與半導(dǎo)體器件的端接區(qū)相關(guān)的裝置制造方法
【專利摘要】在一個(gè)總的方面，本發(fā)明提供了一種裝置，該裝置可包括半導(dǎo)體區(qū)以及限定在所述半導(dǎo)體區(qū)內(nèi)的槽。所述槽可具有沿著豎向軸線對齊的深度并具有沿著與所述豎向軸線正交的縱向軸線對齊的長度。所述槽可具有包括在所述半導(dǎo)體區(qū)的端接區(qū)中的長度的第一部分，并可具有包括在所述半導(dǎo)體區(qū)的有源區(qū)中的長度的第二部分。
【專利說明】與半導(dǎo)體器件的端接區(qū)相關(guān)的裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本說明書涉及半導(dǎo)體器件的端接區(qū)。

【背景技術(shù)】
[0002] 槽柵型器件(例如，平柵極金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（M0SFET)型晶體管、 垂直柵極M0SFET型晶體管、絕緣柵雙極型晶體管（IGBT)、整流器及同步整流器）的具體實(shí) 施可包括形成在半導(dǎo)體晶粒的頂部表面中的槽(例如，平行槽）的陣列，其中取決于功率器 件的類型，每個(gè)槽填充有電介質(zhì)、屏蔽電極和/或柵電極。槽可限定限定對應(yīng)的臺面陣列 (或臺面區(qū))，其中每個(gè)臺面均設(shè)置在相鄰槽之間。取決于實(shí)現(xiàn)在晶粒上的器件，在臺面的頂 部設(shè)置各種電極和/或摻雜區(qū)。臺面和相鄰槽中的一者或多者可實(shí)現(xiàn)器件的小實(shí)例，這些 小實(shí)例可并行地耦合在一起從而得到整個(gè)功率半導(dǎo)體器件。該器件可具有"導(dǎo)通"狀態(tài)、"關(guān) 斷"狀態(tài)和"擊穿"狀態(tài)，在"導(dǎo)通"狀態(tài)下，所需電流流經(jīng)器件，在"關(guān)斷"狀態(tài)下，電流大體 上阻斷在器件中，在"擊穿"狀態(tài)下，由于施加在器件的電流傳導(dǎo)電極之間的過量斷態(tài)電壓， 因此不期望的電流會流動。引發(fā)擊穿時(shí)的電壓稱為擊穿電壓。每個(gè)臺面和相鄰槽被配置為 提供所需集合的"導(dǎo)通"狀態(tài)特性和擊穿電壓。臺面和槽的配置可導(dǎo)致在實(shí)現(xiàn)所需"導(dǎo)通" 狀態(tài)特性、相對高的擊穿電壓以及所需切換特特性之間的各種取舍。
[0003] 功率半導(dǎo)體晶?？删哂杏性磪^(qū)、有源區(qū)周圍的場端接區(qū)以及閑置區(qū)（inactive area，無效區(qū))，在有源區(qū)中安置實(shí)現(xiàn)該器件的臺面和槽的陣列，在閑置區(qū)中可提供互連和 互連件和通道止擋。場端接區(qū)可用來使有源區(qū)周圍的電場最小化，且不可被配置為傳導(dǎo)電 流?？捎膳c有源區(qū)相關(guān)的擊穿過程來確定器件的擊穿電壓。但是，場端接區(qū)和閑置區(qū)中在 明顯更低的電壓下的各種擊穿過程可能會以不期望的方式出現(xiàn)。這些擊穿過程可稱為被動 擊穿過程或寄生擊穿過程。
[0004] 現(xiàn)已配置出具有比有源區(qū)更高的擊穿電壓的已知場端接區(qū)，但是此類已知配置通 常在總晶粒面積、加工成本、性能特征等方面造成損失。因此，需要用以解決目前技術(shù)的不 足并提供其他新穎和創(chuàng)新特征的系統(tǒng)、方法和設(shè)備。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 在一個(gè)總的方面，一種裝置可包括半導(dǎo)體區(qū)以及限定在所述半導(dǎo)體區(qū)內(nèi)的槽。所 述槽可具有沿著堅(jiān)向軸線對齊的深度并具有沿著與所述堅(jiān)向軸線正交的縱向軸線對齊的 長度。所述槽可具有包括在所述半導(dǎo)體區(qū)的端接區(qū)中的第一部分長度，并可具有包括在所 述半導(dǎo)體區(qū)的有源區(qū)中的第二部分長度。所述裝置可包括為槽的底部部分形成內(nèi)襯的電介 質(zhì)，在該底部部分中電介質(zhì)具有設(shè)置在所述半導(dǎo)體區(qū)的端接區(qū)中的第一部分以及設(shè)置在所 述半導(dǎo)體區(qū)的有源區(qū)中的第二部分。電介質(zhì)的設(shè)置在端接區(qū)中的第一部分可具有大于電介 質(zhì)的設(shè)置在有源區(qū)中的第二部分的堅(jiān)直厚度的堅(jiān)直厚度。
[0006] 在附圖和以下說明中闡述了一個(gè)或多個(gè)具體實(shí)施的細(xì)節(jié)。其他特征從說明和附圖 中以及從權(quán)利要求中將顯而易見。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0007] 圖1A為示意圖，示出了與半導(dǎo)體器件的一部分相關(guān)的有源區(qū)和端接區(qū)的側(cè)剖視 圖。
[0008] 圖1B為沿著圖1A所示的線切割的半導(dǎo)體器件的俯視圖。
[0009] 圖2為根據(jù)具體實(shí)施的示出了金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（M0SFET)器件的 首 1J視圖。
[0010] 圖3A至圖31為根據(jù)一些具體實(shí)施的示出了端接區(qū)的配置的示意圖。
[0011] 圖4A至圖4D為示意圖，示出了圖3A至圖31所示的半導(dǎo)體器件的至少一些特征 的變型形式。
[0012] 圖5A至圖51為根據(jù)一些具體實(shí)施的示出了另一端接區(qū)的配置的示意圖。
[0013] 圖6A至圖6G為示意圖，示出了圖5A至圖51所示的半導(dǎo)體器件的至少一些特征 的變型形式。
[0014] 圖7A至圖7J為示意圖，示出了圖3A至圖31所示的半導(dǎo)體器件的至少一些特征 的變型形式。
[0015] 圖8為根據(jù)具體實(shí)施的示出了另一半導(dǎo)體器件的示意圖。
[0016] 圖9A至圖9N為根據(jù)一些具體實(shí)施的示出了端接區(qū)的配置的示意圖。
[0017] 圖10A至圖100為示意圖，示出了圖9A至圖9N所示的半導(dǎo)體器件的至少一些特 征的變型形式。
[0018] 圖11A至圖11E為示意圖，示出了圖9A至圖9N以及圖10A至圖100所示的半導(dǎo) 體器件的至少一些特征的變型形式。
[0019] 圖12A至圖12L為示意圖，示出了半導(dǎo)體器件的至少一些特征的變型形式。
[0020] 圖13A至圖13L為示意圖，示出了圖9A至圖9N所示的半導(dǎo)體器件的至少一些特 征的變型形式。
[0021] 圖14A至圖14K為側(cè)剖視圖，示出了用于構(gòu)建半導(dǎo)體器件的一個(gè)或多個(gè)特征的方 法。
[0022] 圖15A至圖150為側(cè)剖視圖，示出了用于構(gòu)建半導(dǎo)體器件的一個(gè)或多個(gè)特征的另 一方法。
[0023] 圖16A至圖16F為側(cè)剖視圖，示出了用于構(gòu)建半導(dǎo)體器件的一個(gè)或多個(gè)特征的方 法的變型形式。

【具體實(shí)施方式】
[0024] 圖1A為示意圖，示出了與半導(dǎo)體器件100的一部分相關(guān)的有源區(qū)102和端接區(qū) 104的側(cè)剖視圖。圖1B為沿著圖1A所示的線B1切割的半導(dǎo)體器件100的俯視圖。半導(dǎo) 體器件100的該部分的側(cè)剖視圖是沿著圖1B所示的半導(dǎo)體器件100的俯視圖的線B2切割 的。
[0025] 如圖1A所示，包括在半導(dǎo)體器件100中的槽110A具有在端接區(qū)104中的部分113 并具有在有源區(qū)102中的部分111。電介質(zhì)112 (例如，氧化物）設(shè)置在槽110A中。另外， 在槽110A中設(shè)置屏蔽電極120 (例如，屏蔽多晶硅電極）以及通過極間電介質(zhì)（IED) 140與 屏蔽電極120絕緣的柵電極130 (例如，柵極多晶硅電極)。在半導(dǎo)體器件100中還包括周 邊槽190。電介質(zhì)112的至少一部分以及屏蔽電極120的至少一部分也設(shè)置在周邊槽190 中。電介質(zhì)112可為可使用一種或多種電介質(zhì)形成工藝(例如，沉積工藝、生長工藝)形成的 超過一種的電介質(zhì)的組合。
[0026] 如圖1A所示，槽110A具有沿著縱向軸線（longitudial axis) A1 (還可稱為水平 方向）對齊的長度。屏蔽電極120、極間電介質(zhì)140和柵電極130沿著與縱向軸線A1大體 上正交的堅(jiān)向軸線（vertical axis)A2 (還可稱為堅(jiān)向方向）堅(jiān)直地堆疊在槽110A內(nèi)。在 該具體實(shí)施中，周邊槽190沿著縱向軸線A3 (圖1B中示出）對齊使得縱向軸線A3與縱向 軸線A1和堅(jiān)向軸線A2大體上正交。
[0027] 槽110A與額外的槽(例如，圖1B所示的槽110B)平行對齊。臺面區(qū)160設(shè)置在槽 110A與槽110B之間。換句話講，臺面區(qū)160至少部分地由槽110A的側(cè)壁和槽110B的側(cè)壁 限定。
[0028] 盡管圖1未示出，但半導(dǎo)體器件100的有源區(qū)可包括或可限定一個(gè)或多個(gè)垂直金 屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（M0SFET)器件。垂直M0SFET器件可經(jīng)由例如柵電極130啟 動?？蓪雽?dǎo)體器件100的許多元件形成在外延層108內(nèi)，外延層108可形成在襯底107 (例如，N型襯底、P型襯底）內(nèi)或上。如圖1A所示，半導(dǎo)體器件100具有漏極觸點(diǎn)106 (例 如，背側(cè)漏極觸點(diǎn)）。
[0029] 端接區(qū)104內(nèi)的元件，且具體地，端接區(qū)104的與例如槽110A相關(guān)的部分150內(nèi) 的元件，可被配置為避免不期望的事件，諸如在例如半導(dǎo)體器件100的有源區(qū)102的邊緣處 的擊穿電壓。另外，端接區(qū)104可被配置使得半導(dǎo)體器件100的尺寸可優(yōu)化以實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體 器件100的所需性能特征，諸如相對低的導(dǎo)通電阻、相對高的關(guān)斷電阻、擊穿電壓或反向阻 斷電壓、所需電場分布形式、更快的切換速度等。具體地，端接區(qū)104可具有這樣的特征，其 被配置為使得半導(dǎo)體器件100在有源區(qū)102中的其他尺寸可針對所需性能特征而配置。例 如，端接區(qū)104可被配置使得有源區(qū)102中的槽深、槽間的間距、摻雜水平等可優(yōu)化以實(shí)現(xiàn) 加工效率、低成本、相對小的晶粒面積等。
[0030] 如一具體實(shí)例，在柵電極的電位(例如，大約零伏的電位）被限定使得半導(dǎo)體器件 在關(guān)斷狀態(tài)下時(shí)，大量電流可在擊穿狀況期間流動，在該擊穿狀況中，漏極電位相對于源極 電位是高的。在擊穿狀況中，在槽之間的臺面區(qū)中可形成相對高的電場，這個(gè)高電場可在擊 穿電壓下產(chǎn)生雪崩載流子(空穴和電子兩者)?？赏ㄟ^配置端接區(qū)的元件來以所需的方式增 加臺面區(qū)的擊穿電壓，所述配置端接區(qū)的元件使得，能夠減小有源區(qū)內(nèi)槽的電介質(zhì)厚度、能 夠減小臺面區(qū)的寬度、能夠配置漂移區(qū)中的摻雜濃度以使得漂移區(qū)處在正常電子耗盡狀態(tài) 以支持電荷平衡狀況，等等。端接區(qū)的元件可被配置使得關(guān)斷狀態(tài)狀況期間的電場可以所 需的方式沿著臺面區(qū)的中心線均勻分布(例如，正方形形狀或矩形形狀的電場分布形式)， 從而降低峰電場(并從而增加可產(chǎn)生雪崩載流子的電壓)。
[0031] 雖然本文所描述的許多具體實(shí)施是關(guān)于M0SFET器件的，但本文所描述的具體實(shí) 施還可應(yīng)用于其他器件類型，諸如IGBT器件、整流器以及尤其地存在上述電荷平衡狀況的 器件。此外，在本說明書中，出于圖示的目的，將各種具體實(shí)施描述為實(shí)現(xiàn)N型通道器件。但 是，在其他具體實(shí)施中，所示出的器件可實(shí)現(xiàn)為P型通道器件(例如，通過使用相反導(dǎo)電性 類型和/或偏壓電位)。
[0032] 圖2為根據(jù)具體實(shí)施的示出了 M0SFET器件200的剖視圖。M0SFET器件200包括 M0SFET器件M0S1和M0SFET器件M0S2。由于M0SFET器件M0S1、M0S2具有類似特征，因此 將在單個(gè)M0SFET器件M0S2 (該單個(gè)M0SFET器件M0S2在其他M0SFET器件M0S1中反映和 /或在M0SFET器件M0S2內(nèi)反映）的方面總體上討論M0SFET器件M0S1、M0S2。M0SFET器件 200可為例如相對高電壓的器件(例如，大于30V、60V的器件、100V器件、300V器件)。
[0033] 如圖2所示，M0SFET器件200形成在外延層236 (例如，N型）內(nèi)。源極區(qū)233 (例 如，N+源極區(qū)）設(shè)置在形成在外延層236中的主體區(qū)234 (例如，P型）的上方。外延層可形 成在襯底(例如，N+襯底）（未示出)上或中。槽205延伸穿過主體區(qū)236并止于外延層236 (還可稱為外延區(qū)）內(nèi)的漂移區(qū)237中。槽205包括設(shè)置在槽205內(nèi)的電介質(zhì)210 (其可包 括諸如柵極電介質(zhì)218的一個(gè)或多個(gè)電介質(zhì)層)。柵電極220和屏蔽電極221設(shè)置在槽205 內(nèi)。M0SFET器件200可被配置為通過將電壓(例如，柵極電壓）施加至M0SFET器件200的 柵電極220來工作，柵電極220可通過形成與柵極氧化物218相鄰的通道使得電流可在源 極區(qū)233和漏極觸點(diǎn)（未示出）之間流動，來接通M0SFET器件200。
[0034] 根據(jù)本文所描述的端接具體實(shí)施，可改善M0SFET器件200的性能特征和尺寸。例 如，M0SFET器件200的導(dǎo)通電阻可改善大約50% (或更多），且M0SFET器件M0S1與M0SFET 器件M0S2之間的間距PH (及臺面區(qū)250寬度）可減小大約20% (或更多），而擊穿電壓(在 M0SFET器件200為關(guān)斷的同時(shí))不增加(或大體上不增加)且Qg-總增加大約10%(或更少)。 通過外延層236內(nèi)的摻雜物濃度的增加(例如，30%的增量）一其通過本文所描述的端接具 體實(shí)施而成為可能，可補(bǔ)償M0SFET器件200的導(dǎo)通電阻的增加。此外，可將槽掩膜臨界尺 寸（⑶）（例如，距離、尺寸）減小大約10%或更多，可將屏蔽電極221寬度減小超過10%，可 將觸點(diǎn)252寬度減小超過50%，等等。
[0035] 圖3A至圖31為根據(jù)一些具體實(shí)施的示出了端接區(qū)的配置的示意圖。圖3A為示 意圖，示出了包括有源區(qū)302和端接區(qū)304的半導(dǎo)體器件300的至少一部分的平面圖（或沿 著水平面的俯視圖）。圖3B至圖31為沿著圖3A的平面圖內(nèi)的不同切割線(例如，切割線F1 至F8)的側(cè)剖視圖。為簡化圖3A所示的平面圖，未示出圖3B至圖31的側(cè)剖視圖中所示的 一些元件。圖3B至圖31中包括的沿著不同切割線的側(cè)剖視圖不一定按照與圖3A所示的 平面圖相同的比例(例如，槽的數(shù)量等）繪制。
[0036] 如圖3A所示，多個(gè)槽310,包括例如槽310A至310J，沿著縱向軸線D1在半導(dǎo)體器 件300內(nèi)對齊。所述多個(gè)槽310可稱為平行槽。所述多個(gè)槽310的至少一些部分可包括在 有源區(qū)304中，且所述多個(gè)槽310的至少一些部分可包括在端接區(qū)302中。例如，槽310B 的一部分包括在有源區(qū)304中，且槽310B的一部分包括在端接區(qū)304中。如圖3A所示，槽 310G整體地設(shè)置在端接區(qū)304內(nèi)。
[0037] 在該具體實(shí)施中，槽310D整體地設(shè)置在端接區(qū)304內(nèi)且為所述多個(gè)槽310中的最 外側(cè)槽。因此，槽310D可稱為端槽。半導(dǎo)體器件300中的所述多個(gè)槽310中在端槽310D 側(cè)向（或內(nèi)偵D的槽可稱為內(nèi)側(cè)槽317 (或非端槽)。
[0038] 如圖3A所示，有源區(qū)304由半導(dǎo)體器件300的與源極觸點(diǎn)區(qū)336(例如，源極觸點(diǎn) 區(qū)336)或屏蔽電介質(zhì)邊緣區(qū)334中的至少一者一致(對應(yīng)）的區(qū)域限定。源極觸點(diǎn)區(qū)336 限定半導(dǎo)體器件300內(nèi)的形成源極觸點(diǎn)(諸如圖31所示的源極觸點(diǎn)357)的區(qū)域。源極觸點(diǎn) 區(qū)336還可與例如源極導(dǎo)體區(qū)（例如，源極金屬區(qū)）一致。源極觸點(diǎn)可與一個(gè)或多個(gè)有源器 件的源極注入(諸如在圖31所示的槽310E與310F之間的臺面區(qū)360E內(nèi)的源極注入363E) 接觸。圖3A中的源極形成區(qū)356 (其可稱為源極排除邊緣）限定一區(qū)域，在該區(qū)域內(nèi)，將所 述多個(gè)槽310之間的臺面區(qū)摻雜成有源器件的摻雜源極區(qū)。
[0039] 圖3A所示的屏蔽電介質(zhì)邊緣區(qū)334與例如圖3B (其為沿著線F1切割的側(cè)剖視 圖)所示的極間電介質(zhì)340的邊緣341 -致(例如，大約一致)。極間電介質(zhì)340的至少一部 分可包括諸如圖3B所示柵極電介質(zhì)部分342的柵極電介質(zhì)。
[0040] 如圖3A所示，端接區(qū)304包括半導(dǎo)體器件300在有源區(qū)302外部的(例如，有源區(qū) 302不包括的）區(qū)域。因此，端接區(qū)304,類似于有源區(qū)302,由源極觸點(diǎn)區(qū)336或屏蔽電介 質(zhì)邊緣區(qū)334中的至少一者限定。
[0041] 如圖3A所示，橫向槽380A沿著與縱向軸線D1正交(例如，大體上正交)的縱向軸線 D2對齊。換句話講，橫向槽380A在正交方向上與所述多個(gè)槽310相交。因此，橫向槽380A 可視為與例如槽310A流體連通。橫向槽380A可僅與所述多個(gè)槽310的一部分相交。橫向 槽380A可稱為槽端槽（Ε0ΤΤ)，或者由于橫向槽380A相對于平行槽（S卩，所述多個(gè)槽310 )垂 直取向，因此橫向槽380A可稱為垂直槽。沿著縱向軸線D2的方向可稱為側(cè)向方向。例如， 槽310A可稱為在槽310G的側(cè)向。
[0042] 在該具體實(shí)施中，橫向槽380A整體地設(shè)置在端接區(qū)304內(nèi)。盡管圖3A未示出，但 橫向槽380A可具有設(shè)置在有源區(qū)302內(nèi)的至少一部分。
[0043] 在該具體實(shí)施中，所述多個(gè)槽310的(為內(nèi)側(cè)槽317且)設(shè)置在橫向槽380A的左方 的部分可稱為槽延長部分314。所述多個(gè)槽310的（為內(nèi)側(cè)槽317且)設(shè)置在橫向槽380A的 右方并延伸到有源區(qū)302中（或朝著有源區(qū)302延伸)的部分可稱為主槽部分312。例如，槽 310A包括位于橫向槽380A的左側(cè)的槽延長部分314A (朝著周邊且在遠(yuǎn)離有源區(qū)902的遠(yuǎn) 端方向上)，并且槽310A包括位于橫向槽380A的右側(cè)的主槽部分312A (遠(yuǎn)離周邊且在朝著 有源區(qū)302的近端方向上)。在該具體實(shí)施中，主槽部分312A的至少一部分包括在(例如， 設(shè)置在)端接區(qū)304中，且主槽部分312A的一部分包括在(例如，設(shè)置在)有源區(qū)302中。橫 向槽380A可視為包括在槽延長部分314A中。在該具體實(shí)施中，槽延長部分314可限定臺 面的至少一部分（當(dāng)在側(cè)剖視圖中觀察時(shí))。
[0044] 盡管在半導(dǎo)體器件300中僅包括一個(gè)橫向槽，但在半導(dǎo)體器件300中可包括超過 一個(gè)類似于橫向槽380A的橫向槽。例如，可將與橫向槽380A平行對齊的額外的橫向槽設(shè) 置在槽延長部分314A中。
[0045] 圖3B為示意圖，示出了沿著線F1切割的半導(dǎo)體器件300的側(cè)剖視圖。切割線F1 大約沿著槽310A的中心線使得半導(dǎo)體器件300的側(cè)剖視圖沿著大約與槽310A的中心相交 的平面。橫向槽380A與槽310A相交的部分在圖3B中示出。在槽310A與槽310B之間的 臺面區(qū)360A內(nèi)的沿著線F2切割的橫向槽380A的側(cè)剖視圖在圖3C中示出。如圖3C所示， 阱區(qū)362A形成(例如，以自對齊的方式形成)在外延層308的沒有被表面柵電極322和表面 屏蔽電極332阻擋的區(qū)域中。圖3B中所示的特征設(shè)置在半導(dǎo)體器件300的外延層308中。 圖3A至圖31未示出襯底的其他部分、漏極觸點(diǎn)等。與其他圖相關(guān)的許多視圖設(shè)置在外延 層中，且類似地不示出襯底、漏極觸點(diǎn)等。
[0046] 如圖3B所示，槽310A包括設(shè)置在其中的電介質(zhì)370A。具體地，電介質(zhì)370A的一部 分耦合至側(cè)壁(例如，為側(cè)壁形成襯底、設(shè)置在側(cè)壁上)，且電介質(zhì)370A的一部分在槽310A 的主槽部分312A內(nèi)耦合至槽310A的底部表面。在該剖視圖中，示出了電介質(zhì)370A的耦合 至槽310A的底部表面的部分，未示出電介質(zhì)370A的耦合至槽310A的側(cè)壁的部分。圖3B 所示的電介質(zhì)370A的沿著槽312A的主槽部分310A的底部表面的部分可稱為底部電介質(zhì)。 電介質(zhì)370A可耦合至或可包括場電介質(zhì)374 (其可稱為場電介質(zhì)部分)。
[0047] 如圖3B所示，柵電極320A以及屏蔽電極330A的一部分331A被設(shè)置在主槽部分 312A的包括在半導(dǎo)體器件300的有源區(qū)302中的部分中。柵電極320A和屏蔽電極330A由 極間電介質(zhì)340的至少一部分分隔。主槽部分312A的包括在端接區(qū)304中的部分具有設(shè) 置在其中且通過電介質(zhì)570A與外延層508絕緣的屏蔽電極330A的部分333A。屏蔽電極 330A的部分333A可稱為屏蔽電極的端接區(qū)部分，且屏蔽電極330A的部分331A可稱為屏蔽 電極的有源區(qū)部分。
[0048] 在該具體實(shí)施中，表面屏蔽電極332耦合至屏蔽電極330A，且表面柵電極322耦合 至柵電極320A。表面電極332通過極間電介質(zhì)340的至少一部分與表面柵電極322絕緣。 使用過孔351將柵極滑槽導(dǎo)體352耦合至表面柵電極322。類似地，使用過孔353穿過表面 柵電極322中的開口將源極滑槽導(dǎo)體354 (其還耦合至源極）耦合至表面屏蔽電極332。
