有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的制造方法
【專(zhuān)利摘要】公開(kāi)了具有靜電放電保護(hù)的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器。一發(fā)明方面包括：包括像素區(qū)和外圍區(qū)的襯底；在所述像素區(qū)形成的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)；在所述外圍區(qū)形成的驅(qū)動(dòng)電路；由與第一電極相同的層形成的屏蔽層；以及與所述屏蔽層連接的第一屏蔽電壓線。所述第一屏蔽電壓線向所述屏蔽層傳輸屏蔽電壓。屏蔽層包括多個(gè)子屏蔽層，并且覆蓋所述驅(qū)動(dòng)電路以防止外部靜電放電。
【專(zhuān)利說(shuō)明】有機(jī)發(fā)光二極管顯示器
[0001] 相關(guān)申請(qǐng)的引用
[0002] 本申請(qǐng)要求于2013年5月9日向韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2013-0052586號(hào) 韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，所述申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容通過(guò)援引并入本文。
[0003] 背景
[0004] 領(lǐng)域
[0005] 公開(kāi)的技術(shù)涉及有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)顯示器，并且更具體地，涉及與有機(jī)發(fā)光 二極管（0LED)顯示器相關(guān)的裝置、系統(tǒng)和方法。更具體地，公開(kāi)的技術(shù)涉及具有靜電放電 保護(hù)的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器。
[0006] 相關(guān)摶術(shù)的描沭
[0007] 有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)顯示器包括提供像素區(qū)、外圍區(qū)和薄膜封裝（TFE)層的襯 底，所述薄膜封裝（TFE)層通過(guò)交替沉積用于封裝的有機(jī)層和無(wú)機(jī)層來(lái)封裝所述0LED顯示 器的襯底。
[0008] 在像素區(qū)中，形成在掃描線與數(shù)據(jù)線之間連接的矩形式0LED以包括至少一個(gè)像 素。0LED包括陽(yáng)極、陰極和在所述陽(yáng)極和所述陰極之間形成的有機(jī)發(fā)射層。0LED顯示器的 外圍區(qū)包括掃描端、數(shù)據(jù)端、用于有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)運(yùn)行的供電線、掃描驅(qū)動(dòng)器和數(shù) 據(jù)驅(qū)動(dòng)器。掃描端和數(shù)據(jù)端從掃描線和數(shù)據(jù)線延伸。掃描驅(qū)動(dòng)器和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器包括將由外 部提供的信號(hào)轉(zhuǎn)換成掃描端的掃描信號(hào)和和數(shù)據(jù)端的數(shù)據(jù)信號(hào)以選擇每一像素的驅(qū)動(dòng)電 路。掃描驅(qū)動(dòng)器和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器在有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)的制造過(guò)程中形成，或制造成額外 的集成合電路芯片（驅(qū)動(dòng)芯片）并安置于襯底。
[0009] 在有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)顯示器中，由于襯底由玻璃形成，所以在制造過(guò)程或使 用中頻繁產(chǎn)生靜電放電（ESD)。更具體地，因?yàn)樵谕鈬鷧^(qū)形成驅(qū)動(dòng)電路，靜電放電可以容易 地流入。如此，損壞驅(qū)動(dòng)電路的半導(dǎo)體層和柵極絕緣層，并且柵極和數(shù)據(jù)線之間的短路產(chǎn)生 誤操作或損壞。
