陣列基板及其制備方法、顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置，所述陣列基板中，在所述陣列基板的柵線PAD區(qū)域中，相鄰的柵線之間設置與柵線絕緣的柵線配線；所述陣列基板的數(shù)據(jù)線PAD區(qū)域中，相鄰的數(shù)據(jù)線之間設置與數(shù)據(jù)線絕緣的數(shù)據(jù)線配線；所述柵線配線和數(shù)據(jù)線配線均為可導電的配線段。本發(fā)明通過在PAD區(qū)域中形成柵線配線和數(shù)據(jù)線配線，不僅能夠減小斷差，提高此處的抗劃傷性能，而且即使當金屬線被劃傷的時候，與之平行的配線可以作為修復線，通過打孔和沉積互聯(lián)的方法實現(xiàn)對PAD區(qū)配線的修復，既可以不犧牲產(chǎn)品顯示性能又可以提高產(chǎn)品的抗劃傷性能。
【專利說明】陣列基板及其制備方法、顯示裝置
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術領域】，特別是涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置。
【背景技術】
[0002]在陣列基板與彩膜基板成盒后的切割工藝中，如圖1和圖2所示，陣列基板上PAD區(qū)域中，柵線I和數(shù)據(jù)線I’形成之后，其上方形成有絕緣層2。由于陣列基板表面與切割碎屑直接接觸無法避免，且對于尺寸較小的屏，需要運輸?shù)娇蛻籼庍M行切割，屏的Pad區(qū)金屬線劃傷比例較大且無法修復，對產(chǎn)品良率影響很大。數(shù)據(jù)信號線有一定的厚度，在陣列基板表面形成較大的突起，這種突起造成的斷差很容易因為碎屑劃傷且無法修復，經(jīng)過分析和實驗驗證發(fā)現(xiàn)，信號線導致的斷差與劃傷關系密切，斷差越大，劃傷風險越高，斷差越小，劃傷比例越少，且此不良無法修復，直接形成殘次品，嚴重影響產(chǎn)品良率。
[0003]此問題目前的對應方式主要是降低金屬膜厚來減少斷差，但金屬膜厚降低會造成電阻電容延遲增加，從而加重殘像等問題，對產(chǎn)品性能影響較大，因此保證產(chǎn)品顯示性能與提高抗劃傷性能之間形成了矛盾。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004](一 )要解決的技術問題
[0005]本發(fā)明要解決的技術問題是對于顯示裝置，如何讓保證產(chǎn)品顯示性能與提高抗劃傷性能兩者之間實現(xiàn)統(tǒng)一。
[0006]( 二 )技術方案
[0007]為了解決上述技術問題，本發(fā)明提供一種陣列基板，所述陣列基板的柵線PAD區(qū)域中，相鄰的柵線之間設置有與柵線平行且絕緣的柵線配線；所述陣列基板的數(shù)據(jù)線PAD區(qū)域中，相鄰的數(shù)據(jù)線之間設置有與數(shù)據(jù)線平行且絕緣的數(shù)據(jù)線配線；所述柵線配線和數(shù)據(jù)線配線均為可導電的配線段。
[0008]優(yōu)選地，所述陣列基板中，所述柵線配線包括設置在柵線上方絕緣層上的第二柵線配線段，第二柵線配線段間隔布置在相鄰的柵線之間；所述數(shù)據(jù)線配線包括設置在數(shù)據(jù)線上方絕緣層上的第二數(shù)據(jù)線配線段，第二數(shù)據(jù)線配線段間隔布置在相鄰的數(shù)據(jù)線之間；所述絕緣層覆蓋所述柵線和數(shù)據(jù)線。
[0009]優(yōu)選地，所述陣列基板中，所述第二柵線配線段與所述數(shù)據(jù)線同層同材質(zhì)設置，所述第二數(shù)據(jù)線配線段與所述柵線同層同材質(zhì)設置。
