顯示單元、其制造方法以及電子設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種顯示單元，其包括：多個第一電極；金屬構(gòu)件，設(shè)置在該第一電極周圍；絕緣層，具有在多個第一電極的對應(yīng)一個第一電極上的第一開口和在金屬構(gòu)件上的第二開口；有機發(fā)光層，設(shè)置在包括第一開口的底部表面但不包括第二開口的底部表面的全部或部分的表面上；分隔壁，設(shè)置為至少接觸絕緣層，其中分隔壁的形成工藝與絕緣層的形成工藝不同；以及第二電極，設(shè)置為與接觸區(qū)域以及有機發(fā)光層中的第一開口的底部表面之上的部分接觸，其中接觸區(qū)域是第二開口的底部表面的一部分。
【專利說明】顯示單元、其制造方法以及電子設(shè)備

【背景技術(shù)】
[0001] 本發(fā)明涉及包括用于每個像素的有機發(fā)光層的顯示單元、制造該顯示單元的方法 以及包括這樣顯示單元的電子設(shè)備。
[0002] 近年來，在實現(xiàn)圖像顯示的顯示單元領(lǐng)域中，已經(jīng)開發(fā)了采用電流驅(qū)動類型的發(fā) 光元件的顯示單元，例如，有機電致發(fā)光（Electro Luminescence, EL)元件，在電流驅(qū)動類 型的發(fā)光元件的發(fā)光亮度根據(jù)流動的電流值變化，并且已經(jīng)得到商業(yè)化推廣。與液晶元件 等不同，有機EL元件是自發(fā)光元件。因此，在采用有機EL元件的顯示單元(有機EL顯示單 元）中，光源(背光）是不需要的，并且因此，與需要光源的液晶顯示單元相比，可以更容易實 現(xiàn)薄體和高亮度。
[0003] 將有機EL顯示單元的EL發(fā)光的取出方式包括通過支撐基板取出EL發(fā)光的底部 發(fā)光式和將EL發(fā)光取出到支撐基板相對側(cè)的頂部發(fā)光式。在有源矩陣型底部發(fā)光式有機 EL顯示單元中，妨礙EL發(fā)光的諸如薄膜晶體管（TFT)之類的電路設(shè)置在有機發(fā)光元件下 方，并且因此，不大可能能夠保障足夠的開口率，并且不大可能改善光利用率。相反，在頂部 發(fā)光式有機EL顯示單元中，EL發(fā)光提取到支撐基板的相對側(cè)，并且因此，開口率不會受到 設(shè)置在支撐基板上的電路的影響，并且獲得很高的光利用率。
[0004] 在頂部發(fā)光式有機EL顯示單元中，采用透光導(dǎo)電膜作為光提取側(cè)的電極。在有機 矩陣型顯示單元的情況下，在整個像素區(qū)域中形成導(dǎo)電膜。因為導(dǎo)電膜的電阻與通常的金 屬材料的電阻相比非常高，由此容易產(chǎn)生由電壓降導(dǎo)致的顯示上的不均衡。因此，例如，如 日本未審查專利申請公開No. 2002-318566 (JP2002-318566A)中所述，具有低電阻的多個 輔助配線設(shè)置在整個像素區(qū)域中，并且這樣的輔助配線電連接到導(dǎo)電膜。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 例如，如JP2002-318566A中所述，作為將導(dǎo)電膜電連接到輔助配線的方法，可預(yù) 期這樣的方法，其中輔助配線的頂表面的一部分設(shè)定到接觸區(qū)域，并且導(dǎo)電膜形成在該接 觸區(qū)域上。在此情況下，為了保證接觸區(qū)域和導(dǎo)電膜之間的電連接，必須將有機發(fā)光層的形 成區(qū)域設(shè)置在遠(yuǎn)離接觸區(qū)域的位置，使得在形成導(dǎo)電膜的工藝前形成有機發(fā)光層的工藝中 不將有機發(fā)光層形成在接觸區(qū)域上。然而，在此情況下，存在的缺點是有機發(fā)光層的形成區(qū) 域減小了尺寸，并且減小了開口率。
[0006] 為了解決前述缺點，例如，在日本未審查專利申請公開No. 2007-73323 (JP2007-73323A)和 No. 2007-103098 (JP2007-103098A)中，描述了這樣的情況，其中通過 完整地形成有機發(fā)光層然后去除其一部分而形成接觸區(qū)域。然而，在此情況下，存在的缺點 是由于有機發(fā)光層的去除工藝中的殘留物而降低了成品率。
[0007] 希望提供一種顯示單元，其中使得可以不采用去除有機發(fā)光層的工藝而形成接觸 區(qū)域，并且使得可以增加開口率，還希望提供一種制造該顯示單元的方法以及一種包括這 樣顯示單元的電子設(shè)備。
[0008] 根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所提供的顯示單元包括：多個第一電極；金屬構(gòu)件，設(shè) 置在第一電極周圍；絕緣層，具有在第一電極的對應(yīng)一個上的第一開口和在金屬構(gòu)件上的 第二開口；有機發(fā)光層，設(shè)置在包括第一開口的底部表面的表面但不包括第二開口的全部 或部分底部表面的表面上；分隔壁，設(shè)置為至少與第二開口的底部表面的一部分以及絕緣 層中的絕緣層接觸，分隔壁形成的工藝與絕緣層的形成工藝不同；以及第二電極，設(shè)置為與 接觸區(qū)域接觸且與有機發(fā)光層中的第一開口的底部表面之上的一部分接觸，接觸區(qū)域是第 二開口的底部表面的一部分。
[0009] 根據(jù)本發(fā)明的實施例，提供了一種具有顯示單元的電子設(shè)備。該顯示單元包括：多 個第一電極；金屬構(gòu)件，設(shè)置在第一電極周圍；絕緣層，具有在第一電極的對應(yīng)一個上的第 一開口和在金屬構(gòu)件上的第二開口；有機發(fā)光層，設(shè)置在包括第一開口的底部表面但不包 括第二開口的全部或部分底部表面的表面上；分隔壁設(shè)置為至少與第二開口的底部表面的 一部分以及絕緣層中的絕緣層接觸，其中分隔壁形成的工藝與絕緣層的形成工藝不同；以 及第二電極，設(shè)置為與接觸區(qū)域接觸且與有機發(fā)光層中第一開口的底部表面之上的一部分 接觸，其中接觸區(qū)域是第二開口的底部表面的一部分。
[0010] 在根據(jù)本發(fā)明上述實施例的顯示單元和電子設(shè)備中，分隔壁設(shè)置為至少與金屬構(gòu) 件上第二開口的底部表面的一部分以及絕緣層中的絕緣層接觸。因此，例如，通過由氣相沉 積法(例如蒸發(fā)法）形成有機發(fā)光層，使得有機發(fā)光層可以形成在包括第一開口的底部表面 的表面上，而接觸區(qū)域形成在分隔壁之后(被隱藏在后)。
[0011] 根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，提供了制造顯示單元的方法，該方法包括：形成絕緣 層，該絕緣層具有在多個第一電極的對應(yīng)一個上的第一開口和在金屬構(gòu)件上的第二開口， 金屬構(gòu)件設(shè)置在第一電極周圍；通過氣相擴散法形成分隔壁，該分隔壁至少與第二開口的 底部表面的一部分以及絕緣層中的絕緣層接觸；通過氣相沉積法在包括第一開口的底部表 面但不包括第二開口的底部表面的全部或一部分的表面上形成有機發(fā)光層；以及通過氣 相沉積法形成第二電極，其中與形成有機發(fā)光層所用的氣相沉積法相比減小了入射角的偏 斜，該第二電極與接觸區(qū)域接觸且與有機發(fā)光層中的第一開口的底部表面之上的一部分接 觸，接觸區(qū)域是第二開口的底部表面的一部分。
[0012] 在根據(jù)本發(fā)明上述實施例的顯示單元制造方法中，通過由氣相沉積法形成有機發(fā) 光層，使得有機發(fā)光層可以形成在包括第一開口的底部表面的表面上，而接觸區(qū)域形成在 分隔壁之后(被隱藏在后)。
[0013] 根據(jù)本發(fā)明上述實施例中的顯示單元、其制造方法以及電子設(shè)備，分隔壁設(shè)置為 至少與金屬構(gòu)件上第二開口的底部表面的一部分以及絕緣層中的絕緣層接觸。因此，使得 有機發(fā)光層設(shè)置在包括第一開口的底部表面的表面上，而接觸區(qū)域形成在分隔壁之后(被 隱藏在后)。因此，使得可以不采用去除有機發(fā)光層的工藝而形成接觸區(qū)域，并且使得可以 提商開口率。
[0014] 應(yīng)理解，前述的總體描述以及下面的詳細(xì)描述都是示范性的，并且旨在對所要求 保護的本發(fā)明提供進一步說明。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0015] 包含附圖以提供對本發(fā)明公開的進一步理解，并且結(jié)合在該說明書中且構(gòu)成其一 部分。附圖示出了實施例，并且與說明書一起用于說明本發(fā)明的原理。
[0016] 圖1是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的顯示單元示意性構(gòu)造的示意圖。
[0017] 圖2是示出每個像素中電路構(gòu)造示例的示意圖。
[0018] 圖3是示出排列在行方向上的三個像素的行方向上截面構(gòu)造示例的示意圖。
[0019] 圖4是示出一個像素的列方向上及其附近的截面構(gòu)造示例的示意圖。
[0020] 圖5是示出圖4中輔助配線附近截面構(gòu)造的放大圖。
[0021] 圖6是示出像素區(qū)域中像素電極、輔助配線、分隔壁和接觸區(qū)域的布置示例的示 意圖。
[0022] 圖7是示出像素區(qū)域中有機發(fā)光層、分隔壁和接觸區(qū)域的布置示例的示意圖。
[0023] 圖8A是示出分隔壁平面形狀示例的示意圖。
