引線框架及半導(dǎo)體裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供引線框架及半導(dǎo)體裝置，其包含具有良好的接合性的外引線。引線框架（10）的外引線（18）包含鍍層（23），該鍍層（23）覆蓋框架基材（11）的下表面（11a）及兩個側(cè)面（11b，11c）。框架基材（11）的上表面（11d）沒有被鍍層（23）覆蓋。
【專利說明】引線框架及半導(dǎo)體裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及引線框架及半導(dǎo)體裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]通常，引線框架用于將半導(dǎo)體元件安裝到基板上。半導(dǎo)體裝置通過在已將半導(dǎo)體元件安裝到引線框架的焊墊部上的狀態(tài)下用樹脂材料密封半導(dǎo)體元件和引線框架而制造。例如，用于表面安裝型半導(dǎo)體裝置的引線框架包含:焊墊部，其安裝有半導(dǎo)體元件；以及外引線，其作為半導(dǎo)體裝置的外部連接端子而發(fā)揮功能。外引線焊接在被形成在基板等上的墊片(安裝對象)上(例如，日本特開2003-78097號公報、日本特開平10-74879號公報)。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的為，提供引線框架及半導(dǎo)體裝置，其包含具有良好的接合性的外引線。
[0004]本發(fā)明的一個方面為引線框架。引線框架，其中，具備:框架基材，其包含多個連接引線、和將所述多個連接引線相互連接的框架堤壩，各個連接引線包含比所述框架堤壩靠內(nèi)側(cè)的內(nèi)引線、和比所述框架堤壩靠外側(cè)的外引線；以及鍍層，其覆蓋各個外弓I線的上表面及下表面中的任意一方、和各個外引線的兩個側(cè)面，所述框架基材在各個外引線的所述上表面及下表面中的另一方上從所述鍍層露出。
[0005]本發(fā)明的另一個方面為半導(dǎo)體裝置。半導(dǎo)體裝置，其中，具備:半導(dǎo)體元件；密封樹脂，其對所述半導(dǎo)體元件進(jìn)行密封；以及多個連接引線，其從所述密封樹脂向外導(dǎo)出，各個連接引線包含頂端部，該頂端部作為連接到連接對象上的接合部而發(fā)揮功能，并且各個接合部的下表面及兩個側(cè)面被鍍層覆蓋，各個接合部的上表面從所述鍍層露出以框架基材露出。
[0006]本發(fā)明的另一個方面為引線框架。引線框架，其中，具備:外引線，其包含以與接合對象接合的方式構(gòu)成的下表面、處在所述下表面的相反側(cè)的上表面、和所述下表面和上表面之間的側(cè)面；以及鍍層，其覆蓋除了所述外引線的所述上表面以外的、所述外引線的所述下表面及所述側(cè)面，所述鍍層包含與所述外弓I線的所述上表面齊平的上端面。
[0007]根據(jù)本發(fā)明，可以得到包含具有良好的接合性的外引線的引線框架及半導(dǎo)體裝置。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]圖1A是引線框架的局部俯視圖。
[0009]圖1B是圖1A的引線框架的局部放大剖視圖。
[0010]圖1C是圖1A的引線框架的局部放大剖視圖。
[0011]圖2A是半導(dǎo)體裝置的概要剖視圖。
[0012]圖2B是用于說明圖2A的半導(dǎo)體裝置的外引線的示意圖。
[0013]圖2C是用于說明圖2A的半導(dǎo)體裝置的外引線的示意圖。
[0014]圖3A是用于說明引線框架的制造方法的剖視圖。
[0015]圖3B是用于說明引線框架的制造方法的剖視圖。
[0016]圖3C是用于說明引線框架的制造方法的剖視圖。
[0017]圖3D是用于說明引線框架的制造方法的剖視圖。
[0018]圖3E是用于說明引線框架的制造方法的剖視圖。
