，基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)15，盛液部16，蓋17。蓋17覆蓋容腔12的上方及側(cè)方。
[0068]容腔12具備容腔本體121和容腔蓋部122。容腔12呈以上下方向的中心軸Jl為中心的大體圓筒狀。容腔本體121具備容腔底部210和容腔側(cè)壁部214。容腔底部210具備:大體圓板狀的中央部211，從中央部211的外緣部向下方擴(kuò)展的大體圓筒狀的內(nèi)側(cè)壁部212，從內(nèi)側(cè)壁部212的下端向徑向外側(cè)擴(kuò)展的大體圓環(huán)板狀的環(huán)狀底部213，從環(huán)狀底部213的外緣部向上方擴(kuò)展的大體圓筒狀的外側(cè)壁部215，從外側(cè)壁部215的上端部向徑向外側(cè)擴(kuò)展的大體圓環(huán)板狀的基部216。
[0069]容腔側(cè)壁部214呈以中心軸Jl為中心的環(huán)狀。容腔側(cè)壁部214從基部216的內(nèi)緣部向上突出。用于形成容腔側(cè)壁部214的構(gòu)件如后所述，兼作盛液部16的一部分。在下面的說明中，將由容腔側(cè)壁部214、外側(cè)壁部215、環(huán)狀底部213、內(nèi)側(cè)壁部212及中央部211的外緣部包圍的空間稱作下部環(huán)狀空間217。
[0070]在基板9由基板保持部14的基板支撐部141 (后述)所支撐的情況下，基板9的下表面92與容腔底部210的中央部211的上表面相對置。在以下的說明中，將容腔底部210的中央部211稱作“下表面對置部211”，將中央部211的上表面211a稱作“對置面211a”。將在后面對下表面對置部211進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0071]容腔蓋部122呈垂直于中心軸Jl的大體圓板狀，包括容腔12的上部。容腔蓋部122堵塞容腔本體121的上部開口。在圖1中，示出容腔蓋部122已從容腔本體121離開的狀態(tài)。在容腔蓋部122堵塞容腔本體121的上部開口時，容腔蓋部122的外緣部與容腔側(cè)壁部214的上部相接觸。
[0072]容腔開閉機(jī)構(gòu)131使作為容腔12的活動部的容腔蓋部122在上下方向上，相對于作為容腔12的其他部位的容腔本體121移動。容腔開閉機(jī)構(gòu)131是用于升降容腔蓋部122的蓋部升降機(jī)構(gòu)。在容腔蓋部122通過容腔開閉機(jī)構(gòu)131在上下方向上移動時，頂板123也與容腔蓋部122 —同在上下方向上移動。容腔蓋部122與容腔本體121相接觸而堵塞上部開口，并且，朝向容腔本體121按壓容腔蓋部122，由此在容腔12內(nèi)形成密閉的容腔空間120 (參照圖7)。換言之，由容腔蓋部122堵塞容腔本體121的上部開口，由此使容腔空間120密閉。
[0073]基板保持部14配置在容腔空間120內(nèi)，使基板9保持水平狀態(tài)。即，基板9以形成有微細(xì)圖案的一個主表面91 (下面，稱作“上表面91”)朝上且垂直于中心軸Jl的狀態(tài)，被基板保持部14保持?；灞３植?4具備:上述基板支撐部141，從下側(cè)支撐基板9的外緣部(即，包含外周緣的外周緣附近的部位)；以及基板按壓部142，從上側(cè)按壓由基板支撐部141所支撐的基板9的外緣部。基板支撐部141呈以中心軸Jl為中心的大體圓環(huán)狀。基板支撐部141具備:以中心軸Jl為中心的大體圓環(huán)板狀的支撐部基座413 ;以及固定在支撐部基座413的上面的多個第一接觸部411。基板按壓部142具備固定在頂板123的下面的多個第二接觸部421。多個第二接觸部421在圓周方向的位置，實際上與多個第一接觸部411在圓周方向的位置不同。
[0074]頂板123呈垂直于中心軸Jl的大體圓板狀。頂板123配置在容腔蓋部122的下方且基板支撐部141的上方。頂板123在中央處具有開口。當(dāng)基板9由基板支撐部141所支撐時，基板9的上表面91與垂直于中心軸Jl的頂板123的下表面相向。頂板123的直徑大于基板9的直徑，而且，在整個外周上，頂板123的外周緣位于比基板9的外周緣更靠向徑向外側(cè)的位置。
[0075]在圖1所示的狀態(tài)下，頂板123以垂下的方式由容腔蓋部122所支撐。容腔蓋部122的中央部具有大體環(huán)狀的板保持部222。板保持部222具備:以中心軸Jl為中心的大體圓筒狀的筒部223，以及以中心軸Jl為中心的大體圓板狀的法蘭盤部224。法蘭盤部224從筒部223的下端向徑向內(nèi)側(cè)擴(kuò)展。
[0076]頂板123具備環(huán)狀的被保持部237。被保持部237具備:以中心軸Jl為中心的大體圓筒狀的筒部238，以及以中心軸Jl為中心的大體圓板狀的法蘭盤部239。筒部238從頂板123的上面向上擴(kuò)展。法蘭盤部239從筒部238的上端向徑向外側(cè)擴(kuò)展。筒部238位于板保持部222的筒部223的徑向內(nèi)側(cè)。法蘭盤部239位于板保持部222的法蘭盤部224的上方，在上下方向上與法蘭盤部224相對置。被保持部237的法蘭盤部239的下表面與板保持部222的法蘭盤部224的上表面相接觸，由此，頂板123以從容腔蓋部122垂下的方式安裝在容腔蓋部122上。
[0077]在頂板123的外緣部的下面沿著圓周方向排列有多個第一^^合部241，在支撐部基座413的上面沿著圓周方向排列有多個第二卡合部242。實際上，第一卡合部241及第二卡合部242在圓周方向上，位于與基板支撐部141的多個第一接觸部411及基板按壓部142的多個第二接觸部421不同的位置。優(yōu)選地，這些卡合部設(shè)置3組以上，在本實施方式中設(shè)置了 4組。在第一卡合部241的下部，設(shè)置有朝向上方凹陷的凹部。第二卡合部242從支撐部基座413向上突出。
[0078]基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)15是所謂的中空馬達(dá)?；逍D(zhuǎn)機(jī)構(gòu)15具備:以中心軸Jl為中心的環(huán)狀的定子部151 ;環(huán)狀的轉(zhuǎn)子部152。轉(zhuǎn)子部152包含大體圓環(huán)狀的永久磁鐵。永久磁鐵的表面由PTFE (Polytetrafluoroethene:聚四氟乙烯)樹脂成型。轉(zhuǎn)子部152配置在在容腔12內(nèi)的下部環(huán)狀空間217內(nèi)。在轉(zhuǎn)子部152的上部，利用連接構(gòu)件安裝有基板支撐部141的支撐部基座413。支撐部基座413配置在轉(zhuǎn)子部152的上方。
[0079]定子部151在容腔12外，配置在轉(zhuǎn)子部152的周圍，即徑向外側(cè)。在本實施方式中，定子部151固定在容腔底部210的外側(cè)壁部215及基部216上，位于盛液部16的下方。定子部151包括在以中心軸Jl為中心的圓周方向上排列的多個線圈。
[0080]通過向定子部151供給電流，在定子部151和轉(zhuǎn)子部152之間產(chǎn)生以中心軸Jl為中心的旋轉(zhuǎn)力。由此，轉(zhuǎn)子部152以中心軸Jl為中心水平狀旋轉(zhuǎn)。借助在定子部151和轉(zhuǎn)子部152之間作用的磁力，轉(zhuǎn)子部152在容腔12內(nèi)不與容腔12直接或間接接觸，而懸浮在容腔12內(nèi)，使基板9以中心軸Jl為中心與基板支撐部141 一同在懸浮狀態(tài)下旋轉(zhuǎn)。
[0081]盛液部16具備:防濺部161，防濺部移動機(jī)構(gòu)162，防濺對置部163。防濺部161呈以中心軸Jl為中心的環(huán)狀，在整個外周上位于容腔12的徑向外側(cè)。防濺部移動機(jī)構(gòu)162使防濺部161在上下方向上移動。防濺部移動機(jī)構(gòu)162配置在防濺部161的徑向外側(cè)。防濺部移動機(jī)構(gòu)162在圓周方向上位于與上述容腔開閉機(jī)構(gòu)131不同的位置。防濺對置部163位于防濺部161的下方，在上下方向上與防濺部161相對置。防濺對置部163是形成容腔側(cè)壁部214的構(gòu)件的一部分。防濺對置部163具備位于容腔側(cè)壁部214的徑向外側(cè)的環(huán)狀的盛液凹部165。
[0082]防濺部161具備:側(cè)壁部611，上面部612，波紋管(Bellows) 617。側(cè)壁部611呈以中心軸Jl為中心的大體圓筒狀。上面部612呈以中心軸Jl為中心的大體圓環(huán)板狀，從側(cè)壁部611的上端部向徑向內(nèi)側(cè)及徑向外側(cè)擴(kuò)展。側(cè)壁部611的下部位于防濺對置部163的盛液凹部165內(nèi)。
[0083]波紋管617呈以中心軸Jl為中心的大體圓筒狀，能夠在上下方向上伸縮。波紋管617在側(cè)壁部611的徑向外側(cè)，在整個外周上設(shè)置在側(cè)壁部611的周圍。波紋管617由使氣體及液體無法通過的材料形成。波紋管617的上端部在整個外周上與上面部612的外緣部的下面相連接。換言之，波紋管617的上端部經(jīng)由上面部612與側(cè)壁部611間接連接。波紋管617和上面部612之間的連接部被密封，防止氣體及液體通過。波紋管617的下端部經(jīng)由防濺對置部163與容腔本體121間接連接。波紋管617的下端部和防濺對置部163之間的連接部也防止氣體及液體通過。
[0084]在容腔蓋部122的中央處安裝有上部噴嘴181。上部噴嘴181以與基板9的上表面91的中央部相對置的方式固定在容腔蓋部122上。上部噴嘴181能夠插入到頂板123的中央處的開口中。上部噴嘴181在中央處具有吐液口，是向基板9的上表面91供給處理液的處理液供給噴嘴。上部噴嘴181在吐液口的周圍具有用于噴出氣體的噴出口。在容腔底部210的下表面對置部211的中央處安裝有下部噴嘴182。下部噴嘴182在中央處具有吐液口，與基板9的下表面92的中央部相對置。在下表面對置部211還設(shè)置有朝向基板9的下表面92的多個供給噴嘴180。
[0085]圖2是供給噴嘴180的垂直于中心軸J2的橫向剖面圖。圖3是包含中心軸J2的供給噴嘴180的縱向剖面圖。其他供給噴嘴180的結(jié)構(gòu)也與圖2及圖3所示的供給噴嘴180的結(jié)構(gòu)同樣。如圖2及圖3所示，供給噴嘴180具備加熱氣供給噴嘴180a和加熱液供給噴嘴180b。各供給噴嘴180是加熱氣供給噴嘴180a在整個外周上包圍加熱液供給噴嘴180b的周圍的雙層管(double tube)。
[0086]各供給噴嘴180具備:大體圓筒狀的內(nèi)周壁801 ;在整個外周上包圍內(nèi)周壁801的周圍的大體圓筒狀的外周壁802。如圖2所示，內(nèi)周壁801及外周壁802的橫剖面呈大體同心圓狀。作為內(nèi)周壁801的前端的加熱液供給噴嘴180b的吐出口 1805以及內(nèi)周壁801的吐出口 1805附近的部位，比作為外周壁802的前端的加熱氣供給噴嘴180a的噴出口 1802更加突出。優(yōu)選地，內(nèi)周壁801由熱導(dǎo)率較高的材料形成，而且形成得薄以提高熱導(dǎo)率。外周壁802由熱導(dǎo)率較低的材料形成，而且形成得厚以降低熱導(dǎo)率。在后面說明供給噴嘴180的配置等。
[0087]圖4是表示基板處理裝置I所具備的氣液供給部18及氣液排出部19的框圖。氣液供給部18除了包括上述的供給噴嘴180、上部噴嘴181及下部噴嘴182之外，還具備藥液供給部183、純水供給部184、IPA供給部185、惰性氣體供給部186、加熱氣供給部187和液體加熱部188。
[0088]藥液供給部183與液體加熱部188相連，液體加熱部188通過閥與上部噴嘴181及多個供給噴嘴180的加熱液供給噴嘴180b相連。從藥液供給部183供給至液體加熱部188的藥液由液體加熱部188加熱。已加熱的藥液被供給到上部噴嘴181及多個加熱液供給噴嘴180b。能夠由控制部10分別獨立控制已加熱的藥液向上部噴嘴181的供給開始及停止、已加熱的藥液(下面，還稱作“加熱液”)向加熱液供給噴嘴180b的供給開始及停止。
