等離子體產生單元、包括該單元的基板處理裝置及方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種能夠調節(jié)在腔體內部生成的等離子體密度的等離子體產生單元、包括該單元的基板處理裝置及方法。根據(jù)本發(fā)明的一實施例的基板處理裝置包括：提供實施工序的處理空間的腔體；在上述處理空間支撐基板的基板支撐單元；向上述處理空間供給處理氣體的氣體供給單元；以及根據(jù)向上述處理空間供給的處理氣體產生等離子體的等離子體產生單元，上述等離子體產生單元具有：設置在上述腔體的上部的天線部件；位于上述天線部件的上部的調節(jié)焊盤；以及使上述調節(jié)焊盤向上下移動的驅動部件。
【專利說明】等離子體產生單元、包括該單元的基板處理裝置及方法

【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及處理基板的裝置及方法，詳細地涉及利用等離子體處理基板的裝置及方法。

【背景技術】
[0002]半導體元件的制造工序中，蝕刻、沉積以及清洗工序等是利用等離子體來處理基板。在利用等離子體的工序中，向腔體內部噴射處理氣體,并根據(jù)處理氣體產生等離子體并提供給基板。
[0003]通常，基板處理裝置包括等離子體產生裝置。等離子體產生裝置包括天線部件。天線部件產生電磁場。所產生的電磁場形成為放射形狀。電磁場將處理氣體激發(fā)成等離子體狀態(tài)。但是，通常，所產生的等離子體的密度在處理空間的中心區(qū)域和邊緣區(qū)域產生密度差。這種等離子體的密度差會阻礙均勻的基板處理工序、降低基板處理工序的可靠性。
[0004]等離子體是因電磁場而產生的，因此，如果調節(jié)電磁場，則能夠調節(jié)等離子體的量。但是，電磁場是根據(jù)天線部件形成為放射形狀，從而不易對其進行控制。由此，不易通過調節(jié)電磁場來控制等離子體的量。


【發(fā)明內容】

[0005]本發(fā)明的一目的在于提供一種能夠調節(jié)在腔體內部生成的等離子體密度的基板處理裝置。
[0006]本發(fā)明所要解決的技術課題并不限于上述的課題，所屬【技術領域】的技術人員能夠根據(jù)本說明書和附圖明確地理解未在上面說明的技術課題。
[0007]本發(fā)明提供基板處理裝置。
[0008]根據(jù)本發(fā)明的一實施例的基板處理裝置包括提供實施工序的處理空間的腔體、在上述處理空間支撐基板的基板支撐單元、向上述處理空間供給處理氣體的氣體供給單元以及根據(jù)向上述處理空間供給的處理氣體產生等離子體的等離子體產生單元，上述等離子體產生單元具有設置在上述腔體的上部的天線部件、位于上述天線部件的上部的調節(jié)焊盤以及使上述調節(jié)焊盤向上下移動的驅動部件。
[0009]上述調節(jié)焊盤能夠被接地。
[0010]上述調節(jié)焊盤能夠包括環(huán)狀的第I焊盤。
[0011]上述第I焊盤能夠位于與上述天線部件的邊緣區(qū)域對置的位置。
[0012]上述調節(jié)焊盤能夠包括位于與上述天線部件的中心區(qū)域對置的位置的第2焊盤。
[0013]上述第I焊盤的截面面積能夠大于上述第2焊盤的截面面積。
[0014]上述天線部件包括分離的第I天線和第2天線，上述第2天線位于中心區(qū)域，上述第I天線能夠位于圍繞上述第2天線的位置。
[0015]上述等離子體產生單元還能夠包括固定設置在上述調節(jié)焊盤的上部并且其截面面積比上述調節(jié)焊盤的截面面積大且接地的接地板。
[0016]此外，本發(fā)明提供等離子體產生單元。
[0017]根據(jù)本發(fā)明的一實施例的等離子體產生單元包括產生電磁場的天線部件、位于上述天線部件的上部的調節(jié)焊盤以及使上述調節(jié)焊盤上下移動的驅動部件。
[0018]上述調節(jié)焊盤能夠被接地。
[0019]上述調節(jié)焊盤能夠包括位于與上述天線部件的邊緣區(qū)域對置的位置且形成為環(huán)狀的第I焊盤。
[0020]上述調節(jié)焊盤能夠包括位于與上述天線部件的中心區(qū)域對置的位置的第2焊盤。
