多層陶瓷電容器及其上安裝有該多層陶瓷電容器的板的制作方法
【專利摘要】提供了一種多層陶瓷電容器及其上安裝有該多層陶瓷電容器的板。該多層陶瓷電容器可以包括：陶瓷主體，包括介電層；第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極，設(shè)置在陶瓷主體中；第一外電極和第二外電極，形成為覆蓋陶瓷主體的端表面。陶瓷主體可以包括作為電容形成部分的有效層和作為非電容形成部分的覆蓋層，覆蓋層包括多個虛設(shè)電極層。當(dāng)把陶瓷主體的厚度定義為T，把第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的數(shù)量定義為AL，把第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極中的每個內(nèi)電極的厚度定義為AT，把虛設(shè)電極層中的每個虛設(shè)電極層的厚度定義為DT并把虛設(shè)電極層的數(shù)量定義為DL時，DL等于{(T×x)-(AL×AT)}/DT，x為9.0％或更大。
【專利說明】多層陶瓷電容器及其上安裝有該多層陶瓷電容器的板
[0001] 本申請要求于2013年10月8日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2013-0120073號 韓國專利申請的權(quán)益，該韓國專利申請的公開內(nèi)容通過引用包含于此。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002] 本公開涉及一種多層陶瓷電容器及一種其上安裝有該多層陶瓷電容器的板。

【背景技術(shù)】
[0003] 隨著近來電子產(chǎn)品的小型化趨向，對具有小尺寸和高電容的多層陶瓷電子組件的 需求增加。
[0004] 因此，通過各種方法使介電層和內(nèi)電極變薄并以增加的數(shù)量來堆疊介電層和內(nèi)電 極。近來，隨著介電層的厚度的減小，已經(jīng)制造具有增加數(shù)量的堆疊層的多層陶瓷電子組 件。
[0005] 另外，近來已經(jīng)制造具有為了介電層的纖薄而利用精細陶瓷粉末形成的介電層的 陶瓷電子組件。
[0006] 此外，隨著電子組件的小型化和電子組件的電容的增加，覆蓋層（非電容形成部） 的厚度也減小。
[0007] 同時，由于多層陶瓷電子組件已被用在諸如車輛和醫(yī)療器械等的需要高可靠性的 應(yīng)用領(lǐng)域中，所以要求多層陶瓷電子組件具有高可靠性。
[0008] 在確保高可靠性的情況下，可能存在因外部沖擊而在組件中產(chǎn)生的諸如裂紋的缺 陷和由裂紋的出現(xiàn)引起的設(shè)備故障等。
[0009] 對開發(fā)用于防止在多層陶瓷電子組件中產(chǎn)生翹曲裂紋的技術(shù)和產(chǎn)品的研究一直 在進行，但存在限制。
[0010] 具體地講，為了防止因翹曲裂紋引起短路，已經(jīng)使用將長度方向上的邊緣增大的 方法、在安裝工藝期間利用引線框架的方法或利用沖擊吸收材料制造外電極的方法等。
[0011] 然而，將長度方向上的邊緣增大的方法難以應(yīng)用到高電容多層陶瓷電子組件，將 諸如環(huán)氧樹脂等的高分子材料應(yīng)用到外電極的方法在確保翹曲強度方面也會有限制。
[0012] 此外，在利用金屬引線框架的方法中，會出現(xiàn)高的制造成本，并且安裝面積和高度 會受到限制。
[0013] 因此，仍然需要對改善彎曲強度特性同時增大抵抗外部沖擊的強度的技術(shù)進行研 究。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0014] 本公開的一方面可以提供一種多層陶瓷電容器及一種其上安裝有該多層陶瓷電 容器的板。
