R-t-b系永久磁鐵的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供與現(xiàn)有的R-T-B系永久磁鐵相比不會顯著降低磁特性并且在溫度特性方面表現(xiàn)優(yōu)異的永久磁鐵。在R-T-B系的構造中，通過交替地層疊R1-T-B和Y-T-B，從而形成R1-T-B系結晶層和Y-T-B系結晶層的層疊構造，維持R1-T-B系結晶層的高的各向異性磁場，同時得到Y-T-B系結晶層的溫度系數(shù)的改善效果。
【專利說明】R-T-B系永久磁鐵

【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及稀土類永久磁鐵，特別是涉及通過將R-T-B系永久磁鐵中的R的一部 分選擇性地置換成Y而得到的永久磁鐵。

【背景技術】
[0002] 已知以四方晶R2T14B化合物為主相的R-T-B系永久磁鐵（R為稀土類元素，T為Fe 或者其一部分被Co置換了的Fe)具有優(yōu)異的磁特性，并且自1982年的發(fā)明（專利文獻1 : 日本特開昭59-46008號公報）以來是代表性的高性能永久磁鐵。
[0003] 特別是稀土類元素 R由Nd、Pr、Dy、Ho、Tb構成的R-T-B系永久磁鐵，各向異性磁 場Ha大，作為永久磁鐵材料而被廣泛使用。其中尤其是稀土類元素 R為Nd的Nd-Fe-B系 永久磁鐵，飽和磁化強度Is、居里溫度（Curie temperatur)Tc、各向異性磁場Ha的平衡性 良好，在資源量、耐蝕性方面比使用其它的稀土類元素 R的R-T-B系永久磁鐵優(yōu)異，因此，在 民生、產(chǎn)業(yè)、輸送設備等中被廣泛使用。然而，Nd-Fe-B系永久磁鐵存在以下問題，特別是剩 余磁通密度的溫度系數(shù)的絕對值大，特別是在超過l〇〇°C的高溫下與室溫下的情況相比僅 可以得到小的磁通量。
[0004] 作為剩余磁通密度以及矯頑力的溫度系數(shù)的絕對值比Nd、Pr、Dy、Ho、Tb小的稀土 類元素，已知有Y。在專利文獻2中公開了 R-T-B系永久磁鐵的稀土類元素 R為Y的Y-T-B 系永久磁鐵，盡管以各向異性磁場Ha小的Y2Fe14B相為主相，但是通過使Y以及B的量大于 Y2Fe14B的化學計量組成，從而得到具有實用的矯頑力的永久磁鐵。再有，通過使R-T-B系永 久磁鐵的稀土類元素 R為Y，從而可以得到剩余磁通密度以及矯頑力的溫度系數(shù)的絕對值 小于Nd-Fe-B系永久磁鐵的永久磁鐵。然而，專利文獻2所公開的Y-T-B系永久磁鐵的剩余 磁通密度為0. 5?0. 6T左右，矯頑力為250?350kA/m左右，明顯低于Nd-T-B系永久磁鐵 的磁特性，在專利文獻2中公開的Y-T-B系永久磁鐵難以代替現(xiàn)有的Nd-T-B系永久磁鐵。
[0005] 專利文獻
[0006] 專利文獻1 :日本特開昭59-46008號公報
[0007] 專利文獻2 :日本特開2011-187624號公報


【發(fā)明內(nèi)容】

[0008] 本發(fā)明是認識到這樣的狀況而完成的發(fā)明，其目的在于提供：與在民生、產(chǎn)業(yè)、輸 送設備等中被廣泛使用的R-T-B系永久磁鐵相比較，即使在特別是超過KKTC的高溫下也 不會明顯降低磁特性、并且在溫度特性方面表現(xiàn)優(yōu)異的永久磁鐵。
