降低手機(jī)時(shí)間管理模塊漏電的工藝改進(jìn)方法
【專利摘要】一種降低手機(jī)時(shí)間管理模塊漏電的工藝改進(jìn)方法。針對(duì)手機(jī)時(shí)間管理模塊的制造，使得介電質(zhì)化學(xué)氣相淀積機(jī)臺(tái)進(jìn)行周期清洗工藝，其中介電質(zhì)化學(xué)氣相淀積機(jī)臺(tái)每當(dāng)針對(duì)預(yù)定數(shù)量的硅片處理完沉積工藝則清洗一次反應(yīng)腔，而且其中針對(duì)清洗的反應(yīng)腔，針對(duì)手機(jī)時(shí)間管理模塊的制造，使得沉積工藝的時(shí)間延長。在射頻時(shí)間連續(xù)的一次刻蝕工藝中，隨著刻蝕時(shí)間的增大，逐漸減小針對(duì)每個(gè)硅片的刻蝕時(shí)間。
【專利說明】降低手機(jī)時(shí)間管理模塊漏電的工藝改進(jìn)方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，更具體地說，本發(fā)明涉及一種降低手機(jī)時(shí)間管理模塊漏電的工藝改進(jìn)方法。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)今在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，半導(dǎo)體化學(xué)氣相沉積機(jī)臺(tái)和刻蝕機(jī)臺(tái)增加了 APC(自動(dòng)程序控制)調(diào)節(jié)功能，隨著工藝時(shí)間的增加，機(jī)臺(tái)的工藝參數(shù)會(huì)發(fā)生變化。例如，DCVD(介電質(zhì)化學(xué)氣相淀積)機(jī)臺(tái)在沉積薄膜時(shí)，由于自身機(jī)臺(tái)的性能，會(huì)出現(xiàn)晶圓中心相對(duì)較薄，而邊界相對(duì)較厚的現(xiàn)象。APC系統(tǒng)的逐漸完善，使得機(jī)臺(tái)的工藝參數(shù)會(huì)根據(jù)機(jī)臺(tái)及晶圓的量測和監(jiān)測結(jié)果，會(huì)自動(dòng)反饋，并補(bǔ)償機(jī)臺(tái)的工藝參數(shù)。
[0003]但是，現(xiàn)有技術(shù)仍然無法解決手機(jī)時(shí)間管理模塊漏電的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在上述缺陷，提供一種能夠降低手機(jī)時(shí)間管理模塊漏電的工藝改進(jìn)方法。
[0005]為了實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的，根據(jù)本發(fā)明，提供了一種降低手機(jī)時(shí)間管理模塊漏電的工藝改進(jìn)方法，其包括:針對(duì)手機(jī)時(shí)間管理模塊的制造，使得介電質(zhì)化學(xué)氣相淀積機(jī)臺(tái)進(jìn)行周期清洗工藝，其中介電質(zhì)化學(xué)氣相淀積機(jī)臺(tái)每當(dāng)針對(duì)預(yù)定數(shù)量的硅片處理完沉積工藝則清洗一次反應(yīng)腔，而且其中針對(duì)清洗的反應(yīng)腔，使得沉積工藝的時(shí)間延長。
[0006]優(yōu)選地，針對(duì)清洗的反應(yīng)腔，使得沉積工藝的時(shí)間延長百分之一。
[0007]優(yōu)選地，所述降低手機(jī)時(shí)間管理模塊漏電的工藝改進(jìn)方法還包括:針對(duì)手機(jī)時(shí)間管理模塊的制造，在射頻時(shí)間連續(xù)的一次刻蝕工藝中，隨著刻蝕時(shí)間的增大，逐漸減小針對(duì)每個(gè)優(yōu)選地，在每經(jīng)過50個(gè)小時(shí)的刻蝕之后，使得針對(duì)每個(gè)硅片的刻蝕時(shí)間減小百分之0.7。
[0008]本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是，通過調(diào)節(jié)化學(xué)氣相沉積的沉積速率，良好的改善了晶圓中心和邊界沉積薄膜的均勻性；通過優(yōu)化基于射頻時(shí)間的工藝時(shí)間，大大穩(wěn)定氟摻雜的氧化硅玻璃氧化層刻蝕總量的穩(wěn)定性，最終提高了芯片的良率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]結(jié)合附圖，并通過參考下面的詳細(xì)描述，將會(huì)更容易地對(duì)本發(fā)明有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優(yōu)點(diǎn)和特征，其中:
[0010]圖1示意性地示出了造成手機(jī)時(shí)間管理模塊產(chǎn)生漏電的相關(guān)工藝。
[0011]圖2示意性地示出了造成手機(jī)時(shí)間管理模塊產(chǎn)生漏電的相關(guān)工藝。
[0012]圖3示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的降低手機(jī)時(shí)間管理模塊漏電的工藝改進(jìn)方法。