[0089]純水供給部184及IPA供給部185分別通過閥與上部噴嘴181相連。下部噴嘴182通過閥與純水供給部184相連。上部噴嘴181還通過閥與惰性氣體供給部186相連。上部噴嘴181是用于向容腔12的內(nèi)部供給氣體的氣體供給部的一部分。多個加熱氣供給噴嘴180a通過閥與加熱氣供給部187相連。
[0090]與盛液部16的盛液凹部165相連的第一排出路191與氣液分離部193相連。氣液分離部193與外側(cè)排氣部194、藥液回收部195及排液部196分別通過閥相連。與容腔12的容腔底部210相連的第二排出路192，與氣液分離部197相連。氣液分離部197與內(nèi)側(cè)排氣部198及排液部199分別通過閥相連。氣液供給部18及氣液排出部19的各結(jié)構(gòu)由控制部10所控制。容腔開閉機(jī)構(gòu)131、基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)15及防濺部移動機(jī)構(gòu)162(參照圖1)也由控制部10所控制。
[0091]從藥液供給部183經(jīng)由上部噴嘴181及多個加熱液供給噴嘴180b供給到基板9上的藥液，是利用化學(xué)反應(yīng)對基板進(jìn)行處理的處理液，例如是氟酸和/或四甲基氫氧化銨(tetrame thy I ammonium hydroxide)水溶液等的蝕刻液。純水供給部184經(jīng)由上部噴嘴181或下部噴嘴182向基板9供給純水(DIW:de1nized water)。IPA供給部185通過上部噴嘴181向基板9上供給異丙醇(IPA:isopropyl alcohol)。在基板處理裝置I上也可以設(shè)置用于供給除了上述處理液(上述藥液、純水及IPA)以外的處理液的處理液供給部。
[0092]惰性氣體供給部186經(jīng)由上部噴嘴181向容腔12內(nèi)供給惰性氣體。加熱氣供給部187經(jīng)由多個加熱氣供給噴嘴180a向基板9的下表面92供給已加熱的氣體(例如，高溫惰性氣體)。在本實施方式中，在惰性氣體供給部186及加熱氣供給部187中使用的氣體為氮(N2)氣，但是也可以是氮氣以外的氣體。此外，在利用已在加熱氣供給部187中加熱好的惰性氣體的情況下，可簡化或不設(shè)置基板處理裝置I中的防爆措施。
[0093]在圖2及圖3所示的各供給噴嘴180中，從藥液供給部183及液體加熱部188向加熱液供給噴嘴180b供給的已加熱的藥液(下面，稱作“加熱液”)與內(nèi)周壁801直接接觸。另外，從加熱氣供給部187向加熱氣供給噴嘴180a供給的已加熱的氣體(下面，稱作“加熱氣體”)與內(nèi)周壁801及外周壁802直接接觸。供給噴嘴180的內(nèi)周壁801是與加熱液及加熱氣體直接接觸并且在供給噴嘴180內(nèi)用于防止加熱液和加熱氣體混合的分隔壁，由加熱氣供給噴嘴180a和加熱液供給噴嘴180b共有該內(nèi)周壁801。
[0094]圖5是示出多個供給噴嘴180在容腔底部210的下表面對置部211上的配置的俯視圖。在圖5中，未圖示供給噴嘴180整體，而用標(biāo)注標(biāo)記1801的實線圈來表示各供給噴嘴180在下表面對置部211上的安裝位置(在圖14及圖15中也同樣)。如圖5所示，在下表面對置部211上設(shè)置有六個供給噴嘴180。六個供給噴嘴180在以中心軸Jl為中心的同一圓周上以等角度間隔(60°間隔)配置。例如，在對半徑為約150mm (毫米)的基板9進(jìn)行處理時所使用的基板處理裝置I中，各供給噴嘴180的吐出口 1805的中心與中心軸Jl之間的徑向距離約為90mm。
[0095]圖6是放大示出下表面對置部211附近的剖面圖。如圖6所示，在由基板支撐部141支撐基板9時，下表面對置部211的對置面211a在基板支撐部141的徑向內(nèi)側(cè)與基板9的下表面92相對置。對置面211a是隨著與中心軸Jl之間的距離增大而向下傾斜(即，遠(yuǎn)離基板9)的傾斜面，以遍及基板9的幾乎整個下表面92的方式擴(kuò)展形成。對置面211a和基板9的下表面92之間的距離在下部噴嘴182附近達(dá)到最小，例如為5mm。另外，該距離在基板9的外緣部達(dá)到最大，例如為30mm。
[0096]各供給噴嘴180從對置面211a突出。各供給噴嘴180的加熱液供給噴嘴180b通過在下表面對置部211的內(nèi)部形成的加熱液配管806及加熱液歧管807 (Manifold)與液體加熱部188 (參照圖4)相連。加熱液歧管807呈以中心軸Jl為中心的大體環(huán)狀。通過多個加熱液配管806，多個加熱液供給噴嘴180b分別與加熱液歧管807連接。
[0097]各供給噴嘴180的加熱氣供給噴嘴180a通過在下表面對置部211內(nèi)形成的加熱氣配管808及加熱氣歧管809與加熱氣供給部187相連。加熱氣歧管809呈以中心軸Jl為中心的大體環(huán)狀，覆蓋加熱液歧管807的外面。通過多個加熱氣配管808，多個加熱氣供給噴嘴180a分別與加熱氣歧管809連接。各加熱氣配管808在整個外周上包圍加熱液配管806的周圍。將與一個供給噴嘴180相連的加熱液配管806和加熱氣配管808統(tǒng)稱為供給配管804，將加熱液歧管807和加熱氣歧管809統(tǒng)稱為歧管805，多個供給配管804是將歧管805分別與多個供給噴嘴180相連的雙層管。
[0098]各加熱氣供給噴嘴180a的噴出口 1802以及各加熱液供給噴嘴180b的吐出口1805，在對置面211a的上方，靠近基板9的下表面92。各供給噴嘴180以其中心軸J2大體沿著對置面211a在安裝位置1801處的法線延伸的方式固定在下表面對置部211上。即，各供給噴嘴180相對于中心軸Jl傾斜。因此，各加熱氣供給噴嘴180a以噴出口 1802位于比安裝位置1801稍微靠向徑向外側(cè)的方式，相對于中心軸Jl傾斜。另外，各加熱液供給噴嘴180b也以吐出口 1805位于比安裝位置1801稍微靠向徑向外側(cè)的方式，相對于中心軸Jl傾斜。
[0099]圖7是示出在基板處理裝置I中處理基板9的流程的圖。如圖1所示，在基板處理裝置I中，在容腔蓋部122遠(yuǎn)離容腔本體121而位于其上方且防濺部161遠(yuǎn)離容腔蓋部122而位于其下方的狀態(tài)下，基板9由外部搬送機(jī)構(gòu)搬入至容腔12內(nèi)，而被基板支撐部141從下側(cè)支撐(步驟S11)。下面，將圖1所示的容腔12及防濺部161的狀態(tài)稱作“打開狀態(tài)”。容腔蓋部122和容腔側(cè)壁部214之間的開口呈以中心軸Jl為中心的環(huán)狀，下面，稱之為“環(huán)狀開口 81”。在基板處理裝置I中，通過使容腔蓋部122遠(yuǎn)離容腔本體121，由此在基板9的周圍(即，徑向外側(cè))形成環(huán)狀開口 81。在步驟Sll中，經(jīng)由環(huán)狀開口 81搬入基板9。
[0100]當(dāng)搬入了基板9時，防濺部161從圖1所示的位置上升至圖8所示的位置，從而在整個外周上位于環(huán)狀開口 81的徑向外側(cè)。在下面的說明中，將圖8所示的容腔12及防濺部161的狀態(tài)稱作“第一密閉狀態(tài)”。另外，將圖8所示的防濺部161的位置稱作“盛液位置”，將圖1所示的防濺部161的位置稱作“退避位置”。防濺部移動機(jī)構(gòu)162使防濺部161在上下方向上在環(huán)狀開口 81的徑向外側(cè)的盛液位置和盛液位置下方的退避位置之間移動。
[0101]在位于盛液位置的防濺部161，側(cè)壁部611在徑向上與環(huán)狀開口 81相對置。另外，上面部612的內(nèi)緣部的上表面在整個外周上與容腔蓋部122的外緣部下端的唇形密封件232相接觸。在容腔蓋部122和防濺部161的上面部612之間，形成有用于防止氣體及液體通過的密封部。由此，形成由容腔本體121、容腔蓋部122、防濺部161及防濺對置部163所包圍的密閉的內(nèi)部空間(下面，稱作“擴(kuò)張密閉空間100 ”)。
[0102]擴(kuò)張密閉空間100是容腔蓋部122和容腔本體121之間的容腔空間120通過環(huán)狀開口 81與由防濺部161和防濺對置部163所包圍的側(cè)方空間160連通而形成的一個空間。容腔蓋部122、容腔本體121、防濺部161及防濺對置部163是形成擴(kuò)張密閉空間100的密閉空間形成部。
[0103]在第一密閉狀態(tài)下，基板按壓部142的多個第二接觸部421與基板9的外緣部相接觸。在頂板123的下面以及基板支撐部141的支撐部基座413上，設(shè)置有在上下方向上相向的多對磁鐵(省略圖示)。下面，將各對磁鐵還稱作“磁鐵對”。在基板處理裝置I中，多個磁鐵對在圓周方向上以等角度間隔配置在與第一接觸部411、第二接觸部421、第一卡合部241及第二卡合部242不同的位置上。在基板按壓部142與基板9相接觸的狀態(tài)下，借助作用于磁鐵對之間的磁力(引力)，對頂板123施加向下的力。由此，基板按壓部142將基板9向基板支撐部141按壓。
[0104]在基板處理裝置I中，借助頂板123的自重以及磁鐵對的磁力，基板按壓部142將基板9向基板支撐部141按壓，由此能夠利用基板按壓部142和基板支撐部141上下夾持基板9來牢固保持。
[0105]在第一密閉狀態(tài)下，被保持部237的法蘭盤部239與板保持部222的法蘭盤部224具有間隔地位于其上方，板保持部222與被保持部237不接觸。換言之，板保持部222對頂板123的保持被解除。因此，頂板123從容腔蓋部122獨立出來，通過基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)15與基板保持部14及由基板保持部14保持的基板9 一同旋轉(zhuǎn)。
[0106]另外，在第一密閉狀態(tài)下，在第一卡合部241下部的凹部嵌入有第二卡合部242。由此，頂板123在以中心軸Jl為中心的圓周方向上與基板支撐部141的支撐部基座413卡合。換言之，第一卡合部241及第二卡合部242是用于限制頂板123相對基板支撐部141在旋轉(zhuǎn)方向上的相對位置(即，固定圓周方向上的相對位置)的位置限制構(gòu)件。在容腔蓋部122下降時，由基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)15控制支撐部基座413的旋轉(zhuǎn)位置，以使第一卡合部241與第二卡合部242嵌合。
[0107]接著，通過基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)15開始以規(guī)定轉(zhuǎn)數(shù)(較低的轉(zhuǎn)數(shù)，下面稱作“恒定轉(zhuǎn)數(shù)”)旋轉(zhuǎn)基板9。此外，開始從惰性氣體供給部186(參照圖4)向擴(kuò)張密閉空間100供給惰性氣體(在此為氮氣)，并且利用外側(cè)排氣部194開始將擴(kuò)張密閉空間100內(nèi)的氣體排出。由此，在經(jīng)過規(guī)定時間之后，擴(kuò)張密閉空間100形成填充了惰性氣體的惰性氣體充填狀態(tài)(即，氧濃度低的低氧氛圍)。此外，向擴(kuò)張密閉空間100的惰性氣體的供給以及從擴(kuò)張密閉空間100內(nèi)的氣體的排出，也可以從圖1所示的打開狀態(tài)開始進(jìn)行。
[0108]接著,通過控制部10的控制,從多個供給噴嘴180的加熱液供給噴嘴180b向旋轉(zhuǎn)的基板9的下表面92開始供給加熱至高于基板9的溫度的藥液即加熱液。來自各加熱液供給噴嘴180b的加熱液在中心軸Jl和基板9的外周緣(邊緣)之間，連續(xù)向基板9的下表面92供給。供給到下表面92的加熱液借助基板9的旋轉(zhuǎn)向基板9的外周部擴(kuò)展。由此，開始對基板9的下表面92進(jìn)行藥液處理，并且開始對基板9進(jìn)行加熱。結(jié)合藥液的種類及對基板9的處理等適當(dāng)決定加熱液的溫度，例如約為50?80°C。另外，從多個加熱液供給噴嘴180b向基板9的下表面92供給的加熱液的合計流量例如是每分鐘約2?3升。
