電感器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種電感器，包括第一芯材、導(dǎo)線、第二芯材以及第一導(dǎo)線架。第一芯材的第一側(cè)具有容置空間，且第一芯材的第二側(cè)具有凹陷部，其中第一側(cè)與第二側(cè)相對。第一芯材具有第一高度。導(dǎo)線設(shè)置于容置空間中。第二芯材設(shè)置于第一芯材的第一側(cè)，且覆蓋容置空間。第一導(dǎo)線架具有嵌合部，且嵌合部嵌合于凹陷部中。嵌合部具有第二高度。在嵌合部嵌合于第一芯材的凹陷部后，嵌合部與第一芯材的總高度小于第一高度與第二高度的和。本發(fā)明將電感器的導(dǎo)線架嵌合于芯材。當(dāng)此電感器與IC芯片進行系統(tǒng)整合封裝時，可有效降低整體高度，使得電子產(chǎn)品利于薄型化的設(shè)計。
【專利說明】電感器
[0001]本申請是申請?zhí)枮?01110020446.7、申請日為2011年I月7日、發(fā)明名稱為“電感器”的中國發(fā)明專利申請的分案申請。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]本發(fā)明涉及一種電感器，特別是涉及一種可與IC芯片進行系統(tǒng)整合封裝(System-1n-Package, SIP)的電感器。

【背景技術(shù)】
[0003]電感器是存儲電流通過磁場所產(chǎn)生的能量的被動電子組件，電感值是用來測量電感器存儲磁能的能力。電感器一般是用導(dǎo)線纏繞成線圈形狀，而根據(jù)法拉第感應(yīng)定律(Faraday’s Law of Induct1n),導(dǎo)線纏繞的阻數(shù)能增強線圈內(nèi)的磁場。電感值是由載流導(dǎo)體周圍所形成的磁場產(chǎn)生，此載流導(dǎo)體有反抗電流變化的趨勢。導(dǎo)線的圈數(shù)、導(dǎo)線的截面積與導(dǎo)線材料都會影響電感值的大小。舉例而言，使用高導(dǎo)磁率的磁性材料(例如氧鐵化合物)來纏繞導(dǎo)體，會使磁通量增加。
[0004]目前，已有多種不同結(jié)構(gòu)設(shè)計的電感器揭露于現(xiàn)有技術(shù)中。例如，日本專利公告第3083909號揭露一種鼓型結(jié)構(gòu)(drum type)的電感器；美國專利公告第7477122號揭露另一種鼓型結(jié)構(gòu)的電感器；美國專利公開第20090160595號揭露電感器與IC芯片整合的結(jié)構(gòu)。一般而言，現(xiàn)有電感器大多利用下列兩種方式與IC芯片進行整合。
[0005]I)直接由電感器的下磁芯延伸出引腳，以與電路板上的焊腳焊接。然而，為了維持一定的結(jié)構(gòu)強度，下磁芯便需保留一定的厚度，從而使得整合后的整體高度增加。
[0006]2)在電感器的下磁芯下方外接導(dǎo)線架，以與IC芯片的導(dǎo)線架焊接。然而，外接導(dǎo)線架的高度會使得整合后的整體高度增加。
[0007]因此，在所需電感值相同的情況下，現(xiàn)有電感器在與IC芯片進行堆棧封裝時，并無法降低整體高度，不利于薄型化的設(shè)計。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明的目的在于提供一種電感器，其將導(dǎo)線架嵌合于芯材。當(dāng)此電感器與IC芯片進行系統(tǒng)整合封裝時，可有效降低整體高度，使得電子產(chǎn)品利于薄型化的設(shè)計。
[0009]本發(fā)明的另一目的在于提供一種電感器，其利用導(dǎo)線架提供可與導(dǎo)線進行焊接的平臺，以提供較堅固的焊接強度。
