主動(dòng)基板以及顯示面板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種主動(dòng)基板以及顯示面板，該主動(dòng)基板包括一基底、一下電極、一絕緣層、一鈍化層以及一上電極。下電極設(shè)置于基底上。絕緣層設(shè)置于下電極上，且絕緣層具有一凹陷。鈍化層設(shè)置于絕緣層上，且鈍化層具有一穿孔，對(duì)應(yīng)凹陷設(shè)置。上電極設(shè)置于鈍化層上，且通過(guò)穿孔延伸至凹陷的底部，其中下電極、絕緣層、鈍化層以及上電極構(gòu)成一儲(chǔ)存電容。
【專利說(shuō)明】主動(dòng)基板以及顯示面板
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明關(guān)于一種主動(dòng)基板以及顯示面板，尤指一種具有低功率與窄邊框的主動(dòng)基板與顯示面板。
【背景技術(shù)】
[0002]由于液晶顯示面板具有外型輕薄、耗電量少以及無(wú)輻射污染等特性，故已成為目前顯示器的主流商品，并廣泛地被應(yīng)用于各式電子裝置中。傳統(tǒng)液晶顯示面板由一主動(dòng)基板、一彩色濾光片基板以及一液晶層所構(gòu)成。其中，主動(dòng)基板是由多個(gè)陣列排列的薄膜晶體管與相對(duì)應(yīng)的像素電極所組成，且薄膜晶體管作為像素單元的開關(guān)元件，而為了控制個(gè)別的像素單元，主動(dòng)基板會(huì)配置掃描線與數(shù)據(jù)線來(lái)傳送開關(guān)與電壓信號(hào)，以顯示出所欲的畫面。
[0003]于傳統(tǒng)液晶顯示面板中，薄膜晶體管是使用非晶硅作為其通道層的材料，使薄膜晶體管可具有開關(guān)功能。不過(guò)，非晶硅的載子濃度與遷移率低，在縮減薄膜晶體管的尺寸時(shí)，容易導(dǎo)致薄膜晶體管的驅(qū)動(dòng)速度不佳的情況。為此，通過(guò)氧化物半導(dǎo)體材料的遷移率高于非晶硅的遷移率的特性，目前已發(fā)展出利用氧化物半導(dǎo)體材料作為薄膜晶體管的通道層。
[0004]于現(xiàn)有氧化物晶體管中，柵極絕緣層的材料是使用氧化硅(SiOx)，相較于薄膜晶體管使用氮化硅(SiNx)作為柵極絕緣層而言，由于氧化硅具有較低的介電系數(shù)，因此可降低主動(dòng)基板中的寄生電容，進(jìn)而減少液晶顯示面板的驅(qū)動(dòng)負(fù)載與免除不必要的耦合電容。然而，主動(dòng)基板的周邊電路中含有電容，且電容的一部份介電層是設(shè)計(jì)為柵極絕緣層，因此當(dāng)周邊電路的電容值的設(shè)計(jì)維持不變時(shí)，電容的面積需被增加，使得液晶顯示面板的邊框?qū)挾茸儗挕Ａ硗?，?dāng)通過(guò)提升柵極絕緣層的介電系數(shù)來(lái)降低電容的面積時(shí)，氧化物晶體管的寄生電容會(huì)提升，進(jìn)而增加液晶顯示面板的驅(qū)動(dòng)負(fù)載以及不必要的耦合電容。由此可知，現(xiàn)有主動(dòng)基板的設(shè)計(jì)無(wú)法同時(shí)縮小邊框?qū)挾扰c降低驅(qū)動(dòng)負(fù)載。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的主要目的在于提供一種主動(dòng)基板與顯示面板，以縮小邊框?qū)挾?，且降低?qū)動(dòng)負(fù)載。
[0006]為達(dá)上述的目的，本發(fā)明提供一種主動(dòng)基板，其包括一基底、一下電極、一第一絕緣層、一鈍化層以及一上電極。下電極設(shè)置于基底上。第一絕緣層設(shè)置于下電極上，且第一絕緣層具有一凹陷。鈍化層設(shè)置于第一絕緣層上，且鈍化層具有一第一穿孔，對(duì)應(yīng)凹陷設(shè)置。上電極設(shè)置于鈍化層上，且通過(guò)第一穿孔延伸至凹陷的底部，其中下電極、第一絕緣層、鈍化層以及上電極構(gòu)成一儲(chǔ)存電容。
