一種器件隔離溝槽表面修復(fù)的方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種器件隔離溝槽表面修復(fù)的方法，包括以下步驟，步驟一，利用等離子體將氧氣進(jìn)行去耦化處理，形成氧自由基；步驟二，將步驟一形成的氧自由基與溝槽表面進(jìn)行反應(yīng)，形成去耦等離子體氧化物，修復(fù)溝槽表面的缺陷。本發(fā)明利用等離子體將氧氣進(jìn)行去耦合化處理，形成高能的氧自由基，與基底硅進(jìn)行反應(yīng)，形成氧化物(俗稱DPO:去耦氧化物)，修復(fù)溝槽表面缺陷，其所需溫度較低，一般為300～400℃，降低了熱預(yù)算。
【專利說(shuō)明】 一種器件隔離溝槽表面修復(fù)的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種器件的表面的修復(fù)方法，具體的涉及一種器件隔離溝槽表面修復(fù)的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在超大規(guī)模集成電路中，很多器件需要形成在同一芯片上，為了防止各器件的漏電，需要對(duì)其進(jìn)行隔離。隔離技術(shù)一般為淺槽隔離(STI)以及最近興起的深溝槽隔離(DTI)，由于溝槽的形成需要對(duì)硅襯底進(jìn)行蝕刻，因此會(huì)造成硅襯底的損傷，這時(shí)就需要對(duì)這一現(xiàn)狀進(jìn)行解決。現(xiàn)有技術(shù)采用爐管在氧氣的氣氛下與硅襯底反應(yīng)，利用熱生長(zhǎng)氧化硅來(lái)修復(fù)損傷缺陷，但是其需要很高的溫度(800?1050°C )，熱預(yù)算較大。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種在低溫條件下器件隔離溝槽表面修復(fù)的方法。
[0004]本發(fā)明解決上述技術(shù)問(wèn)題的技術(shù)方案如下:一種器件隔離溝槽表面修復(fù)的方法，包括以下步驟，
[0005]步驟一，利用等離子體將氧氣進(jìn)行去耦化處理，形成氧自由基；
[0006]步驟二，將步驟一形成的氧自由基與溝槽表面進(jìn)行反應(yīng)，形成去耦等離子體氧化物，修復(fù)溝槽表面的缺陷。
[0007]本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明利用等離子體將氧氣進(jìn)行去耦合化處理，形成高能的氧自由基，與基底硅進(jìn)行反應(yīng)，形成氧化物(俗稱DP0:去耦氧化物)，修復(fù)溝槽表面缺陷，其所需溫度較低，一般為300?400°C，降低了熱預(yù)算。
[0008]在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，本發(fā)明還可以做如下改進(jìn)。
[0009]進(jìn)一步，所述氧自由基與溝槽表面進(jìn)行反應(yīng)所需的溫度范圍為300?400°C。
[0010]采用上述進(jìn)一步方案的有益效果是:溫度為300?400°C，使得快速地修復(fù)溝槽表面缺陷，效果更好。
[0011]進(jìn)一步，所述等離子體將氧氣進(jìn)行去耦化處理的過(guò)程中，所需的腔體壓力為10?IOOmT,氧氣的流量為120?330暈升每分，射頻功率為I?3KW。
[0012]采用上述進(jìn)一步方案的有益效果是:腔體壓力為10?IOOmT,氧氣的流量為120?330毫升每分，射頻功率為I?3KW，使得制得的氧自由基更加純凈，更易制得，效果更好。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0013]圖1為本發(fā)明一種器件隔離溝槽表面修復(fù)的方法的流程圖；
[0014]圖2為本發(fā)明一種器件隔離溝槽表面修復(fù)的方法的修復(fù)狀態(tài)圖。
[0015]附圖中，各標(biāo)號(hào)所代表的部件列表如下:[0016]1、硅襯底，2、溝槽，3、缺陷，4、二氧化硅修復(fù)層。
【具體實(shí)施方式】
[0017]以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的原理和特征進(jìn)行描述，所舉實(shí)例只用于解釋本發(fā)明，并非用于限定本發(fā)明的范圍。
[0018]如圖1所示，一種器件隔離溝槽表面修復(fù)的方法，首先利用等離子體將氧氣進(jìn)行去耦化處理，得到氧自由基，所述等離子體將氧氣進(jìn)行去耦化處理的過(guò)程中，腔體壓力為10?IOOmT UT即毫托)，氧氣的流量為120?330毫升每分，射頻功率為I?3KW ;然后將氧自由基與溝槽表面進(jìn)行反應(yīng)，形成去耦等離子體氧化物，即氧自由基與溝槽表面的硅反應(yīng)形成二氧化硅，所述氧自由基與溝槽表面進(jìn)行反應(yīng)的溫度范圍為300?400°C ;所述氧自由基與溝槽表面的硅反應(yīng)形成的二氧化硅填充溝槽表面的缺陷，使其致密平整，進(jìn)而達(dá)到修復(fù)溝槽表面的缺陷的效果。圖2為本發(fā)明一種器件隔離溝槽表面修復(fù)的方法的修復(fù)狀態(tài)圖，在器件隔離溝槽沒(méi)有修復(fù)之前，硅襯底I的溝槽2中存在溝槽刻蝕造成的缺陷3，當(dāng)采用氧氣去耦化處理得到的氧自由基與溝槽2表面的硅發(fā)生反應(yīng)，形成二氧化硅修復(fù)層4，修復(fù)了溝槽2表面的缺陷3。
[0019]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種器件隔離溝槽表面修復(fù)的方法，其特征在于:包括以下步驟， 步驟一，利用等離子體將氧氣進(jìn)行去耦化處理，形成氧自由基； 步驟二，將步驟一形成的氧自由基與溝槽表面進(jìn)行反應(yīng)，形成去耦等離子體氧化物，修復(fù)溝槽表面的缺陷。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種器件隔離溝槽表面修復(fù)的方法，其特征在于:所述氧自由基與溝槽表面進(jìn)行反應(yīng)所需的溫度范圍為300?400°C。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種器件隔離溝槽表面修復(fù)的方法，其特征在于:所述等離子體將氧氣進(jìn)行去耦化處理的過(guò)程中，所需的腔體壓力為10?IOOmT,氧氣的流量為120?330暈升每分，射頻功率為I?3KW。
【文檔編號(hào)】H01L21/02GK103871841SQ201410102240
【公開(kāi)日】2014年6月18日 申請(qǐng)日期:2014年3月19日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月19日
【發(fā)明者】洪齊元, 黃海 申請(qǐng)人:武漢新芯集成電路制造有限公司