顯示裝置和制造顯示裝置的方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種顯示裝置和制造顯示裝置的方法。該顯示裝置包括第一基底、陽極電極、像素限定層、有機發(fā)光層、多層復(fù)合體、鈍化絕緣層和第二基底。陽極電極被設(shè)置在第一基底上。像素限定層被設(shè)置在第一基底上，并限定其上的顯示區(qū)域和外圍區(qū)域。有機發(fā)光層被設(shè)置在陽極電極和像素限定層上并覆蓋陽極電極和像素限定層，并被配置為產(chǎn)生光。多層復(fù)合體被設(shè)置在有機發(fā)光層上并覆蓋有機發(fā)光層，并被配置為施加電流到有機發(fā)光層。多層復(fù)合體包括被彼此層疊的多個導(dǎo)電層。鈍化絕緣層被設(shè)置在多層復(fù)合體上并覆蓋多層復(fù)合體。第二基底被設(shè)置在鈍化絕緣層上，并對應(yīng)于第一基底。
【專利說明】顯示裝置和制造顯示裝置的方法 [0001] 相關(guān)申請的交叉引用
[0002] 本申請要求2013年6月4日遞交的韓國專利申請10-2013-0063955的優(yōu)先權(quán)，該 申請的公開通過引用整體合并于此。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003] 示例實施例涉及具有多層復(fù)合體的顯示裝置和制造該顯示裝置的方法。

【背景技術(shù)】
[0004] 通常，顯示裝置具有有機發(fā)光元件和驅(qū)動有機發(fā)光元件的薄膜晶體管。另外，顯示 裝置被制造為具有分層結(jié)構(gòu)。因此，在制造工藝中，顆?？赡苓M入顯示裝置，使得顯示裝置 的元件可能被短路。短路的元件可能在顯示裝置中產(chǎn)生暗像素。結(jié)果，暗像素可能降低顯 示裝置的清晰度。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 示例實施例提供了一種具有多層復(fù)合體而沒有由顆粒導(dǎo)致的暗像素的顯示裝置。
[0006] 示例實施例提供了制造上述顯示裝置的方法。
[0007] 根據(jù)示例實施例的一個方面，一種顯示裝置包括第一基底、陽極電極、像素限定 層、有機發(fā)光層、多層復(fù)合體、鈍化絕緣層和第二基底。第一基底包括顯示區(qū)域和外圍區(qū)域。 外圍區(qū)域圍繞顯示區(qū)域。陽極電極被設(shè)置在第一基底上。像素限定層被設(shè)置在第一基底上。 像素限定層限定該顯示區(qū)域和該外圍區(qū)域。有機發(fā)光層被設(shè)置在陽極電極和像素限定層上 并覆蓋陽極電極和像素限定層。有機發(fā)光層被配置為產(chǎn)生光。多層復(fù)合體被設(shè)置在有機發(fā) 光層上并覆蓋有機發(fā)光層。多層復(fù)合體被配置為施加電流到有機發(fā)光層。多層復(fù)合體包括 被彼此層疊的多個導(dǎo)電層。鈍化絕緣層被設(shè)置在多層復(fù)合體上并覆蓋多層復(fù)合體。第二基 底被設(shè)置在鈍化絕緣層上并覆蓋鈍化絕緣層。第二基底對應(yīng)于第一基底。
[0008] 多層復(fù)合體可以包括第一陰極電極、緩沖層和第二陰極電極。
[0009] 第一陰極電極可以被設(shè)置在有機發(fā)光層上并覆蓋有機發(fā)光層。
[0010] 第二陰極電極可以被設(shè)置在緩沖層上并覆蓋緩沖層。
[0011] 緩沖層可以被設(shè)置在第一陰極電極和第二陰極電極之間的顯示區(qū)域中。
[0012] 第一陰極電極的厚度可以小于第二陰極電極的厚度。
[0013] 第二陰極電極可以在外圍區(qū)域中與第一陰極電極電連接。
[0014] 顯示裝置可以進一步包括顆粒，該顆粒被設(shè)置在陽極電極和有機發(fā)光層之間。
[0015] 多層復(fù)合體可以被配置為覆蓋顆粒。
[0016] 根據(jù)示例實施例的另一方面，提供了如下的一種制造顯示裝置的方法。陽極電極 被形成在第一基底上。像素限定層被形成在第一基底上。像素限定層限定顯示區(qū)域和外圍 區(qū)域。有機發(fā)光層被形成在陽極電極和像素限定層上。第一陰極電極被形成在有機發(fā)光層 上。緩沖層被形成在第一陰極電極上的顯示區(qū)域中。第二陰極電極被形成在緩沖層上。鈍 化絕緣層被形成在第二陰極電極上。第二基底被形成在鈍化絕緣層上。