[0007]為達(dá)上述的目的，本發(fā)明另提供一種主動(dòng)基板，其包括一基底、一下電極、一第一絕緣層、一第一半導(dǎo)體層、一鈍化層以及一上電極。下電極設(shè)置于基底上，且第一絕緣層設(shè)置于下電極上。第一半導(dǎo)體層設(shè)置于第一絕緣層上。鈍化層設(shè)置于第一絕緣層與第一半導(dǎo)體層上，且鈍化層具有一第一穿孔，暴露出第一半導(dǎo)體層。上電極設(shè)置于鈍化層上，且通過(guò)第一穿孔與第一半導(dǎo)體層電性連接，其中下電極、第一絕緣層、鈍化層以及上電極構(gòu)成一儲(chǔ)存電容。
[0008]于本發(fā)明的主動(dòng)基板中，在第一絕緣層調(diào)整至具有低介電常數(shù)的情況下，儲(chǔ)存電容仍可在不改變電容值的情況下通過(guò)縮小凹陷底部與第一絕緣層的下表面之間的間距來(lái)縮小其面積，因此主動(dòng)基板可同時(shí)兼具低消耗功率以及低儲(chǔ)存電容面積的優(yōu)點(diǎn)，進(jìn)而可縮減顯示面板的邊框?qū)挾取?br> 【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0009]圖1至圖4為本發(fā)明第一實(shí)施例的主動(dòng)基板的制作方法示意圖；
[0010]圖5至圖8為本發(fā)明第二實(shí)施例的主動(dòng)基板的制作方法示意圖；
[0011]圖9為本發(fā)明一第二實(shí)施例的主動(dòng)基板的俯視不意圖；
[0012]圖10為本發(fā)明一實(shí)施例的顯示面板的剖面示意圖。
[0013]其中，附圖標(biāo)記:
[0014]100、200、300 主動(dòng)基板102基底
[0015]104 第一金屬圖案層104a下電極
[0016]104b 第一接墊104c柵極
[0017]106 第一絕緣層106a第四穿孔
[0018]106b 凹陷108半導(dǎo)體層
[0019]110 鈍化層IlOa第三穿孔
[0020]IlOb 第二穿孔IlOc第一穿孔
[0021]112 第二絕緣層112a第五穿孔
[0022]114 第二金屬圖案層114a上電極
[0023]114b 第二接墊114c源極
[0024]114d 漏極202半導(dǎo)體圖案層
[0025]202a 第一半導(dǎo)體層202b第二半導(dǎo)體層
[0026]300a 顯示區(qū)300b周邊區(qū)
[0027]302 移位暫存器304電位移轉(zhuǎn)器
[0028]306 像素結(jié)構(gòu)308像素電極
[0029]400 顯示面板402主動(dòng)基板
[0030]404 顯示介質(zhì)層406上基板
[0031]C1、C2 儲(chǔ)存電容Cstl第一儲(chǔ)存電容
[0032]Cst2 第二儲(chǔ)存電容Cst3第三儲(chǔ)存電容
[0033]D 深度Tl最大厚度
[0034]T2、T3、T4 厚度Tr薄膜晶體管
[0035]Trl 第一薄膜晶體管Tr2第二薄膜晶體管
[0036]Tr3 第三薄膜晶體管W寬度
[0037]G 間距【具體實(shí)施方式】
[0038]為使熟習(xí)本發(fā)明所屬【技術(shù)領(lǐng)域】的一般技藝者能更進(jìn)一步了解本發(fā)明，下文特列舉本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并配合所附圖式，詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的構(gòu)成內(nèi)容及所欲達(dá)成的功效。
