基于電學(xué)測量的電路布線布局修改方法和系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】通過測量在第一襯底上制造的無源部件的電感或電容值，存儲無源部件和無源部件各自的測定值之間的個體關(guān)聯(lián)，并且基于無源部件和無源部件各自的測定值之間的個體關(guān)聯(lián)為無源部件確定電連接，來調(diào)整電學(xué)電路的電容或電感。相應(yīng)的系統(tǒng)包括：測試器，可操作為測量在第一襯底上制造的無源部件的電感或電容值；存儲系統(tǒng)，可操作為存儲無源部件和無源部件各自的測定值之間的個體關(guān)聯(lián)；和處理電路，可操作為基于無源部件和無源部件各自的測定值之間的個體關(guān)聯(lián)為無源部件確定電連接。
【專利說明】基于電學(xué)測量的電路布線布局修改方法和系統(tǒng)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本申請涉及具有無源部件的電路，并且尤其是涉及用無源部件調(diào)整或修改電路的 頻率響應(yīng)。

【背景技術(shù)】
[0002] 諸如電容器和電感器的離散無源器件通常具有公差在+/-10%或更高的范圍內(nèi)的 生產(chǎn)公差。然而，諸如濾波網(wǎng)絡(luò)的許多電路應(yīng)用對電路中所包括的電容器和電感器部件要 求更嚴(yán)格的公差。離散無源器件通常被測試(例如，通過測量電容或電感)，然后被分類到不 同的箱(組）中，以確保適當(dāng)值(例如，額定值+/-3%)的無源器件被組裝為電路，以實(shí)現(xiàn)所設(shè) 計(jì)/功能性的頻率響應(yīng)特性。不同的額定值電容器能夠和匹配的額定值電感器分組。然而， 所述分類過程使成本增加。對于使用半導(dǎo)體技術(shù)制造的離散無源器件，諸如硅上IPD(集成 無源器件)，所述無源器件的值能夠使用獨(dú)立器件管芯上的熔線元件調(diào)整。例如，基于測試 結(jié)果，連接線能夠通過激光切割而被隔斷。這種熔合技術(shù)類似于根據(jù)測量的修整。一旦所 述器件管芯被置于iro襯底上，對通過iro襯底上的不同的器件管芯形成的每個電路進(jìn)行 相同連接。同樣，在單切（singulation)(例如，鋸切）為個體管芯并且放在IH)襯底上之 前，必須在獨(dú)立管芯上的晶片處理期間進(jìn)行所有電容/電感修改。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 根據(jù)調(diào)整無源電路的電容或電感的方法的實(shí)施例，所述方法包括：測量在第一襯 底上制造的無源部件的電感或電容值；存儲無源部件和無源部件各自的測定值之間的個體 關(guān)聯(lián)；并且基于無源部件和無源部件各自的測定值之間的個體關(guān)聯(lián)為無源部件確定電連 接。
[0004] 根據(jù)系統(tǒng)的實(shí)施例，所述系統(tǒng)包括：測試器，可操作為測量在第一襯底上制造的無 源部件的電感或電容值；存儲系統(tǒng)，可操作為存儲無源部件和無源部件各自的測定值之間 的個體關(guān)聯(lián)；和處理電路，可操作為基于無源部件和無源部件各自的測定值之間的個體關(guān) 聯(lián)為無源部件確定電連接。
[0005] 本領(lǐng)域技術(shù)人員在閱讀下列詳細(xì)說明和觀看附圖后，將認(rèn)識到額外的特點(diǎn)和優(yōu) 點(diǎn)。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0006] 圖中的部件不必一定按比例，而是將重點(diǎn)放在說明本發(fā)明的原理上。此外，在圖 中，相近的附圖標(biāo)記標(biāo)明相應(yīng)零件。在附圖中：
[0007] 圖1說明了用于制造具有無源部件的電路的系統(tǒng)的實(shí)施例的方框圖；
[0008] 圖2說明了制造具有無源部件的電路的方法的實(shí)施例的流程圖；
[0009] 圖3說明了對無源部件和所述無源部件的測量值之間的個體關(guān)聯(lián)進(jìn)行確定的實(shí) 施例的圖表；
[0010] 圖4說明了對無源部件和所述無源部件的測量值之間的個體關(guān)聯(lián)進(jìn)行確定的另 一個實(shí)施例的圖表；
[0011] 圖5A到5C說明了不同的電容器管芯以及相應(yīng)的電路布線布局；
[0012] 圖6A和6B說明了 LC電路以及相應(yīng)的電路布線布局；和
[0013] 圖7A和7B說明了其他LC電路和相應(yīng)的布線布局。

【具體實(shí)施方式】
[0014] 根據(jù)本文中所述的實(shí)施例，諸如在例如半導(dǎo)體晶片的襯底上制造的電容器和/或 電感器的無源部件被測試，以測量每個無源部件的個體（電容或電感）值。在部件被分成個 體管芯并放置在其中將要嵌入無源部件的襯底或載體上之后，在晶片試驗(yàn)期間獲得的測量 值隨后被用于修改不同的無源部件之間的互連布線?；跍y試測量進(jìn)行的布線布局修改 允許由管芯形成的個體電路的定制或調(diào)諧，以便每個電路都具有落入可接受范圍的頻率響 應(yīng)。例如，標(biāo)準(zhǔn)布線布局被設(shè)計(jì)用于相同類型的所有電路。例如通過調(diào)整所述電路的電容 或電感，為具有測量值在可接受范圍外的無源管芯的那些電路修改所述標(biāo)準(zhǔn)布線布局?；?于一個電路接一個電路，按照需要進(jìn)行這些布線布局修改，以確保所有電路滿足預(yù)先確定 的設(shè)計(jì)要求，諸如頻率響應(yīng)。