[0010]基于上述目的，本發(fā)明提供一種電感器，包括第一芯材、導(dǎo)線、第二芯材以及第一導(dǎo)線架。第一芯材的第一側(cè)具有容置空間，且第一芯材的第二側(cè)具有凹陷部，其中第一側(cè)與第二側(cè)相對。第一芯材具有第一高度。導(dǎo)線設(shè)置于容置空間中。第二芯材設(shè)置于第一芯材的第一側(cè)，且覆蓋容置空間。第一導(dǎo)線架具有嵌合部，且嵌合部嵌合于凹陷部中。嵌合部具有第二高度。在嵌合部嵌合于第一芯材的凹陷部后，嵌合部與第一芯材的總高度小于第一高度與第二高度的和。
[0011]基于上述目的，本發(fā)明還提供一種電感器，包括第一芯材、導(dǎo)線、第二芯材以及第一導(dǎo)線架。第一芯材的第一側(cè)具有容置空間，且第一芯材的第二側(cè)具有凹陷部，其中第一側(cè)與第二側(cè)相對。第一芯材的側(cè)邊具有破孔。導(dǎo)線設(shè)置于容置空間中。第二芯材設(shè)置于第一芯材的第一側(cè)，且覆蓋容置空間。第一導(dǎo)線架具有嵌合部以及焊接平臺，嵌合部嵌合于凹陷部中，且焊接平臺連接于嵌合部。導(dǎo)線的一端經(jīng)由破孔伸出而焊接于焊接平臺上。
[0012]基于上述目的，本發(fā)明還提供一種電子組件，包括第一芯材、導(dǎo)線、第二芯材以及第一導(dǎo)線架。第一芯材的第一側(cè)具有容置空間，且第一芯材的第二側(cè)具有凹陷部，其中第一側(cè)與第二側(cè)相對。第一芯材的角落具有破孔。導(dǎo)線設(shè)置于容置空間中。第二芯材設(shè)置于第一芯材的第一側(cè)，且覆蓋容置空間。第一導(dǎo)線架具有嵌合部，且嵌合部嵌合于凹陷部中。導(dǎo)線的一端經(jīng)由破孔伸出而焊接于嵌合部上。
[0013]根據(jù)上述技術(shù)方案，本發(fā)明的電感器至少具有下列優(yōu)點及有益效果:本發(fā)明將電感器的導(dǎo)線架嵌合于芯材。當(dāng)此電感器與IC芯片進行系統(tǒng)整合封裝時，可有效降低整體高度，使得電子產(chǎn)品利于薄型化的設(shè)計。此外，本發(fā)明的電感器利用導(dǎo)線架提供可與導(dǎo)線進行焊接的平臺，以提供較堅固的焊接強度。
[0014]上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚地了解本發(fā)明的技術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點能夠更明顯易懂，以下特舉多個實施例，并配合附圖，詳細說明如下。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0015]圖1是根據(jù)本發(fā)明一實施例的電感器與IC芯片封裝結(jié)構(gòu)的組合示意圖。
[0016]圖2是圖1中的電感器的爆炸圖。
[0017]圖3是圖1中的電感器的前視圖。
[0018]圖4是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的電感器的外觀圖。
[0019]圖5是圖4中的電感器的爆炸圖。
[0020]圖6是圖4中的電感器于另一視角的外觀圖。
[0021]圖7是圖6中的電感器的爆炸圖。
[0022]圖8是圖4中的電感器的前視圖。
[0023]圖9是圖4中的電感器移除第二芯材的外觀圖。
[0024]圖10是圖4中的電感器與IC芯片封裝結(jié)構(gòu)的組合示意圖。
[0025]圖11是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的電感器與IC芯片的第二導(dǎo)線架的示意圖。