[0015] 根據(jù)本公開的一方面，多層陶瓷電容器可以包括：陶瓷主體，包括介電層；第一內(nèi) 電極和第二內(nèi)電極，彼此面對地設(shè)置在陶瓷主體中，其間置有介電層；第一外電極和第二外 電極，形成為覆蓋陶瓷主體的兩個端表面，其中，陶瓷主體包括作為電容形成部分的有效層 和作為非電容形成部分的覆蓋層，覆蓋層形成在有效層的上表面和下表面中的至少一個表 面上，覆蓋層包括多個虛設(shè)電極層，多個虛設(shè)電極層包括設(shè)置在與形成在陶瓷主體的上表 面和下表面上的第一外電極和第二外電極的邊緣對應(yīng)的位置處的中心部分，多個虛設(shè)電極 層具有預(yù)定的長度，當(dāng)把陶瓷主體的厚度定義為T，把第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的數(shù)量定義 為AL，把第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極中的每個內(nèi)電極的厚度定義為AT，把虛設(shè)電極層中的每 個虛設(shè)電極層的厚度定義為DT并把堆疊在覆蓋層中的虛設(shè)電極層的數(shù)量定義為DL時，DL 等于{(TXx)-(ALXAT)}/DT，x 為 9.0%或更大。
[0016] 堆疊的虛設(shè)電極層的數(shù)量DL可以在42至92的范圍內(nèi)。
[0017] x可以在9. 0%至16. 2%的范圍內(nèi)。
[0018] 虛設(shè)電極層的中心部分可以設(shè)置在與形成在陶瓷主體的上表面和下表面上的第 一外電極和第二外電極的邊緣對應(yīng)的位置處，虛設(shè)電極層可以具有40 或更長的長度。
[0019] 虛設(shè)電極層可以暴露于陶瓷主體的兩個端表面。
[0020] 根據(jù)本公開的另一方面，多層陶瓷電容器可以包括：陶瓷主體，包括介電層；第一 內(nèi)電極和第二內(nèi)電極，彼此面對地設(shè)置在陶瓷主體中，其間置有介電層；第一外電極和第二 外電極，形成為覆蓋陶瓷主體的兩個端表面，其中，陶瓷主體包括作為電容形成部分的有效 層和作為非電容形成部分的覆蓋層，覆蓋層形成在有效層的上表面和下表面中的至少一個 表面上，覆蓋層包括多個虛設(shè)電極層，多個虛設(shè)電極層包括設(shè)置在與形成在陶瓷主體的上 表面和下表面上的第一外電極和第二外電極的邊緣對應(yīng)的位置處的中心部分，多個虛設(shè)電 極層具有預(yù)定的長度，當(dāng)把堆疊在覆蓋層中的虛設(shè)電極層的數(shù)量定義為DL時，DL在42至 92的范圍內(nèi)。
[0021] 虛設(shè)電極層的中心部分可以設(shè)置在與形成在陶瓷主體的上表面和下表面上的第 一外電極和第二外電極的邊緣對應(yīng)的位置處，虛設(shè)電極層可以具有40 或更長的長度。
[0022] 虛設(shè)電極層可以暴露于陶瓷主體的兩個端表面。
[0023] 當(dāng)把陶瓷主體的厚度定義為T，把第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的數(shù)量定義為AL，把 第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極中的每個內(nèi)電極的厚度定義為AT并把虛設(shè)電極層中的每個虛設(shè) 電極層的厚度定義為01'時，01可以等于{〇^3-仏1^41')}/1)1^在9.0%至16.2%的范 圍內(nèi)。
[0024] 根據(jù)本公開的另一方面，其上安裝有多層陶瓷電容器的板可以包括印刷電路板和 多層陶瓷電容器，印刷電路板上形成有第一電極焊盤和第二電極焊盤，多層陶瓷電容器安 裝在印刷電路板上并包括：陶瓷主體，包括介電層；第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極，彼此面對地 設(shè)置在陶瓷主體中，其間置有介電層；第一外電極和第二外電極，形成為覆蓋陶瓷主體的兩 個端表面，其中，陶瓷主體包括作為電容形成部分的有效層和作為非電容形成部分的覆蓋 層，覆蓋層形成在有效層的上表面和下表面中的至少一個表面上，覆蓋層包括多個虛設(shè)電 極層，多個虛設(shè)電極層包括設(shè)置在與形成在陶瓷主體的上表面和下表面上的第一外電極和 第二外電極的邊緣對應(yīng)的位置處的中心部分，多個虛設(shè)電極層具有預(yù)定的長度，當(dāng)把陶瓷 主體的厚度定義為T，把第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的數(shù)量定義為AL，把第一內(nèi)電極和第二 內(nèi)電極中的每個內(nèi)電極的厚度定義為AT，把虛設(shè)電極層中的每個虛設(shè)電極層的厚度定義為 DT并把堆疊在覆蓋層中的虛設(shè)電極層的數(shù)量定義為DL時，DL等于{(T X x) - (AL X AT)} /DT， X為9. 0%或更大。