[0015] 圖1說明了系統(tǒng)的實(shí)施例的方框圖，所述系統(tǒng)用于測試在諸如半導(dǎo)體晶片的襯底 上制造的無源部件并且用于從與襯底分離的個體管芯來制造電路。基于先前在測試期間進(jìn) 行的無源部件測量，所述電路的布線布局能夠在測試和襯底切割之后在每個電路上被定制 或修整。這樣，每個電路的頻率響應(yīng)或其他參數(shù)能夠被單獨(dú)調(diào)整或調(diào)諧到可接受范圍內(nèi)，甚 至一些電路可以包括單獨(dú)測量結(jié)果（電感或電容）在可接受公差外的無源部件。
[0016] 所述系統(tǒng)包括諸如晶片測試器的測試器100、管芯單切/管芯拾放工具110、管芯 互連工具120和一個或多個具有處理電路132和存儲系統(tǒng)134的服務(wù)器130,所述處理電 路132諸如微處理器、圖形處理器、網(wǎng)絡(luò)處理器、數(shù)字信號處理器、ASIC (專用集成電路）等 或其任何組合，存儲系統(tǒng)134諸如HDD (硬盤驅(qū)動器)、光驅(qū)動器、磁帶驅(qū)動器、SSD (固態(tài)驅(qū) 動器)、易失性和/或非易失性存儲器等或其任何組合。
[0017] 圖2說明了通過圖1的系統(tǒng)實(shí)施的制造方法的實(shí)施例。接著參考圖2中所示的方 法流程圖描述所述系統(tǒng)的工作。
[0018] 所述測試器100被編程以測量在半導(dǎo)體晶片或其他類型的襯底140上制造的無源 部件142的電感或電容值（圖2,塊200)。能夠采用任何常規(guī)測試器100,并且諸如半導(dǎo)體晶 片的任何類型的平面襯底140能夠被用于制造無源部件142,例如硅晶片、SiC晶片、陶瓷、 分層等。
[0019] 服務(wù)器130中包括的處理電路132在存儲系統(tǒng)134中存儲所述無源部件和所述無 源部件的各自測量值之間的個體關(guān)聯(lián)。在所述部件被分為個體管芯并被放在其中將嵌入部 件的第二襯底150 (諸如襯底核心或其他類型的襯底）上之后，隨后使用這些個體關(guān)聯(lián)修改 包括不同無源部件的電路的布線布局。在一個實(shí)施例中，所述管芯被放在由形成第二襯底 150的密封材料將要嵌入的臨時載體上。
[0020] 圖3說明了一個實(shí)施例，其中服務(wù)器130中包括的處理電路132通過將在第一襯 底140上制造的每個無源部件142的X - y位置與無源部件142的測量值鏈接或關(guān)聯(lián)，來確 定個體關(guān)聯(lián)。x_y位置信息在圖3的左側(cè)上被標(biāo)簽為"'管芯_x x-y晶片位置"，其中'X' 對應(yīng)于晶片140上制造的第X個部件142。所述測量值在圖3的左側(cè)上被標(biāo)簽"管芯_x測 試測量值"。在電容器部件142的情形中，在所謂的晶片地圖或其他類型的文件160中，這 能夠包括使為每個電容器142測量的電容值與電容器142在襯底140上的對應(yīng)x-y位置相 關(guān)聯(lián)。晶片地圖是一種柵格，其通過x-y晶片位置識別部件142,并且能夠包括與每個部件 142的x-y位置關(guān)聯(lián)的測試數(shù)據(jù)(例如，電容)。在文件而不是晶片地圖的情形中，通過在諸 如ASCII文件的文件中創(chuàng)建記錄(其中每個記錄將襯底140上制造的一個無源部件142與 無源部件142的實(shí)際測量值關(guān)聯(lián))，能夠存儲個體關(guān)聯(lián)。
[0021] 在另一個實(shí)施例中，在服務(wù)器130中包括的處理電路132通過將唯一分配給在第 一襯底140上制造的每個無源部件142的ID與無源部件142的測量值鏈接或關(guān)聯(lián)，來確定 個體關(guān)聯(lián)。所述ID可以是例如通過熔接或其他類型的編程被存儲在部件142中的電子ID。 替代地，ID能夠是實(shí)體標(biāo)記，諸如在每個無源部件142上能夠例如通過掃描器或光學(xué)檢驗(yàn) 讀取的條形碼、矩陣碼、或激光劃痕。
[0022] 圖4說明還另一個實(shí)施例，其中測試測量數(shù)據(jù)由130中包括的處理電路132分析， 以確定是否第一襯底140上的任何無源部件142具有在預(yù)先確定范圍外的測量值，并因此 要求修改，例如電容或電感的增加或減少。在將集成無源部件142的電路類型的背景中能 夠做出這個決定。例如，濾波網(wǎng)絡(luò)可以具有預(yù)先確定的頻率響應(yīng)范圍，這取決于將使用濾波 網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用的類型。所述處理電路132可以分析為不同無源部件142獲得的測試測量結(jié)果， 以識別每一個其測量值在預(yù)先確定范圍外(例如超過+/-3%容許限度)的部件142。對于這 些無源部件142,包括部件142電路將需要一些種類的修改(例如，電容或電感的增加或減 少)，以確保電路在頻率響應(yīng)范圍內(nèi)工作。按照圖4中所示的實(shí)施例，要求修改的無源部件 142與相應(yīng)的校正信息而非實(shí)際測試數(shù)據(jù)相關(guān)聯(lián)。例如，每個無源部件142的x-y位置信息 被存儲在晶片地圖/文件160中，并且如果相應(yīng)的校正信息適用，那么所述位置信息與相應(yīng) 校正信息關(guān)聯(lián)。所述x-y位置信息在圖4的左手側(cè)上被附標(biāo)簽"管芯_x x-y晶片位置"，其 中"X"對應(yīng)于在晶片140上制造的第X個部件142。所述校正信息在圖4的左手側(cè)上被附 標(biāo)簽"管芯_x L/C校正"。
