低剖面?zhèn)鞲衅髂K及制造其的方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及低剖面?zhèn)鞲衅髂K及制造其的方法。一種主基板組件包括具有相對(duì)的第一和第二表面的第一基板，延伸穿過第一基板的孔，電路層，以及電耦合至電路層的第一接觸焊盤。傳感器芯片包括具有相對(duì)的第一和第二表面的第二基板，形成在第二基板上或中并且被配置以接收入射在第二基板第一表面上的光的多個(gè)光電探測(cè)器，以及形成在第二基板第一或第二表面處并且電耦合至光電探測(cè)器的多個(gè)第二接觸焊盤。間隔件安裝至第二基板第一表面。保護(hù)性基板安裝至間隔件并且布置在光電探測(cè)器之上。導(dǎo)電導(dǎo)管每一個(gè)延伸穿過間隔件并且與第二接觸焊盤中的一個(gè)電接觸。電連接器電連接第一接觸焊盤和導(dǎo)管。
【專利說明】低剖面?zhèn)鞲衅髂K及制造其的方法
[0001]相關(guān)申請(qǐng)
[0002]本申請(qǐng)要求2013年3月12日提交的美國臨時(shí)申請(qǐng)N0.61/778，238的權(quán)益，在此通過引用將其并入。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本發(fā)明涉及微電子器件的封裝，并且更具體地涉及光學(xué)半導(dǎo)體器件的封裝。

【背景技術(shù)】
[0004]半導(dǎo)體器件的趨勢(shì)是被封裝在更小的封裝(其在提供芯片外信號(hào)傳遞連通性的同時(shí)保護(hù)所述芯片)中的更小的集成電路(IC)器件(也被稱為芯片)。一個(gè)實(shí)例是圖像傳感器，其是包括光電探測(cè)器(其將入射光轉(zhuǎn)換成電信號(hào))的IC器件(其精確地以良好的空間分辨率反映所述入射光的強(qiáng)度和顏色信息)。
[0005]在針對(duì)圖像傳感器的晶片級(jí)封裝解決方案的發(fā)展背后存在不同的驅(qū)動(dòng)力。例如，簡化型因素(即，用于實(shí)現(xiàn)最高的容量/體積比率的增加的密度)克服空間限制并且使得能夠?qū)崿F(xiàn)更小的照相機(jī)模塊解決方案?？梢杂酶痰幕ミB長度實(shí)現(xiàn)增加的電性能，其改善了電性能并且因此改善了器件速度，以及其大大地減少了芯片功率消耗。異質(zhì)的集成允許不同的功能層的集成(例如，高和低分辨率圖像傳感器的集成、圖像傳感器與其處理器的集成等等)。
[0006]目前，板載芯片(C0B-其中裸芯片被直接安裝在印刷電路板上)和Shellcase晶片級(jí)CSP(其中晶片被層壓在兩片玻璃之間)是被用于構(gòu)造圖像傳感器模塊(例如，用于移動(dòng)裝置照相機(jī)、光學(xué)鼠標(biāo)等等)的主要封裝和裝配工藝。然而，隨著使用更高像素圖像傳感器，COB和Shellcase WLCSP裝配變得越來越困難，歸因于針對(duì)封裝8和12英寸圖像傳感器晶片的裝配限制、尺寸限制(此要求是針對(duì)較低剖面器件)、產(chǎn)量問題和資本投資。
[0007]存在對(duì)提供節(jié)約成本并且可靠(即，提供必要的機(jī)械支撐和電連接性)的低剖面封裝解決方案的改進(jìn)的封裝和封裝技術(shù)的需要。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]一種圖像傳感器封裝包括主基板組件和傳感器芯片。主基板組件包括具有相對(duì)的第一和第二表面的第一基板，在第一和第二表面之間延伸穿過第一基板的孔，一個(gè)或多個(gè)電路層，以及電耦合至該一個(gè)或多個(gè)電路層的多個(gè)第一接觸焊盤。