[0025] 堆疊的虛設(shè)電極層的數(shù)量DL可以在42至92的范圍內(nèi)。
[0026] x可以在9. 0%至16. 2%的范圍內(nèi)。
[0027] 虛設(shè)電極層的中心部分可以設(shè)置在與形成在陶瓷主體的上表面和下表面上的第 一外電極和第二外電極的邊緣對應(yīng)的位置處，虛設(shè)電極層可以具有40 或更長的長度。
[0028] 虛設(shè)電極層可以暴露于陶瓷主體的兩個端表面。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0029] 通過下面結(jié)合附圖進行的詳細描述，本公開的以上和其他方面、特征和其他優(yōu)點 將會被更清楚地理解，在附圖中：
[0030] 圖1是示意性地示出根據(jù)本公開的示例性實施例的多層陶瓷電容器的透視圖；
[0031] 圖2是沿著圖1的線A-A'截取的剖視圖；
[0032] 圖3是圖2的部分S的放大圖；以及
[0033] 圖4是示出圖1的多層陶瓷電容器安裝在印刷電路板上的狀態(tài)的透視圖。

【具體實施方式】
[0034] 現(xiàn)在將參照附圖詳細描述本公開的示例性實施例。
[0035] 然而，本公開可以以很多不同的形式來舉例說明，并且不應(yīng)該被解釋為局限于在 此闡述的具體實施例。而是，提供這些實施例使得本公開將是透徹的和完整的，這些實施例 將把本公開的范圍充分傳達給本領(lǐng)域技術(shù)人員。
[0036] 在附圖中，為了清晰起見，可以夸大元件的形狀和尺寸，并將始終使用相同的附圖 標記來指定相同或相似的元件。
[0037] 將限定六面體的方向以便清楚地描述本公開的示例性實施例。附圖中示出的L、W 和T分別指六面體的長度方向、寬度方向和厚度方向。這里，厚度方向可以被使用為具有與 堆疊介電層所沿的方向相同的概念。
[0038] 此外，在實施例中，為了便于解釋，可以將在陶瓷主體的長度方向上的其上形成有 第一外電極和第二外電極的陶瓷主體的表面限定為兩個端表面，可以將陶瓷主體的與所述 兩個端表面垂直地連接的表面限定為兩個側(cè)表面。
[0039] 圖1是示意性地示出根據(jù)本公開的示例性實施例的多層陶瓷電容器的透視圖。
[0040] 圖2是沿著圖1的線A-A'截取的剖視圖。
[0041] 圖3是圖2的部分S的放大圖。
[0042] 參照圖1至圖3,根據(jù)本公開的示例性實施例的多層陶瓷電子組件100可以包括： 陶瓷主體110,包括介電層111 ;第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極，彼此面對地設(shè)置在陶瓷主體中， 其間置有介電層；第一外電極和第二外電極，形成為覆蓋陶瓷主體的兩個端表面，其中，陶 瓷主體包括有效層（電容形成部）和覆蓋層（非電容形成部），覆蓋層形成在有效層的上表 面和下表面中的至少一個表面上，覆蓋層包括多個虛設(shè)電極層，多個虛設(shè)電極層包括設(shè)置 在與形成在陶瓷主體的上表面和下表面上的第一外電極和第二外電極的邊緣對應(yīng)的位置 處的中心部分，多個虛設(shè)電極層具有預(yù)定的長度，當(dāng)把陶瓷主體的厚度定義為T，把第一內(nèi) 電極和第二內(nèi)電極的數(shù)量定義為AL，把第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極中的每個內(nèi)電極的厚度定 義為AT，把虛設(shè)電極層中的每個虛設(shè)電極層的厚度定義為DT，并且把堆疊在覆蓋層中的虛 設(shè)電極層的數(shù)量定義為DL時，DL等于{(T X x) - (ALX AT)} /DT，x為9. 0 %或更大。
[0043] 可以通過將多個介電層111堆疊，然后將堆疊的介電層燒結(jié)來形成陶瓷主體110。 在這種情況下，陶瓷主體110的形狀和尺寸以及堆疊的介電層111的數(shù)量不限于本實施例 的在附圖中示出的情況。
[0044] 另外，構(gòu)成陶瓷主體110的多個介電層111可以處于燒結(jié)狀態(tài)，彼此相鄰的介電層 111可以成一體，以便在不使用掃描電子顯微鏡（SEM)的情況下無法確認介電層之間的邊 界。