[0013]需要說明的是，附圖用于說明本發(fā)明，而非限制本發(fā)明。注意，表示結(jié)構(gòu)的附圖可能并非按比例繪制。并且，附圖中，相同或者類似的元件標(biāo)有相同或者類似的標(biāo)號(hào)。
【具體實(shí)施方式】
[0014]為了使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚和易懂，下面結(jié)合具體實(shí)施例和附圖對(duì)本發(fā)明的內(nèi)容進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0015]手機(jī)時(shí)間管理模塊產(chǎn)生漏電主要是由于后段的通孔未被刻蝕完全造成的，與此相關(guān)的工藝包括介質(zhì)化學(xué)氣相沉積和刻蝕工藝。具體地說，如圖1所示，介電質(zhì)化學(xué)氣相淀積后，在第一氧化娃玻璃層11內(nèi)的第一金屬層12上的層間介質(zhì)層20上形成的第二氧化娃玻璃層21和第二硬掩模22中形成凹槽。如圖2所示，在刻蝕之后，第二金屬凹槽31下可能形成未打通的通孔32、完全打開的通孔33以及部分打開的通孔34。
[0016]由此，針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問題，本發(fā)明通過優(yōu)化化學(xué)氣相沉積工藝的周期清洗工藝(Cyclecleanprocess),來改善不同晶圓之間沉積的介質(zhì)層厚度差異；通過基于射頻時(shí)間的工藝時(shí)間優(yōu)化，保持氟摻雜的氧化硅玻璃(FSG)氧化層刻蝕總量的均一性和穩(wěn)定性。
[0017]本發(fā)明在原有的機(jī)臺(tái)性能的基礎(chǔ)上，通過調(diào)整化學(xué)氣相沉積和刻蝕工藝，來彌補(bǔ)機(jī)臺(tái)自身的性能差異，具體如下:
[0018]1.介電質(zhì)化學(xué)氣相淀積機(jī)臺(tái)是以反應(yīng)腔內(nèi)部累積的薄膜厚度的多少來定義清洗
程式的。機(jī)臺(tái)現(xiàn)有的規(guī)定為，大約淀積50-60片的厚度為7500人的氟摻雜的氧化硅玻璃晶
圓，反應(yīng)腔會(huì)做一次清洗，在一個(gè)清洗單元內(nèi)，累計(jì)膜厚的增加會(huì)影響到沉積速率，從而在一個(gè)清洗單元內(nèi)，會(huì)出現(xiàn)氟摻雜的氧化硅玻璃厚度輕微下降的現(xiàn)象。針對(duì)這個(gè)現(xiàn)象，本發(fā)明改進(jìn)的方案為利用介電質(zhì)化學(xué)氣相淀積機(jī)臺(tái)的時(shí)間補(bǔ)償功能來補(bǔ)償清洗后晶圓的沉積時(shí)間，從而解決一個(gè)清洗單元內(nèi)，氟摻雜的氧化硅玻璃厚度下降的現(xiàn)象，減小了不同晶圓之間的氟摻雜的氧化硅玻璃沉積厚度差異；
[0019]2.刻蝕機(jī)臺(tái)(例如AIO刻蝕機(jī)臺(tái))在使用過程中，由于聚焦環(huán)(focusring)的消耗，隨著射頻時(shí)間的增加，刻蝕速率會(huì)增大:射頻時(shí)間由O延長到500小時(shí)，線下刻蝕速率將
由830 A/min增加到870 A/min，從而使刻蝕深度增力P9Oi針對(duì)這個(gè)現(xiàn)象，本發(fā)明改進(jìn)的
方案是通過隨射頻時(shí)間變化的刻蝕時(shí)間補(bǔ)償，來改善氟摻雜的氧化硅玻璃氧化層刻蝕穩(wěn)定性。
[0020]實(shí)驗(yàn)證明，在55納米低功耗芯片的制造中，使用介質(zhì)化學(xué)氣相沉積和刻蝕的優(yōu)化工藝，可以避免通孔未被刻蝕開，或者半刻蝕開的問題，從而大大降低了手機(jī)時(shí)間管理模塊的漏電，新條件的使用，使芯片的良率由之前的96%上升到了 99.5%，極大改善了芯片的良率。
[0021]具體地，在根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的降低手機(jī)時(shí)間管理模塊漏電的工藝改進(jìn)方法中，針對(duì)手機(jī)時(shí)間管理模塊的制造，可以采取以下步驟中的一個(gè)或多個(gè)步驟:
[0022]第一步驟S1:使得介電質(zhì)化學(xué)氣相淀積機(jī)臺(tái)進(jìn)行周期清洗工藝，其中介電質(zhì)化學(xué)氣相淀積機(jī)臺(tái)每當(dāng)針對(duì)預(yù)定數(shù)量的硅片處理完沉積工藝則清洗一次反應(yīng)腔，而且其中針對(duì)清洗的反應(yīng)腔，使得沉積工藝的時(shí)間延長。例如，針對(duì)清洗的反應(yīng)腔，使得沉積工藝的時(shí)間延長百分之一。[0023]第二步驟S2:在射頻時(shí)間連續(xù)的一次刻蝕工藝中，隨著刻蝕時(shí)間的增大，逐漸減
小針對(duì)每個(gè)硅片的刻蝕時(shí)間。例如，可以在每經(jīng)過50個(gè)小時(shí)的刻蝕之后，使得針對(duì)每個(gè)硅
片的刻蝕時(shí)間減小百分之0.7 ;這樣，可保證雖然刻蝕速率增大，但是刻蝕時(shí)間減小，從而