傳感器芯片包括具有相對(duì)的第一和第二表面的第二基板，形成在第二基板上或中并且配置為接收入射在第二基板的第一表面上的光的多個(gè)光電探測(cè)器，以及形成在第二基板的第一表面或第二表面處并且電耦合至光電探測(cè)器的多個(gè)第二接觸焊盤。間隔件安裝至第二基板的第一表面。保護(hù)性基板安裝至間隔件并且布置在該多個(gè)光電探測(cè)器之上。多個(gè)電導(dǎo)管每一個(gè)由導(dǎo)電材料形成并且延伸穿過間隔件并且與第二接觸焊盤中的一個(gè)電接觸。電連接器每一個(gè)電連接第一接觸焊盤中的一個(gè)以及電導(dǎo)管中的一個(gè)。
[0009]在圖像傳感器封裝的另一個(gè)方面中，其包括主基板組件和傳感器芯片。主基板組件包括具有相對(duì)的第一和第二表面的第一基板，在第一和第二表面之間延伸穿過第一基板的孔，一個(gè)或多個(gè)電路層，以及電耦合至該一個(gè)或多個(gè)電路層的多個(gè)第一接觸焊盤。傳感器芯片包括具有相對(duì)的第一和第二表面的第二基板，形成在第二基板上或中并且配置為接收入射在第二基板的第一表面上的光的多個(gè)光電探測(cè)器，以及形成在第二基板的第一表面或第二表面處并且電耦合至光電探測(cè)器的多個(gè)第二接觸焊盤。保護(hù)性基板安裝至第二基板，其中保護(hù)性基板包括形成在其表面中的空腔，該空腔布置在該多個(gè)光電探測(cè)器之上。多個(gè)電導(dǎo)管每一個(gè)由延伸穿過保護(hù)性基板并且與第二接觸焊盤中的一個(gè)電接觸的導(dǎo)電材料形成。電連接器每一個(gè)電連接第一接觸焊盤中的一個(gè)以及電導(dǎo)管中的一個(gè)。
[0010]—種形成圖像傳感器封裝的方法包括:提供包括相對(duì)的第一和第二表面的第一基板、在第一和第二表面之間延伸穿過第一基板的孔、一個(gè)或多個(gè)電路層、以及電耦合至該一個(gè)或多個(gè)電路層的多個(gè)第一接觸焊盤；提供傳感器芯片，該傳感器芯片包括具有相對(duì)的第一和第二表面的第二基板、形成在第二基板上或中并且配置為接收入射在第二基板的第一表面上的光的多個(gè)光電探測(cè)器、以及形成在第二基板的第一表面或第二表面處并且電I禹合至光電探測(cè)器的多個(gè)第二接觸焊盤；將間隔件安裝至第二基板的第一表面；將保護(hù)性基板安裝至間隔件，其中保護(hù)性基板布置在該多個(gè)光電探測(cè)器之上；形成導(dǎo)電材料的多個(gè)電導(dǎo)管，每一個(gè)電導(dǎo)管延伸穿過間隔件并且與第二接觸焊盤中的一個(gè)電接觸；以及形成電連接器，每一個(gè)電連接器電連接第一接觸焊盤中的一個(gè)以及電導(dǎo)管中的一個(gè)。
[0011]在形成圖像傳感器封裝的方法的另一個(gè)方面中，其包括提供包括相對(duì)的第一和第二表面的第一基板、在第一和第二表面之間延伸穿過第一基板的孔、一個(gè)或多個(gè)電路層、以及電耦合至該一個(gè)或多個(gè)電路層的多個(gè)第一接觸焊盤；提供傳感器芯片，該傳感器芯片包括具有相對(duì)的第一和第二表面的第二基板、形成在第二基板上或中并且配置為接收入射在第二基板的第一表面上的光的多個(gè)光電探測(cè)器、以及形成在第二基板的第一表面或第二表面處并且電耦合至光電探測(cè)器的多個(gè)第二接觸焊盤；將保護(hù)性基板安裝至第二基板，其中保護(hù)性基板包括形成在其表面中的空腔，該空腔布置在該多個(gè)光電探測(cè)器之上；形成導(dǎo)電材料的多個(gè)電導(dǎo)管，每一個(gè)電導(dǎo)管延伸穿過保護(hù)性基板并且與第二接觸焊盤中的一個(gè)電接觸；以及形成電連接器，每一個(gè)電連接器電連接第一接觸焊盤中的一個(gè)以及電導(dǎo)管中的一個(gè)。
