多層半導(dǎo)體封裝的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種多層半導(dǎo)體封裝。半導(dǎo)體封裝包括：半導(dǎo)體裸片，具有在第一側(cè)的第一電極和相對第一側(cè)的、在第二側(cè)處的第二電極；第一引線，在半導(dǎo)體裸片下，并且連接到在封裝的第一層處連接到的第一電極；以及第二引線，具有大于第一引線的高度并且在封裝中的第一層之上的第二層處終止，該第二層對應(yīng)于半導(dǎo)體裸片的高度。在半導(dǎo)體裸片和第二引線之上的單個連續(xù)平面結(jié)構(gòu)的連接器在封裝的相同的第二層處連接到第二電極和第二引線。
【專利說明】多層半導(dǎo)體封裝

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本申請涉及半導(dǎo)體封裝，并且更具體地涉及多層半導(dǎo)體封裝。

【背景技術(shù)】
[0002] 電子組件集成密度的增加以及相關(guān)聯(lián)的對熱導(dǎo)率和電導(dǎo)率的更大的需要要求具 有更優(yōu)的熱導(dǎo)率和電導(dǎo)率的新式連接技術(shù)，并且還要求用于相對應(yīng)連接元件的結(jié)構(gòu)技術(shù)。 近年來，金屬夾（clip)已經(jīng)在用于提供半導(dǎo)體裸片（芯片）電極和模制封裝引線（lead)之 間的電連接的線接合(wire bond)上獲得了普及。金屬夾提供在封裝引線和裸片電極之間 的大面積連接，與線接合相比允許封裝的電導(dǎo)率和熱導(dǎo)率的增加。然而，傳統(tǒng)的模制封裝在 封裝中提供的所有引線都在相同層，限制在封裝中的電導(dǎo)率和熱導(dǎo)率性能以及互連布局。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 本文所述的實施例提供一種半導(dǎo)體封裝，具有終止于在封裝中的不同層的引線。 在封裝中至少包括一個單個連續(xù)平面結(jié)構(gòu)的連接器，用于將半導(dǎo)體裸片的電極連接至封裝 中的相同層處的封裝引線。
[0004] 根據(jù)半導(dǎo)體封裝的一個實施例，封裝包括：半導(dǎo)體裸片，具有在第一側(cè)的第一電極 和在相對所述第一側(cè)的第二側(cè)的第二電極；第一引線，在所述半導(dǎo)體裸片下，并且在封裝的 第一層處連接到所述第一電極；以及第二引線，具有大于所述第一引線的高度，并且終止于 在封裝中的所述第一層之上的第二層，所述第二層對應(yīng)于所述半導(dǎo)體裸片的高度。在所述 半導(dǎo)體裸片和所述第二引線之上的單個連續(xù)平面結(jié)構(gòu)的連接器在封裝的相同的第二層處 連接到第二電極和第二引線兩者。
[0005] 根據(jù)制造半導(dǎo)體封裝的方法的一個實施例，方法包括：提供具有在第一側(cè)的第一 電極和在相對所述第一側(cè)的第二側(cè)處的第二電極的半導(dǎo)體裸片；將在所述半導(dǎo)體裸片下的 第一引線在封裝的第一層處連接到的所述第一電極；提供具有大于所述第一引線的高度并 且在封裝中的在所述第一層之上的第二層處終止的第二引線，所述第二層對應(yīng)于所述半導(dǎo) 體裸片的高度；并且將布置在所述半導(dǎo)體裸片和所述第二引線之上的單個連續(xù)平面結(jié)構(gòu)的 連接器在所述相同的第二層處連接到所述第二電極和所述第二引線兩者。
[0006] 根據(jù)半導(dǎo)體封裝的另一個實施例，封裝包括：第一半導(dǎo)體裸片，具有上側(cè)和下側(cè)； 以及第二半導(dǎo)體裸片，在所述第一裸片之上，并且具有朝向背離所述第一裸片的上側(cè)和朝 向所述第一裸片的所述上側(cè)的下側(cè)。在所述第一裸片上側(cè)的電極在所述第一裸片和所述第 二裸片之間連接到在所述第二裸片的所述下側(cè)的電極。在所述第一裸片下的第一引線在所 述封裝的第一層處連接到在所述第一裸片的所述下側(cè)的電極。具有大于所述第一引線的高 度的第二引線終止于在所述封裝中、在所述第一層之上的第二層，所述第二層對應(yīng)于所述 第二裸片的高度。在所述第二裸片和所述第二引線之上的單個連續(xù)平面結(jié)構(gòu)的連接器在封 裝的相同的第二層處連接到所述第二裸片的所述上側(cè)的電極和所述第二引線兩者。