[0009] 為了解決上述的問題并達成目的，其特征在于，具有R-T-B系的構造，層疊有 Rl-Τ-Β系結晶層（其中，R1是不包含Y的至少一種稀土類元素，T為以Fe或者Fe和Co為 必須成分的一種以上的過渡金屬元素）和Y-T-B系結晶層。通過形成該結構，從而可以得 到與現(xiàn)有的R-T-B系永久磁鐵相比較不會顯著降低磁特性、并且在溫度特性方面表現(xiàn)優(yōu)異 的永久磁鐵。
[0010] 本發(fā)明中，R具有R1和Y，通過Y能夠減小溫度系數(shù)的絕對值，而另一方面，存在各 向異性磁場降低的問題。于是，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)了，通過層疊 Rl-Τ-Β系結晶層和Υ-Τ-Β系結晶 層，從而在維持Rl-Τ-Β系結晶層的高的各向異性磁場的同時，可以得到Υ-Τ-Β系結晶層的 溫度系數(shù)的改善效果，從而完成本發(fā)明。
[0011] 本發(fā)明所涉及的R-T-B系永久磁鐵優(yōu)選R1相對于Υ的原子組成比Rl/Υ在0. 1以 上且10以下的范圍內(nèi)。通過設為該范圍，從而能夠取得Rl-Τ-Β系結晶層的高的各向異性 磁場和Υ-Τ-Β系結晶層的溫度系數(shù)的改善效果的平衡，特別是能夠得到高的磁特性。
[0012] 本發(fā)明所涉及的R-T-B系永久磁鐵優(yōu)選為，Rl-Τ-Β系結晶層的厚度為0. 6nm以上 且300nm以下，Y-T-B系結晶層的厚度為0· 6nm以上且200nm以下。通過設為該范圍，從而 使得也產(chǎn)生一部分來自單磁疇的矯頑力表現(xiàn)機制，特別是能夠得到高的矯頑力。
[0013] 發(fā)明的效果
[0014] 本發(fā)明通過在添加了 Y的R-T-B系永久磁鐵中層疊 Rl-Τ-Β系結晶層和Y-T-B系結 晶層，從而可以保持比R為Y的R-T-B系永久磁鐵相對高的矯頑力。另外，相比于使用Nd、 Pr、Dy、Ho、Tb作為R的現(xiàn)有的R-T-B系永久磁鐵，能夠減小剩余磁通密度以及矯頑力的溫 度系數(shù)的絕對值。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0015] 圖1是實施例3的截面上的STEM-HAADF像。

【具體實施方式】
[0016] 對用于實施本發(fā)明的方式（實施方式）進行詳細的說明。以下的實施方式所記載 的內(nèi)容并不用來限定本發(fā)明。另外，在以下所記載的構成要素中，可以包含本領域技術人員 能夠容易設想的要素、實質(zhì)上相同的要素。再有，可以適當組合以下所記載的構成要素。
[0017] 本實施方式所涉及的R-T-B系永久磁鐵含有11?18at%的稀土類元素。在此，本 發(fā)明中的R以R1和Y為必須成分，R1是不包含Y的至少一種稀土類元素。如果R的量小 于llat%，則R-T-B系永久磁鐵中所包含的R 2T14B相的生成不夠，并且具有軟磁性的a -Fe 等析出，矯頑力明顯降低。另一方面，如果R超過18at %，則R2T14B相的體積比率降低，剩余 磁通密度降低。另外，R與0反應，所含有的0量增加，伴隨于此在產(chǎn)生矯頑力方面有效的 富R相減少，導致矯頑力的降低。