[0012]通過回顧說明書、權(quán)利要求書和附圖，本發(fā)明的其他目的和特征將變得顯而易見。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0013]圖1A至圖1F是依次示出了形成圖像傳感器組件過程中的各步驟的剖面?zhèn)纫晥D。
[0014]圖2A至圖2D是依次示出了形成圖像傳感器組件的替換實(shí)施例過程中的各步驟的首Ij面?zhèn)纫晥D。
[0015]圖3A至圖3B是依次示出了形成圖像傳感器組件的第二替換實(shí)施例過程中的各步驟的剖面?zhèn)纫晥D。
[0016]圖4是示出了圖像傳感器組件的第三替換實(shí)施例的剖面?zhèn)纫晥D。
[0017]圖5是示出了圖像傳感器組件的第四替換實(shí)施例的剖面?zhèn)纫晥D。
[0018]圖6是示出了圖像傳感器組件的第五替換實(shí)施例的剖面?zhèn)纫晥D。

【具體實(shí)施方式】
[0019]本發(fā)明涉及照相機(jī)模塊和微電子圖像傳感器器件的封裝，并且更具體地涉及形成包括低剖面晶片級(jí)封裝的圖像傳感器的低剖面芯片級(jí)照相機(jī)模塊。
[0020]圖1A至圖1F示出了封裝的圖像傳感器的形成。所述形成開始于包含形成于其上的多個(gè)圖像傳感器12的晶片10(基板)，如在圖1A中所示出的。每個(gè)圖像傳感器12包括多個(gè)光電探測(cè)器14、支持電路16以及接觸焊盤18。接觸焊盤18被電連接到光電探測(cè)器14和/或它們的支持電路16，用于提供芯片外信號(hào)傳遞。每個(gè)光電探測(cè)器14將光能轉(zhuǎn)換為電壓信號(hào)。附加的電路可以被包括以放大所述電壓，和/或?qū)⑵滢D(zhuǎn)換為數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)。濾色器和/或微透鏡20可以被安裝在所述光電探測(cè)器14之上。此類型的傳感器在本領(lǐng)域中是公知的，并且在此處不被進(jìn)一步描述。
[0021]保護(hù)性基板22經(jīng)由間隔件24安裝在基板10之上。優(yōu)選地，基板22和間隔件24形成了空腔26，每一個(gè)空腔單獨(dú)密封傳感器12中的一個(gè)?？涨?6優(yōu)選地足夠大以覆蓋每個(gè)傳感器12的整個(gè)有效傳感器區(qū)域，但是不延伸在接觸焊盤18之上。保護(hù)性基板22和間隔件24通過環(huán)氧樹脂、聚合物、樹脂或任何其他合適的(多個(gè))接合粘合劑和(多個(gè))方法而接合在圖像傳感器基板10的有效側(cè)面上?；?2可以是聚合物、玻璃、玻璃和聚合物的組合物、或任何其他(多個(gè))光學(xué)透明的材料。優(yōu)選地，基板22是具有在50至1000 μ m的范圍內(nèi)的厚度的玻璃。間隔件24可以由具有在5至500 μ m的范圍內(nèi)的優(yōu)選高度的環(huán)氧樹脂、聚合物、樹脂、玻璃、焊料掩?；蛉魏纹渌线m的(多個(gè))材料制成。得到的結(jié)構(gòu)示出在圖1B中。
[0022]可以通過機(jī)械研磨、化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)、濕法蝕刻、大氣下游等離子體(ADP)、干法化學(xué)蝕刻(DCE)、以及前述工藝的組合或任何其他合適的(多個(gè))硅減薄方法來完成硅減薄以減小基板10的厚度?；?0的已減薄厚度的非限制性實(shí)例是在50至500 μ m的范圍內(nèi)，諸如大約200 μ m。通孔28隨后形成在基板22的頂表面中并且一直延伸穿過基板22和間隔件24以暴露接觸焊盤18?？梢酝ㄟ^光刻、之后是等離子蝕刻、激光鉆孔、濕法蝕刻或任何其他合適的(多個(gè))通路形成方法來制造通孔28。優(yōu)選地，使用激光鉆孔，并且通孔28的底部不大于接觸焊盤18使得不暴露基板10的硅的任何部分。通孔28的頂部開口優(yōu)選地大于它們的底部開口，對(duì)于每個(gè)通孔28形成漏斗形狀。得到的結(jié)構(gòu)示出在圖1C中。
