具有波導(dǎo)轉(zhuǎn)換元件的集成電路模塊的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了具有波導(dǎo)轉(zhuǎn)換元件的集成電路模塊。集成電路模塊包括：封裝模制化合物層；射頻（RF）集成電路，嵌入在封裝模制化合物層內(nèi)，并且具有RF端口；波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)，嵌入在封裝模制化合物層；以及重分布層。波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)包括傳輸線接口部分、被配置用于耦接到矩形波導(dǎo)外殼的波導(dǎo)接口部分以及被配置為提供在傳輸線接口部分與波導(dǎo)接口部分之間的模式轉(zhuǎn)換的變換器部分。重分布層包括至少一個(gè)絕緣層和至少一個(gè)金屬化層，跨過封裝模制化合物層的表面在RF集成電路與波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)之間延伸。第一重分布層包括RF傳輸線，其被導(dǎo)通地連接在RF集成電路的RF端口與波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)的傳輸線接口部分之間。
【專利說明】具有波導(dǎo)轉(zhuǎn)換元件的集成電路模塊

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本申請涉及集成電路模塊，并且特別是涉及射頻集成電路模塊。

【背景技術(shù)】
[0002] 隨著集成電路的復(fù)雜度繼續(xù)增長，已經(jīng)開發(fā)出改進(jìn)的封裝技術(shù)以跟上增加的電路 密度和增加的互連數(shù)目。例如，這些技術(shù)中已知為嵌入晶片級球柵陣列（eWLB)的一種技術(shù) 已經(jīng)被開發(fā)以支持密集間隔的集成電路端子對球柵陣列（BGA)封裝的焊料球互連的扇出。
[0003] 在eWLB封裝的情況下，被處理的晶片被切塊，并且被切塊的芯片被在載體上間隔 開。利用模制化合物(模制化合物然后被固化以形成人工晶片）來填充各芯片之間的空間。 薄膜技術(shù)被用于形成一個(gè)或更多個(gè)重分布層，重分布層將集成電路的焊盤連接到封裝互連 (例如，焊料球)?？梢园ㄒ粋€(gè)或更多個(gè)導(dǎo)電層和中間介電層、以及各導(dǎo)電層之間的過孔 等的重分布層允許集成電路輸入和輸出至封裝互聯(lián)的靈活且高效的扇出。題為"Embedded Chip Package"并且于2012年8月7日公布的美國專利No. 8, 237, 259 B2提供了 eWLB封 裝技術(shù)的細(xì)節(jié)；前述專利的整體內(nèi)容通過引用合并于此。
[0004] 射頻（RF)集成電路（RFIC)包括產(chǎn)生射頻范圍(根據(jù)一些定義，射頻范圍從大約數(shù) 千赫茲延伸到300吉赫茲（GHz)或更高）內(nèi)的信號或者對射頻范圍內(nèi)的信號進(jìn)行操作的電 路元件。將領(lǐng)會(huì)，在大約1GHz與300GHz之間的頻率通常被提及為微波頻率。然而，為了本 公開的目的，術(shù)語"射頻"（或RF)被用于寬泛地提及范圍在從幾兆赫茲（MHz)到100GHz或 更高的頻率中的信號，并且更特別地提及典型地通過針對高頻電磁波的傳播而具體地設(shè)計(jì) 的傳輸線和/或波導(dǎo)結(jié)構(gòu)而被從一個(gè)地方攜帶到另一地方的信號。
[0005] RF集成電路一特別是隨著信號頻率增加一對封裝而言創(chuàng)建出附加的挑戰(zhàn)。使用傳 輸線結(jié)構(gòu)(諸如帶線、共面波導(dǎo)或微帶結(jié)構(gòu)）或波導(dǎo)結(jié)構(gòu)(諸如矩形波導(dǎo)）最高效地實(shí)現(xiàn)較之 非常短距離延伸得更多的RF互連。當(dāng)RF電路被安裝在平面基底(諸如印刷電路板)上時(shí)，例 如，它們經(jīng)常被直接耦接到能夠被容易地制備在同一基底或印刷電路板上的平面?zhèn)鬏斁€。
[0006] 尤其在更高頻率下，將RF電路耦接到矩形波導(dǎo)可能是優(yōu)選的。已經(jīng)開發(fā)出多種轉(zhuǎn) 換元件結(jié)構(gòu)，以將形成在電路板上的傳輸線(例如微帶、共面波導(dǎo)或帶線傳輸線）耦接到矩 形波導(dǎo)。這些轉(zhuǎn)換元件中的許多使用垂直探針、管腳或垂直小天線來激勵(lì)被從共面波導(dǎo)轉(zhuǎn) 換到矩形波導(dǎo)的電磁場中的電（E )場。這是探針將電磁波的傳播模式從共面波導(dǎo)所使用的 TEM模式改變?yōu)榭捎删匦尾▽?dǎo)傳播的橫電磁（TE)模式(諸如TE1Q)。
[0007] 使用像這些探針的垂直元件可能創(chuàng)建制備困難。垂直管腳、探針或天線的制備比 平面結(jié)構(gòu)的制備更復(fù)雜，并且與在平面基底上制備的水平結(jié)構(gòu)或平面結(jié)構(gòu)相比，經(jīng)常只能 以更低的金屬分辨率(例如更大的金屬間距和直徑）來作成。因此，需要與先進(jìn)集成電路封 裝技術(shù)更兼容的改進(jìn)的轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0008] 本發(fā)明的實(shí)施例包括集成電路模塊和用于產(chǎn)生這樣的模塊的方法。根據(jù)示例實(shí)施 例，集成電路模塊包括封裝模制化合物層，封裝模制化合物層進(jìn)而包括封裝模制化合物并 且具有相對的第一表面和第二表面。集成電路模塊進(jìn)一步包括嵌入在封裝模制化合物中并 且包括RF端口的射頻（RF)集成電路；以及波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)，嵌入在封裝模制化合物中并且包 括傳輸線接口部分、被配置成用于耦接到矩形波導(dǎo)外殼的波導(dǎo)接口部分、以及被配置成提 供在傳輸線接口部分與波導(dǎo)接口部分之間的傳播模式轉(zhuǎn)換的變換器部分。包括至少一個(gè)絕 緣層和至少一個(gè)金屬化層的第一重分布層跨過封裝模制化合物層的第一表面在RF集成電 路與波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)之間延伸，并且進(jìn)一步包括在RF集成電路的RF端口與波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)的 傳輸線接口部分之間導(dǎo)通地連接的RF傳輸線。