[0017] 第一陰極電極的厚度可以小于第二陰極電極的厚度。
[0018] 第二陰極電極可以被設(shè)置在緩沖層上，第二陰極電極可以在外圍區(qū)域中與第一陰 極電極電連接。
[0019] 緩沖層可以被設(shè)置在第一陰極電極和第二陰極電極之間，緩沖層可以使用圖案掩 模被形成在顯示區(qū)域中。
[0020] 制造顯示裝置的方法可以進一步包括在陽極電極和有機發(fā)光層之間設(shè)置顆粒。
[0021] 第一陰極電極、緩沖層和第二陰極電極可以被配置為覆蓋顆粒。
[0022] 根據(jù)該顯示裝置和制造顯示裝置的該方法，具有多層復(fù)合體的顯示裝置可以防止 由陽極和陰極的接觸產(chǎn)生的短路現(xiàn)象。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0023] 示例實施例可以更詳細地從結(jié)合附圖的以下描述來理解，附圖中：
[0024] 圖1是示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的顯示裝置的剖視圖；
[0025] 圖2是示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的顯示裝置的剖視圖；
[0026] 圖3是示出了具有顆粒的圖2的顯示裝置的剖視圖；
[0027] 圖4是示出了暗像素的數(shù)量對應(yīng)于圖2的顯示裝置的陰極電極的厚度的曲線圖； 和
[0028] 圖5是示出了制造圖2的顯示裝置的方法的流程圖。 具體實施例
[0029] 下面將參考附圖更完整地描述一些示例實施例。然而，本發(fā)明構(gòu)思可以以不同的 形式體現(xiàn)，并且不應(yīng)被解釋為限于本文所提出的示例實施例。在圖中，為了清楚，層和區(qū)域 的尺寸和相對尺寸可能被夸大。
[0030] 將理解的是，當元件或?qū)颖环Q為在另一元件或?qū)?上"、被"連接到"或"結(jié)合到"另 一元件或?qū)訒r，它可以直接在另一元件或?qū)由?，被直接連接到或結(jié)合到另一元件或?qū)?，或?可以存在中間元件或中間層。與此相反，當元件被稱為"直接在"另一元件或?qū)?上"、被"直 接連接到"或"直接結(jié)合到"另一元件或?qū)訒r，不存在中間元件或中間層。在整個文件中，相 同或相似的附圖標記通常指代相同或相似的元件。如本文所用，術(shù)語"和/或"包括相關(guān)聯(lián) 的所列項目的一個或多個的任意和所有組合。
[0031] 將理解的是，雖然術(shù)語第一、第二、第三等可在本文中用來描述各種元件、組件、區(qū) 域、層、圖案和/或部分，但是這些元件、組件、區(qū)域、層、圖案和/或部分不應(yīng)該受這些術(shù)語 的限制。這些術(shù)語僅用來區(qū)分一個元件、組件、區(qū)域、層、圖案或部分與另一個元件、組件、區(qū) 域、層、圖案或部分。因此，下面討論的第一元件、組件、區(qū)域、層或部分可以被稱為第二元 件、組件、區(qū)域、層或部分，而不脫離示例實施例的教導(dǎo)。
[0032] 為了便于描述，如"之下"、"下方"、"下"、"上方"、"上"等的空間相對術(shù)語在本文中 可用于描述如附圖所示的一個元件或特征和另一個元件或特征的關(guān)系。將理解的是，除了 圖中描述的方位之外，空間相對術(shù)語意在包含裝置在使用或操作中的不同方位。例如，如果 圖中裝置被翻轉(zhuǎn)，被描述為在其它元件或特征"下方"或"之下"的元件則將被定向為在其 它元件或特征的"上方"。因此，示例性的術(shù)語"下方"可以包括上方和下方兩種方位。裝置 可被另外定位（例如旋轉(zhuǎn)90度或者在其它方位），本文使用的空間相對描述符可以進行相 應(yīng)的解釋。