[0023]采用導(dǎo)電材料30填充通孔28或給通孔28加襯里，所述導(dǎo)電材料諸如是銀、銅、鋁、金、導(dǎo)電聚合物、導(dǎo)電粘合劑、前述材料的組合或任何其他合適的(多個(gè))導(dǎo)電材料。導(dǎo)電材料30可以通過PVD(物理氣相沉積)、電鍍、絲網(wǎng)印刷或任何其他合適的(多個(gè))分配方法而沉積在通孔28中。導(dǎo)電材料30形成了電導(dǎo)管，每一個(gè)電導(dǎo)管延伸穿過保護(hù)性基板22和間隔件24。電互連32隨后形成或沉積在導(dǎo)電材料30上。互連32可以是BGA、柱頭凸塊、電鍍凸塊、導(dǎo)電聚合物凸塊、銅柱、微柱或任何其他合適的互連結(jié)構(gòu)。替換地，互連30可以以它們與導(dǎo)電材料30電接觸的方式而形成為與通孔28相鄰。可以采用機(jī)械刀片切片設(shè)備、激光切割或任何其他合適的工藝來完成部件的晶片級(jí)切片/單體化以將每個(gè)圖像傳感器12分離成單獨(dú)的管芯。得到的結(jié)構(gòu)示出在圖1D中。
[0024]經(jīng)單體化的封裝的傳感器管芯可以隨后經(jīng)由互連32安裝至主基板34，主基板34具有接觸焊盤36、電路層38和位于圖像傳感器12之上的孔40，如圖1E所示。主基板34可以是有機(jī)柔性PCB、FR4PCB、硅(剛性)、玻璃、陶瓷或任何其他類型的合適基板。
[0025]透鏡模塊42可以安裝在傳感器12之上，如圖1F所示。示例性的透鏡模塊42可以包括接合至主基板34的外殼44，其中外殼44在傳感器12之上支撐一個(gè)或多個(gè)透鏡46。采用該最終結(jié)構(gòu)，圖像傳感器12通過互連32固定至主基板34的一側(cè)，并且透鏡模塊42固定至主基板34的另一側(cè)，其中透鏡模塊將入射的光通過孔40、保護(hù)性基板22聚焦至光電探測(cè)器14上。保護(hù)性基板22保護(hù)圖像傳感器12免受污染。導(dǎo)電材料30將接觸焊盤18電連接至互連32，所述互連又電連接至主基板34的接觸焊盤36以及電路層38。
[0026]圖2A至圖2D示出了封裝的圖像傳感器的替換實(shí)施例的形成。所述形成開始于與圖1A所示的相同的結(jié)構(gòu)，除了接觸焊盤18位于光入射到其上的基板10的相對(duì)表面上之夕卜。該配置可以包括背面照射的傳感器器件(BSI)，其中光電探測(cè)器14形成為與基板的相對(duì)表面相鄰，因?yàn)榻佑|焊盤18或光電探測(cè)器被配置為探測(cè)穿過該相對(duì)表面進(jìn)入基板10的光。使用合適的粘合劑52將基板10安裝至支撐基板50，如圖2A所示。隨后通過保護(hù)性基板22、間隔件24以及通過上面關(guān)于圖1B和圖1C描述的相同技術(shù)減薄的支撐基板50密封傳感器，以得到圖2B中所示的結(jié)構(gòu)。
