成像裝置制造方法
【專利摘要】成像裝置包含基底，第一光電二極管和第二光電二極管形成于基底上，光電轉(zhuǎn)換層設(shè)置于基底上，光電轉(zhuǎn)換層包含第一區(qū)塊和第二區(qū)塊，絕緣分隔物設(shè)置于光電轉(zhuǎn)換層的第一區(qū)塊與第二區(qū)塊之間，第一電極和第二電極分別設(shè)置于光電轉(zhuǎn)換層的第一區(qū)塊和第二區(qū)塊之下，以及電性內(nèi)連接層設(shè)置于光電轉(zhuǎn)換層上。
【專利說明】成像裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種成像裝置，特別是具有分隔物設(shè)置在光電轉(zhuǎn)換層中的前照式成像
>J-U ρ?α裝直。

【背景技術(shù)】
[0002]影像感測器已經(jīng)廣泛地在各種影像拍攝設(shè)備中使用，例如攝影機、數(shù)字相機等設(shè)備，一般而言，固態(tài)成像裝置例如電荷稱合組件(charge coupled device ;CO))感測器或互補式金屬氧化半導(dǎo)體(complementary metal oxide semiconductor ;CM0S)感測器，皆具有將光線轉(zhuǎn)換成電荷的光電轉(zhuǎn)換器例如光電二極管(photod1des)，這些光電二極管形成在半導(dǎo)體基底例如硅芯片上，并且通過CXD型或CMOS型的讀取電路可以得到對應(yīng)于在光電二極管中所產(chǎn)生的光電子的信號電荷。
[0003]在固態(tài)成像裝置中，除了光電二極管之外，信號讀取電路和其伴隨的導(dǎo)線層也形成在半導(dǎo)體基底上，并且這些信號讀取電路和導(dǎo)線層位于光電二極管上。近年來，成像裝置的像素已經(jīng)達到數(shù)百萬像素，隨著像素的增加，在每一個像素中，操作像素所需要的各種導(dǎo)線和電子電路占據(jù)的面積百分比也隨之增加。
[0004]因此，隨著成像裝置的像素增加，在每一個像素中，實際上可以被光電二極管使用來接收光線的面積百分比也隨之降低，這表示成像裝置對于光線的靈敏度將會降低。在前照式成像裝置中，在入射光線抵達光電二極管之前，光線將會被位于光電二極管上方的導(dǎo)線層阻擋，這導(dǎo)致前照式成像裝置的靈敏度更為降低。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]在一些成像裝置中，在具有信號讀取電路和導(dǎo)線層形成于其上的半導(dǎo)體基底的上表面上方形成光電轉(zhuǎn)換層，由此提升成像裝置的靈敏度。然而，光電轉(zhuǎn)換層仍有串音干擾(cross-talk)問題發(fā)生在成像裝置的相鄰像素之間。
[0006]依據(jù)本發(fā)明的實施例，可以克服光電轉(zhuǎn)換層的串音干擾問題。
[0007]在本發(fā)明的一示范實施例中提供成像裝置，此成像裝置包含:基底，其上設(shè)置有第一光電二極管和第二光電二極管；設(shè)置于基底上的光電轉(zhuǎn)換層，包含第一區(qū)塊和第二區(qū)塊；絕緣分隔物設(shè)置于光電轉(zhuǎn)換層的第一區(qū)塊與第二區(qū)塊之間；第一電極和第二電極分別設(shè)置于光電轉(zhuǎn)換層的第一區(qū)塊和第二區(qū)塊之下；以及電性內(nèi)連接層設(shè)置于光電轉(zhuǎn)換層上。
[0008]在本發(fā)明的一示范實施例中提供成像裝置，此成像裝置包含:半導(dǎo)體基底，其上設(shè)置有多個光電二極管；設(shè)置在半導(dǎo)體基底上的光電轉(zhuǎn)換層，含有多個區(qū)塊；多個絕緣分隔物設(shè)置于光電轉(zhuǎn)換層中，其中每個絕緣分隔物設(shè)置于光電轉(zhuǎn)換層的任兩個相鄰的區(qū)塊之間；多個電極設(shè)置于光電轉(zhuǎn)換層與半導(dǎo)體基底之間，其中每個電極各自獨立地對應(yīng)光電轉(zhuǎn)換層的一個區(qū)塊，并且每個電極各自獨立地電性連接至一個光電二極管；以及電性內(nèi)連接層設(shè)置于光電轉(zhuǎn)換層上。