[0026]其中，附圖標(biāo)記說明如下:
[0027]1、5、5’ 電感器 3、7IC芯片封裝結(jié)構(gòu)
[0028]10,50 第一芯材 12、52導(dǎo)線
[0029]14,54 第二芯材 16、56、56’ 第一導(dǎo)線架
[0030]70 第二導(dǎo)線架 100、500 容置空間
[0031]102,502 凹陷部 104、504 破孔
[0032]160,560 嵌合部 162焊接平臺
[0033]164,564 引腳 700凹槽
[0034]702 電性接點 SI第一側(cè)
[0035]S2 第二側(cè) HO、HO’總高度
[0036]H1、H1’ 第一高度 Η2、Η2’第二高度

【具體實施方式】
[0037]請參考圖1至圖3，圖1是根據(jù)本發(fā)明一實施例的電感器I與IC芯片封裝結(jié)構(gòu)3的組合示意圖，圖2是圖1中的電感器I的爆炸圖，圖3是圖1中的電感器I的前視圖。電感器I是存儲電流通過磁場所產(chǎn)生的能量的被動電子組件。如圖1至圖3所示，電感器I包括第一芯材10、導(dǎo)線12、第二芯材14以及二第一導(dǎo)線架16。第一芯材10以及第二芯材14的材料可以是鐵粉、氧鐵化合物、永久磁鐵或其它磁性材料。第一芯材10以及第二芯材14的形狀不以圖中所示的矩形為限，可根據(jù)實際應(yīng)用而設(shè)計成其它形狀，例如圓形、橢圓形、多邊形等。導(dǎo)線12可以是由銅線纏繞而成的繞線式線圈。
[0038]如圖2所示，第一芯材10的第一側(cè)SI具有容置空間100，且第一芯材10的第二側(cè)S2具有四個凹陷部102(由于視角關(guān)系，圖2中只顯示三個凹陷部102)，其中第一側(cè)SI與第二側(cè)S2相對。于此實施例中，四個凹陷部102分別位于第一芯材10的周圍的四個角落，使得容置空間100的可利用面積可以達到最大。于此實施例中，二第一導(dǎo)線架16分別具有相對的二嵌合部160、焊接平臺162以及引腳164，其中焊接平臺162連接于二嵌合部160之間，且引腳164自焊接平臺162延伸出。于實際應(yīng)用中，第一導(dǎo)線架16可通過沖鍛制程一次成型。
[0039]于組裝電感器I時，先將導(dǎo)線12設(shè)置于容置空間100中。接著，將第二芯材14設(shè)置于第一芯材10的第一側(cè)SI,且覆蓋容置空間100。之后，再將第一導(dǎo)線架16的嵌合部160嵌合于第一芯材10的第二側(cè)S2的對應(yīng)的凹陷部102中。于此實施例中，第一芯材10的相對的二側(cè)邊分別具有破孔104，因此導(dǎo)線12的二端可分別經(jīng)由對應(yīng)的破孔104伸出而焊接于對應(yīng)的第一導(dǎo)線架16的焊接平臺162上，以提供較堅固的焊接強度。
[0040]如圖3所示，第一芯材10具有第一高度Η1，且第一導(dǎo)線架16的嵌合部160具有第二高度Η2。在第一導(dǎo)線架16的嵌合部160嵌合于第一芯材10的凹陷部102后,嵌合部160與第一芯材10的總高度HO小于第一高度Hl與第二高度Η2的和。
[0041]如圖1所示，在將電感器I與IC芯片封裝結(jié)構(gòu)3進行系統(tǒng)整合封裝時，可利用第一導(dǎo)線架16架出空橋，而與下方IC芯片封裝結(jié)構(gòu)3的電性接點(未顯示)連接。于此實施例中，IC芯片封裝結(jié)構(gòu)3是利用封裝膠體將IC芯片及其導(dǎo)線架封裝于其中所構(gòu)成。由于IC芯片封裝技術(shù)是一般現(xiàn)有工藝的普遍技術(shù)，在此不再贅述。如前所述，由于嵌合部160與第一芯材10的總高度HO小于第一芯材10的第一高度Hl與嵌合部160的第二高度Η2的和，且導(dǎo)線12是以內(nèi)嵌方式埋設(shè)于第一芯材10的容置空間100中，因此本發(fā)明可在不增加電感器I的高度的情況下滿足電感特性的要求，同時克服IC芯片封裝結(jié)構(gòu)3與電感器I的連接問題。