[0019]圖4A是用于說明實施方式的外引線被連接在焊墊上時的焊錫形狀的示意圖。
[0020]圖4B是用于說明實施方式的外引線被連接在焊墊上時的焊錫形狀的示意圖。
[0021 ]圖5A是用于說明比較例的外引線被連接在焊墊上時的焊錫形狀的示意圖。
[0022]圖5B是用于說明比較例的外引線被連接在焊墊上時的焊錫形狀的示意圖。
[0023]圖6是其他例子的半導(dǎo)體裝置的概要剖視圖。

【具體實施方式】
[0024]以下，對實施方式進(jìn)行說明。附圖可能有將成為特征的部分?jǐn)U大示出的情況，以便易于理解其特征。構(gòu)成元件的尺寸比可能有與實際的電子部件、或與其他設(shè)計圖中的電子部件不同的情況。在剖視圖中，可能有省略了一部分的構(gòu)成元件的剖面線的情況，以便易于理解構(gòu)成元件的截面結(jié)構(gòu)。
[0025]如圖1A所示，實施方式的引線框架10包含框架基材11，該框架基材11作為QFP(Quad Flat Package:四側(cè)引腳扁平封裝)的基板被使用。框架基材11例如可以是銅(Cu)部件、Cu合金部件、鐵-鎳(Fe-Ni)二元合金部件、或Fe-Ni多元合金部件等。框架基材11可以通過對金屬板或合金板進(jìn)行例如沖壓加工或浸蝕加工來獲得。
[0026]框架基材11包含焊墊12，在該焊墊12上安裝有半導(dǎo)體元件31。焊墊12例如可以是矩形平板。焊墊12被支撐條14支承，支撐條14被連接在向框架基材11的長度方向延伸的一對導(dǎo)軌部13上。在焊墊12的周圍上設(shè)置有多個框架堤壩(也可以稱為連接桿)15及多個連接引線16。多個連接引線16通過框架堤壩15相互連接。各個連接引線16包含:內(nèi)引線17，其以從對應(yīng)的框架堤壩15向焊墊12的方式向內(nèi)延伸；以及外引線18，其從該對應(yīng)的框架堤壩15向外延伸。各個外引線18的頂端被連接在導(dǎo)軌部13上、或跨在一對導(dǎo)軌部13上的內(nèi)框架19上。在圖示出的例子中，一對內(nèi)框架19向與導(dǎo)軌部13的長度方向正交的方向延伸以連接一對導(dǎo)軌部13，并且在一對內(nèi)框架19之間配置有焊墊12。焊墊12、支撐條14、框架堤壩15、及連接引線16 (內(nèi)引線17，外引線18)由被形成在框架基材11上的開口部劃定。在圖1A中，圍繞內(nèi)引線17的頂端的矩形的點劃線表示通過密封樹脂34 (參照圖2)而被樹脂密封的樹脂密封區(qū)域。焊墊12及內(nèi)引線17埋設(shè)于密封樹脂34內(nèi)，而外引線18從密封樹脂34露出。
[0027]圖1B所示，焊墊12包含覆蓋框架基材11的一面(例如上表面)的鍍層21。鍍層21例如可以是鎳(Ni)鍍層、或銀(Ag)鍍層。在鍍層21上安裝有半導(dǎo)體元件31。在圖1B中，引線框架10的上表面為安裝半導(dǎo)體元件31的安裝側(cè)的一例。引線框架10的下表面為處在安裝側(cè)的相反側(cè)的非安裝側(cè)的一例。
[0028]在引線框架10的安裝側(cè)上的內(nèi)引線17的頂端17a上形成有內(nèi)部端子22。內(nèi)部端子22作為引線焊接部而發(fā)揮功能，并通過例如金屬線(焊線)33而連接在焊墊12上的半導(dǎo)體元件31的墊部31a上。內(nèi)部端子22例如可以是鍍層。
[0029]如圖1B及圖1C所示，外引線18包含鍍層23。鍍層23覆蓋外引線18的下表面Ila及兩個側(cè)面11b，11c。外引線18的上表面Ild沒有被鍍層23覆蓋。在外引線18的上表面上露出了框架基材11 (例如銅或銅合金)的上表面。在圖1C示出的例子中，外引線18的截面上的鍍層23的上端面可以與外引線18的上表面Ild (或框架基材11的上表面)齊平。