[0007] 根據(jù)制造半導(dǎo)體封裝的方法的另一個實施例，該方法包括：將在第一半導(dǎo)體裸片 的下側(cè)的電極在所述封裝的第一層處連接到在所述第一裸片下的第一引線；將在所述第一 裸片的上側(cè)的電極連接到在布置在所述第一芯片之上的第二半導(dǎo)體裸片的下側(cè)的電極；并 且將在所述第二裸片的上側(cè)的電極在所述封裝的在所述第一層之上的相同的第二層處、經(jīng) 由布置在所述第二裸片和所述第二引線之上的單個連續(xù)平面結(jié)構(gòu)的連接器，連接到所述第 二引線，第二引線具有大于所述第一引線的高度并且終止于所述第二層，所述第二層對應(yīng) 于所述第二裸片的高度。
[0008] 本領(lǐng)域技術(shù)人員基于閱讀以下詳細(xì)說明以及基于查看附圖，將識別另外的特征和 優(yōu)點。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0009] 附圖中的組件不一定按比例繪制，而是將重點放在圖示本發(fā)明的原理上。此外在 附圖中，相似的附圖標(biāo)記標(biāo)示相同的部件。在附圖中：
[0010] 圖1例圖示根據(jù)本發(fā)明的一個實施的一種多層半導(dǎo)體封裝的橫截面圖；
[0011] 圖2圖示根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的一種多層半導(dǎo)體封裝的橫截面圖；
[0012] 圖3圖示由被包括在圖2的封裝中的組件實現(xiàn)的半橋式轉(zhuǎn)換器電路的示例性電路 圖；
[0013] 圖4示出根據(jù)本發(fā)明的又一個實施例的一種多層半導(dǎo)體封裝的俯視圖；以及
[0014] 圖5示出圖4的多層半導(dǎo)體封裝的側(cè)面透視圖。

【具體實施方式】
[0015] 本文所述的實施例提供一種半導(dǎo)體封裝，具有終止于在封裝中的不同層的引線。 在封裝中至少包括一個連接器，用于將一個或多個半導(dǎo)體裸片電極連接到終止于在封裝中 的與連接器相同的層的引線。因此，連接器可以具有單個連續(xù)平面結(jié)構(gòu)，并且引線延伸到 平面連接器，而不是必須向下向著封裝的相同基礎(chǔ)層彎曲的連接器，在該封裝的相同基礎(chǔ) 層處通常封裝的所有引線都終止于此?？梢蕴峁┒鄠€具有單個連續(xù)平面結(jié)構(gòu)的連接器，從 而多個裸片電極可以在封裝中的多個層連接到不同的封裝引線，每個層都被大體平面地布 置。提供在半導(dǎo)體封裝中的不同層處的引線，并且使用單個連續(xù)平面結(jié)構(gòu)的連接器用于裸 片的電極到引線連接，改進(jìn)了封裝的電和熱的性能并且增加了設(shè)計的靈活性。
[0016] 圖1圖示具有高度HPKe的多層半導(dǎo)體封裝100的一個實施例的橫截面圖。封裝100 包括具有在封裝100中的高度^的至少一個半導(dǎo)體裸片102。裸片102具有在裸片102 的第一側(cè)103 (在圖1中的下側(cè)）的第一電極104,以及與第一側(cè)103相對的裸片102第二 側(cè)105 (在圖1中的上側(cè))處的第二電極106。在封裝100中可以使用任何類型的半導(dǎo)體裸 片102。裸片102的類型依賴于封裝100被設(shè)計用于的應(yīng)用，并且可以包括例如IGBT (絕 緣柵雙極晶體管)、M0SFET (金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)、JFET (結(jié)型場效應(yīng)晶體管)、 二極管等。在晶體管裸片102的情況下，可以在裸片102的第二(上）側(cè)105提供第三電極 108。在該情況下，在裸片102的第一（下）側(cè)103的電極104可以是M0SFET的漏極電極或 IGBT的集電極電極，并且在第二(上）側(cè)105的電極106U08可以分別是M0SFET的源極電 極或IGBT的發(fā)射極電極、以及柵極(控制）電極。對于二極管柵極(控制）電極108被省略。 在封裝100中可以包括多于一個個裸片。例如，在封裝100中可以包括分離的高側(cè)和低側(cè) 晶體管裸片以及用于控制上側(cè)和下側(cè)晶體管的柵極驅(qū)動器。備選地，可以在本文所述的多 層封裝的分離的層中包括高側(cè)和低側(cè)晶體管裸片，作為分立組件。