[0033] 本文使用的術(shù)語僅用于描述特定的示例性實施例，并不旨在限制本發(fā)明。如本文 所用，單數(shù)形式的"一個"、"一"和"該"旨在也包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文另有明確說明。將 進一步理解的是，當在申請文件中使用時，術(shù)語"包括"和/或"包含"表明存在所陳述的特 征、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或添加一個或多個其它特征、整體、步 驟、操作、元件、組件和/或它們的組。
[0034] 示例實施例在本文中是參考發(fā)明構(gòu)思的解說性的理想化示例實施例（和中間結(jié) 構(gòu)）的示例性圖示的剖視示意圖來描述。這樣，作為例如制造技術(shù)和/或公差的結(jié)果，可以 預(yù)期圖示形狀的變化。因此，示例實施例不應(yīng)該被解釋為限于本文所示的區(qū)域的特定形狀， 而是包括例如由于制造產(chǎn)生的形狀的偏差。圖中所示的區(qū)域?qū)嶋H上是示意性的，它們的形 狀并不旨在示出裝置的區(qū)域的實際形狀，也不旨在限制發(fā)明構(gòu)思的范圍。
[0035] 除非另有定義，否則本文使用的所有術(shù)語（包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語）具有本發(fā)明構(gòu) 思所屬的【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員所通常理解的相同含義。將進一步理解，例如那些在常 用字典中定義的術(shù)語應(yīng)該被解釋為具有與它們在相關(guān)領(lǐng)域的上下文的含義一致的含義，并 且將不用理想化或過于正式的意義來解釋，除非在本文中明確地如此定義。
[0036] 圖1是示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的顯示裝置的剖視圖。
[0037] 參考圖1，當顆粒330被設(shè)置在陽極電極130上時，有機發(fā)光層170可能短路。并 且，有機發(fā)光層170可能沒有被均勻地形成在陽極電極130上，并且有機發(fā)光層170可能圍 繞顆粒330。另外，陰極電極250被形成在有機發(fā)光層170上，并且陰極電極250可能短路。 此外，陰極電極250可能沒有被均勻地形成在有機發(fā)光層170上，并且陰極電極250可能圍 繞有機發(fā)光層170。因此，陰極電極250可能接觸陽極電極130。因此，在陽極電極130和 陰極電極250之間可能產(chǎn)生短路。
[0038] 圖2是示出了根據(jù)本發(fā)明的一個示例實施例的顯示裝置的剖視圖。
[0039] 參考圖2,顯示裝置100包括第一基底110、陽極電極130、像素限定層150、有機發(fā) 光層170、多層復(fù)合體300、鈍化絕緣層190和第二基底310。
[0040] 第一基底110可以包括透明絕緣基底。例如，第一基底110可以包括玻璃基底、石 英基底、聚合物樹脂基底等。在一個實施例中，第一基底110可以包括薄膜晶體管玻璃（TFT 玻璃）。
[0041] 第二基底310可以對應(yīng)于第一基底110。第二基底310可以包括透明絕緣材料。 第二基底310可以包括玻璃基底、石英基底、聚合物樹脂基底等。在一個實施例中，第二基 底310可以包括封裝玻璃。
[0042] 再次參考圖2,第一基底110可以包括顯示區(qū)域I和外圍區(qū)域II。
[0043] 陽極電極130被設(shè)置在第一基底110的顯示區(qū)域I中。陽極電極130可以包括透 明導(dǎo)電材料，諸如透明導(dǎo)電氧化物（TC0)、氧化銦錫（ΙΤ0)、氧化銦鋅（ΙΖ0)等。當陽極電極 130被形成為透明導(dǎo)電電極時，光從有機發(fā)光層170通過陽極電極130產(chǎn)生，從而顯示裝置 100是底部發(fā)射型。
[0044] 像素限定層150被設(shè)置在第一基底110的兩側(cè)部分，像素限定層150部分暴露陽 極電極130。像素限定層150可以通過使用有機材料或無機材料來形成。例如，像素限定 層150可以通過使用光致抗蝕劑、聚丙烯酸樹脂、聚酰亞胺樹脂、丙烯酸樹脂、氧化硅等來 形成。陽極電極130的由像素限定層150暴露的部分可以限定顯示裝置100的顯示區(qū)域I， 其它部分可以限定顯示裝置100的外圍區(qū)域II。