[0010]優(yōu)選地，所述陣列基板中，所述柵線配線還包括與柵線同層且位于第二柵線配線段正下方由所述絕緣層覆蓋的第一柵線配線段；所述數(shù)據(jù)線配線還包括與數(shù)據(jù)線同層且位于第二數(shù)據(jù)線配線段正下方由所述絕緣層覆蓋的第一數(shù)據(jù)線配線段。
[0011]優(yōu)選地，所述陣列基板還包括像素電極，所述第二柵線配線段和第二數(shù)據(jù)線配線段分別與所述像素電極同層同材質(zhì)設置。
[0012]優(yōu)選地，所述陣列基板還包括公共電極和像素電極，所述第二柵線配線段和第二數(shù)據(jù)線配線段與所述像素電極同層同材質(zhì)設置，所述第一柵線配線段和第一數(shù)據(jù)線配線段與所述公共電極同層同材質(zhì)設置，所述像素電極位于所述公共電極正上方；
[0013]或者，所述第二柵線配線段和第二數(shù)據(jù)線配線段與所述公共電極同層同材質(zhì)設置，所述第一柵線配線段和第一數(shù)據(jù)線配線段與所述像素電極同層同材質(zhì)設置，所述公共電極位于所述像素電極正上方。
[0014]優(yōu)選地，所述陣列基板中，相鄰柵線之間的間距為20?30μπι，相鄰數(shù)據(jù)線之間的間距為10 ~ 20 μ Hio
[0015]本發(fā)明還提供了一種陣列基板的制備方法，其中，
[0016]在陣列基板的柵線PAD區(qū)域由下至上依次形成柵線和絕緣層；
[0017]在絕緣層上方形成間隔的柵線配線，柵線配線位于相鄰的柵線之間且與柵線平行；
[0018]在陣列基板的數(shù)據(jù)線PAD區(qū)域由下至上依次形成數(shù)據(jù)線和絕緣層；
[0019]在絕緣層上方形成間隔的數(shù)據(jù)線配線，數(shù)據(jù)線配線位于相鄰的數(shù)據(jù)線之間且與數(shù)據(jù)線平行；
[0020]所述柵線配線和數(shù)據(jù)線配線均采用導電材料形成。
[0021]優(yōu)選地，上述制備方法中，
[0022]在所述柵線和數(shù)據(jù)線上方沉積第一透明導電薄膜，通過構圖工藝，在柵線PAD區(qū)域形成第一柵線配線段、在數(shù)據(jù)線PAD區(qū)域形成第一數(shù)據(jù)線配線段、以及在顯示區(qū)域形成像素電極，所述第一柵線配線段間隔位于相鄰的所述柵線之間，所述第一數(shù)據(jù)線配線段位于相鄰的所述數(shù)據(jù)線之間；
[0023]在以上形成的基板上，由下至上依次形成絕緣層和鈍化層，在所述鈍化層上方沉積第二透明導電薄膜，通過構圖工藝，在柵線PAD區(qū)域形成第二柵線配線段、在數(shù)據(jù)線PAD區(qū)域形成第二數(shù)據(jù)線配線段、以及在顯示區(qū)域形成公共電極，所述第二柵線配線段間隔位于相鄰的所述柵線之間，所述第二數(shù)據(jù)線配線段位于相鄰的所述數(shù)據(jù)線之間；
[0024]所述第一柵線配線段位于所述第二柵線配線段的正下方，所述第一數(shù)據(jù)線配線段位于所述第二數(shù)據(jù)線配線段的正下方。
[0025]優(yōu)選地，上述制備方法中，
[0026]在所述柵線和數(shù)據(jù)線上方沉積第一透明導電薄膜，通過構圖工藝，在柵線PAD區(qū)域形成第一柵線配線段、在數(shù)據(jù)線PAD區(qū)域形成第一數(shù)據(jù)線配線段、以及在顯示區(qū)域形成公共電極，所述第一柵線配線段間隔位于相鄰的所述柵線之間，所述第一數(shù)據(jù)線配線段位于相鄰的所述數(shù)據(jù)線之間；
[0027]在以上形成的基板上，由下至上依次形成絕緣層和鈍化層，在所述鈍化層上方沉積第二透明導電薄膜，通過構圖工藝，在柵線PAD區(qū)域形成第二柵線配線段、在數(shù)據(jù)線PAD區(qū)域形成第二數(shù)據(jù)線配線段、以及在顯示區(qū)域形成像素電極，所述第二柵線配線段間隔位于相鄰的所述柵線之間，所述第二數(shù)據(jù)線配線段位于相鄰的所述數(shù)據(jù)線之間；
