一種GaN基超薄勢(shì)壘增強(qiáng)模式反相器、環(huán)振及其制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種GaN基超薄勢(shì)壘增強(qiáng)模式反相器、環(huán)振及其制作方法，利用表面SiN有效降低超薄勢(shì)壘異質(zhì)結(jié)的溝道方塊電阻，通過調(diào)節(jié)器件表面SiN厚度可分別實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)型器件及負(fù)載電阻，將增強(qiáng)型器件柵下SiN刻蝕掉，器件柵下溝道電子濃度很低，器件可呈現(xiàn)出正閾值電壓的增強(qiáng)型特性，負(fù)載電阻表面保留SiN，電阻溝道中存在高濃度二維電子氣，呈現(xiàn)出電阻特性，將增強(qiáng)型器件和負(fù)載電阻集成可實(shí)現(xiàn)反相器，再將2n+1個(gè)相同的反相器級(jí)連，可實(shí)現(xiàn)環(huán)振。
【專利說明】一種GaN基超薄勢(shì)壘增強(qiáng)模式反相器、環(huán)振及其制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于微電子【技術(shù)領(lǐng)域】，涉及半導(dǎo)體器件及電路，具體涉及一種GaN基超薄勢(shì)壘增強(qiáng)模式(E-mode)反相器、環(huán)振的結(jié)構(gòu)及實(shí)現(xiàn)方法，主要用于作為耐高溫、抗輻照的集成電路基礎(chǔ)單元。
【背景技術(shù)】
[0002]GaN材料作為第三代半導(dǎo)體，由于其突出的材料特性，已成為現(xiàn)代國(guó)際上研究的熱點(diǎn)。GaN材料特有的極化效應(yīng)以及GaN材料的高電子飽和速度，使得AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)高電子遷移率晶體管在大功率微波器件方面顯示出明顯的優(yōu)勢(shì)。近年來，AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)耗盡型高電子遷移率晶體管得到了很大的發(fā)展，美國(guó)加州大學(xué)巴巴拉分校的T.Palacios等人研制的AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管在40GHz的高頻下可獲得10W/mm的輸出功率，同時(shí)能獲得高達(dá)163GHz的特征頻率及230GHz的截止頻率。Wu等人2003年報(bào)道的器件在30GHz頻率下輸出功率密度為3.5ff/mm, 2004年報(bào)道了器件8GHz下輸出功率密度為32W/mm，漏電壓偏置大于100V。
[0003]同時(shí)，GaN基HEMT器件由于其寬禁帶特性，具有良好的高溫特性及抗輻照特性，在惡劣環(huán)境下的GaN基高速集成電路中具有很好的應(yīng)用前景。但是由于GaN中p型摻雜的難度很大，所以國(guó)際上主要把注意力放在η型增強(qiáng)型器件的研制上，通過將增強(qiáng)型器件和耗盡型器件(或負(fù)載電阻)集成，實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)/耗盡(E/D)模式或增強(qiáng)(E)模式的集成電路。
[0004]現(xiàn)有的實(shí)現(xiàn)GaN基環(huán)振集成電路及其基本單元反相器的方案如下:
[0005]現(xiàn)有方案I
[0006]Khan等人利用薄勢(shì)壘結(jié)構(gòu)制備了第一支GaN基增強(qiáng)型器件，并將增強(qiáng)型器件和耗盡型器件的信號(hào)合成，實(shí)現(xiàn)了反相器特性。參見文獻(xiàn)M Asif Khan, Q Chen, C J Sun.et al, Enhancement and depletion mode GaN/AlGaN heterostructure field effecttransistors, App1.Phys.Lett.，V0I68，Januaryl996, pp:514-516。
[0007]現(xiàn)有方案2
[0008]Micovic等人采用槽柵刻蝕技術(shù)制備增強(qiáng)型器件，并將耗盡型器件和增強(qiáng)型器件集成在同一圓片上，制備了 GaN基反相器、環(huán)振及2級(jí)分頻器。增強(qiáng)型器件槽柵長(zhǎng)0.15 μ m,柵長(zhǎng)I μ m,采用T型場(chǎng)板結(jié)構(gòu),器件閾值電壓為0.5V,最大跨導(dǎo)為400mS/mm,最大飽和電流為0.9A/mm。在高電平電壓為IV時(shí)，反相器高低噪聲容限分別為0.38V和0.22V。23級(jí)環(huán)振的振蕩頻率為80MHz，每級(jí)延時(shí)為272ps，功耗延遲積為50f J。參見文獻(xiàn)M.Micovic, T.Tsen, M.Hu.et al, GaN enhancement/depletion-mode FET logic for mixed signalapplications, Electronics Lett.，Vol.41，September2005，N0.19，15th。
[0009]現(xiàn)有方案3
[0010]2005年蔡勇等人將F等離子體處理增強(qiáng)型器件和常規(guī)耗盡型器件集成在同一圓片上制備了 E/D-mode反相器及環(huán)振。反相器高低噪聲容限分別為0.51V和0.21V。Vdd為
2.5V時(shí)環(huán)振頻率為193MHz，每級(jí)延時(shí)為152ps ；VDD為3.5V時(shí)每級(jí)延時(shí)為130ps。參見文獻(xiàn) Y Cai, Z Q Cheng, W C W Tang, et al, Monolithic Integration of Enhancement-andDepletion-mode AlGaN/GaN HEMTs for GaN Digital Integrated Circuits, IEDM Tech.Dig., 2005, pp: 771。
