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一種柔性基板和oled器件的制作方法

文檔序號:7047618閱讀:238來源:國知局
一種柔性基板和oled器件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明屬于顯示【技術(shù)領(lǐng)域】,具體涉及一種柔性基板和OLED器件。該柔性基板,包括底板以及設(shè)置于所述底板上方的阻擋層,所述柔性基板還包括裂縫檢測層,所述裂縫檢測層與所述阻擋層相鄰設(shè)置,產(chǎn)生裂縫的所述阻擋層與未產(chǎn)生裂縫的所述阻擋層在通電狀態(tài)下的顏色不同。該柔性基板和OLED器件具有較高的檢測效率,并且保證了檢測效果的準(zhǔn)確性,提高了OLED器件的產(chǎn)品良率。
【專利說明】—種柔性基板和OLED器件
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于顯示【技術(shù)領(lǐng)域】,具體涉及一種柔性基板和OLED器件。
【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)電致發(fā)光二極管(Organic Light Emission Display,簡稱0LED)器件因具有較多的優(yōu)點(diǎn),例如:具有制作成本低、全固態(tài)、主動發(fā)光、亮度高、對比度高、低電壓直流驅(qū)動、低功耗、視角寬、響應(yīng)速度快、厚度薄、工作溫度范圍寬、可實(shí)現(xiàn)柔性顯示(flexibledisplay)等眾多特點(diǎn),從而獲得了越來越多研究者的關(guān)注和研究。尤其是其具有柔性顯示特點(diǎn),憑借能夠彎曲的特性廣泛應(yīng)用于需要曲面顯示的領(lǐng)域,如智能卡、電子紙、智能標(biāo)簽應(yīng)用等,正逐漸成為顯示【技術(shù)領(lǐng)域】的新寵。
[0003]通常,OLED器件至少包括陽極、陰極以及位于陽極和陰極之間的發(fā)光層,陰極一般采用活潑金屬形成,發(fā)光層一般采用有機(jī)發(fā)光材料形成。其中,OLED器件中有機(jī)發(fā)光材料和陰極對水氣和氧氣特別敏感,因此OLED器件對水氣和氧氣的阻隔要求比較高。例如:以O(shè)LED器件壽命為一萬小時計算,并以O(shè)LED器件中低功函數(shù)(如鎂和鈣)失效所需的水氣量和氧氣量的最低值來估算水氣和氧氣對OLED器件封裝的滲透率,得出要求用于OLED器件封裝的材料的水氣透過率為<10_6g/m2/day,氧氣透過率為<10_5-10_3cm3/m2/day。
[0004]OLED器件一般采用塑料基板作為柔性基板(flexible substrate),由于塑料基板的水氣和氧氣(以下簡稱水氧)透過率均較高,因此需要在柔性基板中制作阻擋層(barrier film)以防止水氧的滲透。目前,通常采用在柔性基板中沉積氮化硅材料(SiNx)和氧化硅材料(SiOx)的方式形成阻擋層,由于SiNx和SiOx均為無機(jī)材料,在彎折過程中容易產(chǎn)生裂縫(crack);而且,為了防止水氧通過接觸孔(pinhole)滲入OLED器件內(nèi)部,需要SiNx和SiOx具有一定的厚度以達(dá)到阻水阻氧的作用,而SiNx和SiOx膜層厚度的增加,又進(jìn)一步加劇了產(chǎn)生裂縫的可能性。阻擋層裂縫(barrier film crack)會導(dǎo)致OLED器件出現(xiàn)不良。通常,在OLED器件發(fā)生不良時,薄膜晶體管(Thin Film Transistor,簡稱TFT)的不良很容易通過電性能的改變來判斷;而由阻擋層裂縫導(dǎo)致的不良則需要使用顯微鏡觀察,而使用顯微鏡觀察存在制樣復(fù)雜,不容易找到不良點(diǎn)、耗時長等問題,不僅檢測效率低而且檢測結(jié)果準(zhǔn)確性不高,OLED器件產(chǎn)品良率較低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述不足,提供一種柔性基板和OLED器件,該柔性基板和OLED器件具有較高的檢測效率,并且保證了檢測效果的準(zhǔn)確性,提高了 OLED器件的產(chǎn)品良率。