[0009] 在制備集成電路模塊的示例方法中，提供具有RF端口的射頻（RF)集成電路。還 提供一種波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)，具有傳輸線接口部分、被配置成用于耦接到矩形波導(dǎo)外殼的波導(dǎo) 接口部分以及被配置為提供在傳輸線接口部分與波導(dǎo)接口部分之間的模式轉(zhuǎn)換的變換器 部分。RF集成電路和波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)被嵌入在封裝模制化合物層中以使得封裝模制化合物被 部署在RF集成電路和波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)周圍。第一重分布層被形成在封裝模制化合物層的第 一表面上，第一重分布層包括至少一個(gè)絕緣層和至少一個(gè)金屬化層，并且在RF集成電路與 波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)之間延伸，并且進(jìn)一步包括在RF集成電路的RF端口與波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)的傳輸 線接口部分之間導(dǎo)通地連接的RF傳輸線。
[0010] 在閱讀下面的詳細(xì)描述并且查看隨附的附圖時(shí)，本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識到附加的 特征和優(yōu)點(diǎn)。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0011] 附圖的元件并非一定相對于彼此成比例。同樣的參考編號指明相對應(yīng)的類似部 分?？梢越M合各個(gè)所圖解實(shí)施例的特征，除非它們彼此互斥。在附圖中描繪了實(shí)施例并且 在隨后的描述中詳細(xì)描述實(shí)施例。
[0012] 圖1圖解具有在內(nèi)部形成的波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)的模塊的實(shí)施例的截面?zhèn)纫晥D。
[0013] 圖2到圖3圖解圖1的波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)的實(shí)施例的頂視視圖和透視視圖。
[0014] 圖4圖解用于圖3的波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)的仿真插入損耗和回波損耗。
[0015] 圖5到圖7圖解波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)的實(shí)施例的頂視視圖和透視視圖。
[0016] 圖8圖解具有在外部形成的落入式（drop-in)波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)的模塊的實(shí)施例的截 面?zhèn)纫晥D。
[0017] 圖9圖解落入式過孔結(jié)構(gòu)的實(shí)施例的頂視圖。
[0018] 圖10到圖14圖解波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)的不同實(shí)施例。
[0019] 圖15圖解制造模塊的方法。

【具體實(shí)施方式】
[0020] 在下面的詳細(xì)描述中參照隨附的附圖，附圖形成描述的一部分，并且在附圖中以 圖解的方式示出其中可以實(shí)施本發(fā)明的具體實(shí)施例。在這點(diǎn)上，參照所描述的（多個(gè)）圖的 定向來使用方向性術(shù)語(諸如"頂部"、"底部"、"前"、"后"、"前端"、"尾端"等)。因?yàn)閷?shí)施例 的部件可以被定位在多個(gè)不同的定向上，所以為了圖解的目的而使用方向性術(shù)語，并且方 向性術(shù)語絕不是進(jìn)行限制。應(yīng)理解可以利用其它實(shí)施例，并且可以在不脫離本發(fā)明的范圍 的情況下作出結(jié)構(gòu)或邏輯上的改變。因此，不應(yīng)以限制性的意義看待下面的詳細(xì)描述，并且 本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求限定。
[0021] 應(yīng)理解，在此描述的各個(gè)示例性實(shí)施例的特征可以被彼此組合，除非另外地具體 表明。
[0022] 扇出型封裝是嵌入芯片的封裝，其中，封裝焊盤和/或?qū)⑿酒B接到封裝焊盤的 導(dǎo)線中的至少一些橫向地位于芯片的輪廓的外部，或至少橫穿芯片的輪廓。因此，在扇出 型封裝中，芯片的封裝的周圍外部部分典型地（附加地）用于將封裝導(dǎo)通地接合到外部應(yīng)用 (例如應(yīng)用板等)。圍繞芯片的封裝的該外部部分關(guān)于芯片的占用空間有效地增大封裝的接 觸區(qū)域，因此導(dǎo)致鑒于相關(guān)于稍后處理(例如第二級組裝）的封裝焊盤大小和間距的放寬的 約束。
[0023] -般來說，扇出型封裝可以是各種設(shè)計(jì)。可以由用于包封芯片的模具化合物的表 面來提供芯片周圍的扇出區(qū)域。另一種可能性是在具有大于芯片尺寸的橫向尺寸的基底 (或引線框）芯片載體上安裝芯片，并且運(yùn)用層疊的基底芯片載體的外圍區(qū)作為扇出區(qū)域。 封裝的實(shí)施例可以使用各種類型的芯片，它們當(dāng)中有邏輯集成電路、模擬集成電路、混合信 號集成電路、傳感器電路、MEMS (微機(jī)電系統(tǒng))、功率集成電路、具有集成的無源件的芯片、 無源件等?；椎膶?shí)施例可以包括不同類型和配置的基底，特別是PCB (印刷電路板)、SBU (Sequential Build-Up，順序積層)層疊基底、陶瓷基底、引線框和模具化合物(例如MID (模 制互連器件)）。用于將封裝焊盤接合到基底的布線的實(shí)施例可以包括薄膜技術(shù)、焊接、焊 合、擴(kuò)散或接合線技術(shù)。