[0045] 有機發(fā)光層170被設(shè)置在陽極電極130和像素限定層150上，有機發(fā)光層170可 以覆蓋陽極電極130和像素限定層150。有機發(fā)光層170可以包括空穴注入層（HIL)、空穴 傳輸層（HTL)、發(fā)光層（EL)、電子傳輸層（ETL)和電子注入層（EIL)。有機發(fā)光層170使用 來自驅(qū)動電路（未示出）的驅(qū)動信號產(chǎn)生光。在顯示裝置100的顯示區(qū)域I中，圖像由有 機發(fā)光層170中產(chǎn)生的光顯不。
[0046] 顯示區(qū)域I被設(shè)置在第一基底110的中心，外圍區(qū)域II被設(shè)置在第一基底110的 兩側(cè)部分，外圍區(qū)域II圍繞顯示區(qū)域I。
[0047] 多層復(fù)合體300被設(shè)置在有機發(fā)光層170上，多層復(fù)合體300覆蓋有機發(fā)光層 170。
[0048] 在一個實施例中，多層復(fù)合體300可包括第一陰極電極210、緩沖層230和第二陰 極電極250。
[0049] 第一陰極電極210被設(shè)置在有機發(fā)光層170上，第一陰極電極210覆蓋有機發(fā)光 層170。第一陰極電極210可以用諸如例如鋁（A1)的金屬材料形成。在一個實施例中，在 顯示裝置100是底部發(fā)射型的情況下，有機發(fā)光層170產(chǎn)生的光可穿過第一陰極電極210。 因此，第一陰極電極210的厚度可被形成為低于約1000埃。
[0050] 當?shù)谝魂帢O電極210和第二陰極電極250的厚度較厚時，光的透射率降低，陰極電 極的導(dǎo)電率增加。另一方面，當?shù)谝魂帢O電極210和第二陰極電極250的厚度較薄時，光的 透射率增加，陰極電極的導(dǎo)電率降低。因此，由于透射率和導(dǎo)電率成反比，第一陰極電極210 和第二陰極電極250的合適厚度被確定。第一陰極電極210和第二陰極電極250的厚度是 相互依賴的。
[0051] 緩沖層230被設(shè)置在第一陰極電極210上。緩沖層230部分覆蓋第一陰極電極 210,緩沖層230被設(shè)置在第一陰極電極210的顯示區(qū)域I上。在一個實施例中，緩沖層 230可以包括覆蓋層。另外，緩沖層230通過使用氮化硅、氧化硅、諸如金屬氧化物等的無 機層或諸如丙烯酸酯等的有機層形成。例如，緩沖層230可以使用旋涂工藝、化學(xué)氣相沉 積（CVD)工藝、等離子體增強化學(xué)氣相沉積（PECVD)工藝、高密度等離子體化學(xué)氣相沉積 (HDP-CVD)工藝、印刷工藝等被形成在第一陰極電極210上。在其它實施例中，緩沖層230 可以使用精細金屬掩模（FMM)工藝以條型或網(wǎng)格型被形成在第一陰極電極210上。
[0052] 第二陰極電極250被設(shè)置在緩沖層230和第一陰極電極210上，并且覆蓋第一陰 極電極210的一部分和緩沖層230。第二陰極電極250可由諸如例如鋁（A1)的金屬材料形 成。在一個實施例中，在顯示裝置1〇〇是底部發(fā)射型的情況下，第二陰極電極250可通過使 用高反射率的金屬、具有反射性的合金等形成。另外，緩沖層230在顯示區(qū)域I中被形成在 第一陰極電極210和第二陰極電極250之間，那么第一陰極電極210和第二陰極電極250 彼此不接觸。但是，在外圍區(qū)域II中，第一陰極電極210和第二陰極電極250可以彼此電 接觸。因此，沒有增加整個面板的電阻，電荷可以移動。
[0053] 鈍化絕緣層190被設(shè)置在多層復(fù)合體300上，鈍化絕緣層190覆蓋多層復(fù)合體 300。鈍化絕緣層190可以通過使用氮化娃（SiNx)、氧化娃（SiOx)等形成。
[0054] 圖3是示出了具有顆粒的圖2的顯示裝置的剖視圖。
[0055] 參考圖3,顯示裝置100包括第一基底110、陽極電極130、像素限定層150、顆粒 330、有機發(fā)光層170、多層復(fù)合體300、鈍化絕緣層190和第二基底310。