[0042] 于此實施例中，第一導(dǎo)線架16的引腳164是可以設(shè)計成直條形且向下延伸，以與IC芯片封裝結(jié)構(gòu)3的電性接點連接。然而，于另一實施例中，也可以將IC芯片封裝結(jié)構(gòu)3的引腳向上延伸，以與導(dǎo)線架16的引腳連接。此外，也可以利用外接式的引腳分別連接電感器I的第一導(dǎo)線架16與IC芯片封裝結(jié)構(gòu)3的電性接點。換句話說，第一導(dǎo)線架16與IC芯片封裝結(jié)構(gòu)3的連接方式可根據(jù)實際應(yīng)用而設(shè)計，不以圖中所繪示的實施例為限。
[0043]請參考圖4至圖9，圖4是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的電感器5的外觀圖，圖5是圖4中的電感器5的爆炸圖，圖6是圖4中的電感器5于另一視角的外觀圖，圖7是圖6中的電感器5的爆炸圖，圖8是圖4中的電感器5的前視圖，圖9是圖4中的電感器5移除第二芯材54的外觀圖。電感器5是存儲電流通過磁場所產(chǎn)生的能量的被動電子組件。如圖4至圖9所不，電感器5包括第一芯材50、導(dǎo)線52、第二芯材54以及二第一導(dǎo)線架56。第一芯材50以及第二芯材54的材料可以是鐵粉、氧鐵化合物、永久磁鐵或其它磁性材料。第一芯材50以及第二芯材54的形狀不以圖中所示的矩形為限，可根據(jù)實際應(yīng)用而設(shè)計成其它形狀，例如圓形、橢圓形、多邊形等。導(dǎo)線52可以是由銅線纏繞而成的繞線式線圈。
[0044]如圖5與圖7所示，第一芯材50的第一側(cè)SI具有容置空間500，且第一芯材50的第二側(cè)S2具有四個凹陷部502，其中第一側(cè)SI與第二側(cè)S2相對。于此實施例中，四個凹陷部502分別位于第一芯材50的周圍的四個角落，使得容置空間500的可利用面積可以達到最大。于此實施例中，二第一導(dǎo)線架56分別具有相對的二嵌合部560以及引腳564，其中引腳564自嵌合部560延伸出。于實際應(yīng)用中，第一導(dǎo)線架56可通過沖鍛制程一次成型。
[0045]于組裝電感器5時，先將導(dǎo)線52設(shè)置于容置空間500中。接著，將第二芯材54設(shè)置于第一芯材50的第一側(cè)SI,且覆蓋容置空間500。之后，再將第一導(dǎo)線架56的嵌合部560嵌合于第一芯材50的第二側(cè)S2的對應(yīng)的凹陷部502中。于此實施例中，第一芯材50的相對的二角落分別具有破孔504，因此導(dǎo)線52的二端可分別經(jīng)由對應(yīng)的破孔504伸出而焊接于對應(yīng)的第一導(dǎo)線架56的嵌合部560上(如圖9所示)，以提供較堅固的焊接強度。
[0046]如圖8所示，第一芯材50具有第一高度H1’，且第一導(dǎo)線架56的嵌合部560具有第二高度H2’。在第一導(dǎo)線架56的嵌合部560嵌合于第一芯材50的凹陷部502后,嵌合部560與第一芯材50的總高度HO’小于第一高度H1’與第二高度H2’的和。