[0010] 為了保護(hù)驅(qū)動(dòng)電路免于靜電放電，開(kāi)發(fā)出由與驅(qū)動(dòng)電路的陽(yáng)極相同的材料形成的 屏蔽層。屏蔽層通過(guò)供電線與公共電源或接地電源連接。然而，因?yàn)樵诒Ｗo(hù)層上形成屏蔽 層，所以屏蔽層易于因熱而膨脹或收縮。這種應(yīng)力能夠傳輸至薄膜封裝層使得薄膜封裝層 易于受損。
[0011] 在該背景部分中公開(kāi)的上述信息僅用于增加對(duì)公開(kāi)技術(shù)的理解，因此，其可能包 括不形成本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在該國(guó)家已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。
[0012] 某些發(fā)明方面的概述
[0013] 公開(kāi)的技術(shù)涉及有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)顯示器，其防止來(lái)自屏蔽層的熱膨脹和 收縮而對(duì)薄膜封裝層的損壞。
[0014] 公開(kāi)技術(shù)的示例性實(shí)施方案的有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)顯示器包括：包括像素區(qū) 和外圍區(qū)的襯底；在像素區(qū)上形成的有機(jī)發(fā)光二極管（0LED);在外圍區(qū)上形成并驅(qū)動(dòng)所述 有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)的驅(qū)動(dòng)電路；由與第一電極相同的層形成的屏蔽層；以及與所述屏 蔽層連接并向所述屏蔽層傳輸屏蔽電壓的第一屏蔽電壓線。外圍區(qū)圍繞所述像素區(qū)。有機(jī) 發(fā)光二極管（OLED)包括第一電極、有機(jī)發(fā)射層和第二電極。屏蔽層包括多個(gè)子屏蔽層，并 且覆蓋所述驅(qū)動(dòng)電路以防止外部靜電放電。
[0015] 在有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)顯示器的另一示例性實(shí)施中，第一屏蔽電壓線可以與 多個(gè)子屏蔽層的每一個(gè)的一個(gè)端連接。
[0016] 在有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)顯示器的另一示例性實(shí)施中，第二屏蔽電壓線與多個(gè) 子屏蔽層的每一個(gè)的另一端連接。
[0017] 在有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)顯示器的另一示例性實(shí)施中，第一屏蔽電壓線在外圍 區(qū)的邊緣上形成并且具有保護(hù)環(huán)形狀。
[0018] 在有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)顯示器的另一示例性實(shí)施中，在襯底上的外圍區(qū)形成 周?chē)雽?dǎo)體層，在所述周?chē)雽?dǎo)體層上形成柵極絕緣層，在所述柵極絕緣層上形成周?chē)鷸?極電極，在所述周?chē)鷸艠O電極上形成層間絕緣層，在所述層間絕緣層上形成周?chē)礃O和周 圍漏極，在所述層間絕緣層上形成第一屏蔽電壓線，以及保護(hù)層。周?chē)礃O和周?chē)O通過(guò) 在層間絕緣層形成的接觸孔與周?chē)雽?dǎo)體層連接。保護(hù)層覆蓋周?chē)礃O、周?chē)O和第一 屏蔽電壓線。在保護(hù)層上形成屏蔽層和第一電極。
[0019] 在有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)顯示器的另一示例性實(shí)施中，在層間絕緣層上形成第 二屏蔽電壓線。
[0020] 在有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)顯示器的另一示例性實(shí)施中，第一屏蔽電壓線和第二 屏蔽電壓線與公共電源或接地電源連接。
[0021] 在有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)顯示器的另一示例性實(shí)施中，即示例性實(shí)施方案的有 機(jī)發(fā)光二極管（0LED)顯示器中，屏蔽層被分成多個(gè)子屏蔽層以使由屏蔽層的熱膨脹和收 縮而產(chǎn)生的應(yīng)力降低。因此，防止薄膜封裝層的破裂。
[0022] 在有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)顯示器的另一示例性實(shí)施中，通過(guò)形成與屏蔽層的兩 端連接的第一屏蔽電壓線和第二屏蔽電壓線，降低由屏蔽層的熱膨脹和收縮而產(chǎn)生的應(yīng) 力。因此，防止薄膜封裝層的破裂。
