激光退火設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種激光退火設(shè)備，用于對半導(dǎo)體襯底進(jìn)行退火，包括：保護(hù)罩，設(shè)置在半導(dǎo)體襯底的邊緣，所述保護(hù)罩用于保護(hù)襯底邊緣。本發(fā)明提供的激光退火設(shè)備，使激光束的能量能夠平穩(wěn)輸出，避免半導(dǎo)體襯底邊緣的能量尖峰的出現(xiàn)，提高半導(dǎo)體襯底的邊緣的良率。
【專利說明】激光退火設(shè)備
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種激光退火設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]激光退火(Laser Annealing)是利用有一定能量(Power)的激光光束,快速的在半導(dǎo)體襯底表面進(jìn)行掃描，從而達(dá)到半導(dǎo)體襯底上某一微分區(qū)域的微秒級退火的作用。
[0003]在進(jìn)行激光掃描時，一般都是弧形掃描，請參考圖1所示的現(xiàn)有技術(shù)的術(shù)的激光退火設(shè)備的掃描原理示意圖，激光光束100沿著弧形方向掃過半導(dǎo)體襯底200的表面，這種掃描方式被驗證更利于半導(dǎo)體襯底200上某一微分區(qū)域的散熱,從而降低半導(dǎo)體襯底200的翹曲率。
[0004]如圖1，半導(dǎo)體襯底200的中間部分的熱量可以向半導(dǎo)體襯底200的邊緣區(qū)域散熱，但半導(dǎo)體襯底200邊緣區(qū)域的情況就比較復(fù)雜。一方面，半導(dǎo)體襯底200的邊緣缺少了散熱面，導(dǎo)致散熱困難，退火時間變相延長，增加了熱預(yù)算；另一方面，半導(dǎo)體襯底200邊緣有一些潛在的缺陷，受熱應(yīng)力激發(fā)后，容易從缺陷處發(fā)生半導(dǎo)體襯底200破裂。
[0005]針對上述問題，現(xiàn)有技術(shù)的解決方法，調(diào)整激光束的能量。具體地，請參考圖2所示的現(xiàn)有技術(shù)的激光退火設(shè)備的激光能量曲線示意圖，結(jié)合圖1及圖2中A點(diǎn)為半導(dǎo)體襯底200的中心點(diǎn)，橫坐標(biāo)表示半導(dǎo)體襯底200的半徑方向，縱坐標(biāo)表示沿半導(dǎo)體襯底200的半徑方向的激光能量。
[0006]結(jié)合圖1和圖2所示，在激光束100進(jìn)入半導(dǎo)體襯底200前，將激光束100能量預(yù)先降低，等進(jìn)入半導(dǎo)體襯底200的邊緣一段時間后，再提高激光束100的能量至正常作業(yè)能量；在激光束100即將離開半導(dǎo)體襯底200前，預(yù)先降低激光束100的能量，再保持激光束100的能量至該激光束100離開半導(dǎo)體襯底200的邊緣。
[0007]現(xiàn)有技術(shù)在半導(dǎo)體襯底邊緣附近預(yù)先降低激光束的能量，可以有效的減弱半導(dǎo)體襯底邊緣的熱量聚集效應(yīng)，減少了破片的風(fēng)險。但激光系統(tǒng)在能量控制上不是完美的，在能量轉(zhuǎn)換時，會有一個能量尖峰(Power Spike)的出現(xiàn)。也即是說,每一次掃描都會伴隨著兩個能量尖峰的產(chǎn)生。在半導(dǎo)體襯底邊緣處，半導(dǎo)體襯底的良率會受到很大的影響。
[0008]因此，有必要對現(xiàn)有激光退火設(shè)備進(jìn)行改進(jìn)，以提高半導(dǎo)體襯底邊緣的良率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]本發(fā)明解決的問題提供一種激光退火設(shè)備，使激光束的能量能夠平穩(wěn)輸出，避免半導(dǎo)體襯底邊緣的能量尖峰的出現(xiàn)，提高半導(dǎo)體襯底的邊緣的良率。
[0010]為解決上述問題，本發(fā)明提供一種激光退火設(shè)備，用于對半導(dǎo)體襯底進(jìn)行退火，包括:保護(hù)罩，設(shè)置在半導(dǎo)體襯底的邊緣，所述保護(hù)罩用于保護(hù)襯底邊緣。
[0011]可選地，所述半導(dǎo)體襯底的形狀為圓形，所述保護(hù)罩的形狀為環(huán)形。
[0012]可選地，所述保護(hù)罩環(huán)繞所述襯底的邊緣設(shè)置。
