發(fā)光二極管裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種發(fā)光二極管裝置，包含：一發(fā)光疊層包含一第一型半導(dǎo)體層，一第二型半導(dǎo)體層，及一活性層形在第一型半導(dǎo)體層與第二型半導(dǎo)體層間且發(fā)出一光線；以及一反射結(jié)構(gòu)形成于第一型半導(dǎo)體層上并具有一第一界面與一第二界面；其中，光線于第一界面所產(chǎn)生的全反射角大于光線于第二界面所產(chǎn)生的全反射角；及其中，反射結(jié)構(gòu)與第一型半導(dǎo)體層于第一界面形成歐姆接觸。
【專利說(shuō)明】發(fā)光二極管裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管裝置，更具體而言，是關(guān)于一種具有孔隙的發(fā)光二極 管裝置。

【背景技術(shù)】
[0002] 固態(tài)發(fā)光元件中的發(fā)光二極管元件（Light Emitting Diode ;LED)具有低耗電量、 低發(fā)熱量、操作壽命長(zhǎng)、耐撞擊、體積小、反應(yīng)速度快、以及可發(fā)出穩(wěn)定波長(zhǎng)的色光等良好光 電特性，因此常應(yīng)用于家電、儀表的指示燈及光電產(chǎn)品等領(lǐng)域。然而，如何改善發(fā)光二極管 元件的發(fā)光效率在此領(lǐng)域中仍是一項(xiàng)很重要的議題。
[0003] 此外，以上發(fā)光二極管元件可進(jìn)一步結(jié)合一次載體（sub-mount)而形成一發(fā)光裝 置，例如發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。所述發(fā)光裝置包含一具有至少一電路的次載體；至少一焊料 (solder)位于上述次載體上，通過(guò)此焊料將上述發(fā)光二極管固定于次載體上并使發(fā)光二極 管的基板與次載體上的電路形成電連接；以及，一電連接結(jié)構(gòu)，以電連接發(fā)光二極管的電極 墊與次載體上的電路；其中，上述的次載體可以是導(dǎo)線架（lead frame)或大尺寸鑲嵌基底 (mounting substrate)，以方便發(fā)光裝置的電路規(guī)劃并提高其散熱效果。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 因此，本發(fā)明的目的在于提供一種具有孔隙的發(fā)光二極管裝置，以解決上述問(wèn)題。
[0005] 為達(dá)上述目的，本發(fā)明的發(fā)光二極管裝置，包含：一發(fā)光疊層包含一第一型半導(dǎo)體 層，一第二型半導(dǎo)體層，及一活性層形在第一型半導(dǎo)體層與第二型半導(dǎo)體層間且發(fā)出一光 線；以及一反射結(jié)構(gòu)形成于第一型半導(dǎo)體層上并具有一第一界面與一第二界面；其中，光 線于第一界面所產(chǎn)生的全反射角大于光線于第二界面所產(chǎn)生的全反射角；及其中，反射結(jié) 構(gòu)與第一型半導(dǎo)體層于第一界面形成歐姆接觸。
[0006] 為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實(shí)施例， 并配合所附的附圖，作詳細(xì)說(shuō)明如下

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0007] 圖1為本發(fā)明的一實(shí)施例中一發(fā)光二極管裝置的剖面圖；
[0008] 圖2為本發(fā)明的一實(shí)施例中發(fā)光二極管裝置的上視圖；
[0009] 圖3A-圖3E為本發(fā)明一實(shí)施例的制造發(fā)光二極管裝置的流程剖面圖；
[0010] 圖4A-圖4H為本發(fā)明另一實(shí)施例的制造發(fā)光二極管裝置的流程剖面圖；
[0011] 圖5A及圖5B為另一實(shí)施例中圖案化犧牲層與透明導(dǎo)電層的上視圖；
[0012] 圖6為本發(fā)明的另一實(shí)施例中發(fā)光二極管裝置的剖面圖；