[0024] 圖8B是示出分隔壁平面形狀示例的示意圖。
[0025] 圖8C是示出分隔壁平面形狀示例的示意圖。
[0026] 圖8D是示出分隔壁平面形狀示例的示意圖。
[0027] 圖8E是示出分隔壁平面形狀示例的示意圖。
[0028] 圖8F是示出分隔壁平面形狀示例的示意圖。
[0029] 圖9是示出制造顯示單元的一系列工藝示例的截面圖。
[0030] 圖10是示出圖9的工藝后的工藝示例的截面圖。
[0031] 圖11是示出圖10的工藝后的工藝示例的截面圖。
[0032] 圖12是示出根據(jù)比較示例的顯示面板的像素區(qū)域中像素電極、輔助配線和接觸 區(qū)域的布置示例的示意圖。
[0033] 圖13是示出根據(jù)比較示例的顯示面板的像素區(qū)域中有機發(fā)光層和接觸區(qū)域的布 置示例的示意圖。
[0034] 圖14是示出一個像素的列方向上及其附近的截面構(gòu)造的第一變型的示意圖。
[0035] 圖15是示出制造包括圖14的截面構(gòu)造的顯示單元的一系列工藝示例的截面圖。
[0036] 圖16是示出圖15工藝后的工藝示例的截面圖。
[0037] 圖17是示出圖16工藝后的工藝示例的截面圖。
[0038] 圖18是示出圖15工藝后的另一個工藝示例的截面圖。
[0039] 圖19是示出圖18工藝后的工藝示例的截面圖。
[0040] 圖20是示出一個像素的列方向上及其附近的截面構(gòu)造的第二變型的示意圖。
[0041] 圖21是示出一個像素的列方向上及其附近的截面構(gòu)造的第三變型的示意圖。
[0042] 圖22A是示出制造包括圖21的截面構(gòu)造的顯示單元的一系列工藝的示例的截面 圖。
[0043] 圖22B是示出圖22A的工藝后的工藝示例的截面圖。
[0044] 圖23A是示出制造包括圖21的截面構(gòu)造的顯示單元的一系列工藝的另一個示例 的截面圖。
[0045] 圖23B是示出圖23A的工藝后的工藝的示例的截面圖。
[0046] 圖23C是示出圖23B的工藝后的工藝的示例的截面圖。
[0047] 圖23D是示出圖23C的工藝后的工藝的示例的截面圖。
[0048] 圖24是示出一個像素的列方向上及其附近的截面構(gòu)造的第四變型的示意圖。
[0049] 圖25是示出一個像素在列方向上及其附近的截面構(gòu)造的第五變型的示意圖。
[0050] 圖26是示出一個像素在列方向上及其附近的截面構(gòu)造的第六變型的示意圖。
[0051] 圖27是示出一個像素在列方向上及其附近的截面構(gòu)造的第七修改的示意圖。
[0052] 圖28是示出行方向上排列的三個像素在行方向上的截面構(gòu)造的第一變型的示意 圖。
[0053] 圖29是示出行方向上排列的三個像素在行方向上的截面構(gòu)造的第二變型的示意 圖。
[0054] 圖30是示出根據(jù)前述實施例和修改的任何一個的顯示單元的應(yīng)用示例1的外觀 的透視圖。
[0055] 圖31A是示出應(yīng)用示例2的從前側(cè)看的外觀的透視圖。
[0056] 圖31B是示出應(yīng)用示例2的從后側(cè)看的外觀的透視圖。
[0057] 圖32是示出應(yīng)用示例3的外觀的透視圖。
[0058] 圖33是示出應(yīng)用示例4的外觀的透視圖。
[0059] 圖34A是應(yīng)用示例5在打開狀態(tài)下的正面視圖，圖34B是其側(cè)視圖，圖34C是應(yīng)用 示例5在閉合狀態(tài)下的正面視圖，圖34D是其左視圖，圖34E是其右視圖，圖34F是其俯視 圖，而圖34G是其仰視圖。

【具體實施方式】
[0060] 下面將參考附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的實施例。說明將以下列順序給出。
[0061] 1.實施例(顯示單元）
[0062] 2.變型(顯示單元）
[0063] 3.應(yīng)用不例（電子設(shè)備）
[0064] 1.實施例
[0065] 構(gòu)造
[0066] 圖1示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的顯示單元1的示意性構(gòu)造。例如，顯示單元1可包 括顯示面板10和連接到顯示面板10的柔性印刷電路板（FPC) 20 (在下文稱為"FPC20")。
[0067] 例如，顯示面板10可構(gòu)造為根據(jù)從外部輸入的圖像信號Vsigl至VsigN和同步信 號TP顯示圖像。顯示面板10例如可具有其中在矩陣圖案中形成多個像素11的像素區(qū)域 12、信號線驅(qū)動電路13和掃描線驅(qū)動電路14。例如，顯示面板10可構(gòu)造為當(dāng)各像素11由 信號線驅(qū)動電路13和掃描線驅(qū)動電路14主動驅(qū)動時根據(jù)圖像信號Vsigl至VsigN顯示圖 像。
[0068] 顯示面板10具有在行方向上延伸的多個寫入線WSL和在列方向上延伸的多個信 號線DTL。像素11設(shè)置為對應(yīng)于信號線DTL和寫入線WSL之間的交叉點。各信號線DTL連 接到信號線驅(qū)動電路13的輸出端。各寫入線WSL連接到掃描線驅(qū)動電路14的輸出端。
[0069] 信號線驅(qū)動電路13可構(gòu)造為通過FPC20從外部輸入給各像素 11提供用于一個 水平線的作為信號電壓的模擬圖像信號Vsigl至VsigN。具體而言，信號線驅(qū)動電路13可 構(gòu)造為例如通過信號線DTL為各個像素11提供用于一個水平線的模擬圖像信號Vsigl至 VsigN，各個像素11構(gòu)成由掃描線驅(qū)動電路14選擇的一個水平線。
[0070] 掃描線驅(qū)動電路14例如可構(gòu)造為根據(jù)通過FPC20從外部輸入的同步信號TP選擇 所要驅(qū)動的像素11。具體而言，掃描線驅(qū)動電路14例如構(gòu)造為通過掃描線WSL向像素11 的像素電路施加選擇脈沖(稍后描述）而從設(shè)置成矩陣圖案的多個像素11當(dāng)中選擇一行像 素11作為所需驅(qū)動的像素。在所需驅(qū)動的像素11中，根據(jù)從信號線驅(qū)動電路13提供的信 號電壓顯示一個水平線。如上所描述，掃描線驅(qū)動電路14例如構(gòu)造為以分時方式順序掃描 每一個水平線，并且在整個像素區(qū)域12上執(zhí)行顯示。
[0071] 圖2示出了像素11中電路構(gòu)造的示例。像素11的每一個例如可具有像素電路15 和有機EL元件16。有機EL元件16例如可具有其中順序?qū)盈B陽極電極、有機發(fā)光層和陰極 電極的構(gòu)造。像素電路15例如可由驅(qū)動晶體管Trl、寫入晶體管Tr2和保持電容器Cs構(gòu) 成，并且具有2TrlC電路構(gòu)造。寫入晶體管Tr2構(gòu)造為控制向驅(qū)動晶體管Trl的柵極施加 信號電壓。具體而言，寫入晶體管Tr2構(gòu)造為取樣信號線DTL的電壓，并且將結(jié)果寫入在驅(qū) 動晶體管Trl的柵極上。驅(qū)動晶體管Trl構(gòu)造為驅(qū)動有機EL元件16,并且串聯(lián)連接到有機 EL元件16。驅(qū)動晶體管Trl構(gòu)造為根據(jù)寫入晶體管Tr2寫入電壓的大小通過有機EL元件 16控制電流流動。保持電容器Cs構(gòu)造為在驅(qū)動晶體管Trl的柵極和源極之間保持預(yù)定的 電壓。應(yīng)注意，像素電路15可具有通過向前述2TrlC電路增加各種電容器和/或晶體管而 獲得的電路構(gòu)造，或者可具有與前述2TrlC電路構(gòu)造不同的電路構(gòu)造。
[0072] 驅(qū)動晶體管Trl和寫入晶體管Tr2的每一個例如可由η-溝道M0S-型薄膜晶體管 (TFT)形成。應(yīng)注意，TFT的類型沒有特別限制，并且例如可為倒置交錯結(jié)構(gòu)(所謂的底柵型） 或交錯結(jié)構(gòu)(頂柵型)。此外，驅(qū)動晶體管Trl和寫入晶體管Tr2的每一個例如可由p-溝道 M0S-型TFT形成。
[0073] 寫入晶體管Tr2的柵極連接到掃描線WSL。寫入晶體管Tr2的源極和漏極之一連 接到信號線DTL，并且其另一個連接到驅(qū)動晶體管Trl的柵極。驅(qū)動晶體管Trl的源極和漏 極之一連接到電源線Vcc，并且其另一個連接到有機EL元件16的陽極。保持電容器Cs的 一端連接到驅(qū)動晶體管Trl的柵極，并且保持電容器Cs的另一端連接到驅(qū)動晶體管Trl的 源極和漏極在有機EL元件16側(cè)的端子。
[0074] 例如，如圖2所示，顯示面板10可進一步具有連接到有機EL元件16的陰極的接 地線GND。接地線GND電連接到具有接地電位的外部電路。接地線GND例如可為形成在整 個像素區(qū)域12上的片狀電極。接地線GND可為條狀電極，形成為對應(yīng)于像素行或像素列的 條狀。
[0075] 像素11的每一個對應(yīng)于構(gòu)成顯示面板10上的屏幕的最小單元點。顯示面板10 是彩色顯示面板，并且像素11可對應(yīng)于發(fā)射例如紅光、綠光和藍光的單色光的子像素。像 素11可對應(yīng)于發(fā)射諸如紅光、綠光、藍光和白光的單色光的子像素；或者可對應(yīng)于發(fā)射諸 如紅光、綠光、藍光和黃光的單色光的子像素。下面，在像素11的每一個對應(yīng)于發(fā)射紅、綠 或藍單色光的子像素的情況下描述像素11。