[0109]當(dāng)將基板9被加熱至規(guī)定溫度時，通過控制部10的控制，從上部噴嘴181向旋轉(zhuǎn)的基板9的上表面91的中央部開始供給加熱至高于基板9的溫度的藥液。向基板9的上表面91的藥液排出，僅在基板9的中央部進(jìn)行，而不在中央部以外的部位進(jìn)行。來自上部噴嘴181的藥液連續(xù)地供給至旋轉(zhuǎn)的基板9的上表面91。上表面91上的藥液借助基板9的旋轉(zhuǎn)向基板9的外周部擴(kuò)展，由此上表面91整體被藥液所覆蓋。
[0110]在從上部噴嘴181供給藥液的過程中，也持續(xù)地從加熱液供給噴嘴180b供給加熱液。由此，在擴(kuò)張密閉空間100內(nèi)，一邊將基板9加熱至大體所希望的溫度，一邊執(zhí)行利用從上部噴嘴181供給的藥液對基板9的上表面91進(jìn)行蝕刻的蝕刻處理以及利用從加熱液供給噴嘴180b供給的加熱液對基板9的下表面92進(jìn)行蝕刻的蝕刻處理(步驟S12)。從上部噴嘴181向基板9的上表面91供給的藥液的流量例如是每分鐘約0.5?I升。由于頂板123的下表面靠近基板9的上表面91，因而對基板9的蝕刻是在頂板123的下表面與基板9的上表面91之間的極其狹窄的空間內(nèi)進(jìn)行的。
[0111]在擴(kuò)張密閉空間100中，從旋轉(zhuǎn)的基板9的上表面91飛散的藥液經(jīng)由環(huán)狀開口 81被防濺部161阻擋，導(dǎo)入到盛液凹部165。導(dǎo)入到盛液凹部165的藥液經(jīng)由圖4所示的第一排出路191流入氣液分離部193。在藥液回收部195中，從氣液分離部193回收藥液，利用過濾器等從藥液中除去雜質(zhì)等之后，進(jìn)行再利用。
[0112]當(dāng)開始從上部噴嘴181供給藥液起經(jīng)過規(guī)定時間(例如，60?120秒)時，則停止從上部噴嘴181供給藥液以及停止從加熱液供給噴嘴180b供給加熱液。在加熱液供給噴嘴180b，通過倒吸(Suck Back)將加熱液從吐出口 1805吸回加熱液供給噴嘴180b的內(nèi)部。由此，能夠抑制或防止加熱液從吐出口 1805流下而流入到加熱氣供給噴嘴180a內(nèi)的現(xiàn)象。此外，通過基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)15，使基板9的轉(zhuǎn)數(shù)僅在規(guī)定時間(例如，I?3秒)內(nèi)變得比恒定轉(zhuǎn)數(shù)高，由此從基板9除去藥液。
[0113]接著，容腔蓋部122及防濺部161同步地向下方移動。此外，如圖9所示，容腔蓋部122的外緣部下端的唇形密封件231與容腔側(cè)壁部214的上部接觸，由此環(huán)狀開口 81關(guān)閉，從而使容腔空間120以與側(cè)方空間160隔絕的狀態(tài)密閉。防濺部161與圖1同樣地位于退避位置。下面，將圖9所示的容腔12及防濺部161的狀態(tài)稱作“第二密閉狀態(tài)”。在第二密閉狀態(tài)下，基板9直接面對容腔12的內(nèi)壁，它們之間不存在其他盛液部。
[0114]在第二密閉狀態(tài)下，也與第一密閉狀態(tài)同樣地，基板按壓部142將基板9向基板支撐部141按壓，由此能夠利用基板按壓部142和基板支撐部141上下夾持基板9來牢固保持。另外，板保持部222對頂板123的保持被解除，由此頂板123從容腔蓋部122獨立出來，與基板保持部14及基板9 一同旋轉(zhuǎn)。
[0115]當(dāng)容腔空間120密閉，則停止基于外側(cè)排氣部194 (參照圖4)排出氣體，并開始利用內(nèi)側(cè)排氣部198排出容腔空間120內(nèi)的氣體。之后，利用純水供給部184開始向基板9供給作為清洗液或清潔液的純水(步驟S13)。
[0116]來自純水供給部184的純水從上部噴嘴181及下部噴嘴182吐出后，連續(xù)供給至基板9的上表面91及下表面92的中央部。通過基板9的旋轉(zhuǎn)，純水?dāng)U散到上表面91及下表面92的外周部，從基板9的外周緣向外側(cè)飛散。從基板9飛散出去的純水被容腔12的內(nèi)壁(即，容腔蓋部122及容腔側(cè)壁部214的內(nèi)壁)阻擋，經(jīng)由圖2所示的第二排出路192、氣液分離部197及排液部199而被排出(在后述的對基板9的干燥處理中也同樣)。由此，與基板9的上表面91及下表面92的清洗處理及清潔處理一同，還實質(zhì)性地執(zhí)行對容腔12內(nèi)的清潔。
[0117]當(dāng)從開始供給純水起經(jīng)過規(guī)定時間，則停止從純水供給部184供給純水。此外，通過控制部10的控制，從多個供給噴嘴180的加熱氣供給噴嘴180a向基板9的下表面92，開始噴出加熱至高于基板9的溫度的惰性氣體(即，加熱氣體)。來自各加熱氣供給噴嘴180a的加熱氣體在中心軸Jl和基板9的外周緣(邊緣)之間，向基板9的下表面92連續(xù)噴出。從加熱氣供給噴嘴180a向基板9的下表面92噴射的加熱氣體在基板9的下方空間擴(kuò)散。由此，基板9被加熱。加熱氣體的溫度例如是約160?200°C。另外，從多個加熱氣供給噴嘴180a供給的加熱氣體的合計流量例如是每分鐘約150?200升。在供給噴嘴180，即使在加熱液供給噴嘴180b的吐出口 1805附近附著并殘留有加熱液的情況下，也能夠通過從加熱氣供給噴嘴180a噴出加熱氣體來吹跑并除去該加熱液。
[0118]接著，從上部噴嘴181向基板9的上表面91上供給IPA，由此在上表面91上純水被置換為IPA (步驟S14)。當(dāng)從開始供給IPA起經(jīng)過規(guī)定時間，則停止從IPA供給部185供給IPA。此后，在從加熱氣供給噴嘴180a持續(xù)噴出加熱氣體的狀態(tài)下，使基板9的轉(zhuǎn)數(shù)變得足夠高于恒定轉(zhuǎn)數(shù)。由此，通過從基板9上除去IPA來執(zhí)行對基板9的干燥處理(步驟S15)。當(dāng)從開始干燥基板9起經(jīng)過規(guī)定時間，則停止旋轉(zhuǎn)基板9。也可以通過內(nèi)側(cè)排氣部198對容腔空間120進(jìn)行減壓，來在低于大氣壓的減壓氛圍下執(zhí)行對基板9的干燥處理。
[0119]此后，容腔蓋部122和頂板123上升，如圖1所示，容腔12呈打開狀態(tài)。在步驟S15中，頂板123與基板支撐部141 一同旋轉(zhuǎn)，因此，液體幾乎不會殘留在頂板123的下表面，所以在容腔蓋部122上升時，液體不會從頂板123滴落到基板9上。利用外部的搬送機(jī)構(gòu)，從容腔12中搬出基板9 (步驟S16)。
[0120]如以上說明，在基板處理裝置I中設(shè)置有:上部噴嘴181，向基板9的上表面91供給高于基板9的溫度的藥液；以及加熱液供給噴嘴180b，在中心軸Jl和基板9的外周緣之間向基板9的下表面92供給高于基板9的溫度的加熱液。由此，能夠抑制或防止基板9的溫度以及供給到基板9的上表面91上的藥液溫度，沿著基板9的中央部向外周部延伸的方向降低的現(xiàn)象。其結(jié)果，能夠提高基板9及基板9上的藥液的溫度均勻性，從而能夠提高對基板9的上表面91的蝕刻處理在面上的均勻性。另外，能夠與對上表面91的蝕刻處理并行地執(zhí)行利用加熱液的對基板9的下表面的蝕刻處理。
[0121]如上所述，在基板處理裝置I中，能夠提高基板9及基板9上的藥液的溫度均勻性。因此，基板處理裝置I的結(jié)構(gòu)特別適于供給到基板9的上表面91上的藥液的溫度沿著基板9的中央部向外周部延伸的方向容易降低的基板處理裝置，例如是用于向基板9的上表面91吐出藥液的上部噴嘴181與上表面91的中央部相對置而固定的基板處理裝置。在上部噴嘴181與基板9的上表面91的中央部相對置而固定的基板處理裝置中，由于供給到上表面91上的藥液到從外緣飛散出去為止的在基板9上的移動距離長，因而能夠?qū)⒐┙o到上表面91上的藥液高效地使用到蝕刻處理中。
[0122]在基板處理裝置I中，另外還設(shè)置有加熱氣供給噴嘴180a，該加熱氣供給噴嘴180a在中心軸Jl和基板9的外周緣之間向基板9的下表面92供給高于基板9的溫度的加熱氣體。由此，在對基板9進(jìn)行干燥時，能夠以不向基板9供給液體的方式加熱基板9，從而能夠增大基板9上的IPA的揮發(fā)性。其結(jié)果，能夠迅速地干燥基板9，并且能夠抑制或防止在對基板9進(jìn)行干燥時損傷基板9的上表面91上的微細(xì)圖案。
[0123]進(jìn)一步，在基板處理裝置I中，加熱氣供給噴嘴180a和加熱液供給噴嘴180b是一個供給噴嘴180。由此，能夠?qū)崿F(xiàn)對基板9執(zhí)行藥液處理時及干燥處理時用于加熱基板9的下表面92的結(jié)構(gòu)的簡化及小型化。其結(jié)果，能夠高效地利用基板9和容腔底部210之間的空間(即，基板9的下方空間)。
[0124]在基板處理裝置I中，在多個加熱液供給噴嘴180b中，兩個以上的加熱液供給噴嘴180b位于以中心軸Jl為中心的同一圓周上。由此，能夠縮短基板9上的該圓上方的各部位，在從通過加熱液供給噴嘴180b的上方而接受加熱液的供給之后，直至移動到下一個加熱液供給噴嘴180b的上方為止的時間。由此，能夠抑制基板9的各部位在加熱液供給噴嘴180b之間移動時的溫度下降(S卩，旋轉(zhuǎn)中的溫度下降)。其結(jié)果，在對基板9執(zhí)行藥液處理時，能夠更加提高圓周方向上的基板9及基板9上的藥液的溫度均勻性，從而能夠進(jìn)一步提高對基板9的蝕刻處理在面上的均勻性。
[0125]如上所述，從上部噴嘴181向基板9的上表面91供給的藥液和從加熱液供給噴嘴180b向基板9的下表面92供給的加熱液，是從一個藥液供給部183供給的相同的液體。在將該液體(藥液)向上部噴嘴181及加熱液供給噴嘴180b供給之前，利用一個液體加熱部188加熱該液體。由此，能夠?qū)崿F(xiàn)基板處理裝置I的結(jié)構(gòu)簡化，并且能夠?qū)崿F(xiàn)基板處理裝置I的小型化。
[0126]在基板處理裝置I中，在多個加熱氣供給噴嘴180a中，兩個以上的加熱氣供給噴嘴180a位于以中心軸Jl為中心的同一圓周上。由此，能夠縮短基板9上的該圓上方的各部位，在從通過加熱氣供給噴嘴180a的上方而接受加熱氣體的供給之后，直至移動到下一個加熱氣供給噴嘴180a的上方為止的時間。由此，能夠抑制基板9的各部位在加熱氣供給噴嘴180a之間移動時的溫度下降(S卩，旋轉(zhuǎn)中的溫度下降)。其結(jié)果，在對基板9執(zhí)行干燥處理時，能夠更加提高基板9在圓周方向上的溫度均勻性，從而能夠進(jìn)一步迅速地干燥基板9。另外，能夠更進(jìn)一步抑制或防止在對基板9進(jìn)行干燥時損傷基板9的上表面91上的微細(xì)圖案。
[0127]在基板處理裝置I中，供給噴嘴180從下表面對置部211的對置面211a突出。由此，能夠抑制從下部噴嘴182供給到基板9的下表面92的純水等處理液從噴出口 1802流入到加熱氣供給噴嘴180a內(nèi)的現(xiàn)象以及該處理液從吐出口 1805流入到加熱液供給噴嘴180b內(nèi)的現(xiàn)象。另外，通過使供給噴嘴180相對于中心軸Jl傾斜，能夠更進(jìn)一步抑制純水等處理液流入到加熱氣供給噴嘴180a及加熱液供給噴嘴180b中的現(xiàn)象。
[0128]如上所述，下表面對置部211的對置面211a是隨著遠(yuǎn)離中心軸Jl而遠(yuǎn)離基板9的傾斜面。由此，能夠使供給到基板9的下表面92的藥液或純水等處理液容易導(dǎo)向?qū)χ妹?11a的徑向外側(cè)。其結(jié)果，能夠防止該處理液殘留在對置面211a上的現(xiàn)象。
[0129]圖10是示出在基板處理裝置I中在向基板9的下表面92供給加熱液的同時進(jìn)行了藥液處理時(步驟S12)的基板處理裝置I中的基板9的溫度分布的圖。在圖10中，示出半徑約為150mm的基板9的溫度分布。另外，圖10的橫軸表示從中心軸Jl到各測定位置的徑向距離，縱軸表示基板9的各測定位置上的溫度。在圖11及圖13中也同樣。在圖10中標(biāo)注標(biāo)記95的實線表示在基板處理裝置I中進(jìn)行藥液處理時的基板9的溫度，黑圓點標(biāo)記表示在第一比較例的基板處理裝置中進(jìn)行藥液處理時的基板的溫度。在第一比較例的基板處理裝置中，未設(shè)置有加熱液供給噴嘴，所以從上部噴嘴向基板的上表面供給高于基板溫度的藥液，但不向基板的下表面供給加熱液。用實線95表示的基板9的溫度，是根據(jù)對將加熱氣供給噴嘴180a和加熱液供給噴嘴180b獨立地配置在下表面對置部211上的基板處理裝置進(jìn)行的實驗結(jié)果，來通過模擬推定出來的(圖11及圖13中的實線96?98也同樣)。如圖10所示，在基板處理裝置I中，與第一比較例的基板處理裝置相比，能夠抑制基板9的溫度沿著基板9的中央部向外周部延伸的方向下降的現(xiàn)象。
