柔性顯示裝置及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種柔性顯示裝置，所述柔性顯示裝置包括基底、多個第一像素和多個第二像素?；装烧郫B的彎曲區(qū)域和不可折疊的非彎曲區(qū)域。每個第一像素設(shè)置在彎曲區(qū)域中。每個第一像素與相鄰的第一像素分隔開第一距離。每個第二像素設(shè)置在非彎曲區(qū)域中。每個第二像素與相鄰的第二像素分隔開第二距離。第一距離大于第二距離。
【專利說明】柔性顯示裝置及其制造方法
[0001]本申請要求于2013年6月7號提交到韓國知識產(chǎn)權(quán)局的第10-2013-0065471號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)，該申請的內(nèi)容通過引用全部包含于此。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]本發(fā)明涉及一種柔性顯示裝置及其制造方法。

【背景技術(shù)】
[0003]柔性顯示裝置可以彎曲，顯示圖像。柔性顯示裝置可以通過使用柔性基底來保持其彎曲的形狀。柔性顯示裝置的彎曲區(qū)域需要具有防止由于這種彎曲形狀而導(dǎo)致的裂紋或其它機(jī)械缺陷。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，一種柔性顯示裝置包括基底、多個第一像素和多個第二像素?；装烧郫B的彎曲區(qū)域和不可折疊的非彎曲區(qū)域。每個第一像素設(shè)置在彎曲區(qū)域中。每個第一像素與相鄰的第一像素分隔開第一距離。每個第二像素設(shè)置在非彎曲區(qū)域中。每個第二像素與相鄰的第二像素分隔開第二距離。第一距離大于第二距離。
[0005]根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，一種柔性顯示裝置包括基底、多個驅(qū)動薄膜晶體管、多個第一像素和多個第二像素。基底包括可折疊的彎曲區(qū)域和不可折疊的非彎曲區(qū)域。每個驅(qū)動薄膜晶體管設(shè)置在基底上。每個驅(qū)動薄膜晶體管包括沿第一方向延伸的半導(dǎo)體層。每個第一像素設(shè)置在彎曲區(qū)域上。每個第一像素沿與第一方向交叉的第二方向與相鄰的第一像素分隔開第一距離。每個第二像素設(shè)置在非彎曲區(qū)域上。每個第二像素沿第二方向與相鄰的第二像素分隔開第二距離。每個第一像素設(shè)置在對應(yīng)的驅(qū)動薄膜晶體管上，每個第二像素設(shè)置在對應(yīng)的驅(qū)動薄膜晶體管上。第一距離大于第二距離。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0006]通過參照附圖詳細(xì)地描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例，本發(fā)明構(gòu)思的這些和其它特征將變得清楚，在附圖中:
[0007]圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的柔性顯示裝置的彎曲區(qū)域I和非彎曲區(qū)域II中的像素之間的距離的剖視圖。
[0008]圖2是圖1的柔性顯示裝置的俯視圖。
[0009]圖3是示出圖2的柔性顯示裝置的折疊形狀的側(cè)視圖。
[0010]圖4是沿圖2的線A-A’截取的剖視圖。
[0011]圖5至圖14是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的制造柔性顯示裝置的方法的剖視圖。
[0012]圖15是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的柔性顯示裝置的俯視圖。