[0076] 圖3示出了在行方向上排列的三個像素 11的行方向上的截面構(gòu)造的示例。在該 實施例中，作為彩色顯示器的像素(彩色像素)由具有不同發(fā)光顏色的三個像素11構(gòu)成。彩 色像素中包括的三個像素11是發(fā)射紅光的像素11R、發(fā)射綠光的像素11G和發(fā)射藍光的像 素11B。在每個彩色像素中，三個像素11在行方向上直線排列，并且例如可在圖中從左至右 的方向上按像素11R、像素11G和像素11B的順序排列。此外，各個彩色像素設(shè)置成矩陣圖 案，并且在列方向上彼此相鄰的兩個像素11發(fā)射相同顏色的光。就是說，像素區(qū)域12中的 像素設(shè)置是所謂的條紋設(shè)置。
[0077] 顯示面板10例如可具有多個位于其中形成像素電路15的電路基板21上的有機 EL元件16。有機EL元件16具有其中有機發(fā)光層24夾設(shè)在像素電極22和透明電極25之 間的結(jié)構(gòu)。就是說，像素電極22和透明電極25提供在像素區(qū)域12中。像素電極22對應(yīng) 于本發(fā)明一個實施例中〃第一電極〃的具體示例。透明電極25對應(yīng)于本發(fā)明一個實施例 中〃第二電極〃的具體示例。像素電極22相對于有機發(fā)光層24形成在電路基板21側(cè)，并 且例如可用作有機EL元件16的陽極電極。為每個像素11獨立地提供每一個像素電極22。 多個像素電極22在顯示面板10內(nèi)的一個平面中設(shè)置成矩陣圖案。像素電極22由金屬材 料制造，并且也用作反射鏡以反射從透明電極25側(cè)的有機發(fā)光層24發(fā)射的光。
[0078] 相反，透明電極25相對于有機發(fā)光層24形成在與電路基板21側(cè)相對的一側(cè)，并 且例如可用作有機EL元件16的陰極電極。透明電極25是形成在整個像素區(qū)域12上的片 狀電極。透明電極25可為條狀電極，該條狀電極形成為對應(yīng)于像素行或像素列的條狀。透 明電極25例如可對應(yīng)于前述的接地線GND。透明電極25用作各像素11中的公用電極。
[0079] 透明電極25是通過其透射可見光的電極，并且由透光導(dǎo)電材料制成。透光導(dǎo)電材 料的不例可包括包含Mg、Ag、Al、Cu和Au中的一種或多種的金屬及其合金。透光導(dǎo)電材料 可為其中包含Ca和Li的一種或二種的前述金屬的任何一種中或前述合金的任何一種中的 材料。在包含Ca和Li的一種或二種的前述金屬的任何一種中或前述合金的任何一種中的 情況下，改善了導(dǎo)電材料的透光性(透明性)。例如，透光導(dǎo)電材料可由包含Ca和Li的一種 或二種、Mg以及Ag的任何金屬和合金。在透明電極25由前述金屬的任何一種或前述合金 的任何一種制成的情況下，透明電極25可通過氣相沉積法(例如蒸發(fā)法)形成。透光導(dǎo)電材 料例如可由ΙΤΟ、ΙΖ0等制成。在透明電極25由ΙΤ0或ΙΖ0制成的情況下，透明電極25可 通過氣相沉積法(例如濺射法）形成。
[0080] 有機發(fā)光層24例如從像素電極22側(cè)開始可順序具有改善空穴注入效率的空穴注 入層、改善將空穴傳輸?shù)桨l(fā)光層的效率的空穴傳輸層、由于電子-空穴再結(jié)合產(chǎn)生光的發(fā) 光層、以及改善將電子傳輸?shù)桨l(fā)光層的效率的電子傳輸層。有機射光層24發(fā)射白光。前述 發(fā)光層例如可具有層疊結(jié)構(gòu)，從像素電極22側(cè)開始依次包括發(fā)射紅光的發(fā)光層、發(fā)射綠光 的發(fā)光層、以及發(fā)射藍光的發(fā)光層?？昭ㄗ⑷雽印⒖昭▊鬏攲?、發(fā)光層和電子傳輸層例如可 由日本未審查專利申請公開No. 2012-209095中描述的材料制成。有機發(fā)光層24可通過氣 相沉積法(例如蒸發(fā)法）形成。
[0081] 例如，如圖3所示，顯示面板10可具有在相鄰有機EL元件16之間的間隙中的絕 緣層23。絕緣層23隔離并彼此絕緣相鄰的像素電極22,并且是像素限定膜以精確地形成 發(fā)光區(qū)域的所希望形狀。絕緣層23形成在與像素電極22相同的表面上，并且埋設(shè)在像素 電極22周圍。絕緣層23的頂部表面設(shè)置為高于像素電極22的頂部表面。絕緣層23在與 像素電極22的頂部表面相對的位置處具有限定發(fā)光區(qū)域形狀的開口（像素開口 23A)。像素 開口 23A對應(yīng)于本發(fā)明一個實施例中的〃第一開口 〃的具體示例。有機發(fā)光層24至少形 成在像素開口 23A內(nèi)，并且與像素電極22的頂表面當(dāng)中的像素開口 23A的底部表面上暴露 的部分接觸。透明電極25也至少形成在像素開口 23A內(nèi)，并且與有機發(fā)光層24的頂部表 面當(dāng)中的像素開口 23A之上的部分接觸。絕緣層23由能透射可見光的樹脂材料制成，并且 例如可由聚酰亞胺制成。
[0082] 顯不面板10例如可具有與電路基板21位置相對的對置基板29,其間具有預(yù)定的 間隙。對置基板29構(gòu)造為保護像素電路15、有機EL元件16等，并且例如可由玻璃基板或 透光樹脂基板制成。顯不面板10例如可具有在對置基板29的后表面（電路基板21側(cè)的表 面）上的濾色器27和黑矩陣28。
[0083] 濾色器27設(shè)置在與像素電極22相對的位置，并且至少設(shè)置在像素11內(nèi)。濾色器 27構(gòu)造為以所希望的波長帶選擇性地透射從有機發(fā)光層24發(fā)出的光。在濾色器27中，例 如，使選擇性透射的光的波長帶對于像素11R、像素11G和像素11B的每一個均不同。例如， 濾色器27可具有在像素11R中選擇性透射紅光的紅色濾光片27R、在像素11G中選擇性透 射綠光的綠色濾光片27G、以及在像素11B中選擇性透射藍光的藍色濾光片27B。
[0084] 黑矩陣28設(shè)置在不與像素電極22相對的位置(就是說，在像素11周圍），并且例 如可設(shè)置在與濾色器27相同的平面中。黑矩陣28構(gòu)造為阻擋從像素區(qū)域12中的像素11 周圍泄漏的光，并且例如可包含吸收從有機發(fā)光層24發(fā)出的光的材料。
[0085] 顯示面板10例如可具有在電路基板21和對置基板29之間間隙中的絕緣層26。 絕緣層26形成為埋設(shè)在電路基板21和對置基板29之間的間隙中。絕緣層26例如可設(shè)置 在透明電極25和濾色器27之間以及透明電極25和黑矩陣28之間，并且可與透明電極25、 濾色器27和黑矩陣28接觸。絕緣層26由能透射可見光的樹脂材料制成，并且例如可由聚 酰亞胺制成。
[0086] 圖4示出了一個像素11在列方向上及其附近的截面構(gòu)造的示例。圖5示出了圖4 中輔助配線30 (稍后描述）附近的放大截面構(gòu)造。圖6示出了像素區(qū)域12中像素電極22 (22R、22G和22B)、輔助配線30、分隔壁31 (稍后描述）和接觸區(qū)域30A (稍后描述）的布置 示例。應(yīng)注意，圖3的截面圖對應(yīng)于沿著圖6的線A-A剖取的截面。圖4和圖5的截面對 應(yīng)于沿著圖6的線B-B剖取的截面。圖7示出了像素區(qū)域12中有機發(fā)光層24、分隔壁31 和接觸區(qū)域30A的布置示例。
[0087] 顯示面板10例如可具有在像素11 (或像素電極22)周圍的多個輔助配線30。輔 助配線30提供為相鄰于像素電極22,并且提供在多個像素電極22當(dāng)中的兩個相鄰像素電 極22之間的間隙中。輔助配線30對應(yīng)于本發(fā)明一個實施例中的〃金屬構(gòu)件〃的具體示例。 輔助配線30用于減小由于透明電極25的大電阻而產(chǎn)生的電壓降。輔助配線30形成在電 路基板21上，并且例如可以與像素電極22設(shè)置在同一平面內(nèi)。輔助配線30例如可在一個 制造工藝中與像素電極22 -起形成，并且可由與像素電極22相同的材料制成且具有與像 素電極22相同的厚度。輔助配線30例如可由包含Au、Pt、Ni、Cr、Cu、W、Mo和Ag中的一種 或多種材料的金屬及其合金的任何一種制造。多個輔助配線30以與像素電極22絕緣的狀 態(tài)設(shè)置在像素11周圍。多個輔助配線30例如可在兩個在列方向上彼此相鄰的像素11之 間的間隙中的行方向上延伸。
[0088] 輔助配線30可形成在與像素電極22不同的平面中，并且例如可形成在比像素電 極22的層低的層中。然而，在此情況下，例如，顯示面板10可優(yōu)選具有多個焊盤狀輔助電 極，以電連接到像素11 (或像素電極22)周圍的輔助配線30。輔助電極提供為臨近像素電 極22,并且提供在多個像素電極22當(dāng)中的兩個相鄰像素電極22之間的間隙中。輔助電極 對應(yīng)于本發(fā)明一個實施例中的"金屬構(gòu)件"的具體示例。輔助電極用于減小由于透明電極 25的大電阻而產(chǎn)生的電壓降。輔助電極形成在電路基板21上，并且例如可與像素電極22 設(shè)置在同一平面內(nèi)。輔助電極例如可在一個制造工藝中與像素電極22 -起形成，并且可由 與像素電極22相同的材料制成且與像素電極22具有相同的厚度。輔助電極例如可由包含 Au、Pt、Ni、Cr、Cu、W、Mo和Ag的一種或多種材料的金屬及其合金的任何一種制成。多個輔 助電極以與像素電極22絕緣的狀態(tài)設(shè)置在像素11周圍。多個輔助電極例如可設(shè)置在兩個 在列方向上彼此相鄰的像素11之間的間隙中。