[0130]在基板處理裝置I中，在對基板9的上表面91進(jìn)行藥液處理時，不對基板9的下表面92進(jìn)行藥液處理的情況下，也可以取代從加熱液供給噴嘴180b供給加熱液，而與從上部噴嘴181供給藥液并行地，從加熱氣供給噴嘴180a向基板9的下表面92供給加熱氣體。圖11是示出取代加熱液而將加熱氣體供給到基板9的下表面92的情況下進(jìn)行藥液處理時(步驟S12)的基板9的溫度分布的圖。在圖11中標(biāo)注標(biāo)記96的實線表示在基板處理裝置I中進(jìn)行藥液處理時的基板9的溫度，黑圓點標(biāo)記表示在上述第一比較例的基板處理裝置中進(jìn)行藥液處理時的基板的溫度。如圖11所示，在進(jìn)行藥液處理時向基板9的下表面92供給加熱氣體的情況下，與第一比較例的基板處理裝置相比，也能夠抑制基板9的溫度沿著基板9的中央部向外周部延伸的方向下降的現(xiàn)象。
[0131]但是，當(dāng)假設(shè)為在開放的處理空間中對基板進(jìn)行處理的基板處理裝置(下面，稱作“第二比較例的基板處理裝置”)的情況下，在第二比較例的基板處理裝置中，為了防止含有藥液成分的氣體擴(kuò)散到外部，在用藥液處理基板時，大流量地排出該處理空間內(nèi)的氣體。另夕卜，為了防止微粒(Particle)附著到基板上,還生成向下的氣流(Downf1w)。因此,在基板的周圍生成從上向下的氣流，因該氣流基板的溫度容易降低?；宓臏囟认陆翟诨宓耐饩壊匡@著，因此基板的溫度分布均勻性降低。其結(jié)果，基于藥液的基板處理的均勻性降低。雖然可以想到通過向基板大流量地供給加熱到規(guī)定溫度的藥液來抑制基板的溫度分布均勻性的降低，但會導(dǎo)致藥液的消耗量增大。
[0132]相對于此，在基板處理裝置I中，由作為密閉空間形成部的容腔12、防濺部161及防濺對置部163形成，比作為第二比較例的基板處理裝置的處理空間小的密閉空間的擴(kuò)張密閉空間100。由此，能夠抑制基板9的熱擴(kuò)散。
[0133]在形成擴(kuò)張密閉空間100的基板處理裝置I中，含有藥液成分的氣體不會向外部擴(kuò)散，而且生成用于防止微粒附著到基板上的向下氣流的必要性也較低，因而能夠較低地設(shè)定流入擴(kuò)張密閉空間100的氣體流量及從擴(kuò)張密閉空間100流出的氣體流量。因此，能夠進(jìn)一步抑制基板9的溫度下降。其結(jié)果，能夠?qū)碜约訜嵋汗┙o噴嘴180b的加熱液的流量設(shè)定得較小，并且能夠提高基板的溫度分布均勻性。另外，也沒有必要將加熱到規(guī)定溫度的藥液大流量地供給到基板9的上表面91 (即，能夠減少藥液的消耗量)，因而還能夠減少基板處理裝置I的成本(COO:cost of ownership)ο
[0134]在基板處理裝置I中，在進(jìn)行上述藥液處理時，也可以取代步驟S12而進(jìn)行圖12所示的步驟S121。在步驟S121中，通過控制部10的控制，與步驟S12同樣地，從上部噴嘴181向旋轉(zhuǎn)的基板9的上表面91供給已加熱的藥液，與該藥液的供給并行地，從加熱液供給噴嘴180b向基板9的下表面92供給加熱液。在步驟S121中，進(jìn)而，與從上部噴嘴181的藥液供給及從加熱液供給噴嘴180b的加熱液供給并行地，從加熱氣供給噴嘴180a向基板9的下方空間供給加熱氣體。
[0135]從加熱氣供給噴嘴180a向基板9的下方空間的加熱氣體的供給，與在上述基板9的干燥處理(步驟S15)中從加熱氣供給噴嘴180a的加熱氣體的噴出相比，更加緩慢地進(jìn)行。因此，能夠防止從加熱液供給噴嘴180b向基板9的下表面92供給的加熱液，因來自加熱氣供給噴嘴180a的加熱氣體而從下表面92上彈飛的現(xiàn)象、以及在下表面92上移動的加熱液的流動被來自加熱氣供給噴嘴180a的加熱氣體打亂的現(xiàn)象。
[0136]在步驟S121中，在供給到基板9的下方空間的高溫加熱氣體的氛圍中，來自加熱液供給噴嘴180b的加熱液供給到基板9的下表面92，并在下表面92上向外周部移動。因此，在向基板9供給加熱液時及加熱液在基板9上移動時，能夠抑制加熱液的溫度下降。
[0137]如上述那樣在各供給噴嘴180中，如圖2及圖3所示，設(shè)置有作為分隔壁的內(nèi)周壁801，內(nèi)周壁801由加熱氣供給噴嘴180a和加熱液供給噴嘴180b共有，并且加熱氣體的溫度(約160?200°C )高于加熱液的溫度(約50?80°C )。因此，在加熱液供給噴嘴180b內(nèi)流動的加熱液經(jīng)由內(nèi)周壁801被加熱氣供給噴嘴180a內(nèi)流動的加熱氣體加熱。由此，能夠抑制從液體加熱部188送出的加熱液在供給到基板9的下表面92之前的期間溫度下降的現(xiàn)象。
[0138]為了利用加熱氣體經(jīng)由內(nèi)周壁801高效地加熱加熱液，優(yōu)選地，使內(nèi)周壁801中的直接與加熱液及加熱氣供給噴嘴180a內(nèi)的加熱氣體接觸的部分的長尺寸方向的長度(即，為與供給噴嘴180的中心軸J2平行的方向上的長度，而且與長尺寸方向上的外周壁802的長度相等)在50mm以上。另外，供給噴嘴180是加熱氣供給噴嘴180a在整個外周上包圍加熱液供給噴嘴180b的周圍的雙層管，因而能夠利用加熱氣體經(jīng)由內(nèi)周壁801進(jìn)一步高效地加熱加熱液，并且能夠提高加熱液供給噴嘴180b內(nèi)的加熱液的溫度均勻性。
[0139]如上所述，在作為雙層管的供給噴嘴180中，加熱液供給噴嘴180b配置在加熱氣供給噴嘴180a的內(nèi)側(cè)。由此，能夠抑制從加熱液供給噴嘴180b吐出的加熱液的流動被從加熱氣供給噴嘴180a吐出的加熱氣體打亂的現(xiàn)象。另外，加熱液供給噴嘴180b的吐出口1805及內(nèi)周壁801的吐出口 1805附近的部位，比加熱氣供給噴嘴180a的噴出口 1802更加突出。因此，能夠更進(jìn)一步抑制從加熱液供給噴嘴180b吐出的加熱液的流動被從加熱氣供給噴嘴180a吐出的加熱氣體打亂的現(xiàn)象。
[0140]在下表面對置部211中，各加熱液配管806的周圍在整個外周上由加熱氣配管808所包圍，加熱液配管806成為與加熱液及加熱氣配管808內(nèi)的加熱氣體直接接觸的分隔壁。因此，在加熱液配管806內(nèi)流動的加熱液經(jīng)由加熱液配管806被在加熱氣配管808內(nèi)流動的加熱氣體加熱。由此，能夠更進(jìn)一步抑制從液體加熱部188送出的加熱液在供給到基板9的下表面92之前的期間溫度下降的現(xiàn)象。為了利用加熱氣體高效地加熱加熱液配管806內(nèi)的加熱液，優(yōu)選地，使加熱液配管806中的至少從對置面211a朝向液體加熱部188的約20?30cm (厘米)的部位，直接與加熱液及加熱氣配管808內(nèi)的加熱氣體接觸。
[0141]進(jìn)而，在下表面對置部211，設(shè)置有與多個加熱液配管806連接的加熱液歧管807，加熱液歧管807的外表面被加熱氣歧管809覆蓋。因此，加熱液歧管807的側(cè)壁與加熱液歧管807內(nèi)的加熱液及加熱氣歧管809內(nèi)的加熱氣體直接接觸。因此，加熱液歧管807內(nèi)的加熱液經(jīng)由加熱液歧管807的側(cè)壁被加熱氣體加熱。由此，能夠進(jìn)一步抑制從液體加熱部188送出的加熱液在供給到基板9的下表面92之前的期間溫度下降的現(xiàn)象。為了利用加熱氣體高效地加熱加熱液歧管807內(nèi)的加熱液，優(yōu)選地，幾乎使加熱液歧管807的側(cè)壁整體與加熱氣體直接接觸。此外，從利用加熱氣體來加熱加熱液歧管807內(nèi)的加熱液這種觀點考慮，只要加熱液歧管807的側(cè)壁的至少一部分與加熱氣體直接接觸即可。
[0142]另外，通過將來自液體加熱部188的加熱液暫時儲存到加熱液歧管807之后，從加熱液歧管807向多個加熱液供給噴嘴180b供給加熱液，能夠提高從多個加熱液供給噴嘴180b向基板9的下表面92供給的加熱液的溫度均勻性。
[0143]如上所述，從上部噴嘴181向基板9的上表面91供給的藥液和從加熱液供給噴嘴180b向基板9的下表面92供給的加熱液是相同的液體。在基板處理裝置I中，通過利用一個液體加熱部188加熱該液體，不僅能夠?qū)崿F(xiàn)裝置結(jié)構(gòu)的簡化，還通過利用加熱氣體對加熱液歧管807、加熱液配管806及加熱液供給噴嘴180b內(nèi)的加熱液進(jìn)行加熱，能夠使從加熱液供給噴嘴180b向基板9的下表面92供給的加熱液的溫度高于從上部噴嘴181向基板9的上表面91供給的藥液的溫度。其結(jié)果，能夠更進(jìn)一步抑制或防止基板9的溫度及供給到基板9的上表面91的藥液的溫度沿著基板9的中央部向外周部延伸的方向下降的現(xiàn)象。其結(jié)果，能夠提高基板9及基板9上的藥液的溫度均勻性，從而能夠提高對基板9的上表面91的蝕刻處理在面上的均勻性。
[0144]圖13是示出在基板處理裝置I中向基板9的下表面92供給加熱液并向下表面92的下方空間供給加熱氣體的同時進(jìn)行藥液處理時(步驟S121)的基板9的溫度分布的圖。在圖13中標(biāo)注標(biāo)記97、98的實線表示在基板處理裝置I中進(jìn)行藥液處理時的基板9的溫度的推定上限值及推定下限值，黑圓點標(biāo)記表示在上述第一比較例的基板處理裝置中進(jìn)行藥液處理時的基板溫度。如圖13所示，在基板處理裝置I中，與第一比較例的基板處理裝置相比，能夠抑制基板9的溫度沿著基板9的中央部向外周部延伸的方向下降的現(xiàn)象。
[0145]圖14及圖15是示出供給噴嘴180在基板處理裝置I的下表面對置部211上的配置的其他例的俯視圖。在圖14及圖15所示的例子中，也在下表面對置部211上，六個供給噴嘴180設(shè)置在安裝位置1801上。當(dāng)將與中心軸Jl之間的徑向距離相等的兩個供給噴嘴180稱作“噴嘴對”時，在圖14所示的例子中，在下表面對置部211上，設(shè)置有三對供給噴嘴180的噴嘴對。各噴嘴對中的兩個供給噴嘴180，在以中心軸Jl為中心的同一圓周上配置在隔著中心軸Jl相互對置的位置上。換言之，各噴嘴對中的兩個供給噴嘴180在以中心軸Jl為中心的圓周方向上隔開180°配置。六個供給噴嘴180在圓周方向上以等角度間隔(60。間隔)配置。
[0146]在圖15所示的例子中，兩個供給噴嘴180在以中心軸Jl為中心的同一圓周上配置在隔著中心軸Jl相互對置的位置上。其他的四個供給噴嘴180在上述兩個供給噴嘴180的徑向外側(cè)配置在以中心軸Jl為中心的同一圓周上。該四個供給噴嘴180在圓周方向上以等角度間隔(90°間隔)配置。
[0147]在圖14及圖15所示的例子中，設(shè)置有與中心軸Jl之間的徑向距離不同的多個供給噴嘴180 (即，加熱氣供給噴嘴180a及加熱液供給噴嘴180b)。換言之，在多個供給噴嘴180中，一個供給噴嘴180和中心軸Jl之間的徑向距離與其他一個供給噴嘴180和中心軸Jl之間的徑向距離不同。因此，利用來自各供給噴嘴180的加熱液供給噴嘴180b的加熱液對基板9的下表面92進(jìn)行加熱，由此能夠更進(jìn)一步抑制或防止供給到基板9的上表面91上的藥液的溫度沿著基板9的中央部向外周部延伸的方向下降的現(xiàn)象。另外，在利用來自各供給噴嘴180的加熱氣供給噴嘴180a的加熱氣體對基板9的下表面92進(jìn)行加熱的情況也同樣地，能夠更進(jìn)一步抑制或防止供給到基板9的上表面91上的藥液的溫度沿著基板9的中央部向外周部延伸的方向下降的現(xiàn)象。在任何情況下，都能夠更加提高基板9及基板9上的藥液的溫度均勻性，從而能夠進(jìn)一步提高對基板9的上表面91的蝕刻處理在面上的均勻性。