[0013]圖16是沿圖15的線B-B’截取的剖視圖。

【具體實(shí)施方式】
[0014]下面將參照附圖描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例。然而，本發(fā)明構(gòu)思可以以不同的形式實(shí)施例，而不應(yīng)被解釋為局限于這里闡述的實(shí)施例。在附圖中，為了清楚起見，可以夸大層和區(qū)域的厚度。還將理解的是，當(dāng)元件被稱作“在”另一元件或基底“上”時，該元件可以直接在所述另一元件或基底上，或者也可以存在中間元件。還將理解的是，當(dāng)元件被稱作“結(jié)合到”另一元件時，該元件可以直接結(jié)合到另一元件，或者也可以存在中間元件。在整個說明書和附圖中，同樣的標(biāo)號可以表示同樣的元件。
[0015]圖1是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的柔性顯示裝置I的彎曲區(qū)域I和非彎曲區(qū)域II中的像素之間的距離的剖視圖。圖2是圖1的柔性顯示裝置I的俯視圖。圖3是示出圖2的柔性顯示裝置I的折疊形狀的側(cè)視圖。
[0016]根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的柔性顯示裝置I包括彎曲區(qū)域I和非彎曲區(qū)域II。第一距離dl是設(shè)置在彎曲區(qū)域I中的像素PX4、PX5和PX6之間的距離。第二距離d2是設(shè)置在非彎曲區(qū)域II中的像素PXl、PX2、PX3、PX7、PX8和PX9之間的距離。第一距離dl大于第二距離d2。可以獲得加工余量來去除形成在彎曲區(qū)域I的像素PX4、PX5和PX6之間的下方的絕緣層。
[0017]因此，圖4的在彎曲區(qū)域I的像素PX4、PX5和PX6之間的下方柵極絕緣層313和層間絕緣層314可以被去除。絕緣層313和314的去除可以減小在柔性顯示裝置I被折疊時在彎曲區(qū)域I中出現(xiàn)的應(yīng)力，從而增大柔性顯示裝置I的彎曲可靠性。
[0018]參照圖1至圖3，根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的柔性顯示裝置I包括柔性基底100、形成在柔性基底100上的緩沖層200、形成在緩沖層200上的包括多個薄膜晶體管(未示出)的元件/布線層300、形成在元件/布線層300中的多個像素PXl至PX9以及形成為覆蓋所述多個像素PXl至PX9的密封層500。
[0019]柔性基底100包括彎曲區(qū)域I和非彎曲區(qū)域II。彎曲區(qū)域I是可折疊的區(qū)域，非彎曲區(qū)域是不可折疊的區(qū)域。柔性顯示裝置I沿彎曲區(qū)域I的基準(zhǔn)線LI折疊。例如，彎曲區(qū)域I具有對稱的彎曲形狀。
[0020]非彎曲區(qū)域II提供至少一個平坦區(qū)域并且可以均勻地形成而始終不具有彎曲區(qū)域。
[0021]柔性基底100由柔性材料形成。
[0022]緩沖層200設(shè)置在柔性基底100上。緩沖層200防止諸如濕氣或氧的外部物體穿過柔性基底100滲透到元件/布線層300和/或多個像素PXl至PX9中。
[0023]元件/布線層300設(shè)置在緩沖層200上。元件/布線層300可以包括驅(qū)動多個像素PXl至PX9的驅(qū)動薄膜晶體管(TFT)、開關(guān)TFT (未示出)、電容器以及連接到TFT或電容器的布線(未示出)。
[0024]多個像素PXl至PX9形成在元件/布線層300中。
[0025]多個像素PXl至PX9包括形成在彎曲區(qū)域I中的第一像素部分PX4、PX5和PX6以及形成在非彎曲區(qū)域II中的第二像素部分？乂1、？乂2、？乂3、？乂7、？乂8和？乂9。形成在彎曲區(qū)域I中和非彎曲區(qū)域II中的多個像素PXl至PX9的尺寸可以相同。