[0013] 圖7為本發(fā)明的發(fā)光二極管裝置應(yīng)用于一燈泡的燈泡分解圖。
[0014] 符號(hào)說(shuō)明
[0015] 100、200、300發(fā)光二極管裝置
[0016] 10 基板
[0017] 12結(jié)合結(jié)構(gòu)
[0018] 121第一結(jié)合層
[0019] 122第二結(jié)合層
[0020] 123第三結(jié)合層
[0021] 14反射結(jié)構(gòu)
[0022] 141金屬層
[0023] 142透明導(dǎo)電層
[0024] 143 孔隙
[0025] 144 第一界面
[0026] 145 第二界面
[0027] 146第三界面
[0028] 147接觸層
[0029] 148第四界面
[0030] 15犧牲層
[0031] 151、151'、151''、151''' 圖案化犧牲層
[0032] 16發(fā)光疊層
[0033] 161第一型半導(dǎo)體層
[0034] 162活性層
[0035] 163第二型半導(dǎo)體層
[0036] 17保護(hù)層
[0037] 18第二電極
[0038] 180電極墊
[0039] 181第一延伸電極部
[0040] 182第二延伸電極部
[0041] 183第三延伸電極部
[0042] 19第一電極
[0043] 20成長(zhǎng)基板
[0044] 21 燈罩
[0045] 22 透鏡
[0046] 23 載體
[0047] 24發(fā)光模塊
[0048] 25 載板
[0049] 26散熱元件
[0050] 27連接件
[0051] 28電路單元
[0052] 30 燈泡

【具體實(shí)施方式】
[0053] 以下實(shí)施例將伴隨著【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】本發(fā)明的概念，在附圖或說(shuō)明中，相似或相同的部 分使用相同的標(biāo)號(hào)，并且在附圖中，元件的形狀或厚度可擴(kuò)大或縮小。需特別注意的是，圖 中未繪示或描述的元件，可以是熟悉此技術(shù)的人士所知的形式。
[0054] 圖1為本發(fā)明的一實(shí)施例中一發(fā)光二極管裝置100的剖面圖。參照?qǐng)D1，發(fā)光二 極管裝置1〇〇包含一基板10, 一結(jié)合結(jié)構(gòu)12形成在基板10上、一反射結(jié)構(gòu)14形成在結(jié)合 結(jié)構(gòu)12上、一發(fā)光疊層16形成在反射結(jié)構(gòu)14上、一第一電極19形成在基板10上及一第 二電極18形成在發(fā)光疊層16上。結(jié)合結(jié)構(gòu)12包含一第一結(jié)合層121、一第二結(jié)合層122、 及一第三結(jié)合層123。反射結(jié)構(gòu)14包含一金屬層141形成在第一結(jié)合層121上、一透明導(dǎo) 電層142形成在金屬層141上、及一孔隙143形成在透明導(dǎo)電層142與發(fā)光疊層16間。發(fā) 光疊層16包含一第一型半導(dǎo)體層161、活性層162形成在第一型半導(dǎo)體層161上并發(fā)出一 光線，及一第二型半導(dǎo)體層163形成在活性層162上。第一型半導(dǎo)體層161及第二型半導(dǎo) 體層163例如為包覆層（cladding layer)或限制層（confinement layer),可分別提供電 子、空穴，使電子、空穴于活性層162中結(jié)合以發(fā)光。在本實(shí)施例中，第一型半導(dǎo)體層161與 透明導(dǎo)電層142直接接觸以具有一第一界面144,及第一型半導(dǎo)體層161與孔隙143直接 接觸以具有一第二界面145。孔隙143形成在透明導(dǎo)電層142內(nèi)并未與金屬層141直接接 觸。再者，孔隙143的折射率小于透明導(dǎo)電層142的折射率，即第一型半導(dǎo)體層161與透明 導(dǎo)電層142的折射率差小于第一型半導(dǎo)體層161與孔隙143的折射率差。因此，當(dāng)活性層 162所發(fā)出的光線朝向反射結(jié)構(gòu)14行進(jìn)時(shí)，于第一界面144所產(chǎn)生的全反射角大于光線于 第二界面145所產(chǎn)生的全反射角，亦即，光線于第二界面145發(fā)生全反射的機(jī)率大于第一界 面144。此外，第一型半導(dǎo)體層161與透明導(dǎo)電層142的第一界面144形成歐姆接觸，而第 一型半導(dǎo)體層161與孔隙143的第二界面145形成非歐姆接觸。