[0009]在根據(jù)本發(fā)明的成像裝置中，優(yōu)選絕緣分隔物的材料包括具有低于0.01的介電常數(shù)的低介電常數(shù)材料，進一步優(yōu)選絕緣分隔物的材料包括具有折射率低于光電轉(zhuǎn)換層的折射率的低折射率材料，并且絕緣分隔物對于進入光電轉(zhuǎn)換層的入射光線構(gòu)成全反射結(jié)構(gòu)。
[0010]在根據(jù)本發(fā)明的成像裝置中,光電轉(zhuǎn)換層具有第一表面和相對于該第一表面的第二表面，入射光線從第一表面進入光電轉(zhuǎn)換層，并且第一電極和第二電極與光電轉(zhuǎn)換層的第二表面相接觸。
[0011]在根據(jù)本發(fā)明的成像裝置中，電性內(nèi)連接層的設(shè)置于光電轉(zhuǎn)換層的第一區(qū)塊和第二區(qū)塊上的那些部分電性連接在一起形成共用電極，在電性內(nèi)連接層上施加第一電壓，在第一電極和第二電極上施加第二電壓，在此，第一電壓低于第二電壓。
[0012]在根據(jù)本發(fā)明的成像裝置中，入射光線照射光電轉(zhuǎn)換層而產(chǎn)生電子電洞對，并且第一電極和第二電極捕捉光電轉(zhuǎn)換層中的電子，而絕緣分隔物則阻擋光電轉(zhuǎn)換層的第一區(qū)塊中的電子跨越至第二區(qū)塊。
[0013]根據(jù)本發(fā)明的成像裝置還具有設(shè)置在基底與光電轉(zhuǎn)換層之間的多層內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，在此，該多層內(nèi)連線結(jié)構(gòu)包括多層金屬層、多層介電層、多層金屬層間介電層以及一鈍態(tài)層，并且將第一電極和第二電極設(shè)置在該多層內(nèi)連線結(jié)構(gòu)中。
[0014]在根據(jù)本發(fā)明的成像裝置中，第一電極捕捉的電子經(jīng)由多層內(nèi)連線結(jié)構(gòu)傳送至第一光電二極管，而第二電極捕捉的電子經(jīng)由多層內(nèi)連線結(jié)構(gòu)傳送至第二光電二極管。
[0015]在根據(jù)本發(fā)明的成像裝置中，光電轉(zhuǎn)換層的第一區(qū)塊對應(yīng)至第一光電二極管，光電轉(zhuǎn)換層的第二區(qū)塊對應(yīng)至第二光電二極管。
[0016]根據(jù)本發(fā)明的成像裝置還具有:設(shè)置在電性內(nèi)連接層上的彩色濾光片陣列；設(shè)置在電性內(nèi)連接層與彩色濾光片陣列之間的平坦層；以及設(shè)置在彩色濾光片陣列上的微透鏡結(jié)構(gòu)。
[0017]在本發(fā)明的實施例中，設(shè)置于光電轉(zhuǎn)換層的任兩個相鄰區(qū)塊之間的絕緣分隔物可以克服光電轉(zhuǎn)換層的串音干擾問題。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0018]為了讓本發(fā)明的各種實施例的目的、特征及優(yōu)點能更明顯易懂，下面參照附圖作詳細說明:
[0019]圖1示出了依據(jù)本發(fā)明實施例的成像裝置的局部剖面示意圖。
[0020]其中，附圖標記說明如下:
[0021]100成像裝置；
[0022]101半導(dǎo)體基底；
[0023]103、103A、103B、103C 光電二極管；
[0024]105 介電層；
[0025]107 金屬層；
[0026]109 導(dǎo)通孔；
[0027]110多層內(nèi)連線結(jié)構(gòu)；
[0028]111 電極層；
[0029]111A、111B、111C 電極；
[0030]113光電轉(zhuǎn)換層；
[0031]113A、113B、113C光電轉(zhuǎn)換層的區(qū)塊；
[0032]115絕緣分隔物；
[0033]117電性內(nèi)連接層；
[0034]119 平坦層；
[0035]121彩色濾光片陣列；
[0036]121R、121G、121B彩色濾光片部件；
[0037]123微透鏡結(jié)構(gòu)；
[0038]123A、123B、123C 微透鏡；
[0039]A、B、C 像素；
[0040]125入射光線。

【具體實施方式】