[0026]根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，第一距離dl大于第二距離d2。形成在彎曲區(qū)域I的邊界部分的像素PX4和PX6與形成在非彎曲區(qū)域II的邊界部分的像素PX3和PX7之間的第三距離d3大于第二距離d2。另外，第三距離d3可以等于或小于第一距離dl。
[0027]第一距離dl大于第二距離d2，從而確保加工余量以去除圖4的形成在第一像素部分的像素PX4、PX5和PX6之間的下方的柵極絕緣層313和層間絕緣層314。
[0028]利用使用掩模的光刻工藝，彎曲區(qū)域I的像素PX4、PX5和PX6被形成為具有第一距離dl，非彎曲區(qū)域II的像素PX1、PX2、PX3、PX7、PX8和PX9被形成為具有第二距離d2。當(dāng)?shù)谝痪嚯xdl和第二距離d2被物理地設(shè)置為不同的時候，元件/布線層300的TFT(驅(qū)動第一像素部分PX4、PX5、PX6和第二像素部分PX1、PX2、PX3、PX7、PX8、PX9的像素的TFT)之間的距離被設(shè)置為不同。
[0029]例如，由于彎曲區(qū)域I的像素PX4、PX5和PX6之間的第一距離dl大于非彎曲區(qū)域II的像素之間的第二距離d2，所以元件/布線層300中的彎曲區(qū)域I的像素的驅(qū)動TFT之間的距離可以大于非彎曲區(qū)域II的像素的驅(qū)動TFT之間的距離。
[0030]為了描述簡要，將彎曲區(qū)域I的三個像素和非彎曲區(qū)域II的六個像素用作示例來描述本發(fā)明的實(shí)施例，但是本發(fā)明不限于此。像素的數(shù)量可以根據(jù)柔性顯示裝置I的尺寸以及彎曲區(qū)域I的面積和折疊程度而改變。
[0031]第一區(qū)域Ml是去除了圖4的形成在彎曲區(qū)域I的第一像素部分的像素PX4、PX5和PX6之間的下方的柵極絕緣層313和層間絕緣層314的區(qū)域。另外，柔性顯示裝置I還可以包括第二區(qū)域M2，從第二區(qū)域M2去除了圖4的形成在彎曲區(qū)域I的邊界部分的像素PX4和PX6與形成在非彎曲區(qū)域II的邊界部分的像素PX3和PX7之間的下方的柵極絕緣層313和層間絕緣層314。
[0032]圖4是沿圖2的線A-A’截取的剖視圖。
[0033]參照圖4，形成在元件/布線層300中的驅(qū)動TFT包括沿一個方向(例如，與第一距離dl或第二距離d2交叉的方向)延伸的半導(dǎo)體層321、柵極322以及源極和漏極323。圖4中的驅(qū)動TFT是頂柵型TFT?？蛇x地，可以形成其它類型的TFT，例如底柵型TFT。在下文中，將描述圖4的頂柵型TFT。
[0034]半導(dǎo)體層321、柵極絕緣層313、柵極322、層間絕緣層314、接觸孔324以及源極和漏極323順序地形成在緩沖層200上，以形成圖4的頂柵型TFT。
[0035]半導(dǎo)體層321可以由摻雜有雜質(zhì)的多晶硅形成?？蛇x擇地，半導(dǎo)體層321可以由非晶硅代替多晶硅來形成，并且還可以由各種有機(jī)半導(dǎo)體材料(例如，并五苯)形成。
[0036]當(dāng)半導(dǎo)體層321由多晶硅形成時，形成非晶硅，然后利用結(jié)晶方法來使非晶硅結(jié)晶為多晶硅。結(jié)晶方法可以包括但不限于快速熱退火(RTA)、固相結(jié)晶(SPC)、準(zhǔn)分子激光退火(ELA)、金屬誘導(dǎo)結(jié)晶(MIC)、金屬誘導(dǎo)橫向結(jié)晶(MILC)或順序橫向固化(SLS)。當(dāng)使用塑料基底時，可以使用不需要高溫?zé)崽幚淼姆椒ā?br> [0037]柵極絕緣層313形成在半導(dǎo)體層321和柵極322之間。柵極絕緣層313可以由諸如氧化硅或氮化硅的絕緣無機(jī)材料形成。柵極絕緣層313也可由絕緣有機(jī)材料形成。