[0023] 按照本文中所述的實(shí)施例，在將無源部件142分開(單切）并且被放在第二襯底 150上或嵌入第二襯底150中之后，進(jìn)行布線布局修改。所述無源部件142在圖4的右手側(cè) 上被描述為個體單切管芯152。所述襯底150能夠具有對準(zhǔn)標(biāo)記154和/或其他特征。月艮 務(wù)器130中包括的處理電路132基于在晶片地圖/文件160中存儲的個體關(guān)聯(lián)進(jìn)行布線布 局修改，允許由管芯152形成的個體電路的定制裁剪或調(diào)諧，例如以便每個電路都具有落 入可接受范圍的頻率響應(yīng)。
[0024] 隨著在存儲介質(zhì)134中存儲個體關(guān)聯(lián)并且在單切之后(例如，圖2的塊220的晶片 切割工具)，所述無源部件142能夠通過拾放工具110被平移/傳輸?shù)皆诘诙r底150上的 個體單切管芯152 (圖2,塊230)。在半導(dǎo)體晶片作為第一襯底140的情形中，能夠采用任 何常規(guī)的晶片切割過程。然后至少一些管芯142被放置并且被相關(guān)為第二襯底150上或嵌 入的管芯152,第二襯底150能夠是例如IH)襯底或其它類型襯底（圖2,塊230)。丟棄有缺 陷的管芯142。任何常規(guī)的拾放工具110能夠被用于將來自第一襯底140的個體良好管芯 142放置作為第二襯底150上或嵌入其中的相關(guān)管芯152。
[0025] 作為管芯放置過程的部分，建立管芯放置地圖/文件170,其識別與第一襯底140 上的相應(yīng)管芯位置關(guān)聯(lián)的第二襯底150上的每個單切管芯152的x-y位置。在管芯152不 具有唯一 ID的情形中，在拾放/嵌入后，服務(wù)器130中包括的處理電路132經(jīng)由晶片地圖 /文件160并了解了管芯142最初被放置在第一襯底140上何處，能夠?qū)⒌诙r底150上 的個體管芯152追蹤（回溯)回到第一襯底140上的相應(yīng)管芯位置，以便為基于每個襯底(每 個晶片)上的每個管芯152維持一對一映射或相關(guān)。這樣，處理電路132能夠?qū)⒕貓D/ 文件160中的個體關(guān)聯(lián)(實(shí)際測試測量結(jié)果或校正信息)唯一地鏈接或映射到第二襯底150 上的相應(yīng)管芯152。如果管芯152具有唯一的ID，那么通過讀取放置在襯底150上或嵌入 襯底150的管芯152的ID，并且將所述ID與晶片地圖/文件160中存儲的ID相比較以找 回相應(yīng)個體關(guān)聯(lián)，能夠簡化所述過程。
[0026] 在任一情況中，服務(wù)器130中包括的處理電路132基于在第一襯底140上的原始 管芯位置與從晶片地圖/文件160找回的測量值之間的個體關(guān)聯(lián)，來識別測量值在預(yù)先確 定范圍外的被放置在第二襯底150上或嵌入第二襯底150中的一個或多個單切管芯152(圖 2,塊240)。在單切管芯152不具有唯一 ID的情形中，這個過程能夠包括將經(jīng)由晶片地圖 /文件160在第一襯底140上的原始管芯位置的x-y位置映射到經(jīng)由管芯放置地圖/文件 170的在第二襯底150上或嵌入的個體管芯位置的位置，以便獲悉在第二襯底150上的每個 單切管芯152的測量值。于是，所述處理電路132能夠基于如從晶片地圖/文件160找回 的單切管芯152的已知測量值，來識別測量值在預(yù)先確定范圍外的在第二襯底150上放置 或嵌入的管芯152。在單切管芯152具有唯一 ID的情形中，這個過程能夠包括獲取在第二 襯底150上放置或嵌入的每個管芯152的ID，并且基于從晶片地圖/文件160找回且與所 獲取ID關(guān)聯(lián)的測量值而識別測量值在預(yù)先確定范圍外的管芯152。在還另一個實(shí)施例中， 其中在晶片地圖/文件160中存儲的個體關(guān)聯(lián)對應(yīng)于在第二襯底150處實(shí)施的實(shí)際校正信 息而非僅僅測試數(shù)據(jù)，所述過程能夠包括識別具有在晶片地圖/文件160中存儲的校正信 息的在第二襯底150上放置或嵌入的單切管芯152。