[0023] 在有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)顯示器的另一示例性實(shí)施中，第二屏蔽電壓線通過(guò)在 保護(hù)層中形成的至少一接觸孔與多個(gè)子屏蔽層的每一個(gè)的另一端連接。
[0024] 在有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)顯示器的另一示例性實(shí)施中，保護(hù)層還包括至少一暴 露周?chē)礃O、周?chē)O和第一屏蔽電壓線的預(yù)定部分的通孔。
[0025] 在有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)顯示器的另一示例性實(shí)施中，屏蔽層還包括多個(gè)孔。
[0026] 在有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)顯示器的另一示例性實(shí)施中，在像素區(qū)和外圍區(qū)至少 之一上形成緩沖層。
[0027] 在有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)顯示器的另一示例性實(shí)施中，在像素區(qū)上形成像素限 定層，并且像素限定層包括暴露一部分第一電極的開(kāi)口。
[0028] 在有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)顯示器的另一示例性實(shí)施中，屏蔽層由與驅(qū)動(dòng)電路的 陽(yáng)極相同的材料形成。
[0029] 在有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)顯示器的另一示例性實(shí)施中，第一電極還包括紅色第 一電極、綠色第一電極和藍(lán)色第一電極中至少之一。
[0030] 在有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)顯示器的另一示例性實(shí)施中，在像素區(qū)中形成至少一 驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管。所述至少一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管還包括像素半導(dǎo)體層，與源區(qū)和漏區(qū)連接的 像素源極、像素漏極，以及在通道區(qū)上形成的像素柵極。像素源極包括源區(qū)、漏區(qū)和通道區(qū)。 像素柵極與像素半導(dǎo)體層絕緣。
[0031] 在有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)顯示器的另一示例性實(shí)施中，像素柵極通過(guò)在外圍區(qū) 中形成的絕緣層與像素半導(dǎo)體層絕緣。
[0032] 公開(kāi)技術(shù)的示例性實(shí)施方案的有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)顯示器包括：包括像素區(qū) 和外圍區(qū)襯底；在像素區(qū)形成的有機(jī)發(fā)光二極管（0LED);在外圍區(qū)形成并驅(qū)動(dòng)所述有機(jī)發(fā) 光二極管（0LED)的驅(qū)動(dòng)電路；由與第一電極相同的層形成的屏蔽層；以及與所述屏蔽層連 接并向所述屏蔽層傳輸屏蔽電壓的第一屏蔽電壓線。外圍區(qū)圍繞所述像素區(qū)。有機(jī)發(fā)光二 極管（0LED)包括第一電極、有機(jī)發(fā)射層和第二電極。屏蔽層包括多個(gè)子屏蔽層和多個(gè)孔。 屏蔽層覆蓋驅(qū)動(dòng)電路以防止外部靜電放電。
[0033] 在有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)顯示器的另一示例性實(shí)施中，屏蔽層由與驅(qū)動(dòng)電路的 陽(yáng)極相同的材料形成。
[0034] 在有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)顯示器的另一示例性實(shí)施中，在像素區(qū)中形成至少一 驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管。所述至少一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管還包括像素半導(dǎo)體層，與源區(qū)和漏區(qū)連接的 像素源極、像素漏極，以及在通道區(qū)上形成的像素柵極。像素半導(dǎo)體層包括源區(qū)、漏區(qū)和通 道區(qū)。像素柵極與像素半導(dǎo)體層絕緣。