[0039]請(qǐng)參考圖1至圖4，圖1至圖4為本發(fā)明第一實(shí)施例的主動(dòng)基板的制作方法示意圖，其中圖4為本發(fā)明第一實(shí)施例的主動(dòng)基板的結(jié)構(gòu)示意圖。為了清楚顯示本實(shí)施例的主動(dòng)基板的制作方法，僅顯示出單一薄膜晶體管、單一儲(chǔ)存電容與單一接墊結(jié)構(gòu)的制作方法，但本發(fā)明并不以此為限，且本發(fā)明的其他薄膜晶體管、儲(chǔ)存電容與接墊結(jié)構(gòu)亦可使用相同的制作方法。如圖1所示，首先提供基底102。接著，于基底102上形成第一金屬圖案層104，其中第一金屬圖案層104包括下電極104a、第一接墊104b以及柵極104c。之后，依序于第一金屬圖案層104上形成一第一絕緣層106、一半導(dǎo)體層108以及一鈍化層110，其中第一絕緣層106覆蓋第一金屬圖案層104與基底102，且半導(dǎo)體層108對(duì)應(yīng)柵極104c設(shè)置，并位于柵極104c正上方,而鈍化層110覆蓋半導(dǎo)體層108與第一絕緣層106。于本實(shí)施例中，形成第一金屬圖案層104的步驟與形成第一絕緣層106的步驟之間可選擇性于第一金屬圖案層104與第一絕緣層106之間形成第二絕緣層112，且第二絕緣層112覆蓋第一金屬圖案層104與基底102。并且，第一絕緣層106的最大厚度Tl，即尚未被蝕刻時(shí)的厚度，與第二絕緣層112的厚度T2的總和大于鈍化層110的厚度T3，且第一絕緣層106的最大厚度Tl大于第二絕緣層112的厚度T2。舉例來(lái)說(shuō)，第一絕緣層106的最大厚度Tl可為1500埃至6000埃，較佳為2500埃至4500埃，第二絕緣層112的厚度T2可為100埃至3000埃，較佳為300埃至1000埃，鈍化層110的厚度可為100埃至3000埃，且半導(dǎo)體層108的厚度可為50埃至2000埃，較佳為200埃至600埃，但不以上述為限。再者，第一絕緣層106的介電常數(shù)小于第二絕緣層112的介電常數(shù)。舉例來(lái)說(shuō)，第一絕緣層106的材料可包括氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiNxOy)或氧化鋁(AlOx)，且第二絕緣層112的材料可包括氮化硅(SiNx)、氮氧化娃(SiNxOy)、氧化招(AlOx)、氧化鉿(HfOx)或氧化錯(cuò)(ZrOx)。鈍化層110的材料可包括氧化硅或氮氧化硅(SiNxOy)，且半導(dǎo)體層108的材料可包括氧化物半導(dǎo)體，且氧化物半導(dǎo)體可為包含銦、鋅、錫、鎵或上述元素組合的氧化物或氮氧化物，例如:氧化銦鎵鋅(IGZO)、氧化銦錫鋅(ITZO)、氧化鋅(ZnO)或氮氧化鋅(ZnOxNy)。為了清楚說(shuō)明本實(shí)施例的主動(dòng)基板100的制作方法，于形成鈍化層110之后的步驟是以具有第二絕緣層112的結(jié)構(gòu)來(lái)做描述，但本發(fā)明不限于此。于其他實(shí)施例中，于第一金屬圖案層與第一絕緣層之間亦可不具有第二絕緣層。
[0040]隨后，如圖2所示，對(duì)鈍化層110進(jìn)行第一微影暨蝕刻制程，以于第一接墊104b上的鈍化層110中形成一第三穿孔110a，且于半導(dǎo)體層108上的鈍化層110中形成二第二穿孔110b，其中第三穿孔IlOa舉例是暴露出第一絕緣層106的部份上表面，而各第二穿孔IlOb舉例是暴露出半導(dǎo)體層108的部份上表面。
[0041]然后，如圖3所示，進(jìn)行第二微影暨蝕刻制程，以于第三穿孔IlOa所暴露出的第一絕緣層106中形成一第四穿孔106a，并于第四穿孔106a所暴露出的第二絕緣層112中形成一第五穿孔112a，使第一接墊104b被暴露出來(lái)，且下電極104a上的鈍化層110與第一絕緣層106同時(shí)會(huì)被蝕刻，進(jìn)而分別于鈍化層110與第一絕緣層106中形成一第一穿孔IlOc與一凹陷106b，使第一穿孔IlOc與凹陷106b對(duì)應(yīng)下電極104a設(shè)置。由于第一絕緣層106的最大厚度Tl與第二絕緣層112的厚度T2的總和大于鈍化層110的厚度T3，因此當(dāng)鈍化層110被蝕穿之后，下電極104a上的第一絕緣層106與第二絕緣層112尚未被蝕穿。所以，于形成第四穿孔106a與第五穿孔112a的步驟中，第一絕緣層106會(huì)繼續(xù)被蝕刻，直到對(duì)應(yīng)第一接墊104b的第一絕緣層106與第二絕緣層112被蝕穿才停止，因此第一穿孔IlOc可對(duì)應(yīng)凹陷106b設(shè)置。