[0028]所述第一柵線配線段位于所述第二柵線配線段的正下方，所述第一數(shù)據(jù)線配線段位于所述第二數(shù)據(jù)線配線段的正下方。
[0029]優(yōu)選地，上述制備方法中，
[0030]在襯底上沉積第一金屬薄膜，通過構圖工藝，在顯示區(qū)域形成柵線、以及在數(shù)據(jù)線PAD區(qū)域形成待形成的數(shù)據(jù)線之間的數(shù)據(jù)線配線；
[0031]在第一金屬薄膜上方沉積絕緣層，在絕緣層上沉積第二金屬薄膜，通過構圖工藝，在顯示區(qū)域形成數(shù)據(jù)線、以及在柵線PAD區(qū)域形成所述柵線之間的柵線配線；
[0032]所述數(shù)據(jù)線配線間隔位于相鄰的所述柵線之間，所述柵線配線間隔位于相鄰的所述數(shù)據(jù)線之間。
[0033]進一步地，本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，其包括上述任一項所述的陣列基板。
[0034](三)有益效果
[0035]上述技術方案具有如下優(yōu)點:通過在PAD區(qū)域中形成柵線配線和數(shù)據(jù)線配線，不僅能夠減小斷差，提高此處的抗劃傷性能，而且即使當金屬線被劃傷的時候，與之平行的配線可以作為修復線，通過打孔和沉積互聯(lián)的方法實現(xiàn)對PAD區(qū)配線的修復，既可以不犧牲產(chǎn)品顯示性能又可以提高產(chǎn)品的抗劃傷性能。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0036]圖1是現(xiàn)有技術中數(shù)據(jù)線或柵線PAD區(qū)的金屬配線劃傷的示意圖；
[0037]圖2是現(xiàn)有技術中數(shù)據(jù)線或柵線PAD區(qū)的截面結構示意圖；
[0038]圖3是本發(fā)明實施例1中數(shù)據(jù)線或柵線PAD區(qū)的截面結構示意圖；
[0039]圖4是本發(fā)明實施例2中數(shù)據(jù)線或柵線PAD區(qū)的截面結構示意圖；
[0040]圖5和圖6是本發(fā)明實施例3中數(shù)據(jù)線和柵線PAD區(qū)的截面結構示意圖。
[0041]其中，1:柵線;1，:數(shù)據(jù)線；2:絕緣層；3 =ITO配線；4:第一 ITO ；5:第二 ITO ；6:鈍化層；7:柵線配線；8:數(shù)據(jù)線配線。
【具體實施方式】
[0042]下面結合附圖和實施例，對本發(fā)明的【具體實施方式】作進一步詳細描述。以下實施例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。
[0043]為了提高顯示屏在切割時抗劃傷的能力，以及在劃傷之后能夠進行修復，保證顯示屏的品質(zhì)，本發(fā)明提供一種改進的陣列基板，具體在所述陣列基板的柵線PAD區(qū)域中，相鄰的柵線之間設置與柵線絕緣的柵線配線；所述陣列基板的數(shù)據(jù)線PAD區(qū)域中，相鄰的數(shù)據(jù)線之間設置與數(shù)據(jù)線絕緣的數(shù)據(jù)線配線；所述柵線配線和數(shù)據(jù)線配線均為可導電的配線段。上述陣列基板，通過在PAD區(qū)域中形成柵線配線和數(shù)據(jù)線配線，不僅能夠減小斷差，提高此處的抗劃傷性能，而且即使當金屬線被劃傷的時候，與之平行的配線可以作為修復線，通過打孔和沉積互聯(lián)的方法實現(xiàn)對PAD區(qū)配線的修復，既可以不犧牲產(chǎn)品顯示性能又可以提聞廣品的抗劃傷性能。
[0044]所謂PAD區(qū)域即為壓接區(qū)域，是將柵線、數(shù)據(jù)線等信號線與外部的驅(qū)動電路板的引線壓接的區(qū)域，包括柵線PAD區(qū)域，數(shù)據(jù)線PAD區(qū)域等，PAD區(qū)域位于陣列基板的四個邊中的其中一個或相鄰的兩個邊上，為了將引線和信號線電連接，PAD區(qū)域的信號線上方?jīng)]有絕緣層覆蓋，通常是在信號線上方刻蝕形成連接孔，將信號線暴露或?qū)⑿盘柧€與導電元件連接。