[0013]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn):[0014]本發(fā)明通過在激光退火機(jī)上加裝保護(hù)罩，從而使激光束的能量能夠平穩(wěn)輸出，避免半導(dǎo)體襯底邊緣的能量尖峰的出現(xiàn)，提高半導(dǎo)體襯底的邊緣的良率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0015]圖1是現(xiàn)有技術(shù)的激光退火設(shè)備的掃描原理示意圖；
[0016]圖2是現(xiàn)有技術(shù)的激光退火設(shè)備的激光能量曲線示意圖。
[0017]圖3是本發(fā)明一個實(shí)施例的激光退火設(shè)備的激光能量曲線示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0018]由【背景技術(shù)】可知，現(xiàn)有技術(shù)在半導(dǎo)體襯底邊緣附近預(yù)先降低激光束的能量，可以有效的減弱半導(dǎo)體襯底邊緣的熱量聚集效應(yīng)，減少了破片的風(fēng)險。但激光系統(tǒng)在能量控制上不是完美的，在能量轉(zhuǎn)換時，會有一個能量尖峰(Power Spike)的出現(xiàn)。也即是說，每一次掃描都會伴隨著兩個能量尖峰的產(chǎn)生。在半導(dǎo)體襯底邊緣處，半導(dǎo)體襯底的良率會受到很大的影響。
[0019]為了解決上述問題，本發(fā)明提供一種激光退火設(shè)備，使激光束的能量能夠平穩(wěn)輸出，避免半導(dǎo)體襯底邊緣的能量尖峰的出現(xiàn)，提高半導(dǎo)體襯底的邊緣的良率。本發(fā)明提供的激光退火設(shè)備，包括:保護(hù)罩，設(shè)置在半導(dǎo)體襯底的邊緣，所述保護(hù)罩用于保護(hù)襯底邊緣。在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述保護(hù)罩環(huán)繞所述襯底的邊緣一周設(shè)置。所述保護(hù)罩位于襯底邊緣，且環(huán)繞所述襯底的邊緣上方和下方，將襯底邊緣罩在該保護(hù)罩內(nèi)。作為一個實(shí)施例，所述保護(hù)罩的材質(zhì)為特種陶瓷。
[0020]作為一個實(shí)施例，所述半導(dǎo)體襯底的形狀為圓形，所述保護(hù)罩的形狀為環(huán)形。
[0021]由于設(shè)置了保護(hù)罩，激光束的能量能平穩(wěn)輸出，請參考圖3所示的本發(fā)明一個實(shí)施例的激光退火設(shè)備的激光能量曲線示意圖。其中坐標(biāo)軸的原點(diǎn)A為半導(dǎo)體襯底的中心，橫坐標(biāo)表示的是半導(dǎo)體襯底的半徑方向的尺寸，縱坐標(biāo)表示的是言半導(dǎo)體襯底的半徑方向的激光束的能量。由圖3可見，加裝了激光束的激光退火設(shè)備在襯底的邊緣的激光束能量平穩(wěn)，整個半導(dǎo)體襯底上的能量分布較為平穩(wěn)，無能量尖峰出現(xiàn)。
[0022]綜上，本發(fā)明通過在激光退火機(jī)上加裝保護(hù)罩，從而使激光束的能量能夠平穩(wěn)輸出，避免半導(dǎo)體襯底邊緣的能量尖峰的出現(xiàn)，提高半導(dǎo)體襯底的邊緣的良率。
[0023]因此，上述較佳實(shí)施例僅為說明本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思及特點(diǎn)，其目的在于讓熟悉此項技術(shù)的人士能夠了解本發(fā)明的內(nèi)容并據(jù)以實(shí)施，并不能以此限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。凡根據(jù)本發(fā)明精神實(shí)質(zhì)所作的等效變化或修飾，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種激光退火設(shè)備，用于對半導(dǎo)體襯底進(jìn)行退火，其特征在于，包括:保護(hù)罩，設(shè)置在半導(dǎo)體襯底的邊緣，所述保護(hù)罩用于保護(hù)襯底邊緣。
2.如權(quán)利要求1所述的激光退火設(shè)備，其特征在于，所述半導(dǎo)體襯底的形狀為圓形，所述保護(hù)罩的形狀為環(huán)形。
3.如權(quán)利要求1所述的激光退火設(shè)備，其特征在于，所述保護(hù)罩環(huán)繞所述襯底的邊緣設(shè)置。
【文檔編號】H01L21/268GK103871854SQ201410109711
【公開日】2014年6月18日 申請日期:2014年3月24日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月24日
【發(fā)明者】邱裕明, 肖天金 申請人:上海華力微電子有限公司