[0018] 在本實施方式中，上述稀土類元素 R包含R1以及Y。R1是不包含Y的至少一種稀 土類元素。在此，作為R1，也可以包含作為來自于原料的雜質(zhì)、或者制造時混入的雜質(zhì)的其 他成分。還有，關于R1，如果考慮得到高的各向異性磁場，則優(yōu)選為Nd、Pr、Dy、Ho、Tb，另外， 從原料價格和耐蝕性的觀點出發(fā)，更優(yōu)選為Nd。
[0019] 本實施方式所涉及的R-T-B系永久磁鐵含有5?8at %的B。在B小于5at %的情 況下，無法得到高的矯頑力。另一方面，如果B超過8at %，則存在剩余磁通密度降低的趨 勢。因此，使B的上限為8at%。
[0020] 本實施方式所涉及的R-T-B系永久磁鐵可以含有4. Oat%以下的Co。Co形成與 Fe同樣的相，但是，在居里溫度的提高、晶界相的耐蝕性提高方面有效果。另外，本實施方式 所涉及的R-T-B系永久磁鐵可以在0. 01?1. 2at%的范圍內(nèi)含有A1以及Cu的1種或者2 種。通過在該范圍內(nèi)含有A1以及Cu的1種或者2種，從而可以實現(xiàn)所得到的永久磁鐵的 高矯頑力化、高耐蝕性化、溫度特性的改善。
[0021] 本實施方式所涉及的R-T-B系永久磁鐵允許含有其他的元素。例如，可以適當含 有Zr、Ti、Bi、Sn、Ga、Nb、Ta、Si、V、Ag、Ge等的元素。另一方面，優(yōu)選盡量減少0、N、C等的 雜質(zhì)元素。特別是損害磁特性的0,優(yōu)選使其量為5000ppm以下，進一步優(yōu)選為3000ppm以 下。這是由于，如果〇量多，則作為非磁性成分的稀土類氧化物相增大，使磁特性降低。
[0022] 本實施方式所涉及的R-T-B系永久磁鐵具有R-T-B系的構造，層疊有Rl-Τ-Β系 結晶層和Y-T-B系結晶層。通過層疊 Rl-Τ-Β系結晶層和Y-T-B系結晶層，從而可以在維 持Rl-Τ-Β系結晶層的高的各向異性磁場的同時，得到Y-T-B系結晶層的溫度系數(shù)的改善效 果。
[0023] 在此，優(yōu)選R1相對于Y的原子組成比Rl/Υ在0. 1以上且10以下的范圍內(nèi)。通過 設為該范圍，從而可以取得Rl-Τ-Β系結晶層的高的各向異性磁場和Y-T-B系結晶層的溫度 系數(shù)的改善效果的平衡，特別是可以得到高的磁特性。其中，在表面層疊1層并謀求局部的 改善等的情況下，不受該比例的限制。
[0024] 再有，優(yōu)選Rl-Τ-Β系結晶層的厚度為0· 6nm以上且300nm以下，Y-T-B系結晶層 的厚度為〇· 6nm以上且200nm以下。這是因為，Nd2T14B的單磁疇臨界粒徑為300nm左右， Y2Fe14B的單磁疇臨界粒徑為200nm左右，通過分別在該厚度以下的條件下進行層疊，從而 由作為R-T-B系永久磁鐵的一般的矯頑力表現(xiàn)機制的成核型（nucleation type),也產(chǎn)生 一部分來自于單磁疇的矯頑力表現(xiàn)機制，可以得到高的矯頑力。另一方面，R2T14B的結晶 構造中的c軸方向的原子間距離為0. 6nm左右，在此以下則無法形成Rl-Τ-Β系結晶層和 Y-T-B系結晶層的層疊構造。如果在小于0. 6nm的厚度下進行層疊，則成為R1和Y -部分 隨機地配置的R2T14B的結晶構造。
[0025] 以下，對本發(fā)明的制造方法的優(yōu)選的例子進行說明。
[0026] R-T-B系永久磁鐵的制造方法有燒結法、超急冷凝固法、蒸鍍法、HDDR法等，對由 蒸鍍法中的濺射進行的制造方法的一個例子進行說明。