[0024] 在下面的討論中，在使用eWLB或類似的技術(shù)的扇出封裝的情形下描述本發(fā)明各 個(gè)實(shí)施例，即，在此情形中，一個(gè)或更多個(gè)薄膜重分布層被布置在嵌入集成電路芯片的封裝 模制化合物層的一個(gè)或更多個(gè)表面上，以使得集成電路芯片上的電接觸("焊盤"）可以被導(dǎo) 通地連接到封裝互連(諸如球柵陣列（BGA)封裝上的焊接球接觸)。然而，應(yīng)領(lǐng)會(huì)，在此公開 的創(chuàng)新的技術(shù)、封裝和電路布置不限制于eWLB情形，而是可以應(yīng)用于其它扇出封裝并且可 以使用用于形成互連的其它技術(shù)。
[0025] 首先參照圖1到圖3,圖1圖解具有在內(nèi)部形成的波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)24的集成電路模 塊10的實(shí)施例的截面?zhèn)纫晥D，而圖2到圖3分別圖解圖1中圖解的波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)24的實(shí) 施例的頂視視圖和透視視圖。在圖1中的虛線輪廓內(nèi)示出波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)24。
[0026] 在圖解的實(shí)施例中，集成電路模塊10包括封裝模制化合物層12,封裝模制化合物 層12具有嵌入于其中的射頻集成電路（RFIC) 20。封裝模制化合物層12包括封裝模制化 合物14,并且具有在封裝模制化合物層12的相對側(cè)上的第一表面16和第二表面18。RFIC 20可以是具有射頻（RF)端口 22的任何類型的集成電路，RF端口 22提供進(jìn)入RFIC 20的 RF輸入或出自RFIC 20的RF輸出。如圖1所示，RF端口 22包括RFIC 20上的單個(gè)"焊盤" 或接觸，RF端口 22因此提供或接收單端RF信號；將領(lǐng)會(huì)在一些實(shí)施例中，RF端口 22可以 包括一對焊盤或接觸，這一對焊盤或接觸提供或接收差分RF信號。集成電路模塊10進(jìn)一 步包括第一重分布層34和第二重分布層42?？梢允褂煤线m的封裝技術(shù)(諸如嵌入晶片級球 柵陣列（eWLB)技術(shù)）來形成集成電路模塊10。
[0027] 如上面表明那樣，諸如eWLB的封裝技術(shù)使得集成電路和其它部件能夠集成到包 括用于集成電路器件(像圖1所示的RFIC 20)到封裝接合結(jié)構(gòu)(諸如圖1中的焊料球60) 的電互連的一個(gè)或更多個(gè)重分布層的單個(gè)封裝結(jié)構(gòu)。還可以使用已知的技術(shù)將過孔結(jié)構(gòu)合 并到eWLB封裝結(jié)構(gòu)中，不管是在給定的多層重分布層內(nèi)還是在各重分布層之間。這些過孔 結(jié)構(gòu)使得能夠互連位于重分布層內(nèi)（諸如在第一重分布層34中的金屬化層35與38之間） 或者在不同的重分布層中的各導(dǎo)電層之間（諸如在第一重分布層34內(nèi)的金屬化層38與第 二重分布層42內(nèi)的金屬化層46之間）的導(dǎo)電層。
[0028] 在圖1到圖3所示的實(shí)施例中，集成電路模塊10進(jìn)一步包括嵌入在封裝模制化合 物14中的波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)24。為了清楚，圖2提供有關(guān)于圖1所示的定向的在去除第二重分 布層42、任何頂側(cè)金屬化層和任何其它頂側(cè)材料之后的波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)24的自頂向下視圖。 圖3提供在示出頂側(cè)導(dǎo)電寬壁52的情況下的透視視圖。如可在圖2中看到那樣，波導(dǎo)轉(zhuǎn)換 結(jié)構(gòu)24包括傳輸線接口部分26和波導(dǎo)接口部分28。在所圖解的實(shí)施例中，傳輸線接口部 分26被配置為耦接至從RFIC 20導(dǎo)聯(lián)到波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)24的共面波導(dǎo)傳輸線，而波導(dǎo)接口 部分28被配置為在30處耦接到矩形波導(dǎo)外殼。如在圖2中最好地看到那樣，波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu) 24包括變換器部分32,變換器部分32提供在傳輸線接口部分26與波導(dǎo)接口部分28之間 的傳播模式轉(zhuǎn)換。更特別地，傳播模式轉(zhuǎn)換把用于RF電磁波的傳播模式從傳輸線模式轉(zhuǎn)變 為波導(dǎo)傳播模式。在一個(gè)實(shí)施例中，模式轉(zhuǎn)換是從傳輸線接口部分26處的橫電模式（TEM) 到波導(dǎo)接口部分28處的波導(dǎo)模式(諸如橫電磁（TE)或橫磁（TM)模式)。
[0029] 第一重分布層34包括絕緣層36和金屬化層38。第一重分布層34可以包括多于 一個(gè)的金屬化層和多于一個(gè)的絕緣層；在圖1中圖解的實(shí)施例中，第一重分布層34包括兩 個(gè)附加金屬化層35和兩個(gè)附加絕緣層37。第一重分布層34跨過封裝模制化合物層12的 第一表面16在RFIC 20與波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)24之間延伸。第一重分布層24包括RF傳輸線 40, RF傳輸線40導(dǎo)通地連接在RFIC電路20的RF端口 22與波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)24的傳輸線接 口部分26之間。一般來說，用于將RFIC與波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)互連的RF傳輸線可以是任意的若 干類型的傳輸線。在所圖解的實(shí)施例中，RF傳輸線40是共面波導(dǎo)。