[0027] 在每種情況下，然后在服務(wù)器130中包括的處理電路132于是為在第二襯底150 上放置或嵌入的單切管芯152確定電連接(布局）（圖2,塊250)。所述電連接(布局）確定 不同的管芯152將被怎樣確定線路以形成獨(dú)立電路。至少一些電連接被設(shè)計(jì)為校正超出預(yù) 先確定范圍的管芯152的測量值?；趥€體電路進(jìn)行這些校正，并且這些校正通過修改影 響的電路的布線布局來實(shí)施。例如，能夠?yàn)橥环N類的每個電路類型都提供標(biāo)準(zhǔn)的預(yù)先確 定布線布局?；趶木貓D/文件160找回的個體關(guān)聯(lián)，所述處理電路132為具有被識 別為測量值在預(yù)先確定范圍外的一個或多個管芯152的電路修改標(biāo)準(zhǔn)布線布局。所述處理 電路132建立或修改互連的打印文件180,其包括用于由管芯互連工具120制造/暴露的每 個布線層的布局信息。如果被集成為同一電路的部分的單切管芯152具有落入可接受預(yù)先 確定范圍的相應(yīng)測試測量結(jié)果，那么不需要對標(biāo)準(zhǔn)布線布局進(jìn)行改變。然而，對于測量值在 預(yù)先確定范圍外的單切管芯152,在適合于布線布局的每層處修改所述互連打印文件180， 以便得到的電路的頻率響應(yīng)落入預(yù)先確定范圍。
[0028] 任何無掩膜管芯互連工具120能夠基于互連打印文件180中的布線布局信息為第 二襯底上形成的每個電路實(shí)現(xiàn)實(shí)際布線連接。能夠使用任何削減或半增添技術(shù)。例如在 eWLB (嵌入晶片級珠柵格陣列）技術(shù)的情形中，第二襯底150能夠是其中嵌入單切管芯152 的注模用料(所謂的使用半增添技術(shù)的重建層)。像用于任何其他經(jīng)典的晶片級封裝技術(shù) 中，在薄膜技術(shù)中實(shí)現(xiàn)從單切管芯52的焊盤到互連的電連接。管芯互連工具120能夠?qū)嵤?LDI (激光直接成像)，以形成互連。在LDI中，激光被用于將圖案直接成像/暴露到涂覆光 阻劑的面板上。代替?zhèn)鹘y(tǒng)的光工具，使用LDI。在最常見的LDI執(zhí)行中，使用具有專用束輸 送的UV激光器，并且其被調(diào)制為跨面板掃描。LDI能夠被用于按照用于襯底150和層(使用 多層）的互連打印文件180中的布線布局，為每個電路形成/暴露管芯互連。
[0029] 替代地，管芯互連工具120能夠?qū)嵤㎜DW (激光直寫）。LDW是涵蓋修改、削減和增 添過程的普通術(shù)語，這些過程無需光刻或掩模能夠直接在襯底150上建立材料的圖案。激 光與襯底150或任何其它表面的相互作用導(dǎo)致材料修改(熔融、燒結(jié)等)或材料去除(激光微 加工)。LDW能夠被用于按照用于襯底150和層（使用多層）的互連打印文件180中的布線 布局，為每個電路形成/暴露管芯互連。
[0030] 替代地，互連工具120能夠按照用于每個單切管芯152的打印文件180,利用噴墨 技術(shù)將導(dǎo)電墨圖案直接印刷到第二襯底150
[0031] 替代地，使用削減圖案技術(shù)，互連工具120能夠按照打印文件180,利用噴墨技術(shù) 將抗蝕劑直接印刷到第二襯底150上。
[0032] 在還另一個實(shí)施例中，管芯互連工具120能夠使用重新分配層（RDL)技術(shù)由個體 (非單切)管芯142形成電路。RDL涉及添加金屬和介質(zhì)層到晶片140的表面上，以重新確定 I/O (輸入/輸出）布局的線路。RDL使用薄膜聚合物(例如，苯并環(huán)丁烯、聚酰亞胺、Asahi Glass ALX)和金屬噴鍍(例如，Ti、W、Al、Cu等或/和金屬堆)，以將非單切管芯142的焊 盤重新確定路線為任何構(gòu)造。重新分配跡線能夠在主要鈍化(例如，SiN或SiON)上直接制 造，或者能夠在第二層聚合物上方確定路線以增加額外的順性。使用按照用于晶片140和 層（如果使用多層）的互連打印文件180中的布線布局來確定圖形的重新分配跡線，能夠?qū)?施用于每個電路的互連。
[0033] 在每種情況下，服務(wù)器130中包括的處理電路132能夠使用來自晶片地圖/文件 160的x-y晶片位置信息連同來自管芯放置地圖/文件170的x-y襯底位置信息，來唯一 識別在第二襯底150上的每個無源單切管芯152,并且找回先前在如圖3所述的晶片測試 期間為每個部件142測量的相應(yīng)的電容或電感值。所述x-y襯底位置信息在圖3的右手側(cè) 上被標(biāo)簽為"管芯_x x-y襯底位置"，其中"X"對應(yīng)于在襯底150上放置或嵌入的第X個管 芯152。根據(jù)這個實(shí)施例，所述處理電路132確定是否對布線布局的任何修改對于由在第二 襯底150上放置或嵌入的不同單切管芯152形成的個體電路是必需的，例如為了確保每個 電路都在預(yù)先確定的頻率響應(yīng)范圍中工作。例如，所述處理電路132訪問晶片地圖/文件 160,并且識別測量值在預(yù)先確定范圍外的在襯底150上放置或嵌入的每個單切管芯152。 然后，所述處理電路132為包括這些單切管芯152的一個的每個電路的布線布局確定修改， 以便所述電路在實(shí)施相應(yīng)的布線布局修改之后按照要求工作。在互連打印文件180中記錄 與每個所關(guān)心的單切管芯152關(guān)聯(lián)的布線布局修改。互連打印文件180中含有的布線布局 信息在圖3的底部上被標(biāo)簽為"管芯_x layer_y打印信息"，其中"X"對應(yīng)于在第二襯底 150上放置或嵌入的第X個單切管芯152,并且"y"對應(yīng)于第y個互連層（如果使用多層）。 在互連打印文件180中存儲的修改信息在圖3中被標(biāo)簽為"(包括L/C校正)"。
