用于半導(dǎo)體器件的布線層的通孔的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及用于半導(dǎo)體器件的布線層的通孔。公開了通孔結(jié)構(gòu)及其形成方法。在一種這樣的方法中，執(zhí)行至少穿過布線層的第一電介質(zhì)材料的第一蝕刻，使得形成勾勒出所述通孔的環(huán)結(jié)構(gòu)的輪廓的第一孔。此外，在所述孔中沉積應(yīng)力減輕電介質(zhì)材料，使得所述應(yīng)力減輕電介質(zhì)材料至少橫向地從所述第一電介質(zhì)材料設(shè)置。此外，執(zhí)行至少穿過被設(shè)置在所述布線層下方的半導(dǎo)體層的半導(dǎo)體材料的第二蝕刻，其中所述第二蝕刻在所述半導(dǎo)體材料中形成過孔的孔。此外，用導(dǎo)電材料填充所述過孔的孔的至少一部分以形成所述通孔，使得所述應(yīng)力減輕電介質(zhì)材料至少在所述布線層中提供所述導(dǎo)電材料與所述第一電介質(zhì)材料之間的緩沖。
【專利說明】用于半導(dǎo)體器件的布線層的通孔

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件，更具體地，涉及用于半導(dǎo)體器件的通孔（through-via)及 其制造方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 半導(dǎo)體器件中的特定布線技術(shù)，尤其是后端線程（BE0L)布線技術(shù)，通過如下步 驟來制造布線層：在半導(dǎo)體襯底上沉積軟的低k電介質(zhì)材料、在所述電介質(zhì)材料中構(gòu)圖通 道或空洞，然后在所述通道內(nèi)沉積導(dǎo)電材料以在器件中形成布線。為了方便，一種常用的 方式是在已經(jīng)制造了某些布線之后在器件中形成通孔。例如，制造設(shè)備和操作通常被配 置成在底部布線層附近形成較精細(xì)的（finer)結(jié)構(gòu)并且在頂部布線層附近形成較粗糙的 (coarser)結(jié)構(gòu)。因此，由于通孔是相對粗糙的結(jié)構(gòu)，可以通過與用于布線層的上部區(qū)域的 其它粗糙結(jié)構(gòu)同時(shí)形成通孔，來便于制造。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例涉及一種用于在半導(dǎo)體器件中形成通孔的方法。根據(jù)所述方 法，執(zhí)行至少穿過所述半導(dǎo)體器件的布線層的第一電介質(zhì)材料的第一蝕刻，使得形成勾勒 出用于所述通孔的環(huán)（collar)結(jié)構(gòu)的輪廓的第一孔。此外，在所述第一孔中沉積應(yīng)力減輕 電介質(zhì)材料，使得所述應(yīng)力減輕電介質(zhì)材料至少橫向地從所述第一電介質(zhì)材料設(shè)置。此外， 執(zhí)行至少穿過設(shè)置在所述布線層下方的半導(dǎo)體層的半導(dǎo)體材料的第二蝕刻，其中所述第二 蝕刻在所述半導(dǎo)體材料中形成過孔的孔（via hole)。此外，用導(dǎo)電材料填充所述過孔的孔 的至少一部分以形成所述通孔，使得所述應(yīng)力減輕電介質(zhì)材料至少在所述布線層中提供所 述導(dǎo)電材料與所述第一電介質(zhì)材料之間的緩沖。
[0004] 另一個(gè)實(shí)施例也涉及一種用于在半導(dǎo)體器件中形成通孔的方法。根據(jù)該方法，執(zhí) 行穿過所述半導(dǎo)體器件的布線層的第一電介質(zhì)材料并且穿過被設(shè)置在所述布線層下方的 半導(dǎo)體層的半導(dǎo)體材料的第一蝕刻。此處，所述第一蝕刻在所述布線層中和所述半導(dǎo)體材 料中形成過孔的孔。此外，執(zhí)行在所述布線層的所述第一電介質(zhì)材料中的第二蝕刻，所述第 二蝕刻加寬了所述布線層中的所述過孔的孔。此外，在所述布線層中的所述過孔的孔中沉 積應(yīng)力減輕電介質(zhì)材料，使得所述應(yīng)力減輕電介質(zhì)材料至少橫向地從所述第一電介質(zhì)材料 設(shè)置。此外，用導(dǎo)電材料填充所述過孔的孔的至少一部分以形成所述通孔，使得所述應(yīng)力減 輕電介質(zhì)材料至少在所述布線層中提供所述導(dǎo)電材料與所述第一電介質(zhì)材料之間的緩沖。
[0005] 另一個(gè)實(shí)施例涉及一種半導(dǎo)體器件中的通孔結(jié)構(gòu)，其包括導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、電介質(zhì)過孔 襯里（via liner)和應(yīng)力減輕電介質(zhì)材料。所述導(dǎo)體結(jié)構(gòu)由延伸穿過所述半導(dǎo)體器件的布 線層并且延伸穿過位于所述布線層下方的半導(dǎo)體層的導(dǎo)電材料形成。此處，所述半導(dǎo)體器 件的所述布線層包括第一電介質(zhì)材料。所述電介質(zhì)過孔襯里至少在所述半導(dǎo)體層中沿著所 述導(dǎo)體結(jié)構(gòu)延伸。此外，所述應(yīng)力減輕電介質(zhì)材料至少在所述布線層中被設(shè)置在所述導(dǎo)體 結(jié)構(gòu)與所述第一電介質(zhì)材料之間，其中所述應(yīng)力減輕電介質(zhì)材料被設(shè)置在所述半導(dǎo)體層的 位于所述過孔襯里的外邊界外側(cè)的部分之上。
[0006] 從下文中對其示例性實(shí)施例的詳細(xì)描述，這些和其它特征及優(yōu)點(diǎn)將變得顯而易 見，所述詳細(xì)描述要結(jié)合附圖閱讀。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0007] 本公開將參考以下附圖在優(yōu)選實(shí)施例的以下描述中提供細(xì)節(jié)，在附圖中：
[0008] 圖1是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例在半導(dǎo)體器件中形成通孔的方法的流程圖；