[0027] 作為材料，首先準備靶材。靶材為具有所期望的組成的Rl-Τ-Β合金靶材以及 Y-T-B合金靶材。在此，關于靶材的組成比和由濺射制作的膜的組成比，由于各元素的濺射 率不同，因而存在偏差的情況，需要進行調(diào)整。在使用具有3個以上的濺射機構的裝置的情 況下，也可以準備Rl、Y、T、B各個的單元素靶材，以所期望的比例進行濺射。另外，也可以 如R1、Y、T-B那樣，使用一部分合金靶材，以所期望的比例進行濺射。在想適當含有其他的 元素、例如Zr、Ti、Bi、Sn、Ga、Nb、Ta、Si、V、Ag、Ge等的情況下，也同樣可以以合金祀材、單 元素靶材這兩種方法使其含有。另一方面，由于優(yōu)選盡量降低〇、N、C等的雜質(zhì)元素，因而也 盡量降低靶材中的雜質(zhì)含量。
[0028] 靶材在保管過程中自表面起氧化。特別是在使用Rl、Y的稀土類單元素靶材的情 況下，氧化的速度快。因此，在使用這些靶材之前，有必要充分地進行濺射來顯出靶材的清 潔表面。
[0029] 關于通過濺射進行成膜的基材，可以選擇各種金屬、玻璃、硅、陶瓷等進行使用。其 中，為了得到所期望的結晶組織，有必要進行高溫下的處理，因而優(yōu)選選擇高熔點的材料。 還有，除了高溫處理中的耐性之外，還存在與R-T-B膜的密合性不足的情況，作為其對策， 通常通過設置Cr或Ti、Ta、Mo等的基底膜來提高密合性。在R-T-B膜的上部，為了防止 R-T-B膜的氧化，可以設置Ti、Ta、Mo等的保護膜。
[0030] 進行濺射的成膜裝置優(yōu)選盡量降低0、N、C等的雜質(zhì)元素，因而優(yōu)選真空槽內(nèi)進行 排氣直至成為l〇_6Pa以下，更加優(yōu)選成為l(T8Pa以下。為了保持高的真空狀態(tài)，優(yōu)選具有與 成膜室連接的基材導入室。另外，在靶材使用前，有必要充分地進行濺射來顯出靶材的清潔 表面，因此，成膜裝置優(yōu)選在基材和靶材之間具有可以在真空狀態(tài)下操作的遮蔽機構。關于 濺射的方法，出于盡量降低雜質(zhì)元素的目的，優(yōu)選可以在更低的Ar氣氛下進行濺射的磁控 管·濺射法。在此，由于包含F(xiàn)e、Co的靶材大幅地降低磁控管·濺射的漏磁通，難以進行濺 射，因此，有必要適當?shù)剡x擇靶材的厚度。濺射的電源可以使用DC、RF任一種，可以根據(jù)靶 材進行適當選擇。
[0031] 為了使用上述的靶材和基材制作Rl-Τ-Β系結晶層和Y-T-B系結晶層的層疊構造， 交替地濺射Rl-Τ-Β合金靶材和Y-T-B合金靶材。在使用Rl、Y、T、B各個的單元素靶材的 情況下，在以所期望的比例濺射Rl、T、B這3種靶材之后，以所期望的比例濺射Y、T、B這3 種靶材。通過將其交替地反復，從而可以得到與使用合金靶材的情況同樣的層疊構造。對 Rl、T、B以及Y、T、B那樣的3種靶材進行濺射時，可以是3元同時濺射、或者單獨地濺射各 元素的層疊濺射的任一種。即使是層疊濺射，通過在適當?shù)谋壤?、厚度下進行層疊并進行加 熱，從而利用熱力學的穩(wěn)定性形成R-T-B系的結晶構造。另外，層疊構造可以通過在成膜裝 置內(nèi)移送基材從而在不同室的腔室進行不同的靶材的濺射來進行制作。
[0032] 層疊構造的反復次數(shù)為層疊 Rl-Τ-Β系結晶層和Y-T-B系結晶層的1組以上，可以 設定為任意的次數(shù)。