[0038]柵極322可由各種導(dǎo)電材料形成，導(dǎo)電材料包括但不限于鎂(Mg)、鋁(Al)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、鑰(Mo)、鎢(W)、鑰-鎢(MoW)或金(Au)。柵極322可以形成為單層或多層。
[0039]層間絕緣層314可以由諸如氧化硅或氮化硅的絕緣無機(jī)材料形成，也可由絕緣有機(jī)材料形成。
[0040]源極和漏極323通過選擇性地去除層間絕緣層314和柵極絕緣層313來形成。源極和漏極323由柵極材料在層間絕緣層314上形成為單層或多層。
[0041]另外，在形成接觸孔324以形成源極和漏極323的過程中，可以去除在彎曲區(qū)域I的像素PX4和像素PX5之間的下方的層間絕緣層314和柵極絕緣層313。彎曲區(qū)域I的去除了層間絕緣層314和柵極絕緣層313的區(qū)域?qū)?yīng)于圖1和圖2的第一區(qū)域Ml。
[0042]另外，可以去除在非彎曲區(qū)域II的像素PX3和彎曲區(qū)域I的像素PX4之間的下方的層間絕緣層314和柵極絕緣層313。在彎曲區(qū)域I和非彎曲區(qū)域II的邊界部分去除了層間絕緣層314和柵極絕緣層313的區(qū)域?qū)?yīng)于圖1和圖2的第二區(qū)域M2。
[0043]由于在形成在彎曲區(qū)域I中的像素PX4和像素PX5之間的下方的層間絕緣層314和柵極絕緣層313被去除，所以當(dāng)彎曲區(qū)域I被折疊或彎曲時出現(xiàn)的應(yīng)力強(qiáng)度可以被最小化，從而提高了柔性顯示裝置I的可靠性。另外，還可去除在非彎曲區(qū)域II的像素PX3和彎曲區(qū)域I的像素PX4之間的下方的層間絕緣層314和柵極絕緣層313，因此可以提高柔性顯示裝置I的可靠性。
[0044]為了保護(hù)下方的TFT并使TFT平坦化，平坦化層315 (保護(hù)層和/或鈍化層)被包括在源極和漏極323上以及在暴露緩沖層200的頂部的第一區(qū)域Ml和第二區(qū)域M2中。平坦化層315可以以各種形式形成，并且可由例如苯并環(huán)丁烯(BCB)或亞克力(acryl)的有機(jī)材料形成，或者可以由例如SiNx的無機(jī)材料形成。另外，平坦化層315可以被形成為單層、雙層或多層。設(shè)置在元件/布線層300上的多個像素PX3、PX4和PX5包括第一電極431、設(shè)置在第一電極431上的中間層432和形成在中間層432上的第二電極433。
[0045]第一電極432是陽極，第二電極433是陰極。然而，本發(fā)明不限于此，根據(jù)柔性顯示裝置I的驅(qū)動方法，第一電極431可以是陰極，并且第二電極433可以是陽極?？昭ê碗娮訌牡谝浑姌O431和第二電極433注入到中間層432中。作為注入的空穴和電子的結(jié)合狀態(tài)的激子在從激發(fā)態(tài)降至基態(tài)時發(fā)光。
[0046]第一電極431電連接到形成在元件/布線層300中的驅(qū)動TFT。
[0047]多個像素PX3、PX4和PX5設(shè)置在其上設(shè)置有驅(qū)動TFT的元件/布線層300上，但是本發(fā)明不限于此。
[0048]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的包括在多個像素PX3、PX4和PX5中的第一電極431可以是反射電極。第一電極431可以包括由銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉬(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)和它們的組合中的至少一種形成的反射層以及形成在反射層上的透明或半透明電極層。