[0009] 圖2-6提供了根據(jù)示例性實(shí)施例制造通孔結(jié)構(gòu)的各階段的橫截面圖，所述通孔結(jié) 構(gòu)包括布線層中的應(yīng)力減輕電介質(zhì)緩沖物（buffer);
[0010] 圖7-11提供了根據(jù)示例性實(shí)施例制造備選的通孔結(jié)構(gòu)的各階段的橫截面圖，該 通孔結(jié)構(gòu)包括延伸到半導(dǎo)體層中的應(yīng)力減輕電介質(zhì)緩沖物；
[0011] 圖12-17提供了根據(jù)備選示例性實(shí)施例制造通孔結(jié)構(gòu)的各階段的橫截面圖；
[0012] 圖18-22提供了根據(jù)示例性實(shí)施例制造通孔結(jié)構(gòu)的各階段的橫截面圖，該通孔結(jié) 構(gòu)包括具有改善撓性（flexibility)的夾斷空洞（pinch-off void)的應(yīng)力減輕電介質(zhì)緩沖 物；
[0013] 圖23-27提供了根據(jù)示例性實(shí)施例制造通孔結(jié)構(gòu)的各階段的橫截面圖，該通孔結(jié) 構(gòu)包括由布線層中的軟電介質(zhì)材料構(gòu)成的應(yīng)力減輕緩沖物；
[0014] 圖28是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例使用回蝕刻（pull-back etch)在半導(dǎo)體器件 中形成通孔的方法的流程圖；
[0015] 圖29-32提供了根據(jù)示例性實(shí)施例使用圖28中所示例的方法制造通孔結(jié)構(gòu)的各 階段的橫截面圖；
[0016] 圖33是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例形成通孔的方法的流程圖，該通孔包括在布 線層中的應(yīng)力減輕緩沖材料并且包括在過孔（via)的導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中的橋；以及
[0017] 圖34-38提供了根據(jù)示例性實(shí)施例使用圖33中所示例的方法制造通孔結(jié)構(gòu)的各 階段的橫截面圖。

【具體實(shí)施方式】
[0018] 穿過半導(dǎo)體器件的布線層形成通孔的一個(gè)問題是這些布線層中的某些布線層采 用相對易碎的電介質(zhì)材料。由于在進(jìn)一步的晶片加工期間發(fā)生的熱漂移，用于過孔的導(dǎo)電 填充材料，尤其是銅填充材料，對布線層以及過孔絕緣材料施加顯著的應(yīng)力。所述熱漂移和 所導(dǎo)致的應(yīng)力可能導(dǎo)致布線層的以及通孔絕緣材料的易碎電介質(zhì)的破裂。本申請中描述的 方法和結(jié)構(gòu)提供了一種手段來增強(qiáng)和緩沖緊靠通孔周圍的密接（immediate)區(qū)域以防止這 種類型的損傷。此外，該結(jié)構(gòu)也可以改善晶片斷裂強(qiáng)度并且可以減小所述通孔附近的任何 半導(dǎo)體器件和/或半導(dǎo)體存儲器溝槽上的應(yīng)力，由此減小通常在所述通孔周圍界定的最小 禁止區(qū)（exclusion zone)。
[0019] 根據(jù)本發(fā)明的示例性方面，所述通孔可以通過如下步驟制造：通過多次蝕刻在 布線層內(nèi)形成環(huán)結(jié)構(gòu)（collar structure),以及用適當(dāng)?shù)碾娊橘|(zhì)材料填充所述環(huán)結(jié)構(gòu)， 所述電介質(zhì)材料對于吸收在器件的熱處理期間由過孔填充材料的熱膨脹施加的應(yīng)力是有 效的。除了減輕過孔的密接橫向區(qū)域中的應(yīng)力，該環(huán)結(jié)構(gòu)也減小也稱為"銅泵浦（copper pumping)"的垂直熱膨脹的量值，這是因?yàn)槠錇榕蛎浱峁┝藱M向出口。下面在本申請中描述 能夠?qū)崿F(xiàn)這些有益效果的過孔結(jié)構(gòu)的各種實(shí)施例。
[0020] 本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，本發(fā)明的各方面可以實(shí)現(xiàn)為系統(tǒng)、方法或器件。參考根據(jù) 本發(fā)明實(shí)施例的方法、設(shè)備(系統(tǒng))和器件的流程圖圖示和/或框圖，在下文中描述本發(fā)明的 各方面。圖中的流程圖和框圖示例出了根據(jù)本發(fā)明各種實(shí)施例的系統(tǒng)、方法和器件的可能 實(shí)現(xiàn)方式的架構(gòu)、功能和操作。還應(yīng)當(dāng)注意，在一些備選實(shí)施方式中，框中標(biāo)注的功能可能 不按圖中示出的順序發(fā)生。例如，連續(xù)示出的兩個(gè)框?qū)嶋H上可以基本上同時(shí)被執(zhí)行，或者這 些框有時(shí)可以以相反的順序被執(zhí)行，這取決于所涉及的功能。
[0021] 應(yīng)當(dāng)理解，將就具有襯底或晶片的給定示例性構(gòu)造來描述本發(fā)明；然而，其它構(gòu) 造、結(jié)構(gòu)、襯底材料以及工藝特征和步驟可以在本發(fā)明的范圍內(nèi)變化。
[0022] 還應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)諸如層、區(qū)域或襯底的要素被稱為在另一要素"上"或"之上"時(shí)， 它可以直接在該另一要素上，或者也可以存在中間要素。相反，當(dāng)一個(gè)要素被稱為"直接在" 另一要素"上"或者"之上"時(shí)，不存在中間要素。類似地，還應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)諸如層、區(qū)域或襯 底的要素被稱為在另一要素"下"或"之下"時(shí)，它可以直接在該另一要素下，或者也可以存 在中間要素。相反，當(dāng)一個(gè)要素被稱為"直接在"另一要素"下"或者"之下"時(shí)，不存在中間 要素。還應(yīng)當(dāng)理解，還應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)一個(gè)要素被稱為"連接"或"耦合"到另一個(gè)要素時(shí)，它可 以被直接連接或耦合到該另一要素，或者可以存在中間要素。相反，當(dāng)一個(gè)要素被稱為"直 接連接"或"直接耦合"到另一要素時(shí)，不存在中間要素。還應(yīng)當(dāng)注意，當(dāng)本申請中將第一要 素描述為在第二要素"之上"時(shí)，第一要素沿著第一和第二要素之間的垂直線位于第二要素 上方。