[0047]請參考圖10，圖10是圖4中的電感器5與IC芯片封裝結(jié)構(gòu)7的組合示意圖。如圖10所示，在將電感器5與IC芯片封裝結(jié)構(gòu)7進行系統(tǒng)整合封裝時，可利用第一導(dǎo)線架56架出空橋，而與下方IC芯片封裝結(jié)構(gòu)7連接。如前所述，由于嵌合部560與第一芯材50的總高度HO小于第一芯材50的第一高度Hl與嵌合部560的第二高度H2的和，且導(dǎo)線52是以內(nèi)嵌方式埋設(shè)于第一芯材50的容置空間500中，因此本發(fā)明可在不增加電感器5的高度的情況下滿足電感特性的要求，同時克服IC芯片封裝結(jié)構(gòu)7與電感器5的連接問題。
[0048]于此實施例中，第一導(dǎo)線架56之引腳564可以設(shè)計成凸字形且向下延伸，以與IC芯片封裝結(jié)構(gòu)7連接。如圖10所示，可在IC芯片封裝結(jié)構(gòu)7上形成對應(yīng)引腳564的凹槽700。組裝時，可先將引腳564嵌入凹槽700，再進行焊接，從而進一步增加焊接強度。然而，于另一實施例中，也可以將IC芯片封裝結(jié)構(gòu)7的引腳向上延伸，以與第一導(dǎo)線架56的引腳連接。此外，也可以利用外接式的引腳分別連接電感器5的第一導(dǎo)線架56與IC芯片封裝結(jié)構(gòu)7。換句話說，第一導(dǎo)線架56與IC芯片封裝結(jié)構(gòu)7的連接方式可根據(jù)實際應(yīng)用而設(shè)計，不以圖中所繪示的實施例為限。
[0049]請參考圖11，圖11是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的電感器5’與IC芯片的第二導(dǎo)線架70的示意圖。如圖11所示，也可以將IC芯片的第二導(dǎo)線架70朝電感器5’的第一導(dǎo)線架56’的方向延伸，以與第一導(dǎo)線架56’電連接。于此實施例中，第二導(dǎo)線架70包括二相對設(shè)置的U形導(dǎo)線架，但不以此為限。于另一實施例中，第二導(dǎo)線架70也可以呈環(huán)狀設(shè)計，視實際應(yīng)用而定。此外，第二導(dǎo)線架70具有電性接點702，用以與IC芯片形成電性連接。需說明的是，第二導(dǎo)線架70也可以具有一個以上的電性接點702，電性接點702可以是片狀或其它形狀，且電性接點702可位于第二導(dǎo)線架70的中間、兩側(cè)或其它任意位置，不以圖11所繪示的為限。
[0050]需說明的是，圖2中的第一芯材10也可以用圖5中的第一芯材50替換，且圖5中的第一芯材50也可以用圖2中的第一芯材10替換,視實際應(yīng)用而定。
[0051]根據(jù)上述技術(shù)方案，本發(fā)明的電感器至少具有下列優(yōu)點及有益效果:本發(fā)明將電感器的導(dǎo)線架嵌合于芯材。當(dāng)此電感器與IC芯片進行系統(tǒng)整合封裝時，可有效降低整體高度，使得電子產(chǎn)品利于薄型化的設(shè)計。此外，本發(fā)明的電感器利用導(dǎo)線架提供可與導(dǎo)線進行焊接的平臺，以提供較堅固的焊接強度。
[0052]以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例，凡依本發(fā)明權(quán)利要求所做的均等變化與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種電感器，其特征在于，包括: 一第一芯材，具有一第一側(cè)以及相對于該第一側(cè)的第二側(cè)，該第一芯材包括設(shè)置于該第一側(cè)的一柱子以及設(shè)置于該第二側(cè)的一突出部以形成位于周邊角落的一第一凹陷部，其中，該柱子與該突出部一體成形； 一導(dǎo)線，圍繞于該柱子；以及 一第一導(dǎo)線架，具有一第一嵌合部； 其中，所述第一嵌合部至少部分嵌合于所述第一凹陷部，并電性連接所述導(dǎo)線。