[0055] 圖2顯示的本發(fā)明的發(fā)光二極管裝置100的上視圖。圖2中沿著AA'的剖面圖顯 不在圖1。在本實(shí)施例中，第二電極18具有一電極墊180及多個(gè)第一電極延伸部181、多個(gè) 第二延伸部182、及多個(gè)第三延伸部183。多個(gè)第一電極延伸部181由電極墊180沿著X方 向往發(fā)光二極管裝置100的左右兩側(cè)延伸并排列成一直線；多個(gè)第二延伸部182由電極墊 180沿著Y方向往發(fā)光二極管裝置100的上下兩側(cè)延伸并排列成一直線且與第一電極延伸 部181互相垂直；第三電極延伸部183與第二延伸部182物理性連接以和電極墊180形成 電連接。第三電極延伸部183平行于第一電極延伸部181，且第一電極延伸部181位于多個(gè) 第三電極延伸部183之間且可與多個(gè)第三電極延伸部183相距相同或不同的距離。部分第 一電極延伸部181與第三電極延伸部183的下方形成有孔隙143,且孔隙143的寬度大于 第一電極延伸部181與第三電極延伸部183的寬度（Y方向）。電極墊180下方以及部分 的第二延伸部182下方并未形成孔隙143?？紫?43僅對(duì)應(yīng)形成于電極延伸部181U83的 位置且延伸至發(fā)光二極管裝置100的兩側(cè)邊。在本實(shí)施例中，第一電極延伸部181靠近電 極墊180的下方并未形成孔隙143。對(duì)應(yīng)于第三電極延伸部183下方的孔隙143的長(zhǎng)度（X 方向）大于第三電極延伸部183的長(zhǎng)度。在另一實(shí)施例中，電極延伸部的數(shù)目及排列方式， 可依實(shí)際需求作變化。
[0056] 在本實(shí)施例中，第一型半導(dǎo)體層可為p型半導(dǎo)體層且第二型半導(dǎo)體層可為η型半 導(dǎo)體，選擇性第，第一型半導(dǎo)體層可為η型半導(dǎo)體層且第二型半導(dǎo)體層可為ρ型半導(dǎo)體。 第一型半導(dǎo)體層及第二型半導(dǎo)體層且包含選自于AlGaAs、AlGalnP、AllnP、InGaP、GaP、及 GaAs所構(gòu)成材料群組中的一種材料或AlInGaN、InGaN、AlGaN及GaN所構(gòu)成材料群組中 的一種材料；P型半導(dǎo)體的摻雜物包含鎂、鈹、鋅、碳、或其組合；η型半導(dǎo)體的摻雜物包含 硅、磷、砷、銻或其組合。選擇性地，第一型半導(dǎo)體層可為Ρ型半導(dǎo)體層且第二型半導(dǎo)體層 可為η型半導(dǎo)體?；钚詫涌砂x自于AlGaAs、AlGalnP、AllnP、InGaP、GaP、及GaAs所 構(gòu)成材料群組中的一種材料或AlInGaN、InGaN、AlGaN及GaN所構(gòu)成材料群組中的一種 材料。活性層結(jié)構(gòu)可為單異質(zhì)結(jié)構(gòu)（single heterostructure ;SH)、雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)（double heterostructure ;DH)、雙側(cè)雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)（double-side double heterostructure ;DDH)、或 多層量子講（multi-quantum well ;MQW)。基板則包含選自砷化鎵（GaAs)、磷化鎵（GaP)、 鍺（Ge)、藍(lán)寶石、玻璃、鉆石、碳化硅（SiC)、硅、氮化鎵（GaN)、及氧化鋅（ZnO)所構(gòu)成材料組 群中的至少一種材料或其它替代性材料取代之。