[0045]液晶顯示模式包括很多種，常用的有TN模式和ADS模式，TN(Twist Nematic)模式指扭曲向列型液晶，具體為將涂有透明導電層的兩片玻璃基板間夾上一層正介電異向性液晶，液晶分子沿玻璃表面平行排列，排列方向在上下玻璃之間連續(xù)扭轉(zhuǎn)90°，然后上下各加一偏光片，底面加上反光片，基本就構成了 TN型液晶顯示模式。ADS(ADVanced SuperDimension Switch,簡稱ADS)模式指高級超維場轉(zhuǎn)換技術,就是利用處于同一平面內(nèi)的電極產(chǎn)生的橫向電場使液晶產(chǎn)生偏轉(zhuǎn)來實現(xiàn)圖像顯示的模式。
[0046]實施例1
[0047]如圖3所示，本實施例基于TN模式，提供了一種陣列基板，在陣列基板的PAD區(qū)域，柵線I和數(shù)據(jù)線I’同層形成，柵線I和數(shù)據(jù)線I’上方形成絕緣層2，具體與陣列基板上顯示區(qū)域結構相一致，絕緣層2上實際還形成有鈍化層6，在絕緣層2和鈍化層6上方，分別形成柵線配線和數(shù)據(jù)線配線，在水平面上做投影，柵線配線位于相鄰的柵線I之間，數(shù)據(jù)線配線位于相鄰的數(shù)據(jù)線I’之間。柵線PAD區(qū)域和數(shù)據(jù)線PAD區(qū)域?qū)慕孛鎴D示相同，所以僅通過圖3來表示。
[0048]為了簡化陣列基板的制作工藝，減少掩模工藝的次數(shù)，本實施例優(yōu)選將所述柵線配線和數(shù)據(jù)線配線分別由與像素電極同層同材質(zhì)的透明導電薄膜形成，在形成像素電極時，沉積完透明導電薄膜之后，僅通過一次構圖工藝即可將像素電極和柵線配線、數(shù)據(jù)線配線同時形成。像素電極通常由ITO(氧化銦錫)或IZO(氧化銦鋅)形成，本實施例對應的圖3中柵線配線及數(shù)據(jù)線配線由ITO配線3標示。
[0049]本實施例中，相鄰柵線之間的間距為20?30 μ m，相鄰數(shù)據(jù)線之間的間距為10?20 μ m,考慮到工藝標準所規(guī)定的誤差偏移量應該滿足TP < 3 μ m和關鍵尺寸誤差滿足
0.3 μ m±0.05 μ m,因此相鄰柵線之間的間距設置為20?30 μ m之間，有足夠的間距可以形成ITO配線3，且ITO配線3形成的是線段，不會與柵線或數(shù)據(jù)線的信號形成串擾，而且即使發(fā)生有ITO殘留使得ITO配線段和某一根金屬線相連也無影響，即使發(fā)生ITO使得相鄰兩根柵線短接，在柵線標準測試工序中也可以有效的修復，所以，這種方案不會影響到陣列基板的良率和顯不效果。
[0050]實施例2
[0051]參照圖4所示，本實施例陣列基板基于ADS模式設置，在ADS模式中，像素電極與公共電極同時形成在陣列基板上，像素電極在下方，公共電極在上方，或者像素電極在上方，公共電極在下方。本實施例中，柵線和數(shù)據(jù)線均形成在襯底表面上，與陣列基板上顯示區(qū)域的結構相對應，所述柵線配線包括形成在柵線I上方絕緣層(具體包括絕緣層2和鈍化層6)上的第二柵線配線段，第二柵線配線段間隔布置在相鄰的柵線I之間；所述數(shù)據(jù)線配線包括形成在數(shù)據(jù)線I’上方絕緣層(具體包括絕緣層2和鈍化層6)上的第二數(shù)據(jù)線配線段，第二數(shù)據(jù)線配線段間隔布置在相鄰的數(shù)據(jù)線I’之間；以及與柵線I同層且位于第二柵線配線段正下方由絕緣層覆蓋的第一柵線配線段，即第一柵線配線段與柵線I同層同材質(zhì)設置；所述數(shù)據(jù)線配線還包括與數(shù)據(jù)線I’同層且位于第二數(shù)據(jù)線配線段正下方由絕緣層覆蓋的第一數(shù)據(jù)線配線段，即第一數(shù)據(jù)線配線段與數(shù)據(jù)線I’同層同材質(zhì)設置。