[0006]解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是該柔性基板,包括底板以及設(shè)置于所述底板上方的阻擋層,所述柔性基板還包括裂縫檢測層,所述裂縫檢測層與所述阻擋層相鄰設(shè)置,產(chǎn)生裂縫的所述阻擋層與未產(chǎn)生裂縫的所述阻擋層在通電狀態(tài)下的顏色不同。
[0007]優(yōu)選的是,所述阻擋層包括第一阻擋層和第二阻擋層,所述裂縫檢測層與所述第一阻擋層或所述第二阻擋層任一層相鄰設(shè)置;或者,所述裂縫檢測層設(shè)置于所述第一阻擋層和所述第二阻擋層之間。
[0008]優(yōu)選的是,所述裂縫檢測層采用電致變色材料形成,未產(chǎn)生裂縫的所述裂縫檢測層在通電狀態(tài)下為透明色,產(chǎn)生裂縫的所述裂縫檢測層在通電狀態(tài)下為非透明色。
[0009]優(yōu)選的是,所述裂縫檢測層采用無機(jī)電致變色材料或有機(jī)電致變色材料形成。
[0010]優(yōu)選的是,所述無機(jī)電致變色材料包括三氧化鎢、二氧化鈦、五氧化二釩,所述有機(jī)電致變色材料包括聚噻吩類及其衍生物、紫羅精類、四硫富瓦烯、金屬酞菁類化合物。
[0011]優(yōu)選的是,所述裂縫檢測層的厚度范圍為5 00-3000A。
[0012]優(yōu)選的是,所述裂縫檢測層采用化學(xué)氣相沉積法形成。
[0013]優(yōu)選的是,所述底板采用塑料基板,所述第一阻擋層和所述第二阻擋層采用無機(jī)材料形成。
[0014]優(yōu)選的是,所述第一阻擋層相對所述第二阻擋層更靠近所述底板,所述第一阻擋層采用氮化硅材料形成,所述第二阻擋層采用氧化硅材料形成。
[0015]優(yōu)選的是,所述第一阻擋層的厚度小于所述第二阻擋層的厚度,所述第一阻擋層的厚度范圍為500-3000A,所述第二阻擋層的厚度范圍為1500-5000A。
[0016]一種OLED器件,包括上述的柔性基板。
[0017]本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明中的柔性基板通過增設(shè)由電致變色材料形成的裂縫檢測層,能通過裂縫檢測層通電是否發(fā)生變色來檢測阻擋層是否產(chǎn)生裂縫,相對于現(xiàn)有技術(shù)中使用放大鏡觀察來檢測阻擋層裂縫的方式,更易于判斷OLED器件不良是否由阻擋層裂縫產(chǎn)生;同時,還省去了放大鏡觀察制樣的程序,并且避免了制樣時不易找到不良點(diǎn)的缺點(diǎn),節(jié)省了時間,使得柔性基板和OLED器件具有較高的檢測效率,并且保證了檢測效果的準(zhǔn)確性,提高了 OLED器件的產(chǎn)品良率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0018]圖1為本發(fā)明實(shí)施例1中柔性基板的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0019]圖1A為本發(fā)明實(shí)施例1中柔性基板的制備示意圖;
[0020]圖1B為本發(fā)明實(shí)施例1中柔性基板是否由阻擋層裂縫引起不良的檢測示意圖;
[0021]圖2為本發(fā)明實(shí)施例2中柔性基板的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0022]圖3為本發(fā)明實(shí)施例3中柔性基板的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0023]圖4為本發(fā)明實(shí)施例4中OLED器件的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0024]圖4A為本發(fā)明實(shí)施例4中判斷OLED器件是否由阻擋層裂縫引起不良的檢測示意圖;
[0025]圖4B為本發(fā)明實(shí)施例4中判斷OLED器件是否因剝離產(chǎn)生裂縫的檢測示意圖;
[0026]圖4C為本發(fā)明實(shí)施例4中判斷OLED器件是否因彎折產(chǎn)生裂縫的檢測示意圖;