[0023] 根據(jù)本申請中描述的實(shí)施例的集成電路芯片設(shè)計(jì)可以以圖形計(jì)算機(jī)程序語言生 成，并儲存在計(jì)算機(jī)存儲介質(zhì)(例如磁盤、磁帶、實(shí)體硬盤驅(qū)動器、或例如存儲存取網(wǎng)絡(luò)中的 虛擬硬盤驅(qū)動器）中。若設(shè)計(jì)者不制造芯片或用于制造芯片的光刻掩模，設(shè)計(jì)者可用物理 裝置(例如通過提供存儲設(shè)計(jì)的存儲介質(zhì)的副本（copy))傳送所產(chǎn)生的設(shè)計(jì)、或直接或間接 地以電子方式(例如通過網(wǎng)絡(luò)）傳送至該實(shí)體。再將所儲存的設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)換成適當(dāng)?shù)母袷?例如 ⑶SII)，用于光刻掩模的制造，光刻掩模典型地包括所關(guān)注的要在晶片上形成的芯片設(shè)計(jì) 的多個(gè)副本。光刻掩模用于界定待蝕刻或待處理的晶片(和/或其上的層）的區(qū)域。
[0024] 本申請描述的方法可以用于制造集成電路芯片。所得到的集成電路芯片可以以原 始晶片的形式（即，作為具有多個(gè)未封裝的芯片的單個(gè)晶片)、作為裸管芯或者以封裝的形 式由制造商分配。在后一情況下，芯片安裝在單個(gè)芯片封裝體(例如塑料載體，具有固定到 主板或更其它高級的載體上的引線）中或者安裝在多芯片封裝體(例如，具有表面互連或掩 埋互連、或者具有表面互連和掩埋互連的陶瓷載體）中。在任一情況下，再將芯片與其他芯 片、分立電路元件和/或其他信號處理器件集成，作為（a)中間產(chǎn)品，例如主板或（b)最終 產(chǎn)品的一部分。所述最終產(chǎn)品可以是包括集成電路芯片的任何產(chǎn)品，范圍從玩具、游戲機(jī)和 其它低端應(yīng)用到具有顯示器、鍵盤或其它輸入裝置以及中央處理器的高級計(jì)算機(jī)產(chǎn)品。
[0025] 在說明書中對本發(fā)明的"一個(gè)實(shí)施例"或"實(shí)施例"以及其其它變型的引用，意味 著與該實(shí)施例相關(guān)地描述的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性等等被包含在本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例 中。因此，在貫穿說明書在各處出現(xiàn)的短語"在一個(gè)實(shí)施例中"和"在實(shí)施例中"以及任何 其它變型的出現(xiàn)未必都指同一實(shí)施例。
[0026] 應(yīng)當(dāng)理解，下文中和/或"以及"……中的至少一者"（例如在"A/B"、"A和 /或B"和"A和B中的至少一者"的情況下）中的任何一者的使用，旨在包含僅選擇列出的 第一個(gè)選項(xiàng)（A)、或者僅選擇列出的第二個(gè)選項(xiàng)（B)或者選擇這兩個(gè)選項(xiàng)（A和B)。作為另 一個(gè)例子，在"A、B和/或C"以及"A、B和C中的至少一者"的情況下，這種短語旨在包含 ： 僅選擇列出的第一個(gè)選項(xiàng)（A)、或者僅選擇列出的第二個(gè)選項(xiàng)（B)、或者僅選擇列出的第三 個(gè)選項(xiàng)（C)、或者僅選擇列出的第一個(gè)和第二個(gè)選項(xiàng)（A和B)、或者僅選擇列出的第一個(gè)和 第三個(gè)選項(xiàng)（A和C)、或者僅選擇列出的第二個(gè)和第三個(gè)選項(xiàng)（B和C)、或者選擇所有三個(gè) 選項(xiàng)（A和B和C)。對于該領(lǐng)域和相關(guān)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言容易顯而易見的是，這可以 擴(kuò)展用于許多列出的項(xiàng)目。
[0027] 現(xiàn)在參考附圖，在圖中相似的數(shù)字表示相同或相似的部件，首先參考圖1，圖1示 出了根據(jù)本發(fā)明的各種示例性實(shí)施例的用于形成通孔結(jié)構(gòu)的方法1〇〇。圖2-6描繪了根據(jù) 一個(gè)特定實(shí)施例的通孔制造的各階段，并且出于示例的目的參考這些圖。方法1〇〇可以開 始于步驟102,在步驟102,如圖2中所示，蝕刻布線層202以形成勾勒出用于通孔的環(huán)結(jié)構(gòu) 的輪廓的孔204,在所述孔204中可以沉積應(yīng)力減輕電介質(zhì)材料。此處，已經(jīng)在層202內(nèi)形 成了至少一些精細(xì)布線201?？梢岳梅磻?yīng)離子蝕刻（RIE)工藝實(shí)現(xiàn)步驟102的蝕刻。層 202包括軟的低k電介質(zhì)材料206以及硬的高k電介質(zhì)材料208,這兩種材料都可以是氧化 物并且可以被蝕刻穿過以形成所述環(huán)結(jié)構(gòu)，如圖2中所示。例如，所述硬的高k電介質(zhì)材料 208可以是Si0 2的各種形式，諸如例如，原硅酸四乙酯（TE0S)、摻氟的TEOS (FTE0S)和硅烷 氧化物。此外，可以采用具有中間硬度的材料作為電介質(zhì)材料208。例如，電介質(zhì)材料208 可以是軟的或硬的八甲基環(huán)四硅氧烷（0MCTS)材料或者可能的硅氧化物變體的半柔順性材 料。此外，軟電介質(zhì)材料206可以由SiCOH材料、氫倍半娃氧燒（hydrogen silsesquioxane， HSQ)或者甲基倍半娃氧燒（methyl silsesquioxane，MSQ)構(gòu)成。