[0045] 陶瓷主體110可以由作為有助于電容器的電容形成的部件的有效層以及形成在 有效層的上部或下部上作為上緣部或下緣部的上覆蓋層或下覆蓋層構(gòu)成。
[0046] 可以通過重復(fù)地堆疊其間置有介電層111的多個第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極 122來形成有效層。
[0047] 在這種情況下，可以根據(jù)多層陶瓷電容器100的電容設(shè)計來任意地改變介電層 111的厚度。在燒結(jié)工藝之后，單個介電層的厚度可以優(yōu)選是0.1 um至10 iim。然而，本公 開不限于此。
[0048] 此外，介電層111可以包含具有高介電常數(shù)的陶瓷粉末，例如，鈦酸鋇（BaTi03)基 粉末或鈦酸鍶（SrTi03)基粉末等，但本公開不限于此。
[0049] 除其中不包括內(nèi)電極之外，上覆蓋層或下覆蓋層可以具有與介電層111的材料和 構(gòu)造相同的材料和構(gòu)造。
[0050] 可以通過將單個介電層或者兩個或更多個介電層沿堅直方向堆疊在有效層的上 表面或下表面上來形成上覆蓋層或下覆蓋層，上覆蓋層或下覆蓋層可以主要用于防止第一 內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122被物理或化學(xué)應(yīng)力損壞。
[0051] 同時，可以通過將包含導(dǎo)電金屬的導(dǎo)電膏以預(yù)定的厚度印刷在各個介電層111上 來形成第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122,即，彼此具有不同極性的成對的電極。
[0052] 另外，第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122可以在堆疊介電層111所沿的方向上進 行堆疊，以便交替地暴露于陶瓷主體的兩個端表面，并且可以通過置于其間的介電層111 彼此電絕緣。
[0053] 也就是說，第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122可以通過它們的分別交替地暴露于 陶瓷主體110的兩個端表面的部分，電連接到第一外電極131和第二外電極132。
[0054] 因此，當(dāng)將電壓施加到第一外電極131和第二外電極132時，在彼此面對的第一內(nèi) 電極121與第二內(nèi)電極122之間積累電荷。在這種情況下，多層陶瓷電容器100的電容可 以與第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122之間的疊置區(qū)域的面積成比例。
[0055] 可以根據(jù)其預(yù)期用途來確定第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122中的每個內(nèi)電極的 厚度。例如，鑒于陶瓷主體110的尺寸，可以將第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122中的每個 內(nèi)電極的厚度確定在〇. 2 ii m至1. 0 ii m的范圍內(nèi)，但本公開不限于此。
[0056] 此外，包含在形成第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122的導(dǎo)電膏中的導(dǎo)電金屬可以 是鎳（Ni)、銅（Cu)、鈀（Pd)或者它們的合金，但本公開不限于此。
[0057] 此外，可以使用絲網(wǎng)印刷法或凹版印刷法等作為導(dǎo)電膏的印刷方法，但本公開不 限于此。
[0058] 同時，第一外電極131和第二外電極132可以由包含導(dǎo)電金屬的導(dǎo)電膏形成，其 中，導(dǎo)電金屬可以是鎳（Ni)、銅（Cu)、鈀（Pd)、金（Au)或者它們的合金，但本公開不限于此。
[0059] 根據(jù)本公開的示例性實施例，覆蓋層可以包括多個虛設(shè)電極層123,多個虛設(shè)電極 層123的中心部分設(shè)置在與形成在陶瓷主體的上表面和下表面上的第一外電極和第二外 電極的邊緣對應(yīng)的位置處，并且多個虛設(shè)電極層123具有預(yù)定的長度。