[0030] 集成電路模塊10包括第二重分布層42,第二重分布層42包括絕緣層44和金屬化 層46。第二重分布層42可以包括多于一個(gè)的金屬化層46和多于一個(gè)的絕緣層44。在圖1 中圖解的實(shí)施例中，第二重分布層42跨過封裝模制化合物層12的第二表面18在RF集成 電路20與波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)24之間延伸。在一些實(shí)施例中，第二重分布層42用于形成在RFIC 20與波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)24之間延伸的接地平面；在這些實(shí)施例中，可以例如使用延伸通過模制 化合物層12并且通過第一重分布層中的金屬化層中的一個(gè)或更多個(gè)金屬化層而將金屬化 層46連接到一個(gè)或更多個(gè)焊料球60的過孔(未示出），在RFIC 20處或附近將金屬化層46 連接到一個(gè)或更多個(gè)封裝接地連接。
[0031] 如圖3中看到那樣，波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)24包括由第一寬壁50、第二寬壁52以及第一側(cè) 壁54和第二側(cè)壁56限定的腔體48。在圖1到圖3中圖解的實(shí)施例中，分別在第一重分布 層34和第二重分布層42中由金屬化層38和46形成第一寬壁50和第二寬壁52。在其示 例將在以下被進(jìn)一步詳細(xì)討論的其它實(shí)施例中，可以替代地由形成在嵌入于封裝模制化合 物層12中的介電插入物上的金屬化層來形成一個(gè)或更多個(gè)的寬壁50和52這兩者，其中， 至少金屬化層38導(dǎo)通地連接到介電插入物上的金屬化層，以經(jīng)由傳輸線接口部分26和變 換器部分32將RF傳輸線部分40連接到第一寬壁50。
[0032] 在一些實(shí)施例中，如在圖1中看到那樣，由在第一寬壁50與第二寬壁52之間延伸 的若干個(gè)平行導(dǎo)體58形成第一側(cè)壁54和第二側(cè)壁56。在一些實(shí)施例中，可以由通過封裝 模制化合物層12的金屬化的過孔形成第一側(cè)壁54和第二側(cè)壁56,或在其它實(shí)施例中，由通 過嵌入在化合物層12中的介電插入物而形成的金屬化的過孔來形成第一側(cè)壁54和第二側(cè) 壁56。在圖1到圖3中圖解的實(shí)施例中，第一側(cè)壁54在傳輸線接口部分26與波導(dǎo)接口部 分28之間沿著波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)24的一側(cè)導(dǎo)通地連接第一寬壁50和第二寬壁52,而第二側(cè)壁 56再次在傳輸線接口部分26與波導(dǎo)接口部分28之間沿著波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)24的相對側(cè)導(dǎo)通 地連接第一寬壁50和第二寬壁52。如果由平行導(dǎo)體形成第一側(cè)壁54和第二側(cè)壁56,則這 些平行導(dǎo)體應(yīng)彼此觸及或應(yīng)彼此靠近地間隔開，其中，"靠近地"應(yīng)被參照通過器件傳播的 RF信號的最長波長來理解，從而平行導(dǎo)體序列有效地提供從RF觀點(diǎn)（perspective)來看連 續(xù)的壁。
[0033] 在一個(gè)實(shí)施例中，第一重分布層34內(nèi)的金屬化層38導(dǎo)通地連接到第一寬壁50,第 二重分布層42內(nèi)的金屬化層46導(dǎo)通地連接到第二寬壁52。在所圖解的實(shí)施例中，第二重 分布層42包括在RF集成電路20的端子86與波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)24之間導(dǎo)通地連接的線84。 在所圖解的實(shí)施例中，線84提供用于接地平面(諸如接地平面88)的接地連接。接地平面 88可以通過過孔結(jié)構(gòu)(未示出）連接到一個(gè)或更多個(gè)附加的接地平面，包括連接到第一重分 布層34中的接地平面。
[0034] 在圖1到圖3中圖解的實(shí)施例中，被從RF傳輸線40耦接到傳輸線接口部分26的 電磁波的傳播方向是在與第一表面16平行的方向72上，并且在波導(dǎo)接口部分28處的電磁 波的傳播方向是在一般與封裝模制化合物層12的第一表面16和第二表面18平行的方向 74上。對于以下詳細(xì)討論的在圖8以及圖10到圖12中圖解的實(shí)施例，也是這種情況。諸 如在圖5到圖7、圖9和圖13中所示那樣的其它實(shí)施例中，被從RF傳輸線40耦接到傳輸線 接口部分26的電磁波的傳播方向是在與封裝模制化合物層12的第一表面16和第二表面 18平行的方向72上，而在波導(dǎo)接口部分28處的電磁波的傳播方向是在一般與第一表面16 和第二表面18垂直的方向76上。
[0035] 利用傳輸線接口部分26、變換器部分32以及波導(dǎo)接口部分28的恰當(dāng)proper仿真 和設(shè)計(jì)，可以在傳輸線40與耦接到波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)24的波導(dǎo)接口部分28的波導(dǎo)之間獲得低 損耗轉(zhuǎn)換。圖4針對圖1到圖3所示的波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)24,圖解示出用于共面波導(dǎo)轉(zhuǎn)換至矩 形波導(dǎo)的仿真?zhèn)鬏敽头瓷湫阅艿那€圖90。線92示出仿真?zhèn)鬏敾虿迦霌p耗，并且線94示 出用于被耦接到波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)24的信號的分別從共面波導(dǎo)到矩形波導(dǎo)以及從矩形波導(dǎo)到 共面波導(dǎo)的仿真反射或回波損耗。在該示例中，波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)24被優(yōu)化以用于在77GHz處 以及附近使用。曲線圖90圖解在77GHz處，傳輸或插入損耗(線92)非常低，至少小于ldB， 具有相對應(yīng)的大于30dB的回波損耗。將領(lǐng)會(huì)圖4在非常寬的帶寬（即從剛高于70GHz直到 大約100GHz)上展現(xiàn)出的十分良好的RF性能。