[0041]在圖1中示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的成像裝置100的局部剖面示意圖，成像裝置100例如為互補式金屬氧化半導(dǎo)體(CMOS)影像感測器或電荷耦合組件(CXD)影像感測器，成像裝置100包含半導(dǎo)體基底101，多個光電二極管103，在圖1中光電二極管103A、103B和103C形成在半導(dǎo)體基底101上，每個光電二極管103A-103C分別設(shè)置在成像裝置100的一個像素中，例如光電二極管103A、103B和103C分別設(shè)置在像素A、B和C中，雖然在圖1中僅示出三個像素，然而實際上成像裝置100具有數(shù)百萬或更多的像素，在圖1中示出的三個像素A、B和C代表成像裝置100的一部份。
[0042]此外，成像裝置100所需的各種導(dǎo)線和電子電路也形成在半導(dǎo)體基底101上，半導(dǎo)體基底101可以是晶圓或晶片。多層內(nèi)連線結(jié)構(gòu)110形成在半導(dǎo)體基底101上，并且位于這些光電二極管103上方，多層內(nèi)連線結(jié)構(gòu)110包含設(shè)置在多層介電層105中的多層金屬層107,這些介電層105可由多個層間介電層(inter-layer dielectric ;ILD)、多個金屬層間介電層(inter-metal dielectric ;IMD)以及純態(tài)層(passivat1n layer)組成。此外，多層內(nèi)連線結(jié)構(gòu)110還包含多個導(dǎo)通孔(Vias) 109，這些導(dǎo)通孔形成于任兩層金屬層107之間并且位于介電層105中。此外，多層內(nèi)連線結(jié)構(gòu)110還包含形成在頂端金屬層107上方的電極層111，電極層111由多個電極例如電極111A、111B和IllC組成，這些電極111A、IllB和IllC分別電性連接至光電二極管103AU03B和103C。
[0043]根據(jù)本發(fā)明的實施例，光電轉(zhuǎn)換層113形成在多層內(nèi)連線結(jié)構(gòu)110上，并且多個絕緣分隔物115設(shè)置在光電轉(zhuǎn)換層113中，將光電轉(zhuǎn)換層113分隔成多個區(qū)塊，例如在圖1中示出的區(qū)塊113AU13B和113C，光電轉(zhuǎn)換層113的這些區(qū)塊113A、113B和113C分別對應(yīng)至成像裝置100的像素A、B和C。
[0044]光電轉(zhuǎn)換層113可接收入射光線125，并且在光電轉(zhuǎn)換層113中產(chǎn)生電子和電洞，在光電轉(zhuǎn)換層113中產(chǎn)生的電子和電洞的數(shù)量與光電轉(zhuǎn)換層113接收的入射光線125的量有關(guān)。在一些實施例中，光電轉(zhuǎn)換層113可由量子點(quantum dots)形成,量子點是一種奈米結(jié)構(gòu)，而且由半導(dǎo)體材料形成的奈米結(jié)構(gòu)通?？蓪鲗?dǎo)帶電子(conduct1n bandelectrons)、價帶電洞(valence band holes)或激子(excitons)(激子為傳導(dǎo)帶電子和價帶電洞的界偶(bound pairs))局限在全部的三維空間方向上。特別是量子點會吸收光子而產(chǎn)生電子電洞對，這使得量子點可用來形成光電轉(zhuǎn)換層113。量子點的材料包含周期表上第IIB-VIA族材料的量子點(Group IIB-VIA quantum dots)、第IIIA-VA族材料的量子點(Group IIIA-VA quantum dots)或第 IVA-VIA 族材料的量子點(Group IVA-VIA quantumdots)。在一實施例中，量子點可由化合物半導(dǎo)體奈米結(jié)晶核心(compound semiconductornanocrystal cores)(例如PbS)以及核心材料的氧化物(例如PbS03)形成在核心的外表面上而構(gòu)成。可使用旋轉(zhuǎn)涂布或噴灑涂布制程，將一層量子點材料以溶液形式涂布在多層內(nèi)連線結(jié)構(gòu)110上，以形成光電轉(zhuǎn)換層113。在一些實施例中，光電轉(zhuǎn)換層113還可以由P型有機半導(dǎo)體和N型有機半導(dǎo)體材料的巨塊異質(zhì)結(jié)構(gòu)(bulk hetero structure)形成。