[0011]現(xiàn)有方案4
[0012]2007年蔡勇等人采用F等離子體處理制備MIS結(jié)構(gòu)增強(qiáng)型器件，柵介質(zhì)為15nm的Si3N4，并將增強(qiáng)型器件和耗盡型器件集成了 E/D-mode反相器。增強(qiáng)型器件閾值電壓為2V，最大飽和電流為420mA/mm，最大跨導(dǎo)為125mS/mm，反相器高低噪聲容限分別為2V和2.1V0 參見文獻(xiàn) R N Wang, Y Cai, W C W Tang, et al, Integration of enhancement anddepletion-mode AlGaN/GaN MIS-HFETs by fluoride-based plasma treatment, phys.stat.sol.(a)Vol204, 2007, pp:2023 - 2027。
[0013]以上現(xiàn)有方案及其制作的GaN基集成電路缺點(diǎn)如下:
[0014]1.方案I工藝復(fù)雜，增強(qiáng)型和耗盡型器件勢(shì)壘層厚度不一致，很難在同一圓片上集成。
[0015]2.方案2工藝復(fù)雜，槽柵刻蝕可重復(fù)性差，因此器件均勻性差，在制備大規(guī)模集成電路中存在較大問題。
[0016]3.方案3增強(qiáng)型器件可靠性差，在電應(yīng)力及熱應(yīng)力下器件閾值電壓容易漂移，因而電路可靠性較差。
[0017]4.方案4增強(qiáng)型器件可靠性差，且由于柵電極到溝道距離較大，器件頻率特性較差，因而電路可靠性及頻率特性較差。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0018]本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種GaN基超薄勢(shì)壘增強(qiáng)模式(E-mode)反相器、環(huán)振及其制作方法，以簡(jiǎn)單工藝實(shí)現(xiàn)高頻率特性及高可靠性。
[0019]一種GaN基超薄勢(shì)壘增強(qiáng)模式反相器，其特征在于:該反相器包括依次設(shè)置于襯底上的成核層、緩沖層、插入層、勢(shì)壘層以及帽層，帽層、勢(shì)壘層、插入層以及部分緩沖層被刻蝕形成臺(tái)面，臺(tái)面將反相器隔離為兩個(gè)器件區(qū)域，其中一個(gè)器件區(qū)域(增強(qiáng)型器件)的異質(zhì)結(jié)上設(shè)置有第一柵電極、第一源電極以及第一漏電極，第一源電極以及第一漏電極直接蒸發(fā)在帽層上，第一柵電極位于第一源電極與第一漏電極之間，第一源電極上、第一漏電極上、第一柵電極、第一源電極以及第一漏電極所在位置以外的帽層上及臺(tái)面下的緩沖層上設(shè)置有表面SiN層，表面SiN層上及第一柵電極處的帽層上設(shè)置有柵介質(zhì)Al2O3層，第一柵電極蒸發(fā)在柵介質(zhì)Al2O3層上，另一個(gè)器件區(qū)域(負(fù)載電阻)的異質(zhì)結(jié)上設(shè)置有兩個(gè)歐姆電極，兩個(gè)歐姆電極直接蒸發(fā)在帽層上，兩個(gè)歐姆電極上、兩個(gè)歐姆電極所在位置以外的帽層上及臺(tái)面下的緩沖層上設(shè)置有表面SiN層，表面SiN層上設(shè)置有柵介質(zhì)Al2O3層，兩個(gè)器件區(qū)域的柵介質(zhì)Al2O3層及第一柵電極上設(shè)置有保護(hù)SiN層，保護(hù)SiN層上設(shè)置有互聯(lián)金屬，互聯(lián)金屬和下層各電極(第一柵電極、第一源電極、第一漏電極以及兩個(gè)歐姆電極)對(duì)應(yīng)相連。
[0020]所述襯底的材料為藍(lán)寶石或SiC，成核層的材料為A1N，緩沖層的材料為GaN，插入層的材料為A1N，勢(shì)壘層的材料為Ala3Gaa7N,帽層的材料為GaN。
[0021]所述勢(shì)魚層的厚度為3_5nm。[0022]所述表面SiN層的厚度為60nm，表面SiN層采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)汽相沉積(PECVD)工藝形成。
[0023]所述柵介質(zhì)Al2O3層的厚度為3_5nm,柵介質(zhì)Al2O3層采用原子層沉積(ALD)工藝形成。
[0024]一種基于上述GaN基超薄勢(shì)壘增強(qiáng)模式反相器的環(huán)振，該環(huán)振由2n+l個(gè)所述反相器級(jí)連而成，η為自然數(shù)。
[0025]2η+1個(gè)反相器通過互聯(lián)金屬集成在同一圓片上。
[0026]一種制作上述GaN基超薄勢(shì)壘增強(qiáng)模式反相器的方法，包括以下步驟:
[0027]I)在襯底基片上生長(zhǎng)AlN成核層；
[0028]2)在AlN成核層上生長(zhǎng)1-3 μ m厚的GaN緩沖層；
[0029]3)在GaN緩沖層上生長(zhǎng)1.5nm厚的AlN插入層；
[0030]4)在AlN插入層上生長(zhǎng)3_5nm厚的Ala3Gaa7N勢(shì)壘層；
[0031]5)在Ala3Gaa7N勢(shì)壘層上生長(zhǎng)2nm厚的GaN帽層；
[0032]6)在GaN帽層上光刻歐姆接觸區(qū)域窗口，并在該歐姆接觸區(qū)域窗口上采用電子束蒸發(fā)工藝蒸發(fā)歐姆接觸金屬，形成負(fù)載電阻的歐姆電極及增強(qiáng)型器件的源、漏電極；
[0033]7)經(jīng)過步驟6)以后，在GaN帽層上光刻臺(tái)面區(qū)域，然后采用RIE工藝刻蝕臺(tái)面，得到樣片A ；
[0034]8)在樣片A表面沉積60nm的表面SiN層；