[0089] 絕緣層23使像素電極22與相鄰于該像素電極22的輔助配線30絕緣且隔離，而 且絕緣層23埋設(shè)在輔助配線30周圍。絕緣層23的頂部表面設(shè)置為高于輔助配線30的頂 部表面。絕緣層23在與輔助配線30的頂部表面相對的位置具有用于將輔助配線30電連 接到透明電極25的開口（接觸開口 23B)。接觸開口 23B對應(yīng)于本發(fā)明一個實施例中的〃第 二開口 〃的具體示例。透明電極25也形成在接觸開口 23B內(nèi)，并且與輔助配線30的頂部 表面當(dāng)中的接觸開口 23B的底部表面上暴露部分的一部分接觸。在下面的描述中，在接觸 開口 23B的底部表面中，與透明電極25接觸的部分稱為接觸區(qū)域30A。接觸區(qū)域30A是輔 助配線30的頂部表面當(dāng)中沒有被絕緣層23和下述分隔壁31覆蓋的區(qū)域。應(yīng)注意，在提供 前述輔助電極的情況下，〃輔助配線30〃將看作本段之上和之下的〃輔助電極〃。
[0090] 顯示面板10在與每個接觸區(qū)域30A相鄰的位置具有分隔壁31。接觸區(qū)域30A存 在于分隔壁31和像素電極22之間。就是說，分隔壁31設(shè)置為相對于像素電極22,其間在 平面上具有接觸區(qū)域30A。接觸區(qū)域30A和分隔壁31例如可設(shè)置在列方向上彼此相鄰的兩 個像素11 (或兩個像素電極22)之間的間隙中。應(yīng)注意，在該實施例中，接觸區(qū)域30A和分 隔壁31例如可設(shè)置于在行方向上彼此相鄰的兩個彩色像素之間的間隙中。分隔壁31用于 在制造工藝中在平面上選擇性地形成有機發(fā)光層24。分隔壁31可與對置基板29或黑矩陣 28接觸，其間在分隔壁31的頂表面上還形成有透明電極25。在此情況下，例如，分隔壁31 也可具有支撐對置基板29的功能。應(yīng)注意，分隔壁31可形成為低到同樣形成在分隔壁31 的頂部表面上的透明電極25不與對置基板29或黑矩陣28接觸的程度。
[0091] 分隔壁31與輔助配線30的頂部表面當(dāng)中的接觸開口 23B的底部表面上暴露部分 的一部分接觸。具體而言，分隔壁31與接觸開口 23B的底部表面當(dāng)中接觸區(qū)域30A之外的 區(qū)域接觸。例如，如上所述，在通過氣相沉積法(例如蒸發(fā)法)形成有機發(fā)光層24的情況下， 有機發(fā)光層24形成在像素區(qū)域12的除了位于分隔壁31后面的區(qū)域(接觸區(qū)域30A)外的 整個表面上。盡管取決于在制造方法中采用分隔壁31，但是有機發(fā)光層24在某些情況下 可形成在接觸開口 23B的底部表面的一部分上(與其接觸)，或者有機發(fā)光層24在某些情況 下可不形成在接觸開口 23B的底部表面上(不與其接觸)。就是說，有機發(fā)光層24形成在像 素電極22的頂部表面當(dāng)中的除了接觸開口 23B的底部表面暴露的部分(第一區(qū)域）的全部 或部分之外的包括像素開口 23A的底部表面暴露區(qū)域(第二區(qū)域）的表面上。因此，分隔壁 31與非接觸區(qū)域30a的不與接觸開口 23B的底部表面當(dāng)中的有機發(fā)光層24接觸的區(qū)域的 部分接觸。嚴(yán)格地講，分隔壁31與接觸開口 23B的底部表面當(dāng)中除了接觸區(qū)域30A的區(qū)域 以及與有機發(fā)光層24接觸的區(qū)域之外的區(qū)域接觸。
[0092] 分隔壁31還與絕緣層23接觸。具體而言，分隔壁31與接觸開口 23B的側(cè)表面當(dāng) 中相鄰于非接觸區(qū)域30a的區(qū)域(相鄰側(cè)表面30b)接觸，并且與絕緣層23的頂部表面當(dāng)中 相鄰于相鄰側(cè)表面30b的區(qū)域(相鄰頂部表面30c)接觸。就是說，分隔壁31與非接觸區(qū)域 30a、相鄰側(cè)表面30b和相鄰頂部表面30c的部分的所有三個位置接觸。在與絕緣層23不 同的工藝中形成分隔壁31。分隔壁31和絕緣層23之間存在界面。
[0093] 分隔壁31例如可由金屬材料、無機材料或有機材料制成。能用于分隔壁31的金 屬材料的不例可包括Al、Ag、Mo、Ti、W和Cu中的一種以及包含其中一種或多種金屬的合 金。此外，能用于分隔壁31的金屬材料的示例包括ΙΤ0和ΙΖ0。在分隔壁31由任何一種前 述金屬材料制成的情況下，例如，分隔壁31可通過濺射法形成由金屬材料制成的膜，隨后 通過光刻法和濕蝕刻法以預(yù)定形狀成型其形成物而形成。分隔壁31例如可形成如下。首 先，通過濺射法依次層疊 A1和Mo。隨后，通過光刻方法在其上形成具有按預(yù)定形狀形成的 希望圖案的抗蝕劑。接下來，利用抗蝕劑為掩模，將A1和Mo的層疊膜浸在磷酸、硝酸和乙 酸的混合酸中以執(zhí)行蝕刻。其后，通過將抗蝕劑暴露到〇 2等離子體或在諸如有機溶劑的剝 離液體中溶解抗蝕劑而去除抗蝕劑。因此，可形成分隔壁31。能用于分隔壁31的無機材料 的示例可包括Si0 2、SiN和SiON。在分隔壁31由前述無機材料制成的情況下，通過CVD法 形成由無機材料制成的膜，并且隨后通過光刻法和濕蝕刻法按預(yù)定形狀成型所形成物而形 成分隔壁31。分隔壁31例如可如下形成。首先通過CVD法形成510 2膜。隨后，通過光刻 法在其上形成具有按預(yù)定形狀形成的所希望圖案的抗蝕劑。接下來，利用抗蝕劑作為掩模， Si0 2膜浸在氫氟酸中以執(zhí)行蝕刻。其后，通過將抗蝕劑暴露到02等離子體去除抗蝕劑或者 在諸如有機溶劑的剝離液體中溶解抗蝕劑。因此，可形成分隔壁31。能用于分隔壁31的有 機材料的示例可包括光敏樹脂。光敏樹脂的示例可包括聚酰亞胺樹脂、聚酰胺樹脂、丙烯酸 樹脂、酚醛樹脂和聚羥基苯乙烯樹脂。在分隔壁31由前述有機材料制成的情況下，分隔壁 31例如可這樣形成，涂覆光敏樹脂、通過光刻法按預(yù)定形狀成型所形成物，并且加熱和固化 所成型的光敏樹脂。
[0094] 分隔壁31和絕緣層23的截面形狀(列方向上的截面形狀)例如可滿足下面的公式 (1)至（3)。
[0095] θ 1 彡 90° …（1)
[0096] tan Θ 3=h/x…（2)
[0097] θ 2〈 θ 3〈 θ 1... (3)
[0098] θ 1 :由分隔壁31的側(cè)表面和底部表面(輔助電極30的頂部表面）形成的角度(分 隔壁31的側(cè)表面的傾角）
[0099] Θ 2 :由像素開口 23A的側(cè)表面（內(nèi)表面)和像素電極22形成的角度(像素開口 23A 的側(cè)表面（內(nèi)表面）的傾角）
[0100] Θ 3 :由連接分隔壁31的頂部表面的邊緣和有機發(fā)光層24與接觸開口 23B的底部 表面接觸的邊緣的線段；以及接觸開口 23B的底部表面(輔助電極30的頂部表面）所成的 角度
[0101] h :分隔壁31距底部表面(輔助電極30的頂部表面）的高度
[0102] X :從分隔壁31的頂部表面的邊緣垂直延長到接觸開口 23B的底部表面(輔助電極 30的頂部表面)的線段與接觸開口 23B的底部表面(輔助電極30的頂部表面)的交點；與有 機發(fā)光層24與接觸開口 23B的底部表面接觸的邊緣之間的距離
[0103] 在分隔壁31和絕緣層23的截面形狀滿足前述公式（1)至（3)的情況下，像素開口 23A的側(cè)表面（內(nèi)表面）是錐形的，并且分隔壁31的側(cè)表面是錐形的或堅直的。此外，像素 開口 23A的側(cè)表面（內(nèi)表面）傾斜翹起的程度大于分隔壁31的側(cè)表面。因此，例如，通過以 角度Θ 3執(zhí)行斜向蒸發(fā)，使得有機發(fā)光層24可以形成在像素開口 23A的整個底部表面上， 而接觸區(qū)域30A形成在分隔壁31后面。
[0104] 接下來，將說明分隔壁31的平面形狀。圖8A至圖8F示出了分隔壁31的平面形 狀的示例。分隔壁31形成為與接觸區(qū)域30A的一個或多個側(cè)邊接觸。在接觸區(qū)域30A為 正方形的情況下，分隔壁31可形成為與接觸區(qū)域30A的一個或多個側(cè)面接觸。在接觸區(qū)域 30A為正方形的情況下，分隔壁31例如可形成為僅與接觸區(qū)域30A的一個側(cè)面接觸。此時， 分隔壁31的平面形狀例如可為圖8F所示的正方形形狀。此外，在接觸區(qū)域30A為正方形 形狀的情況下，分隔壁31例如可形成為僅與接觸區(qū)域30A的兩個側(cè)面接觸。此時，分隔壁 31的平面形狀例如可為如圖8D所示的字母"L"狀。此外，在接觸區(qū)域30A為正方形形狀的 情況下，分隔壁31例如可形成為與接觸區(qū)域30A的僅三側(cè)接觸。此時，分隔壁31的平面形 狀例如可具有圖8A或圖8C所示的字母"H"狀或字母"U"狀的形狀。
[0105] 在接觸區(qū)域30A為圓形、半圓形、橢圓形或半橢圓形的情況下，分隔壁31形成為與 接觸區(qū)域30A的彎曲側(cè)面接觸。此時，分隔壁31的平面形狀例如可形成圖8B所示的字母 "C"狀的形狀。在接觸區(qū)域30A為三角形的情況下，分隔壁31形成為與接觸區(qū)域30A的兩 個側(cè)面接觸。此時，分隔壁31的平面形狀例如可具有如圖8E所示的字母"V"狀的形狀。
[0106] 在平面中，分隔壁31可優(yōu)選形成為在從180度到小于360度的范圍圍繞接觸區(qū)域 30A的一部分。圖8A、圖8B、圖8C和圖8E中描述的分隔壁31滿足前述條件。此外，例如， 如圖8A、圖8B、圖8C或圖8E所示，分隔壁31可優(yōu)選具有在平面方向上180度之外的兩個 方向上突出的凸起部分31A。在分隔壁31具有這樣凸起部分31A的情況下，即使分隔壁31 以其間的透明電極25與對置基板29或黑矩陣28接觸，分隔壁31也幾乎不可能剝離。應(yīng) 注意，盡管前述的"接觸區(qū)域30A的部分"沒有特別限制，但是，例如，接觸區(qū)域30A的該部 分可為接觸區(qū)域30A的平面形狀中的重心位置。