2.如權(quán)利要求1所述的電感器，其特征在于:所述第一嵌合部的下表面與所述突出部的下表面共平面。
3.如權(quán)利要求1所述的電感器，其特征在于:所述第一突出部還形成一圍繞于所述下側(cè)周邊的一第二角落的一第二凹陷部，以及所述第一導(dǎo)線架還具有一第二嵌合部，其中，所述第一嵌合部與第二嵌合部分別嵌合于所述第一凹陷部與第二凹陷部。
4.如權(quán)利要求1所述的電感器，其特征在于:一第一破孔形成于所述第一芯材的一第一側(cè)邊上，所述第一破孔與所述第一凹陷部位于所述第一芯材的同一角落。
5.如權(quán)利要求1所述的電感器，其特征在于:一第一破孔形成于所述第一芯材的一第一側(cè)邊上，所述第一導(dǎo)線架還包含一連接于所述第一嵌合部的焊接平臺，其中所述第一嵌合部的一部分嵌合于所述凹陷部以及所述導(dǎo)線的一端經(jīng)由所述破孔焊接于所述焊接平臺上。
6.如權(quán)利要求3所述的電感器，其特征在于:所述第一突出部還形成一圍繞于所述下側(cè)周邊的一第三角落的一第三凹陷部以及一圍繞于所述下側(cè)周邊的一第四角落的一第四凹陷部，所述電感器還包括一第二導(dǎo)線架，所述第二導(dǎo)線架具有一第三嵌合部與一第四嵌合部，其中，所述第三嵌合部與第四嵌合部分別嵌合于所述第三凹陷部與第四凹陷部。
7.如權(quán)利要求6所述的電感器，其特征在于:一第一破孔形成于所述第一芯材的一第一側(cè)邊上，以及一第二破孔形成于所述第一芯材的一第二側(cè)邊上，其中所述導(dǎo)線的第一端經(jīng)由所述第一破孔連接所述第一導(dǎo)線架的第一嵌合部，以及所述導(dǎo)線的第二端經(jīng)由所述第二破孔連接所述第二導(dǎo)線架的第三嵌合部。
8.如權(quán)利要求1所述的電感器，其特征在于:所述第一導(dǎo)線架還包括一連接第一嵌合部的一彎折部，所述彎折部向遠離所述第一芯材上側(cè)的方向延伸。
9.如權(quán)利要求1所述的電感器，其特征在于:所述第一芯材形狀為T形或I形。
10.如權(quán)利要求1所述的電感器,其特征在于:還包括置于所述第一芯材上的一第二芯材。
11.一種電感器，其特征在于，包括: 一第一芯材，具有一上側(cè)以及相對于所述上側(cè)的一下側(cè)，其中所述下側(cè)具有一第一突出部以形成一位于所述下側(cè)周邊的一第一角落的第一凹陷部； 一導(dǎo)線，置于所述第一芯材的上側(cè)上；以及 一第一導(dǎo)線架，具有一第一嵌合部； 其中，所述第一嵌合部至少部分嵌合于所述第一凹陷部并電性連接所述導(dǎo)線，所述第一嵌合部的下表面與所述突出部的下表平面共面。
12.—種用以形成電感器的芯材結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括:一第一芯材，包括: 一上側(cè)，用以容納一導(dǎo)線； 一相對于所述上側(cè)的一下側(cè)，所述下側(cè)具有一突出部以形成位于所述下側(cè)周邊的一第一角落的第一凹陷部，以連接至一導(dǎo)線架；以及 一位于所述第一芯材的一邊側(cè)上的一第一破孔，用以連接所述導(dǎo)線至所述導(dǎo)線架。
13.如權(quán)利要求12所述的芯材結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述導(dǎo)線架具有一嵌合于所述第一芯材的第一凹陷部的嵌合部。
14.如權(quán)利要求12所述的芯材結(jié)構(gòu),其特征在于:所述第一芯材包括一位于上側(cè)的柱子，其中所述導(dǎo)線圍繞于所述第一芯材的所述柱子。