[0035]9)在表面SiN層上光刻增強(qiáng)型器件的槽柵區(qū)域，然后采用RIE工藝刻蝕槽柵；
[0036]10)在表面SiN層及槽柵區(qū)域的GaN帽層上沉積3_5nm的柵介質(zhì)Al2O3層；
[0037]11)在柵介質(zhì)Al2O3層上光刻增強(qiáng)型器件的柵極區(qū)域，并采用電子束蒸發(fā)工藝蒸發(fā)柵極金屬，得到樣片B;
[0038]12)在樣片B上沉積200nm的保護(hù)SiN層，并在保護(hù)SiN層上光刻金屬互聯(lián)開孔區(qū)，再刻蝕金屬互聯(lián)開孔區(qū)；
[0039]13)最后在保護(hù)SiN層上光刻互聯(lián)金屬區(qū)、蒸發(fā)互聯(lián)金屬。
[0040]本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有如下優(yōu)點(diǎn):
[0041]1.本發(fā)明采用GaN/AlGaN/AlN/GaN超薄勢(shì)魚異質(zhì)結(jié)材料,且采用較薄柵介質(zhì),制備的增強(qiáng)型器件具有優(yōu)良的頻率特性，所集成的反相器、環(huán)振可實(shí)現(xiàn)較高的工作頻率。同時(shí)，由于采用金屬-絕緣層-半導(dǎo)體(MIS)結(jié)構(gòu)，柵介質(zhì)可有效減小增強(qiáng)型器件的柵極正向?qū)娏?，增大增?qiáng)型器件的工作范圍，所集成的反相器可實(shí)現(xiàn)較大的噪聲容限，所集成的環(huán)振可實(shí)現(xiàn)較大的工作范圍。
[0042]2.本發(fā)明利用表面SiN對(duì)薄勢(shì)壘異質(zhì)結(jié)溝道方阻的調(diào)節(jié)作用，通過調(diào)節(jié)器件柵下表面SiN厚度可在一圓片上同時(shí)實(shí)現(xiàn)負(fù)載電阻及增強(qiáng)型器件，制備反相器、環(huán)振的工藝簡(jiǎn)單，易于集成。
[0043]3.本發(fā)明利用表面SiN對(duì)薄勢(shì)壘異質(zhì)結(jié)溝道方阻的調(diào)節(jié)作用，采用GaN/AlGaN/AlN/GaN超薄勢(shì)壘異質(zhì)結(jié)制備的T型柵增強(qiáng)型器件，具有較高的電應(yīng)力、熱應(yīng)力及輻照應(yīng)力可靠性，因此采用該結(jié)構(gòu)增強(qiáng)型器件和負(fù)載電阻集成的反相器、環(huán)振具有較高可靠性。
【專利附圖】

【附圖說明】[0044]圖1是本發(fā)明所述GaN基超薄勢(shì)壘增強(qiáng)模式反相器的電路示意圖；
[0045]圖2是本發(fā)明所述GaN基超薄勢(shì)壘增強(qiáng)模式環(huán)振的電路示意圖；
[0046]圖3是制作本發(fā)明所述環(huán)振中反相器的工藝流程圖，S表示源電極，D表示漏電極。
[0047]圖4是5nmAlGaN薄勢(shì)壘異質(zhì)結(jié)未覆蓋表面SiN和覆蓋表面SiN的材料方塊電阻對(duì)比圖。
[0048]圖5是薄勢(shì)壘MIS增強(qiáng)型器件的輸出特性(a)和轉(zhuǎn)移特性(b)曲線。
[0049]圖6是方案3中器件(a)和薄勢(shì)壘MIS增強(qiáng)型器件(b)的頻率特性對(duì)比圖。
【具體實(shí)施方式】
[0050]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明。
[0051]一種GaN基超薄勢(shì)壘增強(qiáng)模式環(huán)振，環(huán)振由2n+l個(gè)相同的反相器級(jí)連而成，這2n+l個(gè)反相器通過互聯(lián)金屬集成在同一圓片上。反相器包括依次設(shè)置于襯底上的成核層、緩沖層、插入層、勢(shì)壘層以及帽層，臺(tái)面區(qū)域的帽層、勢(shì)壘層、插入層以及部分緩沖層被刻蝕，形成兩個(gè)隔離的器件區(qū)域，其中一個(gè)器件區(qū)域(增強(qiáng)型器件)的異質(zhì)結(jié)上設(shè)置有柵、源、漏電極，源、漏電極直接蒸發(fā)在帽層上，源、漏電極上及柵、源、漏電極以外的帽層上及臺(tái)面下的緩沖層上設(shè)置有表面SiN層，表面SiN層上及柵區(qū)域處的帽層上設(shè)置有柵介質(zhì)Al2O3層，柵電極蒸發(fā)在柵介質(zhì)Al2O3層上。另一個(gè)器件區(qū)域(負(fù)載電阻)的異質(zhì)結(jié)上設(shè)置有兩個(gè)歐姆電極，兩個(gè)歐姆電極直接蒸發(fā)在帽層上，兩個(gè)歐姆電極上、兩個(gè)歐姆電極以外的帽層上及臺(tái)面下的緩沖層上設(shè)置有表面SiN層，表面SiN層上設(shè)置有柵介質(zhì)Al2O3層。兩個(gè)器件區(qū)域的柵介質(zhì)Al2O3層及前一器件的柵電極上設(shè)置有保護(hù)SiN層，保護(hù)SiN層上設(shè)置有互聯(lián)金屬，互聯(lián)金屬和下層電極對(duì)應(yīng)相連。
[0052]本發(fā)明的關(guān)鍵技術(shù)在于對(duì)表面SiN層的利用，表面SiN層采用PECVD工藝制備，SiN厚度為60nm，該表面SiN層能有效降低超薄勢(shì)壘異質(zhì)結(jié)的溝道方塊電阻，通過調(diào)節(jié)表面SiN層厚度可分別實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)型器件及負(fù)載電阻，將增強(qiáng)型器件柵下表面SiN層刻蝕掉，器件柵下溝道電子濃度很低，器件可呈現(xiàn)出正閾值電壓的增強(qiáng)型特性，負(fù)載電阻表面保留SiN，溝道中存在高濃度二維電子氣，呈現(xiàn)出電阻特性，將增強(qiáng)型器件和負(fù)載電阻集成可實(shí)現(xiàn)反相器，再將2n+l個(gè)相同的反相器級(jí)連，可實(shí)現(xiàn)環(huán)振。