[0049] 如圖3A所示，表面屏蔽電極332的邊緣設(shè)置在周邊槽390A、390B與表面柵電極 322的邊緣之間。表面柵電極322具有設(shè)置在柵極滑槽導(dǎo)體352的至少一部分與表面電極 332之間的至少一部分。表面柵電極322還具有設(shè)置在源極滑槽導(dǎo)體354的至少一部分與 表面電極332之間的至少一部分。如圖3B所不，表面電極332和表面柵電極322設(shè)置在場 電介質(zhì)374的至少一部分與層間電介質(zhì)（ILD) 392之間。
[0050] 盡管圖3A至圖31未示出，但半導(dǎo)體器件300可不包括表面屏蔽電極332和/或 表面柵電極322。換句話講，半導(dǎo)體器件300 (或其部分）可配置為不具有表面電極332和 /或表面柵電極322。與此類具體實(shí)施有關(guān)的更多細(xì)節(jié)在下文中描述。
[0051] 如圖3B所示，電介質(zhì)370A的部分372A (還稱為電介質(zhì)的延長部分或延長電介質(zhì)） 包括在槽延長部分314A中。電介質(zhì)370A的部分372A沿著堅(jiān)直方向D3從槽310A的槽延 長部分314A的底部至槽310A的至少頂部對齊(例如，在該堅(jiān)直方向上延伸）。槽310A (其 包括槽部分314A和主槽部分312A)的頂部沿著平面D4對齊，平面D4沿著半導(dǎo)體器件300 的半導(dǎo)體區(qū)的頂部表面對齊。半導(dǎo)體器件300的半導(dǎo)體區(qū)可大約與外延層308的頂部表面 一致。電介質(zhì)370A可包括一個(gè)或多個(gè)電介質(zhì)層和/或利用一種或多種不同形成工藝形成 的一種或多種電介質(zhì)類型。
[0052] 如圖3B所示，電介質(zhì)370A的部分371A包括在橫向槽380A中。電介質(zhì)370A的部 分371A沿著堅(jiān)直方向D3從橫向槽380A的底部至橫向槽380A的至少頂部對齊(例如，在該 堅(jiān)直方向上延伸）。橫向槽380A的頂部沿著平面D4對齊。橫向槽380A (以及其他具體實(shí) 施中的此類類似橫向槽）可幫助消除沿著屏蔽電極330A的轉(zhuǎn)角（底部，圖3B左方）的相對 高的電場。
[0053] 包括在槽310A中的電介質(zhì)370A的厚度沿著槽310A的縱向軸線D1變化。電介質(zhì) 370A的包括在槽延長部分314A中的部分372A在槽延長部分314A中具有至少厚度E1 (還 可稱為高度，因?yàn)槠溲刂鴪?jiān)向軸線D3對齊)，厚度E1大于電介質(zhì)370A的包括在槽310A的 主部分312A中（端接區(qū)部分和有源區(qū)部分兩者中）的部分的厚度E2。電介質(zhì)370A的部分 372A的厚度一直延伸超出厚度E1至表面屏蔽電極332的底部表面。厚度E1大約與槽延長 部分314A的深度(沿著堅(jiān)直方向D3) -致。
[0054] 另外，電介質(zhì)370A的包括在橫向槽380A中的部分371A具有至少厚度E4(還可稱 為高度)，厚度E4大于電介質(zhì)370A的包括在槽310A的主部分312A中的部分的厚度E2和 /或電介質(zhì)370A的包括在槽延長部分314A中的部分372A的厚度E1。圖3B所示的電介質(zhì) 370A的部分371A的厚度一直延伸超出厚度E4至表面屏蔽電極332的底部表面。厚度E4 大約與橫向槽380A的深度(沿著堅(jiān)直方向D3) -致。橫向槽380A的深度(或高度）還示出 在圖3C所示的臺面區(qū)360A內(nèi)。因此，槽310A的深度沿著縱向軸線D1從深度E3經(jīng)橫向槽 380A的深度E4變化至深度E1。
[0055] 重新參考圖3B，在該具體實(shí)施中，槽延長部分314A包括電介質(zhì)370A的部分372A 且不包括屏蔽電介質(zhì)。類似地，在該具體實(shí)施中，橫向槽380A包括電介質(zhì)370A的部分371A 且不包括屏蔽電介質(zhì)330A。盡管未示出，但諸如槽延長部分314A的槽延長部分可包括屏蔽 電介質(zhì)的一部分(例如，屏蔽電介質(zhì)的一部分、凹陷屏蔽電介質(zhì))。類似地，盡管未不出，但諸 如橫向槽380A的橫向槽可包括屏蔽電介質(zhì)的一部分(例如，屏蔽電介質(zhì)的一部分、凹陷屏 蔽電介質(zhì))。
[0056] 盡管圖3B未示出，但電介質(zhì)370A的在槽310A的主部分312A中的部分的厚度E2 可沿著縱向軸線D1變化。例如，電介質(zhì)370A的包括在主槽部分312A的端接區(qū)304中的部 分的厚度可大于電介質(zhì)370A的包括在主槽部分312A的有源區(qū)302中的部分的厚度，或反 之亦然。如圖3B所示，在半導(dǎo)體器件300中可包括等位環(huán)或通道止擋395。
[0057] 在該具體實(shí)施中，橫向槽380A具有與主槽部分312A的深度(其與E3 -致)相同或 大約相等且大于槽延長部分314A的深度(其與E1 -致）的深度(其與E4 -致)。盡管圖3A 至圖31未示出，但橫向槽380A可具有大于主槽部分312A的深度的深度。盡管圖3A至圖 31未示出，但橫向槽380A可具有小于主槽部分312A的深度和/或小于槽延長部分314A的 深度的深度。主槽部分312A的深度(其與E3 -致）可與槽延長部分314A的深度(其與E1 一致）相同。
[0058] 如圖3B所不，槽310A的槽延長部分314A的長度E16長于槽310A的主槽部分 312A的包括在端接區(qū)304中（直達(dá)IED340的柵極電介質(zhì)部分342的邊緣341)的部分的長 度E17。盡管未示出，但槽310A的槽延長部分314A的長度E16可等于或短于槽310A的主 槽部分312A的包括在端接區(qū)304中的部分的長度E17。
[0059] 槽延長部314A (以及其他具體實(shí)施所示的槽延長部）可消除槽310A的末端附近 的高電場，從而增加半導(dǎo)體器件300 (及相關(guān)端接區(qū)304)的穩(wěn)定性、可靠性及擊穿電壓。槽 延長部314A還可朝著槽310A的末端(沿著方向D1朝著左方)并沿著與槽310A相鄰的臺面 360A (圖3C中示出）的表面減低高側(cè)向電場。通過將擊穿保持在有源區(qū)302中，可使有源 區(qū)302的導(dǎo)通電阻最小化?？墒褂貌垩娱L部314A來在有源區(qū)302中保持半導(dǎo)體器件300 的擊穿電壓、測試(例如，非鉗制感應(yīng)切換（UIS))期間的穩(wěn)定性、器件性能等。
[0060] 電介質(zhì)370A的包括在槽延長部分314A中的部分372A的厚度E2被配置為具有諸 如上文所述那些的端接區(qū)優(yōu)點(diǎn)。具體地，在半導(dǎo)體器件300內(nèi)包括橫向槽380A和/或槽延 長部分314A的情況下，可防止或大體上防止在包括在主槽部分312A中的電介質(zhì)370A上的 不期望的電場或擊穿。換句話講，在不具有諸如橫向槽380A和/或槽延長部分314A的特 征的情況下，可能發(fā)生槽（即，不具有橫向槽380A和/或槽延長部分314A的主槽部分312A) 的末端處的不期望的電場或槽的末端處的電介質(zhì)上的擊穿。上文所描述的優(yōu)點(diǎn)可應(yīng)用于本 文所描述的其他橫向槽。
[0061] 重新參見圖3A，周邊槽390A、390B設(shè)置在所述多個(gè)槽310的周邊周圍。如圖3B所 示，周邊槽390A、390B具有大約等于橫向槽380A的深度(例如，距離E4)和主槽部分312A 的深度(例如，距離E3)的深度E5。周邊槽390A、390B的深度E5大于槽延長部分314A的深 度(例如，距離E1)。周邊槽390A、390B的一者或多者的深度可小于或大于橫向槽380A的 深度和/或主槽部分312A的深度。周邊槽390A、390B的一者或多者的深度可小于或等于 槽延長部分314A的深度。周邊槽390A、390B的一者或多者的寬度可與所述多個(gè)槽310的 主槽部分312的寬度大約相同或不同(例如，比其更窄、比其更寬）。上文對周邊槽的關(guān)于尺 寸、電極和/或數(shù)量的此描述適用于本文所描述的所有具體實(shí)施。
[0062] 在該具體實(shí)施中，周邊槽390A、390B的每一者均包括屏蔽電極的至少一部分。例 如，周邊槽390A包括屏蔽電極335 (或屏蔽電極部分)。周邊槽390A、390B中的一者或多 者可包括凹陷電極，或可不包括屏蔽電極(例如，可不包括屏蔽電極且可大體上填充有電介 質(zhì))。半導(dǎo)體器件300可包括比圖3A至圖31所示更多或更少的周邊槽。
[0063] 重新參見圖3A，槽延長部分314具有小于(例如，窄于）主槽部分312的寬度的寬 度。本文所描述的槽的寬度可在槽的橫截面上測得，同時(shí)沿著通過槽的水平面做參考。寬 度可稱為橫截面寬度。如一具體實(shí)例，槽310A的槽延長部分310A具有小于槽310A的主槽 部分312A的寬度E11的寬度E10。寬度上的這種差異還在例如各種視圖的槽310E中示出。 具體地，圖3G (其沿著穿過槽延長部分314的與所述多個(gè)槽310正交的線F6切割）所示的 槽310E具有小于圖31 (其沿著穿過主槽部分312的與所述多個(gè)槽310正交的線F8切割） 所示的槽310E的寬度E9的寬度E8。盡管圖3A未示出，但槽延長部分314的一者或多者可 具有等于或大于主槽部分312的一者或多者的寬度的寬度。
[0064] 由于槽延長部分314窄于主槽部分312,因此電介質(zhì)370A，當(dāng)在半導(dǎo)體加工期間 (使用一種或多種工藝）形成在槽延長部分314和主槽部分312兩者中時(shí)，可在不完全地填 充主槽部分312的情況下完全地填充(沿著槽的中心線從槽的底部至槽的頂部)槽延長部分 314。因此，屏蔽電極330A可在不形成在槽延長部分314A中的同時(shí)形成在主槽部分312A 中。另外，得益于具有相對窄的槽延長部分314的圖3A至圖31所示的配置的優(yōu)點(diǎn)，平行槽 310可使用單種半導(dǎo)體工藝來蝕刻，而不是使用多種半導(dǎo)體工藝（以形成與主槽部分312A 分隔的槽延長部分314)來蝕刻。與半導(dǎo)體加工有關(guān)的更多細(xì)節(jié)在下文中描述。
[0065] 盡管圖3A至圖31未示出，但半導(dǎo)體器件300可不包括橫向槽380A。在此類具體 實(shí)施中，在半導(dǎo)體器件300中仍可包括具有槽延長部分314的所述多個(gè)槽310的漸窄槽寬。 在此類具體實(shí)施中，圖3C和圖3D所示的側(cè)剖視圖將不包括橫向槽380A。因此，臺面區(qū)360A 將沿著在周邊槽390A與有源區(qū)302內(nèi)的阱區(qū)362之間的外延層308的頂部表面是連續(xù)的。 [0066] 圖3D為沿著線F3切割的與槽310G相鄰的臺面區(qū)360G的側(cè)剖視圖。在該具體實(shí) 施中，臺面區(qū)360G整體地設(shè)置在端接區(qū)304內(nèi)。如圖3D所示，源極滑槽導(dǎo)體354不與表面 屏蔽電極332接觸(例如，與表面屏蔽電極332絕緣、不電耦合至表面屏蔽電極332)。
[0067] 圖3E為沿著圖3A所示的線F4切割的槽310G的側(cè)剖視圖。在該具體實(shí)施中，槽 310G整體地設(shè)置在端接區(qū)304內(nèi)。槽310G，以及整體地設(shè)置在端接區(qū)304內(nèi)的其他槽，可稱 為端接槽318。槽310G的尺寸類似于圖3B所示的槽310A的尺寸(例如，直接在該槽310A 側(cè)向的尺寸）。在一些具體實(shí)施中，槽310G (其包括延長電介質(zhì)372G)的尺寸可不同于圖 3B所示的槽310A的對應(yīng)部分。例如，槽310G可具有恒定深度，該恒定深度可與槽延長部 分314A的深度E1 (圖3B中示出)相同或不同(例如，比其更深、比其更淺)，或者與主槽部分 312A的深度E3相同或不同(例如，比其更深、比其更淺)。
[0068] 如圖3E所示，源極滑槽導(dǎo)體354不與表面屏蔽電極332或屏蔽電極330G接觸(例 如，與表面屏蔽電極332或屏蔽電極330G絕緣、不電耦合至表面屏蔽電極332或屏蔽電極 330G)。設(shè)置在槽310G內(nèi)的屏蔽電極330G可以是電氣浮動的。設(shè)置在槽310G內(nèi)的屏蔽電 極330G可電耦合至源極電位。因此，可將屏蔽電極330G連接至與圖3B所示的屏蔽電極 330A相同的源極電位。設(shè)置在槽310G內(nèi)的屏蔽電極330G可以是凹陷的。
[0069] 圖3F為沿著圖3A所示的線F5切割的端槽310D的側(cè)剖視圖。端槽310D具有設(shè) 置在其中(例如，并且填充端槽310D)的電介質(zhì)370D。盡管未示出，但在一些具體實(shí)施中，端 槽310D的至少一部分可包括屏蔽電極。端槽310D可具有與例如槽310A的長度大約相同 的長度(沿著縱向方向D1)。
[0070] 如圖3A所示，橫向槽380A止于端槽310D。橫向槽380A可止于除端槽310D外的 槽，諸如所述多個(gè)槽310中的內(nèi)側(cè)槽317的一者。
[0071] 重新參見圖3F，端槽310D具有小于周邊槽390A、390B的深度E5的深度E12。端 槽310D可具有等于或大于周邊槽390A、390B的一者或多者的深度的深度E12。在該具體實(shí) 施中，端槽310D的深度E12大約等于槽延長部分314A的深度(例如，距離E1)(圖3B中示 出）。端槽310D可具有小于或大于槽延長部分314A的深度(例如，距離E1)(圖3B中示出） 的深度E12。類似于槽310A的深度的變化，端槽310D可具有變化的深度。
[0072] 在圖3F中，橫向槽380A的底部表面從端槽310D的底部表面延伸（或突出）。換句 話講，由于端槽310D的深度E12淺于橫向槽380A的深度E4,因此端槽310D具有與橫向槽 380A-致的凹部。
[0073] 盡管未示出，但在一些具體實(shí)施中，在半導(dǎo)體器件300中可包括填充有(例如，沿 著端槽310D的中心線E25從端槽310D的底部至端槽310D的頂部，大體上填充有）電介質(zhì) 的類似于端槽310D的多個(gè)槽(例如，多個(gè)端槽)。結(jié)合圖4A至圖4E描述此類具體實(shí)施的實(shí) 例。盡管未示出，但在一些具體實(shí)施中，隨著寬度變化且具有包括屏蔽電極的部分的槽(諸 如槽310C)可為端槽。在此類具體實(shí)施中，端槽310D可省略。
[0074] 如上文所提及，圖3G是沿著穿過槽延長部分314的與所述多個(gè)槽310正交的線F6 (圖3A中示出）切割的。如圖3G所示，端槽310D具有大約等于槽310E的槽延長部分的寬 度E8的寬度E13。端槽310D可具有大于或小于槽310E的槽延長部分的寬度E8的寬度。
[0075] 端槽310D與槽310C (它們?yōu)橄噜彶?之間的間距E14小于槽310E與槽310F (它 們?yōu)橄噜彶?之間的間距E15。端槽310D與槽310C之間的間距E14可與槽310E與槽310F 之間的間距E15相同，或可大于所述間距E15。
[0076] 圖3H為沿著圖3A所示的線F7切割的橫向槽380A的側(cè)剖視圖。線F7大約沿著 橫向槽380A的中心線。橫向槽380A填充有(例如，大體上填充有）電介質(zhì)385A。盡管未示 出，但在一些具體實(shí)施中，橫向槽380A的至少一部分可包括屏蔽電極。在該具體實(shí)施中，橫 向槽380A具有恒定深度E4。橫向槽380A可具有沿著縱向軸線D2變化的深度。
[0077] 圖31為沿著圖3A所示的線F8切割的所述多個(gè)槽310的主槽部分312的側(cè)剖視 圖。所述多個(gè)槽310的剖視圖的一部分包括在端接區(qū)304中，所述多個(gè)槽310的剖視圖的 一部分包括在有源區(qū)302中。
[0078] 由于在該具體實(shí)施中，端槽310D的寬度沿著縱向軸線D1大體上恒定，因此端槽 310D沿著切割線F8的寬度E13 (圖31中示出）與沿著切割線F6 (圖3G中示出）一樣。相 比之下，至少一些諸如例如槽310C和槽310E的槽的寬度沿著縱向軸線D1變化。具體地， 槽310E的寬度E9 (圖31中示出）大于槽310E的寬度E8 (圖3G中示出）。盡管槽310C的 寬度變化，但端槽310D與槽310C之間的間距E14大體上恒定。
[0079] 如圖31所示，所述多個(gè)槽310中的于其間包括源極注入的槽可稱為有源器件槽 319。如圖31所示，最左側(cè)有源器件槽310H包括柵電極，該柵電極具有小于包括在其余有 源器件槽319中的柵電極的寬度。由于源極注入僅與槽310H的一側(cè)接觸，因此槽310H可 稱為部分有源柵極槽。
[0080] 如上文所指出，整體地設(shè)置在端接區(qū)304內(nèi)的槽(諸如圖31所示的一些槽)可稱為 端接槽318。槽3101是包括屏蔽電極的端接槽。
[0081] 如圖31所示，所述多個(gè)槽310中的端接槽的至少一部分包括屏蔽電極。在一些具 體實(shí)施中，端接槽318的至少一部分可具有延伸高出槽的頂部部分的屏蔽電極。例如，槽 310J包括屏蔽電極330J(或屏蔽電極部分)，該屏蔽電極330J延伸至一高出槽310J的在平 面D4內(nèi)對齊的頂部部分的距離。屏蔽電極330J可延伸至與例如端槽310D的深度E12相 同或不同(例如，比其更深、比其更淺）的深度。
[0082] 包括屏蔽電極的端接槽318 (或其部分）可稱為屏蔽的端接槽。在一些具體實(shí)施 中，包括在端接槽318的一者或多者中的屏蔽電極的一者或多者可以是電氣浮動的(例如， 可不耦合至電位源極）或可耦合至柵極(例如，柵極電位)。
[0083] 簡便起見，以下各視圖中全部使用方向D1、D2和D3以及平面D4。另外，簡便起見， 不是所有元件均標(biāo)記在每個(gè)圖或視圖中。
[0084] 圖4A至圖4D為示意圖，示出了圖3A至圖31所示的半導(dǎo)體器件300上的至少一 些特征的變型形式。因此，總體上保留了圖3A至圖31中包括的參考符號和特征，并且不再 結(jié)合圖4A至圖4D描述一些特征。在半導(dǎo)體器件300中包括類似于端槽310D的額外的端 槽(槽31(^、310￥、3102)，且在圖4八至圖40中示出這些額外的端槽。端槽31(^、310￥、3102 進(jìn)一步將槽310C與漏極電位屏蔽并降低表面屏蔽電極332與漏極(例如，背側(cè)漏極、外延層 308)之間的電容。具體地，端槽313的每一者均可具有類似于圖4B所示的端槽310D (其 為沿著線H5切割的側(cè)剖視圖）的結(jié)構(gòu)和尺寸。
[0085] 如圖4A所示，橫向槽380A與全部的端槽313相交且止于最外側(cè)端槽310Z內(nèi)。橫 向槽380A可與少于全部的端槽313相交。橫向槽380A可止于設(shè)置在兩個(gè)其他端槽313之 間的端槽313的一者內(nèi)。橫向槽380A可止于最內(nèi)側(cè)端槽310D內(nèi)。
[0086] 圖4C為示出了沿著線H6切割的端槽313的示意圖。如圖4C所示，端槽313的每 一者均具有示出為與E12相同的深度。另外，端槽313的每一者均具有與E13相等的橫截 面寬度。在一些具體實(shí)施中，端槽313的一者或多者可具有與所述其他端槽313的一者或 多者不同的深度(例如，更深的深度、更淺的深度）和/或不同的寬度(例如，更大的寬度、更 窄的寬度)。另外，如圖4C所示，端槽313每者均以相同的間距E14分隔，間距E14小于(所 述多個(gè)槽310的其余者的或內(nèi)側(cè)槽317的）間距E15。端槽之間的間距可大于圖4C中所示 (例如，等于或大于間距E15)，或小于圖4C中所示。
[0087] 圖4D為沿著圖4A所示的線H8切割的所述多個(gè)槽310的主槽部分312的側(cè)剖視 圖。所述多個(gè)槽310的剖視圖的一部分包括在端接區(qū)304中，所述多個(gè)槽310的剖視圖的 一部分包括在有源區(qū)302中。
[0088] 由于在該具體實(shí)施中，端槽313 (S卩，端槽31(^、310￥、3102、3100)的寬度沿著縱向 軸線D1大體上恒定，因此端槽313沿著切割線H8的寬度與沿著切割線H6 (圖4C中示出） 一樣。
[0089] 在一些具體實(shí)施中，端槽313的一者或多者可包括屏蔽電極的至少一部分(例如， 浮動屏蔽電極)。例如，端槽310X可包括耦合至例如表面屏蔽電極332的屏蔽電極的至少 一部分。
[0090] 圖5A至圖51為根據(jù)一些具體實(shí)施的示出了另一端接區(qū)的配置的示意圖。圖5A為 示意圖，示出了包括有源區(qū)502和端接區(qū)504的半導(dǎo)體器件500的至少一部分的平面圖（或 沿著水平面的俯視圖)。圖5B至圖51為沿著圖5A的平面圖內(nèi)的不同切割線(例如，切割線 G1至G8)的側(cè)剖視圖。為簡化圖5A所示的平面圖，未示出圖5B至圖51的側(cè)剖視圖中所示 的一些元件。圖5B至圖51中包括的沿著不同切割線的側(cè)剖視圖不一定按照與圖5A所示 的平面圖相同的比例(例如，槽的數(shù)量等）繪制。
[0091] 如圖5A所示，多個(gè)槽510 (或平行槽)，包括例如槽510A至510J，沿著縱向軸線D1 在半導(dǎo)體器件500內(nèi)對齊。所述多個(gè)槽510的至少一些部分可包括在有源區(qū)502中，且所 述多個(gè)槽510的至少一些部分可包括在端接區(qū)504中。
[0092] 在該具體實(shí)施中，槽510D整體地設(shè)置在端接區(qū)504內(nèi)且為所述多個(gè)槽510中的最 外側(cè)槽。因此，槽510D可稱為端槽。半導(dǎo)體器件500中的所述多個(gè)槽510中在端槽510D 側(cè)向（或內(nèi)側(cè)）的槽可稱為內(nèi)側(cè)槽517。
[0093] 如圖5A所示，有源區(qū)502由半導(dǎo)體器件500的與源極觸點(diǎn)區(qū)536(例如，源極觸點(diǎn) 區(qū)536)或屏蔽電介質(zhì)邊緣區(qū)534中的至少一者一致的區(qū)域限定。源極觸點(diǎn)區(qū)536限定半 導(dǎo)體器件500內(nèi)的形成源極觸點(diǎn)(諸如圖51所示的源極觸點(diǎn)557)的區(qū)域。源極觸點(diǎn)區(qū)536 還可與例如源極導(dǎo)體區(qū)(例如，源極金屬區(qū)）一致。源極觸點(diǎn)可與一個(gè)或多個(gè)有源器件的源 極注入(諸如在圖51所示的槽510E與510F之間的臺面區(qū)560E內(nèi)的源極注入562E)接觸。 源極形成區(qū)556 (其可稱為源極排除邊緣）限定一區(qū)域，在該區(qū)域內(nèi)，將所述多個(gè)槽510之 間的臺面區(qū)摻雜成有源器件的摻雜源極區(qū)。
[0094] 圖5A所示的屏蔽電介質(zhì)邊緣區(qū)534與例如圖5B (其為沿著線G1切割的側(cè)剖視 圖）所不的極間電介質(zhì)540的邊緣541 -致(例如，大約一致)。在一些具體實(shí)施中，極間電 介質(zhì)540的至少一部分可包括諸如圖5B所示柵極電介質(zhì)部分542的柵極電介質(zhì)。
[0095] 如圖5A所示，端接區(qū)504包括半導(dǎo)體器件500的在有源區(qū)502外部的(例如，有源 區(qū)502不包括的）區(qū)域。因此，端接區(qū)504,類似于有源區(qū)502,由源極觸點(diǎn)區(qū)536或屏蔽電 介質(zhì)邊緣區(qū)534中的至少一者限定。