[0028] 在步驟104,可以至少在步驟102所形成的孔中沉積應(yīng)力減輕電介質(zhì)材料。例如， 在該實(shí)施例中，如圖3中所示，初步在該孔中沉積U形氮化硅基襯里（liner)302,例如摻碳 的氮化硅、SiON、SiN、SiC xNyHz (其中，x、y、z變化)。之后，在所述襯里302之上沉積應(yīng)力減 輕電介質(zhì)材料304 (優(yōu)選為氧化物)，以形成應(yīng)力減輕電介質(zhì)材料304的U形結(jié)構(gòu)。應(yīng)力減 輕電介質(zhì)材料304可以是Si02的一種或多種形式，諸如例如0MCTS。如圖3所示，從布線層 202的電介質(zhì)材料206沿著圖3中提供的圖示的水平面至少橫向地設(shè)置所述應(yīng)力減輕電介 質(zhì)材料。所述應(yīng)力減輕電介質(zhì)材料304的U形使得所述結(jié)構(gòu)是自對準(zhǔn)的，因?yàn)椴恍枰捎?單獨(dú)的掩模來在隨后的蝕刻步驟中形成通孔。
[0029] 在步驟106,可以蝕刻電介質(zhì)材料以暴露下面的半導(dǎo)體材料210。例如，如圖3-4 所示，使用RIE工藝蝕刻穿過U形應(yīng)力減輕電介質(zhì)304的底部306。所述半導(dǎo)電材料可以是 例如硅、SiGe或者其它半導(dǎo)電材料。
[0030] 在步驟108,可以蝕刻穿過在步驟106所形成的應(yīng)力減輕電介質(zhì)材料中的開口下 方的半導(dǎo)體層212,以形成過孔的孔。例如，如圖4所示，過孔的孔402可以通過采用深反應(yīng) 離子蝕刻（DRIE)方法形成在半導(dǎo)體材料210中。在本申請中描述的實(shí)施例的備選實(shí)施方 式中，與DRIE方法相反，可以采用RIE方法進(jìn)行所述蝕刻。與DRIE相反，實(shí)施RIE可以避 免可能伴隨DRIE發(fā)生的任何扇形孔，得到更平滑的過孔的孔壁，由此增加其斷裂強(qiáng)度。在 圖2-6所示例的實(shí)施例中，蝕刻工藝被簡化，因?yàn)閼?yīng)力減輕電介質(zhì)材料304用作步驟108的 DRIE/RIE的掩膜。半導(dǎo)電材料210可以是硅襯底、SiGe襯底或者其它適當(dāng)?shù)陌雽?dǎo)體材料。 此外，過孔的孔402的直徑小于在步驟102所形成的孔204的直徑，從而形成環(huán)結(jié)構(gòu)。因 此，應(yīng)力減輕電介質(zhì)材料304被設(shè)置在所述半導(dǎo)體層和半導(dǎo)體材料的位于過孔的孔的邊界 外側(cè)的部分之上。
[0031] 在步驟110,可以至少在與半導(dǎo)體層212的半導(dǎo)體材料210接界的過孔的孔中沉積 電介質(zhì)過孔襯里。例如，如圖5所示，可以沿著整個(gè)過孔的孔402沉積電介質(zhì)過孔襯里502。 在優(yōu)選實(shí)施例中，電介質(zhì)過孔襯里是氧化物，最優(yōu)選的是高縱橫比工藝（HARP)氧化物。
[0032] 在步驟112,可以在過孔的孔內(nèi)沉積導(dǎo)體襯里。例如，可以在過孔的孔504中沉積 Ti/TiN或Ta/TaN的雙層602,如圖6中所示。
[0033] 在步驟114,可以用導(dǎo)電材料填充過孔的孔。例如，可以在過孔的孔中沉積諸如銅 的導(dǎo)電材料604,以完成過孔606的制造。應(yīng)當(dāng)注意，可以采用用于導(dǎo)電材料604的其它合 適材料。
[0034] 在步驟116,可以完成半導(dǎo)體器件的制造。例如，過孔606可以被加蓋層，可以在布 線層202中形成另外的布線，等等。
[0035] 如圖6中所示，由導(dǎo)電材料形成的導(dǎo)體結(jié)構(gòu)604延伸穿過半導(dǎo)體器件的布線層202 并且穿過布線層202下方的半導(dǎo)體層212。此外，電介質(zhì)過孔襯里502至少在半導(dǎo)體層中沿 著所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)延伸，并且如圖6中所示，可以延伸到布線層202中，使得襯里502被設(shè) 置在應(yīng)力減輕電介質(zhì)材料304和導(dǎo)體結(jié)構(gòu)604之間。此外，為了形成過孔的環(huán)結(jié)構(gòu)，將應(yīng)力 減輕電介質(zhì)材料304設(shè)置在半導(dǎo)體層212的位于半導(dǎo)體層212中的過孔襯里502的外邊界 外側(cè)的部分205之上。如前所述，為了完成器件制造而進(jìn)行的熱處理可導(dǎo)致過孔的導(dǎo)電材 料604膨脹并對布線層202的相對易碎的電介質(zhì)材料206施加潛在的破壞性應(yīng)力。應(yīng)力減 輕電介質(zhì)材料304的環(huán)結(jié)構(gòu)用作緩沖墊來吸收所述應(yīng)力并且防止鄰近的布線電介質(zhì)材料 206斷裂。具體地，應(yīng)力減輕電介質(zhì)材料304在過孔606的導(dǎo)電材料604/電介質(zhì)過孔襯里 502與布線層202的相對軟的電介質(zhì)材料206之間提供緩沖。本申請中描述的其它示例性 實(shí)施例的應(yīng)力減輕電介質(zhì)材料類似地在過孔的導(dǎo)電材料/電介質(zhì)過孔襯里與布線層202的 軟電介質(zhì)206之間提供緩沖。