[0053]參照?qǐng)D1，本發(fā)明所述反相器由一個(gè)負(fù)載電阻和一個(gè)增強(qiáng)型器件組成，負(fù)載電阻的一端電極接高電平Vdd ;增強(qiáng)型器件的漏極和負(fù)載電阻的另一端電極相連，做為輸出端Vwt ；增強(qiáng)型器件的源極接地Gnd ;增強(qiáng)型器件的柵極為反相器的輸入端Vin。當(dāng)輸入信號(hào)為低電平時(shí)，增強(qiáng)型器件關(guān)斷，負(fù)載電阻導(dǎo)通，輸出和Vdd導(dǎo)通，輸出端為高電平。當(dāng)輸入信號(hào)為高電平時(shí)，增強(qiáng)型器件開啟，輸出端和地之間導(dǎo)通，輸出端和Vdd之間也導(dǎo)通，通過合理設(shè)計(jì)負(fù)載電阻和增強(qiáng)型器件的導(dǎo)通電阻比，使大部分壓降落在負(fù)載電阻上，輸出端為低電平，實(shí)現(xiàn)反相器功能。
[0054]參照?qǐng)D2，本發(fā)明所述環(huán)振由2n+l個(gè)相同的反相器級(jí)連而成，即反相器通過互聯(lián)金屬首尾相連(前一個(gè)反相器的輸出端與后一個(gè)反相器的輸入端相連)，引其中一反相器的輸出作為環(huán)振的輸出。
[0055]參照?qǐng)D3，制作本發(fā)明所述環(huán)振的工藝按照不同的襯底分別描述如下:
[0056]實(shí)施例一[0057]在藍(lán)寶石襯底上制作GaN/AlGaN/AlN/GaN(2nm/5nm/l.5nm/l μ m)超薄勢(shì)魚增強(qiáng)模式(E-mode)反相器,步驟如下:
[0058]步驟I，在藍(lán)寶石襯底基片上，利用MOCVD工藝，生長(zhǎng)AlN成核層。
[0059]將藍(lán)寶石襯底放入金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積MOCVD設(shè)備的反應(yīng)室中，當(dāng)反應(yīng)室的真空度降至IX 10_2Torr后，在氫氣與氨氣的混合氣體保護(hù)下對(duì)藍(lán)寶石襯底進(jìn)行高溫?zé)崽幚砗捅砻娴?，加熱溫度?050°C，加熱時(shí)間為5min，反應(yīng)時(shí)壓力保持在40Torr。通入氨氣流量為1500sccm,氧氣流量為1500sccm ;
[0060]將襯底溫度降至900°C，生長(zhǎng)厚度為20nmAlN成核層。反應(yīng)時(shí)壓力保持在40Torr，氨氣流量為1500sccm，氫氣流量為1500sccm，同時(shí)向反應(yīng)室通入鋁源。
[0061]步驟2，在AlN成核層上，生長(zhǎng)I μ m厚的GaN緩沖層。
[0062]在MOCVD設(shè)備中分別設(shè)置生長(zhǎng)溫度為900°C、生長(zhǎng)厚度為IOOOnm的GaN緩沖層、生長(zhǎng)壓力為40Torr、氨氣流量為1500sCCm和氫氣流量為1500sCCm的工藝參數(shù)，同時(shí)向反應(yīng)室通入鎵源；
[0063]步驟3，在GaN緩沖層上，生長(zhǎng)1.5nm厚的AlN插入層。
[0064]在MOCVD設(shè)備中分別設(shè)置生長(zhǎng)溫度為900°C、生長(zhǎng)厚度為1.5nm的AlN插入層、生長(zhǎng)壓力為40Torr、氨氣流量為1500sCCm和氫氣流量為1500sCCm的工藝參數(shù)，同時(shí)向反應(yīng)室通入鋁源；
[0065]步驟4,在AlN插入層上，生長(zhǎng)5nm厚的Ala3Gaa7N勢(shì)魚層。
[0066]在MOCVD設(shè)備中分別設(shè)置生長(zhǎng)溫度為900°C、生長(zhǎng)厚度為5nm的Ala3Gaa7N勢(shì)壘層、生長(zhǎng)壓力為40Torr、氨氣流量為1500sCCm和氫氣流量為1500sCCm的工藝參數(shù)，同時(shí)向反應(yīng)室通入鋁源和鎵源；
[0067]步驟5，在Ala3Gaa7N勢(shì)壘層上，生長(zhǎng)2nm厚的GaN帽層。
[0068]在MOCVD設(shè)備中分別設(shè)置生長(zhǎng)溫度為900°C、生長(zhǎng)厚度為2nm的GaN帽層、生長(zhǎng)壓力為40Torr、氨氣流量為1500sccm和氫氣流量為1500sccm的工藝參數(shù)，同時(shí)向反應(yīng)室通入鎵源；
[0069]步驟6，在GaN帽層上光刻歐姆接觸區(qū)域窗口，并在該歐姆接觸區(qū)域窗口上采用電子束蒸發(fā)工藝蒸發(fā)歐姆接觸金屬，形成負(fù)載電阻的歐姆電極及增強(qiáng)型器件的源、漏電極。
[0070](6a)光刻歐姆接觸區(qū)域:首先在溫度為200°C的條件下烘烤樣品5min，然后涂膠，甩膠，甩膠轉(zhuǎn)速為2000轉(zhuǎn)/min，之后再在溫度為110°C的條件下烘烤樣品lmin，再對(duì)樣品歐姆接觸區(qū)進(jìn)行光刻和顯影；
[0071](6b)蒸發(fā)歐姆接觸金屬:采用電子束蒸發(fā)臺(tái)蒸發(fā)歐姆接觸金屬，歐姆接觸金屬自下而上為Ti/Al/Ni/Au，然后再對(duì)樣品進(jìn)行金屬剝離；
[0072](6c)歐姆接觸金屬退火:將樣品放入退火爐中，在900°C的溫度下退火3min。
[0073]步驟7，在GaN帽層上光刻臺(tái)面區(qū)域，采用RIE工藝刻蝕臺(tái)面，得到樣片A。
[0074](7a)光刻臺(tái)面:首先在溫度為200°C的條件下烘烤樣品5min，然后涂膠，甩膠，甩膠轉(zhuǎn)速為2000轉(zhuǎn)/min，之后再在溫度為110°C的條件下烘烤樣品lmin，再對(duì)樣品臺(tái)面區(qū)進(jìn)行光刻和顯影；
[0075](7b)刻蝕臺(tái)面:采用RIE工藝對(duì)臺(tái)面圖形部分進(jìn)行刻蝕，刻蝕深度為120nm。刻蝕條件為=Cl2流量為15SCCm，壓力為10mT，射頻功率為100W，刻蝕時(shí)間為3min。[0076]步驟8，在樣片A表面采用PECVD工藝沉積表面SiN層。