[0021]上述第I焊盤的截面面積能夠大于上述第2焊盤的截面面積。
[0022]上述天線部件包括分離的第I天線和第2天線，上述第2天線位于中心區(qū)域，上述第I天線能夠位于圍繞上述第2天線的位置。
[0023]上述等離子體產生單元還能夠包括固定設置在上述調節(jié)焊盤的上部且其截面面積比上述調節(jié)焊盤的截面面積大并且被接地的接地板。
[0024]此外，本發(fā)明提供基板處理方法。
[0025]根據(jù)本發(fā)明的一實施例的基板處理方法是利用等離子體處理基板的基板處理方法，其通過改變產生電磁場的天線部件和位于上述天線部件的上部的調節(jié)焊盤的相對位置來調節(jié)所產生的等離子體的量。
[0026]上述調節(jié)焊盤包括形成為環(huán)狀的第I焊盤，能夠使上述第I焊盤上下移動來改變上述天線部件和上述第I焊盤的相對位置。
[0027]在上部觀察時，上述調節(jié)焊盤還包括形成在與上述第I焊盤不重疊的位置的第2焊盤，上述第2焊盤能夠獨立于上述第I焊盤地上下移動而改變與上述天線部件之間的相對位置。
[0028]上述第I焊盤的截面面積能夠大于上述第2焊盤的截面面積。
[0029]上述調節(jié)焊盤能夠被接地。
[0030]上述天線部件能夠包括位于中心區(qū)域的第I天線和位于圍繞上述第I天線的位置的第2天線。
[0031]根據(jù)本發(fā)明的一實施例，能夠調節(jié)在腔體內部生成的等離子體密度。
[0032]本發(fā)明的效果并不限于上述的效果，本發(fā)明所屬【技術領域】的技術人員能夠根據(jù)本說明書及附圖明確了解未作說明的效果。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0033]圖1是表示根據(jù)本發(fā)明的一實施例的基板處理裝置的截面圖。
[0034]圖2是表示圖1的等離子體調節(jié)單元的分解立體圖。
[0035]圖3是表示根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的基板處理裝置的截面圖。
[0036]圖4是表示圖3的等離子體調節(jié)單元的分解立體圖。
[0037]圖5是表示根據(jù)本發(fā)明的再一實施例的基板處理裝置的截面圖。
[0038]圖6是表示根據(jù)本發(fā)明的一實施例的基板處理方法的流程圖。
[0039]圖7和圖8是表示圖1的基板處理裝置調節(jié)等離子體的量的過程的圖。
[0040]圖9至圖12是表示圖3的基板處理裝置調節(jié)等離子體的量的過程的圖。

【具體實施方式】
[0041]以下，參照附圖進一步詳細說明本發(fā)明的實施例。本發(fā)明的實施例能夠以多種方式變形，而并不能解釋為本發(fā)明的范圍限定在下述的實施例。本實施例是為了給所屬【技術領域】的技術人員進一步完整地說明而提供的。從而，為了強調進一步明確的說明而夸張地示出了附圖中的要素的形狀。
[0042]圖1是表示根據(jù)本發(fā)明的一實施例的基板處理裝置的截面圖。
[0043]如圖1所示，基板處理裝置10利用等離子體處理基板W。例如，基板處理裝置10能夠對基板W實施蝕刻工序。基板處理裝置10包括腔體100、基板支撐單元200、氣體供給單元300、等離子體產生單元400以及擋板單元500。
[0044]腔體100提供實施基板處理工序的空間。腔體100包括殼體110、密封蓋120以及襯墊130。
[0045]殼體110在內部具有上面開放的空間。殼體110的內部空間被用作實施基板處理工序的處理空間。殼體I1由金屬材料形成。殼體110能夠由鋁材料形成。殼體110能夠被接地。在殼體I1的下表面形成有排氣孔102。排氣孔102與排氣線151連接。在工序過程中產生的反應副產物以及留在殼體的內部空間的氣體能夠通過排氣線151向外部排出。根據(jù)排氣過程，殼體110的內部減壓至預定壓力。
[0046]密封蓋120覆蓋殼體110的開放的上面。密封蓋120形成為板形狀，并且使殼體I1的內部空間密封。密封蓋120能夠包括電介質(dielectric substance)窗。