[0017] 在每個情況下，多層封裝100還在半導(dǎo)體裸片102下包括第一引線110。第一引線 110在封裝100的第一層處("層A")連接到裸片102的第一電極104。能夠通過從封裝100 的背側(cè)101延伸到第一引線108的導(dǎo)電插塞（plug)或其他導(dǎo)電結(jié)構(gòu)形成到第一引線110的 背側(cè)111的連接。這類結(jié)構(gòu)改進(jìn)封裝100的熱性能，并且為了簡化圖示在圖1中未示出。
[0018] 具有大于第一引線110高度（Hu)的高度（Η?2)的第二引線112終止于在封裝100 中的在第一層之上的第二層("層Β")。第二層對應(yīng)于裸片102的高度裸片102的 第一電極104經(jīng)由結(jié)合層114 (諸如導(dǎo)電焊料、粘合劑或膠帶）附連到第一引線110。并且 第二層占裸片102和結(jié)合層114的組合的厚度。該方式下第二引線112近似終止于與在裸 片102的第二(上）側(cè)105的第二電極106的相同的平面中，允許在第二電極106和第二引 線112之間的大體平面的連接。
[0019] 為此，在半導(dǎo)體裸片102和第二引線112之上放置單個連續(xù)平面結(jié)構(gòu)的連接器 116。連接器116在封裝100中的相同的第二層處(層B)連接到第二引線112以及在裸片 102第二（上）側(cè)105的第二電極106兩者，在裸片102的第二電極106以及第二引線112 之間提供大面積平面連接。
[0020] 如果半導(dǎo)體裸片102是晶體管裸片，那么封裝100還包括具有小于第二引線112 的高度（H u)第三引線118,用于連接到在裸片102的第二(上）側(cè)105的第二(柵極/控制） 電極108。第三引線118終止于在封裝100中的第一和第二層之間的第三層（"層C")。接 合線120將第三引線118連接到在裸片102的第二(上)側(cè)105的第三電極108。半導(dǎo)體裸 片102、連接器116的至少部分以及引線110、112、118的部分被諸如環(huán)氧樹脂的模制化合 物122封裝，從而每個引線110、112、118的區(qū)段以及可選地連接器116的部分保持不被模 制化合物122覆蓋。
[0021] 圖2圖示具有高度HPKe的多層半導(dǎo)體封裝200的另一個實施例的橫截面圖。封裝 200包括在封裝200中的、具有高度的第一(低）半導(dǎo)體裸片202,以及在封裝200中 的、在第一裸片202之上并且具有高度的第二（高）半導(dǎo)體裸片204,其中裸片 2〈HPKe。第一裸片202具有上側(cè)201和下側(cè)203,并且第二裸片204具有朝向背離第一裸片 202的上側(cè)205以及朝向第一裸片202的上側(cè)201的下側(cè)207。
[0022] 在第一裸片202的上側(cè)201的電極206在第一和第二裸片202、204之間連接到在 第二裸片204的下側(cè)207處的電極208,從而該電極206、208在相同的電勢上。在一個純粹 示例性的實施例中，被包括在圖2的封裝200中的、由裸片202、204所實現(xiàn)的電路是如圖3 中所示的半橋式變換器電路。半橋電路包括低側(cè)晶體管（LS)、高側(cè)晶體管（HS)以及耦合于 半橋電路的正輸入（v in+)和負(fù)輸入（vin_)之間的輸入電容（cin)。在一些配置中負(fù)輸入可以 接地。低側(cè)晶體管LS對應(yīng)于在圖2中示出的第一裸片202,高側(cè)晶體管HS對應(yīng)于第二裸片 204,并且輸入電容C in在圖2中的視圖之外。在圖3中示出的示例性的電路圖中，晶體管是 M0SFET，每個都具有柵極（G)、漏極（D)和源極（S)端子。