[0148]圖16是示出本發(fā)明的第二實施方式的基板處理裝置Ia的剖面圖?；逄幚硌b置Ia是一種向大體圓板狀的半導(dǎo)體基板9 (下面，簡稱為“基板9”)供給處理液，來逐個處理基板9的單片式裝置。在圖16所示的基板處理裝置Ia中，在下表面對置部211上設(shè)置的噴嘴的結(jié)構(gòu)及配置與圖1所示的基板處理裝置I不同?；逄幚硌b置Ia的其他結(jié)構(gòu)與基板處理裝置I幾乎同樣，在下面的說明中對相對應(yīng)的結(jié)構(gòu)標(biāo)注同一標(biāo)記。在圖16中，在基板處理裝置Ia的一部分結(jié)構(gòu)的截面上省略了平行斜線(在其他剖面圖中也同樣)。
[0149]在容腔底部210的下表面對置部211的中央，安裝有下部噴嘴182。下部噴嘴182在中央處具有吐液口，與基板9的下表面92的中央部相向。在下表面對置部211上，還設(shè)置有多個加熱氣供給噴嘴180a及多個加熱液供給噴嘴180b。在后面說明加熱氣供給噴嘴180a及加熱液供給噴嘴180b的配置。
[0150]圖17是示出基板處理裝置Ia所具備的氣液供給部18及氣液排出部19的框圖。氣液供給部18除了包括上述的加熱氣供給噴嘴180a、加熱液供給噴嘴180b、上部噴嘴181及下部噴嘴182之外，還具備藥液供給部183、純水供給部184、IPA供給部185、惰性氣體供給部186、加熱氣供給部187和液體加熱部188。在圖17中，為了方便圖示，描畫了比實際個數(shù)少的加熱氣供給噴嘴180a及加熱液供給噴嘴180b。
[0151]藥液供給部183與液體加熱部188相連，液體加熱部188通過閥與上部噴嘴181及多個加熱液供給噴嘴180b相連。從藥液供給部183向液體加熱部188供給的藥液由液體加熱部188加熱。已加熱的藥液被供給到上部噴嘴181及多個加熱液供給噴嘴180b。能夠由控制部10分別獨立控制藥液向上部噴嘴181的供給開始及停止、藥液向加熱液供給噴嘴180b的供給開始及停止。
[0152]純水供給部184及IPA供給部185分別通過閥與上部噴嘴181相連。下部噴嘴182通過閥與純水供給部184相連。上部噴嘴181還通過閥與惰性氣體供給部186相連。上部噴嘴181是用于向容腔12的內(nèi)部供給氣體的氣體供給部的一部分。多個加熱氣供給噴嘴180a通過閥與加熱氣供給部187相連。
[0153]與盛液部16的盛液凹部165相連的第一排出路191與氣液分離部193相連。氣液分離部193與外側(cè)排氣部194、藥液回收部195及排液部196分別通過閥相連。與容腔12的容腔底部210相連的第二排出路192，與氣液分離部197相連。氣液分離部197與內(nèi)側(cè)排氣部198及排液部199分別通過閥相連。氣液供給部18及氣液排出部19的各結(jié)構(gòu)由控制部10所控制。容腔開閉機(jī)構(gòu)131、基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)15及防濺部移動機(jī)構(gòu)162 (參照圖16)也由控制部10所控制。
[0154]從藥液供給部183經(jīng)由上部噴嘴181及多個加熱液供給噴嘴180b供給到基板9上的藥液，是利用化學(xué)反應(yīng)對基板進(jìn)行處理的處理液，例如是氟酸和/或四甲基氫氧化銨水溶液等的蝕刻液。純水供給部184經(jīng)由上部噴嘴181或下部噴嘴182向基板9供給純水(DIff:de1nized water)。IPA供給部185經(jīng)由上部噴嘴181向基板9上供給異丙醇(IPA)。在基板處理裝置Ia上也可以設(shè)置用于供給除了上述處理液(上述藥液、純水及IPA)以外的處理液的處理液供給部。
[0155]惰性氣體供給部186經(jīng)由上部噴嘴181向容腔12內(nèi)供給惰性氣體。加熱氣供給部187經(jīng)由多個加熱氣供給噴嘴180a向基板9的下表面92供給已加熱的氣體(例如，高溫惰性氣體)。在本實施方式中，在惰性氣體供給部186及加熱氣供給部187中使用的氣體是氮(N2)氣，但是也可以是氮氣以外的氣體。此外，在利用已在加熱氣供給部187中加熱的惰性氣體的情況下，可簡化或不設(shè)置基板處理裝置Ia中的防爆措施。
[0156]圖18是示出多個加熱氣供給噴嘴180a及多個加熱液供給噴嘴180b在容腔底部210的下表面對置部211上的配置的俯視圖。在圖18中，未圖示加熱氣供給噴嘴180a整體，而利用標(biāo)注標(biāo)記1801的實線圓圈表示了各加熱氣供給噴嘴180a在下表面對置部211上的安裝位置。另外，未圖示加熱液供給噴嘴180b整體，而利用標(biāo)注標(biāo)記1804的實線圓圈表示了各加熱液供給噴嘴180b的安裝位置。
[0157]如圖18所示，在下表面對置部211上設(shè)置有六個加熱氣供給噴嘴180a。當(dāng)將與中心軸Jl之間的徑向距離相等的兩個加熱氣供給噴嘴180a稱作“噴嘴對”時，在下表面對置部211上設(shè)置有三對加熱氣供給噴嘴180a的噴嘴對。各噴嘴對中的兩個加熱氣供給嗔嘴180a，在以中心軸Jl為中心的冋一圓周上配直在隔著中心軸Jl相互對直的位直上。換言之，各噴嘴對中的兩個加熱氣供給噴嘴180a，在以中心軸Jl為中心的圓周方向上隔開180°配置。六個加熱氣供給噴嘴180a在圓周方向上以等角度間隔(60°間隔)配置。在圖16中，將六個加熱氣供給噴嘴180a描畫在了同一截面上(在圖19、圖20及圖21中也同樣)。
[0158]在下表面對置部211上，另外還設(shè)置有六個加熱液供給噴嘴180b。兩個加熱液供給嗔嘴180b在以中心軸Jl為中心的冋一圓周上配直在隔著中心軸Jl相互對直的位直上。其他四個加熱液供給噴嘴180b在上述兩個加熱液供給噴嘴180b的徑向外側(cè)，配置在以中心軸Jl為中心的同一圓周上。該四個加熱液供給噴嘴180b在圓周方向上以等角度間隔(90。間隔)配置。
[0159]例如，在對半徑約為150mm (毫米)的基板9進(jìn)行處理時所使用的基板處理裝置Ia中，離中心軸Jl最近的噴嘴對的各加熱氣供給噴嘴180a的噴出口中心和中心軸Jl之間的徑向距離(下面，稱作“噴出口 -中心軸間距離”)約為65mm。離中心軸Jl第二個近的噴嘴對的各加熱氣供給噴嘴180a的噴出口 -中心軸間距離約為95mm。離中心軸Jl最遠(yuǎn)的噴嘴對中的各加熱氣供給噴嘴180a的噴出口 -中心軸間距離約為145mm。另外，離中心軸Jl近的兩個加熱液供給噴嘴180b的吐出口中心與中心軸Jl之間的徑向距離(下面，稱作“吐出口-中心軸間距離”)分別約為60mm。離中心軸Jl遠(yuǎn)的四個加熱液供給噴嘴180b的吐出口-中心軸距離分別約為120mm。
[0160]圖19是放大示出下表面對置部211附近的剖面圖。如圖19所示，在由基板支撐部141支撐基板9時，下表面對置部211的對置面211a在基板支撐部141的徑向內(nèi)側(cè)與基板9的下表面92相對置。對置面211a是隨著與中心軸Jl之間的距離增大而向下傾斜(SP，遠(yuǎn)離基板9)的傾斜面，以遍及基板9的幾乎整個下表面92的方式擴(kuò)展形成。對置面211a和基板9的下表面92之間的距離在下部噴嘴182附近達(dá)到最小，例如為5mm。另外，該距離在基板9的外緣部達(dá)到最大，例如為30mm。
[0161]各加熱氣供給噴嘴180a及各加熱液供給噴嘴180b從對置面211a突出。各加熱氣供給噴嘴180a通過在下表面對置部211的內(nèi)部形成的加熱氣配管(省略圖示)與加熱氣供給部187 (參照圖17)相連。各加熱液供給噴嘴180b通過在下表面對置部211的內(nèi)部形成的加熱液配管(省略圖示)與液體加熱部188相連。
[0162]各加熱氣供給噴嘴180a的噴出口 1802以及各加熱液供給噴嘴180b的吐出口1805，在對置面211a的上方，靠近基板9的下表面92。各加熱氣供給噴嘴180a以其中心軸大體沿著對置面211a在安裝位置1801處的法線延伸的方式固定在下表面對置部211上。各加熱液供給噴嘴180b也同樣地，以其中心軸大體沿著對置面211a在安裝位置1804處的法線延伸的方式，固定在下表面對置部211上。因此，各加熱氣供給噴嘴180a以噴出口1802位于比安裝位置1801稍微靠向徑向外側(cè)的方式，相對于中心軸Jl傾斜。另外，各加熱液供給噴嘴180b也以吐出口 1805位于比安裝位置1804稍微靠近徑向外側(cè)的方式，相對于中心軸Jl傾斜。
[0163]在基板處理裝置Ia中的對基板9的處理流程，與圖7所示的處理流程幾乎同樣。如圖16所示，在基板處理裝置Ia中，在容腔蓋部122遠(yuǎn)離容腔本體121而位于其上方且防濺部161遠(yuǎn)離容腔蓋部122而位于其下方的狀態(tài)下，基板9由外部的搬送機(jī)構(gòu)搬入至容腔12內(nèi)，而被基板支撐部141從下側(cè)支撐(步驟S11)。下面，將圖16所示的容腔12及防濺部161的狀態(tài)稱作“打開狀態(tài)”。容腔蓋部122和容腔側(cè)壁部214之間的開口呈以中心軸Jl為中心的環(huán)狀，下面稱之為“環(huán)狀開口 81”。在基板處理裝置Ia中，通過使容腔蓋部122遠(yuǎn)離容腔本體121，由此在基板9的周圍(B卩，徑向外側(cè))形成環(huán)狀開口 81。在步驟Sll中，經(jīng)由環(huán)狀開口 81搬入基板9。
[0164]當(dāng)搬入了基板9時，防濺部161從圖16所示的位置上升至圖20所示的位置，從而在整個外周上位于環(huán)狀開口 81的徑向外側(cè)。在下面的說明中，將圖20所示的容腔12及防濺部161的狀態(tài)稱作“第一密閉狀態(tài)”。另外，將圖20所示的防濺部161的位置稱作“盛液位置”，將圖16所示的防濺部161的位置稱作“退避位置”。防濺部移動機(jī)構(gòu)162使防濺部161在上下方向上在環(huán)狀開口 81的徑向外側(cè)的盛液位置和盛液位置下方的退避位置之間移動。
[0165]在位于盛液位置的防濺部161，側(cè)壁部611在徑向上與環(huán)狀開口 81相對置。另外，上面部612的內(nèi)緣部的上表面在整個外周上與容腔蓋部122的外緣部下端的唇形密封件232相接觸。在容腔蓋部122和防濺部161的上面部612之間，形成有防止氣體及液體的通過的密封部。由此，形成由容腔本體121、容腔蓋部122、防濺部161及防濺對置部163所包圍的密閉的內(nèi)部空間(下面，稱作“擴(kuò)張密閉空間100 ”)。
[0166]擴(kuò)張密閉空間100是容腔蓋部122和容腔本體121之間的容腔空間120通過環(huán)狀開口 81與由防濺部161和防濺對置部163所包圍的側(cè)方空間160連通而形成的一個空間。容腔蓋部122、容腔本體121、防濺部161及防濺對置部163是形成擴(kuò)張密閉空間100的密閉空間形成部。
[0167]在第一密閉狀態(tài)下，基板按壓部142的多個第二接觸部421與基板9的外緣部相接觸。在頂板123的下面以及基板支撐部141的支撐部基座413上，設(shè)置有在上下方向上相向的多對磁鐵(省略圖示)。下面，將各對磁鐵還稱作“磁鐵對”。在基板處理裝置Ia中，多個磁鐵對在圓周方向上以等角度間隔配置在與第一接觸部411、第二接觸部421、第一卡合部241及第二卡合部242不同的位置上。在基板按壓部142與基板9相接觸的狀態(tài)下，借助作用于磁鐵對之間的磁力(引力)，對頂板123施加向下的力。由此，基板按壓部142將基板9向基板支撐部141按壓。
[0168]在基板處理裝置Ia中，借助頂板123的自重以及磁鐵對的磁力，基板按壓部142將基板9向基板支撐部141按壓，由此能夠利用基板按壓部142和基板支撐部141上下夾持基板9來牢固保持。
[0169]在第一密閉狀態(tài)下，被保持部237的法蘭盤部239與板保持部222的法蘭盤部224具有間隔地位于其上方，板保持部222與被保持部237不接觸。換言之，板保持部222對頂板123的保持被解除。因此，頂板123從容腔蓋部122獨立出來，通過基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)15與基板保持部14及由基板保持部14保持的基板9 一同旋轉(zhuǎn)。
[0170]另外，在第一密閉狀態(tài)下，在第一卡合部241下部的凹部嵌入有第二卡合部242。由此，頂板123在以中心軸Jl為中心的圓周方向上與基板支撐部141的支撐部基座413卡合。換言之，第一卡合部241及第二卡合部242是用于限制頂板123相對基板支撐部141在旋轉(zhuǎn)方向上的相對位置(即，固定圓周方向上的相對位置)的位置限制構(gòu)件。在容腔蓋部122下降時，由基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)15控制支撐部基座413的旋轉(zhuǎn)位置，以使第一卡合部241與第二卡合部242嵌合。