[0036] 圖5到圖7圖解波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)24A的另一實(shí)施例的頂視視圖和透視視圖。在這些 實(shí)施例中，波導(dǎo)轉(zhuǎn)換元件24A提供傳播模式轉(zhuǎn)換，由此被從RF傳輸線40耦接到傳輸線接口 部分26的電磁波的傳播方向在與封裝模制化合物層的表面16和18平行的方向72上，而 在波導(dǎo)接口部分28處的電磁波的傳播方向在與封裝模制化合物層的表面14和16垂直并 且與傳輸線40垂直的方向76上。圖6圖解波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)24的三維視圖，其中第一側(cè)壁54 和第二側(cè)壁56由平行導(dǎo)體58形成，平行導(dǎo)體58可以由在轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)24A的頂側(cè)處的金屬化 層(在此處轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)24A被配置成耦接至垂直定向的矩形波導(dǎo)）與波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)24A的底 側(cè)處的金屬化層之間行進(jìn)的被金屬化的過孔形成。在該實(shí)施例中，第一側(cè)壁54和第二側(cè)壁 56的接合部經(jīng)由同樣由多個(gè)平行導(dǎo)體58構(gòu)建的端壁59而彼此相接。圖7圖解在30處耦 接至波導(dǎo)接口部分28的矩形波導(dǎo)82。
[0037] 圖8圖解具有在外部形成的落入式波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)24B的集成電路模塊10'的實(shí)施 例的截面?zhèn)纫晥D。在該實(shí)施例中，波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)24B包括插入物91，插入物91進(jìn)而包括介 電層70 (介電層70具有形成于其上的頂部金屬化部98和底部金屬化部96)，介電層70具 有在頂部金屬化部98與底部金屬化部96之間提供導(dǎo)通互連的金屬化的過孔94。在該實(shí)施 例中，底部金屬化部96形成第一寬壁，頂部金屬化部98形成第二寬壁，并且過孔94是形成 第一和第二側(cè)壁的平行導(dǎo)體。頂部金屬化部98導(dǎo)通地耦接到金屬化層46,并且底部金屬化 部96導(dǎo)通地耦接到金屬化層38。
[0038] 在該實(shí)施例中，波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)24包括由第一寬壁（由底部金屬化部96形成)、第二 寬壁（由頂部金屬化層98形成）以及第一和第二側(cè)壁（由過孔94形成）限定的腔體。頂部 金屬化部98導(dǎo)通地耦接到第二重分布層42中的金屬化層46,并且底部金屬化部96導(dǎo)通地 耦接到第一重分布層34中的金屬化層38。在該實(shí)施例中，過孔94的每一個(gè)延伸通過與封 裝模制化合物14不同的介電材料70。介電材料70例如可以選自對于形成RF印刷電路板 而言通用的任意的各種材料，并且可以因此提供與可利用在模具化合物層12中直接形成 的波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)24實(shí)現(xiàn)的性能相比更好的RF性能。
[0039] 圖9圖解諸如可以在被形成以在波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)中提供水平到垂直的模式轉(zhuǎn)換的 插入物中發(fā)現(xiàn)的過孔結(jié)構(gòu)104的頂視圖。例如，可以將圖9與圖5到圖7所示的結(jié)構(gòu)進(jìn)行 比較。過孔結(jié)構(gòu)104包括將頂部金屬化部98導(dǎo)通地耦接到底部金屬化部96 (未示出；參 照圖8)的過孔94。因此，當(dāng)連同圖8 -起查看圖9時(shí)，將領(lǐng)會(huì)所圖解實(shí)施例中的轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu) 24B被由第一重分布層34中的金屬化層38形成的第一寬壁和由第二重分布層42中的金屬 化層46形成的第二寬壁所限定。第一側(cè)壁54和第二側(cè)壁56是由過孔94形成的。頂部金 屬化部98導(dǎo)通地耦接到第二重分布層42中的金屬化層46,并且底部金屬化部96導(dǎo)通地耦 接到第一重分布層34內(nèi)的金屬化層38。然而，將領(lǐng)會(huì)可以替代地通過在插入物上適當(dāng)?shù)匮?伸金屬化層96和98來實(shí)現(xiàn)第一寬壁和第二寬壁。在此情況下，金屬化層38和46可以分 別完全地或部分地重疊金屬化層96和98,并且可以在各個(gè)地方通過被金屬化的過孔結(jié)構(gòu) 導(dǎo)通地連接到相對應(yīng)金屬化層96和98。
[0040] 鑒于前述討論，將領(lǐng)會(huì)波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)的若干細(xì)節(jié)可以改變。例如，波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)的 形狀可以取決于所要求的電性能而改變。圖10圖解示例波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)24C，其中，例如，如 與圖2中圖解的實(shí)施例中的筆直的邊緣結(jié)構(gòu)相比那樣，變換器部分32'具有彎曲輪廓。圖 11A和圖11B圖解波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)24D的實(shí)施例，其中，端壁110與側(cè)壁54和56相接，在傳輸 線接口部分26之上僅留出小的開孔。這可以被對比于其中在傳輸線接口部分26上以及鄰 接于傳輸線接口部分26存在間隙(參見圖2)的其它實(shí)施例。圖12A和圖12B圖解波導(dǎo)轉(zhuǎn) 換結(jié)構(gòu)24E的實(shí)施例，其中，轉(zhuǎn)換是從微帶線80到在波導(dǎo)接口部分28處的矩形波導(dǎo)模式信 號。