[0047]襯墊130形成在殼體110內部。在襯墊130的內部形成有上面和下面開放的空間。襯墊130能夠形成為圓筒形狀。襯墊130能夠具有與殼體110的內側面相應的半徑。襯墊130沿著殼體110的內側面形成。在襯墊130的上端形成有支撐環(huán)131。支撐環(huán)131形成為環(huán)狀的板，并且沿著襯墊130的周圍向襯墊130的外側突出。支撐環(huán)131位于殼體110的上端，并且支撐襯墊130。襯墊130能夠由與殼體110相同的材料形成。襯墊130能夠由鋁材料形成。襯墊130保護殼體110的內側面。在處理氣體被激發(fā)的過程中，在腔體100內部可以產生弧(Arc)放電?；》烹娖茡p周邊裝置。襯墊130保護殼體110的內側面，從而防止殼體110的內側面因弧放電而遭破損。此外，防止在基板處理工序中產生的雜質沉積在殼體110的內側壁。與殼體110相比，襯墊130的價格低且易于交換。從而，在襯墊130因弧放電而遭破損的情況下，操作人員能夠以新的襯墊130進行交換。
[0048]在殼體110的內部設置有基板支撐單元200?；逯螁卧?00支撐基板W?；逯螁卧?00能夠包括利用靜電力來吸附基板W的靜電夾頭210。與此相對地，基板支撐單元200還能夠通過如機械夾緊等多種方式支撐基板W。下面，對包括靜電夾頭210的基板支撐單元200進行說明。
[0049]基板支撐單元200包括靜電夾頭210、絕緣板250以及下部蓋件270。在腔體100內部，基板支撐單元200能夠從殼體110的下表面向上部隔開設置。
[0050]靜電夾頭210包括電介質板220、電極223，加熱器225，支撐板230以及調焦環(huán)(focus ring) 240。
[0051]電介質板220位于靜電夾頭210的上端部。電介質板220由圓板形狀的電介質(dielectric substance)形成?；錡設置在電介質板220的上表面。電介質板220的上表面的半徑比基板W的半徑小。因此，基板W的邊緣區(qū)域位于電介質板220的外側。在電介質板220形成有第I供給流路221。第I供給流路221從電介質板210的上表面向下表面形成。第I供給流路221以互相隔開的方式形成有多個，其被用作熱傳遞介質向基板W的下面供給的通路。
[0052]在電介質板220的內部埋設有下部電極223和加熱器225。下部電極223位于加熱器225的上部。下部電極223與第I下部電源223a電連接。第I下部電源223a包括直流電源。在下部電極223與第I下部電源223a之間設置有開關223b。下部電極223能夠根據(jù)開關223b的導通/截止(0N/0FF)而與第I下部電源223a電連接。若開關223b導通(0N)，則直流電流被施加至下部電極223。根據(jù)施加給下部電極223的電流，靜電力作用于下部電極223與基板W之間，基板W根據(jù)靜電力吸附在電介質板220。
[0053]加熱器225與第2下部電源225a電連接。加熱器225通過其電阻阻礙由第2下部電源225a施加的電流而產生熱。所產生的熱通過電介質板220向基板W傳遞。根據(jù)在加熱器225產生的熱，基板W保持預定溫度。加熱器225包括螺旋形狀的線圈。
[0054]支撐板230位于電介質板220的下部。電介質板220的下表面和支撐板230的上表面能夠通過粘合劑236粘合。支撐板230能夠由鋁材料形成。支撐板230的上表面能夠具有高低差，以便其中心區(qū)域比邊緣區(qū)域高。支撐板230的上表面中心區(qū)域具有與電介質板220的下表面相應的面積，并且與電介質板220的下表面粘合。在支撐板230形成有第I循環(huán)流路231、第2循環(huán)流路232以及第2供給流路233。
[0055]第I循環(huán)流路231被用作供熱傳遞介質循環(huán)的通路。第I循環(huán)流路231能夠在支撐板230的內部形成為螺旋形狀?；蛘?，第I循環(huán)流路231能夠被配置為具有互相不同的半徑的環(huán)狀的流路具有相同的中心。各個第I循環(huán)流路231能夠互相連通。第I循環(huán)流路231形成在相同的高度。