于本實(shí)施例中，對(duì)應(yīng)第一穿孔IlOc的殘留的第一絕緣層106的厚度，即凹陷106b的底部與第一絕緣層106的下表面之間的垂直間距G，與第二絕緣層的厚度T2的總和可介于鈍化層110的厚度的50%與150%之間，例如:為500埃至3500埃，較佳為1500埃至2500埃的70%與130%之間。并且，凹陷106b的深度D與鈍化層110的厚度T3的總和可介于第一絕緣層106的最大厚度Tl與第二絕緣層112的厚度T2的總和的50%與150%之間，例如:1500埃至5000埃。本發(fā)明并不限于上述，且本發(fā)明的凹陷106b的深度D或?qū)?yīng)第一穿孔IlOc的殘留的第一絕緣層106的厚度可通過(guò)調(diào)整蝕刻制程的蝕刻條件來(lái)達(dá)到。
[0042]接著，如圖4所示，于鈍化層110上形成一金屬層(未標(biāo)示)，且對(duì)金屬層圖案化，以形成一第二金屬圖案層114,其中第二金屬圖案層114包括一上電極114a、一第二接墊114b、一源極114c以及一漏極114d。至此便完成本實(shí)施例的主動(dòng)基板100。
[0043]于本實(shí)施例中，上電極114a對(duì)應(yīng)下電極104a設(shè)置，并通過(guò)鈍化層110的第一穿孔IlOc延伸至第一絕緣層106的凹陷106b底部。因此,上電極114a、下電極104a以及位于凹陷106b內(nèi)的上電極114a與下電極104a之間的第一絕緣層106與第二絕緣層112可構(gòu)成儲(chǔ)存電容C，且位于凹陷106b內(nèi)的上電極114a與下電極104a之間的第一絕緣層106與第二絕緣層112可作為儲(chǔ)存電容Cl的介電層。另外，第二接墊114b對(duì)應(yīng)第一接墊104b設(shè)置，并通過(guò)第三穿孔110a、第四穿孔106a以及第五穿孔112a與第一接墊104b電性連接。并且，源極114c與漏極114d對(duì)應(yīng)半導(dǎo)體層108設(shè)置，并分別通過(guò)各第二穿孔IlOb與半導(dǎo)體層108電性連接，使得柵極104c、第一絕緣層106、第二絕緣層112、半導(dǎo)體層108、源極114c以及漏極114d構(gòu)成薄膜晶體管Tr。其中，第一絕緣層106與第二絕緣層112作為薄膜晶體管Tr的柵極絕緣層。
[0044]值得說(shuō)明的是，由于第一絕緣層106的最大厚度Tl大于第二絕緣層112的厚度T2，且第一絕緣層106的介電常數(shù)小于第二絕緣層112的介電常數(shù)，因此柵極絕緣層的介電常數(shù)可被降低至接近第一絕緣層106的介電常數(shù)，以進(jìn)而降低薄膜晶體管Tr的寄生電容，且減少主動(dòng)基板100的驅(qū)動(dòng)負(fù)載與免除不必要的耦合電容。再者，盡管為了降低主動(dòng)基板100的驅(qū)動(dòng)負(fù)載而需固定第一絕緣層106的最大厚度Tl與介電常數(shù)以及第二絕緣層112的厚度T2與介電常數(shù)，本實(shí)施例的儲(chǔ)存電容Cl仍可在不改變電容值的情況下通過(guò)縮小凹陷106b底部與第一絕緣層106的下表面之間的間距來(lái)縮小其面積大小。如此一來(lái)，本實(shí)施例的主動(dòng)基板100可同時(shí)兼具低消耗功率以及低儲(chǔ)存電容面積的優(yōu)點(diǎn)。于其他實(shí)施例中，主動(dòng)基板亦可不包括第二絕緣層。
[0045]于其他實(shí)施例中，主動(dòng)基板可不包括第二絕緣層，使得儲(chǔ)存電容是由上電極、下電極以及位于凹陷內(nèi)的上電極與下電極之間的第一絕緣層所構(gòu)成，且薄膜晶體管是由柵極、第一絕緣層、半導(dǎo)體層、源極以及漏極所構(gòu)成。