[0041] 圖13A和圖13B圖解波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)24F的實(shí)施例，其中，側(cè)壁54和56分別相接到 相對應(yīng)的成角度的側(cè)壁54'和56'。波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)包括波導(dǎo)接口部分，波導(dǎo)接口部分被配置 為耦接到在垂直方向上延伸的矩形波導(dǎo)82,如圖13B所示。圖14A到圖14D圖解同樣被配 置成用于耦接到矩形波導(dǎo)82的波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)24F。波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)24G的傳輸線接口部分 被配置成用于耦接到共面波導(dǎo)，其中變換器部分包括從共面波導(dǎo)的終止點(diǎn)側(cè)向延伸到結(jié)構(gòu) 的底部寬壁中的兩個(gè)槽。該實(shí)施例中的變換器部分可以被理解為執(zhí)行可與將差分傳輸線耦 接到轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)的內(nèi)部的槽天線的功能相比的功能。將領(lǐng)會(huì)對于被配置為耦接到差分傳輸線 (例如槽線）的波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)而言可以采取相似的方法。在此情況下(未圖解)，變換器部分 僅包括從槽線的終止點(diǎn)側(cè)向延伸的單個(gè)槽。
[0042] 更一般地，將領(lǐng)會(huì)可以依照想要的操作頻率、介電材料、想要的RF性能以及其它 因素來修改側(cè)壁、轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)、傳輸線接口部分和波導(dǎo)接口部分。例如，可以將任何或所有這 些特征的尺寸和/或形狀修改為適應(yīng)于使結(jié)構(gòu)與由不同介電材料填充的矩形波導(dǎo)相匹配。 RF和微波電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域的技術(shù)人員將領(lǐng)會(huì)，現(xiàn)有設(shè)計(jì)工具(諸如至少部分地基于有限元分 析的那些工具）可以被用于設(shè)計(jì)并且仿真波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)從而獲得想要的RF性能。
[0043] 圖15圖解制造模塊10的方法。如在圖14中"A"處所示那樣，插入物91和RF集 成電路20被嵌入在封裝模制化合物14中，封裝模制化合物形成封裝模制化合物層12。在 一些實(shí)施例中，如圖14所示那樣，插入物91和RF集成電路20被放置在載體140上，并且 封裝模制化合物14被部署在插入物91和RF集成電路20周圍。在封裝模制化合物14固 化之后，載體140可以被去除。
[0044] 接下來，如在"B"處所示，在封裝模制化合物層12的第一表面16上形成第一重分 布層34。第一重分布層34包括至少一個(gè)絕緣層36和至少一個(gè)金屬化層38,并且在RF集 成電路20與波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)24之間延伸。第一重分布層34包括在RF集成電路20的RF端 口 22與波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)24的傳輸線接口部分26 (未示出)之間導(dǎo)通地連接的RF傳輸線40。 在一些實(shí)施例中，如在"C"處所示那樣，在封裝模制化合物層12的第二表面18上形成第二 重分布層42。第二重分布層42包括至少一個(gè)絕緣層44和至少一個(gè)金屬化層46,并且通過 線84在RF集成電路20與波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)24之間延伸。在所圖解的實(shí)施例中，焊料球60被 形成在第二重分布層34上；將領(lǐng)會(huì)一些實(shí)施例可以僅包括單個(gè)重分布層，在此情況下，焊 料球60可以被形成在單個(gè)重分布層上。
[0045] 在一個(gè)實(shí)施例中，波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)24被由底部金屬化部96形成的第一寬壁和由頂 部金屬化層98形成的第二寬壁所限定。第一側(cè)壁和第二側(cè)壁是由過孔94形成的。頂部金 屬化部98導(dǎo)通地耦接到第二重分布層42內(nèi)的金屬化層46,并且底部金屬化部96導(dǎo)通地耦 接到第一重分布層34內(nèi)的金屬化層38。在該實(shí)施例中，過孔94的每一個(gè)延伸通過與封裝 模制化合物14不同的介電材料70。
[0046] 在其它實(shí)施例中，不使用插入物91。替代地，波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)24被由第一重分布層 34內(nèi)的金屬化層38形成的第一寬壁和由第二重分布層42內(nèi)的金屬化層46形成的第二寬 壁所限定。在這些實(shí)施例中，由通過封裝模制化合物層14形成的被金屬化的過孔形成第一 側(cè)壁和第二側(cè)壁。
[0047] 如在此所使用的諸如"同一"和"匹配"的術(shù)語意圖表示相同、幾乎相同或近似，從 而在不脫離本發(fā)明的精神的情況下，想見一定的合理改變量。術(shù)語"恒定"表示不變化或改 變，或輕微地變化或改變，從而在不脫離本發(fā)明的精神的情況下，想見一定的合理改變量。 進(jìn)一步地，諸如"第一"和"第二"等的術(shù)語用于描述各個(gè)元件、區(qū)、部分等，并且也并非意圖 進(jìn)行限制。貫穿于說明，同樣的術(shù)語提及同樣的元件。