[0023] 低側(cè)晶體管LS的柵極、漏極和源極端子對應(yīng)于在圖2中示出的第一裸片202的柵 極、源極和漏極電極。高側(cè)晶體管HS的柵極、漏極和源極同樣地對應(yīng)于第二裸片204的柵 極、源極和漏極電極。高側(cè)晶體管HS的漏極端子電連接到半橋電路的正輸入（V in+)。高側(cè) 晶體管HS的源極端子電連接到低側(cè)晶體管LS的漏極端子，以形成半橋電路的輸出（Vwt)。 低側(cè)晶體管LS的源極端子電連接到負(fù)輸入（Vin_)。晶體管柵極用作控制信號輸入（INI、 IN2)。IGBT可以代替MOSFET使用，其中IGBT的集電極連接將對應(yīng)于MOSFET的漏極連接， 并且IGBT的發(fā)射極連接將對應(yīng)于MOSFET的源極連接。在任一情況下，半橋電路的正輸入 端子（V in+)、負(fù)輸入端子（Vin_)和輸出端子（V^)對應(yīng)于圖2中示出的封裝200的不同的引 線。大體上被包括于封裝200中的半導(dǎo)體裸片的類型和數(shù)目依賴于封裝200被設(shè)計用于的 具體應(yīng)用，并且本文所述的、裸片電極至引線互連的實施例可以用于每個情況。
[0024] 如上所述，被包括于封裝200中的每個半導(dǎo)體裸片202、204在裸片的每一側(cè)上都 具有一個或多個電極。例如，第一裸片202具有在裸片202的下側(cè)203上的柵極電極201 和源極電極212、以及在裸片202的上側(cè)201上的漏極電極206。在相反的方式中，第二裸 片204具有在裸片204的上側(cè)207上的漏極電極208、以及在裸片204的上側(cè)205上的源極 電極214。第二裸片204的柵極電極在圖2中的視圖之外。第一裸片202具有根據(jù)該實施 例的所稱謂的"倒裝芯片"配置。然而，可以使用其它裸片配置。
[0025] 第一裸片202的源極/發(fā)射極電極212由第一結(jié)合層216(諸如導(dǎo)電焊料、粘合劑 或膠帶)連接到封裝200的第一引線218。第一引線218布置在第一裸片202下，具有高度 Hu，并且電連接到半橋電路的負(fù)輸入（Vin_)。第一引線218具有朝向背離裸片202、204的、 未被覆蓋的第一側(cè)219,以及經(jīng)由在封裝200的第一層（"層A")處的第一結(jié)合層216而連接 到在第一裸片202的下側(cè)203的源極/發(fā)射極電極212的相對的第二側(cè)221。第一裸片202 的柵極電極210由第二結(jié)合層220 (諸如導(dǎo)電焊料、粘合劑或膠帶）在與第一裸片202的源 極/發(fā)射極電極212相同的層(層A)處連接到封裝200的第二引線222。第二引線222電 連接到低側(cè)晶體管LS的柵極輸入（IN2)。
[0026] 封裝200還包括具有高度iVl并且終止于在封裝200中的、在第一層之上的第 二層（"層B"）處的第三引線224。第三引線224具有朝向背離裸片202、204的、未被覆蓋 的第一側(cè)225以及終止于第二層處的相對的第二側(cè)227。第二層對應(yīng)于第二裸片204的高 度，并且占裸片202、204和任何中間的結(jié)合層216、226、228的組合厚度。第三引線224電 連接到半橋電路的正輸入端子（V in+)。
[0027] 第二裸片204的漏極/集電極電極214由結(jié)合層230(諸如導(dǎo)電焊料、粘合劑或膠 帶)連接到由布置在第二裸片204和第三引線224之上的單個、連續(xù)的平面結(jié)構(gòu)的第一(上） 連接器232。第一平面連接器232在相同的第二層(層B)處連接到在第二裸片204的上側(cè) 205的漏極/集電極電極214以及第三引線224兩者，在第二裸片204的漏極/集電極電極 214和封裝200的第三引線224之間提供大面積平面連接。
[0028] 封裝200還包括具有高度& (其中Η?Β>1>Η?Α)并且終止于在封裝200中的第一 和第二層之間的第三層（"層C"）的第四引線234。封裝200的第三層對應(yīng)于第一裸片202 的高度，并且占第一裸片202以及在第一裸片202的下側(cè)203的結(jié)合層216的組合厚度。