15.如權(quán)利要求12所述的芯材結(jié)構(gòu)，其特征在于:還包括一置于所述第一芯材上的一第二芯材，其中所述導(dǎo)線置于所述第一芯材與所述第二芯材的間。
16.如權(quán)利要求12所述的芯材結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述第一芯材形狀為T形狀或I形狀。
17.如權(quán)利要求12所述的芯材結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述第一破孔與所述第一凹陷部位于所述第一芯材的同一角落，其中所述導(dǎo)線經(jīng)由所述破孔連接至所述導(dǎo)線架。
18.—種封裝結(jié)構(gòu)， 其特征在于，包括: 一具有一下側(cè)的電子元件，其中所述下側(cè)具有一突出部以形成位于所述下側(cè)邊緣周圍的一凹陷部； 一具有一嵌合部的一第一導(dǎo)線架，其中所述嵌合部嵌合于所述凹陷部，并電性連接所述電子元件；以及 一導(dǎo)電模組，其中所述第一導(dǎo)線架的所述嵌合部分位元于所述電子元件與所述導(dǎo)電模組的間，以及所述第一導(dǎo)線架電性連接所述導(dǎo)電模組。
19.如權(quán)利要求18所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述第一導(dǎo)線架具有一連接至所述導(dǎo)電模組的一引腳的T形引腳，其中所述導(dǎo)電模組的所述引腳位于所述導(dǎo)電模組上表面的一凹陷部中。
20.如權(quán)利要求18所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述電子元件為一電感器。
21.如權(quán)利要求20所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述導(dǎo)電模組包括一透過系統(tǒng)級封裝技術(shù)制成的集成電路。
22.如權(quán)利要求20所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述導(dǎo)電模組具有一向所述第一導(dǎo)線架延伸以連結(jié)所述第一導(dǎo)線架的一第二導(dǎo)線架。
23.一種電感器，其特征在于，包括: 一第一芯材，具有一第一側(cè)以及相對于該第一側(cè)的第二側(cè)，該第一芯材包括設(shè)置于該第一側(cè)的一柱子以及設(shè)置于該第二側(cè)的一第一突出部以形成位于周邊的一第一凹陷部與一第二凹陷部； 一導(dǎo)線，圍繞于該柱子并具有一第一端與一第二端；以及 一第一導(dǎo)線架，具有一第一部分以及與該第一部分間隔開的一第二部分，其中該第一部分具有一第一嵌合部與一連接該第一嵌合部的第一彎折部以及該第二部分具有一第二嵌合部與一連接該第二嵌合部的第二彎折部； 其中，所述第一嵌合部與第二嵌合部分別嵌合于所述第一凹陷部與第二凹陷部，所述第一導(dǎo)線架的第一部分與第二部分分別電性連接所述導(dǎo)線的第一端與第二端，所述第一彎折部與第二彎折部向遠離所述第一芯材上側(cè)的方向延伸。
24.如權(quán)利要求23所述的電感器，其特征在于，所述第一導(dǎo)線架具有一第一焊接平臺與一第二焊接平臺，所述第一焊接平臺與第二焊接平臺分別連接于所述第一嵌合部與第二嵌合部，所述第一芯材的一第一側(cè)邊具有一第一破孔以及所述第一芯材的一第二側(cè)邊具有一第二破孔，所述導(dǎo)線的第一端經(jīng)由所述第一破孔焊接于所述第一焊接平臺上以及所述導(dǎo)線的第二端經(jīng)由所述第二破孔焊接于所述第二焊接平臺上。