保證針對(duì)每個(gè)硅片的刻蝕量是一樣的，由此對(duì)刻蝕速度的變化進(jìn)行了有效補(bǔ)償進(jìn)行有效補(bǔ)m
\-ΖΧ ο
[0024]本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是，通過調(diào)節(jié)化學(xué)氣相沉積的沉積速率，良好的改善了晶圓中心和邊界沉積薄膜的均勻性；通過優(yōu)化基于射頻時(shí)間的工藝時(shí)間，大大穩(wěn)定氟摻雜的氧化硅玻璃氧化層刻蝕總量的穩(wěn)定性，最終提高了芯片的良率。
[0025]此外，需要說明的是，除非特別說明或者指出，否則說明書中的術(shù)語“第一”、“第二”、“第三”等描述僅僅用于區(qū)分說明書中的各個(gè)組件、元素、步驟等，而不是用于表示各個(gè)組件、元素、步驟之間的邏輯關(guān)系或者順序關(guān)系等。
[0026]可以理解的是，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上，然而上述實(shí)施例并非用以限定本發(fā)明。對(duì)于任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的變動(dòng)和修飾，或修改為等同變化的等效實(shí)施例。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種降低手機(jī)時(shí)間管理模塊漏電的工藝改進(jìn)方法，其特征在于包括:針對(duì)手機(jī)時(shí)間管理模塊的制造，使得介電質(zhì)化學(xué)氣相淀積機(jī)臺(tái)進(jìn)行周期清洗工藝，其中介電質(zhì)化學(xué)氣相淀積機(jī)臺(tái)每當(dāng)針對(duì)預(yù)定數(shù)量的硅片處理完沉積工藝則清洗一次反應(yīng)腔，而且其中針對(duì)清洗的反應(yīng)腔，使得沉積工藝的時(shí)間延長。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低手機(jī)時(shí)間管理模塊漏電的工藝改進(jìn)方法，其特征在于，針對(duì)清洗的反應(yīng)腔，使得沉積工藝的時(shí)間延長百分之一。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的降低手機(jī)時(shí)間管理模塊漏電的工藝改進(jìn)方法，其特征在于還包括:針對(duì)手機(jī)時(shí)間管理模塊的制造，在射頻時(shí)間連續(xù)的一次刻蝕工藝中，隨著刻蝕時(shí)間的增大，逐漸減小針對(duì)每個(gè)硅片的刻蝕時(shí)間。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的降低手機(jī)時(shí)間管理模塊漏電的工藝改進(jìn)方法，其特征在于，在每經(jīng)過50個(gè)小時(shí)的刻蝕之后，使得針對(duì)每個(gè)硅片的刻蝕時(shí)間減小百分之0.7。
5.一種降低手機(jī)時(shí)間管理模塊漏電的工藝改進(jìn)方法，其特征在于包括:針對(duì)手機(jī)時(shí)間管理模塊的制造，在射頻時(shí)間連續(xù)的一次刻蝕工藝中，隨著刻蝕時(shí)間的增大，逐漸減小針對(duì)每個(gè)硅片的刻蝕時(shí)間。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的降低手機(jī)時(shí)間管理模塊漏電的工藝改進(jìn)方法，其特征在于，在每經(jīng)過50個(gè)小時(shí)的刻蝕之后，使得針對(duì)每個(gè)硅片的刻蝕時(shí)間減小百分之0.7。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的降低手機(jī)時(shí)間管理模塊漏電的工藝改進(jìn)方法，其特征在于還包括:針對(duì)手機(jī)時(shí)間管理模塊的制造，使得介電質(zhì)化學(xué)氣相淀積機(jī)臺(tái)進(jìn)行周期清洗工藝，其中介電質(zhì)化學(xué)氣相淀積機(jī)臺(tái)每當(dāng)針對(duì)預(yù)定數(shù)量的硅片處理完沉積工藝則清洗一次反應(yīng)腔，而且其中針對(duì)清洗的反應(yīng)腔，使得沉積工藝的時(shí)間延長。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的降低手機(jī)時(shí)間管理模塊漏電的工藝改進(jìn)方法，其特征在于，針對(duì)清洗的反應(yīng)腔，使得沉積工藝的時(shí)間延長百分之一。
【文檔編號(hào)】H01L21/02GK103943461SQ201410162700
【公開日】2014年7月23日 申請(qǐng)日期:2014年4月22日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月22日
【發(fā)明者】陳佳, 劉景富, 王艷生 申請(qǐng)人:上海華力微電子有限公司