[0033] 所謂R-T-B系結晶層的厚度，是存在R、Fe、B的面的從端部到端部為止。R2T 14B的 結晶構造由存在R、Fe、B的面和稱為〇層的僅由Fe構成的層在c軸方向上堆積而構成，因 而可以容易地辨別。
[0034] 層疊構造中的Rl-Τ-Β系結晶層和Y-T-B系結晶層的厚度可以通過調(diào)整濺射的功 率、時間而設定為任意的厚度。通過使Rl-Τ-Β系結晶層和Y-T-B系結晶層的厚度有差別， 從而可以調(diào)整R1相對于Y的原子組成比Rl/Υ。另外，也可以通過在每次反復時使厚度變化 從而使厚度具有梯度。在此，為了進行厚度的調(diào)整，有必要預先進行成膜速率的確認。成膜 速率的確認一般通過接觸式段差計測定在規(guī)定的功率、規(guī)定的時間下形成的膜來進行。另 夕卜，也可以在成膜裝置內(nèi)配備水晶振子膜厚計等來使用。
[0035] 濺射中，在400?700°C下加熱基材而使其結晶化。另一方面，濺射中，也可以通過 將基材保持于室溫并在成膜后進行400?1100°C的熱處理來使其結晶化。在該情況下，成 膜后的R-T-B膜通常由數(shù)十nm程度的微細結晶或非晶質(zhì)構成，通過熱處理使結晶生長。為 了盡量減少氧化、氮化，優(yōu)選在真空或者惰性氣體中進行熱處理。出于同樣的目的，更加優(yōu) 選熱處理機構和成膜裝置可以在真空中運送。熱處理時間優(yōu)選為短時間，在1分鐘?1小 時的范圍內(nèi)是充分的。另外，成膜中的加熱和熱處理可以任意組合進行。
[0036] 在此，Rl-Τ-Β系結晶層和Y-T-B系結晶層通過濺射的能量和基材加熱的能量而被 結晶化。濺射的能量使濺射顆粒附著于基材，結晶形成后馬上消失。另一方面，基材加熱的 能量在成膜時被持續(xù)供給，但是在400?700°C的熱能下Rl-Τ-Β系結晶層和Y-T-B系結晶 層的擴散基本上不進行，層疊構造被維持。在低溫成膜后的熱處理中進行結晶化的情況下 也是，通過400?1100°C的熱能使微細結晶的粒生長進行，但是Rl-Τ-Β系結晶層和Y-T-B 系結晶層的擴散基本上不進行，層疊構造被維持。
[0037] 雖然也可以就這樣直接作為薄膜磁鐵使用，但是可以使用由本實施方式得到的層 疊體進一步制成稀土類粘結（bond)磁鐵或稀土類燒結磁鐵。以下，敘述其制造方法。
[0038] 對稀土類粘結磁鐵的制造方法的一個例子進行說明。首先，從基材上剝離具有由 濺射制作的層疊構造的膜并進行微粉碎。其后，在例如加壓捏和機等的加壓混煉機中混煉 包含樹脂的樹脂粘結劑和主粉末，調(diào)制包含樹脂粘結劑和具有層疊構造的R-T-B系永久磁 鐵粉末的稀土類粘結磁鐵用復合物（組合物）。樹脂有環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂等的熱固性樹 月旨、或苯乙烯系、烯烴系、聚氨酯系、聚酯系、聚酰胺系的彈性體、離聚物、乙烯丙烯共聚物 (EPM)、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物等的熱塑性樹脂。其中，在進行壓縮成形的情況下使用的 樹脂優(yōu)選為熱固性樹脂，更加優(yōu)選為環(huán)氧樹脂或者酚醛樹脂。另外，在進行注塑成形的情況 下使用的樹脂優(yōu)選為熱塑性樹脂。另外，在稀土類粘結磁鐵用復合物中，根據(jù)需要，也可以 添加耦合劑或其他的添加材料。