[0056]第2循環(huán)流路232被用作供冷卻流體循環(huán)的通路。第2循環(huán)流路232能夠在支撐板230的內部形成為螺旋形狀。此外，第2循環(huán)流路232能夠被配置為具有互相不同的半徑的環(huán)狀的流路具有相同的中心。各個第2循環(huán)流路232能夠互相連通。第2循環(huán)流路232能夠具有比第I循環(huán)流路231大的截面面積。第2循環(huán)流路232形成在相同的高度。第2循環(huán)流路232能夠位于第I循環(huán)流路231的下部。
[0057]第2供給流路233從第I循環(huán)流路231向上部延伸，并且形成在支撐板230的上表面。第2供給流路243形成有與第I供給流路221對應的數(shù)量，并連接第I循環(huán)流路231和第I供給流路221。
[0058]第I循環(huán)流路231通過熱傳遞介質供給線231b與熱傳遞介質存儲部231a連接。在熱傳遞介質存儲部231a存儲熱傳遞介質。熱傳遞介質包括非活性氣體。根據(jù)實施例，熱傳遞介質包括氦(He)氣體。氦氣體通過供給線231b供給至第I循環(huán)流路231，并依次經(jīng)過第2供給流路233和第I供給流路221而被供給至基板W的下表面。氦氣體起到從等離子體向基板W傳遞的熱向靜電夾頭210傳遞的介質功能。
[0059]第2循環(huán)流路232通過冷卻流體供給線232c與冷卻流體存儲部232a連接。在冷卻流體存儲部232a存儲冷卻流體。在冷卻流體存儲部232a內可以設置有冷卻機232b。冷卻機232b使冷卻流體冷卻至預定溫度。與此相對地，冷卻機232b能夠設置在冷卻流體供給線232c上。通過冷卻流體供給線232c供給到第2循環(huán)流路232的冷卻流體沿第2循環(huán)流路232循環(huán)，并冷卻支撐板230。冷卻支撐板230時，將電介質板220與基板W—起冷卻，從而使基板W保持預定溫度。
[0060]調焦環(huán)240配置在靜電夾頭210的邊緣區(qū)域。調焦環(huán)240具有環(huán)狀，并且沿電介質板220的周圍配置。調焦環(huán)240的上表面能夠具有高低差，以便外側部240a比內側部240b高。調焦環(huán)240的上表面的內側部240b位于與電介質板220的上表面相同的高度。調焦環(huán)240的上表面的內側部240b支撐位于電介質板220的外側的基板W的邊緣區(qū)域。調焦環(huán)240的外側部240a被形成為圍繞基板W的邊緣區(qū)域。調焦環(huán)240使等離子體在腔體100內向與基板W相對的區(qū)域集中。
[0061]絕緣板250位于支撐板230的下部。絕緣板250被形成為其截面面積與支撐板230的截面面積相對應。絕緣板250位于支撐板230和下部蓋件270之間。絕緣板250由絕緣材料形成，并且使支撐板230和下部蓋件270電絕緣。
[0062]下部蓋件270位于基板支撐單元200的下端部。下部蓋件270從殼體110的下表面向上部隔開設置。在下部蓋件270的內部形成有上面開放的空間。下部蓋件270的上表面被絕緣板250覆蓋。從而，下部蓋件270的截面的外部半徑的能夠形成為其長度與絕緣板250的外部半徑相同。在下部蓋件270的內部空間可以設置有使被輸送的基板W從外部的輸送部件向靜電夾頭210移動的提升銷模塊(lift pin module)(未圖示)等。
[0063]下部蓋件270具有連接部件273。連接部件273連接下部蓋件270的外側面和殼體I1的內側壁。連接部件273能夠在下部蓋件270的外側面以一定的間隔形成有多個。連接部件273在腔體100內部支撐基板支撐單元200。此外，連接部件273與殼體110的內側壁連接，從而使下部蓋件270電接地(grounding)。通過連接部件273的內部空間，與第I下部電源223a連接的第I電源線223c、與第2下部電源225a連接的第2電源線225c、與熱傳遞介質存儲部231a連接的熱傳遞介質供給線231b以及與冷卻流體存儲部232a連接的冷卻流體供給線232c等延伸至下部蓋件270的內部。