[0096] 盡管圖5A未示出，但可將一個(gè)或多個(gè)橫向槽，類似于圖3A至圖31所示的橫向槽 380A，包括在半導(dǎo)體器件500中。在此類具體實(shí)施中，橫向槽可在正交方向上與所述多個(gè)槽 510相交且可設(shè)置在端接區(qū)504內(nèi)。在此類具體實(shí)施中，例如圖5C和圖?所示的側(cè)剖視圖 將包括橫向槽。
[0097] 在該具體實(shí)施中，所述多個(gè)槽510的是內(nèi)側(cè)槽517且設(shè)置在線G9的左方的部分可 稱為槽延長部分514。所述多個(gè)槽510的是內(nèi)側(cè)槽517且設(shè)置在線的右方并延伸到有源區(qū) 502中（或朝著有源區(qū)502延伸）的部分可稱為主槽部分512。例如，槽510A包括位于線G9 的左側(cè)的槽延長部分514A (朝著周邊且在遠(yuǎn)離有源區(qū)502的遠(yuǎn)端方向上)，并且槽510A包 括位于線G9的右側(cè)的主槽部分512A (遠(yuǎn)離周邊且在朝著有源區(qū)502的近端方向上)。在該 具體實(shí)施中，主槽部分512A的至少一部分包括在(例如，設(shè)置在)端接區(qū)504中，且主槽部分 512A的一部分包括在(例如，設(shè)置在）有源區(qū)502中。在該具體實(shí)施中，槽延長部分514可 限定凹部（當(dāng)在側(cè)剖視圖中觀察時(shí))。
[0098] 圖5B為示意圖，示出了沿著線G1切割的半導(dǎo)體器件500的側(cè)剖視圖。切割線G1 大約沿著槽510A的中心線使得半導(dǎo)體器件500的側(cè)剖視圖沿著大約與槽510A的中心相交 的平面。槽510A與槽510B之間的臺面區(qū)560A的側(cè)剖視圖在圖5C中示出。如圖5C所示， 阱區(qū)562A形成在外延層508的由表面柵電極522和表面屏蔽電極532阻擋的區(qū)域中。圖 5B中所示的特征設(shè)置在半導(dǎo)體器件500的外延層508中。
[0099] 如圖5B所示，槽510A包括設(shè)置在其中的電介質(zhì)570A。具體地，電介質(zhì)570A的一部 分奉禹合至側(cè)壁(例如，為側(cè)壁形成襯底、設(shè)置在側(cè)壁上)，且電介質(zhì)570A的一部分在槽510A 的主槽部分512A內(nèi)耦合至槽510A的底部表面。在該剖視圖中，示出了電介質(zhì)570A的耦合 至槽510A的底部表面的部分，未示出電介質(zhì)570A的耦合至槽510A的側(cè)壁的部分。圖5B 所示的電介質(zhì)570A的沿著槽510A的主槽部分512A的底部表面的部分可稱為底部電介質(zhì)。 電介質(zhì)570A可耦合至或可包括場電介質(zhì)574 (其可稱為場電介質(zhì)部分)。
[0100] 如圖5B所示，柵電極520A以及屏蔽電極530A的一部分531A設(shè)置在主槽部分512A 的包括在半導(dǎo)體器件500的有源區(qū)502中的部分中。柵電極520A和屏蔽電極530A由極間 電介質(zhì)540的至少一部分分隔。主槽部分512A的包括在端接區(qū)504中的部分具有設(shè)置在 其中且通過電介質(zhì)570A與外延層508絕緣的屏蔽電極533A的部分530A。屏蔽電極530A 的部分533A可稱為屏蔽電極的端接區(qū)部分，且屏蔽電極530A的部分531A可稱為屏蔽電極 的有源區(qū)部分。
[0101] 在該具體實(shí)施中，表面屏蔽電極532耦合至屏蔽電極530A，且表面柵電極522耦合 至柵電極520A。表面電極532通過極間電介質(zhì)540的至少一部分與表面柵電極522絕緣。 使用過孔551將柵極滑槽導(dǎo)體552耦合至表面柵電極522。類似地，使用過孔553穿過表面 柵電極522中的開口將源極滑槽導(dǎo)體554 (其還耦合至源極）耦合至表面屏蔽電極532。
[0102] 盡管圖5A至圖51未示出，但半導(dǎo)體器件500可不包括表面屏蔽電極532和/或 表面柵電極522。換句話講，半導(dǎo)體器件500 (或其部分）可配置為不具有表面電極532和 /或表面柵電極522。與此類具體實(shí)施有關(guān)的更多細(xì)節(jié)在下文中描述。
[0103] 如圖5B所示，電介質(zhì)570A的部分572A (還稱為電介質(zhì)的延長部分或延長電介質(zhì)） 包括在槽延長部分514A中。電介質(zhì)570A的部分572A沿著堅(jiān)直方向D3從槽510A的槽延 長部分514A的底部至槽510A的至少頂部對齊(例如，在該堅(jiān)直方向上延伸）。槽510A (其 包括槽部分514A和主槽部分512A)的頂部沿著平面D4對齊，平面D4沿著半導(dǎo)體器件500 的半導(dǎo)體區(qū)的頂部表面對齊。電介質(zhì)570A可包括一個(gè)或多個(gè)電介質(zhì)層和/或利用一種或 多種不同形成工藝形成的一種或多種電介質(zhì)類型。
[0104] 包括在槽510A中的電介質(zhì)570A的厚度沿著槽510A的縱向軸線D1變化。電介質(zhì) 570A的包括在槽延長部分514A中的部分572A在槽延長部分514A中具有至少厚度II (還 可稱為高度，因?yàn)槠溲刂鴪?jiān)向軸線D3對齊)，厚度II大于電介質(zhì)570A的包括在槽510A的 主部分512A中（端接區(qū)部分和有源區(qū)部分兩者中）的部分的厚度12。電介質(zhì)570A的部分 572A的厚度一直延伸超出厚度II至表面屏蔽電極532的底部表面。厚度II大約與槽延 長部分514A的深度(沿著堅(jiān)直方向D3)-致。部分572A的厚度可幫助消除槽510A的末端 (朝著左端）處的相對高的側(cè)向和/或堅(jiān)直電場。
[0105] 重新參考圖5B，在該具體實(shí)施中，槽延長部分514A包括電介質(zhì)570A的部分572A 且不包括屏蔽電極。盡管未示出，但在一些具體實(shí)施中，諸如槽延長部分514A的槽延長部 分可包括屏蔽電極的一部分(例如，屏蔽電極的一部分、凹陷屏蔽電極)。
[0106] 盡管圖5B未示出，但電介質(zhì)570A的在槽510A的主部分512A中的部分的厚度12 可沿著縱向軸線D1變化。例如，電介質(zhì)570A的包括在主槽部分512A的端接區(qū)504中的部 分的厚度可大于電介質(zhì)570A的包括在主槽部分512A的有源區(qū)502中的部分的厚度，或反 之亦然。
[0107] 如果包括橫向槽，則橫向槽可具有與主槽部分512A的深度(其與13 -致）和/或 槽延長部分514A的深度(其與II 一致)相同或不同(例如，比起更大、比起更小)的深度。在 一些具體實(shí)施中，主槽部分512A的深度(其與13 -致）可與槽延長部分514A的深度(其與 II 一致）相同。
[0108] 如圖5B所示，槽510A的槽延長部分514A的長度116長于槽510A的主槽部分512A 的包括在端接區(qū)504中的部分的長度117。盡管未示出，但槽510A的槽延長部分514A的長 度116可等于或短于槽510A的主槽部分512A的包括在端接區(qū)504中的部分的長度117。 如圖5B所示，主槽部分512A可包括電介質(zhì)570A的與電介質(zhì)570A的部分572A接觸且具有 厚度17的部分575A。厚度17可大約等于或不同于(例如，大于、小于）厚度12。
[0109] 電介質(zhì)570A的包括在槽延長部分514A中的部分572A的厚度12被配置為具有諸 如上文所述那些的端接區(qū)優(yōu)點(diǎn)。具體地，在半導(dǎo)體器件500內(nèi)包括槽延長部分514A(和/或 橫向槽(未示出））的情況下，可防止或大體上防止在包括在主槽部分512A中的電介質(zhì)570A 上的不期望的電場或擊穿。
[0110] 重新參見圖5A，周邊槽590A、590B設(shè)置在所述多個(gè)槽510的周邊周圍。如圖5B所 示，周邊槽590A、590B具有大約等于主槽部分512A的深度(例如，距離13)的深度15。周邊 槽590A、590B的深度15小于槽延長部分514A的深度(例如，距離II)。周邊槽590A、590B 的一者或多者的深度可小于或大于主槽部分512A的深度。周邊槽590A、590B的一者或多 者的寬度可與所述多個(gè)槽510的主槽部分512和/或延長部分514的寬度大約相同或不同 (例如，比其更窄、比其更寬)。
[0111] 重新參見圖5A，槽延長部分514具有與主槽部分512的寬度相同的寬度。如一具 體實(shí)例，槽510A的槽延長部分510A具有等于(大約等于）槽510A的主槽部分512A的寬度 111的寬度110。寬度上的這種相等還在例如各種視圖的槽510E中示出。具體地，圖5G(其 沿著穿過槽延長部分514的與所述多個(gè)槽510正交的線G6切割）所示的槽510E具有等于 (或大約等于）圖51 (其沿著穿過主槽部分512的與所述多個(gè)槽510正交的線G8切割）所 示的槽510E的寬度19的寬度18。盡管圖5A未示出，但槽延長部分514的一者或多者可具 有小于或大于主槽部分512的一者或多者的寬度的寬度。
[0112] 盡管槽延長部分514具有與主槽部分512相同的寬度，但電介質(zhì)570A，當(dāng)在半導(dǎo)體 加工期間（使用一種或多種工藝）形成在槽延長部分514和主槽部分512兩者中時(shí)，可在不 完全地填充主槽部分512的情況下完全地填充槽延長部分514。因此，屏蔽電極530A可在 不形成在槽延長部分514A中的同時(shí)形成在主槽部分512A中。
[0113] 圖?為沿著線G3切割的與槽510G相鄰的臺面區(qū)560G的側(cè)剖視圖。在該具體實(shí) 施中，臺面區(qū)560G整體地設(shè)置在端接區(qū)504內(nèi)。如圖?所示，源極滑槽導(dǎo)體554不與表面 屏蔽電極532接觸(例如，與表面屏蔽電極532絕緣、不電耦合至表面屏蔽電極532)。
[0114] 圖5E為沿著圖5A所示的線G4切割的槽510G的側(cè)剖視圖。在該具體實(shí)施中，槽 510G整體地設(shè)置在端接區(qū)504內(nèi)。槽510G，以及整體地設(shè)置在端接區(qū)504內(nèi)的其他槽，可 稱為端接槽518(其可為內(nèi)側(cè)槽517的子集合)。槽510G的尺寸類似于圖5B所示的槽510A 的尺寸(例如，直接在該槽510G側(cè)向的尺寸)。槽510G的尺寸可不同于圖5B所示的槽510A 的對應(yīng)部分。例如，槽510G可具有恒定深度，該恒定深度可與槽延長部分514A的深度II (圖5B中示出)相同或不同(例如，比其更深、比其更淺)，或者與主槽部分512A的深度13相 同或不同(例如，比其更深、比其更淺)。
[0115] 如圖5E所示，源極滑槽導(dǎo)體554不與表面屏蔽電極532或屏蔽電極530C接觸(例 如，與表面屏蔽電極532或屏蔽電極530C絕緣、不電耦合至表面屏蔽電極532或屏蔽電極 530C)。設(shè)置在槽510G內(nèi)的屏蔽電極530C可以是電氣浮動的。設(shè)置在槽510G內(nèi)的屏蔽電 極530C可電耦合至源極電位。因此，可將屏蔽電極530C連接至與圖5B所示的屏蔽電極 530A相同的源極電位。
[0116] 圖5F為沿著圖5A所示的線G5切割的端槽510D的側(cè)剖視圖。端槽510D填充有 (例如，沿著端槽510D的中心線從端槽510D的底部至端槽510D的頂部，大體上填充有）電 介質(zhì)570D。盡管未不出，但在一些具體實(shí)施中，端槽510D的至少一部分可包括屏蔽電極。 端槽510D可具有與例如槽510A的長度大約相同的長度(沿著縱向方向D1)。
[0117] 重新參見圖5F，端槽510D具有大于周邊槽590A、590B的深度15的深度112。端 槽510D可具有等于或小于周邊槽590A、590B的一者或多者的深度的深度112。在該具體實(shí) 施中，端槽510D的深度112大約等于槽延長部分514A的深度(例如，距離II)(圖5B中示 出）。端槽510D可具有小于或大于槽延長部分514A的深度(例如，距離II)(圖5B中示出） 的深度112。類似于槽510A的深度的變化，端槽510D可具有變化的深度。
[0118] 盡管未示出，但在一些具體實(shí)施中，在半導(dǎo)體器件500中可包括填充有(例如，大 體上填充有)電介質(zhì)的類似于端槽510D的多個(gè)槽。此類電介質(zhì)填充槽可稱為端槽。盡管未 示出，但在一些具體實(shí)施中，隨著寬度變化且具有包括屏蔽電極的部分的槽(諸如槽510C) 可為端槽。在此類具體實(shí)施中，端槽510D可省略。
[0119] 如上文所提及，圖5G是沿著穿過槽延長部分514的與所述多個(gè)槽510正交的線G6 (圖5A中示出）切割的。如圖5G所示，端槽510D具有大約等于槽510E的槽延長部分的寬 度E8的寬度113。端槽510D可具有大于或小于槽510E的槽延長部分的寬度18的寬度。 在該具體實(shí)施中，寬度Π 3大約等于周邊槽590A、590B的寬度的每一者。
[0120] 端槽510D與槽510C (它們?yōu)橄噜彶?之間的間距114和槽510E與槽510F (它們 為相鄰槽）之間的間距E15大約相同。端槽510D與槽510C之間的間距114可小于或大于 槽510E與槽510F之間的間距115。
[0121] 圖5H為端接區(qū)504內(nèi)的沿著圖5A所示的線G7切割的所述多個(gè)槽510的主槽部 分512的側(cè)剖視圖。在該側(cè)剖視圖中，主槽部分512的每一者均包括耦合至表面屏蔽電極 532的屏蔽電極，端槽510D除外。
[0122] 圖51為沿著穿過端接區(qū)504并進(jìn)入有源區(qū)502的圖5A所示的線G8切割的所述 多個(gè)槽510的主槽部分512的側(cè)剖視圖。所述多個(gè)槽510的剖視圖的一部分包括在端接區(qū) 504中，所述多個(gè)槽510的剖視圖的一部分包括在有源區(qū)502中。
[0123] 由于在該具體實(shí)施中，端槽510D的寬度沿著縱向軸線D1大體上恒定，因此端槽 510D沿著切割線G8的寬度113 (圖51中示出）與沿著切割線G6 (圖5G中示出）一樣。類 似地，至少一些諸如例如槽510C和槽510E的槽的寬度沿著縱向軸線D1恒定(大體上恒定)。 具體地，槽510E的寬度19 (圖51中示出）等于槽510E的寬度18 (圖5G中示出）。
[0124] 如圖51所示，所述多個(gè)槽510中的于其間包括源極注入的槽可稱為有源器件槽 519。由于有源器件槽519、部分有源柵極槽、端接槽518、源極注入等的總體結(jié)構(gòu)與圖31所 示的那些類似，因此除非另有指出，否則這里不再結(jié)合圖51描述這些特征。盡管圖51未示 出，但端槽510D可包括屏蔽電極(例如，凹陷屏蔽電極、具有設(shè)置在下方的厚底部氧化物的 屏蔽電極、電氣浮動的屏蔽電極、耦合至源極電位(例如，經(jīng)由表面屏蔽電極532)或柵極電 位(例如，經(jīng)由表面柵電極522)的屏蔽電極）的至少一部分。
[0125] 如圖51所示，所述多個(gè)槽510中的端接槽518的至少一部分包括屏蔽電極。在一 些具體實(shí)施中，端接槽518的至少一部分可具有延伸高出槽的頂部部分的屏蔽電極。例如， 槽510J包括屏蔽電極530J (或屏蔽電極部分)，該屏蔽電極530J延伸至一高出槽510J的 在平面D4內(nèi)對齊的頂部部分的距離。屏蔽電極530J可延伸至與例如端槽510D的深度E12 相同或不同(例如，比其更深、比其更淺）的深度。
[0126] 包括屏蔽電極的端接槽518 (或其部分）可稱為屏蔽的端接槽。在一些具體實(shí)施 中，包括在端接槽518的一者或多者中的屏蔽電極的一者或多者可以是電氣浮動的(例如， 可不耦合至電位源極）或可耦合至柵極(例如，柵極電位)。
[0127] 圖6A至圖6G為示意圖，示出了圖5A至圖51所示的半導(dǎo)體器件500上的至少一 些特征的變型形式。因此，總體上保留了圖5A至圖51中包括的參考符號和特征。在圖5A 至圖51中，槽延長部分514填充有電介質(zhì)材料，但是，圖6A至圖6G示出了變型形式，在這 些變型形式中，槽延長部分514包括屏蔽電極材料。
[0128] 圖6B為示意圖，示出了沿著線G1切割的半導(dǎo)體器件500的側(cè)剖視圖。切割線G1 大約沿著槽510A的中心線使得半導(dǎo)體器件500的側(cè)剖視圖沿著大約與槽510A的中心相交 的平面。如圖6B所示，屏蔽電極530A (以續(xù)接的方式）設(shè)置在槽510A的槽延長部分514A 以及主槽部分512A內(nèi)。
[0129] 如圖6B所示，電介質(zhì)570A的沿著縱向軸線D1的厚度在槽510A內(nèi)變化。具體地， 電介質(zhì)570A的部分572A的厚度16大于電介質(zhì)570A的厚度12。但是，電介質(zhì)570A的部分 572A的厚度16小于槽延長部分514A的深度II。電介質(zhì)570A的部分572A的厚度16可大 約等于厚度12。厚度16可大約等于電介質(zhì)570A的在端接區(qū)504內(nèi)的槽510A的末端處沿 著槽510A的堅(jiān)直側(cè)壁515A的厚度118。厚度16可小于或大于電介質(zhì)570A的沿著槽510A 的堅(jiān)直側(cè)壁515A的厚度118。
[0130] 在該具體實(shí)施中，電介質(zhì)570A的沿著槽510A的底部表面的頂部表面573A (在電 介質(zhì)570A與屏蔽電極530A的底部表面之間的界面處）大體上沿著縱向方向D1對齊且是 恒定或平坦的。電介質(zhì)570A的頂部表面573A可沿著縱向方向D1變化。例如，如果電介質(zhì) 570A的部分572A的厚度16薄于圖6B所示的厚度，則頂部表面573A可在主槽部分512A與 槽延長部分514A之間具有拐折。圖6C示出了槽510G，其具有與在槽510A的槽延長部分 514A中的屏蔽電極530A的尺寸（圖6B中示出）大約相同的在槽延長部分514G (槽延長部 分的輪廓以虛線示出）中的屏蔽電極530G尺寸。
[0131] 圖6D為沿著圖6A所示的線G5切割的端槽510D的側(cè)剖視圖。在該具體實(shí)施中， 端槽510D，不是完全地填充有如圖5F所示的電介質(zhì)材料，而是包括設(shè)置在電介質(zhì)570D的至 少一部分內(nèi)的屏蔽電極530D。在該具體實(shí)施中，端槽510D的深度112大約等于槽延長部 分514A的深度(例如，距離II)(圖5B中示出）。端槽510D可具有小于或大于槽延長部分 514A的深度(例如，距離II)(圖5B中示出）的深度112。類似于槽510A的深度的變化，端 槽510D可具有變化的深度。
[0132] 圖6E是沿著穿過槽延長部分514的與所述多個(gè)槽510正交的線G6 (圖6A中示 出）切割的。如圖6E所示，全部的槽延長部分514均包括屏蔽電極。另外，端槽510D具有 大約等于例如槽510E的槽延長部分的寬度18的寬度113。端槽510D可具有大于或小于 槽510E的槽延長部分的寬度18的寬度。在該具體實(shí)施中，寬度113大約等于周邊槽590A、 590B的寬度的每一者。
[0133] 端槽510D與槽510C (它們?yōu)橄噜彶?之間的間距114和槽510E與槽510F (它們 為相鄰槽）之間的間距E15大約相同。端槽510D與槽510C之間的間距114可小于或大于 槽510E與槽510F之間的間距115。
[0134] 圖6F為端接區(qū)504內(nèi)的沿著圖6A所示的線G7切割的所述多個(gè)槽510的主槽部 分512的側(cè)剖視圖。在該側(cè)剖視圖中，主槽部分512的每一者，包括端槽510D在內(nèi)，均包括 耦合至表面屏蔽電極532的屏蔽電極。包括在端槽510D中的屏蔽電極530D可以是電氣浮 動的。
[0135] 圖6G為沿著穿過端接區(qū)504并進(jìn)入有源區(qū)502的圖6A所示的線G8切割的所述 多個(gè)槽510的主槽部分512的側(cè)剖視圖。所述多個(gè)槽510的剖視圖的一部分包括在端接區(qū) 504中，所述多個(gè)槽510的剖視圖的一部分包括在有源區(qū)502中。
[0136] 由于在該具體實(shí)施中，端槽510D的寬度沿著縱向軸線D1大體上恒定，因此端槽 510D沿著切割線G8的寬度113 (圖6G中示出）與沿著切割線G7 (圖6F中示出）以及與沿 著切割線G6 (圖6E中示出）一樣。
[0137] 相比之下，至少一些諸如例如槽510C和槽510E的槽的寬度沿著縱向軸線D1而 不同。例如，槽510E的寬度19 (圖6G和圖6F中示出）小于槽510E的寬度18 (圖6E中示 出)。
[0138] 如圖6G所示，所述多個(gè)槽510中的于其間包括源極注入的槽可稱為有源器件槽 519。由于有源器件槽519、部分有源柵極槽、端接槽518、源極注入等的總體結(jié)構(gòu)與圖31所 示的那些類似，因此除非另有指出，否則這里不再結(jié)合圖6G描述這些特征。盡管圖6G未示 出，但端槽510D可包括各種屏蔽電極(例如，凹陷屏蔽電極、電氣浮動的屏蔽電極、具有設(shè) 置在下方的厚底部氧化物的屏蔽電極、耦合至源極電位(例如，經(jīng)由表面屏蔽電極532)或柵 極電位(例如，經(jīng)由表面柵電極522)的屏蔽電極)。
[0139] 圖7A至圖7J為示意圖，示出了圖3A至圖31所示的半導(dǎo)體器件300的至少一些 特征的變型形式。因此，總體上保留了圖7A至圖7J中包括的參考符號和特征，并且不再結(jié) 合圖7A至圖7J描述一些特征。在圖3A至圖31中，橫向槽380A平分所述多個(gè)槽310 (或 平行槽)，但是，在圖7A至圖7J中，橫向槽383A設(shè)置在所述多個(gè)槽310 (或平行槽）的末端 處。因此，所述多個(gè)槽310的每一者均不平分成如結(jié)合圖3A至圖31所討論的槽延長部分 和主槽部分。具體地，如圖7A所示的橫向槽383A與周邊槽390A、390B平行對齊(沿著縱向 軸線D2)，但設(shè)置在周邊槽390A、390B與所述多個(gè)槽310的跟橫向槽383A正交地對齊的末 端之間。圖7B至圖7J中包括的沿著不同切割線的側(cè)剖視圖不一定按照與圖7A所示的平 面圖相同的比例(例如，槽的數(shù)量等）繪制。
[0140] 在該具體實(shí)施中，槽310D整體地設(shè)置在端接區(qū)304內(nèi)且為所述多個(gè)槽310中的最 外側(cè)槽。因此，槽310D可稱為端槽。半導(dǎo)體器件300中的所述多個(gè)槽310中在端槽310D 側(cè)向（或內(nèi)側(cè)）的槽可稱為內(nèi)側(cè)槽317。
[0141] 如圖7A所示，橫向槽383A沿著與縱向軸線D1正交(例如，大體上正交）的縱向軸 線D2對齊。如上文所指出，橫向槽383A與周邊槽390A、390B平行對齊，但設(shè)置在周邊槽 390A、390B與所述多個(gè)槽310的跟橫向槽383A正交地對齊的末端之間。橫向槽383A可視 為與例如槽310A流體連通。橫向槽383A可僅與所述多個(gè)槽310的一部分(例如，少于全部 的所述多個(gè)槽310)相交。橫向槽383A可稱為槽端槽（Ε0ΤΤ)，或者由于橫向槽383A相對于 平行槽（即，所述多個(gè)槽310)垂直取向，因此橫向槽383A可稱為垂直槽。在該具體實(shí)施中， 橫向槽383A整體地設(shè)置在端接區(qū)302內(nèi)。
[0142] 盡管在半導(dǎo)體器件300中僅包括一個(gè)橫向槽，但在一些具體實(shí)施中，在半導(dǎo)體器 件300中可包括不止一個(gè)類似于橫向槽383A的橫向槽。例如，可包括與橫向槽383A平行 對齊且與所述多個(gè)槽310相交的額外的橫向槽(類似于結(jié)合圖3A至圖31描述的具體實(shí)施)。