[0029] 單個連續(xù)平面結(jié)構(gòu)的第二連接器236在第一和第二裸片202、204之間延伸到第四 引線234,并且將在第一裸片202的上側(cè)201的漏極/集電極電極206以及在第二裸片204 的下側(cè)207的源極/漏極電極208連接到第四引線234。第二平面連接器236在相同的第 三層(層C)處連接到在第一裸片202的上側(cè)201的源極/漏極電極206以及第四引線234 兩者。平面連接器232、236可以由附加的結(jié)合層226、228、230、238、240(諸如導(dǎo)電焊料、粘 合劑或膠帶）分別連接到對應(yīng)的引線。由模制化合物242 (諸如環(huán)氧樹脂)封裝半導(dǎo)體裸片 202、204、結(jié)合層216、226、228、230、238、240、平面連接器232、236的至少一部分、以及引線 218、222、224、234的至少部分，從而每個引線218、222、224、234的區(qū)段以及可選地連接器 232、236中的一個或兩者的部分保持不被模制化合物242覆蓋。
[0030] 圖4圖示了多層半導(dǎo)體封裝400的又一個實施例的頂視圖，并且圖5圖示封裝400 的透視側(cè)視圖。類似于圖2中示出的封裝，圖4和圖5中示出的封裝400包括形成在一個 示例性實施例中示出的圖3中示出的種類的半橋轉(zhuǎn)換器電路的至少兩個晶體管裸片402、 404。可以依賴于被包括在封裝400中的裸片的類型來實現(xiàn)其它電路配置。在圖4和圖5 中示出的被包括在封裝400中的裸片402、404被布置在相同的平面中，并且如圖2中所示 沒有一個堆疊在另一個上。在該純粹說明性的實施例中，到裸片402、404的電路連接與本 文中前述的關(guān)于圖3的半橋轉(zhuǎn)換器電路相同。在圖4中僅可見在第二裸片404的上側(cè)的柵 極電極406。第二裸片404的柵極電極406由接合線408連接到封裝400的第一引線410， 第一引線410電連接到高側(cè)晶體管HS的柵極輸入（N1)。第一引線410終止于在封裝400 中的第一層("層A")。單個連續(xù)平面結(jié)構(gòu)的連接器412將在第二裸片404的上側(cè)的源極電 極在封裝400中的相同層（"層B"）處連接到的第二引線414,并且在圖4中隱藏了大部分 的封裝組件。
[0031] 第二引線414電連接到半橋電路的輸出端子（Vwt)。在第一裸片402的上側(cè)的漏極 電極以及第二裸片404的上側(cè)的源極電極兩者都連接到平面連接器412。平面連接器412 在裸片402、404兩者之上延伸，并且分別連接到芯片402、404兩者的漏極和源極電極，并且 在封裝400的相同第三層(層B)處連接到第二引線414,在這些裸片電極和封裝400的第二 引線414之間提供大面積平面連接。在一個實施例中，平面連接器412具有大于裸片402、 404兩者的組合表面面積的表面面積。
[0032] 在第一裸片402的下側(cè)的柵極電極在封裝400的第一層(層A)處連接到第三引線 416。第三引線416電連接到低側(cè)晶體管LS的柵極輸入（IN2)。在第一裸片402的下側(cè)的 源極電極連接到第四引線418,第四引線418也終止于封裝400的第一層(層A)。第四引線 418電連接到半橋電路的負(fù)輸入（V in_)。在第二裸片404下的第五引線420類似地連接到在 第二裸片404的下側(cè)的漏極電極。第五引線420電連接到半橋電路的正輸入（V in+)。可以 由模制化合物來密封封裝400。
[0033] 本文所述的封裝可以具有標(biāo)準(zhǔn)的形狀因子（form-factor)，諸如S0 (小外形)、S0P (小外形封裝)、S0T (小外形晶體管封裝)、SuperS0 (英飛凌科技制造）等。大體上，本文所 述的封裝具有在封裝中的不同層的引線，并且使用單個連續(xù)平面結(jié)構(gòu)的連接器用于裸片電 極到引線的連接。