[0034] 在另一個實(shí)施例中，服務(wù)器140中包括的處理電路142使用來自晶片地圖/文件 160的x-y晶片位置信息連同來自管芯放置地圖/文件170的x-y襯底位置信息，來唯一識 別在第二襯底150上的每個無源單切管芯152,并且找回先前在如圖4所示的每個部件142 存儲的相應(yīng)的校正信息。根據(jù)這個實(shí)施例，所述處理電路132確定是否對布線布局的任何 修改對于由在第二襯底150上放置或嵌入的不同單切管芯152形成的個體電路是必需的， 例如為了確保每個電路都滿足目標(biāo)頻率響應(yīng)范圍。例如，第二處理電路132訪問晶片地圖 /文件160,并且識別具有先前確定的修改信息的在第二襯底150上放置或嵌入的每個單切 管芯152。然后，處理電路132為包括這些管芯152的一個的每個電路進(jìn)行布線布局的相應(yīng) 調(diào)整。在互連打印文件180中通過處理電路132記錄與每個所關(guān)心的單切管芯152關(guān)聯(lián)的 布線布局修改。
[0035] 在所有情況下，管芯互連工具120按照互連打印文件180中記錄的布線布局為在 第二襯底150上的單切管芯152形成互連。如在晶片地圖/文件160中的相應(yīng)個體關(guān)聯(lián)所 指示的，如果在第二襯底150上放置或嵌入的一個或多個單切管芯152的測量值在預(yù)先確 定范圍外，那么可以對一個或多個電路進(jìn)行如本文中先前所述的修改布線布局。
[0036] 圖5A到5C說明了管芯152上的電容器，其能夠在襯底150上不同地互連，以形成 不同電路。管芯152上的每個電容器元件都包括主電容器（CM)和一個或多個輔助電容器 (C1、C2、…、Ci)。所述輔助電容器能夠具有與主電容器相同或不同的電容。包括在內(nèi)同一 電容器管芯152中的電容器在管芯152中被使脫離彼此。同一管芯152中包括的每個電容 器具有單獨(dú)的端子對154、156。在切割之前，在晶片級處測試圖5A中示出的主電容器CM， 并且主電容器CM的測量電容值在預(yù)先確定范圍內(nèi)。這樣，圖5A中所示的管芯152不需要 任何修改，因此通過電路布線300僅連接主電容器CM的端子154、156。
[0037] 在切割之前，在晶片級處測試圖5B中示出的主電容器CM和輔助電容器，并且主電 容器的測量電容值低于預(yù)先確定范圍。這樣，圖5B中所示的管芯152要求修改。在一個實(shí) 施例中，修改圖5A中所示的標(biāo)準(zhǔn)電路線路300,以將至少一個輔助電容器（圖5B中C1)與主 電容器（CM)并聯(lián)，以增加管芯152的總電容。如圖5B中的虛線所指示的，能夠通過進(jìn)一步 修改電路布線300將額外的輔助電容器并聯(lián)連接。
[0038] 在切割之前，在晶片級處測試圖5C中示出的主電容器CM，并且主電容器CM的測量 電容值高于預(yù)先確定范圍。這樣，圖5C中所示的管芯152也要求修改。在一個實(shí)施例中， 修改圖5A中所示的標(biāo)準(zhǔn)電路線路300,以將至少一個輔助電容器（圖5C中C1)與主電容器 (CM)串聯(lián)，以減少管芯152的總電容。如圖5C中的虛線所指示的，能夠通過進(jìn)一步修改電 路布線300將額外的輔助電容器串聯(lián)連接。
[0039] 在一個實(shí)施例中，選定主電容器CM的額定值，以便由于生產(chǎn)公差造成的最大值為 設(shè)計(jì)電路的理想值?；贑M和C1…Ci的測量值，理想的電路線路300能夠由處理電路132 計(jì)算出來。所述理想電路線路300能夠通過CM到Ci的并聯(lián)和/或串聯(lián)連接而實(shí)現(xiàn)。
[0040] 在一個實(shí)施例中，在晶片級通過如前所述的重新分配技術(shù)完成對相應(yīng)管芯142的 值的調(diào)整。
[0041] 圖6A和6B說明諸如振蕩電路的電路400,其每個都包括與電感器（Lax)并聯(lián)的 電容器管芯（Cax)。所述電感器能夠?qū)嵤殡x散管芯、集成到IPD中、或作為電路線路的部 分。在每種情況下，能夠由處理電路132修改每個電路400的總電感，產(chǎn)生個體互連打印文 件180,以將振蕩器頻率調(diào)整到預(yù)先確定范圍，因此可以允許額定值的更大公差，從而提供 成本降低。
[0042] 由管芯152的電容器Cal形成的圖6A的電路400具有由處理單元132計(jì)算的理 想電感器Lai (用于所期望的頻率響應(yīng))，產(chǎn)生個體互連打印文件180 (例如，繞組數(shù)、直徑、 線寬度/間距等)。
[0043] 由與電感器Laj并聯(lián)的電容器Caj形成的圖6B的電路400具有在預(yù)先確定范圍 外的頻率響應(yīng)。這樣，修改最初被設(shè)計(jì)用于電路400的標(biāo)準(zhǔn)布線布局，以便所述頻率響應(yīng)在 可接受公差內(nèi)。代替修改電容器管芯，例如通過連線如前所述的與電容器管芯上的主電容 器并聯(lián)或串聯(lián)的電容器管芯上的一個或多個輔助電容器，將額外的電感器（Ladd)提供作為 電路布線的部分。額外的電感器Ladd與電感器Laj并聯(lián)(如圖6B中描繪的）和/或串聯(lián)， 以減少或增加電路400的總電感。用這種對布線布局的修改，圖6B中所示的電路400具有 足夠的頻率響應(yīng)。