[0171]接著，通過基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)15開始以規(guī)定轉(zhuǎn)數(shù)(較低的轉(zhuǎn)數(shù)，下面稱作“恒定轉(zhuǎn)數(shù)”)旋轉(zhuǎn)基板9。此外，開始從惰性氣體供給部186(參照圖17)向擴(kuò)張密閉空間100供給惰性氣體(在此為氮氣)，并且利用外側(cè)排氣部194開始將擴(kuò)張密閉空間100內(nèi)的氣體排出。由此，在經(jīng)過規(guī)定時間之后，擴(kuò)張密閉空間100形成填充了惰性氣體的惰性氣體充填狀態(tài)(即，氧濃度低的低氧氛圍)。此外，向擴(kuò)張密閉空間100的惰性氣體的供給以及從擴(kuò)張密閉空間100內(nèi)的氣體的排出，也可以從圖16所示的打開狀態(tài)開始進(jìn)行。
[0172]接著,通過控制部10的控制,從多個加熱液供給噴嘴180b向旋轉(zhuǎn)的基板9的下表面92開始供給加熱至高于基板9的溫度的藥液(S卩，加熱液)。來自各加熱液供給噴嘴180b的加熱液在中心軸Jl和基板9的外周緣(邊緣)之間，連續(xù)向基板9的下表面92供給。供給到下表面92的加熱液借助基板9的旋轉(zhuǎn)向基板9的外周部擴(kuò)展。由此，開始對基板9的下表面92進(jìn)行藥液處理，并且開始對基板9進(jìn)行加熱。結(jié)合藥液的種類及對基板9的處理等適當(dāng)決定加熱液的溫度，例如其溫度約為50?80°C。另外，從多個加熱液供給噴嘴180b向基板9的下表面92供給的加熱液的合計流量例如是每分鐘約2?3升。
[0173]當(dāng)將基板9被加熱至規(guī)定溫度時，通過控制部10的控制，從上部噴嘴181向旋轉(zhuǎn)的基板9的上表面91的中央部開始供給加熱至高于基板9的溫度的藥液。向基板9的上表面91的藥液排出，僅在基板9的中央部進(jìn)行，而不在中央部以外的部位進(jìn)行。來自上部噴嘴181的藥液連續(xù)地供給至旋轉(zhuǎn)的基板9的上表面91。上表面91上的藥液借助基板9的旋轉(zhuǎn)向基板9的外周部擴(kuò)展，由此上表面91整體被藥液所覆蓋。
[0174]在從上部噴嘴181供給藥液的過程中，也持續(xù)地從加熱液供給噴嘴180b供給加熱液。由此，在擴(kuò)張密閉空間100內(nèi)，一邊將基板9加熱至大體所希望的溫度，一邊執(zhí)行利用從上部噴嘴181供給的藥液對基板9的上表面91進(jìn)行蝕刻的蝕刻處理以及利用從加熱液供給噴嘴180b供給的加熱液對基板9的下表面92進(jìn)行蝕刻的蝕刻處理(步驟S12)。從上部噴嘴181向基板9的上表面91供給的藥液的流量例如是每分鐘約0.5?I升。由于頂板123的下表面靠近基板9的上表面91，因而對基板9的蝕刻是在頂板123的下表面與基板9的上表面91之間的極其狹窄的空間內(nèi)進(jìn)行的。
[0175]在擴(kuò)張密閉空間100中，從旋轉(zhuǎn)的基板9的上表面91飛散的藥液經(jīng)由環(huán)狀開口 81被防濺部161阻擋，導(dǎo)入到盛液凹部165。導(dǎo)入到盛液凹部165的藥液經(jīng)由圖17所示的第一排出路191流入氣液分離部193。在藥液回收部195中，從氣液分離部193回收藥液，利用過濾器等從藥液中除去雜質(zhì)等之后，進(jìn)行再利用。
[0176]當(dāng)開始從上部噴嘴181供給藥液起經(jīng)過規(guī)定時間(例如，60?120秒)時，則停止從上部噴嘴181供給藥液以及停止從加熱液供給噴嘴180b供給加熱液。此外，通過基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)15，使基板9的轉(zhuǎn)數(shù)僅在規(guī)定時間(例如，I?3秒)內(nèi)變得比恒定轉(zhuǎn)數(shù)高，由此從基板9除去藥液。
[0177]接著，容腔蓋部122及防濺部161同步地向下方移動。此外，如圖21所示，容腔蓋部122的外緣部下端的唇形密封件231與容腔側(cè)壁部214的上部接觸，由此環(huán)狀開口 81關(guān)閉，從而使容腔空間120以與側(cè)方空間160隔絕的狀態(tài)密閉。防濺部161與圖16同樣地位于退避位置。下面，將圖21所示的容腔12及防濺部161的狀態(tài)稱作“第二密閉狀態(tài)”。在第二密閉狀態(tài)下，基板9直接面對容腔12的內(nèi)壁，它們之間不存在其他盛液部。
[0178]在第二密閉狀態(tài)下，也與第一密閉狀態(tài)同樣地，基板按壓部142將基板9向基板支撐部141按壓，由此能夠利用基板按壓部142和基板支撐部141上下夾持基板9來牢固保持。另外，板保持部222對頂板123的保持被解除，由此頂板123從容腔蓋部122獨立出來，與基板保持部14及基板9 一同旋轉(zhuǎn)。
[0179]當(dāng)容腔空間120密閉，則停止基于外側(cè)排氣部194 (參照圖17)排出氣體，并開始利用內(nèi)側(cè)排氣部198排出容腔空間120內(nèi)的氣體。之后，利用純水供給部184開始向基板9供給作為清洗液或清潔液的純水(步驟S13)。
[0180]來自純水供給部184的純水從上部噴嘴181及下部噴嘴182吐出后，連續(xù)供給至基板9的上表面91及下表面92的中央部。通過基板9的旋轉(zhuǎn)，純水?dāng)U散到上表面91及下表面92的外周部，從基板9的外周緣向外側(cè)飛散。從基板9飛散出去的純水被容腔12的內(nèi)壁(即，容腔蓋部122及容腔側(cè)壁部214的內(nèi)壁)阻擋，經(jīng)由圖17所示的第二排出路192、氣液分離部197及排液部199而被排出(在后述的對基板9的干燥處理中也同樣)。由此，與基板9的上表面91及下表面92的清洗處理及清潔處理一同，還實質(zhì)性地執(zhí)行對容腔12內(nèi)的清潔。
[0181]當(dāng)從開始供給純水起經(jīng)過規(guī)定時間，則停止從純水供給部184供給純水。此外，通過控制部10的控制，從加熱氣供給噴嘴180a向基板9的下表面92，開始噴出加熱至高于基板9的溫度的惰性氣體(S卩，加熱氣體)。來自各加熱氣供給噴嘴180a的加熱氣體在中心軸Jl和基板9的外周緣(邊緣)之間，向基板9的下表面92連續(xù)噴出。從加熱氣供給噴嘴180a向基板9的下表面92噴射的加熱氣體在基板9的下方空間擴(kuò)散。由此，基板9被加熱。加熱氣體的溫度例如是約160?200°C。另外，從多個加熱氣供給噴嘴180a供給的加熱氣體的合計流量例如是每分鐘約150?200升。
[0182]接著，從上部噴嘴181向基板9的上表面91上供給IPA，由此在上表面91上純水被置換為IPA (步驟S14)。當(dāng)從開始供給IPA起經(jīng)過規(guī)定時間，則停止從IPA供給部185供給IPA。此后，在從加熱氣供給噴嘴180a持續(xù)噴出加熱氣體的狀態(tài)下，使基板9的轉(zhuǎn)數(shù)變得足夠高于恒定轉(zhuǎn)數(shù)。由此，通過從基板9上除去IPA來執(zhí)行對基板9的干燥處理(步驟S15)。當(dāng)從開始干燥基板9起經(jīng)過規(guī)定時間，則停止旋轉(zhuǎn)基板9。也可以通過內(nèi)側(cè)排氣部198對容腔空間120進(jìn)行減壓，來在低于大氣壓的減壓氛圍下執(zhí)行對基板9的干燥處理。
[0183]此后，容腔蓋部122和頂板123上升，如圖16所示，容腔12呈打開狀態(tài)。在步驟S15中，頂板123與基板支撐部141 一同旋轉(zhuǎn)，因此，液體幾乎不會殘留在頂板123的下表面，所以在容腔蓋部122上升時，液體不會從頂板123滴落到基板9上。利用外部的搬送機(jī)構(gòu)，從容腔12中搬出基板9 (步驟S16)。
[0184]如以上說明，在基板處理裝置Ia中設(shè)置有:上部噴嘴181，向基板9的上表面91供給高于基板9的溫度的藥液；以及加熱液供給噴嘴180b，在中心軸Jl和基板9的外周緣之間向基板9的下表面92供給高于基板9的溫度的加熱液。由此，能夠抑制或防止基板9的溫度以及供給到基板9的上表面91上的藥液溫度，沿著基板9的中央部向外周部延伸的方向降低的現(xiàn)象。其結(jié)果，能夠提高基板9及基板9上的藥液的溫度均勻性，從而能夠提高對基板9的上表面91的蝕刻處理在面上的均勻性。另外，能夠與對上表面91的蝕刻處理并行地執(zhí)行利用加熱液的對基板9的下表面的蝕刻處理。
[0185]如上所述，在基板處理裝置Ia中，能夠提高基板9及基板9上的藥液的溫度均勻性。因此，基板處理裝置Ia的結(jié)構(gòu)特別適于供給到基板9的上表面91上的藥液的溫度沿著基板9的中央部向外周部延伸的方向容易降低的基板處理裝置，例如是用于向基板9的上表面91吐出藥液的上部噴嘴181與上表面91的中央部相對置而固定的基板處理裝置。在上部噴嘴181與基板9的上表面91的中央部相對置而固定的基板處理裝置中，由于供給到上表面91上的藥液到從外緣飛散出去為止在基板9上的移動距離長，因而能夠?qū)⒐┙o到上表面91上的藥液高效地使用到蝕刻處理中。
[0186]在基板處理裝置Ia中，另外還設(shè)置有加熱氣供給噴嘴180a，該加熱氣供給噴嘴180a在中心軸Jl和基板9的外周緣之間向基板9的下表面92供給高于基板9的溫度的加熱氣體。由此，在對基板9進(jìn)行干燥時，能夠以不向基板9供給液體的方式加熱基板9，從而能夠增大基板9上的IPA的揮發(fā)性。其結(jié)果，能夠迅速地干燥基板9，并且能夠抑制或防止在對基板9進(jìn)行干燥時損傷基板9的上表面91上的微細(xì)圖案。
[0187]在基板處理裝置Ia中，在多個加熱液供給噴嘴180b中，兩個以上的加熱液供給噴嘴180b位于以中心軸Jl為中心的同一圓周上。由此，能夠縮短基板9上的該圓上方的各部位，在從通過加熱液供給噴嘴180b的上方而接受加熱液的供給之后，直至移動到下一個加熱液供給噴嘴180b的上方為止的時間。由此，能夠抑制基板9的各部位在加熱液供給噴嘴180b之間移動時的溫度下降(S卩，旋轉(zhuǎn)中的溫度下降)。其結(jié)果，在對基板9執(zhí)行藥液處理時，能夠更加提高圓周方向上的基板9及基板9上的藥液的溫度均勻性，從而能夠進(jìn)一步提高對基板9的蝕刻處理在面上的均勻性。
[0188]另外，在基板處理裝置Ia中，設(shè)置有與中心軸Jl之間的徑向距離不同的多個加熱液供給噴嘴180b。換言之，在多個加熱液供給噴嘴180b中，一個加熱液供給噴嘴180b和中心軸Jl之間的徑向距離與其他一個加熱液供給噴嘴180b和中心軸Jl之間的徑向距離不同。由此，能夠更進(jìn)一步抑制或防止供給到基板9的上表面91的藥液的溫度沿著基板9的中央部向外周部延伸的方向下降的現(xiàn)象。其結(jié)果，能夠更加提高基板9及基板9上的藥液在徑向上的溫度均勻性，從而能夠進(jìn)一步提高對基板9的上表面91的蝕刻處理在面上的均勻性。
[0189]如上所述，從上部噴嘴181向基板9的上表面91供給的藥液和從加熱液供給噴嘴180b向基板9的下表面92供給的加熱液，是從一個藥液供給部183供給的相同的液體。在將該液體(藥液)向上部噴嘴181及加熱液供給噴嘴180b供給之前，利用一個液體加熱部188加熱該液體。由此，能夠?qū)崿F(xiàn)基板處理裝置Ia的結(jié)構(gòu)簡化，并且能夠?qū)崿F(xiàn)基板處理裝置Ia的小型化。
[0190]在基板處理裝置Ia中，在多個加熱氣供給噴嘴180a中，兩個以上的加熱氣供給噴嘴180a位于以中心軸Jl為中心的同一圓周上。由此，能夠縮短基板9上的該圓上方的各部位，在從通過加熱氣供給噴嘴180a的上方而接受加熱氣體的供給之后，直至移動到下一個加熱氣供給噴嘴180a的上方為止的時間。由此，能夠抑制基板9的各部位在加熱氣供給噴嘴180a之間移動時的溫度下降(S卩，旋轉(zhuǎn)中的溫度下降)。其結(jié)果，在對基板9執(zhí)行干燥處理時，能夠更加提高基板9在圓周方向上的溫度均勻性，從而能夠進(jìn)一步迅速地干燥基板9。另外，能夠更進(jìn)一步抑制或防止在對基板9進(jìn)行干燥時損傷基板9的上表面91上的微細(xì)圖案。