[0027]圖中:1 一底板;2 —第一阻擋層;3 —裂縫檢測層;4 一第二阻擋層;5_顯示層;6-載臺。
【具體實(shí)施方式】
[0028]為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案,下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對本發(fā)明柔性基板和OLED器件作進(jìn)一步詳細(xì)描述。
[0029]一種柔性基板,包括底板以及設(shè)置于所述底板上方的阻擋層,所述柔性基板還包括裂縫檢測層,所述裂縫檢測層與所述阻擋層相鄰設(shè)置,產(chǎn)生裂縫的所述阻擋層與未產(chǎn)生裂縫的所述阻擋層在通電狀態(tài)下的顏色不同。
[0030]一種OLED器件,包括上述的柔性基板。
[0031]上述的柔性基板,由于采用了與所述阻擋層相鄰設(shè)置裂縫檢測層,通過裂縫檢測層通電是否發(fā)生變色,可以很方便地檢測出柔性基板中的阻擋層是否發(fā)生了裂縫,檢測方便且結(jié)果準(zhǔn)確;
[0032]相應(yīng)的,使得OLED器件的良率得到了提高。
[0033]實(shí)施例1:
[0034]本實(shí)施例提供一種柔性基板,該柔性基板包括底板以及設(shè)置于底板上方的阻擋層,還包括裂縫檢測層,裂縫檢測層與阻擋層相鄰設(shè)置,產(chǎn)生裂縫的阻擋層與未產(chǎn)生裂縫的阻擋層在通電狀態(tài)下的顏色不同。
[0035]如圖1所示,阻擋層包括第一阻擋層2和第二阻擋層4,還包括裂縫檢測層3,在本實(shí)施例中,裂縫檢測層3設(shè)置于第一阻擋層2和第二阻擋層4之間。裂縫檢測層3在第一阻擋層2和/或第二阻擋層4產(chǎn)生裂縫時,通電不發(fā)生變色。其中,對裂縫檢測層3的通電電壓范圍為1-5V。
[0036]其中,裂縫檢測層3采用電致變色(electrochromic)材料形成,未產(chǎn)生裂縫的裂縫檢測層3在通電狀態(tài)下為透明色,產(chǎn)生裂縫的裂縫檢測層3在通電狀態(tài)下為非透明色。電致變色是指材料的光學(xué)屬性(反射率、透過率、吸收率等)在外加電場的作用下發(fā)生穩(wěn)定、可逆的顏色變化的現(xiàn)象,在外觀上表現(xiàn)為顏色和透明度的可逆變化。電致變色材料具有良好的離子和電子導(dǎo)電性、較高的對比度、變色效率、循環(huán)周期、寫-擦效率等電致變色性能。
[0037]優(yōu)選的是,裂縫檢測層3采用無機(jī)電致變色材料或有機(jī)電致變色材料形成。進(jìn)一步優(yōu)選的是,無機(jī)電致變色材料包括三氧化鎢WO3、二氧化鈦TiO2、五氧化二釩V2O5,有機(jī)電致變色材料包括聚噻吩類及其衍生物、紫羅精類、四硫富瓦烯、金屬酞菁類化合物。其中,裂縫檢測層3的厚度范圍可以為500-3000A。
[0038]在本實(shí)施例中,底板I 一般采用塑料基板,第一阻擋層2和第二阻擋層4采用無機(jī)材料形成。其中,第一阻擋層2采用氮化硅材料SiNx形成,以獲得較好的阻水阻氧的效果;第二阻擋層4采用氧化硅材料SiOx形成,以使得柔性基板獲得較好的平衡應(yīng)力。為保證較好的阻水阻氧效果和柔性基板的結(jié)構(gòu),采用氮化硅材料SiNx形成的第一阻擋層2相對采用氧化硅材料SiOx形成的第二阻擋層4更靠近底板I ;同時,使得第一阻擋層2的厚度小于第二阻擋層4的厚度,例如:采用氮化硅材料SiNx形成的第一阻擋層2的厚度范圍為500-3000A,采用氧化硅材料SiOx形成的第二阻擋層4的厚度范圍為1500-5000A。
[0039]由于性質(zhì)較接近的材料具有更好的匹配性,而本實(shí)施例中由于第一阻擋層2和第二阻擋層4均采用無機(jī)材料形成,因而優(yōu)選裂縫檢測層3采用無機(jī)材料形成,以使得裂縫檢測層3與第一阻擋層2和第二阻擋層4獲得更好的匹配性。
[0040]如圖1A所示,在制備本實(shí)施例的柔性基板時,首先將底板I設(shè)置于載臺6上,接著在底板I上方依次形成第一阻擋層2、裂縫檢測層3和第二阻擋層4。其中,形成第一阻擋層2、裂縫檢測層3和第二阻擋層4均采用化學(xué)氣相沉積法(Chemical Vapor Deposition,簡稱CVD)形成,以便獲得更均勻的層結(jié)構(gòu)。在裂縫檢測層3形成后,可隨之對其進(jìn)行通電檢測,以確保裂縫檢測層3本身不存在出現(xiàn)裂縫的情況。