25.如權(quán)利要求23所述的電感器，其特征在于，所述第一芯材為T形狀或I形狀。
26.如權(quán)利要求23所述的電感器，其特征在于，所述第一導(dǎo)線架的第一部分與第二部分分別包括一 T形狀接腳且朝垂直于所述第一芯材的第二側(cè)的方向延伸。
27.如權(quán)利要求23所述的電感器，其特征在于，進一步包括一第二芯材，其中所述第二芯材設(shè)置于所述第一芯材的第一側(cè)。
28.如權(quán)利要求23所述的電感器，其特征在于，進一步包括設(shè)置于所述第一芯材的第一側(cè)的至少一第二突出部，該至少一第二突出部包圍所述柱子以形成一容納該導(dǎo)線的容置空間。
29.如權(quán)利要求23所述的電感器，其特征在于，所述電感器適于與IC晶片進行系統(tǒng)整合封裝，所述IC晶片包括一第二導(dǎo)線架，所述第二導(dǎo)線架朝所述第一導(dǎo)線架的方向延伸，以與所述第一導(dǎo)線架電性連接。
30.一種電感器，其特征在于，包括: 一第一芯材，具有一第一側(cè)以及相對于該第一側(cè)的第二側(cè)，所述第一芯材的第二側(cè)具有凹陷部以及所述第一芯材的側(cè)邊具有破孔； 一第二芯材，設(shè)置于所述第一芯材的第一側(cè)；以及 一導(dǎo)線，設(shè)置于所述第一芯材與所述第二芯材之間；以及 一第一導(dǎo)線架，具有嵌合部以及設(shè)置于該嵌合部上的焊接平臺； 其中，所述嵌合部嵌合于所述凹陷部，所述焊接平臺連接所述嵌合部，所述導(dǎo)線的一端經(jīng)由所述破孔焊接于所述焊接平臺上。
31.如權(quán)利要求30所述的電感器，其特征在于，所述第一芯材具有第一高度，所述嵌合部具有第二高度，在所述嵌合部嵌合于所述凹陷部后，所述嵌合部與所述第一芯材的總高度小于所述第一高度與所述第二高度的和。
32.如權(quán)利要求30所述的電感器，其特征在于，所述電感器適于與IC晶片進行系統(tǒng)整合封裝，所述IC晶片包括一第二導(dǎo)線架，所述第二導(dǎo)線架朝所述第一導(dǎo)線架的方向延伸，以與所述第一導(dǎo)線架電連接。
33.一種電感器，其特征在于，包括: 一第一芯材，具有一第一側(cè)以及相對于該第一側(cè)的第二側(cè)，該第一芯材包括設(shè)置于該第一側(cè)的一柱子； 一導(dǎo)線，圍繞于該柱子并具有一第一端與一第二端；以及 一第一導(dǎo)線架，具有一第一部分以及與該第一部分間隔開的一第二部分； 其中，所述第一導(dǎo)線架的第一部分與第二部分設(shè)置于所述第一芯材的第二側(cè)的相對的兩個邊緣且分別電性連接所述導(dǎo)線的第一端以及第二端，其中所述第一導(dǎo)線架的第一部分與第二部分分別包括一 T形狀接腳且朝垂直于所述第一芯材的第二側(cè)的方向延伸。
34.如權(quán)利要求33所述的電子元件，其特征在于，進一步包括一第二芯材，其中所述第二芯材設(shè)置于所述第一芯材的第一側(cè)。
35.如權(quán)利要求33所述的電子元件，其特征在于，所述電子元件適于與IC晶片進行系統(tǒng)整合封裝，所述IC晶片包括一第二導(dǎo)線架，所述第二導(dǎo)線架朝所述第一導(dǎo)線架的方向延伸，以與所述第一導(dǎo)線架電連接。
36.如權(quán)利要 求33所述的電感器，其特征在于，所述第一芯材為T形狀或I形狀。
【文檔編號】H01F17/04GK104051133SQ201410196077
【公開日】2014年9月17日 申請日期:2011年1月7日 優(yōu)先權(quán)日:2011年1月7日
【發(fā)明者】吳宗展 申請人:乾坤科技股份有限公司