[0056] 第一基底110可以包括透明絕緣基底。例如，第一基底110可以包括玻璃基底、石 英基底、聚合物樹脂基底等。在一個實施例中，第一基底110可以包括薄膜晶體管玻璃（TFT 玻璃）。
[0057] 第二基底310可以對應(yīng)于第一基底110。第二基底310可以包括透明絕緣材料。 第二基底310可以包括玻璃基底、石英基底、聚合物樹脂基底等。在一個實施例中，第二基 底310可以包括封裝玻璃。
[0058] 依然參考圖3,第一基底110可以包括顯示區(qū)域I和外圍區(qū)域II。
[0059] 陽極電極130被設(shè)置在第一基底110的顯示區(qū)域I中。陽極電極130可以包括透 明導(dǎo)電材料，諸如透明導(dǎo)電氧化物（TC0)、氧化銦錫（ΙΤ0)、氧化銦鋅（ΙΖ0)等。當陽極電極 130被形成為透明導(dǎo)電電極時，光從有機發(fā)光層170通過陽極電極130產(chǎn)生，從而顯示裝置 100是底部發(fā)射型。
[0060] 像素限定層150被設(shè)置在第一基底110的兩側(cè)部分，像素限定層150部分暴露陽 極電極130。像素限定層150可以通過使用有機材料或無機材料來形成。例如，像素限定 層150可以通過使用光致抗蝕劑、聚丙烯酸樹脂、聚酰亞胺樹脂、丙烯酸樹脂、氧化硅等來 形成。陽極電極130的由像素限定層150暴露的部分可以限定顯示裝置100的顯示區(qū)域I， 其它部分可以限定顯示裝置100的外圍區(qū)域II。
[0061] 顆粒330被設(shè)置在陽極電極130上。顆粒330可以包括在移除薄膜晶體管的工藝 中、在移除基底的工藝中或在有機發(fā)光器件真空室中等產(chǎn)生的碎屑。在現(xiàn)有技術(shù)中，當顆粒 330被設(shè)置在陽極電極130并且有機發(fā)光層170被設(shè)置在顆粒330上時，有機發(fā)光層170可 能不會被均勻地形成。結(jié)果，在顯示裝置100中可能產(chǎn)生暗像素（參考圖1)。
[0062] 有機發(fā)光層170被設(shè)置在陽極電極130和像素限定層150上，有機發(fā)光層170可 以覆蓋陽極電極130和像素限定層150。在這種情況下，當顆粒330被設(shè)置在陽極電極130 上，并且有機發(fā)光層170圍繞顆粒330時，有機發(fā)光層170可以被均勻地形成。因此，有機 發(fā)光層170不產(chǎn)生由于顆粒330的短路現(xiàn)象。有機發(fā)光層170可以包括空穴注入層（HIL)、 空穴傳輸層（HTL)、發(fā)光層（EL)、電子傳輸層（ETL)和電子注入層（EIL)。有機發(fā)光層170 使用來自驅(qū)動電路的驅(qū)動信號產(chǎn)生光。在顯示裝置100的顯示區(qū)域I中，圖像由有機發(fā)光 層170中產(chǎn)生的光顯示。
[0063] 顯示區(qū)域I被設(shè)置在第一基底110的中心，外圍區(qū)域II被設(shè)置在第一基底110的 兩側(cè)部分，外圍區(qū)域II圍繞顯示區(qū)域I。
[0064] 多層復(fù)合體300被設(shè)置在有機發(fā)光層170上，多層復(fù)合體300覆蓋有機發(fā)光層 170。
[0065] 在一個實施例中，多層復(fù)合體300可包括第一陰極電極210、緩沖層230和第二陰 極電極250。
[0066] 第一陰極電極210被設(shè)置在有機發(fā)光層170上，第一陰極電極210覆蓋有機發(fā)光 層170。在這點上，如果顆粒330被設(shè)置在陽極電極130上，有機發(fā)光層170圍繞顆粒330， 那么有機發(fā)光層170被設(shè)置在顆粒330上，而沒有短路現(xiàn)象。另外，第一陰極電極210圍繞 有機發(fā)光層170,第一陰極電極210可以被均勻地形成在有機發(fā)光層170上，而沒有短路現(xiàn) 象。結(jié)果，第一陰極電極210不產(chǎn)生由于顆粒330的短路現(xiàn)象。第一陰極電極210可以用 諸如例如鋁（A1)的金屬材料形成。
[0067] 在一個實施例中，在顯示裝置100是底部發(fā)射型的情況下，有機發(fā)光層170產(chǎn)生的 光可穿過第一陰極電極210。因此，第一陰極電極210的厚度可被形成為低于約1000埃。