[0077]用等離子體增強(qiáng)化學(xué)汽相沉積(PECVD)在樣品表面沉積一層600A.的SiN，沉積條件為:2%SiH4/N2流量為200sccm，NH3流量為3sccm，He流量為900sccm，壓強(qiáng)為900mT，溫度為300°C，功率為25W，沉積時(shí)間為9min。
[0078]步驟9，在表面SiN層上光刻增強(qiáng)型器件的槽柵區(qū)域，采用RIE工藝刻蝕槽柵。
[0079](9a)光刻槽柵:首先在溫度為200°C的條件下烘烤樣品5min，然后涂膠，甩膠，甩膠轉(zhuǎn)速為2000轉(zhuǎn)/min，之后再在溫度為110°C的條件下烘烤樣品lmin，再對(duì)增強(qiáng)型器件槽柵進(jìn)行光刻和顯影；
[0080](9b)刻蝕槽柵:采用RIE工藝對(duì)槽柵圖形部分進(jìn)行刻蝕，刻蝕深度為60nm?？涛g條件為=CF4流量為20SCCm，壓強(qiáng)為5mT，射頻功率為50W，刻蝕時(shí)間為2min。
[0081]步驟10，在表面SiN層及槽柵區(qū)域的GaN帽層上沉積柵介質(zhì)Al2O3層。
[0082]米用原子層沉積(ALD)在樣品表面沉積一層5θΑ的Al2O3,使用TMA (三甲基招)作為Al源,去離子水作為O源,生長(zhǎng)溫度為300°C。
[0083]步驟11，在柵介質(zhì)Al2O3層上光刻增強(qiáng)型器件的柵極區(qū)域(增強(qiáng)型器件的柵極區(qū)域與槽柵區(qū)域位置對(duì)應(yīng))，并采用電子束蒸發(fā)工藝蒸發(fā)柵極金屬，得到樣片B。
[0084](Ila)光刻?hào)艠O:首先在溫度為200°C的條件下烘烤樣品5min，然后涂膠，甩膠，甩膠轉(zhuǎn)速為2000轉(zhuǎn)/min，之后再在溫度為110°C的條件下烘烤樣品lmin，再對(duì)樣品增強(qiáng)型器件的柵極區(qū)域進(jìn)行光刻和顯影；
[0085](Ilb)柵金屬蒸發(fā):采用電子束蒸發(fā)臺(tái)蒸發(fā)柵金屬，柵金屬自下而上為Ni/Au，并對(duì)其進(jìn)行剝離。
[0086]步驟12，采用PECVD工藝在樣片B上沉積保護(hù)SiN層，并在保護(hù)SiN層上光刻金屬互聯(lián)開孔區(qū)，再刻蝕金屬互聯(lián)開孔區(qū)。
[0087](12a)保護(hù)SiN層沉積:用等離子增強(qiáng)化學(xué)汽相沉積(PECVD)在樣品表面沉積一層2000A的SiN，沉積條件為:2%SiH4/N2流量為200sccm，NH3流量為3sccm，He流量為900sccm，壓強(qiáng)為900mT，溫度為300°C，功率為25W，沉積時(shí)間為30min。
[0088](12b)光刻金屬互聯(lián)開孔區(qū):首先在溫度為200°C的條件下烘烤樣品5min，然后涂膠，甩膠，甩膠轉(zhuǎn)速為2000轉(zhuǎn)/min，之后再在溫度為110°C的條件下烘烤樣品lmin，再光刻金屬互聯(lián)開孔區(qū)圖形；
[0089](12c)刻蝕金屬互聯(lián)開孔區(qū):對(duì)金屬互聯(lián)開孔區(qū)進(jìn)行刻蝕，刻蝕條件為=CF4流量為20sccm，壓力為10mT，射頻功率為25OW ；
[0090]步驟13，在保護(hù)SiN層上光刻互聯(lián)金屬區(qū)及蒸發(fā)互聯(lián)金屬。
[0091](13a)光刻互聯(lián)金屬區(qū):首先在溫度為200°C的條件下烘烤樣品5min，然后涂膠，甩膠，甩膠轉(zhuǎn)速為2000轉(zhuǎn)/min，之后再在溫度為110°C的條件下烘烤樣品lmin，再對(duì)樣品互聯(lián)金屬區(qū)進(jìn)行光刻和顯影；
[0092](13b)互聯(lián)金屬蒸發(fā):采用電子束蒸發(fā)臺(tái)蒸發(fā)互聯(lián)金屬，互聯(lián)金屬自下而上為Ni/Au,并對(duì)其進(jìn)行剝離，完成器件制作。
[0093]實(shí)施例二
[0094]在SiC 襯底上制作 GaN/AlGaN/AlN/GaN(2nm/5nm/l.5nm/1 μ m)超薄勢(shì)魚增強(qiáng) / 耗盡模式(E/D-mode)反相器，步驟如下:
[0095]步驟1，在SiC襯底基片上，利用MOCVD工藝，生長(zhǎng)AlN成核層。
[0096]將SiC襯底放入金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積MOCVD設(shè)備的反應(yīng)室中，當(dāng)反應(yīng)室的真空度降至I X KT2Torr后，在氫氣與氨氣的混合氣體保護(hù)下對(duì)SiC襯底進(jìn)行高溫?zé)崽幚砗捅砻娴?，加熱溫度?050°C，加熱時(shí)間為5min，反應(yīng)時(shí)壓力保持在40Torr。通入氨氣流量為1500sccm,氧氣流量為 1500sccm ;
[0097]將襯底溫度降至900°C，生長(zhǎng)厚度為20nmAlN成核層。反應(yīng)時(shí)壓力保持在40Torr，氨氣流量為1500sccm，氫氣流量為1500sccm，同時(shí)向反應(yīng)室通入鋁源。
[0098]步驟2，在AlN成核層上，生長(zhǎng)I μ m厚的GaN緩沖層。
[0099]在MOCVD設(shè)備中分別設(shè)置生長(zhǎng)溫度為900°C、生長(zhǎng)厚度為IOOOnm的GaN緩沖層、生長(zhǎng)壓力為40Torr、氨氣流量為1500sCCm和氫氣流量為1500sCCm的工藝參數(shù)，同時(shí)向反應(yīng)室通入鎵源；
[0100]步驟3，在GaN緩沖層上，生長(zhǎng)1.5nm厚的AlN插入層。