[0045]根據(jù)本發(fā)明的實施例，在光電轉(zhuǎn)換層113中設(shè)置多個絕緣分隔物115，這些絕緣分隔物115可以阻隔在光電轉(zhuǎn)換層113的個別區(qū)塊113AU13B和113C中產(chǎn)生的電子和電洞。換而言之，絕緣分隔物115可避免光電轉(zhuǎn)換層113的任兩個相鄰區(qū)塊之間發(fā)生電性的串音干擾(electric cross-talk)，例如可避免兩個區(qū)塊113A和113B之間發(fā)生電性的串音干擾，以及避免兩個區(qū)塊113B和113C之間發(fā)生電性的串音干擾。
[0046]在一些實施例中，絕緣分隔物115可以使用低介電常數(shù)材料制成，低介電常數(shù)材料具有低于0.01的介電常數(shù)，使用低介電常數(shù)材料制成絕緣分隔物115可以在光電轉(zhuǎn)換層113的任兩個相鄰區(qū)塊之間提供較佳的電性隔絕。在一實施例中，具有介電常數(shù)低于0.01的絕緣分隔物115的材料為鈦黑(titanium-black)材料。然而,絕緣分隔物115的材料并不限于鈦黑，其他具有介電常數(shù)低于0.01的適當?shù)牡徒殡姵?shù)材料也可以用在絕緣分隔物 115。
[0047]在一些實施例中，絕緣分隔物115可以使用低折射率材料制成，使得絕緣分隔物115的折射率(refractive index ;n)低于光電轉(zhuǎn)換層113的折射率，使用低折射率材料制成的絕緣分隔物115可以對進入光電轉(zhuǎn)換層113的入射光線125構(gòu)成全反射結(jié)構(gòu)，因此使用低折射率材料制成的絕緣分隔物115可以在光電轉(zhuǎn)換層113的任兩個相鄰區(qū)塊之間提供較佳的光學隔絕。在一實施例中，折射率低于光電轉(zhuǎn)換層113的折射率的絕緣分隔物115的材料可以選自有機低折射率材料，例如聚乙烯氧(poly (ethylene oxide))、有機低折射率光阻(photoresist ；PR)以及無機低折射率材料，例如化學氣相沈積(CVD)氧化物等。然而，絕緣分隔物115的材料并不限于上述材料，其他具有折射率低于光電轉(zhuǎn)換層113的折射率的適當?shù)驼凵渎实牟牧弦部梢杂迷诮^緣分隔物115。
[0048]在一些實施例中，將形成光電轉(zhuǎn)換層113的材料層先批覆地沈積或涂布在多層內(nèi)連線結(jié)構(gòu)110上，然后將光電轉(zhuǎn)換層113的材料層圖案化，由此在光電轉(zhuǎn)換層113的材料層中形成多個介于成像裝置100的任兩個相鄰像素之間的間隔(spaces)，例如在像素A和B之間形成間隔，以及在像素B和C之間形成另一間隔等。接著，在光電轉(zhuǎn)換層113的材料層的間隔內(nèi)填入絕緣材料，以形成絕緣分隔物115?？赏ㄟ^微影制程或印刷制程，或使用硬遮罩與蝕刻制程，將光電轉(zhuǎn)換層113的材料層圖案化，以在兩個像素之間形成間隔。
[0049]在光電轉(zhuǎn)換層113和絕緣分隔物115完成之后，在光電轉(zhuǎn)換層113和絕緣分隔物115上形成電性內(nèi)連接層117，電性內(nèi)連接層117可作為光電轉(zhuǎn)換層113上方的上電極，并且設(shè)置在光電轉(zhuǎn)換層113的全部區(qū)塊上的電性內(nèi)連接層117的那些部分都電性連接在一起，形成共用電極(common electrode)。
[0050]如圖1所示，位于光電轉(zhuǎn)換層113下方的電極層111具有電極111A、11IB和111C，這些電極分別設(shè)置在光電轉(zhuǎn)換層113的區(qū)塊113A、113B和113C底下。此外，這些電極111A、IllB和IllC還接觸光電轉(zhuǎn)換層113的下表面，此下表面是相對于光電轉(zhuǎn)換層113的上表面，而入射光線125則是從上表面進入光電轉(zhuǎn)換層113。電極層111可作為光電轉(zhuǎn)換層113下方的下電極，電極層111的這些電極111A、11 IB和IllC接觸光電轉(zhuǎn)換層113的個別區(qū)塊113A、113B和113C，而且這些電極111A、11 IB和IllC還分別電性連接至各光電二極管103AU03B 和 103C。