[0064]氣體供給單元300向腔體100的內部供給處理氣體。氣體供給單元300包括氣體供給噴嘴310、氣體供給線320以及氣體存儲部330。氣體供給噴嘴310設置在密封蓋120的中心部。在氣體供給噴嘴310的下表面形成有噴射口。噴射口位于密封蓋120的下部，并向腔體100的內部的處理空間供給處理氣體。氣體供給線320連接氣體供給噴嘴310與氣體存儲部330。氣體供給線320將存儲在氣體存儲部330的處理氣體供給給氣體供給噴嘴310。在氣體供給線320設置有閥321。閥321將氣體供給線320開啟和關閉，并調節(jié)通過氣體供給線320供給的處理氣體的流量。
[0065]圖2是表示圖1的等離子體產生單元的分解立體圖。
[0066]如圖1和圖2所示，等離子體產生單元400根據(jù)向處理空間提供的處理氣體生成等離子體。等離子體產生單元400包括天線部件410、電源420、上部蓋件430、接地板450、調節(jié)焊盤470以及驅動部件480。
[0067]天線部件410設置在腔體100的上部。在天線部件410可以形成有多個具有分別不同的直徑的環(huán)狀的天線。根據(jù)一個例子，天線部件410能夠包括第I天線411和第2天線413。第2天線413位于中心區(qū)域，第I天線411能夠位于圍繞第2天線413的位置。第I天線411和第2天線413能夠分離設置。第I天線411和第2天線413能夠分別與不同的電源連接。
[0068]電源420向天線部件410施加電力。根據(jù)一個例子，電源420包括第I電源421和第2電源423。第I電源421與第I天線411連接，第2電源423能夠與第2天線413連接。電源420能夠向天線部件410施加高頻電力。根據(jù)一個例子，第I電源421和第2電源423能夠分別將不同的電力傳遞給第I天線411和第2天線413。由此，在第I天線411和第2天線413能夠產生分別不同的電磁波。以天線部件410為中心產生放射形狀電磁波。電磁波中的一部分提供給腔體100的內部，剩余一部分提供給腔體100的外部。提供給腔體100的內部的電磁波在腔體100的內部的處理空間形成感應電場。處理氣體從感應電場得到離子化時所需要的能量，從而被激發(fā)成等離子體狀態(tài)。等離子體被提供給基板W，并且能夠實施蝕刻工序等基板處理工序。
[0069]上部蓋件430能夠形成為下表面開放的圓筒形狀。上部蓋件430能夠位于電介質蓋件120的上部。上部蓋件430通過覆蓋電介質蓋件120來形成等離子體產生單元400所在的空間。
[0070]接地板450能夠形成為具有一定的厚度的平板形狀。接地板450位于上部蓋件430和電介質蓋件120之間的空間。根據(jù)一個例子，接地板450能夠固定設置在天線部件410的上部。接地板450能夠形成為被接地(grounding)。接地板450能夠形成為其截面面積比調節(jié)焊盤470的截面面積大?？蛇x地，還可以不形成接地板450。
[0071]調節(jié)焊盤470位于天線部件410的上部。調節(jié)焊盤470可以位于天線部件410和接地板450之間。根據(jù)一個例子，調節(jié)焊盤470能夠形成為接地的狀態(tài)。
[0072]根據(jù)一個例子，調節(jié)焊盤470能夠形成為環(huán)狀。調節(jié)焊盤470能夠形成在與天線部件410的邊緣區(qū)域對置的位置。調節(jié)焊盤470能夠形成在與第I天線411對置的位置。
[0073]驅動部件480與調節(jié)焊盤470連接。驅動部件480使調節(jié)焊盤470向上下方向移動。驅動部件480能夠使調節(jié)焊盤470在上下方向上從與天線部件410接近的位置移動至與接地板450接近的位置。
[0074]圖3是表示根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的基板處理裝置的截面圖，圖4是表示圖3的等離子體調節(jié)單元的分解立體圖。