金屬層可為單層或多層結(jié)構(gòu)，包含銀、鋁、 金、鎳或及其組合。第一結(jié)合層、一第二結(jié)合層、及一第三結(jié)合層分別可為單層或多層，且包 含金屬或膠材。金屬包含金、銦、錫、鈦、鉬、鉍或其組合。膠材包含苯環(huán)丁烯（BCB)、環(huán)氧樹 脂（Epoxy)、聚二甲基硅氧烷（PDMS)、硅膠（SiOx)、氧化鋁（A1203)、二氧化鈦（Ti02)、氮化 硅（SiNx)、或其組合。透明導(dǎo)電層可包含金屬氧化物，例如氧化銦錫（IT0)、氧化銦（InO)、 氧化錫（SnO)、氧化鎘錫（CTO)、氧化銻錫（ΑΤΟ)、氧化鋁鋅（AZ0)、氧化鋅錫（ZT0)、氧化鎵鋅 (GZ0)、氧化鋅（ZnO)、氧化銦鎵（IG0)、氧化鎵鋁鋅（GAZ0)、氧化銦鋅（ΙΖ0)，或包含磷化鎵 (GaP)、類鉆碳薄膜（DLC)或上述材料的化合物?？紫犊砂諝?、氮?dú)狻⒑?、或氦氣?br> [0057] 圖3A-圖3E為依本發(fā)明的一實(shí)施例制造發(fā)光二極管裝置100的流程剖面圖。參 照?qǐng)D3A，提供成長(zhǎng)基板20 (例如：GaAs)，及一發(fā)光疊層16外延形成于成長(zhǎng)基板20上。發(fā)光 疊層16依序包含第二型半導(dǎo)體層163 (例如：AlGalnP)、活性層162 (例如：AlGalnP)及第 一型半導(dǎo)體層161(例如：GaP)。參照?qǐng)D3B，形成一犧牲層15(例如：二氧化硅（Si02)于第 一型半導(dǎo)體層161上。在另一實(shí)施例，犧牲層15也可包含光阻、氮化硅（SiNx)或金屬（例 如：鎳）。參照?qǐng)D3C，利用黃光制作工藝將犧牲層15圖案化以形成一圖案化犧牲層151。形 成透明導(dǎo)電層142 (例如：ΙΤ0)于圖案化犧牲層151與第一型半導(dǎo)體層161上，以包覆圖案 化犧牲層151于其內(nèi)。參照?qǐng)D3D，形成金屬層141 (例如：銀）于透明導(dǎo)電層142上；第一 結(jié)合層121與第二結(jié)合層122形成于金屬層141上；及第三結(jié)合層123形成于基板10 (例 如：硅）上。通過(guò)接合第二結(jié)合層122與第三結(jié)合層123,將基板10接合至金屬層141。在 另一實(shí)施例中，第一結(jié)合層121包含多層（例如：Ti/Pt/Au)。Ti層可做為障蔽層（barrier layer)以防止金屬層141的金屬擴(kuò)散至結(jié)合層；Pt層可做為黏結(jié)層（adhesion layer)以 增加Ti層與Au層間的黏著力。參照?qǐng)D3E，利用蝕刻方式移除圖案化犧牲層151以形成孔 隙143。蝕刻方式可使用氣相蝕刻或液相蝕刻；氣相蝕刻可包含氣相氟化氫；液相蝕刻可包 含氫氧化鈉、氟化氫、氟化銨或其混和物。在移除成長(zhǎng)基板20以暴露出第二型半導(dǎo)體層163 之后，分別形成第一電極19于基板10上，第二電極18于第二型半導(dǎo)體層163上。第二電 極18包含電極墊180及延伸電極部183。延伸電極部183對(duì)應(yīng)于孔隙143位置。在另一 實(shí)施例中，可先移除基板，再進(jìn)行蝕刻圖案化犧牲層步驟。需注意的是，當(dāng)通過(guò)氣相蝕刻方 式來(lái)蝕刻圖案化犧牲層151時(shí)，因氣相蝕刻未包含液體（例如：水），當(dāng)圖案化犧牲層151 被移除時(shí)，第一型半導(dǎo)體層161與透明導(dǎo)電層142并不因表面張力而互相黏結(jié)。由此，圖案 化犧牲層151與孔隙143實(shí)質(zhì)上具有相同的形狀。此外，圖案化犧牲層151可具有一小于 800 A的高度，亦即，孔隙143也具有一小于800 A的高度。