[0068] 當?shù)谝魂帢O電極210和第二陰極電極250的厚度較厚時，光的透射率降低，陰極電 極的導(dǎo)電率增加。另一方面，當?shù)谝魂帢O電極210和第二陰極電極250的厚度較薄時，光的 透射率增加，陰極電極的導(dǎo)電率降低。因此，由于透射率和導(dǎo)電率成反比，第一陰極電極210 和第二陰極電極250的合適厚度被確定。第一陰極電極210和第二陰極電極250的厚度是 相互依賴的。
[0069] 緩沖層230被設(shè)置在第一陰極電極210上。緩沖層230部分覆蓋第一陰極電極 210,緩沖層230被設(shè)置在第一陰極電極210的顯示區(qū)域I上。如果顆粒330被設(shè)置在陽極 電極130上，有機發(fā)光層170圍繞顆粒330,那么有機發(fā)光層170被設(shè)置在顆粒330上，而沒 有短路現(xiàn)象。另外，第一陰極電極210圍繞有機發(fā)光層170,那么第一陰極電極210可以被 均勻地形成在有機發(fā)光層170上，而沒有短路現(xiàn)象，并且緩沖層230圍繞第一陰極電極210， 那么緩沖層230可以被均勻地形成在第一陰極電極210上，而沒有短路現(xiàn)象。
[0070] 結(jié)果，緩沖層230不產(chǎn)生由于顆粒330的短路現(xiàn)象。在一個實施例中，緩沖層 230可以包括覆蓋層。另外，緩沖層230通過使用氮化硅、氧化硅、諸如金屬氧化物等的無 機層或諸如丙烯酸酯等的有機層形成。例如，緩沖層230可以使用旋涂工藝、化學(xué)氣相沉 積（CVD)工藝、等離子體增強化學(xué)氣相沉積（PECVD)工藝、高密度等離子體化學(xué)氣相沉積 (HDP-CVD)工藝、印刷工藝等被形成在第一陰極電極210上。在其它實施例中，緩沖層230 可以使用精細金屬掩模（FMM)工藝以條型或網(wǎng)格型被形成在第一陰極電極210上。
[0071] 第二陰極電極250被設(shè)置在緩沖層230和第一陰極電極210上，并且覆蓋第一陰 極電極210的一部分和緩沖層230。如果顆粒330被設(shè)置在陽極電極130上，有機發(fā)光層 170圍繞顆粒330,那么有機發(fā)光層170被設(shè)置在顆粒330上，而沒有短路現(xiàn)象。另外，第一 陰極電極210圍繞有機發(fā)光層170,那么第一陰極電極210可以被均勻地形成在有機發(fā)光 層170上，而沒有短路現(xiàn)象。緩沖層230圍繞第一陰極電極210,那么緩沖層230可以被均 勻地形成在第一陰極電極210上，而沒有短路現(xiàn)象。第二陰極電極250圍繞第一陰極電極 210的一部分和緩沖層230,那么第二陰極電極250可以被均勻地形成在第一陰極電極210 的一部分和緩沖層230上，而沒有短路現(xiàn)象。結(jié)果，第二陰極電極250不產(chǎn)生由于顆粒330 的短路現(xiàn)象。
[0072] 第二陰極電極250可由諸如例如鋁（A1)的金屬材料形成。在一個實施例中，在顯 示裝置100是底部發(fā)射型結(jié)構(gòu)的情況下，第二陰極電極250可通過使用高反射率的金屬、具 有反射性的合金等形成。另外，緩沖層230在顯示區(qū)域I中被形成在第一陰極電極210和 第二陰極電極250之間，那么第一陰極電極210和第二陰極電極250彼此不接觸。但是，在 外圍區(qū)域II中，第一陰極電極210和第二陰極電極250可以彼此電接觸。因此，沒有增加 整個面板的電阻，電荷可以移動。
[0073] 鈍化絕緣層190被設(shè)置在多層復(fù)合體300上，鈍化絕緣層190覆蓋多層復(fù)合體 300。如果顆粒330被形成在陽極電極130上，并且鈍化絕緣層190可以包括沿著顆粒330 的頂部的曲線，則鈍化絕緣層190可以被均勻地形成在多層復(fù)合體300上，而沒有短路現(xiàn) 象。鈍化絕緣層190可以通過使用氮化娃（SiNx)、氧化娃（SiOx)等形成。
[0074] 因此，由于顯示裝置100具有多層復(fù)合體300,當顆粒330被設(shè)置在陽極電極130 上時，可避免陽極電極130和第二陰極電極250的接觸，可以防止陽極電極130和第二陰極 電極250之間的短路現(xiàn)象。結(jié)果，多層復(fù)合體300可以防止出現(xiàn)暗像素。