[0143] 圖7B為示意圖，示出了沿著線F1切割的半導(dǎo)體器件300的側(cè)剖視圖。切割線F1 大約沿著槽310A的中心線使得半導(dǎo)體器件300的側(cè)剖視圖沿著大約與槽310A的中心相交 的平面。橫向槽383A的與槽310A相交的部分在圖7B中示出。在槽310A與槽310B之間 的臺面區(qū)360A內(nèi)的沿著線F2切割的橫向槽383A的側(cè)剖視圖在圖7C中示出。
[0144] 如圖7B所示，槽310A包括設(shè)置在其中的電介質(zhì)370A。具體地，電介質(zhì)370A的一部 分耦合至側(cè)壁(例如，為側(cè)壁形成襯底、設(shè)置在側(cè)壁上)，且電介質(zhì)370A的一部分在槽310A 的主槽部分312A內(nèi)耦合至槽310A的底部表面。在該剖視圖中，示出了電介質(zhì)370A的耦合 至槽310A的底部表面的部分，未示出電介質(zhì)370A的耦合至槽310A的側(cè)壁的部分。
[0145] 如圖7B所示，電介質(zhì)370A的部分372A包括在槽310A中，且電介質(zhì)370A的部分 371A包括在橫向槽383A中。電介質(zhì)370A的部分372A沿著堅(jiān)直方向D3從槽310A的底部 至槽310A的至少頂部對齊(例如，在該堅(jiān)直方向上延伸）。類似地，電介質(zhì)370A的部分371A 沿著堅(jiān)直方向D3從槽310A的底部至橫向槽383A的至少頂部對齊(例如，在該堅(jiān)直方向上 延伸)。槽310A(其包括槽部分314A和主槽部分312A)的頂部沿著平面D4對齊，平面D4沿 著半導(dǎo)體器件300的半導(dǎo)體區(qū)的頂部表面對齊。電介質(zhì)370A可包括一個(gè)或多個(gè)電介質(zhì)層 和/或利用一種或多種不同形成工藝形成的一種或多種電介質(zhì)類型。例如，包括在槽310A 中的部分372A可為接觸(例如，可鄰接）的第一電介質(zhì)，部分371A可為包括在橫向槽383A 中的第二電介質(zhì)?？墒褂孟嗤碾娊橘|(zhì)形成工藝來形成部分371A和部分372A。
[0146] 包括在槽310A中的電介質(zhì)370A的厚度El沿著槽310A的縱向軸線D1恒定(例如， 大體上恒定)。電介質(zhì)370A的部分371A和372A具有至少一組合厚度E1，該組合厚度E1大 于電介質(zhì)370A的沿著槽310A的底部的部分的厚度E2。在一些具體實(shí)施中，電介質(zhì)的部分 372A可具有大約等于厚度E2的厚度，和/或電介質(zhì)的部分371A可具有小于厚度E2的厚 度。在一些具體實(shí)施中，電介質(zhì)的部分372A可具有大約不同于(例如，大于、小于）厚度E2 的厚度，和/或電介質(zhì)的部分371A可具有等于或大于厚度E2的厚度。
[0147] 另外，電介質(zhì)370A的包括在橫向槽383A中的部分371A具有至少厚度E4(還可稱 為高度)，厚度E4大于電介質(zhì)370A的包括在槽310A的主部分312A中的部分的厚度E2和 /或電介質(zhì)370A的包括在槽延長部分314A中的部分372A的厚度E1。圖7B所示的電介質(zhì) 370A的部分371A的厚度一直延伸超出厚度E4至表面屏蔽電極332的底部表面。厚度E4 大約與橫向槽383A的深度(沿著堅(jiān)直方向D3) -致。橫向槽383A的深度（或高度）還示出 在圖7C所示的臺面區(qū)360A內(nèi)。
[0148] 盡管未示出，但在一些具體實(shí)施中，諸如橫向槽383A的橫向槽可包括屏蔽電極的 一部分(例如，屏蔽電極330A的一部分、凹陷屏蔽電極)。
[0149] 盡管圖7B未示出，但電介質(zhì)370A的在槽310A的主部分312A中的部分的厚度E2 可沿著縱向軸線D1變化。例如，電介質(zhì)370A的包括在主槽部分312A的端接區(qū)304中的部 分的厚度可大于電介質(zhì)370A的包括在主槽部分312A的有源區(qū)302中的部分的厚度，或反 之亦然。
[0150] 圖3B所示的槽310A的輪廓可包括有圖7B所示的橫向槽383A (不具有或具有橫 向槽380A)。不具有橫向槽380A的此類具體實(shí)施在圖7J中示出。
[0151] 在該具體實(shí)施中，橫向槽383A具有與槽部分310A的深度(其與E3 -致）相同或 大約相等的深度(其與E4 -致)。盡管圖7A至圖7J未示出，但橫向槽383A可具有大于槽 310A的深度的深度。盡管圖7A至圖7J未示出，但橫向槽383A可具有小于槽310A的深度 的深度。
[0152] 重新參見圖7A，周邊槽390A、390B設(shè)置在所述多個(gè)槽310的周邊周圍。如圖7B所 示，周邊槽390A、390B具有大約等于橫向槽383A的深度(例如，距離E4)和槽310A的深度 (例如，距離E3)的深度E5。周邊槽390A、390B的一者或多者的深度可小于或大于橫向槽 383A的深度和/或槽310A的深度。
[0153] 圖7D為沿著線F3切割的與槽310G相鄰的臺面區(qū)360G的側(cè)剖視圖。在該具體實(shí) 施中，臺面區(qū)360G整體地設(shè)置在端接區(qū)304內(nèi)。如圖7D所示，源極滑槽導(dǎo)體354不與表面 屏蔽電極332接觸(例如，與表面屏蔽電極332絕緣、不電耦合至表面屏蔽電極332)。
[0154] 圖7E為沿著圖7A所示的線F4切割的槽310G的側(cè)剖視圖。在該具體實(shí)施中，槽 310G整體地設(shè)置在端接區(qū)304內(nèi)。槽310G，以及整體地設(shè)置在端接區(qū)304內(nèi)的其他槽，可稱 為端接槽318。槽310G的尺寸類似于圖7B所示的槽310A的尺寸(例如，直接在該槽310A 側(cè)向的尺寸）。槽310G的尺寸可不同于圖7B所示的槽310A的對應(yīng)部分。
[0155] 如圖7E所示，源極滑槽導(dǎo)體354不與表面屏蔽電極332或屏蔽電極330G接觸(例 如，與表面屏蔽電極332或屏蔽電極330G絕緣、不電耦合至表面屏蔽電極332或屏蔽電極 330G)。設(shè)置在槽310G內(nèi)的屏蔽電極330G可以是電氣浮動的。設(shè)置在槽310G內(nèi)的屏蔽電 極330G可電耦合至源極電位。因此，可將屏蔽電極330G連接至與圖7B所示的屏蔽電極 330A相同的源極電位。設(shè)置在槽310G內(nèi)的屏蔽電極330G可以是凹陷的。
[0156] 圖7F為沿著圖7A所示的線F5切割的端槽310D的側(cè)剖視圖。端槽310D填充有 電介質(zhì)370D。盡管未不出，但在一些具體實(shí)施中，端槽310D的至少一部分可包括屏蔽電極。 端槽310D可具有與例如槽310A的長度大約相同的長度(沿著縱向方向D1)。
[0157] 如圖7A所示，橫向槽383A止于端槽310D。橫向槽383A可止于除端槽310D外的 槽，諸如所述多個(gè)槽310中的內(nèi)側(cè)槽317的一者。
[0158] 重新參見圖7F，端槽310D具有小于周邊槽390A、390B的深度E5以及橫向槽E4的 深度E12。端槽310D可具有等于或大于周邊槽390A、390B的一者或多者和/或橫向槽E4 的深度的深度E12。
[0159] 如上文所提及，圖7G是沿著與所述多個(gè)槽310正交的穿過整體地在端接區(qū)304內(nèi) 的一區(qū)域的線F6 (圖7A中示出）切割的。如圖7G所示，所述多個(gè)槽310中的每個(gè)內(nèi)側(cè)槽 317 (不包括端槽310D)包括屏蔽電極。這與圖3G所示的槽延長部分314A形成對比。因 此，端槽310D具有小于槽310E的在端接區(qū)304內(nèi)的部分的寬度E8的寬度E13。
[0160] 端槽310D可具有大于或等于槽310E的寬度E8的寬度。另外，端槽310D可具有 大于或等于周邊槽380A、390A的一者或多者和/或所述多個(gè)槽310中的內(nèi)側(cè)槽317的深度 的深度。
[0161] 端槽310D與槽310C (它們?yōu)橄噜彶?之間的間距E14小于槽310E與槽310F (它 們?yōu)橄噜彶?之間的間距E15。端槽310D與槽310C之間的間距E14可與槽310E與槽310F 之間的間距E15相同，或可大于所述間距E15。
[0162] 圖7H為沿著圖7A所示的線F7切割的橫向槽383A的側(cè)剖視圖。線F7大約沿著 橫向槽383A的中心線。橫向槽383A填充有電介質(zhì)385A。盡管未不出，但在一些具體實(shí)施 中，橫向槽383A的至少一部分可包括屏蔽電極。在該具體實(shí)施中，橫向槽383A具有恒定深 度E4。橫向槽383A可具有沿著縱向軸線D2變化的深度。
[0163] 圖71為沿著圖7A所示的線F8切割的所述多個(gè)槽310的主槽部分312的側(cè)剖視 圖。所述多個(gè)槽310的剖視圖的一部分包括在端接區(qū)304中，所述多個(gè)槽310的剖視圖的 一部分包括在有源區(qū)302中。
[0164] 由于在該具體實(shí)施中，端槽310D的寬度沿著縱向軸線D1大體上恒定，因此端槽 310D沿著切割線F8的寬度E13 (圖71中示出）與沿著切割線F6 (圖7G中示出）一樣。類 似地，至少一些諸如例如槽310C和槽310E的槽的寬度沿著縱向軸線D1大體上恒定。這 與圖3A所示的沿著縱向軸線變化的所述多個(gè)槽310形成對比。具體地，槽310E的寬度E9 (圖71中示出）大約等于槽310E的寬度E8 (圖7G中示出）。
[0165] 端槽310D可具有大于或等于槽310E的寬度E9的寬度。另外，端槽310D可具有 大于或等于周邊槽380A、390A的一者或多者和/或所述多個(gè)槽310中的內(nèi)側(cè)槽317(例如， 有源槽）的深度的深度。
[0166] 圖8為根據(jù)具體實(shí)施的示出了半導(dǎo)體器件800的示意圖。在該具體實(shí)施中，包括 在該具體實(shí)施中的許多特征類似于上文所描述的那些。因此，使用與相同或類似特征結(jié)合 使用的參考符號來描述該具體實(shí)施。
[0167] 如圖8所示，半導(dǎo)體器件800可任選地包括與平行槽310 (例如，平行槽的末端)相 交的橫向槽380A (由虛線示出）。另外，如圖8所示，半導(dǎo)體器件800包括端槽870、880和 890的多個(gè)集合。端槽870、880和890的所述集合的每一者具有半圓形狀且包括多個(gè)同心 端槽。例如，端槽870的集合具有端槽870A，所述端槽870A在經(jīng)由橫向槽380A與所述多個(gè) 槽310的一者對齊(或耦合）的第一端處耦合，且具有在經(jīng)由橫向槽380A與所述多個(gè)槽310 的另一者對齊(或耦合）的第二端。
[0168] 盡管圖8未示出，但端槽870、880和/或890的集合中的端槽的一者或多者可具 有不同于(例如，寬于、窄于)所述多個(gè)槽310的一者或多者的寬度的槽寬。例如，端槽870A 可具有小于與槽870A -致的所述多個(gè)槽310的一者的槽寬的槽寬。
[0169] 在一些具體實(shí)施中，半導(dǎo)體器件800可不包括橫向槽。在一些具體實(shí)施中，類似于 橫向槽380A的多個(gè)橫向槽可包括在半導(dǎo)體器件800中且與所述多個(gè)槽310的一者或多者 和/或端槽870、880和/或890的集合的一者或多者相交。
[0170] 盡管示出為具有半圓形狀，但在一些具體實(shí)施中，端槽870、880和/或890的集合 的一者或多者可限定不同圖樣或不同形狀。例如，盡管未示出，端槽的集合可限定可同心的 矩形形狀端槽的集合。端槽的集合中的每個(gè)端槽之間的間距(或臺面寬度)可大約相等或可 變化(例如，在寬度上可從最內(nèi)側(cè)端槽向最外側(cè)端槽增加，在寬度上可從最內(nèi)側(cè)端槽向最外 側(cè)端槽減小)。
[0171] 圖9A至圖9N為根據(jù)一些具體實(shí)施的示出了端接區(qū)的配置的示意圖。圖9A為示 意圖，示出了包括有源區(qū)902和端接區(qū)904的半導(dǎo)體器件900的至少一部分的平面圖（或沿 著水平面的俯視圖）。圖9B至圖9N為沿著圖9A的平面圖內(nèi)的不同切割線(例如，切割線Q1 至Q10)的側(cè)剖視圖。為簡化圖9A所示的平面圖，未示出圖9B至圖9N的側(cè)剖視圖中所示 的一些元件。圖9B至圖9N中包括的沿著不同切割線的側(cè)剖視圖不一定按照與圖9A所示 的平面圖相同的比例(例如，槽的數(shù)量等）繪制?？梢匀魏谓M合進(jìn)行組合的半導(dǎo)體器件900 的變型形式在至少圖10A至圖13L中示出（且以相同或類似參考符號進(jìn)行編號)。
[0172] 如圖9A所示，多個(gè)槽910,包括例如槽910A至910J，在半導(dǎo)體器件900內(nèi)沿著縱向 軸線D1對齊。所述多個(gè)槽910的至少一些部分可包括在有源區(qū)902中，且所述多個(gè)槽910 的至少一些部分可包括在端接區(qū)904中。例如，槽910B的一部分包括在有源區(qū)902中，且槽 910B的一部分包括在端接區(qū)904中。如圖9A所示，槽910G整體地設(shè)置在端接區(qū)904內(nèi)。
[0173] 在該具體實(shí)施中，槽910C和910D (其可稱為端槽913)整體地設(shè)置在端接區(qū)904 內(nèi)且為所述多個(gè)槽910中的最外側(cè)槽。因此，槽910C和910D可稱為端槽。半導(dǎo)體器件900 中的所述多個(gè)槽910中在端槽910C和910D側(cè)向（或內(nèi)側(cè)）的槽可稱為內(nèi)側(cè)槽917。
[0174] 如圖9A所示，源極觸點(diǎn)區(qū)936限定半導(dǎo)體器件900內(nèi)的形成源極觸點(diǎn)（未示出） (諸如圖9K所示的源極觸點(diǎn)957)的區(qū)域。源極觸點(diǎn)區(qū)936還可與例如源極導(dǎo)體區(qū)(例如， 源極金屬區(qū)）一致。源極觸點(diǎn)可與一個(gè)或多個(gè)有源器件的源極注入(諸如在圖9K所示的槽 910E與910F之間的臺面區(qū)960E內(nèi)的源極注入963E)接觸。源極形成區(qū)956 (其可稱為源 極排除邊緣）限定一區(qū)域，在該區(qū)域內(nèi)，將所述多個(gè)槽910之間的臺面區(qū)摻雜成有源器件的 摻雜源極區(qū)。
[0175] 圖9A所示的屏蔽電介質(zhì)邊緣區(qū)934與例如圖9B (其為沿著線Q1切割的側(cè)剖視 圖）所示的極間電介質(zhì)940的邊緣941 一致(例如，大約一致)。在一些具體實(shí)施中，極間電 介質(zhì)940的至少一部分可包括諸如圖9B所示柵極電介質(zhì)部分942的柵極電介質(zhì)。
[0176] 在該具體實(shí)施中，有源區(qū)902由半導(dǎo)體器件900的與屏蔽電介質(zhì)邊緣區(qū)934對應(yīng) 的區(qū)域限定。端接區(qū)904包括半導(dǎo)體器件900的在有源區(qū)902外部的(例如，有源區(qū)902不 包括的）區(qū)域。因此，端接區(qū)904,類似于有源區(qū)902,由屏蔽電介質(zhì)邊緣區(qū)934限定。屏蔽 電介質(zhì)邊緣區(qū)934大約與屏蔽電極、柵電極及極間電介質(zhì)有源區(qū)凹部的掩膜區(qū)一致。屏蔽 電極，在該具體實(shí)施中，凹陷至低于柵電極。例如，如圖9B所示，屏蔽電極930A的至少一部 分凹陷至低于柵電極920A且通過槽910A中的極間電介質(zhì)940與柵電極920A絕緣。
[0177] 在該具體實(shí)施中，所述多個(gè)槽910的（為內(nèi)側(cè)槽917且）始于所述多個(gè)槽910中的 線916 (沿著縱向軸線916)的部分可稱為槽延長部分914。所述多個(gè)槽910的（為內(nèi)側(cè)槽 917且）設(shè)置在線916的右方并延伸到有源區(qū)902中（或朝著有源區(qū)902延伸）的部分可稱 為主槽部分912。線916可指示所述多個(gè)槽910的一者或多者的深度的變化所開始的點(diǎn)。
[0178] 例如，槽910A包括位于線916的左側(cè)的槽延長部分914A(朝著周邊且在遠(yuǎn)離有源 區(qū)902的遠(yuǎn)端方向上)，并且槽910A包括位于線916的右側(cè)的主槽部分912A (遠(yuǎn)離周邊且 在朝著有源區(qū)902的近端方向上)。在該具體實(shí)施中，主槽部分912A的至少一部分包括在 (例如，設(shè)置在）端接區(qū)904中，且主槽部分912A的一部分包括在(例如，設(shè)置在）有源區(qū)902 中。
[0179] 圖9B為示意圖，示出了沿著線Q1切割的半導(dǎo)體器件900的側(cè)剖視圖。切割線Q1 大約沿著槽910A的中心線使得半導(dǎo)體器件900的側(cè)剖視圖沿著大約與槽910A的中心相交 的平面。圖9B中所示的特征設(shè)置在半導(dǎo)體器件900的外延層908中。圖9A至圖9N未示 出襯底的其他部分、漏極觸點(diǎn)等。與其他圖相關(guān)的許多視圖設(shè)置在外延層中，且類似地不示 出襯底、漏極觸點(diǎn)等。
[0180] 如圖9B所示，槽910A包括設(shè)置在其中的電介質(zhì)970A。具體地，電介質(zhì)970A的一部 分耦合至側(cè)壁(例如，為側(cè)壁形成襯底、設(shè)置在側(cè)壁上)，且電介質(zhì)970A的一部分在槽910A 的主槽部分912A內(nèi)耦合至槽910A的底部表面。在該剖視圖中，示出了電介質(zhì)970A的耦合 至槽910A的底部表面的部分，未示出電介質(zhì)970A的耦合至槽910A的側(cè)壁的部分。圖9B 所示的電介質(zhì)970A的沿著槽910A的主槽部分912A的底部表面的部分可稱為底部電介質(zhì)。 電介質(zhì)970A可耦合至或可包括場電介質(zhì)974 (其可稱為場電介質(zhì)部分)。
[0181] 如圖9B所示，柵電極920A以及屏蔽電極930A的一部分931A設(shè)置在主槽部分912A 的包括在半導(dǎo)體器件900的有源區(qū)902中的部分中。柵電極920A和屏蔽電極930A由極間 電介質(zhì)940的至少一部分分隔(例如，絕緣)。主槽部分912A的包括在端接區(qū)904中的部分 具有設(shè)置在其中且通過電介質(zhì)970A與外延層908絕緣的屏蔽電極930A的部分933A。屏蔽 電極930A的部分933A可稱為屏蔽電極的端接區(qū)部分，且屏蔽電極930A的部分931A可稱 為屏蔽電極的有源區(qū)部分。如圖9B所示，屏蔽電極930A的部分933A沿著厚度R28 -直延 伸至并接觸層間電介質(zhì)（ILD)992 (其可能包括諸如場電介質(zhì)974的另一電介質(zhì)(和/或柵 極氧化物)）的底部部分。屏蔽電極930A的部分933A在槽910A內(nèi)具有一堅(jiān)直高度(或頂部 表面)，該堅(jiān)直高度(或頂部表面）高于屏蔽電極930A的凹陷在槽910A內(nèi)的部分931A的頂 部表面。屏蔽電極930A的部分933A在槽910A內(nèi)還具有一厚度(或堅(jiān)直厚度)，該厚度（或 堅(jiān)直厚度）大于屏蔽電極930A的部分931A的厚度。部分933A沿著槽延長部分914A的輪 廓(例如，側(cè)壁輪廓）（未不出)堅(jiān)直延伸。屏蔽電極930A的部分933A具有一設(shè)置在柵電極 920A的邊緣（以及極間電介質(zhì)940的邊緣941和/或柵極電介質(zhì)部分942)與橫向槽983A 之間的部分。
[0182] 在該具體實(shí)施中，半導(dǎo)體器件900不包括表面屏蔽電極和表面柵電極。這與圖3A 至圖31所示的包括表面屏蔽電極和表面柵電極的半導(dǎo)體器件300形成對比。如圖9A所示， 柵極滑槽導(dǎo)體952經(jīng)由過孔951直接耦合至包括在所述多個(gè)槽910的至少一些中的柵電 極。例如，所述多個(gè)槽910中的多個(gè)(例如，超過三個(gè))相鄰槽中的柵電極經(jīng)由過孔951耦合 至柵極滑槽。具體地，包括有源器件的所述多個(gè)槽910的柵電極的每一者經(jīng)由過孔951耦 合至柵極滑槽導(dǎo)體952。類似于柵極滑槽導(dǎo)體952,源極滑槽導(dǎo)體954(其類似于部分933A) 被引到有源區(qū)902中的外延層的至少一個(gè)表面(與平面D4對齊)且(其被配置為耦合至源極 電位）使用一個(gè)或多個(gè)過孔(未示出）來耦合至所述多個(gè)槽910內(nèi)的每個(gè)源極。
[0183] 如圖9A所示，摻雜區(qū)938是于其中執(zhí)行阱注入(例如，P型阱注入、N型阱注入）的 區(qū)域。在該具體實(shí)施中，摻雜區(qū)938與P阱摻雜物區(qū)(例如，圖9C所示的阱摻雜物區(qū)962A) 相關(guān)聯(lián)。在該具體實(shí)施中，由于半導(dǎo)體器件900不包括表面屏蔽電極和表面柵電極，因此， 可在半導(dǎo)體器件900的更大區(qū)域上執(zhí)行阱注入。例如，由表面屏蔽電極332的表面區(qū)域和/ 或表面柵電極322的表面區(qū)域來限制在半導(dǎo)體器件300內(nèi)可執(zhí)行阱注入的區(qū)域，其中表面 屏蔽電極332的表面區(qū)域和/或表面柵電極322的表面區(qū)域阻擋用以形成阱注入的注入。 如一具體實(shí)例，在圖3B和3C中，外延層308的在柵極滑槽導(dǎo)體352和/或源極滑槽導(dǎo)體 354下的區(qū)域(諸如臺面區(qū)360A)可能不注入有阱注入，因?yàn)楸砻嫫帘坞姌O332和表面柵電 極322設(shè)置在柵極滑槽導(dǎo)體352下方及源極滑槽導(dǎo)體354下方。
[0184] 相比之下，由于半導(dǎo)體器件900不包括表面屏蔽電極或表面柵電極，因此用以形 成阱注入的注入不受阻擋。因此，可在半導(dǎo)體器件900的幾乎整個(gè)表面區(qū)域上執(zhí)行阱注入。
[0185] 如圖9C所示，阱摻雜物區(qū)962A在源極滑槽954下方以及在柵極滑槽導(dǎo)體952下方 延伸。盡管未示出，但阱摻雜物區(qū)962A可僅在源極滑槽954下方或僅在柵極滑槽導(dǎo)體952 下方延伸(如果在不同位置中）。盡管未示出，但阱摻雜物區(qū)962A可朝著周邊延伸(例如，在 遠(yuǎn)離有源區(qū)920的遠(yuǎn)端方向上)。
[0186] 于其中可任選地?cái)U(kuò)展阱摻雜物區(qū)962A的區(qū)域以線961示出。換句話講，可將阱摻 雜物區(qū)962A-直擴(kuò)展至(例如，可延伸至、可一直設(shè)置至并鄰接或接觸）周邊槽990A、990B 的一者或多者。在此類具體實(shí)施中，可結(jié)合例如橫向槽的添加來實(shí)現(xiàn)沿著線961的阱摻雜 物區(qū)962A的擴(kuò)展，所述橫向槽的一些實(shí)例諸如圖3A所示的橫向槽383A或圖10A所示的橫 向槽983A。橫向槽可為具有與例如屏蔽電極930A的設(shè)置在槽910A內(nèi)的邊緣(例如，端接邊 緣）大體上對齊的邊緣的橫向槽。
[0187] 可將阱摻雜物區(qū)擴(kuò)展超出（例如，可延伸超出、可設(shè)置超出)周邊槽990A、990B的一 者或多者。在與圖9A至圖9N相關(guān)的額外的圖中，示出了線961。通過摻雜例如半導(dǎo)體器件 900的整個(gè)表面，可不必使用與例如摻雜區(qū)938相關(guān)聯(lián)的摻雜掩膜。