[0034] 諸如"之上"、"之下"、"較低"、"上"、"較高"等的空間相關(guān)術(shù)語用于以便于解釋一 個元件相對于第二個元件的定位的解釋。這些術(shù)語旨在于包含除了圖中描繪的那些不同方 位之外的設(shè)備的不同方位。此外，諸如"第一"、"第二"等的術(shù)語也用于描述各種元件、區(qū)域、 部分等，并且也不旨在于限制。類似的術(shù)語貫穿說明書指代相似的元件。
[0035] 如本文所使用的，"具有"、"包含"、"包括"、"含有"等是開放式的術(shù)語，指示描述的 元件和特征的存在，但是不排除其它的元件或特征。除了其它本文明確指示的，冠詞"一"、 "一個"和"該"旨在于包括復(fù)數(shù)以及單數(shù)。
[0036] 考慮以上變型和應(yīng)用的范圍，應(yīng)當(dāng)理解本發(fā)明不限于以上描述，也不由附圖限制。 相反，本發(fā)明僅通過以下權(quán)利要求和它們的法律等同限制。
【權(quán)利要求】
1. 一種半導(dǎo)體封裝，包括： 半導(dǎo)體裸片，具有在第一側(cè)處的第一電極和在與所述第一側(cè)相對的第二側(cè)處的第二電 極； 第一引線，在所述半導(dǎo)體裸片之下，并且在所述封裝的第一層處連接到所述第一電 極； 第二引線，具有大于所述第一引線的高度，并且在所述封裝中在所述第一層之上的第 二層處終止，所述第二層對應(yīng)于所述半導(dǎo)體裸片的高度；以及 單個連續(xù)平面結(jié)構(gòu)的連接器，在所述半導(dǎo)體裸片和所述第二引線之上，所述連接器在 相同的所述第二層處連接到所述第二電極和所述第二引線兩者。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述第一引線具有背離所述半導(dǎo)體裸片的 未被覆蓋的第一側(cè)，以及經(jīng)由插入在所述第一引線和所述第一電極之間的第一結(jié)合層連接 到所述第一電極的相對的第二側(cè)，其中所述第二引線具有背離所述半導(dǎo)體裸片的未被覆蓋 的第一側(cè)以及在所述第二層處終止的相對的第二側(cè)，并且其中所述連接器經(jīng)由第二結(jié)合層 連接到所述第二電極和所述第二引線的所述第二側(cè)兩者。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述結(jié)合層中每個都包括導(dǎo)電焊料、粘合 劑或膠帶。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，還包括： 第三引線，具有小于所述第二引線的高度；以及 接合線，將所述第三引線連接到在所述半導(dǎo)體裸片的所述第二側(cè)處的第三電極。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，還包括： 附加半導(dǎo)體裸片，具有在第一側(cè)的第一電極和在與所述第一側(cè)相對的第二側(cè)處的第二 電極；以及 第三引線，在所述附加半導(dǎo)體裸片之下，并且連接到所述附加半導(dǎo)體裸片的所述第一 電極， 其中所述連接器在所述附加半導(dǎo)體裸片之上延伸，并且在相同的所述第二層處連接到 兩個半導(dǎo)體裸片的所述第二電極和所述第二引線。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝，其中： 所述半導(dǎo)體裸片是半橋轉(zhuǎn)換器電路的低側(cè)晶體管，并且所述附加半導(dǎo)體裸片是所述半 橋轉(zhuǎn)換器電路的1?側(cè)晶體管； 所述半導(dǎo)體裸片的所述第一電極是所述低側(cè)晶體管的源極電極； 所述半導(dǎo)體裸片的所述第二電極是所述低側(cè)晶體管的漏極電極； 所述附加半導(dǎo)體裸片的所述第一電極是所述高側(cè)晶體管的漏極電極； 所述附加半導(dǎo)體裸片的所述第二電極是所述高側(cè)晶體管的源極電極； 所述第二引線被設(shè)計用作所述半橋轉(zhuǎn)換器電路的輸出；并且 所述連接器在相同的所述第二層處經(jīng)由結(jié)合層將所述第二引線連接到所述低側(cè)晶體 管的所述漏極電極，并且連接到所述高側(cè)晶體管的所述源極電極。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述連接器具有大于兩個晶體管裸片的組 合表面面積的表面面積。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，還包括密封所述半導(dǎo)體裸片、所述連接器的至 少一部分、以及所述引線的一部分的密封劑，從而每個引線的區(qū)段保持未被所述密封劑覆 蓋。