[0058] 圖4A-圖4H為本發(fā)明的另一實(shí)施例中制造發(fā)光二極管裝置200的流程剖面圖。發(fā) 光二極管裝置200與發(fā)光二極管裝置100結(jié)構(gòu)類似，其中相同的符號(hào)或是記號(hào)所對(duì)應(yīng)的元 件、裝置或步驟，為具有類似或是相同的元件、裝置或步驟。參照?qǐng)D4A，提供成長(zhǎng)基板20(例 如：GaAs)，及一發(fā)光疊層16外延形成于成長(zhǎng)基板20上。發(fā)光疊層16依序包含第二型半 導(dǎo)體層163(例如：AlGalnP)、活性層162(例如：AlGalnP)及第一型半導(dǎo)體層161(例如： GaP)。參照?qǐng)D4B，形成一犧牲層15(例如：二氧化硅（Si02)于第一型半導(dǎo)體層161上。參 照?qǐng)D4C，利用黃光制作工藝將犧牲層15圖案化以形成一圖案化犧牲層151'。形成透明導(dǎo) 電層142 (例如：ΙΤ0)于部分圖案化犧牲層151'與第一型半導(dǎo)體層161上，且此透明導(dǎo)電 層142并未完全包覆圖案化犧牲層151'而暴露出部分圖案化犧牲層151'。參照?qǐng)D4D，形 成金屬層141于透明導(dǎo)電層142上。形成保護(hù)層17以覆蓋透明導(dǎo)電層142及金屬層141 的側(cè)壁及部分圖案化犧牲層151'。參照?qǐng)D4Ε，利用氣相蝕刻方式（例如：氣相氟化氫，HF) 移除圖案化犧牲層151'以形成孔隙143。接著，參照?qǐng)D4F，移除保護(hù)層17后，形成第一結(jié) 合層121以覆蓋透明導(dǎo)電層142及金屬層141的側(cè)壁，由此，孔隙143可形成并埋入于第一 結(jié)合層121內(nèi)與透明導(dǎo)電層142之間。第一結(jié)合層121可為單層或多層。在一實(shí)施例中， 第一結(jié)合層121包含多層（例如：Ti/Pt/Au)。Ti層可做為障蔽層（barrier layer)以防 止金屬層141的金屬擴(kuò)散至結(jié)合層；Pt層可做為黏結(jié)層（adhesion layer)以增加Ti層與 Au層間的黏著力。
[0059] 參照?qǐng)D4G，通過(guò)第一結(jié)合層121、第二結(jié)合層122、第三結(jié)合層123以將基板10(例 如：硅）結(jié)合至發(fā)光疊層16。參照?qǐng)D4H，移除成長(zhǎng)基板20后，分別形成第一電極19于基板 10上、第二電極18于第二型半導(dǎo)體層163上。在此實(shí)施例中，第二電極18并未對(duì)應(yīng)于孔隙 143位置。第一型半導(dǎo)體層161與透明導(dǎo)電層142直接接觸以具有一第一界面144、第一型 半導(dǎo)體層161與孔隙143直接接觸以具有一第二界面145以及第一型半導(dǎo)體層161與第一 結(jié)合層121以具有一第三界面146?？紫?43也未與金屬層141直接接觸。再者，孔隙143 的折射率小于透明導(dǎo)電層142與第一結(jié)合層121的折射率，即第一型半導(dǎo)體層161與透明 導(dǎo)電層142的折射率差小于第一型半導(dǎo)體層161與孔隙143的折射率差，以及第一型半導(dǎo) 體層161與第一結(jié)合層121的折射率差小于第一型半導(dǎo)體層161與孔隙143的折射率差。 因此，當(dāng)活性層162所發(fā)出的光線朝向反射結(jié)構(gòu)14行進(jìn)時(shí)，光線于第一界面144與第三界 面146所產(chǎn)生的全反射角大于光線于第二界面145所產(chǎn)生的全反射角，亦即，光線于第二界 面145發(fā)生全反射的機(jī)率大于第一界面144與第三界面146。需注意的是，當(dāng)活性層162所 發(fā)出的光線為藍(lán)光（波峰值約為430nm-480nm)時(shí)，第一結(jié)合層121對(duì)于藍(lán)光的折射率小于 透明導(dǎo)電層的折射率，例如當(dāng)?shù)谝唤Y(jié)合層121為Ti或Pt，透明導(dǎo)電層為ΙΤ0時(shí)，第一結(jié)合 層121的折射率約為1.6-1. 9,透明導(dǎo)電層的折射率約為2. 0-2. 3。亦即，藍(lán)光于第一界面 144所產(chǎn)生的全反射角大于光線于第三界面146所產(chǎn)生的全反射角，亦即，光線于第三界面 146發(fā)生全反射的機(jī)率大于第一界面144。