[0052]對應于ADS模式中像素電極在下方，公共電極在上方的顯示區(qū)域結構，所述第一柵線配線段和第一數(shù)據(jù)線配線段由與像素電極同層同材質(zhì)的第一透明導電薄膜形成，如圖4中所標示的第一 ITO配線段4;所述第二柵線配線段和第二數(shù)據(jù)線配線段由與公共電極同層同材質(zhì)的第二透明導電薄膜形成，如圖4中所標示的第二 ITO配線段5 ;第二 ITO配線段5位于第一 ITO配線段4正上方，ITO配線也可以采用IZO配線；對應于ADS模式中像素電極在上方，公共電極在下方的顯示區(qū)域結構，所述第一柵線配線段和第一數(shù)據(jù)線配線段由與公共電極同層同材質(zhì)的第一透明導電薄膜形成，如圖4中所標示的第一 ITO配線段4 ;所述第二柵線配線段和第二數(shù)據(jù)線配線段由與像素電極同層同材質(zhì)的第二透明導電薄膜形成，如圖4中所標示的第二 ITO配線段5 ;第二 ITO配線段5位于第一 ITO配線段4正上方，ITO配線也可以采用IZO配線
[0053]在PAD區(qū)域中，相鄰柵線之間的間距和相鄰數(shù)據(jù)線之間的間距設置與實施例1相同。該結構中，通過第一 ITO配線段4和第二 ITO配線段5，不僅能夠減少斷差，提高此處的抗劃傷性能，還能夠使用配線段對受損的柵線或數(shù)據(jù)線進行修復，保證顯示裝置的顯示品質(zhì)。
[0054]實施例3
[0055]本實施例適用于TN模式和ADS模式，針對PAD區(qū)域中柵線和數(shù)據(jù)線不同層的結構設置，通常情況下，柵線位于底層，數(shù)據(jù)線位于柵線上方，柵線配線由與數(shù)據(jù)線同層的金屬薄膜形成，數(shù)據(jù)線配線由與柵線同層的金屬薄膜形成。如圖5和圖6所示，在形成柵線I時，在形成柵線I的金屬薄膜同時形成待形成數(shù)據(jù)線所需的數(shù)據(jù)線配線8，數(shù)據(jù)線配線8將位于數(shù)據(jù)線I’下方，柵線I和數(shù)據(jù)線配線8形成之后，在其上方形成絕緣層2，在絕緣層2上方形成數(shù)據(jù)線I’和柵線配線7，數(shù)據(jù)線I’間隔位于已形成的相鄰數(shù)據(jù)線配線8之間，柵線配線7間隔位于已形成的相鄰的柵線I之間，在柵線I旁邊形成數(shù)據(jù)線配線8，或在數(shù)據(jù)線I’旁邊形成柵線配線7，這樣不會因為增加的線段(無電流)產(chǎn)生串擾，因為柵線和數(shù)據(jù)線之間間隔絕緣層，因此不會有短接的危險。本實施例的設計方式既簡化了陣列基板的制備工藝，又減少了斷差，提高此處的抗劃傷性能，還能夠使用配線段對受損的柵線或數(shù)據(jù)線進行修復，保證顯示裝置的顯示品質(zhì)。
[0056]基于上述實施例1-3所提供的陣列基板，本發(fā)明還提供一種陣列基板的制備方法，具體為，在陣列基板的柵線PAD區(qū)域由下至上依次形成柵線和絕緣層；在絕緣層上方形成間隔的柵線配線，柵線配線位于相鄰的柵線之間且與柵線平行；在陣列基板的數(shù)據(jù)線PAD區(qū)域由下至上依次形成數(shù)據(jù)線和絕緣層；在絕緣層上方形成間隔的數(shù)據(jù)線配線，數(shù)據(jù)線配線位于相鄰的數(shù)據(jù)線之間且與數(shù)據(jù)線平行；所述柵線配線和數(shù)據(jù)線配線均采用導電材料形成。
[0057]實施例4
[0058]本實施例與實施例1相對應，制備實施例1中所涉及的陣列基板，具體制備方法與現(xiàn)有技術中陣列基板的制備方法相似，本實施例的著重點在于PAD區(qū)域的制備工藝改進，具體步驟為，在襯底上形成柵線和數(shù)據(jù)線，在柵線和數(shù)據(jù)線上方由下至上依次形成絕緣層和鈍化層，在鈍化層上方沉積透明導電薄膜，通過構圖工藝，在顯示區(qū)域形成像素電極、在柵線PAD區(qū)域形成柵線配線、以及在數(shù)據(jù)線PAD區(qū)域形成數(shù)據(jù)線配線。其中，透明導電薄膜可以選用ITO或IZO等。
