一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明實施例公開了一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置，涉及顯示【技術領域】，能夠防止漏極反光，保證了顯示裝置的顯示效果。該陣列基板，包括：薄膜晶體管單元的漏極、絕緣層和像素電極，所述絕緣層位于所述漏極和所述像素電極之間，所述絕緣層形成有過孔，所述漏極和所述像素電極通過所述過孔連接；其中，所述過孔處的像素電極的表面為粗糙面。
【專利說明】一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術領域】，尤其涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置。
【背景技術】
[0002]由于近年來人們對于顯示裝置的透光率、分辨率、功耗等的要求越來越高，顯示裝置都在向著高透過率、高分辨率、低功耗等方向發(fā)展。其中，分辨率越高，使得每一個像素單元的尺寸越小，當像素單元的邊長由幾十微米變?yōu)槭畮孜⒚讜r，顯然，像素單元的尺寸得到了大幅度的減小，此時，若劃分像素單元的黑矩陣的寬度仍然保持不變，相對于像素單元而言，黑矩陣將變得明顯，將會影響顯示裝置的顯示效果。
[0003]因此，將彩色濾光片與陣列基板集成在一起的其中一種集成技術(Color Filteron Array，簡稱C0A)應運而生。由于此時黑矩陣位于陣列基板上，在適當減小黑矩陣的寬度時，也能保證黑矩陣能夠充分遮擋柵線、數據線和薄膜晶體管單元等需遮光的結構，同時，減少漏光現象發(fā)生的可能性，在提高分辨率、透過率的同時又保證了顯示裝置的顯示效果。
[0004]發(fā)明人發(fā)現，在將黑矩陣整合到陣列基板上之后，由于黑矩陣通常位于薄膜晶體管的漏極和像素電極之間，為了實現漏極與像素電極之間的電連接，需要在黑矩陣形成過孔，該過孔會影響黑矩陣對漏極的遮光效果，導致漏極反射來自過孔一側的光，降低了顯示裝置的顯示效果。

【發(fā)明內容】

[0005]本發(fā)明所要解決的技術問題在于提供一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置，能夠防止漏極反光，保證了顯示裝置的顯示效果。
[0006]為解決上述技術問題，本發(fā)明采用如下技術方案:
[0007]本發(fā)明第一方面提供了一種陣列基板，包括:
[0008]薄膜晶體管單元的漏極、絕緣層和像素電極，所述絕緣層位于所述漏極和所述像素電極之間，所述絕緣層形成有過孔，所述漏極和所述像素電極通過所述過孔連接；其中，所述過孔處的像素電極的表面為粗糙面。
[0009]所述過孔處的像素電極的表面經過等離子體處理。
[0010]所述等離子體包括氫等離子體或硅烷等離子體。
[0011]在本發(fā)明實施例的技術方案中，絕緣層過孔處的像素電極的表面處理為粗糙面，該粗糙面可以降低過孔處像素電極的透光率，減少接觸到漏極的光線，同時還可降低漏極反射的光的透過率，減小漏極對外界光線的反射效果，改善顯示裝置的顯示效果。
[0012]本發(fā)明第二方面提供了一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。
[0013]本發(fā)明第三方面提供了一種陣列基板的制備方法，包括:
[0014]形成薄膜晶體管單元的漏極、絕緣層和像素電極，其中，所述絕緣層位于所述漏極和所述像素電極之間， 所述絕緣層形成有過孔，所述漏極和所述像素電極通過所述過孔連接；[0015]將所述過孔處的像素電極表面處理為粗糙面。
[0016]所述將所述過孔處的像素電極表面處理為粗糙面包括:
[0017]利用等離子體處理所述過孔處的像素電極，使得所述過孔處的像素電極表面為粗糙面。
[0018]所述等離子體包括氫等離子體或硅烷等離子體。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0020]圖1為本發(fā)明實施例中的陣列基板的結構示意圖一；
[0021]圖2為本發(fā)明實施例中的陣列基板的結構示意圖二 ；
[0022]圖3為本發(fā)明實施例中的陣列基板的制備方法的流程示意圖；
[0023]圖4為本發(fā)明實施例中的陣列基板的結構示意圖三；
[0024]圖5為本發(fā)明實施例中的陣列基板的結構示意圖四；
[0025]圖6為本發(fā)明實施例中的陣列基板的結構示意圖五；
[0026]圖7為本發(fā)明實施例中的陣列基板的結構示意圖六；
[0027]圖8為本發(fā)明實施例中的陣列基板的結構示意圖七。
[0028]附圖標記說明:
[0029]I一襯底基板；2—薄膜晶體管單元；21—漏極；
[0030]22一有源層；23—源極；24—柵極；
[0031]25一柵極絕緣層；3—絕緣層；4一像素電極；
[0032]5—過孔；6—彩膜；7—黑矩陣；
[0033]8—第一絕緣層； 9 一第二絕緣層； 10—公共電極；