[0035] 附圖簡(jiǎn)述
[0036] 圖1是第一示例性實(shí)施方案的有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)顯示器的像素區(qū)和外圍區(qū) 的俯視圖。
[0037] 圖2是圖1的A部分的放大俯視圖。
[0038] 圖3是沿圖2的線III-III的剖視圖。
[0039] 圖4是第二示例性實(shí)施方案的有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)顯示器的像素區(qū)和外圍區(qū) 的俯視圖。
[0040] 圖5是圖4的B部分的放大俯視圖。
[0041] 圖6是沿圖5的線VI-VI的剖視圖。
[0042] 某些本發(fā)明實(shí)施方案的詳述
[0043] 參考附圖，下文將更全面地描述公開(kāi)技術(shù)，其中示出了示例性實(shí)施方案。本領(lǐng)域技 術(shù)人員應(yīng)認(rèn)識(shí)到，可以以各種不同方式修改描述的實(shí)施方案，所有方式均不背離公開(kāi)技術(shù) 的精神或范圍。
[0044] 為了更清晰地描述公開(kāi)技術(shù)，附圖中省略與描述無(wú)關(guān)的部件，并且在整個(gè)說(shuō)明書(shū) 中對(duì)相似的部件給出相同的符號(hào)。
[0045] 此外，由于為了闡述便利，任意示出在附圖中所示的各個(gè)結(jié)構(gòu)組件的尺寸和厚度， 所述公開(kāi)技術(shù)不必局限于所示的那樣。
[0046] 在附圖中，層、膜、板、區(qū)域等的厚度為了清楚而放大。在附圖中，為了理解和易于 描述，可以放大某些層和區(qū)的厚度。應(yīng)理解當(dāng)諸如層、膜、區(qū)域或襯底等的部件被稱(chēng)為在另 一部件"上"時(shí)，其可以直接在其他部件上或還可以存在中間部件。
[0047] 此外，除非相反地明確描述，否則措詞"包括（comprise)"以及諸如"包括 (comprises) "或"包括（comprising) "的變體應(yīng)理解為表示包括所述的部件，但不排除任 何其他部件。此外，在說(shuō)明書(shū)中，措詞"在"表示位于目標(biāo)部分上或下，但不必表示基于重力 方向位于目標(biāo)部分的上側(cè)面上。
[0048] 此外，在說(shuō)明書(shū)中，短語(yǔ)"在平表面上"表示從上面觀察目標(biāo)部分時(shí)，并且短語(yǔ)"在 橫截面上"表示從側(cè)面觀察垂直切開(kāi)目標(biāo)部分的橫截面時(shí)。本說(shuō)明書(shū)中，當(dāng)?shù)谝徊考枋?為與第二部件結(jié)合時(shí)，第一部件可以不僅直接與第二部件結(jié)合，而且可以通過(guò)第三部件間 接地與第二部件結(jié)合。此外，為了清楚，省略了對(duì)徹底理解公開(kāi)技術(shù)而言是不必要的某些部 件。此外，相同的符號(hào)通篇涉及相同的部件。
[0049] 此外，在附圖中，有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)顯示器以6Tr_lCap結(jié)構(gòu)的有源矩陣 (AM)-型0LED顯示器為例，其中在一像素中形成六個(gè)薄膜晶體管（TFT)和一電容器，但公開(kāi) 技術(shù)不限于此。因此，0LED顯示器可以具有多種結(jié)構(gòu)。例如，可以在0LED顯示器的一像素 中提供多個(gè)TFT和至少一電容器，并且在0LED顯示器中還可以提供單獨(dú)的導(dǎo)線。本說(shuō)明書(shū) 中，像素是指用于顯示圖像的最小單元，并且0LED顯示器通過(guò)使用多個(gè)像素顯示圖像。
[0050] 現(xiàn)在，參考圖1至圖3描述第一示例性實(shí)施方案的有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)顯示 器。
[0051] 圖1是第一示例性實(shí)施方案的有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)顯示器的像素區(qū)和外圍區(qū) 的俯視圖，圖2是圖1的A部分的放大俯視圖，以及圖3是沿圖2的線III-III的剖視圖。
[0052] 如圖1至圖3所示，第一示例性實(shí)施方案的有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)顯示器的襯底 100被分成像素區(qū)P和外圍區(qū)S。外圍區(qū)S包圍像素區(qū)P。