[0049]透明或半透明電極層可以包括但不限于氧化銦錫(ΙΤ0)、氧化銦鋅(ΙΖ0)、氧化鋅(ZnO),氧化銦(In2O3)、氧化鎵銦(IG0)或氧化鋁鋅(AZO)。
[0050]設(shè)置為面對第一電極431的第二電極433可以是透明或半透明電極。第二電極433可以由具有低功函數(shù)的薄金屬膜形成，薄金屬膜包括鋰(Li)、鈣(Ca)、LiF/Ca、LiF/Al、鋁(Al)、銀(Ag)、鎂(Mg)或它們的組合。還可以在第二電極433上形成輔助電極層或匯流電極。輔助電極可以由用于形成透明電極的材料形成，例如由ΙΤ0、ΙΖ0、Ζη0或In2O3形成。
[0051]因此，第二電極433可以透射從像素ΡΧ3、ΡΧ4和ΡΧ5發(fā)射的光。
[0052]設(shè)置在第一電極431和第二電極433之間的中間層432可以是低分子量有機(jī)材料或高分子量有機(jī)材料。
[0053]除了中間層432之外，還可以在第一電極431和第二電極433之間選擇性地設(shè)置空穴傳輸層(HTL)、空穴注入層(HIL)、電子傳輸層(ETL)和電子注入層(EIL)。
[0054]從中間層432發(fā)射的光可以是頂部發(fā)射式，通過被形成為電極或反射電極的第一電極431的反射而向上朝第二電極433發(fā)射。
[0055]然而，根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的柔性顯示裝置I不限于頂部發(fā)射型，其可以是從中間層432向柔性基底100發(fā)光的底部發(fā)射型。在這種情況下，第一電極431可由透明或半透明電極形成，而第二電極433可以由反射電極形成。
[0056]另外，柔性顯示裝置I可以是既沿頂部方向又沿底部方向發(fā)光的雙發(fā)射型。
[0057]密封層500設(shè)置在第二電極433上。密封層500用于防止外部濕氣和氧氣滲透到像素PX3、PX4和PX5中。密封層500可以通過交替地堆疊至少一個有機(jī)層和至少一個無機(jī)層來形成。
[0058]無機(jī)層或有機(jī)層的數(shù)量可以分別是多個。
[0059]有機(jī)層被形成為聚合物，并且可以是由聚乙烯醚鄰苯二甲酸酯、聚酰亞胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、環(huán)氧樹脂、聚乙烯和聚丙烯酸酯(PAR)中的任一種形成的單層或堆疊層。有機(jī)層可由聚丙烯酸酯(PAR)形成，例如，可以包含包括二丙烯酸酯單體和三丙烯酸酯單體的聚合的單體組分。單體組分還可包括單丙烯酸酯單體。另外，單體組分還可包括本領(lǐng)域普通技術(shù)人員公知的光引發(fā)劑，例如熱塑性聚烯烴(ΤΡ0)，但不限于此。
[0060]無機(jī)層可以是包括金屬氧化物或金屬氮化物的單層或堆疊層。例如，無機(jī)層可以包括SiNx、Al203、S12和T12中的任意一種。
[0061]密封層500具有暴露到外部的頂部部分。頂部部分可以由無機(jī)層形成以使有機(jī)發(fā)光裝置防水。
[0062]密封層500可以包括至少一個夾層結(jié)構(gòu)，在夾層結(jié)構(gòu)中，至少一個有機(jī)層被插入在至少兩個無機(jī)層之間。另外，密封層500可以包括至少一個夾層結(jié)構(gòu)，在夾層結(jié)構(gòu)中，至少一個無機(jī)層被插入在至少兩個有機(jī)層之間。
[0063]密封層500設(shè)置在第二電極433上。密封層500可以包括第一無機(jī)層、第一有機(jī)層和第二無機(jī)層。密封層500還可以包括第二有機(jī)層和第三無機(jī)層。密封層500還可以包括第三有機(jī)層和第四無機(jī)層。