[0107] 制造方法
[0108] 接下來，將說明根據(jù)該實施例的顯示單元1的制造方法示例。圖9至圖11是示出 按照工藝順序制造顯示裝置1的工藝示例的截面圖。首先，通過氣相沉積法(例如濺射法） 在電路基板21上形成金屬材料膜后，通過光刻法和蝕刻成型按預(yù)定形狀對所形成的膜進 行成型。因此，像素電極22和輔助電極30形成在電路基板21上(見圖9)。應(yīng)注意，可通過 與前述方法類似的方法在不同的工藝中形成像素電極22和輔助電極30。
[0109] 接下來，在包括像素電極22和輔助電極30的整個表面上涂覆諸如聚酰亞胺的光 敏絕緣樹脂后，采用光刻法進行曝光和顯影。因此，像素開口 23A形成在像素電極22上，并 且接觸開口 23B形成在輔助電極30上（圖9)。接下來，在絕緣層23具有像素開口 23A和接 觸開口 23B的整個表面涂有諸如聚酰亞胺的光敏絕緣樹脂后，利用光刻進行曝光和顯影。 因此，分隔壁31形成在從接觸開口 23B的底部表面的一部分到接觸開口 23B的側(cè)壁以及到 絕緣層23的頂部表面的區(qū)域中（圖9)。此時，光敏絕緣樹脂的厚度和曝光強度等可優(yōu)選調(diào) 整為使分隔壁31和絕緣層23的截面形狀滿足前述的公式（1)至（3)。
[0110] 接下來，有機發(fā)光層24可通過氣相沉積法(例如斜向蒸發(fā)法）形成在整個表面上 (圖10)。此時，有機發(fā)光層24的材料相對于輔助電極30的頂部表面的進入方向設(shè)定為使 要形成接觸區(qū)域30A的區(qū)域變?yōu)槲挥诜指舯?1之后（隱藏在后)。此外，有機發(fā)光層24的 材料相對于輔助電極30(或像素電極22)的頂部表面的入射角可優(yōu)選設(shè)定為角Θ 3。因此， 使得有機發(fā)光層24可以形成在像素開口 23A的底部表面暴露的像素電極22的整個頂部表 面上，而輔助電極30的頂部表面的一部分在接觸開口 23B的底部表面上暴露(就是說，同時 形成接觸區(qū)域30A)。
[0111] 接下來，例如，透明電極25可通過氣相沉積法形成在整個表面上，與形成有機發(fā) 光層24時所用的氣相沉積法相比，在該氣相沉積法中減小了入射角的偏斜（圖11)。因此， 在接觸區(qū)域30A中，使得輔助電極30和透明電極25可以彼此電連接。應(yīng)注意，在蒸發(fā)法中， 作為與形成有機發(fā)光層24時所用的氣相沉積法相比減小了入射角的偏斜的方法，例如，可 采用其中電路基板21放置在旋轉(zhuǎn)臺上以及電路基板21旋轉(zhuǎn)的方法。作為選擇，可采用濺 射法替代蒸發(fā)法。因此，使得有機發(fā)光層24的材料可以從不同方向進入電路基板21。其 后，例如，透明電極25涂有諸如聚酰亞胺的光敏絕緣樹脂，其后對置基板29附接至光敏絕 緣樹脂，其中，濾色器27和黑矩陣28位于對置基板29和光敏絕緣樹脂之間，并且固化光敏 絕緣樹脂。因此，制造了顯示單元1。
[0112] 效果
[0113] 接下來，將說明根據(jù)本實施例的顯示單元1的效果。
[0114] 圖12示出了在根據(jù)比較示例的顯示面板的像素區(qū)域120中像素電極122R、122G 和122B、輔助配線130以及接觸區(qū)域130A的布置示例。應(yīng)注意，像素電極122R、122G和 122B對應(yīng)于根據(jù)該實施例的像素電極22R、22G和22B。輔助配線130對應(yīng)于根據(jù)該實施例 的輔助配線30。接觸區(qū)域130A是輔助配線130的頂部表面的一部分，并且例如可為接觸區(qū) 域130A中沒有覆蓋絕緣層而暴露的區(qū)域。
[0115] 在該比較示例中，作為將對應(yīng)于根據(jù)該實施例的透明電極25的透明電極電連接 到輔助配線130的方法，例如，透明電極可以以與JP2002-318566A中描述的方法類似的方 式形成在接觸區(qū)域130A上。在此情況下，在形成透明電極的工藝前，在形成有機發(fā)光層240 時，必須將有機發(fā)光層的形成區(qū)域設(shè)置在遠(yuǎn)離接觸區(qū)域的位置，從而有機發(fā)光層240不形 成在接觸區(qū)域130A中（圖13)。這樣做的一個原因是，在此情況下，保證了接觸區(qū)域130A和 透明電極的電連接。然而，在此情況下，有機發(fā)光層240的形成區(qū)域減小，并且開口率降低。
[0116] 因此，以與JP2007-73323A和JP2007-103098A中描述的方法類似的方式，通過全 部形成有機發(fā)光層且隨后去除其部分可形成接觸區(qū)域。然而，在此情況下，在去除有機發(fā)光 層的工藝中的殘留物可導(dǎo)致成品率下降。
[0117] 相反，在該實施例中，分隔壁31設(shè)置為與輔助配線30和絕緣層23上接觸開口 23B 的底部表面的一部分接觸。因此，例如，通過由氣相沉積法(例如蒸發(fā)法）形成有機發(fā)光層 24,使得有機發(fā)光層24可以形成在包括像素開口 23A的底部表面的表面上，而接觸區(qū)域30A 形成在分隔壁31的后面(隱藏在后)。就是說，對于阻止在接觸區(qū)域30A中形成有機發(fā)光層 24不必采用掩模。此外，因為形成接觸區(qū)域30A不必用掩模，掩模的精度余量和掩模的位置 間隙等在接觸區(qū)域30A周圍是不必要的。因此，因不必要的余量使得像素電極22和有機發(fā) 光層24可以形成得更寬。因此，使得可以形成接觸區(qū)域30A而不采用去除有機發(fā)光層24 的工藝，并且使得可以提高開口率。
[0118] 此外，在該實施例中，分隔壁31設(shè)置為與輔助配線30和絕緣層23上的接觸開口 23B的底部表面的一部分接觸。因此，與其中分隔壁31設(shè)置為僅與輔助配線30接觸的情 況相比，分隔壁31幾乎不可能剝離。例如，在絕緣層23和分隔壁31二者由有機材料(疏水 材料)制成的情況下，絕緣層23和分隔壁31之間的粘合力很高，并且使得分隔壁31幾乎不 可能被剝離。此外，例如，在絕緣層23和分隔壁31二者由無機材料(親水材料）制成的情 況下，絕緣層23和分隔壁31之間的粘合力以及像素電極22和分隔壁31之間的粘合力很 高，并且使得分隔壁31幾乎不可能被剝離。此外，例如，在絕緣層23和分隔壁31的材料類 型(疏水材料和親水材料）彼此不同，并且分隔壁31由金屬材料(親水金屬材料）或無機材 料(親水金屬材料)制成的情況下，像素電極22和分隔壁31之間的粘合力很高，并且絕緣層 23和分隔壁31之間的粘合力相當(dāng)高。因此，在此情況下，也使得分隔壁31幾乎不可能被剝 離。應(yīng)注意，在金屬材料(親水金屬材料）或無機材料(親水材料）涂有有機材料(疏水材料） 的情況下，金屬材料或無機材料和有機材料之間的粘合力可能受到包含在有機材料中的表 面活性劑的功能的抑制。因此，在絕緣層23由無機材料(親水材料)制成，并且分隔壁31由 有機材料(疏水材料)制成的情況下，絕緣層23和分隔壁31之間的粘合力以及像素電極22 和分隔壁31之間的粘合力不是很高。然而，在此情況下，通過將分隔壁31成型為如圖8A、 圖8B、圖8C和圖8E所述難以剝離的平面形狀，以便抵消絕緣層23和分隔壁31之間的粘 合力不足，使得可以抑制分隔壁31的剝離。此外，在該實施例中，像素開口 23A的側(cè)表面的 傾斜翹起程度大于分隔壁31的側(cè)表面。因此，例如，在有機發(fā)光層24通過氣相沉積法(例 如蒸發(fā)法）形成的情況下，使得有機發(fā)光層24可以形成在像素開口 23A的整個底部表面上 (使得可以與其接觸)。
[0119] 此外，在該實施例中，在分隔壁31形成為在平面內(nèi)在180度到小于360度的范圍 內(nèi)圍繞接觸區(qū)域30A的一部分的情況下，使得分隔壁31幾乎不可能被剝離。此外，即使分 隔壁31被小型化，也使得有機發(fā)光層24的材料對接觸區(qū)域30A的粘合力可以被有效地保 持。結(jié)果，由于通過小型化分隔壁31獲得的效果，使得可以提高開口率。此外，在分隔壁31 具有在平面方向上180度之外的兩個方向上突出的凸起部分31A的情況下，也使得分隔壁 31幾乎不可能被剝離。在如上所述分隔壁31的結(jié)構(gòu)為其中使得分隔壁31幾乎不可能被剝 離的情況下，例如，在通過氣相沉積法形成透明電極25時，減少了透明電極25的材料進入 接觸區(qū)域30A中的量，并且接觸區(qū)域30A中的電阻值容易增加。因此，在此情況下，透明電 極25的厚度可增加。在該實施例中，在透明電極25由包含Ca和Li的一種或二種的透光 導(dǎo)電材料制成的情況下，即使增大透明電極25的厚度，也使得可以抑制透明電極25的透光 性(透明度)的下降。結(jié)果，在抑制顯示單元1的光學(xué)特性下降的同時，使得可以抑制接觸區(qū) 域30A中電阻值的增加，并且使得可以改善顯示單元1的圖像質(zhì)量。
[0120] 2.變型
[0121] 下文中將說明根據(jù)前述實施例的顯示單元1的各種變型。在下文的描述中，與前 述實施例的顯示單元1中的部件相同的部件采用相同的附圖標(biāo)記。此外，對于與前述實施 例的顯示單元1的部件相同的部件，將適當(dāng)省略其描述。
[0122] 變型 1
[0123] 在前述實施例中，已經(jīng)舉例說明了其中分隔壁30的側(cè)表面為錐形的情況。然而， 分隔壁30的側(cè)表面可為倒錐形，例如，如圖14所示。此時，分隔壁31和絕緣層23的截面 形狀例如可滿足前述公式（2)以及下面的公式（4)和（5)。
[0124] 90。〈 θ 1 彡 180?！?)