[0039] 另外，稀土類粘結磁鐵中的R-T-B系永久磁鐵粉末和樹脂的含有比率，相對于100 質(zhì)量％的主粉末，優(yōu)選包含例如0. 5質(zhì)量％以上20質(zhì)量％以下的樹脂。相對于100質(zhì)量％ 的R-T-B系永久磁鐵粉末，如果樹脂的含量小于0. 5質(zhì)量％，則存在形狀保持性受損的趨 勢，如果樹脂超過20質(zhì)量％，則存在難以得到充分優(yōu)異的磁特性的趨勢。
[0040] 在調(diào)制了上述的稀土類粘結磁鐵用復合物之后，通過對該稀土類粘結磁鐵用復合 物進行注塑成形，從而可以得到包含具有層疊構造的R-T-B系永久磁鐵粉末和樹脂的稀土 類粘結磁鐵。在通過注塑成形制作稀土類粘結磁鐵的情況下，根據(jù)需要將稀土類粘結磁鐵 用復合物加熱至粘結劑（熱塑性樹脂）的熔融溫度為止，在形成流動狀態(tài)之后，將該稀土類 粘結磁鐵用復合物向具有規(guī)定的形狀的模具內(nèi)注塑從而成形。其后，進行冷卻，從模具中取 出具有規(guī)定形狀的成形品（稀土類粘結磁鐵）。這樣，得到稀土類粘結磁鐵。稀土類粘結磁 鐵的制造方法不限定于上述的注塑成形的方法，例如也可以通過將稀土類粘結磁鐵用復合 物進行壓縮成形，從而得到包含R-T-B系永久磁鐵粉末和樹脂的稀土類粘結磁鐵。在通過 壓縮成形制作稀土類粘結磁鐵的情況下，在調(diào)制了上述的稀土類粘結磁鐵用復合物之后， 將該稀土類粘結磁鐵用復合物填充至具有規(guī)定的形狀的模具內(nèi)，施加壓力而從模具中取出 具有規(guī)定形狀的成形品（稀土類粘結磁鐵）。在利用模具成形稀土類粘結磁鐵用復合物并 取出的時候，使用機械壓制機或油壓壓制機等的壓縮成形機來進行。其后，放入到加熱爐或 真空干燥爐等的爐中并施加熱從而使其固化，由此得到稀土類粘結磁鐵。
[0041] 成形得到的稀土類粘結磁鐵的形狀并沒有特別的限定，可以對應于所使用的模具 的形狀，例如對應于平板狀、柱狀、截面形狀為環(huán)狀等、稀土類粘結磁鐵的形狀進行變更。另 夕卜，關于所得到的稀土類粘結磁鐵，為了防止在其表面上氧化層或樹脂層等的劣化，也可以 實施鍍敷或涂裝。
[0042] 在稀土類粘結磁鐵用復合物成形為規(guī)定的目標形狀的時候，也可以施加磁場從而 使成形得到的成形體在一定方向上進行取向。由此，由于稀土類粘結磁鐵在特定方向上進 行取向，因此，可以得到磁性更強的各向異性稀土類粘結磁鐵。
[0043] 對稀土類燒結磁鐵的制造方法的一個例子進行說明。如上所述，通過例如壓制成 形等，將具有層疊構造的R-T-B系永久磁鐵粉末成形為規(guī)定的目標形狀。對具有層疊構造 的R-T-B系永久磁鐵粉末進行成形而得到的成形體的形狀并沒有特別的限定，可以對應于 所使用的模具的形狀，例如對應于平板狀、柱狀、截面形狀為環(huán)狀等、稀土類燒結磁鐵的形 狀進行變更。
[0044] 接著，例如在真空中或者惰性氣體的存在下，在從1000°C到1200°C的溫度下，對 成形體進行1小時?10小時的加熱處理來進行燒成。由此，可以得到燒結體（稀土類燒結 磁鐵）。燒成后，通過在低于燒成時的溫度下保持所得到的稀土類燒結磁鐵等，從而對稀土 類燒結磁鐵實施時效處理。時效處理為，例如，在700°C到900°C的溫度下加熱1小時?3 小時、進一步在500°C到700°C的溫度下加熱1小時?3小時的2階段加熱，或者，在600°C 附近的溫度下加熱1小時?3小時的1階段加熱等，根據(jù)實施時效處理的次數(shù)適當調(diào)整處 理條件。由這樣的時效處理，可以提高稀土類燒結磁鐵的磁特性。