[0075] 圖4是示出了暗像素的數(shù)量對應(yīng)于圖2的顯示裝置的陰極電極的厚度的曲線圖。
[0076] 參考圖4,實驗上，當陰極的厚度為約3000埃時，顯示裝置100中產(chǎn)生的暗像素的 數(shù)目是大約56,當陰極的厚度為約700埃時，顯示裝置100中產(chǎn)生的暗像素的數(shù)目是大約 6。因此，當陰極的厚度較薄時，暗像素的數(shù)目降低，并且這已經(jīng)通過實驗證實。結(jié)果，在制 造顯示裝置100的情況下，需要形成具有小厚度的陰極。
[0077] 圖5是示出了制造圖2的顯示裝置的方法的流程圖。
[0078] 參考圖5,陽極電極130被設(shè)置在顯示裝置100的第一基底110中（步驟S510)。 在一個實施例中，陽極電極130可由透明導(dǎo)電材料形成。顆粒330可以被設(shè)置在陽極電極 130 上。
[0079] 像素限定層150被設(shè)置成暴露陽極電極130的部分，像素限定層150被設(shè)置在第 一基底110的兩側(cè)部分中（步驟S520)。
[0080] 有機發(fā)光層170被設(shè)置在陽極電極130和像素限定層150上，有機發(fā)光層170可 覆蓋陽極電極130和像素限定層150(步驟S530)。在一個實施例中，顆粒330被設(shè)置在陽 極電極130和有機發(fā)光層170之間。
[0081] 第一陰極電極210被設(shè)置在有機發(fā)光層170上（步驟S540)。在另一實施例中，第 一陰極電極210可以薄地形成。
[0082] 緩沖層230被設(shè)置在第一陰極電極210上（步驟S550)。在一個實施例中，緩沖層 230可以包括覆蓋層。
[0083] 第二陰極電極250被設(shè)置在緩沖層230上（步驟S560)。在一個實施例中，在顯示 裝置100是底部發(fā)射型結(jié)構(gòu)的情況下，第二陰極電極250可通過使用高反射率的金屬、具有 反射性的合金等被形成。
[0084] 鈍化絕緣層190被設(shè)置在第二陰極電極250上（步驟S570)。在一個實施例中，鈍 化絕緣層190可以用氮化娃（SiNx)、氧化娃（SiOx)等形成。
[0085] 第二基底310被封裝在鈍化絕緣層190上（步驟S580)。
[0086] 本發(fā)明的實施例可被應(yīng)用到具有使用有機發(fā)光元件的顯示裝置的任何系統(tǒng)中。例 如，本發(fā)明可被應(yīng)用于筆記本、蜂窩電話、智能電話、PDA、導(dǎo)航設(shè)備、GPS設(shè)備等。
[0087] 上述為示例實施例的例示，不應(yīng)被解釋為其限制。盡管描述了一些示例實施例，但 本領(lǐng)域技術(shù)人員將容易理解在示例實施例中許多修改是可能的，而實質(zhì)上不脫離示例實施 例的新穎性教導(dǎo)和優(yōu)點。因此，所有這些修改都旨在被包括在權(quán)利要求所限定的示例實施 例的范圍內(nèi)。在權(quán)利要求中，裝置加功能的條款旨在覆蓋本文中所描述的執(zhí)行所列舉的功 能的結(jié)構(gòu)，不僅包括結(jié)構(gòu)上的等同，而且還包括等同的結(jié)構(gòu)。因此，要理解的是，前述是示例 實施例的例示，而不應(yīng)被解釋為限于所公開的具體實施例，并且對所公開的示例性實施例 以及其它示例實施例的修改都意在被包括在所附權(quán)利要求的范圍之內(nèi)。本發(fā)明構(gòu)思由以下 權(quán)利要求限定，權(quán)利要求的等同方案也被包括在其中。
【權(quán)利要求】