[0060] 通常，由于多層陶瓷電子組件已被用在諸如車輛和醫(yī)療器械等的需要高可靠性的 應(yīng)用領(lǐng)域中，所以要求多層陶瓷電子組件具有高可靠性。
[0061] 在確保高可靠性的情況下，可能存在因外部沖擊而在組件中產(chǎn)生的諸如裂紋的缺 陷和由裂紋的出現(xiàn)引起的設(shè)備故障等。
[0062] 對開發(fā)用于防止在多層陶瓷電子組件中產(chǎn)生翹曲裂紋的技術(shù)和產(chǎn)品的研究一直 在進行，但存在限制。
[0063] 具體地講，為了防止因翹曲裂紋引起短路，已經(jīng)使用將長度方向上的邊緣增大的 方法、在安裝工藝期間利用引線框架的方法或利用沖擊吸收材料制造外電極的方法等。 [0064] 然而，將長度方向上的邊緣增大的方法難以應(yīng)用到高電容多層陶瓷電子組件，將 諸如環(huán)氧樹脂等的高分子材料應(yīng)用到外電極的方法在確保翹曲強度方面也會有限制。
[0065] 此外，在利用金屬引線框架的方法中，會出現(xiàn)高的制造成本，并且安裝面積和高度 會受到限制。
[0066] 根據(jù)本公開的示例性實施例，覆蓋層可以包括多個虛設(shè)電極層123,多個虛設(shè)電極 層123包括設(shè)置在與形成在陶瓷主體110的上表面和下表面上的第一外電極131和第二外 電極132的邊緣對應(yīng)的位置處的中心部分，多個虛設(shè)電極層123具有預(yù)定的長度，從而可以 解決上述限制。
[0067] 也就是說，可以通過在上覆蓋層或下覆蓋層中（即，在最外面的內(nèi)電極的外面）堆 疊虛設(shè)電極并控制堆疊的虛設(shè)電極的數(shù)量和位置，來改善多層陶瓷電容器的彎曲強度特性 及其抵抗外部沖擊的強度。
[0068] 詳細地，當(dāng)把陶瓷主體110的厚度定義為T，把第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122 的數(shù)量定義為AL，把第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122中的每個內(nèi)電極的厚度定義為AT， 把虛設(shè)電極層123中的每個虛設(shè)電極層的厚度定義為DT并堆疊在覆蓋層中的虛設(shè)電極層 123的數(shù)量定義為DL時，DL可以等于{(TXx)-(ALXAT)}/DT，x可以是9. 0%或更大。
[0069] 如上所述，堆疊的虛設(shè)電極層123的數(shù)量DL等于{(TXx)-(ALXAT)}/DT(DL = {(T X x) - (ALX AT)} /DT)，x是9. 0 %或更大，使得多層陶瓷電容器的彎曲強度特性及其抵 抗外部沖擊的強度可以得到改善。
[0070] 具體地講，x可以在9. 0%至16. 2%的范圍內(nèi)（9. 0%彡x彡16. 2% )，使得多層陶 瓷電容器的彎曲強度特性及其抵抗外部沖擊的強度可以得到改善。
[0071] 在這種情況下，X可以指堆疊在覆蓋層中的虛設(shè)電極層123的總厚度與堆疊在陶 瓷主體110中的第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122的總厚度之和同陶瓷主體110的總厚度 之比。
[0072] 在x小于9. 0%的情況下，多層陶瓷電容器的彎曲強度特性及其抵抗外部沖擊的 強度會劣化，而引起可靠性方面的缺陷。
[0073] 在x超過16. 2%的情況下，多層陶瓷電容器的彎曲強度特性及其抵抗外部沖擊的 強度可以改善，但堆疊的虛設(shè)電極的數(shù)量可能增加過度，使得會難以實現(xiàn)高電容的多層陶 瓷電容器。
[0074] 同時，當(dāng)在覆蓋層中堆疊的虛設(shè)電極層123的數(shù)量DL等于{(TXx)-(ALXAT)}/ DT(DL = {(TXx)-(ALXAT)}/DT)，x是9.0%或更大時，堆疊的虛設(shè)電極層的數(shù)量DL可以 在42至92的范圍內(nèi)（42彡DL彡92)。
[0075] 堆疊的虛設(shè)電極層123的數(shù)量DL可以在42至92的范圍內(nèi)（42彡DL彡92)，使得 多層陶瓷電容器的彎曲強度特性及其抵抗外部沖擊的強度可以改善。