[0064]還可在第二電極433和第一無機(jī)層之間包括包含LiF的齒化金屬層。齒化金屬層可以防止像素PX3、PX4和PX5由于用于形成第一無機(jī)層的濺射或等離子體沉積工藝而損壞。
[0065]第一有機(jī)層可以具有比第二無機(jī)層小的面積，第二有機(jī)層可以具有比第三無機(jī)層小的面積。另外，第一有機(jī)層可以被第二無機(jī)層完全覆蓋，并且第二有機(jī)層可以被第三無機(jī)層完全覆蓋。
[0066]圖5至圖14是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的制造柔性顯示裝置的方法的剖視圖。
[0067]參照圖5，在支撐基底10上形成柔性基底100。
[0068]支撐基底10在稍后將描述的分離工藝中通過激光束照射或化學(xué)溶液與柔性基底100分離。
[0069]支撐基底10可以是玻璃基底?？蛇x擇地，支撐基底10可以是各種基底，例如，可以使用支撐柔性基底100并承受由于在柔性基底100上形成元件和布線的工藝而導(dǎo)致的加工應(yīng)力的透明塑料基底或金屬基底。
[0070]柔性基底100可以由可彎曲并且具有高的耐熱性和耐久性的塑料材料形成。例如，塑料材料可以包括但不限于聚乙烯醚鄰苯二甲酸酯、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、聚烯丙基化物(polyalIylate)、聚醚酰亞胺(PEI )、聚醚砜(PES)或聚酰亞胺(PI )。
[0071]雖然未在圖5中示出，但是可以在支撐基底10和柔性基底100之間形成分離層(未示出)。分離層可以由適合于在分離工藝中應(yīng)用的方法的各種材料形成。
[0072]參照圖6，在柔性基底100的頂部上形成緩沖層200。緩沖層200可以由無機(jī)層和有機(jī)層中的至少一種形成。通過防止?jié)駳饣螂s質(zhì)擴(kuò)散到柔性基底100中，或者通過控制在結(jié)晶工藝過程中的熱傳遞速度，緩沖層200有助于半導(dǎo)體的結(jié)晶。
[0073]然后，在緩沖層200上形成半導(dǎo)體層321。
[0074]半導(dǎo)體層321可以由多晶硅或非晶硅形成，并且還可由各種有機(jī)半導(dǎo)體材料形成，例如由并五苯形成。
[0075]參照圖7，在緩沖層200上形成柵極絕緣層313，以覆蓋半導(dǎo)體層321。柵極絕緣層313可以由諸如氧化硅或氮化硅的絕緣無機(jī)材料形成，也可以由絕緣有機(jī)材料形成。
[0076]然后，在柵極絕緣層313上形成柵極322。柵極322可以由各種導(dǎo)電材料形成。
[0077]參照圖8，在柵極絕緣層313上形成層間絕緣層314，以覆蓋柵極322。
[0078]層間絕緣層314可以由諸如氧化硅或氮化硅的絕緣無機(jī)材料形成，也可以由絕緣有機(jī)材料形成。
[0079]參照圖9，通過光刻工藝形成接觸孔324。層間絕緣層314和柵極絕緣層313被選擇性地去除，從而緩沖層200的對應(yīng)于第一區(qū)域Ml和第二區(qū)域M2的區(qū)域被暴露。
[0080]參照圖10，通過接觸孔324，利用上面描述的柵極材料在層間絕緣層314上將源極和漏極323形成為單層或多層。
[0081]參照圖11，為了保護(hù)下方的TFT并使TFT平坦化，在源極和漏極323上以及在暴露緩沖層200的一部分的第一區(qū)域Ml和第二區(qū)域M2中形成平坦化層315。
[0082]然后，在TFT的頂部上形成顯示元件。本實(shí)施例包括有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)作為顯示元件。然而，本發(fā)明的實(shí)施例不限于此，可以形成各種顯示元件。