[0046]本發(fā)明的主動(dòng)基板與其制作方法并不以上述實(shí)施例為限。下文將繼續(xù)揭示本發(fā)明的其它實(shí)施例或變化形，然為了簡(jiǎn)化說(shuō)明并突顯各實(shí)施例或變化形之間的差異，下文中使用相同標(biāo)號(hào)標(biāo)注相同元件，并不再對(duì)重復(fù)部份作贅述。[0047]請(qǐng)參考圖5至圖8，圖5至圖8為本發(fā)明第二實(shí)施例的主動(dòng)基板的制作方法示意圖，其中圖8為本發(fā)明第二實(shí)施例的主動(dòng)基板的結(jié)構(gòu)示意圖。相較于第一實(shí)施例，本實(shí)施例制作主動(dòng)基板200的方法于形成第一絕緣層106的步驟以及其之前的步驟與第一實(shí)施例相同，因此在此不多做贅述。如圖5所示，于形成第一絕緣層106之后，于第一絕緣層106上形成一半導(dǎo)體圖案層202，使得半導(dǎo)體圖案層202包括一第一半導(dǎo)體層202a以及一第二半導(dǎo)體層202b，其中第一半導(dǎo)體層202a對(duì)應(yīng)下電極104a設(shè)置，且第二半導(dǎo)體層202b對(duì)應(yīng)柵極104c設(shè)置。隨后，于半導(dǎo)體圖案層202以及第一絕緣層106上形成鈍化層110。于本實(shí)施例中，形成第一金屬圖案層104的步驟與形成第一絕緣層106的步驟之間亦可選擇性于第一金屬圖案層104與第一絕緣層106之間形成第二絕緣層112，且第二絕緣層112覆蓋第一金屬圖案層104與基底102。并且，第一絕緣層106的最大厚度Tl，即尚未被蝕刻時(shí)的厚度，與第二絕緣層112的厚度T2的總和大于鈍化層110的厚度T3，且第一絕緣層106的最大厚度Tl大于第二絕緣層112的厚度T2。舉例來(lái)說(shuō)，第一絕緣層106的最大厚度Tl可為1500埃至6000埃，較佳為2500埃至4500埃，且第二絕緣層112的厚度T2可為100埃至3000埃，而鈍化層110的厚度可為100埃至3000埃，半導(dǎo)體圖案層202的厚度T4可為50埃至2000埃，較佳為200埃至600埃，但不以此為限。再者，第一絕緣層106的介電常數(shù)小于第二絕緣層112的介電常數(shù)。舉例來(lái)說(shuō)，第一絕緣層106的材料可包括氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiNxOy)或氧化鋁(AlOx)，且第二絕緣層112的材料可包括氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiNxOy)、氧化鋁(AlOx)或、氧化鉿(HfOx)或氧化鋯(ZrOx)。半導(dǎo)體圖案層202的材料可包括氧化物半導(dǎo)體，且氧化物半導(dǎo)體可為包含銦、鋅、錫、鎵或上述元素組合的氧化物或氮氧化物，例如:銦鎵鋅氧化物(IGZO)、銦錫鋅氧化物(ITZO)、氧化鋅(ZnO)或氮氧化鋅(ZnOxNy),且鈍化層110的材料可包括氧化娃(SiOx)或氮氧化娃(SiNxOy)。為了清楚說(shuō)明本實(shí)施例的主動(dòng)基板的制作方法，于形成鈍化層110之后的步驟是以形成有第二絕緣層112的結(jié)構(gòu)來(lái)做描述，但本發(fā)明不限于此。于其他實(shí)施例中，于第一金屬圖案層與第一絕緣層之間亦可不形成有第二絕緣層。
[0048]接著，如圖6所示，對(duì)鈍化層110進(jìn)行第一微影暨蝕刻制程，于鈍化層110中形成第一穿孔110C、第二穿孔IlOb以及第三穿孔110a。第一穿孔IlOc對(duì)應(yīng)第一半導(dǎo)體層202a設(shè)置，并暴露出第一半導(dǎo)體層202a。第二穿孔IlOb對(duì)應(yīng)第二半導(dǎo)體層202b設(shè)置，并暴露出第二半導(dǎo)體層202b。第三穿孔IlOa對(duì)應(yīng)第一接墊104b設(shè)置，并暴露出第一絕緣層106。
[0049]然后，如圖7所示，對(duì)第一絕緣層106進(jìn)行第二微影暨蝕刻制程，以于第三穿孔IlOa所暴露出的第一絕緣層106中形成第四穿孔106a，并于第四穿孔106a所暴露出的第二絕緣層112中形成第五穿孔112a，使第一接墊104b被暴露出。