[0188] 在該具體實(shí)施中，為了所需的電荷平衡處理，長度R18(其可稱為側(cè)向平衡長度)等 于或大于深度R3 (圖9B中示出）。長度R18從主槽部分912A的末端(始于圖9B所示的線 916)延伸至阱摻雜物區(qū)962A的邊緣964A (圖9C中示出）。在一些具體實(shí)施中，長度R18可 小于或等于長度R17,或者大于長度R17。在阱摻雜物區(qū)962A的邊緣964A側(cè)向間隔(例如， 使得R18大約大于R3)時(shí)，擊穿可保持在有源區(qū)902中，而不是出現(xiàn)在端接區(qū)904中。在側(cè) 向地來自阱摻雜物區(qū)962A的邊緣964A的耗盡邊緣大于與距離R3相關(guān)的堅(jiān)直耗盡時(shí)，可在 有源區(qū)902中保持半導(dǎo)體器件900的擊穿電壓、測試(例如，非鉗制感應(yīng)切換（UIS))期間的 穩(wěn)定性、器件性能等。通過此舉，堅(jiān)直方向上的電場可大于側(cè)向方向上的電場。
[0189] 重新參考圖9B，電介質(zhì)970A的部分972A (還稱為電介質(zhì)的延長部分或延長電介 質(zhì)）包括在槽延長部分914A中。電介質(zhì)970A的部分972A沿著堅(jiān)直方向D3從槽910A的 槽延長部分914A的底部至槽910A的至少頂部對齊(例如，在該堅(jiān)直方向上延伸）。槽910A (其包括槽部分914A和主槽部分912A)的頂部沿著平面D4對齊，平面D4沿著半導(dǎo)體器件 900的半導(dǎo)體區(qū)的頂部表面對齊。半導(dǎo)體器件900的半導(dǎo)體區(qū)可大約與外延層908的頂部 表面一致。電介質(zhì)970A可包括一個(gè)或多個(gè)電介質(zhì)層和/或利用一種或多種不同形成工藝 形成的一種或多種電介質(zhì)類型。
[0190] 如圖9B所示，電介質(zhì)970A的部分971A包括在主槽部分912A的末端中。電介質(zhì) 970A的部分971A沿著堅(jiān)直方向D3從橫向主槽部分912A的底部至主槽部分912A的至少頂 部對齊(例如，在該堅(jiān)直方向上延伸）。主槽部分912A的頂部沿著平面D4對齊。
[0191] 包括在槽910A中的電介質(zhì)970A的厚度沿著槽910A的縱向軸線D1變化。電介質(zhì) 970A的包括在槽延長部分914A中的部分972A在槽延長部分914A中具有至少厚度R1 (還 可稱為高度，因?yàn)槠溲刂鴪?jiān)向軸線D3對齊)，厚度R1大于電介質(zhì)970A的包括在槽910A的 主部分912A中（端接區(qū)部分和有源區(qū)部分兩者中）的部分的厚度R2。電介質(zhì)970A的部分 972A的厚度一直延伸超出厚度R1至層間電介質(zhì)（IED) 992的底部表面。厚度R1大約與槽 延長部分914A的深度(沿著堅(jiān)直方向D3) -致。
[0192] 另外，電介質(zhì)970A的包括在主槽部分912A中的部分971A具有至少厚度R3(還可 稱為高度)，厚度R3大于電介質(zhì)970A的包括在槽910A的主部分912A中的部分的厚度R2并 且小于電介質(zhì)970A的包括在槽延長部分914A中的部分972A的厚度R1。圖9B所示的電介 質(zhì)970A的部分971A的厚度一直延伸超出厚度R3至層間電介質(zhì)992的底部表面。厚度R3 大約與主槽部分912A的深度(沿著堅(jiān)直方向D3)-致。因此，槽910A的深度沿著縱向軸線 D1從深度R3變化至深度R1。
[0193] 重新參考圖9B，在該具體實(shí)施中，槽延長部分914A包括電介質(zhì)970A的部分972A 且不包括屏蔽電極。盡管未示出，但在一些具體實(shí)施中，諸如槽延長部分914A的槽延長部 分可包括屏蔽電極的一部分(例如，屏蔽電極的一部分、凹陷屏蔽電極)。
[0194] 盡管圖9B未示出，但電介質(zhì)970A的在槽910A的主部分912A中的部分的厚度R2 可沿著縱向軸線D1變化。例如，電介質(zhì)970A的包括在主槽部分912A的端接區(qū)904中的部 分的厚度可大于電介質(zhì)970A的包括在主槽部分912A的有源區(qū)902中的部分的厚度，或反 之亦然。
[0195] 如圖9B所不，槽910A的槽延長部分914A的長度R16長于槽910A的主槽部分 912A的包括在端接區(qū)904中的部分(直達(dá)IED940的柵極電介質(zhì)部分942的邊緣941)的長 度R17。盡管未示出，但槽910A的槽延長部分914A的長度R16可等于或短于槽910A的主 槽部分912A的包括在端接區(qū)904中的部分的長度R17。
[0196] 電介質(zhì)970A的包括在槽延長部分914A中的部分972A的厚度R2被配置為具有諸 如上文所述那些的端接區(qū)優(yōu)點(diǎn)。具體地，在半導(dǎo)體器件900內(nèi)包括槽延長部分914A的情況 下，可防止或大體上防止在包括在主槽部分912A中的電介質(zhì)970A上的不期望的電場或擊 穿。換句話講，在不具有諸如槽延長部分914A的特征的情況下，可能發(fā)生槽（S卩，不具有槽 延長部分914A的主槽部分912A)的末端處的不期望的電場或在槽的末端處電介質(zhì)上的擊 穿。
[0197] 重新參見圖9A，周邊槽990A、990B設(shè)置在所述多個(gè)槽910的周邊周圍。如圖9B所 示，周邊槽990A、990B具有大約等于主槽部分912A的深度(例如，距離R3)的深度R5。周邊 槽990A、990B的深度R5小于槽延長部分914A的深度（例如，距離R1)。周邊槽990A、990B 的一者或多者的深度可小于或大于主槽部分912A的深度。周邊槽990A、990B的一者或多 者的深度可大于或等于槽延長部分914A的深度。周邊槽990A、990B的一者或多者的寬度 可與所述多個(gè)槽910的主槽部分912的寬度大約相同或不同(例如，比其更窄、比其更寬)。
[0198] 在該具體實(shí)施中，周邊槽990A、990B的每一者均包括屏蔽電極的至少一部分。例 如，周邊槽990A包括屏蔽電極935 (或屏蔽電極部分)。在一些具體實(shí)施中，周邊槽990A、 990B中的一者或多者可包括凹陷電極,或可不包括屏蔽電極(例如，可不包括屏蔽電極且可 大體上填充有電介質(zhì))。半導(dǎo)體器件900可包括比圖9A至圖9N所示更多或更少的周邊槽。
[0199] 如圖9A所示，柵電極920A的一部分凹陷至低于ILD992。柵電極920A的凹陷限 定與圖9A所示的掩膜層999 一致的邊緣979 (圖9B中示出）?？蓤?zhí)行該凹陷以用于柵電極 920A的自對齊淺凹觸點(diǎn)（dimple contact)(使用觸點(diǎn)951)有源區(qū)。對于對齊的觸點(diǎn)而言， 可在柵電極920A上形成相對淺的凹部。此類實(shí)施例的實(shí)例在圖10E中示出。柵電極920A 的穿過過孔951與柵極滑槽導(dǎo)體952電接觸的部分不凹陷。與柵電極的凹陷有關(guān)的更多細(xì) 節(jié)在下文中結(jié)合例如圖10B描述。
[0200] 重新參見圖9A，槽延長部分914具有大約等于主槽部分912的寬度的寬度。本文 所描述的槽的寬度可在槽的橫截面上測得，同時(shí)沿著通過槽的水平面做參考。寬度可稱為 橫截面寬度。如一具體實(shí)例，槽910A的槽延長部分910A具有大約等于槽910A的主槽部分 912A的寬度R11的寬度R10。寬度上的這種一致性還在例如各種視圖的槽910E中示出。具 體地，圖9H (其沿著穿過槽延長部分914的與所述多個(gè)槽910正交的線Q7切割）所示的槽 910E具有大約等于(例如）圖91 (其沿著穿過主槽部分912的與所述多個(gè)槽910正交的線 G8切割)所示的槽910E的寬度R8的寬度18。盡管圖9A未示出，但槽延長部分914的一者 或多者可具有小于或大于主槽部分912的一者或多者的寬度的寬度。
[0201] 盡管未示出，但橫向槽可包括在半導(dǎo)體器件900中且可沿著與縱向軸線D1正交 (例如，大體上正交)的縱向軸線D2對齊。所述橫向槽可類似于上文所描述的橫向槽(例如， 橫向槽380A、橫向槽383A)。
[0202] 圖9D為沿著線Q3切割的與槽910G相鄰的臺面區(qū)960G的側(cè)剖視圖。在該具體實(shí) 施中，臺面區(qū)960G整體地設(shè)置在端接區(qū)904內(nèi)。如圖9D所示，在臺面區(qū)960G中包括阱摻 雜物區(qū)962G。如上文所提及，于其中可能擴(kuò)展阱摻雜物區(qū)962G的區(qū)域以線961示出。
[0203] 圖9E為沿著圖9A所示的線Q4切割的槽910G的側(cè)剖視圖。在該具體實(shí)施中，槽 910G整體地設(shè)置在端接區(qū)904內(nèi)。槽910G，以及整體地設(shè)置在端接區(qū)904內(nèi)的其他槽，可 稱為端接槽918。槽910G (其包括延長電介質(zhì)972G)的尺寸類似于圖9B所示的槽910A的 尺寸(例如，直接在該槽910A側(cè)向的尺寸）。槽910G的尺寸可不同于圖9B所示的槽910A的 對應(yīng)部分。例如，槽910G可具有恒定深度，該恒定深度可與槽延長部分914A的深度R1 (圖 9B中示出）相同或不同（例如，比其更深、比其更淺)，或者與主槽部分912A的深度R3相同 或不同(例如，比其更深、比其更淺)。
[0204] 設(shè)置在槽910G內(nèi)的屏蔽電極930G可以是電氣浮動的。設(shè)置在槽910G內(nèi)的屏蔽 電極930G可電耦合至源極電位。因此，可將屏蔽電極930G連接至與圖9B所示的屏蔽電極 930A相同的源極電位。設(shè)置在槽910G內(nèi)的屏蔽電極930G可凹陷。如上文所提及，于其中 可能擴(kuò)展阱摻雜物區(qū)962G的區(qū)域以線961示出。
[0205] 圖9F為沿著圖9A所示的線Q5切割的與端槽910D相鄰的臺面區(qū)960C的側(cè)剖視 圖。在該具體實(shí)施中，臺面區(qū)960C設(shè)置在摻雜區(qū)938的外部。因此，臺面區(qū)960C不包括阱 摻雜物區(qū)。如上文所提及，于其中可將阱摻雜物區(qū)包括在橫截面區(qū)域的一個(gè)或多個(gè)部分中 的區(qū)域以線961示出。
[0206] 圖9G為沿著圖9A所示的線Q6切割的端槽910D的側(cè)剖視圖。端槽910D填充有 電介質(zhì)970D。盡管未不出，但在一些具體實(shí)施中，端槽910D的至少一部分可包括屏蔽電極。 端槽910D可具有與例如槽910A的長度大約相同的長度(沿著縱向方向D1)。
[0207] 端槽910D具有大于周邊槽990A、990B的深度R5的深度R12。端槽910D可具有等 于或小于周邊槽990A、990B的一者或多者的深度的深度E12。在該具體實(shí)施中，端槽910D 的深度R12大約等于槽延長部分914A的深度(例如，距離R1)(圖9B中示出）。端槽910D 可具有小于或大于槽延長部分914A的深度(例如，距離R1)(圖9B中示出）的深度R12。類 似于槽910A的深度的變化，端槽910D可具有變化的深度。
[0208] 盡管未不出，但在一些具體實(shí)施中，在半導(dǎo)體器件900中可包括填充有電介質(zhì)的 類似于端槽910D的多個(gè)槽。結(jié)合圖4A至圖4E在上文中描述了此類具體實(shí)施的實(shí)例。盡 管未示出，但在一些具體實(shí)施中，隨著寬度變化且具有包括屏蔽電極的部分的槽(諸如槽 910C)可為端槽。在此類具體實(shí)施中，端槽910D可省略。
[0209] 如上文所提及，圖9H是沿著穿過槽延長部分914的與所述多個(gè)槽910正交的線Q7 (圖9A中示出)切割的。在該具體實(shí)施中，所述多個(gè)槽910的在槽延長部分中的寬度與所述 多個(gè)槽910的在主槽部分中的寬度相同。另外，所述多個(gè)槽910的寬度的每一者在槽延長 部分內(nèi)的所述多個(gè)槽910上是相同的。例如，如圖9H所示，端槽910D具有大約等于槽910E 的槽延長部分的寬度R8的寬度R13。端槽910D可具有大于或小于槽910E的槽延長部分的 寬度R8的寬度。
[0210] 端槽910D與端槽910C (它們?yōu)橄噜彶郏┲g的間距R14大約等于槽910E與槽 910F (它們?yōu)橄噜彶郏┲g的間距R15。端槽910D與端槽910C之間的間距R14可小于或 大于槽910E與槽910F之間的間距R15。
[0211] 圖91為沿著穿過主槽部分912的與所述多個(gè)槽910正交的線Q8 (圖9A中示出） 切割的側(cè)剖視圖。在該具體實(shí)施中，柵極滑槽導(dǎo)體952設(shè)置在所述多個(gè)槽910上方，且線 Q8沿著所述多個(gè)槽910中的內(nèi)側(cè)槽917的相對淺的部分相交。端槽910D和910C (S卩，端 槽913)兩者均包括電介質(zhì)而不具有屏蔽電極，而所述多個(gè)槽910的沿著該切割線Q9的其 余者(其包括內(nèi)側(cè)槽917)每者均包括屏蔽電極。另外，端槽910D、910C的深度R12大于槽 的包括屏蔽電極的其余者(例如，非端槽、內(nèi)側(cè)槽917)的深度。
[0212] 如上文所提及，在該具體實(shí)施中，所述多個(gè)槽910的在槽延長部分中的寬度與所 述多個(gè)槽910的在主槽部分中的寬度相同。另外，所述多個(gè)槽910的寬度的每一者在主槽 部分內(nèi)的所述多個(gè)槽910上是相同的。例如，如圖91所示，主槽部分中的端槽910D具有大 約等于槽910E的主槽部分的寬度R8的寬度R13。端槽910D在主槽部分中可具有大于或小 于槽910E的主槽部分的寬度R8的寬度。
[0213] 圖9J為沿著穿過主槽部分912的與柵極滑槽導(dǎo)體952和源極滑槽導(dǎo)體954之間 的所述多個(gè)槽910正交的線Q9 (圖9A中示出)切割的側(cè)剖視圖。在該視圖中包括所述多個(gè) 槽910中的不同類型的內(nèi)側(cè)槽917。端槽913包括電介質(zhì)而不具有屏蔽電極，而所述多個(gè)槽 910的沿著該切割線Q9的其余者每者均包括至少一個(gè)屏蔽電極。具體地，可稱為過渡區(qū)槽 915 (其包括在內(nèi)側(cè)槽917中）的槽910G和910K兩者均包括接地的屏蔽電極且每者均不包 括柵電極。其余槽(不包括端槽913和過渡區(qū)槽915)每者均包括柵電極和屏蔽電極。
[0214] 端槽913可包括少于兩個(gè)槽或超過兩個(gè)槽，且過渡區(qū)槽915可包括少于兩個(gè)槽或 超過兩個(gè)槽。例如，可不包括過渡區(qū)槽915,或可將其轉(zhuǎn)變?yōu)橛性床?。在此類具體實(shí)施中， 端槽910C可與有源槽接觸。此類具體實(shí)施在例如圖9E中示出（且結(jié)合下文的半導(dǎo)體器件 900的額外的變型形式進(jìn)行描述)。
[0215] 如圖9E所示，端槽910C與有源槽910G接觸或平行重疊。換句話講，端槽910C的 輪廓（以虛線示出）與有源槽910G的輪廓（以虛線示出）相交(例如，重疊、接觸)。因此，有 源槽910G與端槽910C自對齊。其他變型形式中描述并顯示了類似的結(jié)構(gòu)，但是全部的圖 中均未示出槽輪廓。在圖9E中，不包括表面屏蔽導(dǎo)體和表面柵極導(dǎo)體。
[0216] 包括在過渡區(qū)槽915中的屏蔽電極可以是電氣浮動的。槽910C、910D、910G和910K (其為(沿著縱向軸線D1)整體地設(shè)置在端接區(qū)904內(nèi)的槽）可稱為端接槽918。
[0217] 在該具體實(shí)施中，臺面區(qū)960G (以及阱摻雜物區(qū)962G)可為接地的或電氣浮動的 臺面區(qū)。臺面區(qū)960G (以及阱摻雜物區(qū)962G)可耦合至源極電位。在此類具體實(shí)施中，可 將諸如源極觸點(diǎn)957的源極觸點(diǎn)耦合至臺面區(qū)960G。在一些具體實(shí)施中，一個(gè)或多個(gè)諸如 端槽913的端槽之間的臺面區(qū)和/或諸如過渡區(qū)槽915的過渡區(qū)槽之間的臺面區(qū)可以是電 氣浮動的或接地的。所述一個(gè)或多個(gè)過渡區(qū)槽之間的臺面區(qū)可耦合至源極電位。另外，在 一些具體實(shí)施中，設(shè)置在過渡區(qū)槽915與端槽913之間的臺面區(qū)可以是電氣浮動的。
[0218] 圖9K為沿著穿過端接區(qū)904并進(jìn)入有源區(qū)902的圖9A所示的線Q10切割的所述 多個(gè)槽910的主槽部分912的側(cè)剖視圖。所述多個(gè)槽910的剖視圖的一部分包括在端接區(qū) 904中，所述多個(gè)槽910的剖視圖的一部分包括在有源區(qū)902中。
[0219] 由于在該具體實(shí)施中，端槽910D的寬度沿著縱向軸線D1大體上恒定，因此端槽 910D沿著切割線Q10的寬度R13 (圖9K中示出）與沿著例如切割線Q7 (圖9H中示出）一 樣。類似地，至少一些諸如例如槽910C和槽910E的槽的寬度沿著縱向軸線D1恒定（大體 上恒定)。
[0220] 如圖9K所示，所述多個(gè)槽910中的于其間包括源極注入的槽可稱為有源器件槽 919。由于有源器件槽919、部分有源柵極槽、端接槽918、源極注入等的總體結(jié)構(gòu)與圖31所 示的那些類似，因此除非另有指出，否則這里不再結(jié)合圖9K描述這些特征。盡管圖9K未示 出，但端槽910D和/或910C可包括屏蔽電極(例如，凹陷屏蔽電極、具有設(shè)置在下方的厚 底部氧化物的屏蔽電極、電氣浮動的屏蔽電極、耦合至源極電位(例如，經(jīng)由源極滑槽導(dǎo)體 954)或柵極電位(例如，經(jīng)由柵極滑槽導(dǎo)體952)的屏蔽電極）的至少一部分。
[0221] 圖9L為圖9B的變型形式。如圖9B所示，長度R17在電介質(zhì)970A的邊緣(未標(biāo)記） 與邊緣941之間延伸使得部分971A (圖9B中示出）被排除。在一些具體實(shí)施中，可包括部 分971A。如圖9L所示，半導(dǎo)體器件900包括凹陷（與設(shè)置在圖12H所示屏蔽電極930G的凹 陷部分936G上方的電介質(zhì)類似或相同）的電介質(zhì)部分974A (其可稱為突出電介質(zhì)且在圖 9L中以虛線示出）。因此，屏蔽電極930A的一部分凹陷至低于電介質(zhì)部分974A。電介質(zhì)部 分974A與電介質(zhì)970A的包括在槽延長部分914A中的部分972A相交(例如，接觸、重疊)， 或者為所述部分972A的一部分(或者與槽延長部分914A的輪廓(在該圖中未以虛線示出） 相交)。屏蔽電極930A的低于電介質(zhì)部分974A的凹部的深度大約為與極間電介質(zhì)940的 底部表面相同的深度。如圖9L所示，屏蔽電極930G (從左至右）凹陷(例如，第一凹部）至 低于電介質(zhì)部分974A，在電介質(zhì)部分974A的邊緣943與極間電介質(zhì)940的邊緣941之間不 凹陷（例如，堅(jiān)直地突出、一直延伸至槽910A的頂部)，且然后還凹陷(例如，第二凹部）至低 于極間電介質(zhì)940。圖9M為示出了包括電介質(zhì)974G (其可稱為突出電介質(zhì)）的槽970G的 示意圖，電介質(zhì)974G與圖9L所示的電介質(zhì)974A -致。半導(dǎo)體器件900的許多其他特征， 諸如圖9C所示的阱摻雜物區(qū)962A的邊緣964A，可與圖9L和9M所示的特征集成在一起。
[0222] 電介質(zhì)974A (以及其他具體實(shí)施所示的突出電介質(zhì)河消除槽910A的末端附近的 高電場，從而增加半導(dǎo)體器件900 (及相關(guān)端接區(qū)904)的穩(wěn)定性、可靠性及擊穿電壓。電介 質(zhì)974A還可減低朝著槽910A的末端(沿著方向D1朝著左方且在電介質(zhì)970A的部分972A 附近）的高側(cè)向電場，所述高側(cè)向電場可能歸因于槽910A的末端附近的相對輕的表面摻雜 濃度。
[0223] 圖10A至圖100為示意圖，示出了圖9A至圖9N所示的半導(dǎo)體器件900的至少一 些特征的變型形式。因此，總體上保留了圖9A至圖9N中包括的參考符號和特征，并且不再 結(jié)合圖10A至圖100描述一些特征。
[0224] 在圖10A至圖100中，在半導(dǎo)體器件900內(nèi)設(shè)置類似于端槽910C的周邊槽910L。 周邊槽910L包括沿著縱向軸線D1對齊的包括在所述多個(gè)槽910內(nèi)的部分。周邊槽910L 不同于周邊槽990A、990B，因?yàn)橹苓叢?10L填充有電介質(zhì)(且不包括屏蔽電極)，而周邊槽 990A、990B每者均包括屏蔽電極。
[0225] 另外，如圖10A至圖100所示，端槽910C耦合至橫向槽983A。端槽910C和橫向 槽983A可共同稱為具有橫向部分的周邊槽?？墒褂孟嗤奈g刻工藝或多種單獨(dú)的蝕刻工 藝來制作端槽910C、橫向槽983A和/或周邊槽910L。
[0226] 橫向槽983A類似于結(jié)合圖7A至圖7J所不出和描述的橫向槽383A。由于橫向槽 983A設(shè)置在所述多個(gè)槽910 (或平行槽）的末端，因此，所述多個(gè)槽910的每一者均不平分 成如結(jié)合圖9A至圖9N所討論的槽延長部分和主槽部分。具體地，如圖9A所示的橫向槽 983A與周邊槽990A、990B、910L平行對齊(沿著縱向軸線D2)，但設(shè)置在周邊槽990A、990B、 910L與所述多個(gè)槽910的跟橫向槽983A正交地對齊的末端之間。圖10B至圖100中包括 的沿著不同切割線的側(cè)剖視圖不一定按照與圖10A所示的平面圖相同的比例(例如，槽的 數(shù)量等）繪制。
[0227] 圖10B為示意圖，示出了沿著線Q1切割的半導(dǎo)體器件900的側(cè)剖視圖。切割線 Q1大約沿著槽910A的中心線使得半導(dǎo)體器件900的側(cè)剖視圖沿著大約與槽910A的中心 相交的平面。如圖10B所示，槽910A包括設(shè)置在其中的電介質(zhì)970A。具體地，電介質(zhì)970A 的一部分稱合至側(cè)壁(例如，為側(cè)壁形成襯底、設(shè)置在側(cè)壁上)，且電介質(zhì)970A的一部分在槽 910A的主槽部分912A內(nèi)耦合至槽910A的底部表面。
[0228] 如圖10B所示，柵電極920A以及屏蔽電極930A的一部分931A設(shè)置在包括在半導(dǎo) 體器件900的有源區(qū)902中的槽910A中。柵電極920A和屏蔽電極930A由極間電介質(zhì)940 的至少一部分分隔(例如，絕緣)。屏蔽電極930A的部分933A也設(shè)置在槽910A中且通過電 介質(zhì)970A與外延層908絕緣。屏蔽電極930A的部分933A可稱為屏蔽電極的端接區(qū)部分， 且屏蔽電極930A的部分931A可稱為屏蔽電極的有源區(qū)部分。
[0229] 電介質(zhì)部分976A設(shè)置在橫向槽983A內(nèi)。橫向槽983A的電介質(zhì)部分976A耦合至 包括在槽910A中的電介質(zhì)970A?？墒褂靡环N或多種不同的電介質(zhì)形成工藝(例如，熱電介 質(zhì)形成工藝、沉積工藝)來形成電介質(zhì)部分976A和電介質(zhì)970A。因此，電介質(zhì)部分976A和 電介質(zhì)970A可為不同的電介質(zhì)。
[0230] 周邊槽910L和橫向槽983A具有大于電介質(zhì)970A的包括在槽910A中的部分的厚 度R2的深度R1。周邊槽990A、990B具有大約等于槽910A的深度R3的深度R5。周邊槽 990A、990B的深度R5小于周邊槽910L和橫向槽983A的深度R1。周邊槽990A、990B的一者 或多者的深度可小于或大于橫向槽983A的深度和/或周邊槽910L的深度。周邊槽990A、 990B的一者或多者的深度可大于或等于槽910A的深度。盡管未示出，但橫向槽983A可具 有大約等于槽910A的深度R3的深度。