[0036] 圖7-11示例出了能夠根據(jù)方法100形成的通孔結(jié)構(gòu)的備選實(shí)施例。此處，基本上 如上文中針對圖2-6的實(shí)施例所討論的那樣執(zhí)行方法100,但在步驟102所進(jìn)行的蝕刻蝕 刻穿過半導(dǎo)體材料210的一部分并且形成勾勒出環(huán)結(jié)構(gòu)的輪廓的更深的孔706,如圖7所 示。因此，此處，可以如上文中針對步驟104和圖3討論的那樣、使用相同的材料形成更深 的U形SiN基襯里702和更深的U形應(yīng)力減輕材料704,如圖8中所示。因此，在該實(shí)施例 中，應(yīng)力減輕電介質(zhì)材料704延伸到半導(dǎo)體層212中，與布線電介質(zhì)206以及半導(dǎo)體層212 的半導(dǎo)體材料210的一部分接界并且保護(hù)它們。之后，如圖9所示，為了形成過孔的孔902， 可以如上文中針對步驟106和圖4所討論的那樣蝕刻應(yīng)力減輕電介質(zhì)材料704,并且如上文 中針對步驟108和圖4所討論的那樣蝕刻半導(dǎo)體材料210。此外，如圖10所示，可以如上文 中針對步驟110和圖5所討論的那樣、使用相同的材料形成電介質(zhì)過孔襯里502。此外，如 圖11所示，可以如上文中針對步驟112和114及圖6所討論的那樣沉積導(dǎo)體襯里602和過 孔填充材料604。較深的應(yīng)力減輕結(jié)構(gòu)704提供增加的強(qiáng)度，并且也確保更均勻的由過孔材 料604的熱膨脹導(dǎo)致的應(yīng)力施加到在半導(dǎo)體材料210中形成的任何溝槽上。在步驟102更 深的蝕刻的使用以及在步驟104和106更深的應(yīng)力減輕電介質(zhì)結(jié)構(gòu)的形成可以應(yīng)用于本申 請中描述的任何實(shí)施例。
[0037] 現(xiàn)在參考圖12-17,示例性地描繪了方法100的備選實(shí)施例的各制造階段。此處， 基本上如上文中針對圖2-6的實(shí)施例所討論的那樣執(zhí)行方法100,但應(yīng)力減輕電介質(zhì)材料 1302的沉積步驟填充SiN基材料302之上的整個(gè)剩余孔，如圖13所示，并且步驟106的蝕 刻蝕刻穿過更多的應(yīng)力減輕電介質(zhì)材料而形成孔1402,如圖14中所示。另外，如上文中針 對步驟104和106以及圖3-4所討論的那樣、使用相同的材料，執(zhí)行步驟104和106。此外， 在該實(shí)施例中，如上文中針對步驟108-116和圖4-6所討論的那樣執(zhí)行剩余步驟，它們分別 基本上與圖15-17相同。在特定情形下，應(yīng)力減輕電介質(zhì)材料302的填充可以提供便利，其 中電介質(zhì)材料1302用于使在布線層202中形成的其它特征絕緣。
[0038] 參考圖18-22,并且繼續(xù)參考圖1，示例性地描繪了用于形成通孔的備選實(shí)施例。 根據(jù)該實(shí)施例，可以如上文中針對步驟102和圖2所討論的那樣實(shí)施蝕刻步驟102,但所述 孔形成為環(huán)帶（annulus)狀并且位置和尺寸被確定為勾勒出應(yīng)力減輕電介質(zhì)材料的環(huán)結(jié)構(gòu) 的最終形狀的輪廓。方法100進(jìn)行到步驟104,并且通過以下步驟進(jìn)行：如上文中針對圖3 所討論的那樣沉積氮化硅基襯里302 ;以及隨后實(shí)施氧化物的等離子體增強(qiáng)的化學(xué)氣相沉 積（PECVD)，以形成包括一個(gè)或多個(gè)夾斷孔或空洞1902的應(yīng)力減輕電介質(zhì)材料1904。例如， 應(yīng)力減輕電介質(zhì)材料1904可以是PECVD Si02。之后，在步驟106,可以使用RIE工藝蝕刻在 應(yīng)力減輕電介質(zhì)材料1904之間的布線層的軟電介質(zhì)材料206的一部分和硬電介質(zhì)208的 一部分。在該例子中，可以使用RIE工藝蝕刻在步驟102所形成的環(huán)帶內(nèi)的布線層的軟電 介質(zhì)材料206的部分和硬電介質(zhì)208的部分，如圖20所示。此外，在步驟108,如圖20所 示，可以如上文中針對圖4所描述的那樣蝕刻半導(dǎo)體材料210以形成過孔402。類似于應(yīng) 力減輕電介質(zhì)材料304,應(yīng)力減輕電介質(zhì)材料1904可以用作蝕刻掩膜以簡化孔402的制造。 之后，如圖21-22中所示，可以如上文中針對步驟110-114及圖5-6所討論的那樣沉積導(dǎo)體 襯里602和導(dǎo)電材料604。夾斷孔或空洞1902的使用提供了這樣的附加益處：與上面討論 的其它實(shí)施例相比，由應(yīng)力減輕電介質(zhì)材料形成的環(huán)結(jié)構(gòu)的撓性增加，這轉(zhuǎn)而更有效地減 小了施加于布線電介質(zhì)材料206上的應(yīng)力，并且在電介質(zhì)環(huán)結(jié)構(gòu)1904要延伸到半導(dǎo)體材料 210中的情況下也更有效地減小了施加于半導(dǎo)體材料210上的應(yīng)力。
[0039] 參考圖23-27,并且繼續(xù)參考圖1，示例性地描繪了用于形成通孔的備選實(shí)施例。 根據(jù)該實(shí)施例，可以使用軟的或低k電介質(zhì)材料作為附加緩沖墊來替代所述氮化硅基材料 或者與所述氮化硅基材料相結(jié)合。例如，可以如上文中針對圖2所描述的那樣執(zhí)行蝕刻步 驟102,以獲得圖23中所示的結(jié)構(gòu)。然后，所述方法進(jìn)行到可選的步驟103a，在該步驟中， 沿著在步驟102所形成的孔204的外邊界沉積軟的或低k電介質(zhì)材料2402,如圖24所示。 在該特定實(shí)施例中，采用電介質(zhì)材料2402來提供附加的撓性和應(yīng)力減輕，并且由此保護(hù)布 線層202的易碎電介質(zhì)材料206。此外，也可以在沉積材料2402之前如上文中針對步驟104 和圖3所討論的那樣沉積氮化硅基襯里302,以對材料2402加襯。此處，電介質(zhì)材料2402 比隨后沉積的電介質(zhì)材料2502更有撓性。類似于軟電介質(zhì)材料206,電介質(zhì)材料2402可 以由SiOH材料、HSQ或甲基倍半硅氧烷構(gòu)成。如圖25中所示，所述方法可以進(jìn)行到可選步 驟103b，在步驟103b，蝕刻軟的或低k電介質(zhì)材料2402以勾勒出區(qū)域2404 (在區(qū)域2404 中，在步驟104沉積應(yīng)力減輕材料）的輪廓，并且為了形成蓋層而去除所述電介質(zhì)材料的上 部區(qū)域?？梢匀缟衔闹嗅槍D3討論的形成應(yīng)力減輕電介質(zhì)結(jié)構(gòu)那樣、使用相同的材料執(zhí) 行步驟104來形成應(yīng)力減輕電介質(zhì)結(jié)構(gòu)2502 ;然而，此處，應(yīng)力減輕電介質(zhì)材料2502也在 所述軟的或低k電介質(zhì)結(jié)構(gòu)2402上方形成蓋層2504,如圖25所示。