[0034]11 一第三絕緣層；12—透明導電薄膜；13—光刻膠層。
【具體實施方式】
[0035]下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0036]實施例一
[0037]本發(fā)明實施例提供一種陣列基板，如圖1所示，該陣列基板包括:
[0038]位于襯底基板I之上的薄膜晶體管單元2的漏極21、絕緣層3和像素電極4，所述絕緣層3位于所述漏極21和所述像素電極4之間，所述絕緣層3形成有過孔5，所述漏極21和所述像素電極4通過所述過孔5連接；其中，所述過孔5處的像素電極4的表面為粗糙面。
[0039]在本發(fā)明實施例中，采用了 COA技術，將彩膜6、黑矩陣7與所述薄膜晶體管單元2都在同一襯底基板I上形成。由于薄膜晶體管單元2主要是通過在有源層22中形成導電溝道，使得源極23和漏極21之間可以實現電信號的傳遞。而光照會影響有源層22內的導電溝道對載流子的傳輸能力，進而影響薄膜晶體管單元2的工作效果。一般的，需要在對應于所述薄膜晶體管單元2的有源層22設置黑矩陣7，同時，為了保證彩膜6和黑矩陣7之間的對位精度，將彩膜6直接形成在黑矩陣7之上。
[0040]具體的,在本發(fā)明實施例中,所述絕緣層3至少包括位于所述薄膜晶體管單元2之上的第一絕緣層8、第二絕緣層9和彩膜6，其中第一絕緣層8直接覆蓋薄膜晶體管單元2，通常又稱為鈍化層，采用鈍化層工藝不僅提高了顯示裝置的耐嚴酷環(huán)境的能力，而且有助于改善薄膜晶體管單元2的光電參數性能。類似的，第二絕緣層9位于彩膜之上，可稱為平坦層，平坦層的設置有利于該陣列基板后續(xù)加工步驟的進行。
[0041]另外，如圖1所示，為了保證黑矩陣7對有源層22的遮光效果，將黑矩陣7直接設置于第一絕緣層8之上。
[0042]該黑矩陣7可選用黑色或深色的樹脂制作。由于黑矩陣7在制作過程中，首先在所形成的第一絕緣層8上沉積一層遮光材料，之后通過包括刻蝕在內的構圖工藝形成對應各個薄膜晶體管單元2的多個黑矩陣7。為了減少陣列基板的制備流程，優(yōu)選黑色的光刻膠來制作，利用光刻膠的感光性質，制備黑矩陣7時可以省略光刻膠的使用。
[0043]由于采用了 COA技術，黑矩陣7放置在陣列基板上，同時為了保證像素電極和漏極之間的連接，黑矩陣7無法完全遮蔽漏極21，貫穿絕緣層3的過孔5使得漏極21部分暴露在外，雖然在其上還覆蓋有一層與漏極21連接的像素電極4，但像素電極4通常采用氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)，或者錫、鋅、鉭、銻等一種或多種元素摻雜的氧化銦系列金屬氧化物透明導電薄膜，優(yōu)選地本發(fā)明的透明導電薄膜為ITO薄膜，因此，過孔5對應的漏極21的部分會對來自外界的光進行鏡面反射，影響了顯示裝置的顯示效果。
[0044]因此，在本發(fā)明實施例中，為了防止漏極21被過孔5暴露在外的部分發(fā)生鏡面反射，將過孔處的像素電極的表面處理為粗糙面，該粗糙面可以降低過孔處像素電極的透光率，減少接觸到漏極的光線，同時還可降低漏極反射的光的透過率，減小漏極對外界光線的反射效果，改善顯示裝置的顯示效果。
[0045]在本實施例的技術方案中，絕緣層過孔處的像素電極的表面處理為粗糙面，該粗糙面可以降低過孔處像素電極的透光率，減少接觸到漏極的光線，同時還可降低漏極反射的光的透過率，減小漏極對外界光線的反射效果，改善顯示裝置的顯示效果。
[0046]優(yōu)選的，所述過孔5處的像素電極4的表面經過等離子體處理，該處理方法簡單、便捷，易于實現。
[0047]在本發(fā)明實施例中，所述等離子體包括氫等離子體或硅烷等離子體。其中，氫等離子體因其安全無毒的特性為本發(fā)明實施例的優(yōu)選。具體的，氫等離子會與氧化銦系金屬氧化物透明導電薄膜中的氧化銦發(fā)生還原反應，生成金屬銦和水，金屬銦在氧化銦系金屬氧化物透明導電薄膜表面析出，形成大的顆粒，導致所形成的器件表面平整度下降，粗糙的表面會增強光的漫反射效應，降低氧化銦系金屬氧化物透明導電薄膜透光率；反應生成的水會使原本透明的氧化銦系金屬氧化物透明導電薄膜顏色變白，發(fā)生霧化現象，進一步降低氧化銦系金屬氧化物透明導電薄膜的透光率。
[0048]具體操作時，氫等離子體的射頻功率的范圍可為500?5000W，處理的時間范圍可為 5 ~30 秒，壓強范圍可為 50 ~200mTorr (ITorr ^ 133.322Pa)。
[0049]顯然，圖1所示的陣列基板中的薄膜晶體管單元2為底柵型的，即該薄膜晶體管單元2的結構由下至上包括:柵極24、柵極絕緣層25、同層設置且絕緣的源極23和漏極21、以及連接源極23和漏極21的有源層22。類似的，薄膜晶體管單元2也可為頂柵型。頂柵型的薄膜晶體管單元2的結構與圖1所示的底柵型的近乎相反，即頂柵型的薄膜晶體管單元2由下至上包括:同層設置且絕緣的源極23和漏極21、連接源極23和漏極21的有源層22、柵極絕緣層25和柵極24。