當(dāng)活性層162所發(fā)出的光線為紅光（波峰值約為 630nm_670nm)時(shí)，第一結(jié)合層121對(duì)于紅光的折射率大于透明導(dǎo)電層的折射率142,例如當(dāng) 第一結(jié)合層121為Ti或Pt，透明導(dǎo)電層為ΙΤ0時(shí)，第一結(jié)合層121的折射率約為2. 0-2. 3， 透明導(dǎo)電層的折射率約為1. 7-1. 9。紅光于第三界面146所產(chǎn)生的全反射角大于光線于第 一界面144所產(chǎn)生的全反射角，亦即，光線于第一界面144發(fā)生全反射的機(jī)率大于第三界面 146。當(dāng)活性層162所發(fā)出的光線為藍(lán)光或紅光時(shí)，孔隙143的折射率都約略為1。此外，第 一型半導(dǎo)體層161與透明導(dǎo)電層142的第一界面144形成歐姆接觸；第一型半導(dǎo)體層161 與孔隙143的第二界面144形成非歐姆接觸；且第一型半導(dǎo)體層161與第一結(jié)合層121的 第三界面146形成非歐姆接觸。
[0060] 圖5A及圖5B顯示一實(shí)施例中的發(fā)光二極管裝置的圖案化犧牲層151'與透明導(dǎo) 電層142的上視圖。參照?qǐng)D5A，圖案化犧牲層151''包含多個(gè)長(zhǎng)條狀結(jié)構(gòu)，且透明導(dǎo)電層 142形成于長(zhǎng)條狀結(jié)構(gòu)上并覆蓋部分的長(zhǎng)條狀結(jié)構(gòu)。參照?qǐng)D5B，圖案化犧牲層151'''包含 多個(gè)彼此垂直的長(zhǎng)條狀結(jié)構(gòu)以形成網(wǎng)格狀的結(jié)構(gòu)。透明導(dǎo)電層142也形成于網(wǎng)格狀的結(jié)構(gòu) 上并覆蓋部分網(wǎng)格狀的結(jié)構(gòu)。在一實(shí)施例中，圖案化犧牲層151''、151'''的表面積與第一 型半導(dǎo)體層161的表面積的面積比介于10%至90%、或50%至90%。然，圖案化犧牲層 151''、151'''的面積、形狀、及數(shù)目，可依實(shí)際需求作變化。透明導(dǎo)電層142的表面積與第 一型半導(dǎo)體層161的表面積的面積比介于10%至90%、或10%至50%。需注意的是，由上 述描述可知通過(guò)移除圖案化犧牲層以形成孔隙，因此孔隙具有與圖案化犧牲層相同的形狀 或結(jié)構(gòu)?？紫毒哂虚L(zhǎng)條狀結(jié)構(gòu)或網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。
[0061] 圖6顯示本發(fā)明的另一實(shí)施例中一發(fā)光二極管裝置300的剖面圖。發(fā)光二極管裝 置300與發(fā)光二極管裝置200結(jié)構(gòu)類似，其中相同的符號(hào)或是記號(hào)所對(duì)應(yīng)的元件、裝置或步 驟，為具有類似或是相同的元件、裝置或步驟。在此實(shí)施例中，發(fā)光二極管裝置300還包含 接觸層147形成于透明導(dǎo)電層142與第一型半導(dǎo)體161間以幫助電流分散。接觸層147被 透明導(dǎo)電層142包覆或埋入于其內(nèi)且并未與金屬層141直接接觸。此外，孔隙143形成于接 觸層147與第一結(jié)合層121之間以及圍繞接觸層147。第一型半導(dǎo)體層161與接觸層147 直接接觸以具有一第四界面148并形成歐姆接觸。接觸層147可包含金屬或合金。金屬可 包含銅、錯(cuò)、銦、錫、金、鉬、鋅、銀、鈦、鎳、鉛、鈕、或鉻；合金可包含鈹-金、鍺-金、鉻-金、 銀 -欽、銅-錫、銅-鋒、銅-鋪、錫-鉛 -錫、錫-鉛-鋒、鎮(zhèn)-錫、或鎮(zhèn)_鉆。
[0062] 圖7為本發(fā)明的發(fā)光二極管裝置應(yīng)用于一燈泡的燈泡分解圖。燈泡30包含一燈 罩21、一透鏡22、一發(fā)光模塊24、一載板25、一散熱兀件26、一連接件27、及一電路單兀28。 發(fā)光模塊24包含一載體23及多個(gè)發(fā)光裝置。發(fā)光裝置可為任何上述所提及的發(fā)光二極管 裝置（100、200或300)。如圖7所示，例如，12個(gè)發(fā)光裝置位于載體23上，其中包含六個(gè) 紅光發(fā)光裝置及六個(gè)藍(lán)光發(fā)光裝置彼此交錯(cuò)排列且彼此電連接（可為串聯(lián)、并聯(lián)或橋式聯(lián) 接）。藍(lán)光發(fā)光裝置可包含一熒光粉置于其上以轉(zhuǎn)換藍(lán)光發(fā)光裝置所發(fā)出的光。藍(lán)光發(fā)光 裝置所發(fā)出的光與轉(zhuǎn)換的光混和以形成一白光，并搭配紅光發(fā)光裝置后使燈泡30發(fā)出一 色溫為2400-3000K的暖白光。