[0051]在電性內(nèi)連接層117上施加第一電壓，并且在電極111A、11 IB和11IC上施加第二電壓，其中第一電壓低于第二電壓。當光電轉(zhuǎn)換層113受到入射光線125照射并且在光電轉(zhuǎn)換層113中產(chǎn)生電子電洞對時，在光電轉(zhuǎn)換層113的區(qū)塊113AU13B和113C中的電子分別被電極111A、111B和IllC捕捉。換而言之，電性內(nèi)連接層117作為負電極，而電極層111的電極111A、111B和IllC則作為正電極，使得光電轉(zhuǎn)換層113中產(chǎn)生的電子朝下方的電極層111移動，并且讓光電轉(zhuǎn)換層113中產(chǎn)生的電洞朝上方的電性內(nèi)連接層117移動。然后，通過多層內(nèi)連線結(jié)構(gòu)110將電極111AU11B和IllC捕捉到的電子分別傳送至光電二極管103AU03B 和 103C。
[0052]在本發(fā)明的實施例中，通過設(shè)置絕緣分隔物115，可將光電轉(zhuǎn)換層113分隔成個別的區(qū)塊113AU13B和113C，如此，在一個電子收集區(qū)塊中產(chǎn)生的電子，例如在光電轉(zhuǎn)換層113的區(qū)塊113A中產(chǎn)生的電子可以被絕緣分隔物115阻隔，而不會跨越至相鄰的電子收集區(qū)塊，例如相鄰的光電轉(zhuǎn)換層113的區(qū)塊113B。因此，光電轉(zhuǎn)換層113的任兩個相鄰電子收集區(qū)塊之間的串音干擾問題可以通過絕緣分隔物115的設(shè)置而克服。
[0053]在一些實施例中，這些光電二極管103可以是CMOS晶體管，可通過半導(dǎo)體制造技術(shù)在半導(dǎo)體基底101上制造光電二極管103和多層內(nèi)連線結(jié)構(gòu)110。
[0054]另外，成像裝置100還包含形成在電性內(nèi)連接層117上的平坦層119，平坦層119的材料可以是有機或無機的絕緣材料，例如環(huán)氧樹脂或氧化硅。此外，成像裝置100還包含形成在平坦層119上的彩色濾光片陣列121，彩色濾光片陣列121包含多個彩色濾光片部件，在一些實施例中，彩色濾光片陣列121可以由紅色的彩色濾光片部件121R、綠色的彩色濾光片部件121G以及藍色的彩色濾光片部件121B組成；在其他實施例中，彩色濾光片陣列121也可包含白色的彩色濾光片部件。每個彩色濾光片部件各自獨立地對應(yīng)至光電轉(zhuǎn)換層113的一個區(qū)塊，例如彩色濾光片部件121RU21G和121B分別對應(yīng)至光電轉(zhuǎn)換層113的區(qū)塊 113AU13B 和 113C。
[0055]另外，成像裝置100還包含設(shè)置在彩色濾光片陣列121上的微透鏡結(jié)構(gòu)123，微透鏡結(jié)構(gòu)123包含多個微透鏡123A-123C，并且每個微透鏡各自獨立地對應(yīng)至彩色濾光片陣列121的一個彩色濾光片部件，例如微透鏡123AU23B和123C分別對應(yīng)至彩色濾光片陣列121的彩色濾光片部件121R、121G和121B。
[0056]在一些實施例中，入射光線125照射在半導(dǎo)體基底101的正面上，此正面具有多個形成于其上的光電二極管103。換而言之，這些光電二極管103可構(gòu)成前照式影像感測器。入射光線125被微透鏡結(jié)構(gòu)123收集后，穿過彩色濾光片陣列121、平坦層119和電性內(nèi)連接層117，然后到達光電轉(zhuǎn)換層113。
[0057]根據(jù)本發(fā)明的實施例，對應(yīng)至成像裝置的每個像素的光電轉(zhuǎn)換層的個別區(qū)塊是通過絕緣分隔物互相隔開，如此，因入射光線照射而在光電轉(zhuǎn)換層的個別區(qū)塊中產(chǎn)生的電子會被絕緣分隔物阻隔，從而可避免光電轉(zhuǎn)換層的一個區(qū)塊中的電子跨越至相鄰的區(qū)塊。因此，可通過本發(fā)明的絕緣分隔物克服在不具有絕緣分隔物的光電轉(zhuǎn)換層中所發(fā)生的串音干擾問題。此外，本發(fā)明的光電轉(zhuǎn)換層的個別區(qū)塊是分別對應(yīng)至成像裝置的每個像素中的光電二極管，這對于具有小像素尺寸和高數(shù)量像素的成像裝置更為有益。