[0050]顯然，圖1所示的陣列基板為COA工藝的扭曲向列型(Twisted Nematic，簡稱TN)模式的陣列基板。在此基礎上，可以考慮對圖1所示的陣列基板的結構進行改進，例如，如圖2所示，該陣列基板在圖1所示的陣列基板的基礎上還包括與所述像素電極4配合的公共電極10，以及位于所述像素電極4和所述公共電極10之間的第三絕緣層11，此時該陣列基板為COA工藝的高級超維場轉換(Advanced Super Dimension Switch,簡稱ADS)模式的陣列基板，顯然，圖2中的像素電極4位于公共電極10之上，為了實現像素電極4和漏極21之間的連接，過孔5還需要貫穿第三絕緣層11。
[0051]本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，包括上述的任一項陣列基板，具體的，該顯示裝置可以為:液晶面 板、液晶電視、液晶顯示器、數碼相框、手機、平板電腦等具有任何顯示功能的產品或部件。
[0052]實施例二
[0053]本發(fā)明實施例提供一種陣列基板的制備方法，如圖3所示，該陣列基板的制備方法包括:
[0054]步驟S101、形成薄膜晶體管單元的漏極、絕緣層和像素電極，其中，所述絕緣層位于所述漏極和所述像素電極之間，所述絕緣層形成有過孔，所述漏極和所述像素電極通過所述過孔連接；
[0055]步驟S102、將所述過孔處的像素電極表面處理為粗糙面。
[0056]其中，步驟S102包括:利用等離子體處理所述過孔處的像素電極，使得所述過孔處的像素電極表面為粗糙面。
[0057]具體的，在對過孔5處的像素電極4的表面進行處理時，需要利用光刻膠等形成保護層，將無需進行處理的像素電極進行保護，暴露需要進行處理得像素電極，以下，進行具體說明:
[0058]在依次形成有薄膜晶體管單元2、第一絕緣層8、黑矩陣7、彩膜6、第二絕緣層9、公共電極10和第三絕緣層11的陣列基板上形成透明導電薄膜12，該透明導電薄膜12通過依次貫穿第三絕緣層11、第二絕緣層9、彩膜6和第一絕緣層8的過孔5連接至薄膜晶體管單元2的漏極21,如圖4所示。
[0059]在圖4的基礎上，利用半色調掩膜板，在該透明導電薄膜之上形成具有像素電極4的圖案的光刻膠層13，如圖5所示，進行構圖工藝，形成梳齒狀的像素電極4，如圖6所示；利用灰化工藝去除過孔5處的光刻膠層13，使得過孔5處的像素電極4暴露在外，如圖7所示，此時可利用等離子體處理所述過孔5處的像素電極4，使得像素電極4表面變?yōu)榇植诿妫鐖D8所示；最后，剝離去除陣列基板上剩余的光刻膠層13，形成圖2所示的陣列基板的結構。[0060]優(yōu)選的，所述等離子體包括氫等離子體或硅烷等離子體。
[0061]以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實施方式】，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術領域】的技術人員在本發(fā)明揭露的技術范圍內，可輕易想到變化或替換，都應涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內。因此，本發(fā)明的保護范圍應以所述權利要求的保護范圍為準。
【權利要求】
1.一種陣列基板，其特征在于，包括: 薄膜晶體管單元的漏極、絕緣層和像素電極，所述絕緣層位于所述漏極和所述像素電極之間，所述絕緣層形成有過孔，所述漏極和所述像素電極通過所述過孔連接；其中，所述過孔處的像素電極的表面為粗糙面。
2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于， 所述過孔處的像素電極的表面經過等離子體處理。
3.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于， 所述等離子體包括氫等離子體或硅烷等離子體。
4.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求1-3任一項所述的陣列基板。
5.—種陣列基板的制備方法,其特征在于,包括: 形成薄膜晶體管單元的漏極、絕緣層和像素電極，其中，所述絕緣層位于所述漏極和所述像素電極之間，所述絕緣層形成有過孔，所述漏極和所述像素電極通過所述過孔連接；將所述過孔處的像素電極表面處理為粗糙面。
6.根據權利要求5所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述將所述過孔處的像素電極表面處理為粗糙面包括: 利用等離子體處理所述過孔處的像素電極，使得所述過孔處的像素電極表面為粗糙面。
7.根據權利要求6所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，還包括: 所述等離子體包括氫等離子體或硅烷等離子體。
【文檔編號】H01L23/528GK103985717SQ201410200290
【公開日】2014年8月13日 申請日期:2014年5月13日 優(yōu)先權日:2014年5月13日
【發(fā)明者】張鋒, 曹占鋒, 姚琪, 舒適 申請人:京東方科技集團股份有限公司