[0030]鍍層23為3層結(jié)構(gòu)的鍍層。外引線18的下表面及側(cè)面被第I鍍層24覆蓋，第I鍍層24被第2鍍層25覆蓋，第2鍍層25被第3鍍層26覆蓋。在本實施方式中，第I鍍層24為鎳(Ni)鍍層，第2鍍層25為鈀(Pd)鍍層，第3鍍層26為金(Au)鍍層。外引線18的上表面Ild沒有被第1-第3鍍層24-26中的任意一層覆蓋。另外，第I鍍層24也可以使用鎳合金鍍層。第2鍍層25也可以使用鈀合金鍍層。第3鍍層26也可以使用金合金。
[0031]在圖示出的例子中，內(nèi)部端子22為與外引線18的鍍層23同樣的、包含第1_第3鍍層24-26的3層結(jié)構(gòu)的鍍層。內(nèi)部端子22可以是2層結(jié)構(gòu)的鍍層、或包含銀(Ag)鍍層的4層以上的鍍層。鍍層21可以是與外引線18的鍍層23同樣的3層結(jié)構(gòu)的鍍層(鎳鍍層，鈀鍍層，金鍍層)。鍍層21可以是2層結(jié)構(gòu)的鍍層、或4層以上的鍍層。
[0032]以下，對圖1A中示出的引線框架10的制造工序的概要進(jìn)行說明。
[0033]首先，對銅或銅合金等的金屬板進(jìn)行壓印或浸蝕而成形(框架成形)框架基材11。
[0034]接著，將液體抗蝕劑涂布至整個框架基材11上，并進(jìn)行預(yù)烘烤來形成抗蝕膜(抗蝕涂敷)。該液體抗蝕劑具有通過規(guī)定的光線(例如紫外線)的照射而被固化的性質(zhì)。
[0035]通過光掩膜來暴光液體抗蝕劑。顯影抗蝕膜，并且除去沒有被規(guī)定波長的光線照射的規(guī)定部分的抗蝕膜。由此,選擇性地露出框架基材11的表面中的、形成鍍層的規(guī)定部分。
[0036]在該露出的規(guī)定部分上形成鍍層23。例如，在露出的框架基材11的規(guī)定部分上形成鎳(Ni)鍍層。鍍層例如由電鍍、無電鍍、陰極濺鍍等來形成鍍層。
[0037]接著，在鎳鍍層上形成鈀(Pd)鍍層。在鈀鍍層上施加金(Au)鍍層。之后，通過剝離上述抗蝕膜而使除了形成了鍍層23的規(guī)定部分以外的框架基材11的表面露出。
[0038]通過這樣的工序來完成局部電鍍的引線框架10。被電鍍的部分包含成為外引線18的框架基材11的下表面Ila及側(cè)面11b，11c。
[0039]以下，按照圖3A-圖3E對在外引線18上形成鍍層23的工序進(jìn)行說明。
[0040]首先，如圖3A所示，在框架基材11上涂敷液體抗蝕劑，從而在整個框架基材11上形成抗蝕膜41。
[0041]接著，如圖3B所示，使用保護(hù)膜42，43并用規(guī)定波長的光線將對應(yīng)于保護(hù)膜42的開口部42a的、框架基材11的上表面Ild上的抗蝕膜41a進(jìn)行選擇性地暴光。通過該暴光來固化上表面Ild上的抗蝕膜41a。
[0042]如圖3C所示，通過顯影除去未固化的抗蝕膜。由此，露出框架基材11的下表面Ila 及側(cè)面 11b，11c。
[0043]接著，如圖3D所示，在框架基材11的下表面Ila及側(cè)面11b，Ilc上形成鍍層23。該鍍層23包含如上所述的鎳鍍膜、鈀鍍膜、及金鍍膜(參照圖1C)。
[0044]如圖3E所示，除去框架基材11的上表面Ild上的抗蝕膜41a。例如使用剝離液來剝離抗蝕膜41a。在另外的例子中，可通過完全燃燒等的處理來除去抗蝕膜41a。由此，形成框架基材11的下表面Ila及側(cè)面11b，Ilc被鍍層23覆蓋，并且上表面Ild沒有被鍍層23覆蓋的外引線18。
[0045]以下，對包含引線框架10的半導(dǎo)體裝置進(jìn)行說明。
[0046]如圖2A所示，樹脂密封型半導(dǎo)體裝置30具備引線框架10、以及半導(dǎo)體元件31。半導(dǎo)體裝置30的組件結(jié)構(gòu)例如為QFP (Quad Flat Package)。在焊墊12的上表面上通過粘合劑粘合有半導(dǎo)體元件31。粘合劑例如為銀(Ag)焊膏。
[0047]半導(dǎo)體元件31的墊部31a通過金屬線(焊線)33而連接在內(nèi)引線17的內(nèi)部端子22上。金屬線33例如為金、銅、鋁(Al)等的細(xì)線。包含半導(dǎo)體元件31、金屬線33、焊墊12、以及內(nèi)引線17的頂端部的一部分由密封樹脂34密封。在該半導(dǎo)體裝置30中，包含內(nèi)引線17的基端部和外引線18的連接引線16露出于密封樹脂34的外部。