[0059]借助于像素電極的形成來制備柵線配線和數(shù)據(jù)線配線，可以與像素電極形成使用同一構圖工藝，簡化工藝程序，降低成本，提高制備效率。
[0060]實施例5
[0061]本實施例與實施例2相對應，制備實施例2中所涉及的陣列基板，其中，對應于陣列基板的顯示區(qū)域，像素電極位于公共電極下方時，PAD區(qū)域的形成工藝過程為:在襯底上形成柵線和數(shù)據(jù)線，在柵線和數(shù)據(jù)線上方沉積第一透明導電薄膜，通過構圖工藝，在柵線PAD區(qū)域形成第一柵線配線段、在數(shù)據(jù)線PAD區(qū)域形成第一數(shù)據(jù)線配線段、以及在顯示區(qū)域形成像素電極，其中，第一柵線配線段間隔位于相鄰的柵線之間，第一數(shù)據(jù)線配線段位于相鄰的數(shù)據(jù)線之間；在以上形成的基板上，由下至上依次沉積絕緣層和鈍化層，在鈍化層上方沉積第二透明導電薄膜，通過構圖工藝，在柵線PAD區(qū)域形成第二柵線配線段、在數(shù)據(jù)線PAD區(qū)域形成第二數(shù)據(jù)線配線段、以及在顯示區(qū)域形成公共電極，第二柵線配線段間隔位于相鄰的柵線之間，第二數(shù)據(jù)線配線段位于相鄰的數(shù)據(jù)線之間；所述第一柵線配線段位于第二柵線配線段的正下方，所述第一數(shù)據(jù)線配線段位于第二數(shù)據(jù)線配線段的正下方。
[0062]當像素電極位于公共電極的上方時，PAD區(qū)域的形成過程為:在襯底上形成柵線和數(shù)據(jù)線，在柵線和數(shù)據(jù)線上方沉積第一透明導電薄膜，通過構圖工藝，在柵線PAD區(qū)域形成第一柵線配線段、在數(shù)據(jù)線PAD區(qū)域形成第一數(shù)據(jù)線配線段、以及在顯示區(qū)域形成公共電極，第一柵線配線段間隔位于相鄰的柵線之間，第一數(shù)據(jù)線配線段位于相鄰的數(shù)據(jù)線之間；在以上形成的基板上，在鈍化層上方沉積第二透明導電薄膜，通過構圖工藝，在柵線PAD區(qū)域形成第二柵線配線段、在數(shù)據(jù)線PAD區(qū)域形成第二數(shù)據(jù)線配線段、以及在顯示區(qū)域形成像素電極，第二柵線配線段間隔位于相鄰的柵線之間，第二數(shù)據(jù)線配線段位于相鄰的數(shù)據(jù)線之間；所述第一柵線配線段位于第二柵線配線段的正下方，所述第一數(shù)據(jù)線配線段位于第二數(shù)據(jù)線配線段的正下方。
[0063]本實施例中，柵線配線段和數(shù)據(jù)線配線段可以由ITO或IZO等形成。
[0064]實施例6
[0065]本實施例與實施例3相對應，制備實施例3中所涉及的陣列基板，PAD區(qū)域的具體制備過程為:在襯底上沉積第一金屬薄膜，通過一次構圖工藝，在顯示區(qū)域形成柵線、以及在數(shù)據(jù)線PAD區(qū)域形成待形成的數(shù)據(jù)線之間的數(shù)據(jù)線配線；在第一金屬薄膜上方沉積絕緣層，在絕緣層上沉積第二金屬薄膜，通過構圖工藝，在顯示區(qū)域形成數(shù)據(jù)線、以及在柵線PAD區(qū)域形成所述柵線之間的柵線配線；數(shù)據(jù)線配線間隔位于相鄰的柵線之間，柵線配線間隔位于相鄰的數(shù)據(jù)線之間。
[0066]本實施例所制備的陣列基板適用于TN模式和ADS模式。