[0045] 所得到的稀土類燒結磁鐵可以切斷為所期望的尺寸，或者也可以對表面進行平滑 化，從而制成規(guī)定形狀的稀土類燒結磁鐵。另外，所得到的稀土類燒結磁鐵，也可以在其表 面上實施用于防止氧化層或樹脂層的劣化的鍍敷或涂裝。
[0046] 另外，在將具有層疊構造的R-T-B系永久磁鐵粉末成形為規(guī)定的目標形狀的時 候，也可以施加磁場并使成形而得到的成形體在一定方向上進行取向。由此，由于稀土類燒 結磁鐵在特定方向上進行取向，因此，可以得到磁性更強的各向異性稀土類燒結磁鐵。
[0047] [實施例]
[0048] 以下，使用實施例以及比較例來詳細地說明本發(fā)明的內(nèi)容，但是，本發(fā)明并不限定 于以下的實施例。
[0049] 作為靶材，制作以使得由濺射形成的膜成為Nd15Fe78B 7、Pr15Fe78B7、Y15Fe 78B7的組成 的方式調(diào)整的Nd-Fe-B合金靶材、Pr-Fe-B合金靶材以及Y-Fe-B合金靶材。關于進行成膜 的基材，準備娃基板。條件設定為：祀材的尺寸為直徑76. 2mm，基材的尺寸為10mmX 10mm， 充分保持膜的面內(nèi)均勻性。
[0050] 成膜裝置使用可以排氣至l(T8Pa以下且在同一槽內(nèi)具有多個濺射機構的裝置。在 該成膜裝置內(nèi)安裝上述Nd-Fe-B合金靶材和Pr-Fe-B合金靶材、Y-Fe-B合金靶材、進而基 底膜、用于保護膜的Mo靶材。濺射通過使用磁控管·濺射法，形成IPa的Ar氣氛，并利用 RF電源來進行。還有，RF電源的功率和成膜時間根據(jù)試料的構成進行調(diào)整。
[0051] 膜構成中，首先，作為基底膜，成膜50nm的Mo。接著，根據(jù)各個實施例以及比較例 調(diào)整Rl-Fe-B層厚度和Y-Fe-B層厚度并進行濺射。濺射方法根據(jù)試料的構成按照交替地 濺射2個靶材的方法、以及同時地濺射2個靶材的方法這2種方法來進行。在R-Fe-B膜成 膜之后，作為保護膜，再次成膜50nm的Mo。
[0052] 成膜中，通過將基材的硅基板加熱至600°C，從而使R-Fe-B膜結晶化。磁性層成膜 后，在200°C下成膜保護膜，其后，在真空中冷卻至室溫之后，從成膜裝置中取出。在表1中 表示所制作的試料。
[0053] [表 1]
[0054]

【權利要求】
1. 一種R-T-B系永久磁鐵，其特征在于， 具有R-T-B系的構造，層疊有Rl-Τ-Β系結晶層和Y-T-B系結晶層，其中，R1是不包含Y 的至少一種稀土類元素，T為包含F(xiàn)e作為必須元素或者包含F(xiàn)e和Co作為必須元素的一種 以上的過渡金屬元素。
2. 如權利要求1所述的R-T-B系永久磁鐵，其特征在于， R1相對于Y的原子組成比Rl/Υ在〇. 1以上且10以下的范圍內(nèi)。
3. 如權利要求1所述的R-T-B系永久磁鐵，其特征在于， Rl-Τ-Β系結晶層的厚度為0. 6nm以上且300nm以下，Y-T-B系結晶層的厚度為0. 6nm 以上且200nm以下。
【文檔編號】H01F1/057GK104124020SQ201410171646
【公開日】2014年10月29日 申請日期:2014年4月25日 優(yōu)先權日:2013年4月25日
【發(fā)明者】橋本龍司, 鈴木健一, 崔京九, 西川健一 申請人:Tdk株式會社