[0041]本實(shí)施例通過在第一阻擋層2和第二阻擋層4之間加入了一層由電致變色材料形成裂縫檢測層3,由于形成裂縫檢測層3材料的特殊性,任一層阻擋層(僅第一阻擋層2,或僅第二阻擋層4,或第一阻擋層2和第二阻擋層4)產(chǎn)生裂縫均將導(dǎo)致裂縫檢測層3隨之發(fā)生斷裂,從而產(chǎn)生裂縫,因此,通過檢測通電后裂縫檢測層3的顏色是否發(fā)生改變,進(jìn)而可以判斷進(jìn)行柔性基板剝離或者柔性彎折的動作時,第一阻擋層2或第二阻擋層4是否產(chǎn)生了裂縫。
[0042]如圖1B所示,對柔性基板進(jìn)行檢測時,當(dāng)裂縫檢測層3的顏色發(fā)生變化時,說明氮化硅材料SiNx組成的第一阻擋層2和氧化硅材料SiOx組成的第二阻擋層4中的任一層均未產(chǎn)生裂縫,否則氮化硅材料SiNx組成的第一阻擋層2和氧化硅材料SiOx組成的第二阻擋層4中的任一層產(chǎn)生了裂縫或二者均產(chǎn)生了裂縫。
[0043]當(dāng)檢測到柔性基板產(chǎn)生不良的原因?yàn)樽钃鯇赢a(chǎn)生裂縫占主要因素時,可適當(dāng)調(diào)整阻擋層制備過程中的制備設(shè)備的參數(shù),避免繼續(xù)生產(chǎn)出不良的柔性基板,并能進(jìn)一步避免將有缺陷的柔性基板用于OLED器件的生產(chǎn)中,從而減少因柔性基板不良帶來的損失。
[0044]實(shí)施例2:
[0045]本實(shí)施例提供一種柔性基板,與實(shí)施例1不同的是,本實(shí)施例的柔性基板中的裂縫檢測層3僅與第一阻擋層2相鄰。
[0046]如圖2所示,第一阻擋層2相對第二阻擋層4更靠近底板1,裂縫檢測層3與第一阻擋層2相鄰設(shè)置,即裂縫檢測層3設(shè)置于底板I與第一阻擋層2之間。
[0047]本實(shí)施例中柔性基板的其他結(jié)構(gòu)與實(shí)施例1相同,通過裂縫檢測層檢測柔性基板中阻擋層是否產(chǎn)生裂縫的方法與實(shí)施例1相同,這里不再贅述。
[0048]實(shí)施例3:
[0049]本實(shí)施例提供一種柔性基板,與實(shí)施例1不同的是,本實(shí)施例的柔性基板中的裂縫檢測層3僅與第二阻擋層4相鄰。
[0050]如圖3所示,第一阻擋層2相對第二阻擋層4更靠近底板1,裂縫檢測層3與第二阻擋層4相鄰設(shè)置,即裂縫檢測層3設(shè)置于第二阻擋層4遠(yuǎn)離底板I的一側(cè)。
[0051]本實(shí)施例中柔性基板的其他結(jié)構(gòu)與實(shí)施例1相同,通過裂縫檢測層檢測柔性基板中阻擋層是否產(chǎn)生裂縫的方法與實(shí)施例1相同,這里不再贅述。
[0052]實(shí)施例1-3可以看出,裂縫檢測層既可以設(shè)置在第一阻擋層與第二阻擋層之間,也可以設(shè)置在第一阻擋層與第二阻擋層的任意一側(cè),只要保證裂縫檢測層至少與第一阻擋層或第二阻擋層任一層相鄰設(shè)置即可,而對裂縫檢測層的具體設(shè)置位置不做限定。因此,在實(shí)際應(yīng)用中,裂縫檢測層的設(shè)置位置可以根據(jù)柔性基板的具結(jié)構(gòu)做不同的設(shè)計,靈活方便。
[0053]實(shí)施例4:
[0054]本實(shí)施例提供一種OLED器件,該OLED器件采用實(shí)施例1_3中任一的柔性基板。
[0055]如圖4所示,柔性基板上方設(shè)置有顯示層5,顯示層5包括薄膜晶體管(Thin FilmTransistor,簡稱TFT)以及有機(jī)電致發(fā)光二極管0LED。以采用實(shí)施例1中柔性基板的結(jié)構(gòu)形成OLED器件為例,在制備本實(shí)施例的OLED器件時,首先將底板I設(shè)置于載臺6上,接著在底板I上方依次形成第一阻擋層2、裂縫檢測層3和第二阻擋層4,然后形成TFT以及OLED。
[0056]以采用實(shí)施例1中柔性基板的結(jié)構(gòu)形成OLED器件為例,檢測OLED器件在以下三種情況是否不良以及不良的原因:
[0057]情況一:0LED器件出現(xiàn)不良,檢測不良是否由阻擋層裂縫所導(dǎo)致;