[0048]半導(dǎo)體兀件31雖未被限定,但是例如可為LSI (Large-Scale Integrat1n:大規(guī)模集成)芯片。在圖示的例中，雖然I個半導(dǎo)體元件31被安裝于焊墊12上，但也可以按照需要安裝兩個或其以上的半導(dǎo)體元件。也可以代替半導(dǎo)體元件31、或與半導(dǎo)體元件31組合，而在焊墊12上安裝任意的有源元件或無源元件。金屬線33雖未被限定，但可以是例如Cu線、Au線、和鋁(Al)線等。密封樹脂34雖未被限定，但可以是例如環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺樹脂、酚醛樹脂、和丙烯酸樹脂等。
[0049]如圖2B所示，外引線18可以包含:第I屈曲部18a，其被形成在內(nèi)引線17近側(cè)；以及第2屈曲部18b，其被形成在比第I屈曲部18a更靠外側(cè)。外引線18由第I及第2屈曲部18a，18b形成為所謂的鷗翼狀。第I屈曲部18a被設(shè)定在例如可以是框架堤壩15(參照圖1A)位置的、規(guī)定的位置上。
[0050]如圖2A所示，有時會把從密封樹脂24橫向?qū)С龅倪B接引線16的部分稱為肩部51。有時會把從第2屈曲部18b到外引線19的頂端的部分稱為接合部52。該接合部52的安裝面(下表面)通過焊錫而被安裝在印刷電路板等的安裝用基板的墊部上。有時會把肩部51和接合部52之間的連接引線16的部分稱為腳部53。腳部53被構(gòu)成為，將密封樹脂34支承在離為安裝對象的基板規(guī)定的高度的位置上。
[0051]如圖2B所示，在腳部53上以從接合部52的下表面連續(xù)的方式形成有鍍層23。如圖2C所示，至少在接合部52上的、框架基材11的下表面Ila及兩個側(cè)面11b，Ilc被鍍層23覆蓋。為外引線18的基材的框架基材11露出于接合部52的上表面。該露出的框架基材11的表面在經(jīng)過了樹脂密封等的熱處理時被氧化。由此，在外引線18上的、框架基材11的上表面Ild上形成有氧化銅膜等的氧化膜。
[0052]以下，對引線框架10及半導(dǎo)體裝置30的作用進(jìn)行說明。
[0053]如圖4A所示，外引線18通過焊錫62而與如未予圖示的基板等的墊片61的安裝對象接合。在該外引線18上的、框架基材11的下表面Ila及側(cè)面11b，Ilc上形成有鍍層23。因此，焊錫對于外引線18的下表面及側(cè)面顯示良好的潤濕性。
[0054]鍍層23覆蓋至外引線18側(cè)面的上端。焊錫62即使在焊錫62量較少的情況下，也易于向上延伸至外引線18的側(cè)面的上端。其結(jié)果，焊錫62易于形成適宜的焊接圓角。這樣的焊錫62提高外引線18和安裝對象的連接信賴性。
[0055]外引線18的上表面(即、框架基材11的上表面Ild)沒有被鍍層23覆蓋。框架基材11的上表面Ild在經(jīng)過了樹脂密封等的熱處理時被氧化。其結(jié)果，氧化膜(氧化銅膜)被形成在上表面Ild上。由于這樣的氧化膜和焊錫的潤濕性較差，所以上表面Ild的氧化膜可以防止或降低焊錫向上延伸到外引線18的上表面。
[0056]在圖4B中示出的例子中，鍍層23被形成在外引線18的第2屈曲部18b和第I屈曲部18a之間的、框架基材11的傾斜下表面上。焊錫62通過該鍍層23沿框架基材11的傾斜下表面而向上延伸，從而形成適宜的焊接圓角。
[0057]在圖4B的例子中，在外引線18上的框架基材11的頂端面lie上沒有形成鍍層
23。引線框架10在形成了密封樹脂34后并對半導(dǎo)體裝置30進(jìn)行單片化時在外引線18的頂端被切斷。所以，該頂端面Ile與框架基材11的上表面Ild相比受到熱處理的影響的機(jī)會較少。因此，只在框架基材11的頂端面lie上幾乎或完全沒有形成氧化膜、或形成僅覆蓋頂端面lie的一部分的局部氧化膜、或形成薄的氧化膜，以不至于降低焊錫的潤濕性。在這樣的情況下，在焊接工序中沿框架基材11的頂端面Ile而向上延伸焊錫62，從而適宜的焊接圓角。