[0083]為了在TFT的頂部上形成0LED，第一電極431形成在平坦化層315的頂部上，第一電極431通過接觸孔430電連接到源極和漏極323中的一個。第一電極431用作陽極或陰極,并且可以由各種導(dǎo)電材料形成。
[0084]參照圖12，通過以暴露第一電極431的至少一部分的方式來對絕緣材料進(jìn)行圖案化，在第一電極431上形成像素限定層416。像素限定層416可以是由諸如氧化硅(S12)和氮化硅(SiNx)的無機(jī)材料形成的無機(jī)層。
[0085]參照圖13，可以通過形成中間層432和第二電極433來制造0LED。中間層432包括在第一電極431的開口中的有機(jī)發(fā)射層。第二電極433面對第一電極431。中間層432設(shè)置在第一電極431和第二電極433之間。
[0086]圖13示出的是中間層432被圖案化為僅對應(yīng)于每個子像素(即，被圖案化的每個第一電極431)。然而，這僅僅是用于描述子像素的組成，中間層432可以與相鄰的子像素的中間層431形成為一個。另外，各種替換是可以的，例如，一些中間層432被形成為對應(yīng)于每個子像素，而其它中間層432可以與相鄰的子像素的中間層432形成為一個。
[0087]根據(jù)第一電極431的功能，第二電極433可以是陰極或陽極。
[0088]參照圖14，在第二電極433的頂部上形成密封層500，以包封0LED。密封層500可以是無機(jī)材料、有機(jī)材料或者有機(jī)材料和無機(jī)材料的復(fù)合堆疊材料的阻擋層。
[0089]下面，執(zhí)行分層工藝來使柔性基底100從支撐基底10分開。
[0090]圖15是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的柔性顯示裝置2的俯視圖。圖16是沿圖15的線B-B’截取的剖視圖。同樣的標(biāo)號表示同樣的元件。
[0091]參照圖15和圖16，彎曲區(qū)域I的像素PX3’和PX4’的尺寸Al小于非彎曲區(qū)域II的像素PX1’、PX2’、PX5’和PX6’的尺寸A2，這與圖2的實(shí)施例不同，在圖2的實(shí)施例中，在彎曲區(qū)域I和非彎曲區(qū)域II中形成的像素PXl至PX9的尺寸實(shí)質(zhì)上相同。
[0092]彎曲區(qū)域I的像素PX3’與非彎曲區(qū)域II的像素PX2’之間的第三距離d3’可以大于像素PX1’、PX2’、PX5’和PX6’之間的第二距離d2’。另外，第三距離d3’可以等于或小于像素PX3’和PX4’之間的第一距離dl’。然而，本發(fā)明的實(shí)施例不限于此。
[0093]在圖15和圖16中，第一區(qū)域Ml’是在彎曲區(qū)域I中去除了層間絕緣層314和柵極絕緣層313的區(qū)域，第二區(qū)域M2’是在彎曲區(qū)域I和非彎曲區(qū)域II的邊界部分去除了層間絕緣層314和柵極絕緣層313的區(qū)域。
[0094]大于第二距離d2’的第一距離dl’和第三距離d3’可以通過將彎曲區(qū)域I的像素PX3’和PX4’的尺寸Al形成為小于非彎曲區(qū)域II的像素ΡΧΓ、PX2’、PX5’和PX6’的尺寸A2來獲得。這種像素尺寸差異可以提供用于從彎曲區(qū)域I的像素PX3’和PX4’之間的下方的區(qū)域去除柵極絕緣層313和層間絕緣層314的加工余量。通過在第一區(qū)域Ml’或第二區(qū)域M2’中去除柵極絕緣層313和層間絕緣層314，在柔性顯示裝置2被折疊或彎曲時出現(xiàn)的應(yīng)力強(qiáng)度可以被最小化，從而提高了柔性顯示裝置2的可靠性。
[0095]為了描述簡便，描述了彎曲區(qū)域I的兩個像素和非彎曲區(qū)域II的四個像素。然而，本發(fā)明不限于此，像素的數(shù)量可以根據(jù)柔性顯示裝置2的尺寸以及彎曲區(qū)域I的面積和折疊程度而改變。