[0044] 圖7A和7B說明諸如IPD的不同的電路500,其每個都包括與電感器（Lax)串聯(lián)的 電容器管芯（Cax)。所述電感器能夠?qū)嵤殡x散管芯或者作為電路線路的部分。在其它情 形中，能夠修改電路500的總的電感，以便為所測得電容在預(yù)先確定范圍外的電容器進(jìn)行 調(diào)整。
[0045] 圖7A的電路500由與所述電感器Lai串聯(lián)的管芯152的電容器Cal形成。通過 相應(yīng)的互連打印文件180確定電感器Lai的值，所述通信互連打印文件180通過處理單元 132使用晶片測試地圖/文件160和管芯放置地圖/文件170確定。由處理單元132確定 的電感器Lai的值產(chǎn)生在最初設(shè)計(jì)用于電路500的預(yù)先確定范圍內(nèi)的頻率響應(yīng)。
[0046] 由與電感器Laj串聯(lián)的電容器Caj形成的圖7B的電路500具有在預(yù)先確定范圍 外的頻率響應(yīng)。這樣，修改最初被設(shè)計(jì)用于電路500的標(biāo)準(zhǔn)布線布局，以便所述頻率響應(yīng)在 可接受公差內(nèi)。代替修改IH)管芯的Caj或Laj，在電路線路中形成額外的電感器（Ladd)。 額外的電感器Ladd與電感器Laj串聯(lián)(如圖7B中描繪）和/或與電感器Laj并聯(lián)，以調(diào)整 電路500的總電感。用對布線布局的這種修改，圖7B中所示的電路500具有足夠的頻率響 應(yīng)。
[0047] 為了描述上簡單起見，使用諸如"低于"、"下方"、"下"、"上方"、"上"等空間相對術(shù) 語，以解釋一個元件相對于第二元件的定位。這些術(shù)語意圖用于涵蓋在與圖中所描繪的不 同方位之外的裝置的不同方位。進(jìn)一步，諸如"第一"、"第二"等的術(shù)語也被用于描述各種 元件、區(qū)域、分段等，并且也不是意圖限制。貫穿描述，相同的術(shù)語指相同元件。
[0048] 如本文中所使用的，術(shù)語"具有"、"含有"、"包含"等為開放性術(shù)語，其指示所述元 件或特征的存在，但不排除額外的元件和特征。冠詞"一"、"一個"和"所述"意圖用于包括 復(fù)數(shù)以及單數(shù)，除非上下文另外清楚指示。
[0049] 著眼于上述變化和應(yīng)用范圍，應(yīng)該理解，不是要通過上文描述限制本發(fā)明，也不是 要通過附圖限制本發(fā)明。相反，本發(fā)明僅由下列權(quán)利要求及其法律等同內(nèi)容限制。
【權(quán)利要求】
1. 一種調(diào)整電路的電容或電感的方法，所述方法包括： 測量在第一襯底上制造的無源部件的電感或電容值； 存儲所述無源部件和所述無源部件的相應(yīng)測量值之間的個體關(guān)聯(lián)；和 基于存儲的所述無源部件和所述無源部件的相應(yīng)測量值之間的個體關(guān)聯(lián)，為所述無源 部件確定電連接。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括： 將所述無源部件分為個體管芯； 將至少一些所述管芯置于第二襯底上或嵌入第二襯底中；和 基于存儲的所述無源部件和所述測量值之間的個體關(guān)聯(lián)，識別測量值在預(yù)先確定范圍 外的被置于所述第二襯底上或嵌入所述第二襯底中的一個或多個管芯。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中存儲所述無源部件和所述無源部件的相應(yīng)測量值 之間的個體關(guān)聯(lián)包括： 將在所述第一襯底上制造的每個無源部件的x-y位置與所述無源部件的所述測量值 相關(guān)聯(lián)。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中識別測量值在預(yù)先確定范圍外的被置于所述第二 襯底上或嵌入所述第二襯底中的一個或多個管芯包括： 將在所述第一襯底上制造的所述無源部件的x-y位置映射到所述第二襯底上的所述 管芯的所述位置，以便獲知在所述第二襯底上或嵌入所述第二襯底中的每個管芯的所述測 量值；和 基于獲知的所述管芯的測量值，識別測量值在所述預(yù)先確定范圍外的被置于所述第二 襯底上或嵌入所述第二襯底中的管芯。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中存儲所述無源部件和所述無源部件的相應(yīng)測量值 之間的個體關(guān)聯(lián)包括： 將被唯一分配給在所述第一襯底上制造的每個無源部件的ID與所述無源部件的所述 測量值相關(guān)聯(lián)。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中識別測量值在預(yù)先確定范圍外的被置于所述第二 襯底上或嵌入所述第二襯底中的一個或多個管芯包括： 獲得被置于所述第二襯底上或嵌入所述第二襯底中的每個管芯的ID ;和 基于與所獲得的ID關(guān)聯(lián)的所述測量值，識別測量值在所述預(yù)先確定范圍外的被置于 所述第二襯底上或嵌入所述第二襯底中的管芯。
7. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，進(jìn)一步包括在所述管芯上方的所述第二襯底上設(shè)置的 一個或多個層中實(shí)施所述電連接。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括在所述無源部件上方的所述第一襯底上設(shè) 置的一個或多個層中實(shí)施所述電連接。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中存儲所述無源部件和所述無源部件的相應(yīng)測量值 之間的個體關(guān)聯(lián)包括： 在文件中建立記錄，每個記錄都將在所述第一襯底上制造的所述無源部件之一與所述 無源部件的實(shí)際測量值關(guān)聯(lián)。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中存儲所述無源部件和所述無源部件的相應(yīng)測量 值之間的個體關(guān)聯(lián)包括： 識別具有測量值的在所述第一襯底上制造的所述無源部件；和 在文件中建立記錄，每個記錄都將具有測量值的所述無源部件之一與用于所述無源部 件的電感或電容調(diào)整關(guān)聯(lián)。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中為所述無源部件確定所述電連接包括： 確定布線布局，所述布線布局用于將所述無源部件之一的電容器經(jīng)由所述第一襯底或 所述無源部件上方的不同襯底上設(shè)置的一個或多個層與電感器串聯(lián)或并聯(lián)連接；和 修改所述布線布局，以包括與所述電感器串聯(lián)或并聯(lián)連接的額外布線，以便基于所修 改的布線布局由所述電感器和所述電容器部件實(shí)現(xiàn)的無源電路具有在預(yù)先確定的頻率響 應(yīng)范圍內(nèi)的頻率響應(yīng)。
12. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中為所述無源部件確定所述電連接包括： 為在所述第一襯底或不同襯底上設(shè)置的一個或多個層中的至少一個電感器確定布線 布局，所述電感器與所述無源部件之一的電容器串聯(lián)或并聯(lián)連接，以便基于所述布線布局 由所述電感器和所述電容器部件實(shí)現(xiàn)的無源電路具有在預(yù)先確定的頻率響應(yīng)范圍內(nèi)的頻 率響應(yīng)。
13. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中為所述無源部件確定所述電連接包括： 確定布線布局，所述布線布局用于將所述部件之一的電容器經(jīng)由所述第一襯底或所述 無源部件上方的不同襯底上設(shè)置的一個或多個層與電感器串聯(lián)或并聯(lián)連接；和 修改所述布線布局，以包括用于將所述電容器部件中包括的一個或多個輔助電容器與 所述電容器部件中包括的主電容器串聯(lián)或并聯(lián)連接的額外布線，以便基于所修改的布線布 局由所述電感器和所述電容器部件實(shí)現(xiàn)的無源電路具有在預(yù)先確定的范圍內(nèi)的頻率響應(yīng)。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中在所述電容器部件中包括的所述電容器在所述 電容器部件內(nèi)彼此電學(xué)上斷開，其中在所述電容器部件中包括的每個電容器具有單獨(dú)的端 子對，并且其中修改所述布線布局以便所述額外布線將所述電容器部件中包括的輔助電容 器的至少一個端子連接到所述電容器部件中包括的所述主電容器的端子，并且所述電容器 部件中包括的所述電容器中的至少兩個經(jīng)由所述額外布線被電學(xué)上串聯(lián)或并聯(lián)連接。
15. -種系統(tǒng)，包括： 測試器，可操作為測量在第一襯底上制造的無源部件的電感或電容值； 存儲系統(tǒng)，可操作為存儲所述無源部件和所述無源部件的相應(yīng)測量值之間的個體關(guān) 聯(lián)；和 處理電路，可操作為基于存儲的所述無源部件和所述無源部件的相應(yīng)測量值之間的個 體關(guān)聯(lián)為所述無源部件確定電連接。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的系統(tǒng)，還包括一個或多個工具，所述一個或多個工具可操 作為將所述無源部件分為個體管芯并且將至少一些管芯置于第二襯底上或嵌入第二襯底 中，其中所述處理電路可操作為基于存儲的所述無源部件和所述測量值之間的個體關(guān)聯(lián)， 來識別測量值在預(yù)先確定范圍外的被置于所述第二襯底上或嵌入所述第二襯底中的一個 或多個所述管芯。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的系統(tǒng)，其中所述無源部件和所述無源部件的相應(yīng)測量值之 間的個體關(guān)聯(lián)包括： 在所述第一襯底上制造的每個無源部件的χ-y位置與所述無源部件的所述測量值之 間的關(guān)聯(lián)。
18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的系統(tǒng)，其中所述處理電路可操作為： 將在所述第一襯底上制造的所述無源部件的χ-y位置映射到所述第二襯底上的所述 管芯的所述位置，以便獲知在所述第二襯底上或嵌入所述第二襯底中的每個管芯的所述測 量值；和 基于獲知的所述管芯的測量值，識別測量值在所述預(yù)先確定范圍外的被置于所述第二 襯底上或嵌入所述第二襯底中的管芯。
19. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的系統(tǒng)，其中所述無源部件和所述無源部件的相應(yīng)測量值之 間的個體關(guān)聯(lián)包括： 被唯一分配給在所述第一襯底上制造的每個無源部件的ID與所述無源部件的所述測 量值之間的關(guān)聯(lián)。
20. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的系統(tǒng)，其中所述處理電路可操作為： 獲得被置于所述第二襯底上或嵌入所述第二襯底中的每個管芯的ID ;和 基于與所獲得的ID關(guān)聯(lián)的所述測量值，識別測量值在所述預(yù)先確定范圍外的被置于 所述第二襯底上或嵌入所述第二襯底中的管芯。
21. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的系統(tǒng)，其中所述一個或多個工具進(jìn)一步可操作為在所述管 芯上方的所述第二襯底上設(shè)置的一個或多個層中形成所述電連接。
22. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的系統(tǒng)，還包括一個或多個工具，所述一個或多個工具可操 作為在所述無源部件上方的所述第一襯底上設(shè)置的一個或多個層中形成所述電連接。
23. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的系統(tǒng)，其中所述存儲系統(tǒng)可操作為將所述無源部件和所述 無源部件的相應(yīng)測量值之間的個體關(guān)聯(lián)存儲為文件中的記錄，每個記錄都將在所述第一襯 底上制造的所述無源部件之一與所述無源部件的實(shí)際測量值相關(guān)聯(lián)。
24. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的系統(tǒng)，其中所述處理電路可操作為： 識別具有測量值的在所述第一襯底上制造的所述無源部件；和 在文件中建立記錄，每個記錄都將具有測量值的所述無源部件之一與用于所述無源部 件的電感或電容調(diào)整關(guān)聯(lián)。
25. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的系統(tǒng)，其中所述處理電路可操作為： 確定布線布局，所述布線布局用于將所述無源部件之一的電容器經(jīng)由所述第一襯底或 所述無源部件上方的不同襯底上設(shè)置的一個或多個層與電感器串聯(lián)或并聯(lián)連接；和 修改所述布線布局，以包括與所述電感器串聯(lián)或并聯(lián)連接的額外布線，以便基于所修 改的布線布局由所述電感器和所述電容器部件實(shí)現(xiàn)的無源電路具有在預(yù)先確定的頻率響 應(yīng)范圍內(nèi)的頻率響應(yīng)。
26. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的系統(tǒng)，其中所述處理電路可操作用于為在所述第一襯底或 不同襯底上設(shè)置的一個或多個層中的至少一個電感器確定布線布局，所述電感器與所述無 源部件之一的電容器串聯(lián)或并聯(lián)連接，以便基于所述布線布局由所述電感器和所述電容器 部件實(shí)現(xiàn)的無源電路具有在預(yù)先確定頻率響應(yīng)范圍內(nèi)的頻率響應(yīng)。
27. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的系統(tǒng)，其中所述處理電路可操作為： 確定布線布局，所述布線布局用于將所述部件之一的電容器經(jīng)由所述第一襯底或所述 無源部件上方的不同襯底上設(shè)置的一個或多個層與電感器串聯(lián)或并聯(lián)連接；和 修改所述布線布局，以包括用于將所述電容器部件中包括的一個或多個輔助電容器與 所述電容器部件中包括的主電容器串聯(lián)或并聯(lián)連接的額外布線，以便基于所修改的布線布 局由所述電感器和所述電容器部件實(shí)現(xiàn)的無源電路具有在預(yù)先確定的范圍內(nèi)的頻率響應(yīng)。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的系統(tǒng)，其中在所述電容器部件中包括的所述電容器在所述 電容器部件內(nèi)彼此電學(xué)上斷開，其中在所述電容器部件中包括的每個電容器具有單獨(dú)的端 子對，并且其中修改所述布線布局以便所述額外布線將所述電容器部件中包括的輔助電容 器的至少一個端子連接到所述電容器部件中包括的所述主電容器的端子，并且所述電容器 部件中包括的所述電容器中的至少兩個經(jīng)由所述額外布線被電學(xué)上串聯(lián)或并聯(lián)連接。
【文檔編號】H01L27/02GK104112741SQ201410150407
【公開日】2014年10月22日 申請日期:2014年4月15日 優(yōu)先權(quán)日:2013年4月16日
【發(fā)明者】G·貝爾, D·邁爾, G·梅茨格-布呂克爾, R·洛伊施納 申請人:英飛凌科技股份有限公司