[0053] 在襯底100的像素區(qū)P中，形成多個(gè)有機(jī)發(fā)光二極管（0LED) 70并在掃描線121、 數(shù)據(jù)線171和驅(qū)動(dòng)電壓線172之間以矩陣式連接。掃描線121傳輸掃描信號(hào)。數(shù)據(jù)線171 傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)。驅(qū)動(dòng)電壓線172傳輸驅(qū)動(dòng)電壓。有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)70包括第一電極 190、第二電極270和有機(jī)發(fā)光層370。在第一電極190與第二電極270之間形成有機(jī)發(fā)射 層370。此外，形成的有機(jī)發(fā)射層370具有包括空穴傳輸層（HTL)、有機(jī)發(fā)射層和電子傳輸 層（ETL)的結(jié)構(gòu)，并且還可以包括空穴注入層（HIL)和電子注入層（EIL)。
[0054] 在襯底100的像素區(qū)P中，還形成用于控制有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)70運(yùn)行的薄膜 晶體管和用于維持外加信號(hào)的電容器。薄膜晶體管包括開(kāi)關(guān)薄膜晶體管（未示出）和驅(qū)動(dòng) 薄膜晶體管T1。驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T1與第一電極190連接。驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T1包括像素半 導(dǎo)體層131a、像素源極176a、像素漏極177a和像素柵極125a。像素半導(dǎo)體層131a提供源 區(qū)、漏區(qū)和通道區(qū)。源區(qū)和漏區(qū)與像素源極176a和像素漏極177a連接。像素柵極125a在 通道區(qū)上形成并且通過(guò)柵極絕緣層140與像素半導(dǎo)體層131a絕緣。
[0055] 在襯底100的外圍區(qū)S中，形成用于運(yùn)行有機(jī)發(fā)光二極管（0LED) 70的供電線400， 用于靜電放電屏蔽的第一屏蔽電壓線410以及掃描驅(qū)動(dòng)器700和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器600。數(shù)據(jù)驅(qū) 動(dòng)器600處理由外部通過(guò)焊盤(pán)1000提供的信號(hào)，并且分別將其提供給掃描線121和數(shù)據(jù)線 171。
[0056] 掃描驅(qū)動(dòng)器700和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器600將由外部通過(guò)焊盤(pán)1000提供的信號(hào)轉(zhuǎn)化成掃 描信號(hào)和數(shù)據(jù)信號(hào)以選擇性驅(qū)動(dòng)每一像素。掃描驅(qū)動(dòng)器700和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器600各自包括具 有多個(gè)周?chē)吳晶體管Ts的驅(qū)動(dòng)電路。
[0057] 周?chē)∧ぞw管Ts包括周?chē)雽?dǎo)體層131a、周?chē)鷸艠O125s、周?chē)礃O176s和周 圍漏極177s。周?chē)礃O176s和周?chē)O177s在平面上彼此面向周?chē)鷸艠O125s。
[0058] 在襯底100的外圍區(qū)S的一實(shí)施中，形成屏蔽層196并防止外部靜電放電流入驅(qū) 動(dòng)電路。屏蔽層196包括多個(gè)氣孔91以排放內(nèi)部氣體。屏蔽層196被分成多個(gè)子屏蔽層 195。如上所述，因?yàn)槠帘螌?96被分成多個(gè)子屏蔽層195,由屏蔽層196的熱膨脹和收縮而 導(dǎo)致的應(yīng)力變得緩和，以便可以防止薄膜封裝層的破裂。
[0059] 屏蔽層196與傳輸公共電源或接地電源的第一屏蔽電壓線410連接。第一屏蔽電 壓線410與子屏蔽層195的一端連接。第一屏蔽電壓線410可以具有在外圍區(qū)的邊緣上形 成的保護(hù)環(huán)。如上所述，屏蔽層196通過(guò)第一屏蔽電壓線410與公共電源或接地電源（未 示出）連接，以便可以有效防護(hù)驅(qū)動(dòng)電路免于靜電放電通過(guò)外圍區(qū)S流入。