[0125] θ 2〈 Θ 3 彡 90。...（5)
[0126] 在分隔壁31和絕緣層23的截面形狀滿足前述公式（2)、（4)和（5)的情況下，在 分隔壁31的側(cè)表面下存在間隙，并且該間隙的底部表面變?yōu)榻佑|區(qū)域30A。此外，像素開口 23A的側(cè)表面（內(nèi)表面）的傾斜程度大于連接分隔壁31的頂部表面的邊緣和有機發(fā)光層24 與接觸開口 23B的底部表面接觸的邊緣的線段。因此，通過以角度Θ 3執(zhí)行斜向蒸發(fā)或者 從垂直于像素電極22的頂部表面的方向執(zhí)行蒸發(fā)，使得可以在像素開口 23A的整個底部表 面上形成有機發(fā)光層24,同時將接觸區(qū)域30A形成在分隔壁31的后面。
[0127] 接下來，將說明制造根據(jù)該變型的顯示單元1的方法的示例。圖15至圖17是示 出按工藝順序制造顯示單元1的工藝示例的截面圖。應(yīng)注意，至到形成絕緣層23的工藝與 前述實施例的工藝類似，并且因此，下面將描述形成絕緣層23后的工藝。
[0128] 在形成絕緣層23后，具有像素開口 23A和接觸開口 23B的絕緣層23的整個表面 涂有諸如聚酰亞胺的光敏絕緣樹脂。隨后，利用光刻法進行曝光和顯影。因此，在從接觸開 口 23B的底部表面的部分到接觸開口 23B的側(cè)表面以及到絕緣層23的頂部表面的區(qū)域中 形成分隔壁31 (圖15)。此時，光敏絕緣樹脂的厚度和曝光強度等可優(yōu)選調(diào)整為使分隔壁 31和絕緣層23的截面形狀滿足前述公式（2 )、（ 4 )和（5 )。
[0129] 接下來，例如，有機發(fā)光層24可通過氣相沉積法(例如斜向蒸發(fā)法）形成在整個表 面上（圖16)。此時，有機發(fā)光層24的材料相對于輔助電極30的頂部表面的進入方向設(shè)定 為使要形成接觸區(qū)域30A的區(qū)域變?yōu)槲挥诜指舯?1后面(被隱藏在后面)。此外，有機發(fā)光 層24的材料相對于輔助電極30的頂部表面(或像素電極22)的入射角可優(yōu)選設(shè)定為角度 Θ3。因此，使得有機發(fā)光層24可以形成在像素開口 23A的底部表面上暴露的像素電極22 的整個頂部表面上，而輔助電極30的頂部表面的一部分暴露在接觸開口 23B的底部表面上 (也就是說，同時形成接觸區(qū)域30A)。
[0130] 接下來，例如，透明電極25可通過氣相沉積法形成在整個表面上，與形成有機發(fā) 光層24時所用的氣相沉積法相比在該氣相沉積法中減小了入射角的偏斜（圖17)。因此，在 接觸區(qū)域30A中，使得輔助電極30和透明電極25可以彼此電連接。應(yīng)注意，在蒸發(fā)方法中， 作為相對于形成有機發(fā)光層24時所用氣相沉積法減小入射角偏斜的方法，例如，可采用其 中電路基板21設(shè)置在旋轉(zhuǎn)臺上且電路基板21旋轉(zhuǎn)的方法。作為選擇，可采用濺射法代替 蒸發(fā)法。因此，使得有機發(fā)光層24的材料可以從不同方向進入電路基板21。此后，例如，透 明電極25涂有諸如聚酰亞胺的光敏絕緣樹脂，之后對置基板29附接至光敏絕緣樹脂，其中 濾色器27和黑矩陣28位于其間，并且光敏絕緣樹脂被固化。因此，制造了根據(jù)該變型的顯 示單元1。
[0131] 根據(jù)變型的顯示單元1也可以下面的方法制造。圖18和圖19是示出按工藝順序 制造根據(jù)該變型的顯示單元1的另一種工藝示例的截面圖。應(yīng)注意，至到形成分隔壁31的 工藝與前述制造方法的工藝類似，因此，將描述形成分隔壁31后的工藝。
[0132] 在形成分隔壁31后，例如，有機發(fā)光層24可通過氣相沉積法(例如蒸發(fā)法)形成在 整個表面上（圖18)。例如，有機發(fā)光層24的材料的主入射角可設(shè)定為垂直于輔助電極30 (或像素電極22)。也就是說，采用垂直蒸發(fā)法作為氣相沉積法。此時，有機發(fā)光層24的材 料幾乎不可能進入分隔壁31的倒錐形側(cè)表面下的部分。因此，在接觸開口 23B當(dāng)中，對應(yīng) 于分隔壁31的倒錐形側(cè)表面之下部分的一部分變?yōu)榻佑|區(qū)域30A。因此，使得有機發(fā)光層 24可以形成在像素開口 23A的底部表面上暴露的像素電極22的整個頂部表面上，而輔助電 極30的頂部表面的部分暴露在接觸開口 23B的底部表面上（也就是說，同時形成接觸區(qū)域 30A)。
[0133] 接下來，例如，透明電極25可通過氣相沉積法形成在整個表面上，與形成有機發(fā) 光層24時所用的氣相沉積法相比在該氣相沉積法中降低了入射角偏斜（圖19)。因此，在接 觸區(qū)域30A中，使得輔助配線30和透明電極25可以彼此電連接。應(yīng)注意，在該蒸發(fā)法中， 作為與形成有機發(fā)光層24時所用的氣相沉積法相比減小入射角偏斜的方法，例如，可采用 其中電路基板21設(shè)置在旋轉(zhuǎn)臺上，并且電路基板21旋轉(zhuǎn)的方法。作為選擇，濺射法可用于 替代蒸發(fā)法。因此，使得透明電極25的材料可以從不同方向進入電路基板21。其后，例如， 透明電極25可涂有諸如聚酰亞胺的光敏絕緣樹脂，其后對置基板29可以附接至光敏絕緣 樹脂，其中濾色器27和黑矩陣28位于其間，并且可固化光敏絕緣樹脂。因此，制造了根據(jù) 該變型的顯示單元1。
[0134] 變型 2
[0135] 在前述的變型1中，輔助電極30的頂部表面是平面。然而，例如，如圖20所示，輔 助配線30的頂部表面當(dāng)中的接觸開口 23B的底部表面上暴露的部分(接觸區(qū)域30A)可為 傾斜表面30B。傾斜表面30B形成為距分隔壁31的側(cè)表面越遠(yuǎn)越向下傾斜。傾斜表面30B 和分隔壁31的側(cè)表面形成的角可優(yōu)選為約90度，并且可略微大于90度。傾斜表面30B可 為光滑的表面或者臺階表面。電路基板21在輔助配線30中形成傾斜表面30B的部分之下 的部分中是平面。在輔助配線30中，其在其中形成傾斜表面30B的部分中的厚度小于其在 其它部分中的厚度。作為在輔助配線30中形成傾斜表面30B的方法，例如，可采用輔助配 線30的頂部表面的局部蝕刻。
[0136] 在該變型中，輔助配線30的頂部表面當(dāng)中接觸開口 23B的底部表面上暴露的部分 是傾斜表面30B。因此，例如，在透明電極25通過氣相沉積法形成在整個表面的情況下，與 形成有機發(fā)光層24時所用的氣相沉積法相比該氣相沉積法減小入射角的偏斜，使得具有 足夠厚度的透明電極25可以形成在接觸區(qū)域30A中。結(jié)果，在接觸區(qū)域30A中，進一步保 證了輔助電極30和透明電極25之間的電連接。
[0137] 變型 3
[0138] 在前述變型2中，通過在輔助配線30中提供傾斜表面30B，輔助配線30的頂部表 面當(dāng)中的接觸開口 23B的底部表面上暴露的部分變?yōu)閮A斜表面30B。然而，例如，如圖21所 示，缽狀凹陷部分21A可提供在電路基板21的頂部表面當(dāng)中的接觸開口 23B的底部表面下 的一部分中，并且輔助配線30的部分可設(shè)置在缽狀凹陷部分21A內(nèi)。在此情況下，使得輔助 配線30的頂部表面當(dāng)中接觸開口 23B的底部表面上暴露的部分也可以成為傾斜表面30B。
[0139] 就是說，在該變型中，電路基板21在接觸開口 23B的底部表面下的部分中具有缽 狀凹陷部分21A。此外，輔助配線30的部分設(shè)置在缽狀凹陷部分21A內(nèi)。此時，輔助配線 30的厚度是均勻的而不取決于位置。因此，在該變型中，使得輔助配線30的頂部表面當(dāng)中 接觸開口 23B的底部表面上暴露的部分可以成為傾斜表面30B，而輔助配線30的厚度基本 上保持均勻而不取決于位置。
[0140] 制造方法
[0141] 接下來，將描述制造根據(jù)該變型的顯示單元1的方法的示例。圖22A和圖22B是 按照工藝順序示出制造根據(jù)該變型的顯示裝置1的工藝示例的截面圖。應(yīng)注意，在該變型 中，電路基板21具有其上形成像素電路15的電路基板21a上的平坦膜21b。平坦膜21b例 如可由能經(jīng)受通過光刻的曝光和顯影的材料制成，并且例如可由光敏絕緣樹脂制成。
[0142] 首先，在預(yù)定位置具有開口 100A和灰階開口 100B的掩模100設(shè)置在電路基板21 上（圖22A)。開口 100A是透過掩模100的通孔?；译A開口 100B的結(jié)構(gòu)為其中紫外線的透 過率低于通孔的透過率。接下來，例如，利用掩模100,執(zhí)行光刻曝光，并且隨后執(zhí)行圖像顯 影（圖22B)。因此，在一次曝光中，使得具有淺深度的凹陷部分21d和具有深深度的凹陷部 分21c可以同時形成在平坦膜21b中。應(yīng)注意，凹陷部分21d可用作凹陷部分21A，并且凹 陷部分21c例如可用作其中埋設(shè)電連接像素電路15到像素電極22的通孔的位置。
[0143] 根據(jù)該變型的顯示單元1例如可通過下列方法制造。圖23A、圖23B、圖23C和圖 24D是按照工藝順序示出制造根據(jù)該變型的顯示單元1的工藝的另一個示例的截面圖。
[0144] 首先，在預(yù)定位置上具有兩個開口 200A的掩模200設(shè)置在電路基板21上（圖 23A)。開口 200A是透過掩模200的通孔。接下來，例如，利用掩模200,執(zhí)行光刻曝光，并且 隨后，執(zhí)行顯影（圖23B)。因此，使得在平坦膜21b中可以形成兩個具有淺深度的凹陷部分 21d。接下來，在一個凹陷部分21d之上具有一個開口 210A的掩模210設(shè)置在電路基板21 上（圖23C)。開口 210A是透過掩模210的通孔。接下來，例如，利用掩模210,執(zhí)行光刻曝 光，并且隨后，執(zhí)行顯影（圖23D)。因此，開口 210A下的凹陷部分21d進一步加深而變?yōu)榘?陷部分21c。如上所述，在兩次曝光中，使得具有淺深度的凹陷部分21d和具有深深度的凹 陷部分21c可以形成在平坦膜21b中。應(yīng)注意，凹陷部分21d可用作凹陷部分21A，并且凹 陷部分21c例如可用作其中埋設(shè)電連接像素電路15到像素電極22的通孔的位置。