[0075]如圖3和圖4所示，基板處理裝置11包括腔體100、基板支撐單元200、氣體供給單元300、等離子體產生單元4100以及擋板單元500。與圖1的基板處理裝置10相比，在基板處理裝置11中，只有等離子體產生單元4100的調節(jié)焊盤4170不同，其他結構都相同。下面，對等離子體產生單元4100的調節(jié)焊盤4170進行說明。
[0076]調節(jié)焊盤4170位于天線部件4110的上部。調節(jié)焊盤4170能夠位于天線部件4110和接地板4150之間。根據(jù)一個例子，調節(jié)焊盤4170能夠形成為接地的狀態(tài)。
[0077]根據(jù)一個例子，調節(jié)焊盤4170能夠包括第I焊盤4171和第2焊盤4173。第I焊盤4171和第2焊盤4173能夠互相分離地設置。第I焊盤4171能夠形成為環(huán)狀。第I焊盤4171能夠形成在與天線部件4110的邊緣區(qū)域對置的位置。第I焊盤4171能夠形成在與第I天線4111對置的位置。第2焊盤4173能夠形成為圓板形狀。第2焊盤4173能夠形成在與天線部件4110的中心區(qū)域對置的位置。第2焊盤4173能夠形成在與第2天線4173對置的位置。第I焊盤4171能夠形成為圍繞第2焊盤4173的形狀。第I焊盤4171能夠形成為其截面面積比第2焊盤4173的截面面積大。
[0078]驅動部件4180與調節(jié)焊盤4170連接。驅動部件4180使調節(jié)焊盤4170在上下方向移動。根據(jù)一個例子，驅動部件4180能夠包括第I驅動部件4181和第2驅動部件4183。第I驅動部件4181使第I焊盤4171在上下方向移動，第2驅動部件4183能夠使第2焊盤4173在上下方向移動。驅動部件4180能夠使調節(jié)焊盤4170在上下方向上從與天線部件4110接近的位置移動至與接地板4150接近的位置。
[0079]圖5是表示根據(jù)本發(fā)明的再一實施例的基板處理裝置的截面圖。
[0080]基板處理裝置12包括腔體100、基板支撐單元200、氣體供給單元300、等離子體產生單元4200以及擋板單元500。與圖1的基板處理裝置10相比，在基板處理裝置11中，只有等離子體產生單元4200的調節(jié)焊盤4270不同，其他結構都相同。下面，對等離子體產生單元4200的調節(jié)焊盤4270進行說明。
[0081 ] 調節(jié)焊盤4270位于天線部件4210的上部。調節(jié)焊盤4270可以位于天線部件4210和接地板4250之間。根據(jù)一個例子，調節(jié)焊盤4270能夠形成為被接地的狀態(tài)。
[0082]根據(jù)一個例子，調節(jié)焊盤4270能夠形成在與天線部件4210的中心區(qū)域對置的位置。調節(jié)焊盤4270能夠形成在與第2天線4213對置的位置。調節(jié)焊盤4270能夠形成為圓板形狀。
[0083]在此參照圖1，擋板單元500位于殼體110的內側壁與支撐部件400之間。擋板單元500包括形成有貫通孔511的擋板510。擋板510形成為環(huán)形的的環(huán)(ring)形狀。向殼體110內提供的處理氣體通過擋板510的貫通孔511并利用排氣孔102排出。根據(jù)擋板510的形狀和貫通孔511的形狀，能夠控制處理氣體的流動情況。
[0084]下面，對利用上述的基板處理裝置處理基板的方法進行說明。
[0085]圖6是表示根據(jù)本發(fā)明的一實施例的基板處理方法的流程圖。
[0086]如圖6所示，基板處理方法包括:S10，向腔體內部輸送基板的步驟；S20，將腔體內部的處理氣體激發(fā)成等離子體的步驟；S30，利用等離子體處理基板的步驟；S40，調節(jié)等離子體的量的步驟；S50，利用等離子體處理基板的步驟；以及S60，向腔體外部輸送基板的步驟。其中，調節(jié)等離子體的量的步驟包括S40:S41，調節(jié)調節(jié)焊盤與天線的相對距離的步驟；S42，調節(jié)向處理空間提供的電磁波的步驟；以及S43，調節(jié)所產生的等離子體的量的步驟。