[0058]以下，對比較例進(jìn)行說明。在圖5A中示出的第I比較例的引線71中，只在基材72的下表面(安裝面)上形成有鍍層73。在第I比較例中，鍍膜沒有被形成在引線71 (基材72)的側(cè)面上。這樣的露出了的基材72的側(cè)面被在經(jīng)過了由樹脂密封等的熱處理時形成的氧化膜(例如氧化銅)覆蓋。因為氧化膜，焊錫62幾乎或完全沒有向上延伸到引線71(基材72)的側(cè)面。在第I比較例中，沒有形成焊接圓角。因此，第I比較例的引線71和墊片61的連接信賴性較低。
[0059]在圖5B中示出的第2比較例的引線81中，鍍層83被形成在基材82的下表面、側(cè)面及上表面上。在第2比較例中，焊錫62以覆蓋引線81的上表面的方式向上延伸到引線81的上表面。所以，可能會有引線81的下表面和墊片61之間、和/或引線81側(cè)面的焊錫量不足，而不能形成適宜的焊接圓角的情況。因此，第2比較例的引線81和墊片61的連接信賴性比較低。
[0060]覆蓋引線81(基材82)的整個表面的鍍層83雖為例如3層結(jié)構(gòu)的鍍層(鎳鍍層(基礎(chǔ)層)、鈀鍍層、金鍍層)，但是這會使對于通過該引線81傳播的信號的高頻成分的電阻值增力口。因此，覆蓋引線81 (基材82)的整個表面的鍍層83有降低引線81的信號質(zhì)量的情況。
[0061]相對于此，在實施方式的連接引線16中，在接合部52的框架基材11的下表面Ila及側(cè)面11b，Ilc包含被鍍層23覆蓋的外引線18、和頂端上表面被內(nèi)部端子22 (鍍層)覆蓋的內(nèi)引線17 (參照圖2A-圖2C)。因此，對于高頻成分的實施方式的連接引線16的電阻值低于被鍍層83覆蓋整個表面的引線81 (參照圖5B)的電阻值。在實施方式的連接引線16中，因鍍層23的信號質(zhì)量的降低較少。這樣，可以兼容高品質(zhì)的信號傳播和連接信賴性的改善。
[0062]根據(jù)實施方式可以獲得以下效果。
[0063](I)引線框架10的外引線18包含鍍層23，該鍍層23覆蓋框架基材11的下表面Ila及兩個側(cè)面11b，11c。在外引線框18的上表面沒有被鍍層23覆蓋。因此，在安裝半導(dǎo)體裝置30時，焊錫62通過鍍層23而向上延伸到外引線18的側(cè)面，從而形成良好的焊接圓角。所以，可以在安裝半導(dǎo)體裝置30時得到很高的連接信賴性。
[0064]在圖示的例子中，在引線框架10的框架基材11上形成有被框架堤壩15相互連接的多個連接引線16。連接引線16具有:從框架堤壩15向內(nèi)延伸的內(nèi)引線17、和從框架堤壩15向外延伸的外引線18。外引線18包含鍍層23，該鍍層23覆蓋框架基材11的下表面Ila及兩個側(cè)面11b，11c。由于框架基材11的上表面Ild沒有被鍍層23覆蓋，因而露出了為外引線18的基材的銅或銅合金。在該例子中，外引線18的一部分作為用于將使用引線框架10制造的半導(dǎo)體裝置30安裝至安裝對象上的接合部52而發(fā)揮功能。在該接合部52上的框架基材11的下表面Ila及兩個側(cè)面11b，Ilc被鍍層23覆蓋。因此，在安裝半導(dǎo)體裝置30時，焊錫通過鍍層而在接合部52的側(cè)面向上延伸，從而形成良好的焊接圓角。所以，在安裝半導(dǎo)體裝置30時可以得到高連接信賴性。
[0065](2)接合部52上的框架基材11的上表面Ild沒有被鍍層23覆蓋。該上表面Ild被在經(jīng)過了樹脂密封等的熱處理時形成的氧化膜覆蓋。該氧化膜的焊錫62的潤濕性較低。因此，焊錫62不會向上延伸到接合部52的上表面，所以用于接合的焊錫不會不足，并能夠形成適宜的焊接圓角。