[0101]在MOCVD設(shè)備中分別設(shè)置生長(zhǎng)溫度為900°C、生長(zhǎng)厚度為1.5nm的AlN插入層、生長(zhǎng)壓力為40Torr、氨氣流量為1500sCCm和氫氣流量為1500sCCm的工藝參數(shù)，同時(shí)向反應(yīng)室通入鋁源；
[0102]步驟4,在AlN插入層上，生長(zhǎng)5nm厚的Ala3Gaa7N勢(shì)魚層。
[0103]在MOCVD設(shè)備中分別設(shè)置生長(zhǎng)溫度為900°C、生長(zhǎng)厚度為5nm的Ala3Gaa7N勢(shì)壘層、生長(zhǎng)壓力為40Torr、氨氣流量為1500sCCm和氫氣流量為1500sCCm的工藝參數(shù)，同時(shí)向反應(yīng)室通入鋁源和鎵源；
[0104]步驟5，在Al。.3Ga0.7N勢(shì)壘層上，生長(zhǎng)2nm厚的GaN帽層。
[0105]在MOCVD設(shè)備中分別設(shè)置生長(zhǎng)溫度為900°C、生長(zhǎng)厚度為2nm的GaN帽層、生長(zhǎng)壓力為40Torr、氨氣流量為1500sccm和氫氣流量為1500sccm的工藝參數(shù)，同時(shí)向反應(yīng)室通入鎵源；
[0106]步驟6，在GaN帽層上光刻歐姆接觸區(qū)域窗口，并在該歐姆接觸區(qū)域窗口上采用電子束蒸發(fā)工藝蒸發(fā)歐姆接觸金屬，形成負(fù)載電阻的歐姆電極及增強(qiáng)型器件的源、漏電極。
[0107](6a)光刻歐姆接觸區(qū)域:首先在溫度為200°C的條件下烘烤樣品5min，然后涂膠，甩膠，甩膠轉(zhuǎn)速為2000轉(zhuǎn)/min，之后再在溫度為110°C的條件下烘烤樣品lmin，再對(duì)樣品歐姆接觸區(qū)進(jìn)行光刻和顯影；
[0108](6b)蒸發(fā)歐姆接觸金屬:采用電子束蒸發(fā)臺(tái)蒸發(fā)歐姆接觸金屬，歐姆接觸金屬自下而上為Ti/Al/Ni/Au，然后再對(duì)樣品進(jìn)行金屬剝離；
[0109](6c)歐姆接觸金屬退火:將樣品放入退火爐中，在900°C的溫度下退火3min。
[0110]步驟7，在GaN帽層上光刻臺(tái)面區(qū)域，采用RIE工藝刻蝕臺(tái)面，得到樣片A。
[0111](7a)光刻臺(tái)面:首先在溫度為200°C的條件下烘烤樣品5min，然后涂膠，甩膠，甩膠轉(zhuǎn)速為2000轉(zhuǎn)/min，之后再在溫度為110°C的條件下烘烤樣品lmin，再對(duì)樣品臺(tái)面區(qū)進(jìn)行光刻和顯影；
[0112](7b)刻蝕臺(tái)面:采用RIE工藝對(duì)臺(tái)面圖形部分進(jìn)行刻蝕，刻蝕深度為120nm?？涛g條件為=Cl2流量為15SCCm，壓力為10mT，射頻功率為100W，刻蝕時(shí)間為3min。
[0113]步驟8，在樣片A表面采用PECVD工藝沉積表面SiN層。[0114]用等離子體增強(qiáng)化學(xué)汽相沉積(PECVD)在樣品表面沉積一層600Λ的SiN，沉積條件為:2%SiH4/N2流量為200sccm，NH3流量為3sccm，He流量為900sccm，壓強(qiáng)為900mT，溫度為300°C，功率為25W，沉積時(shí)間為9min。
[0115]步驟9，在表面SiN層上光刻增強(qiáng)型器件的槽柵區(qū)域，采用RIE工藝刻蝕槽柵。
[0116](9a)光刻槽柵:首先在溫度為200°C的條件下烘烤樣品5min，然后涂膠，甩膠，甩膠轉(zhuǎn)速為2000轉(zhuǎn)/min，之后再在溫度為110°C的條件下烘烤樣品lmin，再對(duì)增強(qiáng)型器件槽柵進(jìn)行光刻和顯影；
[0117](9b)刻蝕槽柵:采用RIE工藝對(duì)槽柵圖形部分進(jìn)行刻蝕，刻蝕深度為60nm?？涛g條件為=CF4流量為20SCCm，壓強(qiáng)為5mT，射頻功率為50W，刻蝕時(shí)間為2min。
[0118]步驟10，在表面SiN層及槽柵區(qū)域的GaN帽層上沉積柵介質(zhì)Al2O3層。
[0119]米用原子層沉積(ALD)在樣品表面沉積一層50.A的Al2O3,使用TMA (三甲基招)作為Al源,去離子水作為O源,生長(zhǎng)溫度為300°C。
[0120]步驟11，在柵介質(zhì)Al2O3層上光刻增強(qiáng)型器件的柵極區(qū)域(增強(qiáng)型器件的柵極區(qū)域與槽柵區(qū)域位置對(duì)應(yīng))，并采用電子束蒸發(fā)工藝蒸發(fā)柵極金屬，得到樣片B。
[0121](Ila)光刻?hào)艠O:首先在溫度為200°C的條件下烘烤樣品5min，然后涂膠，甩膠，甩膠轉(zhuǎn)速為2000轉(zhuǎn)/min，之后再在溫度為110°C的條件下烘烤樣品lmin，再對(duì)樣品增強(qiáng)型器件的柵極區(qū)域進(jìn)行光刻和顯影；
[0122](Ilb)柵金屬蒸發(fā):采用電子束蒸發(fā)臺(tái)蒸發(fā)柵金屬，柵金屬自下而上為Ni/Au，并對(duì)其進(jìn)行剝離。
[0123]步驟12，采用PECVD工藝在樣片B上沉積保護(hù)SiN層，并在保護(hù)SiN層上光刻金屬互聯(lián)開孔區(qū)，再刻蝕金屬互聯(lián)開孔區(qū)。
[0124](12a)保護(hù)SiN層沉積:用等離子增強(qiáng)化學(xué)汽相沉積(PECVD)在樣品表面沉積一層2000A的SiN，沉積條件為:2%SiH4/N2流量為200sccm，NH3流量為3sccm，He流量為900sccm，壓強(qiáng)為900mT，溫度為300°C，功率為25W，沉積時(shí)間為30min。
[0125](12b)光刻金屬互聯(lián)開孔區(qū):首先在溫度為200°C的條件下烘烤樣品5min，然后涂膠，甩膠，甩膠轉(zhuǎn)速為2000轉(zhuǎn)/min，之后再在溫度為110°C的條件下烘烤樣品lmin，再光刻金屬互聯(lián)開孔區(qū)圖形；