[0231] 周邊槽990A、990B的一者或多者的寬度可與所述多個(gè)槽910的寬度、橫向槽983A 的寬度和/或周邊槽910L的寬度大約相同或不同(例如，比其更窄、比其更寬)。周邊槽910L 可具有大于周邊槽990A的寬度R20的寬度R19。類似地，橫向槽983A可具有大于周邊槽 990A的寬度R20的寬度R21。盡管橫向槽983A的橫截面尺寸和周邊槽910L的橫截面尺寸 大約相同，但橫截面尺寸可不同。
[0232] 在該具體實(shí)施中，屏蔽電極930A的部分933A與設(shè)置在橫向槽983A內(nèi)的電介質(zhì)部 分976A接觸。另外，屏蔽電極930A的部分933A通過電介質(zhì)部分977A與層間電介質(zhì)992 絕緣。電介質(zhì)部分977A設(shè)置在柵極滑槽導(dǎo)體952下方，且具有小于場電介質(zhì)974的厚度的 厚度。柵電極920A可稱為具有這樣的第一部分和第二部分，與第二部分相比，第一部分相 對于ILD992的底部表面凹陷至低于場電介質(zhì)974,第二部分相對于ILD992的底部表面凹陷 較小程度（或根本不凹陷）且設(shè)置在電介質(zhì)部分977A以下。換句話講，柵電極920A可包括 第一凹陷部分(其可設(shè)置在電介質(zhì)部分977A以下以及柵極滑槽導(dǎo)體952以下）和第二凹陷 部分(其可具有設(shè)置在場電介質(zhì)974以下以及源極滑槽導(dǎo)體954以下的至少一部分)。
[0233] 電介質(zhì)部分977A可為場電介質(zhì)974的一部分。電介質(zhì)部分977A可設(shè)置在過孔 951周圍（例如，可限定過孔951周圍的周邊)。電介質(zhì)部分977A可與柵極電介質(zhì)部分942 接觸或可設(shè)置在柵極電介質(zhì)部分942上。
[0234] 在該具體實(shí)施中，橫向槽983A可用于所述多個(gè)槽910的一者或多者的自對齊蝕 亥IJ。具體地，用于形成橫向槽983A的第一掩膜可與用于形成所述多個(gè)槽910的第二掩膜重 疊。因此，由于重疊，因此第一掩膜和第二掩膜的不對齊可能不是問題，這種重疊將導(dǎo)致橫 向槽983A仍然與所述多個(gè)槽910的一者或多者(或其末端）相交。重疊(從掩膜的角度）的 圖示在圖10L中示出。如圖10L所示，所述多個(gè)槽910的末端929與橫向槽983A相交。
[0235] 重新參考圖10B，在該具體實(shí)施中，周邊槽910L和橫向槽983A每者均不包括屏蔽 電介質(zhì)。盡管未示出，但周邊槽910L的至少一部分和/或橫向槽983A的至少一部分可包 括屏蔽電極的一部分(例如，電氣浮動的屏蔽電極、凹陷屏蔽電極)。
[0236] 圖10C為沿著線Q2切割的臺面區(qū)960A的側(cè)剖視圖。在該側(cè)剖視圖中，阱摻雜物 區(qū)962A在源極滑槽導(dǎo)體954下方且在柵極滑槽導(dǎo)體952下方延伸。在該具體實(shí)施中，阱摻 雜物區(qū)962A接觸包括在橫向槽983A中的電介質(zhì)部分976A。根據(jù)先前的實(shí)例，于其中可能 擴(kuò)展阱摻雜物區(qū)962A的區(qū)域以線961示出。
[0237] 如上文所提及，于其中可能擴(kuò)展阱摻雜物區(qū)962A的區(qū)域以線961示出。換句話 講，可將阱摻雜物區(qū)962A-直擴(kuò)展至(例如，可延伸至、可一直設(shè)置至并鄰接或接觸)周邊槽 990A、990B的一者或多者?？蓪②鍝诫s物區(qū)擴(kuò)展超出（例如，可延伸超出、可設(shè)置超出）周邊 槽990A、990B的一者或多者。在與圖10A至圖10K相關(guān)的額外的圖中，示出了線961。
[0238] 可將阱摻雜物區(qū)962A截頂至(例如，可延伸至、可一直設(shè)置至并鄰接或接觸）柵電 極920A的左邊緣與屏蔽電極933A的右邊緣之間的末端。
[0239] 類似的結(jié)構(gòu)和特征在如圖10G所示的沿著線Q3切割的臺面區(qū)960G的剖視圖中示 出。在圖10G中，臺面區(qū)960G整體地設(shè)置在端接區(qū)904內(nèi)。因此，源極滑槽導(dǎo)體954具有 可與臺面區(qū)960G絕緣(例如，不接觸)的大體上平坦的底部表面。源極滑槽導(dǎo)體954可被配 置為使用例如一個(gè)或多個(gè)過孔來與臺面區(qū)960G的至少一部分接觸。
[0240] 圖10D為沿著線Q1切割的半導(dǎo)體器件900的槽910A的變型形式的側(cè)剖視圖。在 該具體實(shí)施中，屏蔽電極930A與包括在橫向槽983A中的電介質(zhì)部分976A接觸。但是，屏蔽 電極930A沿著槽910A的縱向軸線D1具有恒定厚度R22。在該具體實(shí)施中，端接區(qū)904沿 著橫向槽983A的側(cè)壁大約對齊。另外，屏蔽電極930A整體地設(shè)置在有源區(qū)902內(nèi)，而不是 具有設(shè)置在端接區(qū)904中的第一部分和設(shè)置在有源區(qū)902中第二部分。另外，IED940的柵 極電介質(zhì)部分942與包括在橫向槽983A中的電介質(zhì)部分976A接觸。在此類具體實(shí)施中， IED的柵極電介質(zhì)部分942可稱為且可用作突出電介質(zhì)(類似于，例如圖9L所示的突出電介 質(zhì) 974A)。
[0241] 圖10E和10F示出了側(cè)剖視圖，這些側(cè)剖視圖為圖10A所示的槽910A的槽結(jié)構(gòu)的 變型形式。如圖10E所示，柵電極920A比圖10F所示的柵電極920A凹陷更小程度。因此， 設(shè)置在柵電極920A與層間電介質(zhì)992之間的場電介質(zhì)974在圖10E中比在圖10F中更薄。
[0242] 在圖10E內(nèi)，場電介質(zhì)974的在有源區(qū)902內(nèi)的第一部分具有小于場電介質(zhì)974 的包括在端接區(qū)904中的第二部分的厚度的厚度。同樣如圖10E所示，場電介質(zhì)974沿著 柵電極920A的頂部表面具有相對恒定的厚度。
[0243] 在圖10F內(nèi)，場電介質(zhì)974的在有源區(qū)902內(nèi)的第一部分具有與場電介質(zhì)974的 包括在端接區(qū)904中的第二部分的厚度大約相同的厚度。在圖10F中，場電介質(zhì)974具有 設(shè)置在屏蔽電極930A的部分933A上方（以及ILD992下方)的第三部分，該第三部分具有小 于場電介質(zhì)974的第一部分和/或場電介質(zhì)974的第二部分的厚度的厚度。同樣如圖10E 所示，場電介質(zhì)974沿著柵電極920A的頂部表面具有相對恒定的厚度?？梢猿ハ嗯懦獾?組合外的任何組合來組合圖10B、10D、10E和10F中所示的特征。
[0244] 圖10H為沿著圖10A所示的線Q4切割的槽910G的側(cè)剖視圖。在該具體實(shí)施中， 槽910G整體地設(shè)置在端接區(qū)904內(nèi)。如圖10H所示，屏蔽電極930G具有沿著槽910G的底 部從電介質(zhì)970G延伸至場氧化物974的厚度。氧化物974可沿著平面D4對齊。設(shè)置在槽 910G內(nèi)的屏蔽電極930G可凹陷。
[0245] 圖101為沿著圖10A所示的線Q5切割的與端槽910C相鄰的臺面區(qū)960G的側(cè)剖 視圖。在該具體實(shí)施中，臺面區(qū)960G設(shè)置在摻雜區(qū)938的外部。因此，臺面區(qū)960G不包括 阱摻雜物區(qū)。
[0246] 圖10J為沿著圖9A所示的線Q6切割的端槽910C的側(cè)剖視圖。端槽910C具有設(shè) 置在其中的電介質(zhì)970C。盡管未不出，但在一些具體實(shí)施中，端槽910C的至少一部分可包 括屏蔽電極。端槽910C可具有與例如槽910A的長度大約相同的長度(沿著縱向方向D1)。
[0247] 圖10J為沿著圖9A所示的線Q7 (沿著縱向軸線D2)切割的橫向槽983A的側(cè)剖視 圖。橫向槽983A具有設(shè)置在其中（例如，從橫向槽983A的底部向橫向槽983A的頂部設(shè)置） 的電介質(zhì)973A。盡管未不出，但在一些具體實(shí)施中，橫向槽983A的至少一部分可包括屏蔽 電極。橫向槽983A可具有與例如槽910A的長度大約相同的長度(沿著縱向方向D1)。
[0248] 圖10M為圖10H的變型形式。如圖10M所示，半導(dǎo)體器件900包括經(jīng)凹陷的電介 質(zhì)部分974G (與設(shè)置在圖9M所示的屏蔽電極930G上方的電介質(zhì)類似或相同）。因此，屏蔽 電極930G的一部分凹陷至低于電介質(zhì)部分974G (例如，突出電介質(zhì))，且電介質(zhì)部分974G 耦合至包括在橫向槽983A內(nèi)的電介質(zhì)部分976A。包括電介質(zhì)部分974A (其與圖10M所示 的電介質(zhì)部分974G-致)的半導(dǎo)體器件900的又另一變型形式在圖100中示出。圖100為 圖10B的變型形式，且屏蔽電極930A的部分933A被排除。
[0249] 圖10N示出了半導(dǎo)體器件900的另一變型形式。如圖10N所示，阱摻雜物區(qū)962A 的邊緣964G通過具有長度R24的間隙(例如，半導(dǎo)體區(qū))與橫向槽983A (例如，橫向槽983A 的側(cè)壁)分隔。長度R24可小于或等于長度R25(圖10M或100中示出），或者大于長度R25。 長度R24可小于或等于長度R29(圖10E中示出，從橫向槽983A至柵電極920A的邊緣)，或 者大于長度R29。在諸如圖10F的其他圖中也示出了長度R29。在該具體實(shí)施中，為了所需 的電荷平衡處理，長度R24 (其可稱為側(cè)向平衡長度)等于或大于深度R3 (圖10B、10D、10E、 10F和100中示出）。&
[0250] 在該具體實(shí)施中沿著與圖10A相關(guān)的線Q8至Q10的橫截面的一般特征類似于圖 91至圖9K以及圖9N所示的沿著切割線Q8至Q10的特征。因此，不結(jié)合圖10A示出沿著線 Q8至Q10的剖視圖。
[0251] 圖11A至圖11E為示意圖，示出了圖9A至圖9N以及圖10A至圖100所示的半導(dǎo) 體器件900的至少一些特征的變型形式。因此，總體上保留了圖9A至圖9N以及圖10A至 圖100中包括的參考符號和特征，并且不再結(jié)合圖11A至圖11E描述一些特征。具體地，圖 11B至圖11E分別示出了沿著切割線Q8至Q10的變型形式。
[0252] 如圖11A所示，周邊槽910L包括沿著縱向軸線D1對齊的包括在所述多個(gè)槽910 內(nèi)的部分。周邊槽910L不同于周邊槽990A、990B，因?yàn)橹苓叢?10L填充有電介質(zhì)(且不包 括屏蔽電極)，而周邊槽990A、990B每者均包括屏蔽電極。
[0253] 另外，如圖11A至圖11M所示，端槽910C耦合至橫向槽983A。端槽910C和橫向槽 983A可共同稱為具有橫向部分的周邊槽。
[0254] 在該具體實(shí)施中，端槽910C的至少一部分耦合至槽910G (例如，與槽910G重疊)， 所述槽910G為內(nèi)側(cè)槽917的最外側(cè)槽。端槽910C和槽910G沿著縱向軸線D1耦合。因此， 半導(dǎo)體器件900不包括端槽910C與槽910G之間的臺面區(qū)。換句話講，端槽910C和槽910G 組合以形成單個(gè)槽結(jié)構(gòu)。
[0255] 圖11B為沿著穿過主槽部分912的與所述多個(gè)槽910正交的線Q8 (圖11A中示 出）切割的側(cè)剖視圖。在該具體實(shí)施中，柵極滑槽導(dǎo)體952設(shè)置在所述多個(gè)槽910上方，且 線Q8沿著所述多個(gè)槽910中的內(nèi)側(cè)槽917的相對淺的部分相交。端槽910L和910C (即， 端槽913)兩者均包括電介質(zhì)而不具有屏蔽電極，而所述多個(gè)槽910的沿著該切割線Q8的 其余者(其包括內(nèi)側(cè)槽917)每者均包括屏蔽電極。另外，端槽910U910C的深度R12大于 槽的包括屏蔽電極的其余者(例如，非端槽、內(nèi)側(cè)槽917)的深度。
[0256] 如圖11B所示，端槽910C耦合至槽910G。換句話講，端槽910C的輪廓與有源槽 910G的輪廓相交或重疊。槽910G具有淺于端槽910C的深度R12的深度R23。另外，槽910G 包括屏蔽電極(沿著槽910G的橫截面中心線)，而端槽910C不包括屏蔽電極(例如，排除屏 蔽電極、沿著槽910G的橫截面中心線包括電介質(zhì))。端槽910C可包括屏蔽電極(例如，凹陷 電極、電氣浮動的屏蔽電極等)。槽910G可填充有電介質(zhì)(沿著槽910G的橫截面中心線)使 得槽910G的至少該剖視圖不包括屏蔽電極。
[0257] 由端槽910C和槽910G限定的單個(gè)槽結(jié)構(gòu)可具有兩個(gè)凹部或槽底部（或淺凹)，其 中單個(gè)槽結(jié)構(gòu)中的槽的一者的深度大于單個(gè)槽結(jié)構(gòu)中的另一個(gè)槽(或相鄰槽或耦合槽）的 深度。在圖11B所示的該具體實(shí)施中，槽910C的深度大于槽910G和910K。盡管未示出，但 槽910G的深度可大于槽910C，槽910G的深度可大于槽910K，或者槽910G的深度可大于槽 910K和910C兩者。由于這兩個(gè)槽結(jié)構(gòu)重疊，因此組合槽(例如，槽910G和端槽910C)可限 定點(diǎn)911 (或頂點(diǎn)）。諸如槽910G和910C的槽的重疊可包括在本文所描述的實(shí)施例(諸如 與圖3A至圖7J、圖9A至圖100和/或圖12A至圖17J相關(guān)的那些）的任一者中。
[0258] 如圖11B所示，內(nèi)側(cè)槽917之間的臺面區(qū)包括阱摻雜物區(qū)。在該具體實(shí)施中，臺面 區(qū)960G (以及阱摻雜物區(qū)962G)可為接地的或電氣浮動的臺面區(qū)。臺面區(qū)960G (以及阱 摻雜物區(qū)962G)可耦合至源極電位。在一些具體實(shí)施中，一個(gè)或多個(gè)諸如端槽913的端槽 之間的臺面區(qū)和/或諸如過渡區(qū)槽915的過渡區(qū)槽之間的臺面區(qū)可以是電氣浮動的或接地 的。所述一個(gè)或多個(gè)端槽之間的臺面區(qū)和/或過渡區(qū)槽之間的臺面區(qū)可耦合至源極電位。 另外，在一些具體實(shí)施中，設(shè)置在過渡區(qū)槽915與端槽913之間的臺面區(qū)可以是電氣浮動的 或接地的。設(shè)置在過渡區(qū)槽915與端槽913之間的臺面區(qū)可耦合至源極電位。
[0259] 在該具體實(shí)施中，端槽913的每一者的寬度大于內(nèi)側(cè)槽917的寬度。例如，如圖 11B所示，主槽部分中的端槽910L具有大于槽910E的主槽部分的寬度R8的寬度R26。另 夕卜，如圖11B所示，端槽910C和槽910G的組合的寬度R27大于端槽910L的寬度R26。盡管 未示出，但端槽910C和/或槽910G可具有一寬度，該寬度經(jīng)限定使得端槽910C和槽910G 的組合的寬度R27等于或小于端槽910L的寬度R26。在其他具體實(shí)施中，槽910G的寬度可 大于或小于槽910K。
[0260] 圖11C為沿著穿過主槽部分912的和柵極滑槽導(dǎo)體952與源極滑槽導(dǎo)體954之間 的所述多個(gè)槽910正交的線Q9 (圖11A中示出）切割的側(cè)剖視圖。在該視圖中包括所述多 個(gè)槽910中的不同類型的內(nèi)側(cè)槽917。端槽913包括電介質(zhì)而不具有屏蔽電極，而所述多個(gè) 槽910的沿著該切割線Q9的其余者每者均包括至少一個(gè)屏蔽電極。具體地，可稱為過渡區(qū) 槽915 (其包括在內(nèi)側(cè)槽917中）的槽910G和910K兩者均包括接地的屏蔽電極且每者均 不包括柵電極。其余槽(不包括端槽913和過渡區(qū)槽915)每者均包括柵電極和屏蔽電極。 由于上文關(guān)于切割線Q9描述的許多特征在該具體實(shí)施中均適用，因此這里不再對它們進(jìn) 行描述。
[0261] 圖11D為沿著穿過端接區(qū)904并進(jìn)入有源區(qū)902的圖11A所示的線G10切割的所 述多個(gè)槽910的主槽部分912的側(cè)剖視圖。所述多個(gè)槽910的剖視圖的一部分包括在端接 區(qū)904中，所述多個(gè)槽910的剖視圖的一部分包括在有源區(qū)902中。由于上文關(guān)于切割線 Q10描述的許多特征在該具體實(shí)施中均適用，因此這里不再對它們進(jìn)行描述。
[0262] 圖11E為在槽910G中包括凹陷屏蔽電極的圖11D的變型形式的側(cè)剖視圖。此類 凹陷屏蔽電極可包括在槽(例如，在例如圖11B至圖11D中示出的槽910G、910K、910I等)的 一者或多者中。盡管圖11E未示出，但在一些具體實(shí)施中，槽910G和910K的一者或多者可 為有源槽(其包括柵電極和屏蔽電極)。
[0263] 圖12A至圖12L為示意圖，示出了上文所描述的半導(dǎo)體器件900的至少一些特征 的變型形式。因此，總體上保留了上文結(jié)合半導(dǎo)體器件900描述的參考符號和特征，并且不 再結(jié)合圖12A至圖12L描述一些特征。周邊槽910L (在圖10A至圖11E中示出），盡管不包 括在圖12A至圖12L所示的具體實(shí)施中，但可任選地包括。
[0264] 如圖12A至圖12L所示，端槽910C耦合至橫向槽983A。端槽910C和橫向槽983A 可共同稱為具有橫向部分的周邊槽。端槽910C和/或橫向槽983A可使用同一蝕刻工藝或 多個(gè)單獨(dú)的蝕刻工藝來制造。
[0265] 圖12B為示意圖，示出了沿著線Q1切割的半導(dǎo)體器件900的側(cè)剖視圖。槽910A包 括設(shè)置在其中的電介質(zhì)970A。如圖12B所示，柵電極920A和屏蔽電極930A設(shè)置在槽910A 中，由極間電介質(zhì)940的至少一部分分隔(例如，絕緣)。在該具體實(shí)施中，屏蔽電極989A設(shè) 置在橫向槽983A內(nèi)。在圖12B中，屏蔽電極930A具有大約恒定的厚度。屏蔽電極930A可 具有沿著縱向軸線D1變化的厚度。
[0266] 設(shè)置在橫向槽983A中的電介質(zhì)部分976A具有大約等于包括在槽910A中的電介 質(zhì)970A的厚度R2的底部厚度R31。厚度R31沿著橫向槽983A的中心線測得且在設(shè)置在橫 向槽983A內(nèi)的屏蔽電極989A的底部表面與橫向槽983A的底部表面之間測得。厚度R31 可不同于(例如，大于、小于）厚度R2。
[0267] 橫向槽983A的電介質(zhì)部分976A耦合至包括在槽910A中的電介質(zhì)970A。可使用 一種或多種不同的電介質(zhì)形成工藝(例如，熱電介質(zhì)形成工藝、沉積工藝）來形成電介質(zhì)部 分976A和電介質(zhì)970A。因此，電介質(zhì)部分976A和電介質(zhì)970A可為不同的電介質(zhì)。
[0268] 圖12C為沿著線Q2切割的臺面區(qū)960A的側(cè)剖視圖。在該側(cè)剖視圖中，阱摻雜物 區(qū)962A在源極滑槽954下方且在柵極滑槽導(dǎo)體952下方延伸。在該具體實(shí)施中，阱摻雜物 區(qū)962A接觸包括在橫向槽983A中的電介質(zhì)部分976A。類似于例如圖10N所示，阱摻雜物 區(qū)962A的邊緣964A (通過間隙(例如，半導(dǎo)體區(qū)））與橫向槽983A分隔。在該具體實(shí)施中， 為了所需的電荷平衡處理，分隔距離(其可稱為側(cè)向平衡長度)等于或大于深度R3 (圖12B、 12D、12E和12G中示出）。
[0269] 類似的結(jié)構(gòu)和特征在如圖12F所示的沿著線Q3切割的臺面區(qū)960G的剖視圖中示 出。在圖12F中，臺面區(qū)960G整體地設(shè)置在端接區(qū)904內(nèi)。類似于例如圖10N所示，阱摻 雜物區(qū)962G的邊緣964G (通過間隙(例如，半導(dǎo)體區(qū)））與橫向槽983A分隔。
[0270] 圖12D為沿著線Q1切割的半導(dǎo)體器件900的槽910A的變型形式的側(cè)剖視圖。在 該具體實(shí)施中，屏蔽電極930A和柵電極920A具有類似于圖10B所示配置的配置。除結(jié)合 圖10B所描述的特征外，該剖視圖還示出柵電極920A可任選地具有恒定厚度而不具有凹陷 部分。屏蔽電極930A的部分933A在槽910A內(nèi)具有一堅(jiān)直高度(或頂部表面)，該堅(jiān)直高度 (或頂部表面）高于屏蔽電極930A的凹陷在槽910A內(nèi)的部分931A的頂部表面。屏蔽電極 930A的部分933A在槽910A內(nèi)還具有一厚度(或堅(jiān)直厚度)，該厚度(或堅(jiān)直厚度）大于屏蔽 電極930A的部分931A的厚度。部分933A沿著橫向槽983A的輪廓（例如，側(cè)壁輪廓）（以 虛線示出）堅(jiān)直延伸。屏蔽電極930A的部分933A具有一設(shè)置在柵電極920A的邊緣（以及 柵極電介質(zhì)部分942)與橫向槽983A之間的部分。
[0271] 圖12E為沿著線Q1切割的半導(dǎo)體器件900的槽910A的另一變型形式的側(cè)剖視圖。 在該具體實(shí)施中，屏蔽電極930A和柵電極920A具有類似于圖12B所示配置的配置。除結(jié) 合例如圖10B和圖12B所描述的特征外，該剖視圖還示出屏蔽電極989A可任選地具有凹陷 屏蔽電極(或非凹陷電極(未示出））。如圖12E所示，柵電極920A具有與橫向槽983A相交 (例如，接觸、重疊)的邊緣。另外，屏蔽電極930A具有與橫向槽983A相交(例如，接觸、重疊） 的邊緣。柵電極920A的邊緣與屏蔽電極930A的邊緣堅(jiān)直地對齊，且柵電極920A的邊緣和 屏蔽電極930A的邊緣與橫向槽983A的側(cè)壁(例如，以虛線示出的側(cè)壁輪廓）堅(jiān)直地對齊。
[0272] 圖12G為沿著線Q4切割的半導(dǎo)體器件900的槽910G的另一變型形式的側(cè)剖視圖。 在該具體實(shí)施中，屏蔽電極930A具有類似于圖10H所示配置的配置。除結(jié)合例如圖10H所 描述的特征外，該剖視圖還示出屏蔽電極989A可任選地具有凹陷屏蔽電極(或非凹陷電極 (未示出））。
[0273] 圖12H為沿著線Q4切割的半導(dǎo)體器件900的槽910G的另一變型形式的側(cè)剖視圖。 在該具體實(shí)施中，屏蔽電極930G具有凹陷部分936G和非凹陷部分937G。屏蔽電極930G的 凹陷部分936G具有小于屏蔽電極930G的非凹陷部分937G的厚度R34的厚度R33。如圖 12H所示，場電介質(zhì)974具有一部分，該部分在屏蔽電極930G的凹陷部分936G上方(例如， 在凹陷部分936G與ILD992之間）具有一厚度，該厚度大于場電介質(zhì)974在屏蔽電極930G 的非凹陷部分937G上方(例如，在非凹陷部分937G與ILD992之間）的厚度。
[0274] 如圖12H所示，凹陷部分936G的頂部表面可大約與屏蔽電極989A的頂部表面(其 由虛線示出）對齊(例如，水平地對齊)。但是，屏蔽電極989A的底部表面可深于屏蔽電極 930G的部分936G的底部表面。屏蔽電極989A的底部表面可與屏蔽電極930G的部分936G 的底部表面大約相同，或小于屏蔽電極930G的部分936G的底部表面。凹陷部分936G的頂 部表面可不與屏蔽電極989A的頂部表面對齊。屏蔽電極989A可任選地為非凹陷電極(未 示出）。