[0066]對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員顯而易見的是，在不偏離本發(fā)明的精神和范疇的情況下，可以以許多其他特定形式實施本發(fā)明。尤其應(yīng)理解，可以以下面的形式實施本發(fā)明。
[0067]也可以適宜地變更鍍層23 (參照圖1C)的形成方法。例如，也可以用只在框架基材11的必要部分設(shè)置開口部的保護(hù)膜夾框架基材11，而只對框架基材11的必要部分施加電鍍。例如，如圖1A所示，外引線18在通過被形成在框架基材11上的開口部而被劃定的情況下，可通過用覆蓋框架基材11的上表面的保護(hù)膜、和具有與劃定外引線18的開口部相對應(yīng)的開口部的保護(hù)膜夾框架基材11而不用對框架基材11的上表面施加電鍍，從而對框架基材11的下表面I Ia及側(cè)面11b，Ilc施加電鍍。雖不做限定，但優(yōu)選地使用針對鍍層23所包含的第1-第3鍍層24-26而準(zhǔn)備的保護(hù)膜。
[0068]包含鍍層23的連接引線16，也可以適用于沒有焊墊的引線框架和/或半導(dǎo)體裝置上。
[0069]半導(dǎo)體裝置30的構(gòu)成也可以適當(dāng)?shù)刈兏?。在圖6中示出的例子中，半導(dǎo)體裝置30a包含被連接在焊墊12的下表面上的半導(dǎo)體元件31。內(nèi)部端子被形成在內(nèi)引線17的頂端下表面上。外引線18包含鍍層23，該鍍層23覆蓋與形成有內(nèi)部端子的內(nèi)引線17的頂端下表面相同側(cè)的框架基材11的面(下表面)、和框架基材11的側(cè)面。即使在這樣的半導(dǎo)體裝置30a上，也可以形成與實施方式同樣地良好的焊接圓角，并可以抑制連接信賴性的下降。由于只在必要的部分上形成鍍層23，所以抑制連接引線16上的電阻值的增加，從而可以抑制信號質(zhì)量的下降，而且可以實現(xiàn)高質(zhì)量的信號傳播。
[0070]也可以適當(dāng)?shù)刈兏植扛采w外引線18的鍍層23的層數(shù)和材質(zhì)。
[0071]在上述實施方式中，外引線18的頂端也可以不被連接在導(dǎo)軌部13或內(nèi)框架19上。
[0072]本文所記載的所有例子和條件語言意欲教導(dǎo)，為了有助于讀者理解發(fā)明人使技術(shù)深化所提出的本發(fā)明的原理和構(gòu)思，應(yīng)當(dāng)理解為本發(fā)明不受此處特別羅列的例子和條件的限制，并且說明書中這些例子的組織與展示本發(fā)明的優(yōu)勢和劣勢無關(guān)。雖然已經(jīng)詳細(xì)描述了本發(fā)明的實施例，應(yīng)當(dāng)理解的是，在不偏離本發(fā)明的精神和范疇的情況下，可以對其進(jìn)行各種改變、置換和替換。
【權(quán)利要求】
1.一種引線框架，其中， 具備:框架基材，其包含多個連接引線、和將所述多個連接引線相互連接的框架堤壩，各個連接引線包含比所述框架堤壩靠內(nèi)側(cè)的內(nèi)引線、和比所述框架堤壩靠外側(cè)的外引線；以及 鍍層，其覆蓋各個外引線的上表面及下表面中的任意一方、和各個外引線的兩個側(cè)面， 所述框架基材在各個外引線的所述上表面及下表面中的另一方上從所述鍍層露出。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的引線框架，其中， 所述框架基材為銅或銅合金， 在從所述鍍層露出的所述框架基材的表面上形成有氧化膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的引線框架，其中， 所述鍍層對應(yīng)于為了將半導(dǎo)體裝置安裝至安裝對象上而被形成在各個外引線的一部分上的、通過焊錫接合在所述安裝對象上的接合部形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的引線框架，其中， 