[0126](12c)刻蝕金屬互聯(lián)開孔區(qū):對(duì)金屬互聯(lián)開孔區(qū)進(jìn)行刻蝕，刻蝕條件為=CF4流量為20sccm，壓力為10mT，射頻功率為25OW ；
[0127]步驟13，在保護(hù)SiN層上光刻互聯(lián)金屬區(qū)及蒸發(fā)互聯(lián)金屬。
[0128](13a)光刻互聯(lián)金屬區(qū):首先在溫度為200°C的條件下烘烤樣品5min，然后涂膠，甩膠，甩膠轉(zhuǎn)速為2000轉(zhuǎn)/min，之后再在溫度為110°C的條件下烘烤樣品lmin，再對(duì)樣品互聯(lián)金屬區(qū)進(jìn)行光刻和顯影；
[0129](13b)互聯(lián)金屬蒸發(fā):采用電子束蒸發(fā)臺(tái)蒸發(fā)互聯(lián)金屬，互聯(lián)金屬自下而上為Ni/Au,并對(duì)其進(jìn)行剝離，完成器件制作。
[0130]圖3給出的是本發(fā)明所述環(huán)振基本單元反相器的基本工藝流程圖，由于本發(fā)明所述環(huán)振是由2n+l個(gè)相同的反相器級(jí)連而成，環(huán)振的制造工藝和反相器基本一致，只是版圖設(shè)計(jì)不同，而反相器的工藝流程可以體現(xiàn)環(huán)振的工藝流程，因此為簡(jiǎn)便在附圖中只給出了反相器的工藝流程圖。
[0131]本發(fā)明所述的環(huán)振由2n+l個(gè)相同的反相器級(jí)連而成，根據(jù)電路基本知識(shí)可知在反相器特性正常的情況下該電路可實(shí)現(xiàn)環(huán)振功能。本發(fā)明所述的反相器是利用表面SiN層對(duì)薄勢(shì)壘異質(zhì)結(jié)溝道電子的調(diào)制作用，通過調(diào)節(jié)器件柵下表面SiN層厚度，在薄勢(shì)壘異質(zhì)結(jié)上分別實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)型器件和負(fù)載電阻，并最終將增強(qiáng)型器件和負(fù)載電阻集成而成。通過對(duì)反向器基本結(jié)構(gòu)進(jìn)行分析不難得出在增強(qiáng)型器件和負(fù)載電阻特性正常的情況下，只要合理設(shè)計(jì)增強(qiáng)型器件和負(fù)載電阻的導(dǎo)通電阻比，便可實(shí)現(xiàn)反相器功能。
[0132]采用PECVD工藝制備的表面SiN層對(duì)薄勢(shì)壘異質(zhì)結(jié)材料溝道電子具有調(diào)制作用，圖4顯示了 5nmAlGaN薄勢(shì)壘異質(zhì)結(jié)未覆蓋表面SiN和覆蓋表面SiN的材料方塊電阻對(duì)比，覆蓋表面SiN層的薄勢(shì)壘異質(zhì)結(jié)具有高濃度的溝道電子，而未覆蓋表面SiN層的薄勢(shì)壘異質(zhì)結(jié)溝道電子濃度很低。因此如圖3中右側(cè)的器件結(jié)構(gòu)，由于器件表面均被SiN覆蓋，異質(zhì)結(jié)溝道中存在高濃度電子，可實(shí)現(xiàn)理想的導(dǎo)通電阻。而對(duì)于圖3中左側(cè)器件結(jié)構(gòu)，由于柵下異質(zhì)結(jié)表面未被SiN覆蓋，器件柵下溝道載流子濃度很低，而柵以外有源區(qū)被SiN覆蓋，柵外有源區(qū)存在高濃度電子，可實(shí)現(xiàn)高性能增強(qiáng)型器件特性。利用表面SiN層的這一特性，發(fā)明人已成功制備T型柵超薄勢(shì)壘MIS增強(qiáng)型器件，器件采用15nmSiN作為柵介質(zhì)，實(shí)現(xiàn)了 0.8V的正閾值電壓。圖5為器件的直流特性，器件特性正常。本發(fā)明采用ALD工藝沉積3-5nm的Al2O3作為柵介質(zhì)，是由于和SiN相比，Al2O3具有更優(yōu)良的介質(zhì)特性，同時(shí)可減小棚介質(zhì)厚度，提聞器件的頻率特性，從而提聞反相器、環(huán)振的頻率特性。
[0133]通過以上分析及實(shí)驗(yàn)結(jié)果，可以得出本發(fā)明具有較高的可行性。
[0134]本發(fā)明優(yōu)勢(shì)分析:
[0135]本發(fā)明利用表面SiN層對(duì)薄勢(shì)壘異質(zhì)結(jié)溝道方阻的調(diào)節(jié)作用，通過調(diào)節(jié)器件表面SiN層厚度可在一圓片上同時(shí)實(shí)現(xiàn)負(fù)載電阻及增強(qiáng)型器件，制備反相器、環(huán)振的工藝簡(jiǎn)單，易于集成。
[0136]由于本發(fā)明反相器、環(huán)振工藝簡(jiǎn)單，無任何引入損傷的工藝步驟(如F等離子體處理、凹槽柵刻蝕)，避免了會(huì)引入降低器件可靠性的因素，因此本發(fā)明反相器、環(huán)振和現(xiàn)有案例相比具有較高的可靠性。
[0137]由于薄勢(shì)壘器件勢(shì)壘層相對(duì)較薄，器件的頻率響應(yīng)相對(duì)較快，增強(qiáng)型器件具有較高的頻率特性，因此本發(fā)明反向器、環(huán)振也應(yīng)具有較高的頻率特性。圖5顯示了發(fā)明人所制備的T型柵超薄勢(shì)壘MIS增強(qiáng)型器件和方案3中厚勢(shì)壘F等離子體處理增強(qiáng)型器件的頻率特性，從圖中可見，方案3中增強(qiáng)型器件特征頻率fT為10.1GHz，最大振蕩頻率fmax為34.3GHz，方案4中的F等離子體處理MIS增強(qiáng)型器件頻率特性更低，而發(fā)明人所制備的T型柵超薄勢(shì)壘MIS增強(qiáng)型器件特征頻率fT為21GHz，最大振蕩頻率fmax為37GHz，和厚勢(shì)壘器件相比，薄勢(shì)壘器件具有較高的頻率特性，在高頻電路應(yīng)用中具有更大的潛力。所制備器件采用15nmSiN作為柵介質(zhì)，已實(shí)現(xiàn)較高頻率特性，而本發(fā)明采用3_5nm的Al2O3作為柵介質(zhì)，可進(jìn)一步提高器件及環(huán)振的頻率特性。