[0048] 如在此使用的那樣，術(shù)語"具有"、"包含"、"包括"、和"含有"等是指示所聲明的要 素或特征的存在，但是不排除附加的要素或特征的開放式術(shù)語。用詞"一個(gè)"以及"所述"意 圖包括復(fù)數(shù)以及單數(shù)，除非上下文另外清楚地指示。
[0049] 應(yīng)理解，在此所描述的各個(gè)實(shí)施例的特征可以被彼此組合，除非另外具體地表明。 [0050] 雖然已經(jīng)在此圖解并且描述了具體實(shí)施例，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將領(lǐng)會(huì)在不 脫離本發(fā)明的范圍的情況下，可以由多種替換和/或等同的實(shí)現(xiàn)代替所示出并且描述的具 體實(shí)施例。在此所提供的各種技術(shù)的描述意圖覆蓋在此所討論的具體實(shí)施例的任意的適配 或改變。因此，意圖僅由隨附的權(quán)利要求及其等同物來限制本發(fā)明。
【權(quán)利要求】
1. 一種集成電路模塊，包括： 封裝模制化合物層，包括封裝模制化合物并且具有相對的第一表面和第二表面； 射頻（RF)集成電路，嵌入在封裝模制化合物中并且包括RF端口； 波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)，嵌入在所述封裝模制化合物中，并且包括傳輸線接口部分、被配置成用 于耦接到矩形波導(dǎo)外殼的波導(dǎo)接口部分、以及被配置為提供在所述傳輸線接口部分與所述 波導(dǎo)接口部分之間的傳播模式轉(zhuǎn)換的變換器部分；以及 第一重分布層，包括至少一個(gè)絕緣層和至少一個(gè)金屬化層，并且跨過所述封裝模制化 合物層的所述第一表面在所述RF集成電路與所述波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)之間延伸，所述第一重分 布層進(jìn)一步包括在所述RF集成電路的RF端口與所述波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)的所述傳輸線接口部分 之間導(dǎo)通地連接的RF傳輸線。
2. 如權(quán)利要求1所述的集成電路模塊，進(jìn)一步包括第二重分布層，所述第二重分布層 包括至少一個(gè)絕緣層和至少一個(gè)金屬化層，并且跨過所述封裝模制化合物層的所述第二表 面在所述RF集成電路與所述波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)之間延伸，其中，所述波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)具有被由所 述第一重分布層內(nèi)的所述至少一個(gè)金屬化層形成的第一寬壁、由所述第二重分布層內(nèi)的所 述至少一個(gè)金屬化層形成的第二寬壁、以及每一個(gè)由在所述傳輸線接口部分的第一側(cè)和第 二側(cè)與所述波導(dǎo)接口部分的相應(yīng)第一側(cè)和第二側(cè)之間將所述第一寬壁導(dǎo)通地耦接到所述 第二寬壁的一個(gè)或更多個(gè)導(dǎo)體形成的第一側(cè)壁和第二側(cè)壁限定的腔體，并且其中，寬壁中 的一個(gè)經(jīng)由所述RF傳輸線和所述傳輸線接口部分導(dǎo)通地耦接到所述RF集成電路的RF端 口，并且另一個(gè)寬壁導(dǎo)通地耦接到所述RF集成電路的接地端子。
3. 如權(quán)利要求1所述的集成電路模塊，其中，所述波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括被與所述 第一表面平行的導(dǎo)通的第一寬壁和第二寬壁、以及與所述第一表面垂直的第一側(cè)壁和第二 側(cè)壁限定的腔體，其中，由在所述傳輸線接口部分的第一側(cè)和第二側(cè)與所述波導(dǎo)接口部分 的相應(yīng)第一側(cè)和第二側(cè)之間將所述第一寬壁導(dǎo)通地耦接到所述第二寬壁的多個(gè)平行導(dǎo)體 形成所述第一側(cè)壁和第二側(cè)壁。
4. 如權(quán)利要求3所述的集成電路模塊，其中，形成所述第一側(cè)壁和所述第二側(cè)壁中的 每一個(gè)的所述多個(gè)平行導(dǎo)體包括導(dǎo)通過孔結(jié)構(gòu)，所述導(dǎo)通過孔結(jié)構(gòu)延伸通過所述封裝模制 化合物，以將所述第一寬壁導(dǎo)通地耦接到所述第二寬壁。
5. 如權(quán)利要求3所述的集成電路模塊，其中，形成所述第一側(cè)壁和所述第二側(cè)壁中的 每一個(gè)的一個(gè)或更多個(gè)導(dǎo)體延伸通過與所述封裝模制化合物不同的介電材料，以將所述第 一寬壁導(dǎo)通地耦接到所述第二寬壁。
6. 如權(quán)利要求5所述的集成電路模塊，其中，所述介電材料的第一表面和第二表面上 的金屬化部限定所述波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)的導(dǎo)通的第一寬壁和第二寬壁，并且其中，所述第一重 分布層中的所述至少一個(gè)金屬化層導(dǎo)通地耦接到所述第一寬壁。
7. 如權(quán)利要求1所述的集成電路模塊，其中，所述波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括由與所述 第一表面平行的導(dǎo)通的第一寬壁和第二寬壁以及與所述第一表面垂直的第一側(cè)壁和第二 側(cè)壁限定的腔體，其中，由在所述傳輸線接口部分的第一側(cè)和第二側(cè)與所述波導(dǎo)接口部分 的相應(yīng)第一側(cè)和第二側(cè)之間將所述第一寬壁導(dǎo)通地耦接到所述第二寬壁的多個(gè)平行導(dǎo)體 形成所述第一側(cè)壁和第二側(cè)壁中的每一個(gè)。
8. 如權(quán)利要求7所述的集成電路模塊，進(jìn)一步包括第二重分布層，所述第二重分布層 包括至少一個(gè)絕緣層和至少一個(gè)金屬化層，并且跨過所述封裝模制化合物層的所述第二表 面在所述RF集成電路與所述波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)之間延伸，其中，所述第一重分布層內(nèi)的所述至 少一個(gè)金屬化層導(dǎo)通地連接到所述第一寬壁，并且其中，所述第二重分布層內(nèi)的所述至少 一個(gè)金屬化層導(dǎo)通地連接到所述第二寬壁，并且其中，所述第一重分布層內(nèi)的所述至少一 個(gè)金屬化層和所述第二重分布層內(nèi)的所述至少一個(gè)金屬化層中的至少一個(gè)經(jīng)由所述傳輸 線接口部分和所述RF傳輸線導(dǎo)通地連接到所述RF集成電路的RF端口。