[0076] 在堆疊的虛設(shè)電極層123的數(shù)量DL少于42的情況下，多層陶瓷電容器的彎曲強 度特性及其抵抗外部沖擊的強度會劣化，而引起可靠性方面的缺陷。
[0077] 在堆疊的虛設(shè)電極層的數(shù)量DL超過92的情況下，多層陶瓷電容器的彎曲強度特 性及其抵抗外部沖擊的強度可以改善，但堆疊的虛設(shè)電極層的數(shù)量可能增加過度，使得會 難以實現(xiàn)高電容的多層陶瓷電容器。
[0078] 同時，虛設(shè)電極層123可以包括設(shè)置在與第一外電極和第二外電極的形成在陶瓷 主體110的上表面和下表面上的邊緣對應(yīng)的位置處的中心部分，并且可以具有40 y m或更 長的長度。
[0079] 也就是說，當(dāng)從形成在陶瓷主體110的上表面或下表面上的第一外電極131或第 二外電極132的邊緣（末端）朝向覆蓋層垂直地畫出虛擬線時，虛設(shè)電極層123的中心部 分位于虛擬線與虛設(shè)電極層123相交處的點，虛設(shè)電極層123的在陶瓷主體的長度方向上 的長度可以是40 ii m或更長。
[0080] 如上所述，當(dāng)虛設(shè)電極層123的中心部分可以設(shè)置在與形成在陶瓷主體110的上 表面和下表面上的第一外電極和第二外電極的邊緣對應(yīng)的位置處，并且虛設(shè)電極層123的 在陶瓷主體110的長度方向上的長度可以是40 y m或更長時，多層陶瓷電容器的彎曲強度 特性及其抵抗外部沖擊的強度可以改善。
[0081] 當(dāng)虛設(shè)電極層123的中心部分可以設(shè)置在與形成在陶瓷主體110的上表面和下 表面上的第一外電極和第二外電極的邊緣對應(yīng)的位置處，但虛設(shè)電極層123的在陶瓷主體 110的長度方向上的長度可以小于40 iim時，多層陶瓷電容器的彎曲強度特性及其抵抗外 部沖擊的強度會劣化，而引起可靠性方面的缺陷。
[0082] 在本公開的示例性實施例中，虛設(shè)電極層123可以暴露于陶瓷主體110的兩個端 表面，但本公開不限于此。
[0083] 同時，根據(jù)本公開的另一示例性實施例的多層陶瓷電容器100可以包括：陶瓷主 體110,包括介電層111 ;第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122,彼此面對地設(shè)置在陶瓷主體 110中，其間置有介電層111 ;第一外電極131和第二外電極132,形成為覆蓋陶瓷主體110 的兩個端表面，其中，陶瓷主體包括有效層（電容形成部分）和覆蓋層（非電容形成部分）， 覆蓋層形成在有效層的上表面和下表面中的至少一個表面上，覆蓋層包括多個虛設(shè)電極層 123,多個虛設(shè)電極層123包括設(shè)置在與形成在陶瓷主體的上表面和下表面上的第一外電 極131和第二外電極132的邊緣部分對應(yīng)的位置處的中心部分，多個虛設(shè)電極層123具有 預(yù)定的長度，當(dāng)把堆疊在覆蓋層中的虛設(shè)電極層123的數(shù)量定義為DL時，DL在42至92的 范圍內(nèi)（42彡DL彡92)。
[0084] 當(dāng)把陶瓷主體110的厚度定義為T，把第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122的數(shù)量定 義為AL，把第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極中的每個內(nèi)電極的厚度定義為AT，把虛設(shè)電極層123 中的每個虛設(shè)電極層的厚度定義為DT并把堆疊在覆蓋層中的虛設(shè)電極層123的數(shù)量定義 為DL時，堆疊的虛設(shè)電極層123的數(shù)量DL可以是{(TXx)-(ALXAT)}/DT，并且在這種情況 下，x可以在9. 0%至16. 2%的范圍內(nèi)（9. 0%彡x彡16. 2% )。
[0085] 在描述根據(jù)本公開的另一示例性實施例的多層陶瓷電容器的過程中，將省略與以 上提到的對根據(jù)本公開的示例性實施例的多層陶瓷電子組件的描述相重疊的描述。
[0086] 在根據(jù)本公開的示例性實施例的多層陶瓷電子組件的制造方法中，首先可以利用 包含陶瓷粉末和添加劑的漿料來制備陶瓷生片。