此外，不進(jìn)行氮化硅基 材料的沉積，因?yàn)橄惹耙呀?jīng)進(jìn)行氮化硅基材料的沉積來對材料2402加襯。此外，電介質(zhì)材 料250沉積在設(shè)置于電介質(zhì)材料2402之間的、在步驟102所形成的孔的區(qū)域2404中。之 后,可以如上文中針對圖13-14所討論的那樣執(zhí)行步驟106,以便蝕刻穿過電介質(zhì)材料2502 來形成應(yīng)力減輕電介質(zhì)結(jié)構(gòu)2602。此外，可以如上文中針對圖14-15所討論的那樣執(zhí)行步 驟108以形成過孔的孔2604。此外，如圖27中所示，可以如上文中針對步驟110-114及圖 5-6所討論的那樣沉積電介質(zhì)過孔襯里502、導(dǎo)體襯里602和導(dǎo)電材料604。
[0040] 現(xiàn)在參考圖28,描繪了根據(jù)示例性實(shí)施例的用于形成通孔結(jié)構(gòu)的備選方法2800。 也參考圖29-32來演示該制造方法的各階段。方法2800可以開始于步驟2802,在步驟 2802,根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)光刻方法對光致抗蝕劑2902進(jìn)行構(gòu)圖。
[0041] 在步驟2804,如圖29中所示，可以穿過布線層202的布線電介質(zhì)206并且穿過被 設(shè)置在布線層202下方的半導(dǎo)體層212的半導(dǎo)體材料210進(jìn)行蝕刻，從而在布線層202和 半導(dǎo)體層212中形成過孔的孔2904。此處，可以使用DRIE工藝穿過布線電介質(zhì)206和半導(dǎo) 體材料210實(shí)施所述蝕刻。
[0042] 在步驟2806,可以進(jìn)行回蝕刻（pull back etch)以至少在布線層中加寬所述過孔 的孔。例如，如圖30中所示，過孔的孔2904可以被加寬以形成過孔的孔3002,該孔3002包 括與在半導(dǎo)體層212中的過孔的孔3002的剩余部分3006相比在布線層202中的較寬部分 3004。在其它實(shí)施例中，所述較寬部分3004可以延伸到半導(dǎo)體層212的半導(dǎo)體材料中。此 處，可以進(jìn)行濕法或干法各向同性回蝕刻以在選定部分加寬所述過孔的孔2904。
[0043] 在步驟2808,可以去除光致抗蝕劑2902,如圖31中所示。
[0044] 在步驟2810,可以在過孔的孔3002中沉積應(yīng)力減輕電介質(zhì)材料3102。例如，應(yīng)力 減輕電介質(zhì)材料3102可以是硅烷氧化物以確保所述材料的大部分留在布線層202內(nèi)。然 而，材料3102中的某些可以沉積在半導(dǎo)體層212中的過孔的孔的部分3006內(nèi)?；蛘撸?應(yīng)力減輕半導(dǎo)體材料3102可以由與上文中針對方法100的步驟104所討論的相同的材料 構(gòu)成。此外，可選地，可以如上文中針對步驟104所討論的那樣使用相同或相似的材料，在 沉積應(yīng)力減輕電介質(zhì)材料之前至少在布線層202中的過孔的孔3002的部分3004中沉積氮 化硅基材料。如圖31所示，至少沿著圖31中所提供的圖示中的水平軸從布線層的電介質(zhì) 材料206橫向地設(shè)置應(yīng)力減輕電介質(zhì)材料3102。此外，在該實(shí)施例中，電介質(zhì)材料3102可 以延伸到半導(dǎo)體層212中，如圖31所示。
[0045] 在步驟2812,可以至少在半導(dǎo)體層212中沉積電介質(zhì)過孔襯里。例如，如圖31所 示，電介質(zhì)過孔襯里3104可以如上文中針對步驟110所討論的那樣沉積在過孔的孔3002 的兩個(gè)部分3004和3006中，并且可以由與上文中針對步驟110所描述的相同的電介質(zhì)材 料形成。
[0046] 在步驟2814,可以至少在半導(dǎo)體層212中沉積導(dǎo)體襯里3202。例如，如圖32所示， 導(dǎo)電襯里3202可以如上文中針對步驟112所討論的那樣沉積在過孔的孔3002的兩個(gè)部分 3004和3006中，并且可以由與上文中針對步驟112所描述的相同的電介質(zhì)材料形成。
[0047] 在步驟2816,可以至少在半導(dǎo)體層212中沉積導(dǎo)電材料3204,以形成通孔3206。 例如，如圖32所示，導(dǎo)電材料3204可以如上文中針對步驟114所討論的那樣沉積在過孔的 孔3002的兩個(gè)部分3004和3006中，并且可以由與上文中針對步驟114所描述的相同的電 介質(zhì)材料形成。
[0048] 在步驟2818,可以如上文中針對步驟116所討論的那樣完成器件的制造。如圖32 所示，過孔3206的最終結(jié)構(gòu)被構(gòu)造成使得至少在布線層202中的應(yīng)力減輕材料3102提供 過孔3206的導(dǎo)電材料3204與軟電介質(zhì)材料206之間的緩沖。此處，應(yīng)力減輕材料3102減 輕了在用于制造器件的熱處理期間由于導(dǎo)電材料3204的任何熱膨脹所導(dǎo)致的、由導(dǎo)電材 料3204施加在布線層的軟電介質(zhì)206上的任何應(yīng)力。
[0049] 現(xiàn)在參考圖33,描繪了根據(jù)示例性實(shí)施例的用于形成通孔結(jié)構(gòu)的備選方法3300。 也參考圖34-38來演示該制造方法的各階段。方法3300可以開始于步驟3302,在步驟 3302,蝕刻布線電介質(zhì)材料以形成勾勒出用于通孔的環(huán)結(jié)構(gòu)的輪廓的孔，在所述孔中可以 沉積應(yīng)力減輕電介質(zhì)材料。例如，如圖34所示，可以蝕刻布線層202的硬電介質(zhì)材料208 和軟電介質(zhì)材料206以形成孔3402?？梢愿鶕?jù)RIE工藝進(jìn)行所述蝕刻。