9. 如權(quán)利要求1所述的集成電路模塊，其中，所述波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)被配置成使得從所述 RF傳輸線耦接到所述傳輸線接口部分的電磁波的傳播方向在一般地與所述第一表面平行 的方向上，而在所述波導(dǎo)接口部分處的電磁波的傳播方向在一般地與所述第一表面垂直的 方向上。
10. 如權(quán)利要求1所述的集成電路模塊，其中，所述波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)被配置成使得從所述 RF傳輸線耦接到所述傳輸線接口部分的電磁波的傳播方向在一般地與所述第一表面平行 的方向上，并且在所述波導(dǎo)接口部分處的電磁波的傳播方向在一般地與所述第一表面平行 的方向上。
11. 如權(quán)利要求1所述的集成電路模塊，其中，所述傳播模式轉(zhuǎn)換是在所述傳輸線接口 部分處的橫電磁（TEM)模式或準(zhǔn)TEM模式到在所述波導(dǎo)接口部分處的波導(dǎo)傳播模式之間。
12. 如權(quán)利要求1所述的集成電路模塊，其中，所述RF傳輸線是共面波導(dǎo)傳輸線。
13. 如權(quán)利要求1所述的集成電路模塊，其中，所述RF傳輸線是微帶傳輸線或接地共面 波導(dǎo)傳輸線。
14. 如權(quán)利要求1所述的集成電路模塊，其中，所述RF傳輸線是差分傳輸線，并且所述 傳輸線接口部分將所述差分傳輸線耦接到所述變換器部分。
15. -種制備集成電路模塊的方法，包括： 提供具有RF端口的射頻（RF)集成電路，并且提供具有傳輸線接口部分、被配置用于耦 接到矩形波導(dǎo)外殼的波導(dǎo)接口部分以及被配置為提供在所述傳輸線接口部分與所述波導(dǎo) 接口部分之間的模式轉(zhuǎn)換的變換器部分的波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)，其中，所述RF集成電路和所述波 導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)嵌入在封裝模制化合物層中，以使得封裝模制化合物部署在所述RF集成電路 和所述波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)周圍；以及 在所述封裝模制化合物層的第一表面上形成第一重分布層，所述第一重分布層包括至 少一個(gè)絕緣層和至少一個(gè)金屬化層，并且在所述RF集成電路與所述波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)之間延 伸，并且所述第一重分布層進(jìn)一步包括在所述RF集成電路的RF端口與所述波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu) 的所述傳輸線接口部分之間導(dǎo)通地連接的RF傳輸線。
16. 如權(quán)利要求15所述的方法，進(jìn)一步包括在所述封裝模制化合物層的第二表面上形 成第二重分布層，所述第二重分布層包括至少一個(gè)絕緣層和至少一個(gè)金屬化層，并且在所 述RF集成電路與所述波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)之間延伸，以使得所述波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)具有被由所述第 一重分布層內(nèi)的所述至少一個(gè)金屬化層形成的第一寬壁、由所述第二重分布層內(nèi)的所述至 少一個(gè)金屬化層形成的第二寬壁、以及每一個(gè)由在所述傳輸線接口部分的第一側(cè)和第二側(cè) 與所述波導(dǎo)接口部分的相應(yīng)第一側(cè)和第二側(cè)之間將所述第一寬壁導(dǎo)通地耦接到所述第二 寬壁的一個(gè)或更多個(gè)導(dǎo)體形成的第一側(cè)壁和第二側(cè)壁限定的腔體，并且其中，寬壁中的一 個(gè)經(jīng)由所述RF傳輸線和所述傳輸線接口部分導(dǎo)通地耦接到所述RF集成電路的RF端口，并 且另一個(gè)寬壁導(dǎo)通地耦接到所述RF集成電路的接地端子。
17. 如權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括被與所述第一表 面平行的導(dǎo)通的第一寬壁和第二寬壁、以及與所述第一表面垂直的第一側(cè)壁和第二側(cè)壁限 定的腔體，其中，由在所述傳輸線接口部分的第一側(cè)和第二側(cè)與所述波導(dǎo)接口部分的相應(yīng) 第一側(cè)和第二側(cè)之間將所述第一寬壁導(dǎo)通地耦接到所述第二寬壁的多個(gè)平行導(dǎo)體形成所 述第一側(cè)壁和第二側(cè)壁。
18. 如權(quán)利要求17所述的方法，進(jìn)一步包括在所述封裝模制化合物層的第二表面上形 成第二重分布層，其中，所述第二重分布層包括至少一個(gè)絕緣層和至少一個(gè)金屬化層，并且 在所述RF集成電路與所述波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)之間延伸，其中，所述第一重分布層內(nèi)的所述至少 一個(gè)金屬化層導(dǎo)通地耦接到所述第一寬壁，并且其中，所述第二重分布層內(nèi)的所述至少一 個(gè)金屬化層導(dǎo)通地耦接到所述第二寬壁，并且其中，所述第一重分布層內(nèi)的所述至少一個(gè) 金屬化層和所述第二重分布層內(nèi)的所述至少一個(gè)金屬化層中的至少一個(gè)導(dǎo)通地連接到所 述RF集成電路的接地端子。
【文檔編號】H01L23/053GK104124211SQ201410176248
【公開日】2014年10月29日 申請日期:2014年4月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年4月29日
【發(fā)明者】W.哈特納, E.澤勒, M.沃杰諾夫斯基 申請人:英飛凌科技股份有限公司