[0027]如上面關(guān)于圖1C所解釋的，隨后在基板22的頂表面中形成通孔28，并且通孔28延伸一直穿過基板22和穿過間隔件24。額外地，通過額外的硅蝕刻使得通孔28延伸穿過基板10以暴露接觸焊盤18。采用絕緣層54給通孔28的側(cè)壁加襯里，所述絕緣層諸如是聚酰亞胺、陶瓷、聚合物、聚合物合成物、聚對(duì)二甲苯、氧化硅、環(huán)氧樹脂、硅樹脂、氮化物、玻璃、樹脂、和/或前述材料的組合或任何其他合適的(多個(gè))介電材料。優(yōu)選地，絕緣層54是二氧化硅，并且通過在整個(gè)結(jié)構(gòu)之上沉積材料54的層、之后沉積光致抗蝕劑層來形成。通過光刻圖形化光致抗蝕劑層以去除除了通孔28的側(cè)表面之外的光致抗蝕劑層，留下暴露的(即在水平表面上的)層54的剩余部分。使用蝕刻以去除層54的已暴露部分，留下圖2C所示的結(jié)構(gòu)(在去除光致抗蝕劑之后)。
[0028]接著執(zhí)行上面關(guān)于圖1D至圖1F所討論的處理步驟(即形成導(dǎo)電材料30和互連32，單體化管芯，安裝主基板34，以及包括透鏡模塊42)，這導(dǎo)致得到圖2D所示的結(jié)構(gòu)。
[0029]圖3A和圖3B示出了封裝的圖像傳感器的第二替換實(shí)施例的形成，其中通孔28和導(dǎo)電材料30沒有被形成為穿過保護(hù)性基板22。所述形成開始于與圖1B中所示的相同的結(jié)構(gòu)。在基板10的硅減薄之后，優(yōu)選地通過使用激光切割設(shè)備、機(jī)械鋸切、和前述工藝的組合或任何其他合適的(多個(gè))玻璃切割方法，如圖3A所示，切割并且去除在接觸焊盤18之上的保護(hù)性基板22的部分。激光切割是優(yōu)選的方法，并且暴露在接觸焊盤18之上的間隔件24的部分。
[0030]穿過間隔件24形成通孔28，以便以類似于上面關(guān)于圖1C所描述的方式暴露接觸焊盤18。隨后執(zhí)行上面關(guān)于圖1D至圖1F所描述的處理步驟以得到圖3B所示的結(jié)構(gòu)。該實(shí)施例的總厚度可以小于圖1F的總厚度，因?yàn)楸Ｗo(hù)性基板22可以至少部分地突出到孔40中。
[0031]圖4示出了封裝的圖像傳感器的第三替換實(shí)施例，其中在執(zhí)行上面關(guān)于圖2C至圖2D所描述的剩余處理步驟之前，如上面關(guān)于圖3A所描述的對(duì)保護(hù)性基板22的切割被應(yīng)用于圖2B的結(jié)構(gòu)。該實(shí)施例的總厚度可以小于圖2D的總厚度，因?yàn)楸Ｗo(hù)性基板22可以至少部分地突出到孔40中。
[0032]將被理解的是，本發(fā)明不限于上面所描述的和此處示出的(多個(gè))實(shí)施例，而是涵蓋落入隨附的權(quán)利要求的范圍內(nèi)的任何和所有變體。例如，此處對(duì)本發(fā)明的參考不是意在限制任何權(quán)利要求或權(quán)利要求項(xiàng)的范圍，而是相反地僅僅涉及可能由一個(gè)或多個(gè)權(quán)利要求覆蓋的一個(gè)或多個(gè)特征。上面所描述的材料、工藝以及數(shù)值實(shí)例僅是示例性的，并且不應(yīng)被認(rèn)為限制所述權(quán)利要求。此外，如從權(quán)利要求和說明書顯而易見的，不是所有方法步驟需要按照所示出的或所要求保護(hù)的精確順序而被執(zhí)行，而是以允許適當(dāng)?shù)匦纬煞庋b的圖像傳感器的任何順序來執(zhí)行。對(duì)于每個(gè)傳感器管芯，間隔件24可以是單個(gè)元件或者多個(gè)分立的間隔件元件。替換地，間隔件24可以從圖1F和圖2D的實(shí)施例省略，并且替代地空腔26可以形成在基板22的底表面中(例如通過光刻蝕刻)，分別如圖5和圖6所示，其中通孔28和導(dǎo)電材料30穿過基板22形成。最后，材料的單層可以形成為這種或類似材料的多層，反之亦然。