[0058]情況二:剝離前的OLED器件正常,剝離后的OLED器件出現(xiàn)不良,檢測不良是否由阻擋層裂縫所導(dǎo)致;
[0059]情況三:剝離后的OLED器件正常,彎折后的OLED器件出現(xiàn)不良,檢測不良是否由阻擋層裂縫所導(dǎo)致。
[0060]情況一:0LED器件出現(xiàn)不良時,檢測不良是否由阻擋層裂縫所導(dǎo)致。如圖4A所示,在將OLED器件從載臺6上剝離之前,將裂縫檢測層3通電,觀察裂縫檢測層3是否變色,如果裂縫檢測層3變色則說明OLED器件產(chǎn)生不良的原因不是第一阻擋層2和/或第二阻擋層4產(chǎn)生裂縫,而可能是由TFT不良或其他原因引起的不良;如果裂縫檢測層3不變色,則說明OLED器件產(chǎn)生不良的原因可能是第一阻擋層2或第二阻擋層4中至少有一層產(chǎn)生了裂縫。
[0061]通過上述檢測,可排除OLED器件產(chǎn)生不良的原因與阻擋層裂縫是否有關(guān),進(jìn)一步縮小判斷批量OLED器件不良的原因,提高檢測效率。
[0062]情況二:剝離前的OLED器件正常,剝離后的OLED器件出現(xiàn)不良,檢測不良是否由阻擋層裂縫所導(dǎo)致。如圖4B所示,首先,在將OLED器件從載臺6上剝離之前,先將裂縫檢測層3通電,觀察裂縫檢測層3是否變色,確保裂縫檢測層3變色,以保證第一阻擋層2和第二阻擋層4均未產(chǎn)生裂縫;接著,將OLED器件從載臺6上剝離;然后,對剝離下來的OLED器件,將裂縫檢測層3再次通電,觀察裂縫檢測層3是否變色,如果變色則說明第一阻擋層2和第二阻擋層4均未產(chǎn)生裂縫,如果不變色則說明第一阻擋層2或第二阻擋層4中至少有一層產(chǎn)生裂縫。
[0063]通過上述檢測,可以排除阻擋層是否在剝離過程中產(chǎn)生裂縫,從而導(dǎo)致OLED器件產(chǎn)生不良:當(dāng)檢測到OLED器件因剝離工藝而產(chǎn)生較大的不良率時,可適當(dāng)對剝離工藝進(jìn)行改進(jìn),降低OLED器件的不良率,從而減少因剝離工藝帶來的損失。
[0064]情況三:剝離后的OLED器件正常,彎折后的OLED器件出現(xiàn)不良,檢測不良是否由阻擋層裂縫所導(dǎo)致。如圖4C所示,首先,在將OLED器件彎折之前,先將裂縫檢測層3通電,觀察裂縫檢測層3是否變色,確保裂縫檢測層3變色,以保證第一阻擋層2和第二阻擋層4均未產(chǎn)生裂縫;接著,采用彎折治具對OLED器件進(jìn)行彎折測試;然后,對彎折的OLED器件,將裂縫檢測層3再次通電,觀察裂縫檢測層3是否變色,如果變色則說明第一阻擋層2和第二阻擋層4均未產(chǎn)生裂縫,如果不變色則說明第一阻擋層2或第二阻擋層4中至少有一層產(chǎn)生裂縫。
[0065]通過上述檢測,可以排除阻擋層是否在彎折過程中產(chǎn)生裂縫,從而導(dǎo)致OLED器件產(chǎn)生不良。
[0066]通過上述三種情況的檢測,可以逐步排除OLED器件產(chǎn)生不良的原因,確定阻擋層導(dǎo)致OLED器件產(chǎn)生不良的環(huán)節(jié),使得OLED器件可能產(chǎn)生不良的環(huán)節(jié)可控,提高了 OLED器件的檢測效率,并且保證了檢測效果的準(zhǔn)確性。[0067]本實(shí)施例中OLED器件作為一種顯示裝置,可以為:電子紙、OLED面板、手機(jī)、平板電腦、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0068]本實(shí)施例中的OLED器件,由于采用了具有較高良率的柔性基板,因此相應(yīng)地提高了 OLED器件的產(chǎn)品良率,提高了顯示效果。
[0069]本發(fā)明中的柔性基板通過增設(shè)由電致變色材料形成的裂縫檢測層,能通過裂縫檢測層在通電狀態(tài)相對未通電狀態(tài)是否發(fā)生變色來檢測阻擋層是否產(chǎn)生裂縫,可以在任何方便的環(huán)節(jié)對柔性基板或?qū)LED器件中的阻擋層是否存在裂縫進(jìn)行檢測,相對于現(xiàn)有技術(shù)中使用放大鏡觀察來檢測阻擋層裂縫的方式,更易于判斷OLED器件不良是否由阻擋層裂縫產(chǎn)生;同時,還省去了放大鏡觀察制樣的程序,并且避免了制樣時不易找到不良點(diǎn)的缺點(diǎn),節(jié)省了時間,使得柔性基板和OLED器件具有較高的檢測效率,并且保證了檢測效果的準(zhǔn)確性,提高了 OLED器件的產(chǎn)品良率。