[0096]雖然已經(jīng)參照本發(fā)明的示例性實(shí)施例來示出并描述了本發(fā)明構(gòu)思，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解的是，在不脫離如權(quán)利要求所限定的本發(fā)明構(gòu)思的精神和范圍的情況下，可以對此進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的各種改變。
【權(quán)利要求】
1.一種柔性顯示裝置，所述柔性顯示裝置包括: 基底，包括可折疊的彎曲區(qū)域和不可折疊的非彎曲區(qū)域； 多個第一像素，設(shè)置在彎曲區(qū)域中，每個第一像素與相鄰的第一像素分隔開第一距離；以及 多個第二像素，設(shè)置在非彎曲區(qū)域中，每個第二像素與相鄰的第二像素分隔開第二距離， 其中，第一距離大于第二距離。
2.如權(quán)利要求1所述的柔性顯示裝置，其中，第一像素與相鄰于該第一像素的第二像素分隔開第三距離，第三距離大于第二距離。
3.如權(quán)利要求1所述的柔性顯示裝置，其中，每個第一像素和每個第二像素包括有機(jī)發(fā)射層。
4.如權(quán)利要求1所述的柔性顯示裝置，所述柔性顯示裝置還包括置于基底和所述多個第一像素之間的元件/布線層，其中，元件/布線層包括驅(qū)動薄膜晶體管，所述薄膜驅(qū)動晶體管包括: 半導(dǎo)體層，形成在基底上； 柵極絕緣層，形成在半導(dǎo)體層上； 柵極，形成在柵極絕緣層上； 層間絕緣層，形成在柵極絕緣層上； 源極和漏極，結(jié)合到半導(dǎo)體層，其中，源極和漏極穿過層間絕緣層和柵極絕緣層；以及 平坦化層，形成在基底上，以覆蓋源極和漏極， 其中，層間絕緣層和柵極絕緣層未形成在基底的設(shè)置在彎曲區(qū)域中的第一部分上，基底的第一部分對應(yīng)于設(shè)置在彎曲區(qū)域的兩個相鄰的第一像素之間的區(qū)域。
5.如權(quán)利要求1所述的柔性顯示裝置，其中，每個第一像素和每個第二像素具有基本相同的尺寸。
6.如權(quán)利要求1所述的柔性顯示裝置，其中，基底包括聚乙烯醚鄰苯二甲酸酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、聚烯丙基化物、聚醚酰亞胺、聚醚砜或聚酰亞胺。
7.如權(quán)利要求1所述的柔性顯示裝置，所述柔性顯示裝置還包括:密封層，被形成為覆蓋所述多個第一像素和所述多個第二像素。
8.如權(quán)利要求1所述的柔性顯示裝置，其中，每個第一像素比每個第二像素小。
9.一種柔性顯示裝置，所述柔性顯示裝置包括: 基底，包括可折疊的彎曲區(qū)域和不可折疊的非彎曲區(qū)域； 多個驅(qū)動薄膜晶體管，設(shè)置在基底上，其中，每個驅(qū)動薄膜晶體管包括沿第一方向延伸的半導(dǎo)體層； 多個第一像素，設(shè)置在彎曲區(qū)域上，每個第一像素沿與第一方向交叉的第二方向與相鄰的第一像素分隔開第一距離；以及 多個第二像素，設(shè)置在非彎曲區(qū)域上，每個第二像素沿第二方向與相鄰的第二像素分隔開第二距離， 其中，每個第一像素設(shè)置在對應(yīng)的驅(qū)動薄膜晶體管上，每個第二像素設(shè)置在對應(yīng)的驅(qū)動薄膜晶體管上，其中，第一距離大于第二距離。
10.如權(quán)利要求9所述的柔性顯示裝置，其中，每個第一像素和每個第二像素具有基本相同的尺寸。
【文檔編號】H01L27/12GK104241295SQ201410146085
【公開日】2014年12月24日 申請日期:2014年4月11日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月7日
【發(fā)明者】金喆秀 申請人:三星顯示有限公司