[0033] 應(yīng)注意的是，如此處所使用的，術(shù)語“之上”和“上”兩者廣范圍地包括“直接在…上”(沒有中間材料、元件或空間被布置在其之間)和“間接在…上”(中間材料、元件或空間被布置在其之間)。同樣地，術(shù)語“相鄰”包括“直接相鄰”(沒有中間材料、元件或空間被布置在其之間)和“間接相鄰”(中間材料、元件或空間被布置在其之間)，“被安裝到”包括“直接被安裝到”(沒有中間材料、元件或空間被布置在其之間)和“間接被安裝到”(中間材料、元件或空間被布置在其之間)，并且“被電耦合”包括“直接被電耦合到”(在其之間沒有將所述元件電連接在一起的中間材料或元件)和“間接被電耦合到”(在其之間存在將所述元件電連接在一起的中間材料或元件)。例如，“在基底之上”形成元件可以包括在所述基底上直接形成所述元件而在其之間沒有中間材料/元件，也包括在所述基底上間接形成所述元件而在其之間存在一個(gè)或多個(gè)中間材料/元件。
【權(quán)利要求】
1.一種圖像傳感器封裝，包括: 主基板組件，包括: 第一基板，具有相對(duì)的第一和第二表面， 孔，在所述第一和第二表面之間延伸穿過所述第一基板， 一個(gè)或多個(gè)電路層， 多個(gè)第一接觸焊盤，電耦合至所述一個(gè)或多個(gè)電路層； 傳感器芯片，其包括: 第二基板，具有相對(duì)的第一和第二表面， 多個(gè)光電探測(cè)器，形成在所述第二基板上或中，并且被配置以接收入射在所述第二基板的第一表面上的光，以及 多個(gè)第二接觸焊盤，形成在所述第二基板的第一表面或第二表面處，并且電耦合至所述光電探測(cè)器； 間隔件，安裝至所述第二基板的第一表面； 保護(hù)性基板，安裝至所述間隔件并且布置在所述多個(gè)光電探測(cè)器之上； 多個(gè)電導(dǎo)管，每個(gè)電導(dǎo)管由延伸穿過所述間隔件并且與所述第二接觸焊盤中的一個(gè)電接觸的導(dǎo)電材料形成；以及 電連接器，每個(gè)電連接器電連接所述第一接觸焊盤中的一個(gè)與所述電導(dǎo)管中的一個(gè)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器封裝，進(jìn)一步包括: 透鏡模塊，安裝至所述主基板組件，其中所述透鏡模塊包括被布置用于穿過所述孔將光聚焦至所述光電探測(cè)器上的一個(gè)或多個(gè)透鏡。
3.根據(jù)權(quán)利2所述的圖像傳感器封裝，其中: 所述透鏡模塊安裝至所述第一基板的第一表面；以及 所述第一接觸焊盤布置在所述第一基板的第二表面處。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器封裝，其中，所述電導(dǎo)管的每一個(gè)具有漏斗形截面。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器封裝，其中，所述第二接觸焊盤形成在所述第二基板的第一表面處。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的圖像傳感器封裝，其中，所述電導(dǎo)管的每一個(gè)也延伸穿過所述保護(hù)性基板。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的圖像傳感器封裝，其中，所述保護(hù)性基板至少部分地布置在所述孔中。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器封裝，其中，所述第二接觸焊盤形成在所述第二基板的第二表面處，并且其中所述電導(dǎo)管的每一個(gè)也延伸穿過所述第二基板的至少一部分并且與該至少一部分絕緣。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的圖像傳感器封裝，進(jìn)一步包括: 支撐基板，安裝至所述第二基板的第二表面。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的圖像傳感器封裝，其中，所述電導(dǎo)管的每一個(gè)也延伸穿過所述保護(hù)性基板。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的圖像傳感器封裝，其中，所述保護(hù)性基板至少部分地布置在所述孔中。