[0070]可以理解的是,以上實(shí)施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施方式,然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言,在不脫離本發(fā)明的精神和實(shí)質(zhì)的情況下,可以做出各種變型和改進(jìn),這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種柔性基板,包括底板以及設(shè)置于所述底板上方的阻擋層,其特征在于,所述柔性基板還包括裂縫檢測層,所述裂縫檢測層與所述阻擋層相鄰設(shè)置,產(chǎn)生裂縫的所述阻擋層與未產(chǎn)生裂縫的所述阻擋層在通電狀態(tài)下的顏色不同。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性基板,其特征在于,所述阻擋層包括第一阻擋層和第二阻擋層,所述裂縫檢測層與所述第一阻擋層或所述第二阻擋層任一層相鄰設(shè)置;或者,所述裂縫檢測層設(shè)置于所述第一阻擋層和所述第二阻擋層之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性基板,其特征在于,所述裂縫檢測層采用電致變色材料形成,未產(chǎn)生裂縫的所述裂縫檢測層在通電狀態(tài)下為透明色,產(chǎn)生裂縫的所述裂縫檢測層在通電狀態(tài)下為非透明色。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的柔性基板,其特征在于,所述裂縫檢測層采用無機(jī)電致變色材料或有機(jī)電致變色材料形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的柔性基板,其特征在于,所述無機(jī)電致變色材料包括三氧化鎢、二氧化鈦、五氧化二釩,所述有機(jī)電致變色材料包括聚噻吩類及其衍生物、紫羅精類、四硫富瓦烯、金屬酞菁類化合物。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性基板,其特征在于,所述裂縫檢測層的厚度范圍為500-3000A.
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性基板,其特征在于,所述裂縫檢測層采用化學(xué)氣相沉積法形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的柔性基板,其特征在于,所述底板采用塑料基板,所述第一阻擋層和所述第二阻擋層采用無機(jī)材料形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的柔性基板,其特征在于,所述第一阻擋層相對所述第二阻擋層更靠近所述底板,所述第一阻擋層采用氮化硅材料形成,所述第二阻擋層采用氧化硅材料形成。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的柔性基板,其特征在于,所述第一阻擋層的厚度小于所述第二阻擋層的厚度,所述第一阻擋層的厚度范圍為5 00-3000A,所述第二阻擋層的厚度范圍為 1500-5000A。
11.一種OLED器件,其特征在于,包括權(quán)利要求1-10任一項(xiàng)所述的柔性基板。
【文檔編號】H01L51/52GK103996796SQ201410178311
【公開日】2014年8月20日 申請日期:2014年4月29日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月29日
【發(fā)明者】劉陸, 謝明哲, 黃維 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司
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