[0050] 在步驟3304,可以在步驟3302所形成的孔3402中沉積應(yīng)力減輕電介質(zhì)材料。例 如，如圖35所示，可以沉積氮化硅基層3502,該氮化硅基層3502例如是摻碳的氮化硅材料 層或者其它前述氮化硅基材料層。此外，之后可以沉積應(yīng)力減輕電介質(zhì)材料3504以形成U 形層，類似于圖3所示的實(shí)施例。此處，電介質(zhì)材料3504可以是HARP氧化物。或者，所述 應(yīng)力減輕電介質(zhì)材料3504可以為上文中針對步驟104和圖3所描述的任何材料。
[0051] 在步驟3306,可以使用標(biāo)準(zhǔn)光刻技術(shù)形成掩膜。例如，可以采用具有薄光致抗蝕劑 的金屬掩膜，有可能有硬掩膜。此處，掩膜產(chǎn)生用于蝕刻通孔的孔的環(huán)形形狀。然而，在其 它各種實(shí)施例中，所述掩膜可以形成其它形狀。
[0052] 在步驟3308,可以蝕刻在步驟3304所沉積的應(yīng)力減輕電介質(zhì)材料，并且可以去除 掩膜。在該例子中，在布線層中形成環(huán)形孔。
[0053] 在步驟3310,可以進(jìn)行穿過半導(dǎo)體層212的蝕刻。例如，如圖36所示，應(yīng)力減輕電 介質(zhì)3504的剩余部分可以用作蝕刻穿過半導(dǎo)體層212的半導(dǎo)體材料210的掩膜，并且在半 導(dǎo)體材料210中形成環(huán)形過孔的孔3602。
[0054] 在步驟3312,可以在過孔的孔內(nèi)沉積導(dǎo)體襯里。例如，可以在過孔的孔3602中沉 積Ti/TiN或Ta/TaN的雙層3702,如圖37中所示。
[0055] 在步驟3314,可以用導(dǎo)電材料填充過孔的孔。例如，可以在過孔的孔中沉積諸如銅 或任何其它適當(dāng)?shù)膶?dǎo)電材料的導(dǎo)電材料3802,以完成過孔3804的制造。
[0056] 在步驟3316,可以完成半導(dǎo)體器件的制造。例如，過孔3804可以被加蓋層，可以在 布線層202中形成另外的布線，等等。
[0057] 如圖38所示，由導(dǎo)電材料形成的導(dǎo)體結(jié)構(gòu)3802包括延伸到半導(dǎo)體層212中的一 個(gè)或多個(gè)延伸體3806。所述延伸體3806可以是環(huán)帶狀的，如圖38所示，或者可以是多個(gè) 柱。在任一種情況下，導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括由橋接布線層202中的(一個(gè)或多個(gè)）延伸體的頂部的 導(dǎo)電材料形成。此處示例出的橋構(gòu)造提供了這樣的優(yōu)點(diǎn)：減輕了沿著垂直方向的、可在隨后 的熱處理期間發(fā)生的銅泵浦(如果使用銅作為導(dǎo)電材料)。
[0058] 應(yīng)當(dāng)注意，這些圖的橫截面圖示中所示例的兩個(gè)過孔結(jié)構(gòu)可以是分開的過孔或者 可以是單個(gè)環(huán)帶狀過孔。此外，可以執(zhí)行所述方法，使得僅形成單個(gè)過孔結(jié)構(gòu)。
[0059] 還應(yīng)當(dāng)注意，在針對圖33-38描述的實(shí)施例中，為了使穿過半導(dǎo)體材料210的通孔 接地，省略了電介質(zhì)過孔襯里。然而，在其它示例性實(shí)施例中，可以如上文中針對步驟110 所討論的那樣形成電介質(zhì)過孔襯里，以使在如上文中針對圖33-38所描述的實(shí)施方式中的 通孔絕緣。此外，還應(yīng)當(dāng)注意，根據(jù)本發(fā)明的其它示例性實(shí)施方式，為了使穿過半導(dǎo)體材料 210的過孔接地，在本申請中描述的所有實(shí)施例中都可以可選地省略電介質(zhì)過孔襯里。
[0060] 已經(jīng)描述了用于半導(dǎo)體器件的布線層的通孔及其制造方法的優(yōu)選實(shí)施例(這些優(yōu) 選實(shí)施例旨在示例而并非限制)，應(yīng)當(dāng)注意，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)上述教導(dǎo)作出修改和 改變。因此，應(yīng)當(dāng)理解，可以在由所附權(quán)利要求書限定的本發(fā)明的范圍內(nèi)對所公開的特定實(shí) 施例作出改變。由此已經(jīng)描述了專利法所要求的具有細(xì)節(jié)和特殊性的本發(fā)明的方面，在所 附的權(quán)利要求中闡述了受專利證書保護(hù)的所要求保護(hù)的和所希望保護(hù)的本發(fā)明的方面。
【權(quán)利要求】
1. 一種在半導(dǎo)體器件中形成通孔的方法，包括： 執(zhí)行至少穿過所述半導(dǎo)體器件的布線層的第一電介質(zhì)材料的第一蝕刻，所述第一蝕刻 形成勾勒出用于所述通孔的環(huán)結(jié)構(gòu)的輪廓的第一孔； 在所述第一孔中沉積應(yīng)力減輕電介質(zhì)材料，使得所述應(yīng)力減輕電介質(zhì)材料至少橫向地 從所述第一電介質(zhì)材料設(shè)置； 執(zhí)行至少穿過被設(shè)置在所述布線層下方的半導(dǎo)體層的半導(dǎo)體材料的第二蝕刻，所述第 二蝕刻在所述半導(dǎo)體材料中形成過孔的孔；以及 用導(dǎo)電材料填充所述過孔的孔的至少一部分以形成所述通孔，使得所述應(yīng)力減輕電介 質(zhì)材料至少在所述布線層中提供所述導(dǎo)電材料與所述第一電介質(zhì)材料之間的緩沖。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一孔的直徑大于所述第二孔的直徑，并且 其中在所述填充之后，所述應(yīng)力減輕電介質(zhì)材料被設(shè)置在所述半導(dǎo)體層的位于所述過孔的 孔的邊界外側(cè)的部分之上。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括： 在所述填充之前，至少在所述過孔的孔中沉積電介質(zhì)過孔襯里。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述應(yīng)力減輕電介質(zhì)材料用作所述第二蝕刻的掩 膜。