9. 一種制造半導(dǎo)體封裝的方法，所述方法包括： 提供半導(dǎo)體裸片，所述半導(dǎo)體裸片具有在第一側(cè)處的第一電極和在與所述第一側(cè)相對 的第二側(cè)處的第二電極； 將在所述半導(dǎo)體裸片之下的第一引線在所述封裝的第一層處連接到所述第一電極； 提供第二引線，所述第二引線具有大于所述第一引線的高度并且在所述封裝中在所述 第一層之上的第二層處終止，所述第二層對應(yīng)于所述半導(dǎo)體裸片的高度；以及 將布置在所述半導(dǎo)體裸片和所述第二引線之上的單個連續(xù)平面結(jié)構(gòu)的連接器在相同 的所述第二層處連接到所述第二電極和所述第二引線兩者。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述第一引線在所述第一層經(jīng)由第一結(jié)合層連 接到所述第一電極，并且其中所述連接器在相同的所述第二層處經(jīng)由第二結(jié)合層連接到所 述第二電極和所述第二引線兩者。
11. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，還包括：將具有小于所述第二引線的高度的第三引線 經(jīng)由接合線連接到在所述半導(dǎo)體裸片的所述第二側(cè)的第三電極。
12. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，還包括： 提供附加半導(dǎo)體裸片，所述附加半導(dǎo)體裸片具有在第一側(cè)處的第一電極和在與所述第 一側(cè)相對的第二側(cè)處的第二電極；以及 將在所述附加半導(dǎo)體裸片之下的第三引線連接到所述附加半導(dǎo)體裸片的所述第一電 極， 其中所述連接器在所述附加半導(dǎo)體裸片之上延伸，并且在相同的所述第二層處連接到 兩個半導(dǎo)體裸片的所述第二電極和所述第二引線。
13. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，還包括密封所述半導(dǎo)體裸片、所述連接器的至少一部 分、以及所述引線的一部分，從而每個引線的區(qū)段保持未被所述密封劑覆蓋。
14. 一種半導(dǎo)體封裝，包括： 第一半導(dǎo)體裸片，具有上側(cè)和下側(cè)； 第二半導(dǎo)體裸片，在所述第一裸片之上，并且所述第二半導(dǎo)體裸片具有背離所述第一 裸片的上側(cè)和與所述第一裸片的所述上側(cè)面對的下側(cè)； 在所述第一裸片上側(cè)的電極，在所述第一裸片和所述第二裸片之間連接到在所述第二 裸片的所述下側(cè)的電極； 第一引線，在所述第一裸片之下，并且所述第一引線在所述封裝的第一層處連接到在 所述第一裸片的所述下側(cè)處的電極； 第二引線，具有大于所述第一引線的高度，并且在所述封裝中在所述第一層之上的第 二層處終止，所述第二層對應(yīng)于所述第二裸片的高度；以及 單個連續(xù)平面結(jié)構(gòu)的連接器，在所述第二裸片和所述第二引線之上，所述連接器在相 同的所述第二層處連接到在所述第二裸片的所述上側(cè)的電極和所述第二引線兩者。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體封裝，還包括： 第三引線，具有在所述第一引線和所述第二引線之間的高度，并且在所述封裝中在所 述第一層和所述第二層之間的第三層處終止，所述第三層對應(yīng)于所述第一裸片的高度；以 及 單個連續(xù)平面結(jié)構(gòu)的附加連接器，在所述第一裸片和所述第二裸片之間延伸到所述第 三引線，并且將在所述第一裸片的所述上側(cè)的所述電極和在所述第二裸片的所述下側(cè)的所 述電極連接到所述第三引線，所述附加連接器在相同的所述第三層處連接到在所述第一裸 片的所述上側(cè)的所述電極和所述第三引線。
16. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述第一引線具有背離所述裸片的未被 覆蓋的第一側(cè)，以及經(jīng)由第一結(jié)合層連接到所述第一裸片的所述下側(cè)處的所述電極的相對 的第二側(cè)，其中所述第二引線具有背離所述裸片的未被覆蓋的第一側(cè)，以及在所述第二層 處終止的相對的第二側(cè)，并且其中所述連接器經(jīng)由第二結(jié)合層連接到在所述第二裸片的所 述上側(cè)的和在所述第二引線的所述第二側(cè)的所述電極兩者。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述結(jié)合層中每一個都包括導(dǎo)電焊料、 粘合劑或膠帶。
18. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體封裝，還包括第三引線，所述第三引線具有與所述 第一引線相同的高度，并且在所述封裝的所述第一層處連接到在所述第一裸片的所述下側(cè) 的附加電極。
19. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體封裝，其中： 所述第一裸片是半橋轉(zhuǎn)換器電路的低側(cè)晶體管，并且所述第二裸片是所述半橋轉(zhuǎn)換器 電路的1?側(cè)晶體管； 在所述第一裸片的所述下側(cè)的所述電極是所述低側(cè)晶體管的源極電極； 在所述第一裸片的所述上側(cè)的所述電極是所述低側(cè)晶體管的漏極電極； 在所述第二裸片的所述上側(cè)的所述電極是所述高側(cè)晶體管的漏極電極； 在所述第二裸片的所述下側(cè)的所述電極是所述高側(cè)晶體管的源極電極； 所述第二引線被指定作為所述半橋轉(zhuǎn)換器電路的輸出；并且 所述連接器將所述第二引線在相同的所述第二層處經(jīng)由結(jié)合層連接到所述低側(cè)晶體 管的所述漏極電極，并且連接到所述高側(cè)晶體管的所述源極電極。
20. -種制造半導(dǎo)體封裝的方法，所述方法包括： 將在第一半導(dǎo)體裸片的下側(cè)的電極在所述封裝的第一層處連接到在所述第一裸片之 下的第一引線； 將在所述第一裸片的上側(cè)的電極連接到在布置在所述第一裸片之上的第二半導(dǎo)體裸 片的下側(cè)的電極；并且 經(jīng)由布置在所述第二裸片和所述第二引線之的單個連續(xù)平面結(jié)構(gòu)的連接器，將在所述 第二裸片的上側(cè)的電極在所述封裝在所述第一層之上的相同的第二層處連接到第二引線， 所述第二引線具有大于所述第一引線的高度并且在所述第二層處終止，所述第二層對應(yīng)于 所述第二裸片的高度。
21. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中將在所述第一裸片的所述上側(cè)的所述電極連接 到在所述第二裸片的所述下側(cè)的所述電極包括：經(jīng)由布置在所述第一裸片和所述第二裸片 之間的單個連續(xù)平面結(jié)構(gòu)的附加連接器，將在所述第一裸片的所述上側(cè)的所述電極以及在 所述第二裸片的所述下側(cè)的所述電極在所述封裝的所述第一層和所述第二層之間的相同 的第三層處連接到第三引線，所述第三引線具有在所述第一引線和所述第二引線之間的高 度并且在所述第三層處終止，所述第三層對應(yīng)于所述第一裸片的高度。
22.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，還包括：將在所述第一裸片的所述下側(cè)的附加的電 極在所述封裝中的所述第一層處連接到第三引線，所述第三引線具有與所述第一引線相同 的所述高度。
【文檔編號】H01L23/49GK104103617SQ201410129154
【公開日】2014年10月15日 申請日期:2014年4月1日 優(yōu)先權(quán)日:2013年4月2日
【發(fā)明者】R·奧特雷姆巴, J·赫格勞爾, K·希斯, 鐘蔡梅 申請人:英飛凌科技奧地利有限公司