[0087]經(jīng)過調節(jié)等離子體的量的步驟S40，利用等離子體處理基板的步驟S30、S50中的各個步驟中處理基板的等離子體的量可以不同。此外，根據(jù)基板處理工序，能夠實施多次調節(jié)等離子體的量的步驟S40。與此相反，調整等離子體的量的步驟S40也可以省略。
[0088]下面，對調節(jié)等離子體的量的步驟S40進行詳細說明。
[0089]圖7和圖8是表示圖1的基板處理裝置調節(jié)等離子體的量的過程的圖。
[0090]如圖7和圖8所示，基板處理裝置10的等離子體產生單元400利用調節(jié)焊盤470調節(jié)等離子體的量。調節(jié)焊盤470能夠在從接地板450到天線部件410為止的位置上下移動。調節(jié)焊盤470能夠以被接地的狀態(tài)在從接地板450到天線部件410為止的位置上下移動。由此，調節(jié)調節(jié)焊盤470和天線部件410之間的相對距離。
[0091]調節(jié)焊盤470與天線部件410之間的相對距離越近，則在天線部件410產生的電磁波因被接地的天線部件410而其強度越減弱。若電磁波的強度減弱，則從處理氣體激發(fā)成等離子體的量減少。此時，由于調節(jié)焊盤470設置在與天線部件410的邊緣區(qū)域對置的位置，所以在處理空間的邊緣區(qū)域產生的等離子體的量減少。
[0092]與此相對地，調節(jié)焊盤470和天線部件410之間的相對距離越遠，則在天線部件410產生的電磁波因被接地的天線部件410而其強度越增大。若電磁波的強度增大，則從處理氣體激發(fā)成等離子體的量增加。此時，由于調節(jié)焊盤470設置在與天線部件410的邊緣區(qū)域對置的位置，因此在處理空間的邊緣區(qū)域產生的等離子體的量增多。
[0093]如上所述，若使被接地的調節(jié)焊盤470向上下方向移動，則調節(jié)焊盤470和天線部件410之間的相對距離發(fā)送變化。若調節(jié)調節(jié)焊盤470和天線部件410之間的相對距離，則能夠調節(jié)在天線部件410產生的電磁波的量。若調節(jié)在天線部件410產生的電磁波的量，則能夠調節(jié)從處理氣體激發(fā)的等離子體的量。根據(jù)這種過程，通過使調節(jié)焊盤470移動，從而能夠調節(jié)在處理空間產生的等離子體的量。
[0094]以上，以圖1的基板處理裝置的調節(jié)焊盤470為基準進行了說明。圖1的基板處理裝置10的調節(jié)焊盤470位于基板處理裝置10的邊緣區(qū)域，并且能夠調節(jié)邊緣區(qū)域的等離子體密度。
[0095]與此相對地，還能夠分別調節(jié)處理空間的中心區(qū)域和邊緣區(qū)域的等離子體密度。
[0096]圖9至圖12是表示圖3的基板處理裝置調節(jié)等離子體的量的過程的圖。如圖9至圖12所示，基板處理裝置11的調節(jié)焊盤4170包括位于邊緣區(qū)域的第I焊盤4171和位于中心區(qū)域的第2焊盤4173。由于第I焊盤4171和第2焊盤4173分別向上下方向移動，所以能夠分別調節(jié)處理空間的中心區(qū)域和邊緣區(qū)域的等離子體密度。
[0097]以上的詳細說明是用于示例性地描述本發(fā)明的。并且，上述的內容是通過本發(fā)明的優(yōu)選實施方式來進行說明的，本發(fā)明可以在多種其他的組合、變更以及環(huán)境下使用。即，在本說明書中公開的發(fā)明的概念的范圍、所描述的公開內容以及等效的范圍和/或所屬【技術領域】的公知技術或知識的范圍內，可以對本發(fā)明進行變更或者修改。上述的實施例是說明用于實現(xiàn)本發(fā)明的技術思想的最佳狀態(tài)，其還可以進行在本發(fā)明的具體適用領域以及用途下要求的多種變更。因此，以上的發(fā)明的詳細內容并不是通過所公開的實施方式來限制本發(fā)明。并且，應理解為，所附的權利要求書還包括其他實施方式。
[0098]附圖標記說明
[0099]10:等離子體處理裝置；100:腔體；200:基板支撐單元；300:氣體供給單元；400:等離子體產生單元；410:天線部件；420:電源；430:上部蓋件；450:接地板；470:調節(jié)焊盤；480:驅動部件；500:擋板單元。