[0191]在基板處理裝置Ia中，設(shè)置有與中心軸Jl之間的徑向距離不同的多個加熱氣供給噴嘴180a。換言之，在多個加熱氣供給噴嘴180a中，一個加熱氣供給噴嘴180a和中心軸Jl之間的徑向距離與其他一個加熱氣供給噴嘴180a和中心軸Jl之間的徑向距離不同。由此，能夠更加提高基板9在徑向上的溫度均勻性，從而能夠進(jìn)一步迅速地干燥基板9。另夕卜，能夠更進(jìn)一步抑制或防止在對基板9進(jìn)行干燥時對基板9的上表面91上的微細(xì)圖案的損傷。
[0192]如上所述,加熱液供給噴嘴180b從下表面對置部211的對置面211a突出。由此，能夠抑制從下部噴嘴182供給到基板9的下表面92的純水等處理液從吐出口 1805流入到加熱液供給噴嘴180b內(nèi)的現(xiàn)象。另外，通過使加熱液供給噴嘴180b相對于中心軸Jl傾斜，能夠更進(jìn)一步抑制純水等處理液流入到加熱液供給噴嘴180b中的現(xiàn)象。
[0193]加熱氣供給噴嘴180a也從下表面對置部211的對置面211a突出。由此，能夠抑制從加熱液供給噴嘴180b供給到下表面92的藥液及從下部噴嘴182供給到基板9的下表面92的純水，從噴出口 1802流入到加熱氣供給噴嘴180a內(nèi)的現(xiàn)象。另外，通過使加熱氣供給噴嘴180a相對于中心軸Jl傾斜，能夠更進(jìn)一步抑制藥液或純水等處理液流入到加熱氣供給噴嘴180a中的現(xiàn)象。
[0194]如上所述，下表面對置部211的對置面211a是隨著遠(yuǎn)離中心軸Jl而遠(yuǎn)離基板9的傾斜面。由此，能夠使供給到基板9的下表面92的藥液或純水等處理液容易導(dǎo)向?qū)χ妹?11a的徑向外側(cè)。其結(jié)果，能夠防止該處理液殘留在對置面211a上的現(xiàn)象。
[0195]圖22是示出在基板處理裝置Ia中在向基板9的下表面92供給加熱液的同時進(jìn)行了藥液處理時(步驟S12)的基板9的溫度分布的圖。在圖22中，示出半徑約為150mm的基板9的溫度分布。圖22的橫軸表示從中心軸Jl到各測定位置之間的徑向距離，縱軸表示基板9的各測定位置上的溫度(在圖23中也同樣)。在圖22中的空心四角形標(biāo)記表示在基板處理裝置Ia中進(jìn)行藥液處理時的基板9的溫度，黑圓點標(biāo)記表示在上述第一比較例的基板處理裝置中進(jìn)行藥液處理時的基板的溫度。在第一比較例的基板處理裝置中，未設(shè)置有加熱液供給噴嘴，所以從上部噴嘴向基板的上表面供給高于基板溫度的藥液，但不向基板的下表面供給加熱液。如圖22所示，在基板處理裝置Ia中，與第一比較例的基板處理裝置相比，能夠抑制基板9的溫度沿著基板9的中央部向外周部延伸的方向下降的現(xiàn)象。
[0196]在基板處理裝置Ia中，在對基板9的上表面91進(jìn)行藥液處理時，不對基板9的下表面92進(jìn)行藥液處理的情況下，也可以取代從加熱液供給噴嘴180b供給加熱液，而與從上部噴嘴181供給藥液并行地，從加熱氣供給噴嘴180a向基板9的下表面92供給加熱氣體。圖23是示出取代加熱液而將加熱氣體供給到基板9的下表面92的情況下進(jìn)行藥液處理時(步驟S12)的基板9的溫度分布的圖。圖23中的空心三角形標(biāo)記表示在基板處理裝置Ia中進(jìn)行藥液處理時的基板9的溫度，黑圓點標(biāo)記表示在上述第一比較例的基板處理裝置中進(jìn)行藥液處理時的基板的溫度。如圖23所示，在進(jìn)行藥液處理時向基板9的下表面92供給加熱氣體的情況下，與第一比較例的基板處理裝置相比，也能夠抑制基板9的溫度沿著基板9的中央部向外周部延伸的方向下降的現(xiàn)象。
[0197]但是，當(dāng)假設(shè)為在開放的處理空間中對基板進(jìn)行處理的基板處理裝置(下面，稱作“第二比較例的基板處理裝置”)的情況下，在第二比較例的基板處理裝置中，為了防止含有藥液成分的氣體擴(kuò)散到外部，在用藥液處理基板時，大流量地排出該處理空間內(nèi)的氣體。另夕卜，為了防止微粒(Par ticle)附著到基板上,還生成向下的氣流(Downf I ow )。因此,在基板的周圍生成從上向下的氣流，因該氣流基板的溫度容易降低?；宓臏囟认陆翟诨宓耐饩壊匡@著，因此基板的溫度分布均勻性降低。其結(jié)果，基于藥液的基板處理的均勻性降低。雖然可以想到通過向基板大流量地供給加熱到規(guī)定溫度的藥液來抑制基板的溫度分布均勻性的降低，但會導(dǎo)致藥液的消耗量增大。
[0198]相對于此，在基板處理裝置Ia中，由作為密閉空間形成部的容腔12、防濺部161及防濺對置部163形成，比作為第二比較例的基板處理裝置的處理空間小的密閉空間的擴(kuò)張密閉空間100。由此，能夠抑制基板9的熱擴(kuò)散。
[0199]在形成擴(kuò)張密閉空間100的基板處理裝置Ia中，含有藥液成分的氣體不會向外部擴(kuò)散，而且生成用于防止微粒附著到基板上的向下氣流的必要性也較低，因而能夠較低地設(shè)定流入擴(kuò)張密閉空間100的氣體流量及從擴(kuò)張密閉空間100流出的氣體流量。因此，能夠進(jìn)一步抑制基板9的溫度下降。其結(jié)果，能夠?qū)碜约訜嵋汗┙o噴嘴180b的加熱液的流量設(shè)定得較小，并且能夠提高基板的溫度分布均勻性。另外，也沒有必要將加熱到規(guī)定溫度的藥液大流量地供給到基板9的上表面91 (即，能夠減少藥液的消耗量)，因而還能夠減少基板處理裝置Ia的成本(COO:cost of ownership)ο
[0200]在基板處理裝置Ia中，在進(jìn)行上述藥液處理時，也可以取代步驟S12而進(jìn)行圖12所示的步驟S121。在步驟S121中，通過控制部10的控制，與步驟S12同樣地，從上部噴嘴181向旋轉(zhuǎn)的基板9的上表面91供給已加熱的藥液，與該藥液的供給并行地，從加熱液供給噴嘴180b向基板9的下表面92供給加熱液。在步驟S121中，進(jìn)而，與從上部噴嘴181的藥液供給及從加熱液供給噴嘴180b的加熱液供給并行地，從加熱氣供給噴嘴180a向基板9的下方空間供給加熱氣體。
[0201]從加熱氣供給噴嘴180a向基板9的下方空間的加熱氣體的供給，與在上述基板9的干燥處理(步驟S15)中從加熱氣供給噴嘴180a的加熱氣體的噴出相比，更加緩慢地進(jìn)行。因此，能夠防止從加熱液供給噴嘴180b向基板9的下表面92供給的加熱液，因來自加熱氣供給噴嘴180a的加熱氣體而從下表面92上彈飛的現(xiàn)象、以及在下表面92上移動的加熱液的流動被來自加熱氣供給噴嘴180a的加熱氣體打亂的現(xiàn)象。
[0202]在步驟S121中，在供給到基板9的下方空間的高溫加熱氣體的氛圍中，來自加熱液供給噴嘴180b的加熱液供給到基板9的下表面92，并在下表面92上向外周部移動。因此，在向基板9供給加熱液時及加熱液在基板9上移動時，能夠抑制加熱液的溫度下降。
[0203]能夠?qū)ι鲜龅幕逄幚硌b置l、la，進(jìn)行各種變更。
[0204]在圖1所示的基板處理裝置I中，例如，在下表面對置部211中，加熱氣配管808及加熱液配管806不是必須是雙層管，也可以相互分開設(shè)置。另外，不是必須要設(shè)置加熱液歧管807。
[0205]在圖1所示的基板處理裝置I中，供給噴嘴180不是必須是加熱液供給噴嘴180b位于加熱氣供給噴嘴180a內(nèi)側(cè)的雙層管。就供給噴嘴180的結(jié)構(gòu)而言，只要是加熱氣供給噴嘴180a和加熱液供給噴嘴180b共有與加熱氣體及加熱液直接接觸的分隔壁而成為一個供給噴嘴180的結(jié)構(gòu)，就能夠進(jìn)行各種變更。例如，如圖24所示，也可以利用分隔壁803將圓筒狀的供給噴嘴180c的內(nèi)側(cè)分割成兩個部分。在供給噴嘴180c中，分隔壁803右側(cè)的部位成為加熱氣供給噴嘴180a，分隔壁803左側(cè)的部位成為加熱液供給噴嘴180b。
[0206]在基板處理裝置1、Ia中，下部噴嘴182與液體加熱部188及藥液供給部183相連，在步驟S12、S121中向基板9的下表面92供給加熱液時，也可以向下表面92的中央部也供給加熱液(即，加熱至高于基板9的溫度的藥液)。換言之，與基板9的下表面92的中央部對置的下部噴嘴182，也可以包含在多個加熱液供給噴嘴180b中。
[0207]在基板處理裝置1、la中，也可以取代液體加熱部188，而設(shè)置對從藥液供給部183向上部噴嘴181供給的藥液進(jìn)行加熱的第一液體加熱部、以及與第一液體加熱部獨立地對從藥液供給部183向加熱液供給噴嘴180b供給的藥液進(jìn)行加熱的第二液體加熱部。由此，能夠獨立分開控制向基板9的上表面91供給的藥液和向基板9的下表面92供給的加熱液的溫度。
[0208]上部噴嘴181不是必須要與基板9的上表面91的中央部相對置的方式固定。就上部噴嘴181而言，只要至少能夠向上表面91的中央部供給處理液(B卩，上述的藥液、純水、IPA等)，例如也可以采用在基板9的上方的基板9的中央部和外緣部之間反復(fù)往復(fù)移動的同時供給處理液的結(jié)構(gòu)。
[0209]從上部噴嘴181向基板9的上表面91供給的處理液和從加熱液供給噴嘴180b向基板9的下表面92供給的加熱液，也可以是不同的液體。另外，從上部噴嘴181向容腔12內(nèi)供給的惰性氣體，也可以是與從加熱氣供給噴嘴180a供給的加熱氣體不同的氣體。例如，在干燥基板9時，也可以從上部噴嘴181供給氮氣，從加熱氣供給噴嘴180a供給干燥空氣。由此，能夠降低干燥基板9的運行成本。
[0210]在圖1所示的基板處理裝置I中，容腔底部210的下表面對置部211的對置面211a，也可以是與基板9的下表面92平行的面。另外，設(shè)置在下表面對置部211上的供給噴嘴180的數(shù)目，可以是一個，也可以是兩個以上。即，在基板處理裝置I中，至少設(shè)置有一個供給噴嘴180。也可以與進(jìn)行藥液處理時和/或進(jìn)行干燥時所要求的基板9的溫度等相結(jié)合地，適當(dāng)變更噴嘴在供給噴嘴180的徑向上的位置和/或設(shè)置在同一圓周上的噴嘴數(shù)目。
[0211]在圖16所示的基板處理裝置Ia中，容腔底部210的下表面對置部211的對置面211a，也可以是與基板9的下表面92平行的面。另外，設(shè)置在下表面對置部211上的加熱氣供給噴嘴180a的數(shù)目，可以是一個，也可以是兩個以上。另外，加熱液供給噴嘴180b的數(shù)目也可以是一個，也可以是兩個以上。即，在基板處理裝置Ia中，設(shè)置有至少一個加熱氣供給噴嘴180a和至少一個加熱液供給噴嘴180b。也可以與進(jìn)行藥液處理時及/或進(jìn)行干燥時所要求的基板9的溫度等相結(jié)合地，適當(dāng)變更加熱氣供給噴嘴180a及加熱液供給噴嘴180b在徑向上的位置及/或設(shè)置在同一圓周上的噴嘴數(shù)目。
[0212]在基板處理裝置1、la中，也可以設(shè)置有向容腔空間120供給氣體來進(jìn)行加壓的加壓部。在容腔12密閉的第二密閉狀態(tài)下，對容腔空間120進(jìn)行加壓，由此容腔空間120處于高于大氣壓的加壓氛圍。此外，也可以將惰性氣體供給部186及加熱氣供給部187兼做加壓部。
[0213]容腔開閉機(jī)構(gòu)131不是必須要使容腔蓋部122在上下方向上移動，也可以在容腔蓋部122固定的狀態(tài)下，使容腔本體121在上下方向上移動。容腔12的形狀不是必須限定于大體圓筒狀，也可以是各種形狀。
[0214]對基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)15的定子部151及轉(zhuǎn)子部152的形狀及結(jié)構(gòu)，也可以進(jìn)行各種變更。轉(zhuǎn)子部152不是必須要在懸浮狀態(tài)下旋轉(zhuǎn)，也可以在容腔12內(nèi)以機(jī)械方式支撐轉(zhuǎn)子部152的導(dǎo)軌等的結(jié)構(gòu)來使轉(zhuǎn)子部152沿該導(dǎo)軌旋轉(zhuǎn)?；逍D(zhuǎn)機(jī)構(gòu)15不是必須是中空馬達(dá)，也可以將軸旋轉(zhuǎn)型馬達(dá)用作基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)。