[0087] 可以通過將陶瓷粉末、粘合劑和溶劑混合來制備漿料，并且通過刮片法將所制備 的漿料形成為每片的厚度為若干的片狀來制造陶瓷生片。
[0088] 然后，可以利用導(dǎo)電金屬膏在陶瓷生片上形成內(nèi)電極圖案。
[0089] 接下來，將其上形成有內(nèi)電極圖案的生片堆疊并且燒結(jié)，從而形成陶瓷主體，該陶 瓷主體包括介電層以及彼此面對地設(shè)置的第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極，介電層置于第一內(nèi)電 極和第二內(nèi)電極之間。
[0090] 通過根據(jù)本公開的另一示例性實施例的制造方法制造的多層陶瓷電子組件的陶 瓷主體可以包括有效層（電容形成部）和覆蓋層（非電容形成部），覆蓋層形成在有效層的 上表面和下表面中的至少一個表面上，覆蓋層可以包括多個虛設(shè)電極層，多個虛設(shè)電極層 包括設(shè)置在與形成在陶瓷主體的上表面和下表面上的第一外電極和第二外電極的邊緣對 應(yīng)的位置處的中心部分，多個虛設(shè)電極層具有預(yù)定的長度。
[0091] 將省略與以上提到的根據(jù)本公開的示例性實施例的多層陶瓷電子組件的其他特 征相重疊的其他特征。
[0092] 在下文中，盡管將參照發(fā)明示例詳細地描述本公開，但是本公開不限于此。
[0093] 提供發(fā)明示例以基于陶瓷主體的厚度T、第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的數(shù)量AL、第 一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極中的每個內(nèi)電極的厚度AT、虛設(shè)電極層中的每個虛設(shè)電極層的厚度 DT以及堆疊的虛設(shè)電極層的數(shù)量DL來測試多層陶瓷電容器的彎曲強度特性，多層陶瓷電 容器均包括有效層（電容形成部）和覆蓋層（非電容形成部），覆蓋層形成在有效層的上表 面和下表面中的至少一個表面上。
[0094] 如下來制造根據(jù)發(fā)明示例的各個多層陶瓷電容器。
[0095] 首先，將包含諸如鈦酸鋇（BaTi03)粉末等的粉末的漿料涂敷到載體膜并在其上干 燥以制備多個陶瓷生片，從而形成介電層。
[0096] 接下來，制備用于內(nèi)電極的導(dǎo)電膏，并將導(dǎo)電膏通過絲網(wǎng)印刷法涂敷到生片以形 成內(nèi)電極，然后堆疊生片，從而制造多層主體。
[0097] 具體地講，將其上形成有虛設(shè)電極圖案的陶瓷生片另外地堆疊在多層主體的上部 或下部上，從而制造包括上覆蓋層或下覆蓋層的多層主體。
[0098] 然后，將多層主體壓縮并切割成均具有1608標準尺寸的片，將片在H2為0. 1 %或 更少的還原氣氛中在1050°C至1200°C下燒結(jié)。
[0099] 接下來，對片進行諸如外電極形成工藝和鍍覆工藝等的工藝，從而制造多層陶瓷 電容器。
[0100] 下面的表1示出基于陶瓷主體的厚度T、第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的數(shù)量AL、第 一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極中的每個內(nèi)電極的厚度AT、虛設(shè)電極層中的每個虛設(shè)電極層的厚度 DT以及堆疊的虛設(shè)電極層的數(shù)量DL，通過對比多層陶瓷電容器的彎曲強度特性所得到的 數(shù)據(jù)。
[0101] [表 1]
[0102]

【權(quán)利要求】
1. 一種多層陶瓷電容器，包括： 陶瓷主體,包括介電層； 第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極，彼此面對地設(shè)置在陶瓷主體中，其間置有介電層；以及 第一外電極和第二外電極，形成為覆蓋陶瓷主體的兩個端表面， 其中，陶瓷主體包括作為電容形成部分的有效層和作為非電容形成部分的覆蓋層，覆 蓋層形成在有效層的上表面和下表面中的至少一個表面上， 覆蓋層包括多個虛設(shè)電極層，所述多個虛設(shè)電極層包括設(shè)置在與形成在陶瓷主體的上 表面和下表面上的第一外電極和第二外電極的邊緣對應(yīng)的位置處的中心部分，所述多個虛 設(shè)電極層具有預(yù)定的長度， 當(dāng)把陶瓷主體的厚度定義為T，把第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的數(shù)量定義為AL，把第 一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極中的每個內(nèi)電極的厚度定義為AT，把虛設(shè)電極層中的每個虛設(shè)電 極層的厚度定義為DT并把堆疊在覆蓋層中的虛設(shè)電極層的數(shù)量定義為DL時，DL等于 {(TXx)-(ALXAT)}/DT，x 為 9. 