[0145] 變型 4
[0146] 在前述實施例及其變型(變型1至3)中，分隔壁31與非接觸區(qū)域30a、相鄰側(cè)表面 30b和相鄰頂部表面30c的所有部分接觸。然而，分隔壁31可僅與相鄰側(cè)表面30b和相鄰 頂部表面30c接觸。此外，例如，如圖24和圖25所示，分隔壁31可僅與相鄰頂部表面30c 接觸。然而，如圖24所示，在分隔壁31的側(cè)表面是錐形或者堅直的情況下，分隔壁31和絕 緣層23的截面形狀例如可滿足前述的公式（1)至公式（3)。此外，如圖25所示，在分隔壁 30的側(cè)表面是倒錐形的情況下，分隔壁31和絕緣層23的截面形狀例如可滿足前述的公式 (2)、（4)和（5)。
[0147] 在分隔壁31和絕緣層23的截面滿足前述公式（1)至公式（3)的情況下，例如，通 過以角度Θ 3執(zhí)行斜向蒸發(fā)，使得有機發(fā)光層24可以形成在像素開口 23A的整個底部表面 上，而接觸區(qū)域30A形成在分隔壁31之后。此外，在分隔壁31和絕緣層23的截面形狀滿 足前述公式（2)、（4)和（5)的情況下，例如，通過以角度Θ 3執(zhí)行斜向蒸發(fā)或者從垂直于像 素電極22的頂部表面的方向執(zhí)行蒸發(fā)，使得有機發(fā)光層24可以形成在像素開口 23A的整 個底部表面上，而接觸區(qū)域30A形成在分隔壁31之后。
[0148] 變型 5
[0149] 在前述實施例及其變型(變型1至4)中，絕緣層26提供為埋設(shè)在電路基板21和 對置基板29之間的間隙中。然而，例如，如圖26和圖27所示，間隙32可存在于電路基板 21和對置基板29之間。此時，分隔壁31可以以其間的透明電極與對置基板29或黑矩陣 28接觸，或者分隔壁31可形成為低至分隔壁31不與對置基板29或黑矩陣28接觸的程度。 在分隔壁31以其間透明電極25與對置基板29或黑矩陣28接觸的情況下，例如，如圖8A、 圖8B、圖8C或圖8E所示，分隔壁31可優(yōu)選具有在平面方向上除了 180度之外的兩個方向 上突出的凸起部分31A。在分隔壁31具有這樣凸起部分31A的情況下，即使分隔壁31以其 間的透明電極25與對置基板29或黑矩陣28接觸，分隔壁31也幾乎不可能被剝離。此外， 分隔壁31可優(yōu)選形成為在平面上從180度到小于360度的范圍上圍繞接觸區(qū)域30A的一 部分。圖8A、圖8B、圖8C和圖8E所描述的分隔壁31滿足前述條件。在此情況下，例如，在 有機發(fā)光層24通過蒸發(fā)法形成的情況下，使得可以防止有機發(fā)光層24進入接觸區(qū)域30A， 并且除此外，使得分隔壁31幾乎不可能通過前述凸起部分的功能被剝離。
[0150] 變型 6
[0151] 在前述實施例及其變型(變型1至5)中，有機發(fā)光層24發(fā)射白光。然而，有機發(fā) 光層24可獨立地發(fā)射不同顏色的光(例如紅光、綠光和藍光)。例如，如圖28所示，有機發(fā) 光層24可具有像素11R、像素11G和像素11B公用的發(fā)射藍光的有機發(fā)光層24B。此外，例 如，如圖28所示，有機發(fā)光層24可具有有機發(fā)光層24R，其在對應(yīng)于有機發(fā)光層24B上的像 素11R的區(qū)域上發(fā)射紅光，并且可以具有有機發(fā)光層24G，其在對應(yīng)于有機發(fā)光層24B的像 素11G的區(qū)域中發(fā)射綠光。應(yīng)注意，有機發(fā)光層24B可僅提供在對應(yīng)于像素11B的區(qū)域中。
[0152] 在顯示面板10具有條紋排列的情況下，有機發(fā)光層24R是在列方向上連續(xù)形成的 條狀以及在多個像素11R (像素電極22R)上的臺階。此外，有機發(fā)光層24G是在列方向上 連續(xù)形成的條狀以及在多個像素11G (像素電極22G)上的臺階。因此，在分別執(zhí)行涂覆有 機發(fā)光層24R和有機發(fā)光層24G涂層時，在像素11位置不必執(zhí)行掩模在列方向上的對齊。 不必要在像素11位置執(zhí)行掩模在列方向上的這種對齊，無論接觸區(qū)域30A和分隔壁31是 否設(shè)置在列方向上彼此相鄰的兩個像素11之間的間隙中或者在行方向上彼此相鄰的兩個 彩色像素之間的間隙中。
[0153] 變型 7
[0154] 在前述實施例及其變型(變型1至6)中，顯示面板10是彩色顯示面板。然而，顯 示面板10可為單色顯示面板。例如，如圖29所示，在顯示面板10中，濾色器27可在圖3 所示的構(gòu)造中省略。
[0155] 變型 8
[0156] 在前述實施例及其變型(變型1至6)中，顯示面板10具有條紋排列。然而，顯示 面板10可具有任何其它排列。例如，在每個彩色像素由分別發(fā)射四種顏色光的四個像素11 構(gòu)成的情況下，包括在每個彩色像素中的四個像素11例如可排列成二乘二矩陣圖案。
[0157] 3.應(yīng)用示例
[0158] 下面，將描述根據(jù)前述實施例及其變型(變型1至8)(在下文稱為〃前述實施例等 〃）中描述的顯示單元1的應(yīng)用示例。根據(jù)前述實施例等的顯示單元1可適用于任何領(lǐng)域的 電子設(shè)備的顯示單元，用于將從外部輸入的圖像信號或者內(nèi)部產(chǎn)生的圖像信號顯示為圖片 或視頻。電子設(shè)備的示例可包括電視機、數(shù)碼相機、筆記本個人計算機、諸如移動電話的便 攜式終端裝置以及攝像機。
[0159] 應(yīng)用示例1
[0160] 圖30示出了應(yīng)用根據(jù)前述實施例等的顯示單元1的電視機的外觀。該電視機例 如可具有圖像顯示屏部分300,圖像顯示屏部分300包括前面板310和濾光片玻璃320。圖 像顯示屏部分300由根據(jù)前述實施例等的顯示單元1構(gòu)造。
[0161] 應(yīng)用示例2
[0162] 圖31A和圖31B示出了應(yīng)用根據(jù)前述實施例等的顯示單元1的數(shù)碼相機的外觀。 該數(shù)碼相機例如可具有用于閃光的發(fā)光部分410、顯示部分420、菜單開關(guān)430和快門按鈕 440。顯示部分420由根據(jù)前述實施例等的顯示單元1構(gòu)造。
[0163] 應(yīng)用示例3
[0164] 圖32示出了應(yīng)用根據(jù)前述實施例等的顯示單元1的筆記本個人計算機的外觀。該 筆記本個人計算機例如可具有主體510、用于輸入字符等操作的鍵盤520以及用于顯示圖 像的顯示部分530。顯示部分530由根據(jù)前述實施例等的顯示單元1構(gòu)造。
[0165] 應(yīng)用示例4
[0166] 圖33示出了應(yīng)用根據(jù)前述實施例等的顯示單元1的攝像機的外觀。該攝像機例 如可具有主體610、用于攝取提供在主體610的前側(cè)表面上的物體的鏡頭620、用于攝取的 啟動-停止開關(guān)630以及顯示部分640。顯示部分640由根據(jù)前述實施例等的顯示單元1 構(gòu)造。
[0167] 應(yīng)用示例5
[0168] 圖34A至圖34F示出了應(yīng)用根據(jù)前述實施例等的顯示單元1的移動電話的外觀。 在移動電話中，例如，上封裝710和下封裝720可由連接部分(鉸鏈部分)730連接。該移動 電話可具有顯示器740、子顯示器750、圖片燈760和相機770。顯示器740和子顯示器750 的任何一個或二者由根據(jù)前述實施例等的顯示單元1構(gòu)造。
[0169] 盡管已經(jīng)參考實施例和應(yīng)用示例描述了本發(fā)明，但是本發(fā)明不限于前述實施例 等，而是可進行各種變型。
[0170] 例如，用于有源矩陣驅(qū)動的像素電路15的構(gòu)造不限于前述實施例等中描述的構(gòu) 造，并且在前述實施例等中可根據(jù)需要增加電容器或晶體管。在此情況下，隨著像素電路15 的變化，可增加除前述信號線驅(qū)動電路13和掃描線驅(qū)動電路14等之外的必要驅(qū)動電路。
[0171] 此外，本發(fā)明包括本文描述的和本文結(jié)合的各個實施例的某些或全部的任何可能 的結(jié)合。
[0172] 從本發(fā)明上述示例性實施例至少能實現(xiàn)下述構(gòu)造。
[0173] (1) 一種顯示單元，包括：
[0174] 多個第一電極；
[0175] 金屬構(gòu)件，設(shè)置在該第一電極上周圍；
[0176] 絕緣層，具有在該第一電極的對應(yīng)一個上的第一開口和在該金屬構(gòu)件上的第二開 Π ；
[0177] 有機發(fā)光層，設(shè)置在包括該第一開口的底部表面但不包括該第二開口的底部表面 的全部或一部分的表面上；
[0178] 分隔壁，設(shè)置為至少與該第二開口的該底部表面的一部分以及該絕緣層中的該絕 緣層接觸，該分隔壁的形成工藝與該絕緣層的形成工藝不同；以及
[0179] 第二電極，提供為與接觸區(qū)域接觸且與該有機發(fā)光層中的該第一開口的該底部表 面之上的部分接觸，該接觸區(qū)域是該第二開口的該底部表面的一部分。
[0180] (2)根據(jù)（1)所述的顯示單元，其中該分隔壁與該第二開口的該底部表面的一部分 以及該絕緣層二者接觸。