[0067]基于以上實施例，本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括上述實施例1-3中任一項所述的陣列基板。本實施例顯示裝置可以為:液晶面板、電子紙、液晶電視、液晶顯示器、數(shù)碼相框、手機、平板電腦等具有任何顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0068]由以上實施例可以看出，本發(fā)明通過在PAD區(qū)域中形成柵線配線和數(shù)據(jù)線配線，不僅能夠減小斷差，提高此處的抗劃傷性能，而且即使當金屬線被劃傷的時候，與之平行的配線可以作為修復線，通過打孔和沉積互聯(lián)的方法實現(xiàn)對PAD區(qū)域配線的修復，既可以不犧牲產(chǎn)品顯示性能又可以提高產(chǎn)品的抗劃傷性能。
[0069]以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應當指出，對于本【技術領域】的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明技術原理的前提下，還可以做出若干改進和替換，這些改進和替換也應視為本發(fā)明的保護范圍。
【權利要求】
1.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板的柵線PAD區(qū)域中，相鄰的柵線之間設置有與柵線平行且絕緣的柵線配線；所述陣列基板的數(shù)據(jù)線PAD區(qū)域中，相鄰的數(shù)據(jù)線之間設置有與數(shù)據(jù)線平行且絕緣的數(shù)據(jù)線配線；所述柵線配線和數(shù)據(jù)線配線均為可導電的配線段。
2.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述柵線配線包括設置在柵線上方絕緣層上的第二柵線配線段，第二柵線配線段間隔布置在相鄰的柵線之間；所述數(shù)據(jù)線配線包括設置在數(shù)據(jù)線上方絕緣層上的第二數(shù)據(jù)線配線段，第二數(shù)據(jù)線配線段間隔布置在相鄰的數(shù)據(jù)線之間；所述絕緣層覆蓋所述柵線和數(shù)據(jù)線。
3.如權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述第二柵線配線段與所述數(shù)據(jù)線同層同材質(zhì)設置，所述第二數(shù)據(jù)線配線段與所述柵線同層同材質(zhì)設置。
4.如權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述柵線配線還包括與柵線同層且位于第二柵線配線段正下方由所述絕緣層覆蓋的第一柵線配線段；所述數(shù)據(jù)線配線還包括與數(shù)據(jù)線同層且位于第二數(shù)據(jù)線配線段正下方由所述絕緣層覆蓋的第一數(shù)據(jù)線配線段。
5.如權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括像素電極，所述第二柵線配線段和第二數(shù)據(jù)線配線段分別與所述像素電極同層同材質(zhì)設置。
6.如權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括公共電極和像素電極，所述第二柵線配線段和第二數(shù)據(jù)線配線段與所述像素電極同層同材質(zhì)設置，所述第一柵線配線段和第一數(shù)據(jù)線配線段與所述公共電極同層同材質(zhì)設置，所述像素電極位于所述公共電極正上方； 或者，所述第二柵線配線段和第二數(shù)據(jù)線配線段與所述公共電極同層同材質(zhì)設置，所述第一柵線配線段和第一數(shù)據(jù)線配線段與所述像素電極同層同材質(zhì)設置，所述公共電極位于所述像素電極正上方。
7.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，相鄰柵線之間的間距為20~30μ m，相鄰數(shù)據(jù)線之間的間距為10~20 μ m。