[0060] 同時(shí)，在有機(jī)發(fā)光二極管（0LED) 70上，形成具有封裝有機(jī)層360和封裝無(wú)機(jī)層390 的多層結(jié)構(gòu)的薄膜封裝層380。膜形狀的柔性印刷電路（FPC)(未示出）與有機(jī)發(fā)光二極管 (0LED)顯示器的焊盤(pán)1000電連接。由此輸入驅(qū)動(dòng)電源電壓（ELVDD和ELVSS)和數(shù)據(jù)信號(hào) 等。如果信號(hào)通過(guò)焊盤(pán)1〇〇〇輸入供電線400、第一屏蔽電壓線410、掃描驅(qū)動(dòng)器700和數(shù)據(jù) 驅(qū)動(dòng)器600,則掃描驅(qū)動(dòng)器700和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器600分別向掃描線121和數(shù)據(jù)線171提供掃描 信號(hào)和數(shù)據(jù)信號(hào)。因此，由掃描信號(hào)選擇的像素的有機(jī)發(fā)光二極管（〇LED)70發(fā)射與數(shù)據(jù)信 號(hào)對(duì)應(yīng)的光。
[0061] 接下來(lái)，參考圖1至圖3描述第一示例性實(shí)施方案的有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)顯示 器。
[0062] 如圖1至圖3所示，在第一示例性實(shí)施方案的有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)顯示器中， 在襯底100的像素區(qū)P和外圍區(qū)S上形成緩沖層120。在緩沖層120上形成像素半導(dǎo)體層 131a和周?chē)雽?dǎo)體層131s。在像素區(qū)P形成像素半導(dǎo)體層131a并提供驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T1 的有源層以驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管（〇LED)70。在外圍區(qū)S形成周?chē)雽?dǎo)體層131s并提供由 驅(qū)動(dòng)電路組成的周?chē)∧ぞw管Ts的有源層。
[0063] 在整個(gè)像素區(qū)P和外圍區(qū)S上形成柵極絕緣層140。整個(gè)像素區(qū)P和外圍區(qū)S包 括像素半導(dǎo)體層131a和周?chē)雽?dǎo)體層131s。在像素半導(dǎo)體層131a和周?chē)雽?dǎo)體層131s 的柵極絕緣層140上形成像素柵極125a和周?chē)鷸艠O125s。在一實(shí)施中，掃描線121與像素 柵極125a連接并在像素區(qū)P形成，并且在外圍區(qū)S形成掃描線121，其從像素區(qū)P和焊盤(pán) 1000的掃描線121延伸以接受來(lái)自外部的信號(hào)。
[0064] 在整個(gè)像素區(qū)P和外圍區(qū)S上形成層間絕緣層160。整個(gè)像素區(qū)P和外圍區(qū)S包 括像素柵極125a和周?chē)鷸艠O125s。層間絕緣層160和柵極絕緣層140具有暴露像素半導(dǎo) 體層131a和周?chē)雽?dǎo)體層131s的預(yù)定部分的接觸孔。形成像素源極和像素漏極176a和 177a以及周?chē)礃O和周?chē)O176s和177s，并且通過(guò)接觸孔與像素半導(dǎo)體層131a和周?chē)?半導(dǎo)體層131s連接。數(shù)據(jù)線171與像素源極和像素漏極176a和177a連接，并在像素區(qū)P 形成。數(shù)據(jù)線171在外圍區(qū)S形成并從像素區(qū)P的數(shù)據(jù)線171、供電線400、第一屏蔽電壓 線410和焊盤(pán)1000延伸以接受來(lái)自外部的信號(hào)。
[0065] 在整個(gè)像素區(qū)P和外圍區(qū)S上形成保護(hù)層180。在像素區(qū)P的保護(hù)層180形成通 孔并暴露像素漏極177a的預(yù)定部分。在外周區(qū)域S的保護(hù)層180形成通孔，并且暴露供電 線400和第一屏蔽電壓線410的預(yù)定部分。在像素區(qū)P形成第一電極190,并通過(guò)通孔與像 素漏極177a連接。在外圍區(qū)S形成屏蔽層196。第一電極190包括紅色第一電極190R、綠 色第一電極190G和藍(lán)色第一電極190B。分別在紅色像素、綠色像素和藍(lán)色像素中形成紅色 第一電極190R、綠色第一電極190G和藍(lán)色第一電極190B。在包括驅(qū)動(dòng)電路的外圍區(qū)S形 成屏蔽層196,并通過(guò)通孔與第一屏蔽電壓線410連接。