1. 一種顯示裝置，包括： 包括顯示區(qū)域和外圍區(qū)域的第一基底，所述外圍區(qū)域圍繞所述顯示區(qū)域； 被設(shè)置在所述第一基底上的陽極電極； 被設(shè)置在所述第一基底上的像素限定層，所述像素限定層限定所述顯示區(qū)域和所述外 圍區(qū)域； 被設(shè)置在所述陽極電極和所述像素限定層上并覆蓋所述陽極電極和所述像素限定層 的有機發(fā)光層，所述有機發(fā)光層被配置為產(chǎn)生光； 被設(shè)置在所述有機發(fā)光層上并覆蓋所述有機發(fā)光層的多層復(fù)合體，所述多層復(fù)合體被 配置為施加電流到所述有機發(fā)光層，所述多層復(fù)合體包括被彼此層疊的多個導(dǎo)電層； 被設(shè)置在所述多層復(fù)合體上并覆蓋所述多層復(fù)合體的鈍化絕緣層；和 被設(shè)置在所述鈍化絕緣層上的第二基底，所述第二基底對應(yīng)于所述第一基底。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述多層復(fù)合體包括第一陰極電極、緩沖層 和第二陰極電極。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其中所述第一陰極電極被設(shè)置在所述有機發(fā)光層 上并覆蓋所述有機發(fā)光層。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其中所述第二陰極電極被設(shè)置在所述緩沖層上并 覆蓋所述緩沖層。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其中所述緩沖層被設(shè)置在所述第一陰極電極和所 述第二陰極電極之間的所述顯示區(qū)域中。
6. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其中所述第一陰極電極的厚度小于所述第二陰極 電極的厚度。
7. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其中所述第二陰極電極在所述外圍區(qū)域中被電連 接到所述第一陰極電極。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述顯示裝置進一步包括顆粒，所述顆粒被 設(shè)置在所述陽極電極和所述有機發(fā)光層之間。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示裝置，其中所述多層復(fù)合體被配置為覆蓋所述顆粒。
10. -種制造顯示裝置的方法，該方法包括： 在第一基底上形成陽極電極； 在所述第一基底上形成像素限定層，所述像素限定層限定顯示區(qū)域和外圍區(qū)域； 在所述陽極電極和所述像素限定層上形成有機發(fā)光層； 在所述有機發(fā)光層上形成第一陰極電極； 在所述第一陰極電極上的所述顯示區(qū)域中形成緩沖層； 在所述緩沖層上形成第二陰極電極； 在所述第二陰極電極上形成鈍化絕緣層；以及 在所述鈍化絕緣層上形成第二基底。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述第一陰極電極的厚度小于所述第二陰極電 極的厚度。
12. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述第二陰極電極被設(shè)置在所述緩沖層上，所 述第二陰極電極在所述外圍區(qū)域中被電連接到所述第一陰極電極。
13. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述緩沖層被設(shè)置在所述第一陰極電極和所述 第二陰極電極之間，所述緩沖層使用圖案掩模被形成在所述顯示區(qū)域中。
14. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，進一步包括在所述陽極電極和所述有機發(fā)光層之間 設(shè)置顆粒。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述第一陰極電極、所述緩沖層和所述第二陰 極電極被配置為覆蓋所述顆粒。
【文檔編號】H01L27/32GK104218059SQ201410171780
【公開日】2014年12月17日 申請日期:2014年4月25日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月4日
【發(fā)明者】樸承圭 申請人:三星顯示有限公司