[0275] 在一些具體實(shí)施中，屏蔽電極930G的凹陷部分936G的長度R35 (在可稱為突出 電介質(zhì)的電介質(zhì)部分974G下方且與該電介質(zhì)部分974G-致）可設(shè)置在端接區(qū)904內(nèi)。在 該具體實(shí)施中，屏蔽電極930G的凹陷部分936G的長度R35具有設(shè)置在(例如，堅(jiān)直地設(shè)置 在）柵極滑槽導(dǎo)體952下方的至少第一部分以及設(shè)置在(例如，堅(jiān)直地設(shè)置在）源極滑槽導(dǎo) 體954下方的第二部分。在一些具體實(shí)施中，屏蔽電極930G的凹陷部分936G的長度R35 具有設(shè)置在(例如，堅(jiān)直地設(shè)置在）柵極滑槽導(dǎo)體952下方的至少第一部分并且不具有設(shè)置 在(例如，堅(jiān)直地設(shè)置在)源極滑槽導(dǎo)體954下方的第二部分。凹陷部分936G可止于柵極滑 槽導(dǎo)體952下方。屏蔽電極930G的凹陷部分936G的長度R35可延伸到有源區(qū)902中。因 此，在一些具體實(shí)施中，屏蔽電極930G的凹陷部分936G的至少一部分可設(shè)置在端接區(qū)904 內(nèi)，且屏蔽電極930G的凹陷部分936G的一部分可設(shè)置在有源區(qū)902內(nèi)。如圖12L所示，屏 蔽電極930G可沿著槽910G的相對大的部分(或幾乎整體）凹陷。
[0276] 圖121為沿著圖9A所示的線Q6切割的端槽910C的側(cè)剖視圖。端槽910C具有設(shè) 置在其中的屏蔽電極930C和電介質(zhì)970C。端槽910C可具有與例如槽910C的長度大約相 同的長度（沿著縱向方向D1)。在該具體實(shí)施中，電介質(zhì)970C沿著槽910C的末端表面(例 如，堅(jiān)直末端表面)具有一厚度R37,該厚度R37大約等于沿著槽的底部表面的厚度R31。厚 度R37和厚度R31可與例如圖12B所示的厚度R2大約相同。厚度R37和/或厚度R31可 不同于(例如，大于、小于）例如圖12B所不的厚度R2。
[0277] 盡管圖121未示出，但屏蔽電極930C (或其部分）可凹陷在槽910C內(nèi)。在此類具 體實(shí)施中，屏蔽電極930C的厚度可小于圖121所示的厚度。屏蔽電極930C可以是電氣浮 動的，或可經(jīng)由源極滑槽導(dǎo)體954耦合至源極電位。由于橫向槽983A的特征(及選項(xiàng))幾乎 與端槽910C的那些相同，因此不示出沿著線Q7切割的橫向槽983A的剖視圖。
[0278] 圖12J為沿著與柵極滑槽導(dǎo)體952與源極滑槽導(dǎo)體954之間的所述多個(gè)槽910正 交的線Q9 (圖12A中示出）切割的側(cè)剖視圖。在該視圖中包括所述多個(gè)槽910中的不同類 型的內(nèi)側(cè)槽917。端槽910C包括屏蔽電極930C (沿著堅(jiān)直中心線)，且所述多個(gè)槽910的 沿著該切割線Q9的其余者每者均包括至少一個(gè)屏蔽電極。
[0279] 圖12K為示出了圖12E所示的半導(dǎo)體器件900的部分的變型形式的示意圖。如圖 12K所示，半導(dǎo)體器件900包括電介質(zhì)部分974A(類似于結(jié)合例如圖9和10描述的部分(例 如，突出電介質(zhì))）。電介質(zhì)部分974A耦合至包括在橫向槽983A中的電介質(zhì)976A。
[0280] 圖10N示出了半導(dǎo)體器件900的另一變型形式。如圖10N所示，阱摻雜物區(qū)962A 的邊緣964G通過具有長度R24的間隙與橫向槽983A (例如，橫向槽983A的側(cè)壁)分隔。長 度R24可小于或等于長度R25(圖10M或100中示出），或者大于長度R25。長度R24可小于 或等于長度R29(圖10E中示出，從橫向槽983A至柵電極920A的邊緣)，或者大于長度R29。 在諸如圖10F的其他圖中也示出了長度R29。
[0281] 圖13A至圖13L為示意圖，示出了圖9A至圖9N所示的半導(dǎo)體器件900的至少一 些特征的變型形式。因此，總體上保留了圖9A至圖9N中包括的參考符號和特征，并且不再 結(jié)合圖13A至圖13L描述一些特征。
[0282] 如圖13A至圖13L所示，降容槽998 (其包括降容槽998A至998E)設(shè)置在柵極滑 槽導(dǎo)體952下方。同樣如至少圖13A所示，表面柵極觸點(diǎn)953設(shè)置在降容槽998與柵極滑 槽導(dǎo)體952之間。在該具體實(shí)施中，在半導(dǎo)體器件900中包括表面柵電極922。阱注入(其 由摻雜區(qū)938A限定）至少部分地由表面柵電極992阻擋。在一些具體實(shí)施中，表面柵電極 922的至少一部分可凹陷至低于臺面區(qū)。在其他具體實(shí)施中，氧化物填充槽設(shè)置在器件柵極 焊盤(未示出）中的表面柵極多晶硅下。
[0283] 圖13B為示意圖，示出了沿著線Q1切割的半導(dǎo)體器件900的側(cè)剖視圖。如圖13B 所示，降容槽998每者均具有大約等于周邊槽910L和/或橫向槽983A的深度R1的深度。 降容槽998的每一者還具有大約等于周邊槽910L (和橫向槽983A)的寬度R19的寬度。在 一些具體實(shí)施中，可使用與用于形成周邊槽910L和/或橫向槽983A的相同工藝來形成降 容槽998的一者或多者。
[0284] 在一些具體實(shí)施中，降容槽998的一者或多者可具有不同于周邊槽910L和/或橫 向槽983A的深度和/或?qū)挾?。例如，降容?98的一者或多者可具有類似于周邊槽990A 和/或990B的深度和/或?qū)挾?。在一些具體實(shí)施中，降容槽998的一者或多者可包括屏蔽 電極(未示出）。
[0285] 圖13B示出的包括屏蔽電極997的降容槽998的一者或多者的實(shí)例在圖13K中示 出。在一些具體實(shí)施中，少于全部的降容槽998可包括屏蔽電極997。在該具體實(shí)施中，屏 蔽電極997凹陷在降容槽998內(nèi)。屏蔽電極997可不凹陷在降容槽998內(nèi)。在例如圖13C、 13D、13E和/或13F所示的降容槽998的一者或多者中可包括一個(gè)或多個(gè)屏蔽電極997。沿 著降容槽998E (切割線Q6)的屏蔽電極997的剖視圖在圖13L中示出。
[0286] 重新參考圖13B，表面柵電極922設(shè)置在極間電介質(zhì)992與降容槽998之間。外延 層908的至少一部分通過場電介質(zhì)974與表面柵電極922絕緣。場電介質(zhì)974的至少一部 分設(shè)置在表面柵電極922與降容槽998的一者或多者之間。
[0287] 由于降容槽998設(shè)置在柵極滑槽導(dǎo)體953與漏極(未示出）之間，因此降容槽998 可降低柵極對漏極的電容。在一些具體實(shí)施中，類似于降容槽998的一個(gè)或多個(gè)降容槽可 形成在例如柵極焊盤(未示出）下方。
[0288] 圖13C為沿著線Q2切割的臺面區(qū)960A的側(cè)剖視圖。在該側(cè)剖視圖中，阱摻雜物 區(qū)962A在源極滑槽導(dǎo)體954下方延伸。在該具體實(shí)施中，阱摻雜物區(qū)962A接觸包括在橫 向槽983A中的電介質(zhì)部分976A。根據(jù)先前的實(shí)例，于其中可能擴(kuò)展阱摻雜物區(qū)962A的區(qū) 域以線961示出。
[0289] 如圖13C所示，阱摻雜物區(qū)962A通過外延層908的至少一部分與例如橫向槽983A 分隔。在一些具體實(shí)施中，阱摻雜物區(qū)962A與橫向槽983A之間的距離可小于圖13C所示， 或大于圖13C所示。
[0290] 類似的結(jié)構(gòu)和特征(如圖13C所包括)在沿著線Q3 (圖13D中示出）切割的臺面區(qū) 960G的剖視圖中示出。在圖13D中，臺面區(qū)960G整體地設(shè)置在端接區(qū)904內(nèi)。
[0291] 圖13E為沿著圖13A所示的線Q4切割的槽910G的側(cè)剖視圖。在該具體實(shí)施中， 槽910G整體地設(shè)置在端接區(qū)904內(nèi)。如圖13E所示，屏蔽電極930G具有沿著槽910G的底 部從電介質(zhì)970G延伸至場氧化物974的厚度。氧化物974可沿著平面D4對齊。設(shè)置在槽 910G內(nèi)的屏蔽電極930G可凹陷。
[0292] 圖13E為沿著圖13A所示的線Q5切割的側(cè)剖視圖。該剖視圖的至少一部分與降 容槽、周邊槽910L和橫向槽983A相交。另外，該剖視圖的至少一部分還是長槽910C，該槽 910C是電介質(zhì)填充槽。
[0293] 圖13G為沿著圖13A所示的線Q6切割的側(cè)剖視圖。該剖視圖沿著降容槽998E對 齊。如圖13G所示，降容槽998E具有在水平方向上一直延伸至或幾乎至柵極滑槽導(dǎo)體952 (其在末端959的堅(jiān)直上方）的邊緣958的末端959。因此，降容槽998E的末端959可設(shè)置 在柵極滑槽導(dǎo)體952的至少一部分下方(例如，堅(jiān)直下方)。在一些實(shí)施例中，降容槽998E 的末端959可延伸超出柵極滑槽導(dǎo)體952的邊緣958,使得在從上方觀察時(shí)，降容槽998E的 末端959不堅(jiān)直地設(shè)置在柵極滑槽導(dǎo)體952的一區(qū)域下方。類似地，當(dāng)從上方觀察時(shí)，降容 槽998E的末端959可設(shè)置在由表面柵電極922限定的區(qū)域下方或可延伸超出該區(qū)域。
[0294] 圖13G為沿著圖13A所示的線Q7切割的側(cè)剖視圖。該剖視圖與周邊槽910L相交 且沿著橫向槽983A對齊。如圖13G所示，周邊槽910L和橫向槽983A兩者均設(shè)置在表面柵 電極922下方。
[0295] 圖131為沿著與所述多個(gè)槽910正交的線Q8 (圖13A中示出）切割的側(cè)剖視圖。 在該具體實(shí)施中，內(nèi)側(cè)槽之間的臺面區(qū)不包括阱摻雜物。在該具體實(shí)施中，表面柵電極922 設(shè)置在所述多個(gè)槽910上方，且線Q8沿著所述多個(gè)槽910中的內(nèi)側(cè)槽917的相對淺的部分 相交。端槽910L和910C (S卩，端槽913)兩者均包括電介質(zhì)而不具有屏蔽電極，而所述多個(gè) 槽910的沿著該切割線Q8的其余者(其包括內(nèi)側(cè)槽917)每者均包括屏蔽電極。另外，端槽 910U910C的深度R12大于槽的包括屏蔽電極的其余者(例如，非端槽、內(nèi)側(cè)槽917)的深度。
[0296] 圖13J為沿著穿過端接區(qū)904并進(jìn)入有源區(qū)902的圖13A所示的線Q9切割的所 述多個(gè)槽910的側(cè)剖視圖。所述多個(gè)槽910的剖視圖的一部分包括在端接區(qū)904中，所述 多個(gè)槽910的剖視圖的一部分包括在有源區(qū)902中。由于上文關(guān)于切割線Q9描述的許多 特征在該具體實(shí)施中均適用，因此這里不再對許多元件進(jìn)行描述。
[0297] 如圖13J所示，阱摻雜物區(qū)962G使用源極觸點(diǎn)957G來與源極滑槽導(dǎo)體954接觸。 因此，內(nèi)側(cè)槽917中的最外側(cè)槽(最接近周邊槽990A、990B)與通過源極觸點(diǎn)957G與源極滑 槽導(dǎo)體954接觸的阱摻雜物區(qū)962G接觸。在該具體實(shí)施中，內(nèi)側(cè)槽917中的最外側(cè)槽為耦 合至端槽910C的槽910G。在一些實(shí)施例中，內(nèi)側(cè)槽917中的最外側(cè)槽(其可與電耦合至源 極的阱摻雜物區(qū)相鄰）可為不耦合至端槽的獨(dú)立槽。
[0298] 圖14A至圖14K為側(cè)剖視圖，示出了用于構(gòu)建半導(dǎo)體器件1400的一個(gè)或多個(gè)特征 的方法。半導(dǎo)體器件1400可類似于上文所描述的半導(dǎo)體器件。該方法可稱為單硬掩膜工 藝。槽可沿著縱向軸線(例如，縱向軸線D1)對齊，且可包括在平行槽(例如，圖3A所示的所 述多個(gè)槽310)的集合中。
[0299] 如圖14A所示，第一掩膜1403形成在半導(dǎo)體襯底（未示出）的外延層1408上。第 二掩膜1404形成在第一掩膜1403的至少一部分上面。在一些實(shí)施例中，第一掩膜1403可 為硬掩膜(例如，基于氧化物的掩膜）（而不是可為軟掩膜的聚合或其他有機(jī)材料)。圖14A 示出了形成在外延層1408中的槽1410 (圖14B中示出）的一部分1411。槽1410的部分 1411可與橫向槽、周邊槽、槽延長部分等相關(guān)聯(lián)。
[0300] 在槽1410的部分1411已形成之后，移除第二掩膜1404,從而留下第一掩膜1403。 開始部分1411和暴露區(qū)域1407的蝕刻以形成圖14B所示的槽1410。
[0301] 可修改本文所描述的加工步驟使得橫向槽可形成在槽1410的至少一部分內(nèi)且在 與槽1410的所述至少一部分垂直的方向上形成。
[0302] 圖14C示出了電介質(zhì)1471的在槽1410內(nèi)的形成。在將電介質(zhì)1471形成在槽1410 內(nèi)之前，移除第一掩膜1403。
[0303] 在該實(shí)施例中，由于第一部分1414窄于第二部分1410,因此電介質(zhì)1471可在為槽 1410的第二部分1412的側(cè)壁和底部表面形成襯底的同時(shí)填充槽1410的第一部分1414。如 圖14C所示，電介質(zhì)1471的邊緣1472從槽1410的第一部分1414的邊緣1413處偏移(例 如，側(cè)向地偏移)。
[0304] 圖14D示出了屏蔽電極1430在槽1410中的形成。在已將屏蔽電極1430形成在 槽1410內(nèi)之后，可如圖14E所示移除屏蔽電極1430的一部分?？晌g刻屏蔽電極1430的一 部分以將屏蔽電極1430凹陷到槽1410內(nèi)。盡管未示出，但在一些具體實(shí)施中，還可形成表 面屏蔽電極。
[0305] 如圖14F所示，屏蔽電極1430進(jìn)一步凹陷到槽1410內(nèi)。在已形成屏蔽電極1430 的輪廓之后，如圖14G所示形成電介質(zhì)1476。盡管未示出，但在已形成極間電介質(zhì)1440之 后，還可形成柵極電介質(zhì)。
[0306] 如圖14H所示，可使用CMP工藝或蝕刻工藝的任意組合來限定并凹陷極間電介質(zhì) 1440。如圖14H所示，極間電介質(zhì)1440還凹陷到槽1410的第二部分1412內(nèi)。
[0307] 在已如圖14H所示形成極間電介質(zhì)1440的輪廓之后，可如圖141所示形成柵電極 1420。柵電極1420凹陷以形成圖14J所示的柵電極1420輪廓。在該具體實(shí)施中，形成表 面柵電極1422和通道止擋1494。
[0308] 如圖14K所示，形成層間電介質(zhì)1492。柵極滑槽導(dǎo)體1452和源極滑槽導(dǎo)體1454 在圖14K中示出?？尚纬赏ㄏ驏艠O滑槽導(dǎo)體1452和源極滑槽導(dǎo)體1454的過孔。
[0309] 圖15A至圖150為側(cè)剖視圖，示出了用于構(gòu)建半導(dǎo)體器件1500的一個(gè)或多個(gè)特征 的另一方法。半導(dǎo)體器件1500可類似于上文所描述的半導(dǎo)體器件。在一些具體實(shí)施中，圖 15A至圖150所示的方法可稱為雙槽端接工藝，因?yàn)樾纬傻谝徊矍以陔S后形成與第一槽自 對齊的第二槽。側(cè)剖視圖中示出的槽可沿著縱向軸線(例如，縱向軸線D1)對齊，且可包括 在平行槽(例如，圖3A所示的所述多個(gè)槽310)的集合中。
[0310] 如圖15A所不，掩膜1503形成在半導(dǎo)體襯底(未不出）的外延層1508上。外延層 1508可形成在半導(dǎo)體襯底內(nèi)或半導(dǎo)體襯底的頂部上。在一些實(shí)施例中，掩膜1503可為硬掩 膜。圖15A示出了使用蝕刻工藝穿過掩膜1503形成在外延層1508中的端接槽1511(其包 括槽1511A至1511C)。在一些實(shí)施例中，端接槽1511的一者或多者可為橫向槽(例如，圖 3A所示的橫向槽380A、圖7A所示的橫向槽383A)、周邊槽(例如，圖3A所示的周邊槽390A、 圖9A所示的周邊槽910L)、槽延長部分(例如，圖3A所示的槽延長部分314A)等。
[0311] 在該具體實(shí)施中，端接槽1511包括三個(gè)單獨(dú)的端接槽。在一些具體實(shí)施中，可形 成少于三個(gè)端接槽(例如，單個(gè)端接槽、一對端接槽）或端接槽(諸如圖13所示的那些）的系 列。在一些實(shí)施例中，端接槽1511C可稱為橫向槽。
[0312] 在已形成端接槽1511之后，移除掩膜1503,且如圖15B所示將電介質(zhì)1579形成 在端接槽1511內(nèi)及外延層1508的表面1507上。在該具體實(shí)施中，將電介質(zhì)1579的部分 1578 (包括部分1578A至1578C)形成在端接槽1511內(nèi)，并將電介質(zhì)1579的部分1577形 成在外延層1508的表面1507上。電介質(zhì)1579的部分1578可稱為電介質(zhì)部分。
[0313] 在一些實(shí)施例中，可使用一種或多種不同的電介質(zhì)形成工藝來形成電介質(zhì)1579。 例如，可使用熱生長工藝來形成電介質(zhì)1571的可為氧化物的第一部分，且可使用沉積工藝 (例如，次常壓化學(xué)汽相沉積（SACVD)工藝)來形成電介質(zhì)1571的第二部分，或反之亦然。電 介質(zhì)1579可包括硼硅酸鹽玻璃（BSG)。
[0314] 在端接槽1511已填充有電介質(zhì)1579的電介質(zhì)部分1578之后，移除設(shè)置在外延層 1508的表面1507 (例如，頂部表面）上的沿著平面D4對齊的電介質(zhì)1579的部分1577。設(shè) 置在端接槽1511內(nèi)且基本上沿著平面D4對齊的電介質(zhì)部分1578保留在端接槽1511內(nèi)， 且電介質(zhì)部分1578的頂部表面暴露。例如，設(shè)置在端接槽1511A內(nèi)的電介質(zhì)部分1578A的 一者可具有在部分1577移除后暴露的頂部表面。在一些具體實(shí)施中，可使用濕法蝕刻、干 法蝕刻和/或CMP工藝的任意組合來移除部分1577。
[0315] 如圖15C所示，掩膜1504(或其部分)形成在外延層1508的表面的至少一部分上。 如圖15C所示，掩膜1504具有設(shè)置在外延層1578的暴露頂部表面上面的至少一部分。形 成(例如，限定)掩膜1504中的開口 1509使得周邊槽1590可蝕刻到外延層1508中。另外， 暴露外延層1508的區(qū)域1506使得槽1510 (或槽1510的主部分1512)的蝕刻可以發(fā)生(例 如，蝕刻)。
[0316] 如圖1?所示，使用掩膜1504來將周邊槽1590和槽1510形成在外延層1508中。 在一些實(shí)施例中，槽1510可稱為有源槽，或可具有設(shè)置在半導(dǎo)體器件1500的有源區(qū)內(nèi)的至 少一部分。如圖1?所示，周邊槽1590的一者或多者具有大約等于槽1510的深度N2的深 度N1。
[0317] 在該實(shí)施例中，執(zhí)行槽1510的蝕刻使得槽1510可鄰接端接槽1511C并與端接槽 1511C自對齊。如圖1?所示，掩膜1504的邊緣1501從設(shè)置在端接槽1511C中的電介質(zhì)部 分1578C的邊緣1518偏移，使得過度蝕刻可保證槽1510即使在具有一些對齊不準(zhǔn)的情況 下亦鄰接端接槽1511C。換句話講，設(shè)置在端接槽1511C中的電介質(zhì)部分1578C的少于全部 的頂部表面可由掩膜1504覆蓋，使得電介質(zhì)部分1578C的頂部表面的至少一部分暴露于蝕 亥IJ。在一些實(shí)施例中，電介質(zhì)部分1578C的頂部表面的暴露于蝕刻的部分可沿著邊緣1518 對齊(或與邊緣1518續(xù)接）以與槽1510接觸。
[0318] 盡管未示出，但可修改本文所描述的加工步驟使得橫向槽可蝕刻在槽1510的至 少一部分內(nèi)且在與槽1510的所述至少一部分垂直的方向上蝕刻。可使用用于形成端接槽 1511的相同工藝來形成橫向槽。
[0319] 可使用濕法蝕刻、干法蝕刻和/或CMP工藝的任意組合來如圖15E所示移除掩膜 1504 (圖1?中示出）。在掩膜1504已移除之后，將電介質(zhì)1571形成在槽1510內(nèi)、端接槽 1511上面以及周邊槽1590內(nèi)。在一些實(shí)施例中，可使用一種或多種不同的電介質(zhì)形成工藝 來形成電介質(zhì)1571。例如，可使用熱生長工藝來形成電介質(zhì)1571的可為氧化物的第一部 分，且可使用沉積工藝(例如，次常壓化學(xué)汽相沉積（SACVD)工藝）來形成電介質(zhì)1571的第 二部分。
[0320] 如圖15F所示，電介質(zhì)1571的沿著周邊槽1590的一者或多者的底部表面設(shè)置的 部分的厚度可與電介質(zhì)1571的沿著槽1510的底部表面設(shè)置的部分的厚度相同或大約相 同。
[0321] 在電介質(zhì)1571形成之后，包括在端接槽1511C中的電介質(zhì)部分1578C與電介 質(zhì)1571的一部分的寬度的組合寬度N3可大于圖15F中所示的寬度且可大于電介質(zhì)部分 1578C獨(dú)自的寬度。
[0322] 圖15G示出了屏蔽電極1530在槽1510中的形成。在一些實(shí)施例中，可使用沉積工 藝(例如，多晶硅沉積工藝、原位摻雜（ISD)的無定形多晶硅沉積工藝）來將屏蔽電極1530 形成在(例如，設(shè)置在）槽1510中的以及周邊槽1590中的電介質(zhì)1571上。在一些實(shí)施例 中，如果端接槽1511的一者或多者未完全地填充有電介質(zhì)部分1578,則可在端接槽1511的 一者或多者中包括屏蔽電極1530的至少一部分。
[0323] 在已將屏蔽電極1530形成在槽1510內(nèi)和周邊槽1590中之后，可如圖15H所示移 除屏蔽電極1530的一個(gè)或多個(gè)部分（以降低屏蔽電極1530的厚度)。具體地，可對屏蔽電 極1530應(yīng)用化學(xué)機(jī)械拋光（CMP)工藝以移除屏蔽電極1530的部分。在已執(zhí)行CMP工藝之 后，可蝕刻屏蔽電極1530的部分以將屏蔽電極1530凹陷到槽1510內(nèi)。盡管未示出，但在 一些具體實(shí)施中，還可形成表面屏蔽電極的至少一部分。
[0324] 如圖151所示，屏蔽電極1530進(jìn)一步凹陷到槽1510內(nèi)。還可進(jìn)一步凹陷周邊槽 1590內(nèi)的屏蔽電極1530?？墒褂美缥g刻工藝來凹陷屏蔽電極1530。屏蔽電極1530可經(jīng) 凹陷以具有類似于例如圖9B或圖10B所示的輪廓的輪廓。屏蔽電極1530可經(jīng)凹陷以具有 類似于例如圖100、圖9L、圖9M和/或圖12H所示的輪廓的輪廓。
[0325] 在已形成屏蔽電極1530的輪廓之后，如圖15J所示形成電介質(zhì)1576。將電介質(zhì) 1576形成在電介質(zhì)1571的至少一部分上。在一些實(shí)施例中，可如圖15K所不，可利用電介 質(zhì)1576形成極間電介質(zhì)1540。在一些實(shí)施例中，可使用沉積工藝(例如，SACVD工藝)、熱形 成工藝等來形成電介質(zhì)1576。在一些實(shí)施例中，電介質(zhì)1576可包括硼硅酸鹽玻璃（BSG)。 在一些具體實(shí)施中，電介質(zhì)1571和電介質(zhì)1576中的一者或多者可限定場電介質(zhì)(例如，圖 3B所示的場電介質(zhì)374)。盡管未示出，但在已形成極間電介質(zhì)1540之后，還可形成柵極電 介質(zhì)。