[0066] 在整個(gè)像素區(qū)P上形成像素限定層350,并且像素限定層350具有暴露一部分（發(fā) 光區(qū)域）的第一電極190的開(kāi)口。在暴露的陽(yáng)極109上形成有機(jī)發(fā)射層370。在包括有機(jī) 發(fā)射層370的像素區(qū)P形成第二電極270,并與供電線400連接。
[0067] 圖4是第二示例性實(shí)施方案的有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)顯示器的像素區(qū)和外圍區(qū) 的俯視圖，圖5是圖4的B部分的放大俯視圖，以及圖6是沿圖5的線VI-VI的剖視圖。 [0068] 除了添加的第二屏蔽電壓線，圖4至圖6所示的第二示例性實(shí)施方案與圖1至圖 3所不的第一不例性實(shí)施方案基本相同，如此省略重復(fù)部分描述。
[0069] 如圖4至圖6所示，在第二示例性實(shí)施方案的有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)顯示器的襯 底100的外圍區(qū)S上，形成防止外部靜電放電流入驅(qū)動(dòng)電路的屏蔽層196。屏蔽層196被分 成多個(gè)子屏蔽層195。如上所述，因?yàn)槠帘螌?96被分成多個(gè)子屏蔽層195,由屏蔽層196 的熱膨脹和收縮而導(dǎo)致的應(yīng)力降低，由此防止薄膜封裝層的破裂。
[0070] 屏蔽層196與包括傳輸公共電源或接地電源的第一屏蔽電壓線410和第二屏蔽電 壓線420的屏蔽電壓線4連接，第一屏蔽電壓線410與子屏蔽層195的一端連接。第二屏 蔽電壓線420通過(guò)在保護(hù)層180中形成的接觸孔81與子屏蔽層195的另一端連接。如上 所述，因?yàn)槠帘螌?96通過(guò)第一屏蔽電壓線410和第二屏蔽電壓線420與公共電源或接地 電源（未示出）連接，所以可以進(jìn)一步選擇性保護(hù)驅(qū)動(dòng)電路防止靜電放電通過(guò)外圍區(qū)S流 入。
[0071] 盡管對(duì)于當(dāng)前認(rèn)為實(shí)用的示例性實(shí)施方案描述了這種公開(kāi)技術(shù)，但應(yīng)理解公開(kāi)技 術(shù)不限于公開(kāi)的實(shí)施方案，相反，旨在涵括在所附權(quán)利要求的精神和范圍內(nèi)包括的各種修 改和等同布置。
[0072] 為了總結(jié)公開(kāi)技術(shù)，本文描述了公開(kāi)技術(shù)的某些方面、優(yōu)勢(shì)和新穎的特征。應(yīng)理解 根據(jù)公開(kāi)技術(shù)的任何具體實(shí)施方案可以不必實(shí)現(xiàn)所有的此類(lèi)優(yōu)勢(shì)。因此，可以以實(shí)現(xiàn)或優(yōu) 化本說(shuō)明書(shū)教導(dǎo)的一個(gè)優(yōu)勢(shì)或一組優(yōu)勢(shì)而不必實(shí)現(xiàn)可由本說(shuō)明書(shū)教導(dǎo)或提議的其他優(yōu)勢(shì) 的方式來(lái)實(shí)施或?qū)崿F(xiàn)公開(kāi)技術(shù)。
[0073] 附圖和公開(kāi)技術(shù)的詳細(xì)描述僅是實(shí)施方案，其用于描述公開(kāi)技術(shù)的目的，而不用 于限制權(quán)利要求描述的公開(kāi)技術(shù)的含義或范圍。因此，公開(kāi)技術(shù)所涉及的領(lǐng)域的技術(shù)人員 可以容易地由其進(jìn)行選擇和替換。因此，基于隨附權(quán)利要求的技術(shù)理念來(lái)確定公開(kāi)技術(shù)的 實(shí)質(zhì)技術(shù)保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1. 有機(jī)發(fā)光二極管（OLED)顯示器，其包括： 包括像素區(qū)和外圍區(qū)的襯底，所述外圍區(qū)圍繞所述像素區(qū)； 在所述像素區(qū)形成并包括第一電極、有機(jī)發(fā)射層和第二電極的0LED ; 在所述外圍區(qū)形成的驅(qū)動(dòng)電路并配置為驅(qū)動(dòng)所述0LED ; 由與所述第一電極相同的層形成并且覆蓋所述驅(qū)動(dòng)電路的屏蔽層，所述屏蔽層包括多 個(gè)子屏蔽層；以及 與所述屏蔽層連接并向所述屏蔽層傳輸屏蔽電壓的第一屏蔽電壓線。
2. 如權(quán)利要求1所述的顯示器，其中所述第一屏蔽電壓線與每一所述子屏蔽層的一端 連接。