[0058] 雖然本發(fā)明已通過上述優(yōu)選的實施例進行了說明，然其并非用以限定本發(fā)明，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當了解，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，當可做些許更動與潤飾。
【權(quán)利要求】
1.一種成像裝置，包括: 基底，包含形成于該基底上的第一光電二極管和第二光電二極管； 光電轉(zhuǎn)換層，包含設(shè)置于該基底上的第一區(qū)塊和第二區(qū)塊； 絕緣分隔物，設(shè)置于所述光電轉(zhuǎn)換層的第一區(qū)塊與第二區(qū)塊之間； 第一電極和第二電極，分別設(shè)置于所述光電轉(zhuǎn)換層的第一區(qū)塊和第二區(qū)塊之下；以及 電性內(nèi)連接層，設(shè)置于所述光電轉(zhuǎn)換層上。
2.如權(quán)利要求1所述的成像裝置，其中，所述絕緣分隔物的材料包括具有低于0.0l的介電常數(shù)的低介電常數(shù)材料。
3.如權(quán)利要求1所述的成像裝置，其中，所述絕緣分隔物的材料包括具有折射率低于所述光電轉(zhuǎn)換層的折射率的低折射率材料，并且所述絕緣分隔物對于進入所述光電轉(zhuǎn)換層的入射光線構(gòu)成全反射結(jié)構(gòu)。
4.如權(quán)利要求1所述的成像裝置，其中，所述光電轉(zhuǎn)換層具有第一表面和相對于該第一表面的第二表面,入射光線從該第一表面進入所述光電轉(zhuǎn)換層，并且所述第一電極和第二電極接觸所述光電轉(zhuǎn)換層的第二表面。
5.如權(quán)利要求1所述的成像裝置，其中，所述電性內(nèi)連接層的設(shè)置于所述光電轉(zhuǎn)換層的第一區(qū)塊和第二區(qū)塊上的那些部分電性連接在一起，形成共用電極，在所述電性內(nèi)連接層上施加第一電壓，并在所述第一電極和第二電極上施加第二電壓，并且所述第一電壓低于所述第二電壓。
6.如權(quán)利要求1所述的成像裝置，其中，入射光線照射所述光電轉(zhuǎn)換層而產(chǎn)生電子電洞對，并且所述第一電極和第二電極捕捉所述光電轉(zhuǎn)換層中的電子，所述絕緣分隔物阻擋所述光電轉(zhuǎn)換層的第一區(qū)塊中的電子跨越至所述第二區(qū)塊。
7.如權(quán)利要求6所述的成像裝置，還包括一設(shè)置在所述基底與所述光電轉(zhuǎn)換層之間的多層內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，其中，該多層內(nèi)連線結(jié)構(gòu)包括多層金屬層、多層介電層、多層金屬層間介電層以及一鈍態(tài)層，且所述第一電極和第二電極設(shè)置在該多層內(nèi)連線結(jié)構(gòu)中。
8.如權(quán)利要求7所述的成像裝置，其中，所述第一電極捕捉的電子經(jīng)由所述多層內(nèi)連線結(jié)構(gòu)傳送至所述第一光電二極管，所述第二電極捕捉的電子經(jīng)由所述多層內(nèi)連線結(jié)構(gòu)傳送至所述第二光電二極管。
9.如權(quán)利要求1所述的成像裝置，其中，所述光電轉(zhuǎn)換層的第一區(qū)塊對應(yīng)至所述第一光電二極管，并且所述光電轉(zhuǎn)換層的第二區(qū)塊對應(yīng)至所述第二光電二極管。
10.如權(quán)利要求1所述的成像裝置，還包括: 彩色濾光片陣列，設(shè)置在所述電性內(nèi)連接層之上； 平坦層，設(shè)置在所述電性內(nèi)連接層與所述彩色濾光片陣列之間；以及 微透鏡結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述彩色濾光片陣列上。
【文檔編號】H01L27/146GK104517980SQ201410115325
【公開日】2015年4月15日 申請日期:2014年3月26日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月2日
【發(fā)明者】林綺涵, 張志光, 毛新惟 申請人:采鈺科技股份有限公司