[0326] 如圖15K所示，可使用CMP工藝或蝕刻工藝的任意組合來限定并凹陷極間電介質(zhì) 1540。如圖15K所示，極間電介質(zhì)1540還凹陷到槽1510的第二部分1512內(nèi)。
[0327] 在已如圖15K所示形成極間電介質(zhì)1540的輪廓之后，可如圖15L所示形成柵電極 1520。在一些實(shí)施例中，可使用沉積工藝(例如，多晶硅沉積工藝、原位摻雜（ISD)的無定形 多晶硅沉積工藝)來將柵電極1520形成在(例如，設(shè)置在)槽1510中的極間電介質(zhì)1540上。
[0328] 如圖15M所示，柵電極1520凹陷以形成柵電極1520輪廓。在該具體實(shí)施中，形成 表面柵電極1522和通道止擋1594?？尚薷呐c柵電極1520、極間電介質(zhì)1540和/或屏蔽電 極1530相關(guān)的加工，以限定輪廓(例如，圖12B、圖100、圖10F、圖10E所示的輪廓）的不同 集合。
[0329] 如圖15N所不，形成層間電介質(zhì)1592。在一些實(shí)施例中，層間電介質(zhì)1592可為例 如硼磷硅酸鹽玻璃（BPSG)層。柵極滑槽導(dǎo)體1552和源極滑槽導(dǎo)體1554在圖15N中示出。 還可形成通向柵極滑槽導(dǎo)體1552和源極滑槽導(dǎo)體1554的過孔。
[0330] 圖150示出了可使用圖15A至圖15N所示的工藝制作的半導(dǎo)體器件1500的變型 形式。在該變型形式中，單個(gè)端接槽1511D (其可用作橫向槽）形成在外延層1508內(nèi)。另 夕卜，如圖150所示，表面屏蔽電極1532形成在半導(dǎo)體器件1500內(nèi)。
[0331] 圖16A至圖16F為側(cè)剖視圖，示出了用于構(gòu)建半導(dǎo)體器件1500的一個(gè)或多個(gè)特征 的方法的變型形式。因此，總體上保留了圖15A至圖150中包括的參考符號和特征，并且不 再結(jié)合圖16A至圖16F描述一些特征。在該具體實(shí)施中，用于產(chǎn)生變型形式的工藝采用了 與直至圖15J相同的加工步驟。因此，該具體實(shí)施中的圖16A與圖15J-致。結(jié)合圖16A 至圖16F所描述的工藝變型形式可與不包括表面屏蔽電極和/或表面柵電極的半導(dǎo)體器件 (諸如，例如，圖9B和10B所示的半導(dǎo)體器件）的至少一些特征一致。
[0332] 如圖16B所示，將電介質(zhì)1571的至少一部分以及電介質(zhì)1576的至少一部分移除。 移除電介質(zhì)1571的部分和電介質(zhì)1576的部分，直至半導(dǎo)體器件1500的表面大體上平坦且 在外延層1508的平面D4內(nèi)。半導(dǎo)體器件1500可稱為是經(jīng)平坦處理的。
[0333] 如圖16B所示，可暴露先前由例如電介質(zhì)1571所覆蓋的元件的多者。例如，可暴 露包括在周邊槽1590中的電介質(zhì)，電介質(zhì)部分1578的一者或多者可具有暴露的頂部表面， 可暴露設(shè)置在周邊槽1590內(nèi)的屏蔽電極，可暴露屏蔽電極1530的頂部表面，等等。
[0334] 如圖16C所示，從電介質(zhì)1576中限定極間電介質(zhì)1540。極間電介質(zhì)1540可具有 使用CMP工藝或蝕刻工藝的任意組合來限定的輪廓。如圖16C所示，極間電介質(zhì)1540還凹 陷到槽1510的第二部分1512內(nèi)。
[0335] 在已如圖16C所示形成極間電介質(zhì)1540的輪廓后，可形成柵極電介質(zhì)1575并且 可如圖16D所示將柵電極1520形成在柵極電介質(zhì)1575上。在一些實(shí)施例中，可使用沉積 工藝(例如，多晶硅沉積工藝、現(xiàn)場摻雜原位摻雜（ISD)的無定形多晶硅沉積工藝)來將柵電 極1520形成在(例如，設(shè)置在)槽1510中的極間電介質(zhì)1540上以及形成在柵極電介質(zhì)1575 上。
[0336] 使用一個(gè)或多個(gè)掩膜和/或凹陷步驟(例如，蝕刻步驟）來凹陷柵電極1520,以形 成圖16E所示的柵電極1520的輪廓。如圖16E所示，柵電極1520具有兩個(gè)不同的凹陷部 分--凹陷部分1523和凹陷部分1522。因此，柵電極1520的凹陷部分1523具有小于柵電 極1520的凹陷部分1522的厚度。輪廓可類似于例如圖10E和10F所示的柵電極的輪廓。 柵電極1520可經(jīng)修改具有不同的輪廓，諸如圖12B、圖10B和/或圖10D所示的輪廓。柵電 極1520可凹陷使得柵電極1520在橫向長度上具有大體上恒定的厚度。
[0337] 如圖16F所不，形成層間電介質(zhì)1592。在一些實(shí)施例中，層間電介質(zhì)1592可為例 如硼磷硅酸鹽玻璃（BPSG)層。柵極滑槽導(dǎo)體1552和源極滑槽導(dǎo)體1554也形成并在圖16F 中示出。還可形成通向柵極滑槽導(dǎo)體1552的過孔1551以及通向源極滑槽導(dǎo)體1554的過 孔(未示出）。
[0338] 在一個(gè)總的方面，一種方法可包括在半導(dǎo)體襯底的外延層上形成掩膜以及使用第 一掩膜來形成端接槽。該方法可包括移除掩膜，以及在端接槽內(nèi)形成第一電介質(zhì)的第一部 分且在外延層的表面上形成第一電介質(zhì)的第二部分。
[0339] 該掩膜可為第一掩膜，且該方法可包括從外延層的表面上移除第一電介質(zhì)的第二 部分使得第一電介質(zhì)的第一部分的表面暴露出，以及在外延層的至少該表面上以及在第一 電介質(zhì)的第一部分的暴露表面上形成第二掩膜。該方法可包括在第二掩膜中形成第一開口 和第二開口，以及經(jīng)由第二掩膜中的第一開口形成周邊槽。該方法可包括經(jīng)由第二掩膜中 的第二開口形成有源槽的至少一部分，以及在周邊槽中以及在有源槽的該部分中形成第二 電介質(zhì)。該方法可包括在有源槽中形成屏蔽電極。在一些具體實(shí)施中，端接槽為橫向槽。在 一些具體實(shí)施中，屏蔽電極為凹陷屏蔽電極。
[0340] 在另一總的方面，一種裝置可包括半導(dǎo)體區(qū)以及限定在半導(dǎo)體區(qū)內(nèi)的第一槽。第 一槽可具有沿著第一堅(jiān)向軸線對齊的深度并且可具有沿著與第一堅(jiān)向軸線正交的第一縱 向軸線對齊的長度。該裝置可包括設(shè)置在第一槽中的第一電介質(zhì)以及限定在半導(dǎo)體區(qū)內(nèi)的 第二槽。第二槽可具有沿著第二堅(jiān)向軸線對齊的深度并且可具有沿著與第二堅(jiān)向軸線正交 并且與第一縱向軸線正交的第二縱向軸線對齊的長度。第二槽的深度可淺于第一槽的深 度，且交叉的第二槽可耦合至第一槽。在一些具體實(shí)施中，第二電介質(zhì)可設(shè)置在第二槽中， 且第二電介質(zhì)可具有沿著第二槽的底部表面的部分，該部分具有一沿著第二堅(jiān)向軸線的厚 度，該厚度小于第一電介質(zhì)的沿著第一槽的底部表面的部分的沿著第一堅(jiān)向軸線的厚度。
[0341] 在一些具體實(shí)施中，第一槽與端接區(qū)相關(guān)聯(lián)且第二槽與有源區(qū)相關(guān)聯(lián)。該裝置可 包括設(shè)置在第二槽中的屏蔽電極，以及設(shè)置在屏蔽電極上方的第二槽中的柵電極。在一些 具體實(shí)施中，第一電介質(zhì)具有U形橫截面輪廓，且第二電介質(zhì)具有U形橫截面輪廓。
[0342] 該裝置可包括設(shè)置在第一槽中的第一屏蔽電極，以及設(shè)置在第二槽中的第二屏蔽 電極。第一屏蔽電極可通過第一電介質(zhì)與第二槽絕緣。在一些具體實(shí)施中，第二槽止于第 一槽使得第一槽與第二槽續(xù)接。該裝置可包括第三槽，第三槽可具有與第一槽的一部分平 行對齊的至少一部分，第三槽可通過臺面區(qū)與第一槽隔離。
[0343] 該裝置可包括設(shè)置在第一槽中的第一屏蔽電極，以及設(shè)置在第二槽中的第二屏蔽 電極。第一屏蔽電極可具有底部表面，該底部表面具有深于設(shè)置在第二槽中的第二屏蔽電 極的底部表面的堅(jiān)直深度的堅(jiān)直深度。
[0344] 在一些具體實(shí)施中，第一電介質(zhì)具有U形橫截面輪廓。該裝置可包括設(shè)置在第一 槽中的第一電介質(zhì)內(nèi)的第一屏蔽電極，以及設(shè)置在第二槽中的第二屏蔽電極。該裝置可包 括設(shè)置在第二屏蔽電極上方的第二槽中的柵電極。柵電極可具有沿著一平面對齊的頂部表 面。第二屏蔽電極可具有與該平面相交且設(shè)置在柵電極與第一電介質(zhì)的側(cè)壁之間的部分。
[0345] 該裝置可包括設(shè)置在第一槽中的第一屏蔽電極，以及設(shè)置在第二槽中的第二屏蔽 電極。第一屏蔽電極可具有凹陷頂部表面，該凹陷頂部表面具有與設(shè)置在第二槽中的第二 屏蔽電極的頂部表面大約相等的堅(jiān)直深度。
[0346] 該裝置可包括設(shè)置在第二槽中的屏蔽電極。屏蔽電極可具有沿著第二縱向軸線的 第一部分的具有堅(jiān)直高度的第一部分，所述堅(jiān)直高度不同于沿著第二縱向軸線的第二部分 的屏蔽電極的第二部分的堅(jiān)直高度。該裝置可包括設(shè)置在第二槽中的屏蔽電極。屏蔽電極 可沿著第二縱向軸線的第一部分具有凹陷部分并且可沿著第二縱向軸線的第二部分具有 非凹陷部分。
[0347] 在又另一總的方面，一種裝置可包括具有沿著第一平面對齊的頂部表面的半導(dǎo)體 區(qū)以及限定在半導(dǎo)體區(qū)內(nèi)的槽。槽可具有在與第一平面正交的堅(jiān)直方向上沿著第二平面對 齊的深度并且可具有沿著與第二平面正交的縱向軸線對齊的長度。槽可具有主部分并且 可具有延長部分，并且延長部分可具有深度不同于槽的主部分的底部表面的深度的底部表 面。該裝置可包括設(shè)置在主部分中且沿著第二平面對齊的屏蔽電介質(zhì)，以及設(shè)置在槽的主 部分中并且設(shè)置在屏蔽電介質(zhì)與槽的主部分的底部表面之間的主電介質(zhì)。該裝置可包括與 主電介質(zhì)接觸且設(shè)置在槽的延長部分中的延長電介質(zhì)。延長電介質(zhì)可具有與第二平面相交 且在至少第一平面與延長部分的底部表面之間延伸的堅(jiān)直厚度。
[0348] 在一些具體實(shí)施中，槽的延長部分不包括電極。在一些具體實(shí)施中，槽為第一槽， 且縱向軸線為第一縱向軸線。裝置可包括沿著與第一縱向軸線正交的第二縱向軸線相交且 跟槽的延長部分與槽的主部分的接合點(diǎn)相交的第二槽。
[0349] 在一些具體實(shí)施中，槽的延長部分沿著縱向軸線具有一長度，該長度大于柵極滑 槽的在可具有設(shè)置在槽的延長部分上方的至少一部分時(shí)的寬度。在一些具體實(shí)施中，槽為 第一槽，且該裝置可包括與第一槽平行對齊的多個(gè)電介質(zhì)填充槽。所述多個(gè)電介質(zhì)填充槽 中的至少一個(gè)電介質(zhì)填充槽可沿著一長度填充有電介質(zhì)，該長度大于延長部分的沿著縱向 軸線的長度。
[0350] 在一些具體實(shí)施中，槽延長部分的深度淺于槽的主部分的深度。在一些具體實(shí)施 中，槽延長部分的深度深于槽的主部分的深度。在一些具體實(shí)施中，槽的主部分沿著第一平 面具有一寬度，該寬度不同于槽的延長部分的沿著第一平面的寬度。
[0351] 在一些具體實(shí)施中，槽的主部分沿著第一平面具有一寬度，該寬度等于槽的延長 部分的沿著第一平面的寬度。在一些具體實(shí)施中，槽的主部分沿著第一平面具有一寬度，該 寬度大于槽的延長部分的沿著第一平面的寬度，并且槽延長部分的深度淺于槽的主部分的 深度。在一些具體實(shí)施中，槽的主部分沿著第一平面具有一寬度，該寬度等于槽的延長部分 的沿著第一平面的寬度，并且槽延長部分的深度深于槽的主部分的深度。
[0352] 還將理解，在層被稱為位于另一層或襯底上時(shí)，層可直接位于另一層或襯底上，或 者中間層也可存在。還將理解，在元件(例如層、區(qū)域或襯底）被稱為位于另一個(gè)元件上或 連接至、電連接至、耦合至或電耦合至另一個(gè)元件時(shí)，元件可直接位于另一個(gè)元件上或連接 或耦合至另一個(gè)元件，或者可存在一個(gè)或多個(gè)居間元件。相比之下，在元件被稱為直接位于 另一個(gè)元件或?qū)由匣蛑苯舆B接至或直接耦合至另一個(gè)元件或?qū)訒r(shí)，不存在居間元件或居間 層。盡管在整個(gè)【具體實(shí)施方式】部分中可能未使用"直接位于……上"、"直接連接至"或"直 接耦合至"等詞，但示出為直接位于……上、直接連接或之間耦合的元件可被稱為是這樣的 情況?？尚拚緦＠暾埖臋?quán)利要求，以列舉說明書中所述或圖中所示的示例性關(guān)系。
[0353] 如本說明書所用，除非以上下文的形式明確指示單數(shù)，否則單數(shù)形式包括復(fù)數(shù)形 式。空間相關(guān)術(shù)語(例如，上面、上方、上、下面、以下、下方、下等）意在除圖中所示的方位外 涵蓋所使用或操作的器件的不同取向。在一些具體實(shí)施中，上文及下文中的相關(guān)術(shù)語可分 別包括堅(jiān)直上方和堅(jiān)直下方。在一些具體實(shí)施中，術(shù)語"相鄰"可包括側(cè)向地相鄰或水平地 相鄰。
[0354] 本文所述的各種技術(shù)的具體實(shí)施可在數(shù)字電子電路中或在計(jì)算機(jī)硬件、固件、軟 件中或在它們的組合中實(shí)現(xiàn)。方法的部分也可以通過專用邏輯電路(例如，F(xiàn)PGA (現(xiàn)場可編 程門陣列)或ASIC (專用集成電路))執(zhí)行，并且裝置可實(shí)現(xiàn)為專用邏輯電路(例如，F(xiàn)PGA (現(xiàn) 場可編程門陣列）或ASIC (專用集成電路)）。
[0355] 具體實(shí)施可在計(jì)算系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)，該計(jì)算系統(tǒng)包括后端組件(例如，數(shù)據(jù)服務(wù)器)，或 者包括中間件組件(例如，應(yīng)用服務(wù)器)，或者包括前端組件(例如，具有圖形用戶界面或網(wǎng) 頁瀏覽器的客戶端計(jì)算機(jī)(用戶可通過該客戶端計(jì)算機(jī)與具體實(shí)施互動)），或者這樣的后 端組件、中間件組件或前端組件的任意組合。組件可通過數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)通信的任何形式或介質(zhì) (例如，通信網(wǎng)絡(luò))進(jìn)行互連。通信網(wǎng)絡(luò)的例子包括局域網(wǎng)（LAN)和廣域網(wǎng)（WAN)，如互聯(lián)網(wǎng)。
[0356] 一些具體實(shí)施可使用各種半導(dǎo)體加工和/或封裝技術(shù)來實(shí)現(xiàn)。一些具體實(shí)施可使 用與半導(dǎo)體襯底相關(guān)的各種類型的半導(dǎo)體處理技術(shù)來實(shí)現(xiàn)，這些半導(dǎo)體襯底包括但不限于 (例如）硅（Si)、砷化鎵（GaAs)、碳化硅（SiC)和/或諸如此類。
[0357] 雖然所述具體實(shí)施的某些特征已被示出為如本文所述，但本領(lǐng)域的技術(shù)人員現(xiàn)將 可以想到許多修改、替代、變更和等效方案。因此，應(yīng)當(dāng)理解，所附權(quán)利要求旨在涵蓋落入具 體實(shí)施的范圍內(nèi)的所有此類修改形式和變更形式。應(yīng)當(dāng)理解，所述實(shí)施例僅以舉例的方式 而不是以限制的方式呈現(xiàn)，并且可在形式和細(xì)節(jié)方面進(jìn)行各種變更。本文所述的裝置和/ 或方法的任一部分可以以任何組合加以組合，但相互排斥的組合除外。本文所述的具體實(shí) 施可包括所述不同具體實(shí)施的功能、部件和/或特征的各種組合和/或子組合。
【權(quán)利要求】
1. 一種裝置，包括： 半導(dǎo)體區(qū)； 槽，其限定在所述半導(dǎo)體區(qū)內(nèi)，所述槽具有沿著堅(jiān)向軸線對齊的深度并且具有沿著與 所述堅(jiān)向軸線正交的縱向軸線對齊的長度，所述槽具有包括在所述半導(dǎo)體區(qū)的端接區(qū)中的 所述長度的第一部分并且具有包括在所述半導(dǎo)體區(qū)的有源區(qū)中的所述長度的第二部分；以 及 電介質(zhì)，其為所述槽的底部部分形成內(nèi)襯，所述電介質(zhì)具有設(shè)置在所述半導(dǎo)體區(qū)的所 述端接區(qū)中的第一部分以及設(shè)置在所述半導(dǎo)體區(qū)的所述有源區(qū)中的第二部分，所述電介質(zhì) 的設(shè)置在所述端接區(qū)中的所述第一部分具有大于所述電介質(zhì)的設(shè)置在所述有源區(qū)中的所 述第二部分的堅(jiān)直厚度的堅(jiān)直厚度。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述槽具有在所述端接區(qū)中的與所述堅(jiān)向軸線正 交對齊且與所述水平軸正交對齊的第一寬度，所述槽具有在所述有源區(qū)中的與所述堅(jiān)向軸 線正交對齊且與所述水平軸正交對齊的第二寬度，所述槽的第一寬度小于所述槽的第二寬 度。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述深度為在所述有源區(qū)中的第一深度，所述槽 具有在所述端接區(qū)中的淺于所述第一深度的第二深度。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述深度為在所述有源區(qū)中的第一深度，所述槽 具有在所述端接區(qū)中的淺于所述第一深度的第二深度，所述槽具有不同于所述第一深度且 不同于所述第二深度的第三深度。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述縱向軸線為第一縱向軸線，所述槽為第一槽， 所述深度為在所述有源區(qū)中的第一深度，所述槽具有在所述端接區(qū)中的淺于所述第一深度 的第二深度， 所述裝置還包括： 第二槽，其沿著與所述第一縱向軸線正交的第二縱向軸線對齊，所述第二槽與所述第 一槽相交，所述第二槽具有第三深度，所述第三深度不同于所述第一深度且不同于所述第 二深度。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述槽為第一槽， 所述裝置還包括： 第二槽，其與所述第一槽平行對齊；以及 第三槽，其與所述第一槽相交且與所述第二槽相交使得所述第一槽中的所述電介質(zhì)與 設(shè)置在所述第二槽中的電介質(zhì)接觸并且與設(shè)置在所述第三槽中的電介質(zhì)接觸。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述槽為第一槽， 所述裝置還包括： 第二槽，其與所述第一槽正交對齊且與所述第一槽相交，所述第一槽具有在所述第二 槽的第一側(cè)上的第一寬度，所述第一寬度大于在所述第二槽的第二側(cè)上的第二寬度。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述槽的所述第一部分包括設(shè)置在所述第一部分 中的電極并且所述槽的所述第二部分不包括電極。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述電介質(zhì)的所述第一部分具有的底部表面的深 度深于所述電介質(zhì)的所述第二部分的底部表面的深度。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述槽為第一槽且所述電介質(zhì)為第一電介質(zhì)， 所述裝置還包括： 第二槽，其在與所述第一槽平行的方向上對齊；以及 第二電介質(zhì)，其在垂直于所述平行方向的方向上為所述第二槽的在所述半導(dǎo)體區(qū)的所 述有源區(qū)的側(cè)向的底部部分形成內(nèi)襯， 所述第二電介質(zhì)具有的厚度大體上等于所述第一電介質(zhì)的在所述第一槽中的第一部 分的堅(jiān)直厚度。
11. 一種裝置，包括： 半導(dǎo)體區(qū)； 第一槽，其限定在所述半導(dǎo)體區(qū)內(nèi)，所述槽具有包括在所述半導(dǎo)體區(qū)的端接區(qū)中的第 一部分并且具有包括在所述半導(dǎo)體區(qū)的有源區(qū)中的第二部分； 電介質(zhì)，其為所述槽的底部部分形成內(nèi)襯，所述電介質(zhì)具有設(shè)置在所述半導(dǎo)體區(qū)的所 述端接區(qū)中的第一部分以及設(shè)置在所述半導(dǎo)體區(qū)的所述有源區(qū)中的第二部分，所述電介質(zhì) 的設(shè)置在所述端接區(qū)中的所述第一部分具有的厚度不同于所述電介質(zhì)的設(shè)置在所述有源 區(qū)中的所述第二部分的厚度；以及 第二槽，其與所述第一槽平行對齊且具有與所述第一槽的輪廓相交的輪廓。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，其中所述第一槽為包括柵電極和屏蔽電極的有源 槽。
13. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，其中所述第一槽包括屏蔽電極并且不包括柵電極。
14. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，其中所述第二槽具有與所述第一槽平行對齊的第一 部分并且所述第二槽具有與所述第一槽垂直對齊的第二部分， 所述裝置還包括： 阱摻雜物區(qū)，其具有與所述第二槽的所述第二部分分隔的邊緣。
15. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，其中所述第一槽包括柵電極和屏蔽電極，所述屏蔽 電極具有在所述有源區(qū)中的凹陷部分以及在所述端接區(qū)中的堅(jiān)直延伸部分。
16. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，其中所述第二槽具有與所述第一槽平行對齊的第一 部分并且所述第二槽具有與所述第一槽垂直對齊的第二部分， 所述裝置還包括： 突出電介質(zhì)部分，其與設(shè)置在所述第二槽的所述第二部分中的電介質(zhì)接觸。
17. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，其中所述第二槽具有與所述第一槽平行對齊的第一 部分并且所述第二槽具有與所述第一槽垂直對齊的第二部分， 所述裝置還包括： 柵電極，其具有與所述第二槽的所述第二部分的輪廓相交的邊緣；以及 源電極，其具有與所述第二槽的所述第二部分的輪廓相交的邊緣。
【文檔編號】H01L29/06GK104051503SQ201410099242
【公開日】2014年9月17日 申請日期:2014年3月17日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月15日
【發(fā)明者】約瑟夫·A·葉季納科, 迪安·E·普羅布斯特, 理查德·斯托克斯, 金洙丘, 杰森·希格斯, 弗雷德·塞西諾, 陳暉 , 史蒂文·P·薩普, 杰森·普雷切, M·L·萊因海默 申請人:飛兆半導(dǎo)體公司