[0063] 本發(fā)明所列舉的各實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明，并非用幾限制本發(fā)明的范圍。任何 人對(duì)本發(fā)明所作的任何顯而易見的修飾或變更接不脫離本發(fā)明的精神與范圍。
【權(quán)利要求】
1. 一種發(fā)光二極管裝置，包含： 發(fā)光疊層，包含第一型半導(dǎo)體層，第二型半導(dǎo)體層，及活性層形成在該第一型半導(dǎo)體層 與該第二型半導(dǎo)體層間且發(fā)出一光線；以及 反射結(jié)構(gòu)，形成于該第一型半導(dǎo)體層上并具有第一界面與第二界面； 其中，該光線于該第一界面所產(chǎn)生的全反射角大于該光線于該第二界面所產(chǎn)生的全反 射角；以及 其中，該反射結(jié)構(gòu)與該第一型半導(dǎo)體層于該第一界面形成歐姆接觸。
2. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管裝置，其中，該反射結(jié)構(gòu)包含金屬氧化物層及孔隙； 其中，該第一界面形成于該金屬氧化物層與該第一型半導(dǎo)體層間，該第二界面形成于該孔 隙與該第一型半導(dǎo)體層之間。
3. 如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管裝置，其中，該反射結(jié)構(gòu)包含金屬層且該孔隙形成 在該金屬氧化物層內(nèi)且并未與該金屬層接觸。
4. 如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管裝置，其中，該孔隙包含空氣、氮?dú)?、氦氣或氬氣?br> 5. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管裝置，還包含結(jié)合層，包覆該反射結(jié)構(gòu)并與該第一 型半導(dǎo)體層相接觸。
6. 如權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管裝置，其中，該結(jié)合層與該第一型半導(dǎo)體層相接觸 以具有第三界面，該光線于該第三界面所產(chǎn)生的全反射角大于該光線于該第二界面所產(chǎn)生 的全反射角。
7. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管裝置，其中，該孔隙具有一小于800A的高度。
8. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管裝置，還包含接觸層，形成于該反射結(jié)構(gòu)與該第一 型半導(dǎo)體之間。
9. 如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管裝置，其中，該接觸層與該第一型半導(dǎo)體層形成歐 姆接觸。
10. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管裝置，還包含電極，形成于該第二型半導(dǎo)體層上， 該電極包含一電極墊及一電極延伸部，該孔隙對(duì)應(yīng)于該電極延伸部的位置并具有一大于該 電極延伸部的寬度。
【文檔編號(hào)】H01L33/60GK104124329SQ201410172042
【公開日】2014年10月29日 申請(qǐng)日期:2014年4月25日 優(yōu)先權(quán)日:2013年4月25日
【發(fā)明者】陳怡名, 顧浩民, 呂志強(qiáng), 徐子杰 申請(qǐng)人:晶元光電股份有限公司