[0138]由于采用金屬-絕緣層-半導(dǎo)體(MIS)結(jié)構(gòu)，柵介質(zhì)可有效減小耗盡型器件及增強(qiáng)型器件的柵極正向?qū)娏?，增大器件的工作范圍，所集成的反相器可?shí)現(xiàn)較大的噪聲容限，所集成的環(huán)振可實(shí)現(xiàn)較大的工作范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種GaN基超薄勢(shì)壘增強(qiáng)模式反相器，其特征在于:該反相器包括依次設(shè)置于襯底上的成核層、緩沖層、插入層、勢(shì)壘層以及帽層，帽層、勢(shì)壘層、插入層以及部分緩沖層被刻蝕形成臺(tái)面，臺(tái)面將反相器隔離為兩個(gè)器件區(qū)域，其中一個(gè)器件區(qū)域的異質(zhì)結(jié)上設(shè)置有第一柵電極、第一源電極以及第一漏電極，第一源電極以及第一漏電極直接蒸發(fā)在帽層上，第一柵電極位于第一源電極與第一漏電極之間，第一源電極上、第一漏電極上、第一柵電極、第一源電極以及第一漏電極所在位置以外的帽層上及臺(tái)面下的緩沖層上設(shè)置有表面SiN層，表面SiN層上及第一柵電極處的帽層上設(shè)置有柵介質(zhì)Al2O3層，第一柵電極蒸發(fā)在柵介質(zhì)Al2O3層上，另一個(gè)器件區(qū)域的異質(zhì)結(jié)上設(shè)置有兩個(gè)歐姆電極，兩個(gè)歐姆電極直接蒸發(fā)在帽層上，兩個(gè)歐姆電極上、兩個(gè)歐姆電極所在位置以外的帽層上及臺(tái)面下的緩沖層上設(shè)置有表面SiN層，表面SiN層上設(shè)置有柵介質(zhì)Al2O3層，兩個(gè)器件區(qū)域的柵介質(zhì)Al2O3層及第一柵電極上設(shè)置有保護(hù)SiN層，保護(hù)SiN層上設(shè)置有互聯(lián)金屬，互聯(lián)金屬和下層各電極對(duì)應(yīng)相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種GaN基超薄勢(shì)壘增強(qiáng)模式反相器，其特征在于:所述襯底的材料為藍(lán)寶石或SiC，成核層的材料為A1N，緩沖層的材料為GaN，插入層的材料為A1N，勢(shì)壘層的材料為Ala3Gaa7N,帽層的材料為GaN。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種GaN基超薄勢(shì)壘增強(qiáng)模式反相器，其特征在于:所述勢(shì)壘層的厚度為3-5nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種GaN基超薄勢(shì)壘增強(qiáng)模式反相器，其特征在于:所述表面SiN層的厚度為60nm，表面SiN層采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)汽相沉積工藝形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種GaN基超薄勢(shì)壘增強(qiáng)模式反相器，其特征在于:所述柵介質(zhì)Al2O3層的厚度為3-5nm,柵介質(zhì)Al2O3層采用原子層沉積工藝形成。
6.一種基于權(quán)利要求1所述GaN基超薄勢(shì)壘增強(qiáng)模式反相器的環(huán)振，其特征在于；該環(huán)振由2n+l個(gè)所述反相器級(jí)連而成，η為自然數(shù)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述一種基于GaN基超薄勢(shì)壘增強(qiáng)模式反相器的環(huán)振，其特征在于；2η+1個(gè)反相器通過互聯(lián)金屬集成在同一圓片上。
8.一種制作如權(quán)利要求1所述GaN基超薄勢(shì)壘增強(qiáng)模式反相器的方法，其特征在于，包括以下步驟: 1)在襯底基片上生長(zhǎng)AlN成核層； 2)在AlN成核層上生長(zhǎng)1-3μ m厚的GaN緩沖層； 3)在GaN緩沖層上生長(zhǎng)1.5nm厚的AlN插入層； 4)在AlN插入層上生長(zhǎng)3-5nm厚的Ala3Gaa7N勢(shì)壘層； 5)在Ala3Gaa7N勢(shì)壘層上生長(zhǎng)2nm厚的GaN帽層； 6)在GaN帽層上光刻歐姆接觸區(qū)域窗口，并在該歐姆接觸區(qū)域窗口上采用電子束蒸發(fā)工藝蒸發(fā)歐姆接觸金屬，形成負(fù)載電阻的歐姆電極及增強(qiáng)型器件的源、漏電極； 7)經(jīng)過步驟6)以后，在GaN帽層上光刻臺(tái)面區(qū)域，然后采用RIE工藝刻蝕臺(tái)面，得到樣片A ； 8)在樣片A表面沉積60nm的表面SiN層； 9)在表面SiN層上光刻增強(qiáng)型器件的槽柵區(qū)域，然后采用RIE工藝刻蝕槽柵； 10)在表面SiN層及槽柵區(qū)域的GaN帽層上沉積3_5nm的柵介質(zhì)Al2O3層；11)在柵介質(zhì)Al2O3層上光刻增強(qiáng)型器件的柵極區(qū)域，并采用電子束蒸發(fā)工藝蒸發(fā)柵極金屬，得到樣片B; 12)在樣片B上沉積200nm的保護(hù)SiN層，并在保護(hù)SiN層上光刻金屬互聯(lián)開孔區(qū)，再刻蝕金屬互聯(lián)開孔區(qū)； 13)最后在保護(hù)SiN層上光刻互聯(lián)金屬區(qū)、蒸發(fā)互聯(lián)金屬。
【文檔編號(hào)】H01L27/02GK103915435SQ201410122689
【公開日】2014年7月9日 申請(qǐng)日期:2014年3月28日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月28日
【發(fā)明者】全思, 楊麗媛, 李演明, 文常保, 閆茂德, 郝躍 申請(qǐng)人:長(zhǎng)安大學(xué)