0%或更大。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，堆疊的虛設(shè)電極層的數(shù)量DL在42至 92的范圍內(nèi)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，x在9. 0%至16. 2%的范圍內(nèi)。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，虛設(shè)電極層的中心部分設(shè)置在與形 成在陶瓷主體的上表面和下表面上的第一外電極和第二外電極的邊緣對應(yīng)的位置處，虛設(shè) 電極層具有40 y m或更長的長度。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，虛設(shè)電極層暴露于陶瓷主體的兩個 端表面。
6. -種多層陶瓷電容器，包括： 陶瓷主體,包括介電層； 第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極，彼此面對地設(shè)置在陶瓷主體中，其間置有介電層；以及 第一外電極和第二外電極，形成為覆蓋陶瓷主體的兩個端表面， 其中，陶瓷主體包括作為電容形成部分的有效層和作為非電容形成部分的覆蓋層，覆 蓋層形成在有效層的上表面和下表面中的至少一個表面上， 覆蓋層包括多個虛設(shè)電極層，所述多個虛設(shè)電極層包括設(shè)置在與形成在陶瓷主體的上 表面和下表面上的第一外電極和第二外電極的邊緣對應(yīng)的位置處的中心部分，所述多個虛 設(shè)電極層具有預(yù)定的長度， 當(dāng)把堆疊在覆蓋層中的虛設(shè)電極層的數(shù)量定義為DL時，DL在42至92的范圍內(nèi)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的多層陶瓷電容器，其中，虛設(shè)電極層的中心部分設(shè)置在與形 成在陶瓷主體的上表面和下表面上的第一外電極和第二外電極的邊緣對應(yīng)的位置處，虛設(shè) 電極層具有40 y m或更長的長度。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的多層陶瓷電容器，其中，虛設(shè)電極層暴露于陶瓷主體的兩個 端表面。
9. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的多層陶瓷電容器，其中，當(dāng)把陶瓷主體的厚度定義為T，把 第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的數(shù)量定義為AL，把第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極中的每個內(nèi)電 極的厚度定義為AT并把虛設(shè)電極層中的每個虛設(shè)電極層的厚度定義為DT時，DL等于 {(TXx)-(ALXAT)}/DT，x 在 9.0%至 16. 2%的范圍內(nèi)。
10. -種其上安裝有多層陶瓷電容器的板，所述板包括： 印刷電路板，其上形成有第一電極焊盤和第二電極焊盤；以及 如權(quán)利要求1-9中任意一項所述的多層陶瓷電容器。
【文檔編號】H01G4/12GK104517726SQ201410182676
【公開日】2015年4月15日 申請日期:2014年4月30日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月8日
【發(fā)明者】洪京杓, 金斗永, 金昶勛, 樸相鉉, 丁海碩 申請人:三星電機株式會社