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述沉積所述應(yīng)力減輕電介質(zhì)材料形成了所述應(yīng) 力減輕電介質(zhì)材料的U形結(jié)構(gòu)。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述執(zhí)行所述第一蝕刻包括蝕刻穿過所述半導(dǎo)體 材料的一部分。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述執(zhí)行所述第二蝕刻包括蝕刻穿過所述第一電 介質(zhì)材料的一部分。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述執(zhí)行所述第二蝕刻包括蝕刻穿過被設(shè)置在所 述應(yīng)力減輕電介質(zhì)材料之間的所述第一電介質(zhì)材料。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述應(yīng)力減輕半導(dǎo)體材料包括至少一個(gè)空洞，所 述空洞增加了由所述應(yīng)力減輕半導(dǎo)體材料形成的所述環(huán)結(jié)構(gòu)的撓性。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括： 沿著所述第一孔的外部在所述第一孔中沉積第三電介質(zhì)材料，其中所述第三電介質(zhì)材 料比所述應(yīng)力減輕電介質(zhì)材料更有撓性。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述沉積所述應(yīng)力減輕電介質(zhì)材料包括在所述 第一孔的被設(shè)置在所述第三電介質(zhì)材料之間的區(qū)域中沉積所述應(yīng)力減輕電介質(zhì)材料。
12. -種在半導(dǎo)體器件中形成通孔的方法，包括： 執(zhí)行穿過所述半導(dǎo)體器件的布線層的第一電介質(zhì)材料并且穿過被設(shè)置在所述布線層 下方的半導(dǎo)體層的半導(dǎo)體材料的第一蝕刻，所述第一蝕刻在所述布線層中和所述半導(dǎo)體材 料中形成過孔的孔； 執(zhí)行在所述布線層的所述第一電介質(zhì)材料中的第二蝕刻，所述第二蝕刻加寬了所述布 線層中的所述過孔的孔； 在所述布線層中的所述過孔的孔中沉積應(yīng)力減輕電介質(zhì)材料，使得所述應(yīng)力減輕電介 質(zhì)材料至少橫向地從所述第一電介質(zhì)材料設(shè)置；以及 用導(dǎo)電材料填充所述過孔的孔的至少一部分以形成所述通孔，使得所述應(yīng)力減輕電介 質(zhì)材料至少在所述布線層中提供所述導(dǎo)電材料與所述第一電介質(zhì)材料之間的緩沖。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述應(yīng)力減輕電介質(zhì)材料延伸到所述半導(dǎo)體層 中。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，還包括：在所述填充之前在所述過孔的孔中沉積電 介質(zhì)過孔襯里。
15. -種半導(dǎo)體器件中的通孔結(jié)構(gòu)，包括： 導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其由延伸穿過所述半導(dǎo)體器件的布線層并且延伸穿過位于所述布線層下方 的半導(dǎo)體層的導(dǎo)電材料形成，所述半導(dǎo)體器件的所述布線層包括第一電介質(zhì)材料； 電介質(zhì)過孔襯里，其至少在所述半導(dǎo)體層中沿著所述導(dǎo)體結(jié)構(gòu)延伸；以及 應(yīng)力減輕電介質(zhì)材料，其至少在所述布線層中被設(shè)置在所述導(dǎo)體結(jié)構(gòu)與所述第一電介 質(zhì)材料之間，其中所述應(yīng)力減輕電介質(zhì)材料被設(shè)置在所述半導(dǎo)體層的位于所述過孔襯里的 外邊界外側(cè)的部分之上。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的通孔結(jié)構(gòu)，其中所述電介質(zhì)過孔襯里進(jìn)一步延伸到所述 布線層中，使得所述電介質(zhì)過孔襯里被設(shè)置在所述應(yīng)力減輕電介質(zhì)材料與所述導(dǎo)體結(jié)構(gòu)之 間。
17. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的通孔結(jié)構(gòu)，其中所述應(yīng)力減輕電介質(zhì)材料延伸到所述半導(dǎo) 體層中。
18. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的通孔結(jié)構(gòu)，其中所述應(yīng)力減輕電介質(zhì)材料包括至少一個(gè)空 洞，所述空洞增加了由所述應(yīng)力減輕半導(dǎo)體材料形成的環(huán)結(jié)構(gòu)的撓性。
19. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的通孔結(jié)構(gòu)，還包括：第三電介質(zhì)材料，其在所述布線層中被 設(shè)置在所述第一電介質(zhì)材料與所述應(yīng)力減輕電介質(zhì)材料之間，其中所述第三電介質(zhì)材料比 所述應(yīng)力減輕電介質(zhì)材料更有撓性。
20. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的通孔結(jié)構(gòu)，其中所述應(yīng)力減輕電介質(zhì)材料蓋覆蓋所述第三 電介質(zhì)材料。
【文檔編號】H01L21/768GK104112704SQ201410155336
【公開日】2014年10月22日 申請日期:2014年4月17日 優(yōu)先權(quán)日:2013年4月18日
【發(fā)明者】C·V·亞恩斯, 劉小虎, B·C·韋布 申請人:國際商業(yè)機(jī)器公司