[0215]在基板處理裝置I中，也可以通過使防濺部161的除了上面部612以外的部位(例如，側(cè)壁部611)與容腔蓋部122接觸，來形成擴(kuò)張密閉空間100。也可以適當(dāng)變更防濺部161的形狀。
[0216]在基板處理裝置1、la中，上部噴嘴181、下部噴嘴182、供給噴嘴180、加熱氣供給噴嘴180a及加熱液供給噴嘴180b的形狀，并不限定于突出的形狀。只要是具備用于吐出處理液及加熱液的吐出口或用于噴出惰性氣體及加熱氣體的噴出口的部位，都包含在本實施方式的噴嘴的概念中。
[0217]在基板處理裝置l、la中，利用從藥液供給部183供給的藥液，也可以進(jìn)行利用了除了上述蝕刻處理以外的化學(xué)反應(yīng)的各種處理，例如可以進(jìn)行除去基板上的氧化膜的處理或利用顯影液的顯影等。
[0218]基板處理裝置l、la除了用于處理半導(dǎo)體基板以外，還可以用于處理在液晶顯示裝置、等離子顯示器、FED (field emiss1n display:場發(fā)射顯示器)等顯示裝置中使用的玻璃基板。或者，基板處理裝置I也可以用于處理光盤用基板、磁盤用基板、光磁盤用基板、光掩膜用基板、陶瓷基板及太陽能電池用基板等。
[0219]上述實施方式及各變形例的結(jié)構(gòu)只要不相互矛盾就可以適當(dāng)組合。
[0220]詳細(xì)描述發(fā)明來進(jìn)行說明，但是上述說明只是示例性的，而非限定性的。因此，在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下可以有很多變形或方案。
【權(quán)利要求】
1.一種基板處理裝置，用于處理基板，其特征在于， 具備: 基板支撐部，支撐水平狀態(tài)的基板的外緣部， 基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，使所述基板支撐部與所述基板一同以上下方向的中心軸為中心旋轉(zhuǎn)， 處理液供給噴嘴，向所述基板的上表面供給高于所述基板溫度的處理液，以及 至少一個供給噴嘴，在所述中心軸和所述基板的外周緣之間朝向所述基板的下表面； 所述至少一個供給噴嘴的各供給噴嘴具備: 加熱液供給噴嘴，向所述基板的所述下表面供給高于所述基板的溫度的加熱液，以及加熱氣供給噴嘴，向所述基板的所述下表面噴出高于所述基板的溫度的加熱氣體，并且與所述加熱液供給噴嘴共有直接接觸所述加熱液及所述加熱氣體的分隔壁。
2.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，所述各供給噴嘴是由所述加熱氣供給噴嘴包圍所述加熱液供給噴嘴的周圍的雙層管。
3.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述至少一個供給噴嘴是多個供給噴嘴； 所述多個供給噴嘴中的兩個以上的供給噴嘴位于以所述中心軸為中心的同一圓周上。
4.如權(quán)利要 求1所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述至少一個供給噴嘴是多個供給噴嘴； 所述多個供給噴嘴中的一個供給噴嘴和所述中心軸之間的徑向距離，不同于其他一個供給噴嘴和所述中心軸之間的徑向距離。
5.如權(quán)利要求1至4中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述處理液和所述加熱液是相同的液體； 所述基板處理裝置還具備液體加熱部，該液體加熱部用于對向所述處理液供給噴嘴及所述各供給噴嘴的所述加熱液供給噴嘴供給的所述液體進(jìn)行加熱。
6.如權(quán)利要求5所述的基板處理裝置，其特征在于，在所述各供給噴嘴中，由所述加熱氣供給噴嘴內(nèi)的所述加熱氣體經(jīng)由所述分隔壁對所述加熱液供給噴嘴內(nèi)的所述加熱液進(jìn)行加熱，由此所述加熱液的溫度高于所述處理液的溫度。
7.如權(quán)利要求1至4中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于，在所述各供給噴嘴中，由所述加熱氣供給噴嘴內(nèi)的所述加熱氣體經(jīng)由所述分隔壁對所述加熱液供給噴嘴內(nèi)的所述加熱液進(jìn)行加熱。
8.如權(quán)利要求1至4中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述基板支撐部的形狀為以所述中心軸為中心的環(huán)狀； 所述基板處理裝置還具備下表面對置部，該下表面對置部具備在所述基板支撐部的內(nèi)側(cè)與所述基板的所述下表面對置的對置面； 所述對置面是隨著遠(yuǎn)離所述中心軸而遠(yuǎn)離所述基板的傾斜面。
9.如權(quán)利要求1至4中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于，所述至少一個供給噴嘴相對于所述中心軸傾斜。
10.如權(quán)利要求1至4中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于，所述處理液供給噴嘴以與所述基板的所述上表面的中央部相對置的方式固定。
11.如權(quán)利要求1至4中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于，還具備用于形成密閉的內(nèi)部空間的密閉空間形成部，該內(nèi)部空間為利用所述處理液對所述基板進(jìn)行處理的空間。
12.—種基板處理裝置，用于處理基板，其特征在于， 具備: 基板支撐部，支撐水平狀態(tài)的基板的外緣部； 基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，使所述基板支撐部與所述基板一同以上下方向的中心軸為中心旋轉(zhuǎn)； 處理液供給噴嘴，向所述基板的上表面供給高于所述基板的溫度的處理液； 至少一個加熱液供給噴嘴，在所述中心軸和所述基板的外周緣之間向所述基板的下表面供給高于所述基板的溫度的加熱液；以及 至少一個加熱氣供給噴嘴 ，在所述中心軸和所述基板的所述外周緣之間向所述基板的所述下表面噴出高于所述基板的溫度的加熱氣體。
13.如權(quán)利要求12所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述至少一個加熱液供給噴嘴是多個加熱液供給噴嘴； 所述多個加熱液供給噴嘴中的兩個以上的加熱液供給噴嘴，位于以所述中心軸為中心的同一圓周上。
14.如權(quán)利要求12所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述至少一個加熱液供給噴嘴是多個加熱液供給噴嘴； 所述多個加熱液供給噴嘴中的一個加熱液供給噴嘴和所述中心軸之間的徑向距離，不同于其他一個加熱液供給噴嘴和所述中心軸之間的徑向距離。
15.如權(quán)利要求12所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述至少一個加熱氣供給噴嘴是多個加熱氣供給噴嘴； 所述多個加熱氣供給噴嘴的中的兩個以上的加熱氣供給噴嘴，位于以所述中心軸為中心的同一圓周上。
16.如權(quán)利要求12所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述至少一個加熱氣供給噴嘴是多個加熱氣供給噴嘴； 所述多個加熱氣供給噴嘴中的一個加熱氣供給噴嘴和所述中心軸之間的徑向距離，不同于其他一個加熱氣供給噴嘴和所述中心軸之間的徑向距離。
17.如權(quán)利要求12所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述處理液和所述加熱液是相同的液體； 所述基板處理裝置還具備液體加熱部，該液體加熱部用于對向所述處理液供給噴嘴及所述至少一個加熱液供給噴嘴供給的所述液體進(jìn)行加熱。
18.如權(quán)利要求12所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述基板支撐部的形狀為以所述中心軸為中心的環(huán)狀； 所述基板處理裝置還具備下表面對置部，該下表面對置部具備在所述基板支撐部的內(nèi)側(cè)與所述基板的所述下表面對置的對置面； 所述對置面是隨著遠(yuǎn)離所述中心軸而遠(yuǎn)離所述基板的傾斜面。
19.如權(quán)利要求12所述的基板處理裝置，其特征在于，所述至少一個加熱氣供給噴嘴相對于所述中心軸傾斜。
20.如權(quán)利要求12所述的基板處理裝置，其特征在于，所述處理液供給噴嘴以與所述基板的所述上表面的中央部相對置的方式固定。
21.如權(quán)利要求12所述的基板處理裝置，其特征在于，還具備用于形成密閉的內(nèi)部空間的密閉空間形成部，該內(nèi)部空間為利用所述處理液對所述基板進(jìn)行處理的空間。
22.如權(quán)利要求12至21中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于， 還具備控制部，該控制部用于控制所述基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)、從所述處理液供給噴嘴的所述處理液的供給、從所述至少一個加熱液供給噴嘴的所述加熱液的供給、以及從所述至少一個加熱氣供給噴嘴的所述加熱氣體的供給； 通過所述控制部的控制，一邊使所述基板旋轉(zhuǎn)，一邊向所述基板的所述上表面供給所述處理液且向所述基板的所述下表面供給所述加熱液，并且在停止所述處理液及所述加熱液的供給之后，一邊使所述基板旋轉(zhuǎn)，一邊向所述基板的所述下表面噴出所述加熱氣體來干燥所述基板。
23.如權(quán)利要求12至21中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于， 還具備控制部，該控制部用于控制所述基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)、從所述處理液供給噴嘴的所述處理液的供給、從所述至少一個加熱液供給噴嘴的所述加熱液的供給、以及從所述至少一個加熱氣供給噴嘴的所述加熱氣體的供給； 通過所述控制部的控制，一邊使所述基板旋轉(zhuǎn)，一邊向所述基板的所述上表面供給所述處理液且與所述處理液的供給并行地，向所述基板的所述下表面供給所述加熱液并且向所述基板的下方空間 供給所述加熱氣體。
24.一種基板處理方法，用于處理基板，其特征在于， 包括: a)工序，一邊使水平狀態(tài)的基板以上下方向的中心軸為中心旋轉(zhuǎn)，一邊向所述基板的上表面供給高于所述基板的溫度的處理液； b)工序，與所述a)工序并行地，從至少一個加熱液供給噴嘴，在所述中心軸和所述基板的外周緣之間，向所述基板的下表面供給高于所述基板的溫度的加熱液； c)工序，在停止所述處理液及所述加熱液的供給之后，一邊使所述基板旋轉(zhuǎn)，一邊從至少一個加熱氣供給噴嘴，在所述中心軸和所述基板的所述外周緣之間，向所述基板的所述下表面噴出高于所述基板的溫度的加熱氣體來干燥所述基板。
25.—種基板處理方法，用于處理基板，其特征在于， 包括: a)工序，一邊使水平狀態(tài)的基板以上下方向的中心軸為中心旋轉(zhuǎn)，一邊向所述基板的上表面供給高于所述基板的溫度的處理液； b)工序，與所述a)工序并行地，從至少一個加熱液供給噴嘴，在所述中心軸和所述基板的外周緣之間，向所述基板的下表面噴出高于所述基板的溫度的加熱液； c)工序，與所述b)工序并行地，從至少一個加熱氣供給噴嘴，向所述基板的下方空間供給高于所述基板的溫度的加熱氣體。
【文檔編號】H01L21/67GK104051306SQ201410099202
【公開日】2014年9月17日 申請日期:2014年3月17日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月15日
【發(fā)明者】小林健司, 三浦丈苗 申請人:大日本網(wǎng)屏制造株式會社