進(jìn)一步具備內(nèi)部端子，該內(nèi)部端子在各個內(nèi)引線的頂端形成在所述內(nèi)引線的上表面及下表面的任意一方上，并被連接在半導(dǎo)體元件上， 所述鍍層被形成在與形 成有所述內(nèi)部端子的、所述內(nèi)引線的表面相反的一側(cè)的所述外引線的表面、和所述外引線的兩個側(cè)面上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的引線框架，其中， 進(jìn)一步具備內(nèi)部端子，該內(nèi)部端子在各個內(nèi)引線的頂端形成在所述內(nèi)引線的上表面及下表面的任意一方上，并被連接在半導(dǎo)體元件上， 所述鍍層被形成在與形成有所述內(nèi)部端子的、所述內(nèi)引線的表面相同的一側(cè)的所述外引線的表面、和所述外引線的兩個側(cè)面上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任意一項中所述的引線框架，其中， 所述鍍層具有由第I鍍層、第2鍍層和第3鍍層構(gòu)成的3層結(jié)構(gòu)， 第I鍍層被形成在所述框架基材上，由Ni或Ni合金形成， 第2鍍層被形成在所述第I鍍層上，由Pd或Pd合金形成， 第3鍍層被形成在所述第2鍍層上，由Au或Au合金形成。
7.一種半導(dǎo)體裝置，其中， 具備:半導(dǎo)體元件； 密封樹脂，其對所述半導(dǎo)體元件進(jìn)行密封；以及 多個連接引線，其從所述密封樹脂向外導(dǎo)出， 各個連接引線包含頂端部，該頂端部作為連接到連接對象上的接合部而發(fā)揮功能，并且各個接合部的下表面及兩個側(cè)面被鍍層覆蓋， 各個接合部的上表面從所述鍍層露出以使框架基材露出。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置， 所述框架基材為銅或銅合金， 在從所述鍍層露出的所述框架基材的表面上形成有氧化膜。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的引線框架，其中， 各個連接引線包含所述密封樹脂的附近的外引線基端部、和所述接合部與該外引線的基端部之間的腳部，所述鍍層從所述接合部的所述下表面連續(xù)地覆蓋所述腳部。
10.一種引線框架，其中， 具備:外引線，其包含以與接合對象接合的方式構(gòu)成的下表面、處在所述下表面的相反側(cè)的上表面、和所述下表面和上表面之間的側(cè)面；以及 鍍層，其覆蓋除了所述外引線的所述上表面以外的、所述外引線的所述下表面及所述側(cè)面， 所述鍍層包含與所述外引線的所述上表面齊平的上端面。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的引線框架，其中， 所述外引線的所述上表面、所述下表面、及所述側(cè)面分別包含所述外引線的頂端接合部的上表面、下表面及側(cè)面， 所述鍍層覆蓋除了所述頂端接合部的所述上表面以外的、所述頂端接合部的所述下表面及所述側(cè)面， 所述鍍層包含與所述頂端接合部的所述上表面齊平的上端面。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的引線框架，其中， 沒有被所述鍍層覆蓋的所述外引線的所述上表面被氧化膜覆蓋。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的引線框架，其中， 所述鍍層從所述外引線的頂端部向所述外引線的基端部連續(xù)地延伸。
【文檔編號】H01L23/495GK104078437SQ201410111955
【公開日】2014年10月1日 申請日期:2014年3月24日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月26日
【發(fā)明者】佐藤晴信, 吉江崇, 倉島進(jìn) 申請人:新光電氣工業(yè)株式會社