[0050]接著，如圖8所示，于鈍化層110上形成金屬層(未標(biāo)示)，且對(duì)金屬層圖案化，以形成第二金屬圖案層114，其中第二金屬圖案層114包括上電極114a、第二接墊114b、源極114c以及漏極114d。至此便完成本實(shí)施例的主動(dòng)基板200。于本實(shí)施例中，上電極114a設(shè)置于對(duì)應(yīng)第一半導(dǎo)體層202a的鈍化層110上，并通過(guò)鈍化層110的第一穿孔IlOc延伸至與第一半導(dǎo)體層202a電性連接，使得下電極104a、第一絕緣層106、第二絕緣層112、第一半導(dǎo)體層202a以及上電極114a可構(gòu)成儲(chǔ)存電容C2。第二接墊114設(shè)置于鈍化層110上，并通過(guò)鈍化層110的第三穿孔110a、第一絕緣層106的第四穿孔106a以及第二絕緣層112的第五穿孔112a與第一接墊104b電性連接。源極104c與漏極104d設(shè)置于對(duì)應(yīng)第二半導(dǎo)體層202b的鈍化層110上，并分別通過(guò)各第二穿孔IlOb與第二半導(dǎo)體層202b電性連接，使得柵極104c、第一絕緣層106、第二絕緣層112、第二半導(dǎo)體層202b、源極104c以及漏極104d可構(gòu)成薄膜晶體管Tr。
[0051]于其他實(shí)施例中，主動(dòng)基板可不包括第二絕緣層，使得儲(chǔ)存電容是由下電極、第一絕緣層、第一半導(dǎo)體層以及上電極所構(gòu)成，且薄膜晶體管是由柵極、第一絕緣層、第二半導(dǎo)體層、源極以及漏極所構(gòu)成。
[0052]請(qǐng)參考圖9,圖9為本發(fā)明一第二實(shí)施例的主動(dòng)基板的俯視不意圖。如圖9所不，本實(shí)施例的主動(dòng)基板300可具有顯示區(qū)300a與圍繞顯示區(qū)300a的周邊區(qū)300b。并且，主動(dòng)基板300包括至少一移位暫存器(shift register) 302、一電位移轉(zhuǎn)器(level shifter) 304以及至少一像素結(jié)構(gòu)306。移位暫存器302與電位移轉(zhuǎn)器304設(shè)置于周邊區(qū)300b內(nèi)，且像素結(jié)構(gòu)306設(shè)置于顯示區(qū)300a內(nèi)。移位暫存器302的一部份可由至少一第一薄膜晶體管Trl與至少一第一儲(chǔ)存電容Cstl所構(gòu)成。電位移轉(zhuǎn)器304的一部份可由至少一第二薄膜晶體管Tr2與至少一第二儲(chǔ)存電容Cst2所構(gòu)成。像素結(jié)構(gòu)306可由至少一第三薄膜晶體管Tr3、至少一第三儲(chǔ)存電容Cst3以及至少一像素電極308所構(gòu)成。于本實(shí)施例中，第一薄膜晶體管Trl、第二薄膜晶體管Tr2與第三薄膜晶體管Tr3的至少一者可分別為第一實(shí)施例的圖4所示的薄膜晶體管Tr結(jié)構(gòu)或第二實(shí)施例的圖8所示的薄膜晶體管Tr結(jié)構(gòu)，且第一儲(chǔ)存電容Cstl、第二儲(chǔ)存電容Cst2與第三儲(chǔ)存電容Cst3的至少一者可分別為第一實(shí)施例的圖4所示的儲(chǔ)存電容Cl結(jié)構(gòu)或第二實(shí)施例的圖8所示的儲(chǔ)存電容C2結(jié)構(gòu)，因此在此不多做贅述。
[0053]值得注意的是，由于第一儲(chǔ)存電容Cstl與第二儲(chǔ)存電容Cst2的至少一者可在不改變電容值的情況下通過(guò)縮小凹陷106b底部與第一絕緣層106的下表面之間的間距來(lái)縮小其所占面積，因此可降低用于設(shè)置第一儲(chǔ)存電容Cstl與第二儲(chǔ)存電容Cst2的至少一者的空間。藉此，周邊區(qū)300b的寬度W，即顯示區(qū)300b與基底102側(cè)邊之間的間距，可被縮減，寬度W依照顯示面板的尺寸大小舉例可為0.4毫米至2.5毫米或0.8毫米至1.3毫米(小尺寸)或I毫米至5毫米(大尺寸)，使得應(yīng)用本實(shí)施例的主動(dòng)基板300的顯示面板可有效地縮減邊框的寬度。并且，當(dāng)?shù)谌齼?chǔ)存電容Cst3通過(guò)縮小凹陷106b底部與第一絕緣層106的下表面之間的間距來(lái)縮小其面積時(shí)，像素結(jié)構(gòu)306的范圍亦可被縮小，使單位面積的像素結(jié)構(gòu)306的數(shù)量，即解析度，得以增加。