【權利要求】
1.一種基板處理裝置，其中，包括: 腔體，提供實施工序的處理空間； 基板支撐單元，在上述處理空間供以支撐基板； 氣體供給單元，向上述處理空間供給處理氣體；以及 等離子體產生單元，根據(jù)向上述處理空間供給的處理氣體產生等離子體， 上述等離子體產生單元具有: 天線部件，設置在上述腔體的上部； 調節(jié)焊盤，位于上述天線部件的上部；以及 驅動部件，使上述調節(jié)焊盤向上下移動。
2.根據(jù)權利要求1所述的基板處理裝置，其中， 上述調節(jié)焊盤被接地。
3.根據(jù)權利要求2所述的基板處理裝置，其中， 上述調節(jié)焊盤包括環(huán)狀的第I焊盤。
4.根據(jù)權利要求3所述的基板處理裝置，其中， 上述第I焊盤位于與上述天線部件的邊緣區(qū)域對置的位置。
5.根據(jù)權利要求2所述的基板處理裝置，其中， 上述調節(jié)焊盤包括: 第2焊盤，位于與上述天線部件的中心區(qū)域對置的位置。
6.根據(jù)權利要求4所述的基板處理裝置，其中， 上述調節(jié)焊盤還包括: 第2焊盤，位于與上述天線部件的中心區(qū)域對置的位置。
7.根據(jù)權利要求2所述的基板處理裝置，其中， 上述天線部件包括分離的第I天線和第2天線， 上述第I天線形成為圍繞上述第2天線， 上述調節(jié)焊盤包括形成在與上述第I天線對置的位置的第I焊盤。
8.根據(jù)權利要求7所述的基板處理裝置，其中， 上述等離子體產生單元還包括: 接地板，其固定設置在上述調節(jié)焊盤的上部，且該接地板的截面面積比上述調節(jié)焊盤的截面面積大，并且該接地板接地。
9.一種等離子體產生單元，其中，包括: 天線部件，產生電磁場； 調節(jié)焊盤，位于上述天線部件的上部；以及 驅動部件，使上述調節(jié)焊盤上下移動。
10.根據(jù)權利要求9所述的等離子體產生單元，其中， 上述調節(jié)焊盤被接地。
11.根據(jù)權利要求10所述的等離子體產生單元，其中， 上述調節(jié)焊盤包括: 第I焊盤，位于與上述天線部件的邊緣區(qū)域對置的位置且形成為環(huán)狀。
12.根據(jù)權利要求10所述的等離子體產生單元，其中，上述調節(jié)焊盤包括: 第2焊盤，位于與上述天線部件的中心區(qū)域對置的位置。
13.根據(jù)權利要求11所述的等離子體產生單元，其中， 上述調節(jié)焊盤還包括: 第2焊盤，位于與上述天線部件的中心區(qū)域對置的位置。
14.根據(jù)權利要求10所述的等離子體產生單元，其中， 上述天線部件包括分離的第I天線和第2天線， 上 述第I天線形成為圍繞上述第2天線， 上述調節(jié)焊盤包括形成在與上述第I天線對置的位置的第I焊盤。
15.—種基板處理方法,其中， 其通過改變產生電磁場的天線部件和位于上述天線部件的上部的調節(jié)焊盤的相對位置來調節(jié)所產生的等離子體的量。
16.根據(jù)權利要求15所述的基板處理方法，其中， 上述調節(jié)焊盤被接地。
17.根據(jù)權利要求16所述的基板處理方法，其中， 上述調節(jié)焊盤包括形成為環(huán)狀的第I焊盤， 使上述第I焊盤上下移動來改變上述天線部件和上述第I焊盤的相對位置。
18.根據(jù)權利要求17所述的基板處理方法，其中， 在上方觀察時，上述調節(jié)焊盤還包括形成在不與上述第I焊盤重疊的位置的第2焊盤，上述第2焊盤獨立于上述第I焊盤而上下移動，從而改變與上述天線部件之間的相對位置。
19.根據(jù)權利要求16所述的基板處理方法，其中， 上述天線部件包括分離的第I天線和第2天線， 上述第I天線形成為圍繞上述第2天線， 上述調節(jié)焊盤包括形成在與上述第I天線對置的位置的第I焊盤。
【文檔編號】H01L37/02GK104078298SQ201410123775
【公開日】2014年10月1日 申請日期:2014年3月28日 優(yōu)先權日:2013年3月29日
【發(fā)明者】具一教, 哈魯瓊·梅利基揚, 樸勝振, 艾瑪·達尼埃良, 成曉星, 李守真 申請人:細美事有限公司