[0181] (3)根據(jù)（2)或（3)所述的顯示單元，其中該第一開口的側(cè)表面以大于該分隔壁的 側(cè)表面傾斜的程度傾斜。
[0182] (4)根據(jù)（1)至（3)任何一項所述的顯示單元，其中該分隔壁形成為在平面上在約 180度至小于約360的值的范圍內(nèi)圍繞該接觸區(qū)域的一部分。
[0183] (5)根據(jù)（1)至（4)任何一項所述的顯示單元，其中該分隔壁包括在平面方向上不 成180度的兩個方向上突出的凸起部分。
[0184] (6)根據(jù)（1)至（5)任何一項所述的顯示單元，其中該分隔壁設(shè)置為在平面上與該 第一電極的對應(yīng)的一個相對且其間具有該接觸區(qū)域。
[0185] (7)根據(jù)（1)至（6)任何一項所述的顯示單元，其中
[0186] 該有機發(fā)光層具有在該多個第一電極之上的臺階以及在列方向上連續(xù)形成的條 狀的形狀，并且
[0187] 該接觸區(qū)域和該分隔壁設(shè)置在列方向上彼此相鄰的該多個第一電極中的兩個第 一電極之間的間隙中。
[0188] (8)根據(jù)（1)至（7)任何一項所述的顯示單元，其中該第二電極由包含Ca和Li之 一或二者的透光導(dǎo)電材料制造。
[0189] (9)根據(jù)（1)至（8)任何一項所述的顯示單元，其中該接觸區(qū)域離該分隔壁的側(cè)壁 越遠(yuǎn)越向下傾斜。
[0190] (10) -種提供有顯示單元的電子設(shè)備，該顯示單元包括：
[0191] 多個第一電極；
[0192] 金屬構(gòu)件，設(shè)置在該第一電極周圍；
[0193] 絕緣層，具有在該第一電極的對應(yīng)一個上的第一開口和在該金屬構(gòu)件上的第二開 Π ；
[0194] 有機發(fā)光層，設(shè)置在包括該第一開口的底部表面但不包括該第二開口的底部表面 的全部或一部分的表面上；
[0195] 分隔壁，設(shè)置為至少與該第二開口的該底部表面的一部分以及該絕緣層中的該絕 緣層接觸，該分隔壁形成的工藝與該絕緣層的形成工藝不同；以及
[0196] 第二電極，設(shè)置為與接觸區(qū)域接觸，并且與該有機發(fā)光層中的該第一開口的該底 部表面之上的一部分接觸，該接觸區(qū)域是該第二開口的該底部表面的一部分。
[0197] (11) 一種制造顯示單元的方法，該方法包括：
[0198] 形成絕緣層，該絕緣層具有在多個第一電極的對應(yīng)一個上的第一開口和在金屬構(gòu) 件上的第二開口，該金屬構(gòu)件設(shè)置在該第一電極周圍；
[0199] 通過氣相擴散法形成分隔壁，該分隔壁至少與該第二開口的底部表面的一部分以 及該絕緣層中的該絕緣層接觸；
[0200] 通過氣相沉積法在包括該第一開口的底部表面但不包括該第二開口的該底部表 面的全部或部分的表面上形成有機發(fā)光層；以及
[0201] 通過氣相沉積法形成第二電極，其中與形成該有機發(fā)光層所用的氣相沉積法相比 減小了入射角的偏斜，該第二電極與接觸區(qū)域接觸且與該有機發(fā)光層中的該第一開口的該 底部表面之上的部分接觸，該接觸區(qū)域是該第二開口的該底部表面的一部分。
[0202] (12)根據(jù)（11)所述的制造顯示單元的方法，其中
[0203] 該分隔壁的側(cè)表面為倒錐形，并且
[0204] 該有機發(fā)光層的材料的主入射角設(shè)定為在形成該有機發(fā)光層中垂直于該金屬構(gòu) 件。
[0205] (13)根據(jù)（11)所述的制造顯示單元的方法，其中
[0206] 該分隔壁的側(cè)表面為錐形或堅直的，并且
[0207] 該有機發(fā)光層的材料的主入射角設(shè)定為在形成該有機發(fā)光層中相對于該金屬構(gòu) 件傾斜。
[0208] 本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解的是，在所附權(quán)利要求或其等同方案的范圍內(nèi)，根據(jù) 設(shè)計需要和其他因素，可以進行各種變型、結(jié)合、部分結(jié)合和替換。相關(guān)申請的交叉引用
[0209] 本申請要求2013年4月19日提交的日本優(yōu)先權(quán)專利申請JP2013-88634的權(quán)益， 其全部內(nèi)容通過引用結(jié)合于此。
【權(quán)利要求】
1. 一種顯示單元，包括： 多個第一電極； 金屬構(gòu)件，設(shè)置在該第一電極周圍； 絕緣層，具有在該第一電極的對應(yīng)一個上的第一開口和在該金屬構(gòu)件上的第二開口； 有機發(fā)光層，設(shè)置在包括該第一開口的底部表面但不包括該第二開口的底部表面的全 部或一部分的表面上； 分隔壁，設(shè)置為至少與該第二開口的該底部表面的一部分以及該絕緣層中的該絕緣層 接觸，該分隔壁在與該絕緣層的形成工藝不同的工藝中形成；以及 第二電極，設(shè)置為與接觸區(qū)域接觸且與該有機發(fā)光層中該第一開口的該底部表面之上 的部分接觸，該接觸區(qū)域是該第二開口的該底部表面的一部分。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示單元，其中該分隔壁與該第二開口的該底部表面的一部 分以及該絕緣層二者接觸。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示單元，其中該第一開口的側(cè)表面以大于該分隔壁的側(cè)表 面傾斜的程度傾斜。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示單元，其中該分隔壁形成為在平面上在約180度至小于 約360的值的范圍圍繞該接觸區(qū)域的一部分。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示單元，其中該分隔壁包括在平面方向上不成180度的兩 個方向上突出的凸起部分。
6. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示單元，其中該分隔壁設(shè)置為在平面上與該第一電極的對 應(yīng)的一個相對且其間具有該接觸區(qū)域。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示單元，其中 該有機發(fā)光層具有在該多個第一電極之上的臺階以及在列方向上連續(xù)形成的條狀的 形狀，并且 該接觸區(qū)域和該分隔壁設(shè)置在列方向上彼此相鄰的該多個第一電極中的兩個第一電 極之間的間隙中。
8. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示單元，其中該第二電極由包含Ca和Li之一或二者的透 光導(dǎo)電材料制成。
9. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示單元，其中該接觸區(qū)域離該分隔壁的側(cè)壁越遠(yuǎn)越向下傾 斜。
10. -種設(shè)置有顯示單元的電子設(shè)備，該顯示單元包括： 多個第一電極； 金屬構(gòu)件，設(shè)置在該第一電極周圍； 絕緣層，具有在該第一電極的對應(yīng)一個上的第一開口和在該金屬構(gòu)件上的第二開口； 有機發(fā)光層，設(shè)置在包括該第一開口的底部表面但不包括該第二開口的底部表面的全 部或一部分的表面上； 分隔壁，設(shè)置為至少與該第二開口的該底部表面的一部分以及該絕緣層中的該絕緣層 接觸，該分隔壁在與該絕緣層的形成工藝不同的工藝中形成；以及 第二電極，設(shè)置為與接觸區(qū)域接觸，并且與該有機發(fā)光層中的該第一開口的該底部表 面之上的一部分接觸，該接觸區(qū)域是該第二開口的該底部表面的一部分。
11. 一種制造顯示單元的方法，該方法包括： 形成絕緣層，該絕緣層具有在多個第一電極的對應(yīng)一個上的第一開口和在金屬構(gòu)件上 的第二開口，該金屬構(gòu)件設(shè)置在該第一電極周圍； 通過氣相擴散法形成分隔壁，該分隔壁至少與該第二開口的底部表面的一部分以及該 絕緣層中的該絕緣層接觸； 通過氣相沉積法在包括該第一開口的底部表面但不包括該第二開口的該底部表面的 全部或部分的表面上形成有機發(fā)光層；以及 通過氣相沉積法形成第二電極，其中與形成該有機發(fā)光層所用的該氣相沉積法相比減 小了入射角的偏斜，該第二電極與接觸區(qū)域接觸且與該有機發(fā)光層中該第一開口的該底部 表面之上的部分接觸，該接觸區(qū)域是該第二開口的該底部表面的一部分。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的制造顯示單元的方法，其中 該分隔壁的側(cè)表面為倒錐形，并且 該有機發(fā)光層的材料的主入射角設(shè)定為在形成該有機發(fā)光層中垂直于該金屬構(gòu)件。
13. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的制造顯示單元的方法，其中 該分隔壁的側(cè)表面為錐形或堅直的，并且 該有機發(fā)光層的材料的主入射角設(shè)定為在形成該有機發(fā)光層中相對于該金屬構(gòu)件傾 斜。
【文檔編號】H01L51/52GK104112762SQ201410144829
【公開日】2014年10月22日 申請日期:2014年4月11日 優(yōu)先權(quán)日:2013年4月19日
【發(fā)明者】藤井拓磨, 藤岡弘文, 前川達也, 西川智孝 申請人:索尼公司