[0054]請(qǐng)參考圖10，且一并參考圖9。圖10為本發(fā)明一實(shí)施例的顯示面板的剖面示意圖。如圖10所示,本實(shí)施例的顯示面板400可包括主動(dòng)基板402、顯示介質(zhì)層404與上基板406。主動(dòng)基板402可為上述任一實(shí)施例的主動(dòng)基板，因此在此不多作贅述。顯示介質(zhì)層404可為液晶層，但不限于此。本發(fā)明的顯示面板400可為任一種主動(dòng)陣列顯示面板，例如:液晶顯示面板、有機(jī)發(fā)光二極體顯示面板、電泳顯示面板或電致變色顯示面板等。
[0055]綜上所述，于本發(fā)明的主動(dòng)基板中，在柵極絕緣層調(diào)整至具有低介電常數(shù)的情況下，儲(chǔ)存電容仍可在不改變電容值的情況下通過(guò)縮小凹陷底部與第一絕緣層的下表面之間的間距來(lái)縮小其面積，因此主動(dòng)基板可同時(shí)兼具低消耗功率以及低儲(chǔ)存電容面積的優(yōu)點(diǎn)，進(jìn)而可縮減顯示面板的邊框?qū)挾取?br> [0056]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，凡依本發(fā)明申請(qǐng)專利范圍所做的均等變化與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種主動(dòng)基板，其特征在于，包括: 一基底; 一下電極，設(shè)置于該基底上； 一第一絕緣層，設(shè)置于該下電極上，且該第一絕緣層具有一凹陷； 一鈍化層，設(shè)置于該第一絕緣層上，且該鈍化層具有一第一穿孔，對(duì)應(yīng)該凹陷設(shè)置；以及 一上電極，設(shè)置于該鈍化層上，且通過(guò)該第一穿孔延伸至該凹陷的底部，其中該下電極、該第一絕緣層以及該上電極構(gòu)成一儲(chǔ)存電容。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的主動(dòng)基板，其特征在于，另包括: 一柵極，設(shè)置于該基底上，其中該第一絕緣層覆蓋該柵極； 一半導(dǎo)體層，設(shè)置于該第一絕緣層上，并對(duì)應(yīng)該柵極設(shè)置，其中該鈍化層設(shè)置于該半導(dǎo)體層上，且具有二第二穿孔，分別暴露出該半導(dǎo)體層；以及 一源極與一漏極，設(shè)置于該鈍化層上，且該源極與該漏極分別通過(guò)各該第二穿孔與該半導(dǎo)體層電性連接，其中該柵極、該第一絕緣層、該半導(dǎo)體層、該源極以及該漏極構(gòu)成一薄膜晶體管。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的主動(dòng)基板，其特征在于，該基底具有一顯示區(qū)與一圍繞該顯示區(qū)的周邊區(qū)，且該薄膜晶體管與該儲(chǔ)存電容位于該周邊區(qū)內(nèi)以構(gòu)成一移位暫存器的一部份或一電位移轉(zhuǎn)器的一部份。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的主動(dòng)基板，其特征在于，該基底具有一顯示區(qū)與一圍繞該顯示區(qū)的周邊區(qū)，該主動(dòng)基板更包含一像素電極，且該像素電極、該薄膜晶體管與該儲(chǔ)存電容位于該顯示區(qū)內(nèi)以構(gòu)成一像素結(jié)構(gòu)的一部份。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的主動(dòng)基板，其特征在于，該儲(chǔ)存電容另包括一第二絕緣層，設(shè)置于該第一絕緣層與該下電極之間，且該第一絕緣層的最大厚度大于該第二絕緣層的厚度，其中該第一絕緣層的介電常數(shù)小于該第二絕緣層的介電常數(shù)，其中該凹陷的底部與該第一絕緣層的下表面之間的間距以及該第二絕緣層的厚度的總和介于該鈍化層的厚度的50%與150%之間，且該凹陷的底部與該第一絕緣層的下表面之間的間距以及該第二絕緣層的厚度的總和為500埃至3500埃。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的主動(dòng)基板，其特征在于，該第一絕緣層的材料包括氧化硅、氮氧化硅或氧化鋁，且該鈍化層的材料包括氧化硅或氮氧化硅。