12.—種圖像傳感器封裝，包括: 主基板組件，包括: 第一基板，具有相對(duì)的第一和第二表面， 孔，在所述第一和第二表面之間延伸穿過所述第一基板， 一個(gè)或多個(gè)電路層， 多個(gè)第一接觸焊盤，電耦合至所述一個(gè)或多個(gè)電路層； 傳感器芯片，包括: 第二基板，具有相對(duì)的第一和第二表面， 多個(gè)光電探測(cè)器，形成在所述第二基板上或中，并且被配置以接收入射在所述第二基板的第一表面上的光，以及 多個(gè)第二接觸焊盤，形成在所述第二基板的第一表面或第二表面處并且電耦合至所述光電探測(cè)器； 保護(hù)性基板，安裝至所述第二基板，其中所述保護(hù)性基板包括形成在其表面中的空腔，所述空腔布置在所述多個(gè)光電探測(cè)器之上； 多個(gè)電導(dǎo)管，每一個(gè)電導(dǎo)管由延伸穿過所述保護(hù)性基板并且與所述第二接觸焊盤中的一個(gè)電接觸的導(dǎo)電材料形成；以及 電連接器，每一個(gè)電連接器電連接所述第一接觸焊盤中的一個(gè)與所述電導(dǎo)管中的一個(gè)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的圖像傳感器封裝，進(jìn)一步包括: 透鏡模塊，安裝至所述主基板組件，其中所述透鏡模塊包括被布置用于穿過所述孔將光聚焦至所述光電探測(cè)器上的一個(gè)或多個(gè)透鏡。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的圖像傳感器封裝，其中: 所述透鏡模塊安裝至所述第一基板的第一表面；以及 所述第一接觸焊盤布置在所述第一基板的第二表面處。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的圖像傳感器封裝，其中，所述電導(dǎo)管的每一個(gè)具有漏斗形截面。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的圖像傳感器封裝，其中，所述第二接觸焊盤形成在所述第二基板的第一表面處。
17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的圖像傳感器封裝，其中，所述第二接觸焊盤形成在所述第二基板的第二表面處，并且其中所述電導(dǎo)管的每一個(gè)也延伸穿過所述的第二基板的至少一部分并且與該至少一部分絕緣。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的圖像傳感器封裝，進(jìn)一步包括: 支撐基板，安裝至所述第二基板的第二表面。
19.一種形成圖像傳感器封裝的方法，包括: 提供包括相對(duì)的第一和第二表面的第一基板，在所述第一和第二表面之間延伸穿過所述第一基板的孔，一個(gè)或多個(gè)電路層，以及電耦合至所述一個(gè)或多個(gè)電路層的多個(gè)第一接觸焊盤； 提供傳感器芯片，其包括具有相對(duì)的第一和第二表面的第二基板，形成在所述第二基板上或中并且被配置以接收入射在所述第二基板的第一表面上的光的多個(gè)光電探測(cè)器，以及形成在所述第二基板的第一表面或第二表面處并且電耦合至所述光電探測(cè)器的多個(gè)第二接觸焊盤； 安裝間隔件至所述第二基板的第一表面； 安裝保護(hù)性基板至所述間隔件，其中所述保護(hù)性基板布置在所述多個(gè)光電探測(cè)器之上； 形成導(dǎo)電材料的多個(gè)電導(dǎo)管，每一個(gè)電導(dǎo)管延伸穿過所述間隔件并且與所述第二接觸焊盤中的一個(gè)電接觸； 形成電連接器，每一個(gè)電連接器電連接所述第一接觸焊盤中的一個(gè)與所述電導(dǎo)管中的一個(gè)。