3. 如權(quán)利要求2所述的顯示器，其還包括與所述每一子屏蔽層的另一端連接的第二屏 蔽電壓線。
4. 如權(quán)利要求3所述的顯示器，其中所述第一屏蔽電壓線在所述外圍區(qū)的邊緣上形成 并且具有保護(hù)環(huán)形狀。
5. 如權(quán)利要求4所述的顯示器，其還包括： 在所述襯底上的所述外圍區(qū)形成的周?chē)雽?dǎo)體層； 在所述周?chē)雽?dǎo)體層上形成的柵極絕緣層； 在所述柵極絕緣層上形成的周?chē)鷸艠O； 在所述周?chē)鷸艠O上形成的層間絕緣層； 在所述層間絕緣層上形成并通過(guò)在所述層間絕緣層形成的接觸孔與所述周?chē)雽?dǎo)體 層連接的周?chē)礃O和周?chē)O； 在所述層間絕緣層上形成的第一屏蔽電壓線；以及 覆蓋所述周?chē)礃O、周?chē)O和第一屏蔽電壓線的保護(hù)層， 其中在所述保護(hù)層上形成所述屏蔽層和所述第一電極。
6. 如權(quán)利要求5所述的顯示器，其還包括在所述層間絕緣層上形成的第二屏蔽電壓 線。
7. 如權(quán)利要求6所述的顯示器，其中所述第一屏蔽電壓線和所述第二屏蔽電壓線與公 共電源或接地電源連接。
8. 如權(quán)利要求5所述的顯示器，其中所述第二屏蔽電壓線通過(guò)在所述保護(hù)層中形成的 至少一接觸孔與所述多個(gè)子屏蔽層的每一個(gè)的另一端連接。
9. 如權(quán)利要求5所述的顯示器，其中所述保護(hù)層還包括至少一暴露所述周?chē)礃O、所 述周?chē)O和所述第一屏蔽電壓線的預(yù)定部分的通孔。
10. 如權(quán)利要求1所述的顯示器，其中所述屏蔽層還包括多個(gè)孔。
11. 如權(quán)利要求1所述的顯示器，其還包括在所述像素區(qū)和所述外圍區(qū)至少之一上形 成的緩沖層。
12. 如權(quán)利要求1所述的顯示器，其還包括在所述像素區(qū)上形成的像素限定層，所述像 素限定層包括暴露一部分所述第一電極的開(kāi)口。
13. 如權(quán)利要求1所述的顯示器，其中所述屏蔽層由與所述驅(qū)動(dòng)電路陽(yáng)極的材料相同 的材料形成。
14. 如權(quán)利要求1所述的顯示器，其中所述第一電極還包括紅色第一電極、綠色第一電 極和藍(lán)色第一電極中至少之一。
15. 如權(quán)利要求1所述的顯示器，還包括在所述像素區(qū)中形成的至少一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體 管，所述至少一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管還包括： 包括源區(qū)、漏區(qū)和通道區(qū)的像素半導(dǎo)體層； 與所述源區(qū)和所述漏區(qū)連接的像素源極和像素漏極；以及 在所述通道區(qū)上形成并與所述像素半導(dǎo)體層絕緣的像素柵極。
16. 如權(quán)利要求15所述的顯示器，其中所述像素柵極通過(guò)在所述外圍區(qū)中形成的柵極 絕緣層與所述像素半導(dǎo)體層絕緣。
17. 有機(jī)發(fā)光二極管（OLED)顯示器，其包括： 包括像素區(qū)和外圍區(qū)的襯底，所述外圍區(qū)圍繞所述像素區(qū)， 在所述像素區(qū)形成并包括第一電極、有機(jī)發(fā)射層和第二電極的OLED ; 在所述外圍區(qū)形成的驅(qū)動(dòng)電路并配置為驅(qū)動(dòng)所述OLED ;以及 由與所述第一電極相同的層形成并且覆蓋所述驅(qū)動(dòng)電路的屏蔽層，所述屏蔽層包括多 個(gè)子屏蔽層和多個(gè)孔。
18. 如權(quán)利要求17所述的顯示器，其中所述屏蔽層由與所述驅(qū)動(dòng)電路陽(yáng)極的材料相同 的材料形成。
19. 如權(quán)利要求17所述的顯示器，其還包括在所述像素區(qū)中形成的至少一驅(qū)動(dòng)薄膜晶 體管，所述至少一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管還包括： 像素半導(dǎo)體層； 包括源區(qū)、漏區(qū)和通道區(qū)的像素源極； 與所述源區(qū)和所述漏區(qū)連接的像素漏極；以及 在所述通道區(qū)上形成并與所述像素半導(dǎo)體層絕緣的像素柵極。
【文檔編號(hào)】H01L51/52GK104143561SQ201410191187
【公開(kāi)日】2014年11月12日 申請(qǐng)日期:2014年5月7日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月9日
【發(fā)明者】李在容, 郭源奎 申請(qǐng)人:三星顯示有限公司