7.—種主動(dòng)基板，其特征在于，包括: 一基底; 一下電極，設(shè)置于該基底上； 一第一絕緣層，設(shè)置于該下電極上； 一第一半導(dǎo)體層，設(shè)置于該第一絕緣層上； 一鈍化層，設(shè)置于該第一絕緣層與該第一半導(dǎo)體層上，且該鈍化層具有一第一穿孔，暴露出該第一半導(dǎo)體層；以及 一上電極，設(shè)置于該鈍化層上，且通過(guò)該第一穿孔與該第一半導(dǎo)體層電性連接，其中該下電極、該第一絕緣層、該第一半導(dǎo)體層以及該上電極構(gòu)成一儲(chǔ)存電容。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的主動(dòng)基板，其特征在于，另包括:一柵極，設(shè)置于該基底上，其中該第一絕緣層覆蓋該柵極； 一第二半導(dǎo)體層，設(shè)置于該第一絕緣層上，并對(duì)應(yīng)該柵極設(shè)置，其中該鈍化層更設(shè)置于該第二半導(dǎo)體層上，且具有二第二穿孔，分別暴露出該第二半導(dǎo)體層；以及 一源極與一漏極，設(shè)置于該鈍化層上，且該源極與該漏極分別通過(guò)各該第二穿孔與該第二半導(dǎo)體層電性連接，其中該柵極、該第一絕緣層、該半導(dǎo)體層、該源極以及該漏極構(gòu)成一薄膜晶體管。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的主動(dòng)基板，其特征在于，該基底具有一顯示區(qū)與一圍繞該顯示區(qū)的周邊區(qū)，且該薄膜晶體管與該儲(chǔ)存電容位于該周邊區(qū)內(nèi)以構(gòu)成一移位暫存器的一部份或一電位移轉(zhuǎn)器的一部份。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的主動(dòng)基板，其特征在于，該基底具有一顯示區(qū)與一圍繞該顯示區(qū)的周邊區(qū)，該主動(dòng)基板更包含一像素電極，該像素電極、該薄膜晶體管與該儲(chǔ)存電容位于該顯不區(qū)內(nèi)以構(gòu)成一像素結(jié)構(gòu)的一部份。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的主動(dòng)基板，其特征在于，該儲(chǔ)存電容另包括一第二絕緣層，設(shè)置于該第一絕緣層與該下電極之間，且該第一絕緣層的厚度大于該第二絕緣層的厚度，其中該第一絕緣層的介電常數(shù)小于該第二絕緣層的介電常數(shù)，其中該第一絕緣層的厚度為.1500埃至6000埃，該第二絕緣層的厚度為100埃至3000埃，且該第一半導(dǎo)體層的厚度為.50埃至2000埃。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的主動(dòng)基板，其特征在于，該第一絕緣層的材料包括氧化硅、氮氧化硅或氧化鋁，該第一半導(dǎo)體層的材料包括包含銦、鋅、錫、鎵或上述元素組合的氧化物或氮氧化物，且該鈍化層的材料包括氧化硅或氮氧化硅。
【文檔編號(hào)】H01L27/02GK103928462SQ201410184149
【公開日】2014年7月16日 申請(qǐng)日期:2014年5月4日 優(yōu)先權(quán)日:2014年2月26日
【發(fā)明者】陳培銘 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司