8.—種陣列基板的制備方法，其特征在于， 在陣列基板的柵線PAD區(qū)域由下至上依次形成柵線和絕緣層； 在絕緣層上方形成間隔的柵線配線，柵線配線位于相鄰的柵線之間且與柵線平行； 在陣列基板的數(shù)據(jù)線PAD區(qū)域由下至上依次形成數(shù)據(jù)線和絕緣層； 在絕緣層上方形成間隔的數(shù)據(jù)線配線，數(shù)據(jù)線配線位于相鄰的數(shù)據(jù)線之間且與數(shù)據(jù)線平行； 所述柵線配線和數(shù)據(jù)線配線均采用導電材料形成。
9.如權利要求8所述的制備方法，其特征在于， 在所述柵線和數(shù)據(jù)線上方沉積第一透明導電薄膜，通過構圖工藝，在柵線PAD區(qū)域形成第一柵線配線段、在數(shù)據(jù)線PAD區(qū)域形成第一數(shù)據(jù)線配線段、以及在顯示區(qū)域形成像素電極，所述第一柵線配線段間隔位于相鄰的所述柵線之間，所述第一數(shù)據(jù)線配線段位于相鄰的所述數(shù)據(jù)線之間； 在以上形成的基板上，由下至上依次形成絕緣層和鈍化層，在所述鈍化層上方沉積第二透明導電薄膜，通過構圖工藝，在柵線PAD區(qū)域形成第二柵線配線段、在數(shù)據(jù)線PAD區(qū)域形成第二數(shù)據(jù)線配線段、以及在顯示區(qū)域形成公共電極，所述第二柵線配線段間隔位于相鄰的所述柵線之間，所述第二數(shù)據(jù)線配線段位于相鄰的所述數(shù)據(jù)線之間； 所述第一柵線配線段位于所述第二柵線配線段的正下方，所述第一數(shù)據(jù)線配線段位于所述第二數(shù)據(jù)線配線段的正下方。
10.如權利要求8所述的制備方法，其特征在于， 在所述柵線和數(shù)據(jù)線上方沉積第一透明導電薄膜，通過構圖工藝，在柵線PAD區(qū)域形成第一柵線配線段、在數(shù)據(jù)線PAD區(qū)域形成第一數(shù)據(jù)線配線段、以及在顯示區(qū)域形成公共電極，所述第一柵線配線段間隔位于相鄰的所述柵線之間，所述第一數(shù)據(jù)線配線段位于相鄰的所述數(shù)據(jù)線之間； 在以上形成的基板上，由下至上依次形成絕緣層和鈍化層，在所述鈍化層上方沉積第二透明導電薄膜，通過構圖工藝，在柵線PAD區(qū)域形成第二柵線配線段、在數(shù)據(jù)線PAD區(qū)域形成第二數(shù)據(jù)線配線段、以及在顯示區(qū)域形成像素電極，所述第二柵線配線段間隔位于相鄰的所述柵線之間，所述第二數(shù)據(jù)線配線段位于相鄰的所述數(shù)據(jù)線之間； 所述第一柵線配線段位于所述第二柵線配線段的正下方，所述第一數(shù)據(jù)線配線段位于所述第二數(shù)據(jù)線配線段的正下方。
11.如權利要求8所述的制備方法，其特征在于， 在襯底上沉積第一金屬薄膜，通過構圖工藝，在顯示區(qū)域形成柵線、以及在數(shù)據(jù)線PAD區(qū)域形成待形成的數(shù)據(jù)線之間的數(shù)據(jù)線配線； 在第一金屬薄膜上方沉積絕緣層，在絕緣層上沉積第二金屬薄膜，通過構圖工藝，在顯示區(qū)域形成數(shù)據(jù)線、以及在柵線PAD區(qū)域形成所述柵線之間的柵線配線； 所述數(shù)據(jù)線配線間隔位于相鄰的所述柵線之間，所述柵線配線間隔位于相鄰的所述數(shù)據(jù)線之間。
12.—種顯示裝置，其特征在于，包括上述權利要求1-7中任一項所述的陣列基板。
【文檔編號】H01L27/12GK103956365SQ201410183395
【公開日】2014年7月30日 申請日期:2014年4月30日 優(yōu)先權日:2014年4月30日
【發(fā)明者】劉曉偉, 陳曦, 蔡振飛, 劉耀, 李梁梁, 郭總杰 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 北京京東方顯示技術有限公司