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，進(jìn)一步包括: 安裝透鏡模塊至所述主基板組件，其中所述透鏡模塊包括被布置用于穿過所述孔將光聚焦至所述光電探測(cè)器上的一個(gè)或多個(gè)透鏡。
21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中，所述第二接觸焊盤形成在所述第二基板的第一表面處，并且其中所述形成多個(gè)電導(dǎo)管進(jìn)一步包括將所述電導(dǎo)管中的每一個(gè)形成為延伸穿過所述保護(hù)性基板。
22.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中，所述第二接觸焊盤形成在所述第二基板的第二表面處，并且其中所述形成多個(gè)電導(dǎo)管進(jìn)一步包括將所述電導(dǎo)管中的每一個(gè)形成為延伸穿過所述第二基板的至少一部分并且與該至少一部分絕緣。
23.一種形成圖像傳感器封裝的方法，包括: 提供包括相對(duì)的第一和第二表面的第一基板，在所述第一和第二表面之間延伸穿過所述第一基板的孔，一個(gè)或多個(gè)電路層，以及電耦合至所述一個(gè)或多個(gè)電路層的多個(gè)第一接觸焊盤； 提供傳感器芯片，其包括具有相對(duì)的第一和第二表面的第二基板，形成在所述第二基板上或中并且被配置以接收入射在所述第二基板的第一表面上的光的多個(gè)光電探測(cè)器，以及形成在所述第二基板的第一表面或第二表面處并且電耦合至所述光電探測(cè)器的多個(gè)第二接觸焊盤； 安裝保護(hù)性基板至所述第二基板，其中所述保護(hù)性基板包括形成在其表面中的空腔，所述空腔布置在所述多個(gè)光電探測(cè)器之上； 形成導(dǎo)電材料的多個(gè)電導(dǎo)管，每一個(gè)電導(dǎo)管延伸穿過所述保護(hù)層基板并且與所述第二接觸焊盤中的一個(gè)電接觸； 形成電連接器，每一個(gè)電連接器電連接所述第一接觸焊盤中的一個(gè)與所述電導(dǎo)管中的一個(gè)。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，進(jìn)一步包括: 安裝透鏡模塊至所述主基板組件，其中所述透鏡模塊包括被布置用于穿過所述孔將光聚焦至所述光電探測(cè)器上的一個(gè)或多個(gè)透鏡。
25.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其中，所述第二接觸焊盤形成在所述第二基板的第一表面處。
26.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其中，所述第二接觸焊盤形成在所述第二基板的第二表面處，并且其中所述形成多個(gè)電導(dǎo)管進(jìn)一步包括將所述電導(dǎo)管中的每一個(gè)形成為延伸穿過所述第二基板的 至少一部分并且與該至少一部分絕緣。
【文檔編號(hào)】H01L27/146GK104078477SQ201410198332
【公開日】2014年10月1日 申請(qǐng)日期:2014年3月12日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月12日
【發(fā)明者】V·奧加涅相, Z·盧 申請(qǐng)人:奧普蒂茲公司