一種提高ito透明導(dǎo)電薄膜空穴注入能力的方法及其應(yīng)用的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種提高ITO透明導(dǎo)電薄膜空穴注入能力的方法，其包括下述步驟：S1、在溶劑超干苯溶液中加入一種或兩種結(jié)構(gòu)式(Ⅰ)所示結(jié)構(gòu)的化合物，所述化合物與溶劑超干苯溶液的體積比為0.1％-5％，充分混合；S2、通過UV光照處理ITO透明導(dǎo)電薄膜表面后，將ITO透明導(dǎo)電薄膜表面浸泡在步驟(1)中所制的混合溶液中；S3、取出步驟(2)中浸泡處理后的ITO透明導(dǎo)電薄膜，在醇溶液中超聲除雜，干燥，即得高空穴注入能力的ITO透明導(dǎo)電薄膜。
【專利說(shuō)明】一種提高ITO透明導(dǎo)電薄膜空穴注入能力的方法及其應(yīng)用
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于導(dǎo)電薄膜表面處理【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種提高ITO透明導(dǎo)電薄膜空穴注入能力的方法及其在有機(jī)電致發(fā)光器件中的應(yīng)用。
【背景技術(shù)】
[0002]氧化銦錫(英文全稱為Indium tin oxide,簡(jiǎn)稱為ITO)透明導(dǎo)電薄膜不但具備優(yōu)異的導(dǎo)電性能，而且透光度達(dá)到90%，具有透明的特性；被廣泛用作有機(jī)電致發(fā)光器件(英文全稱為Organic Light-Emitting Diode,簡(jiǎn)稱為OLED)、液晶顯示器件(英文全稱為L(zhǎng)iquid crystal displays,簡(jiǎn)稱為L(zhǎng)CD)、有機(jī)光伏電池(英文全稱為OrganicPhotovoltaic,簡(jiǎn)稱為OPVs)等器件中的電極,還可以兼做透光窗口。
[0003]除了在平板顯示領(lǐng)域占主導(dǎo)地位外，由于ITO的表面電學(xué)性質(zhì)的影響，在有機(jī)器件領(lǐng)域中的應(yīng)用還不夠完善。常規(guī)方法制備的ITO透明導(dǎo)電薄膜表面功函數(shù)只有4.5eV-4.8eV,而OLED的有機(jī)功能層的最高電子占據(jù)軌道(英文全稱為Highest OccupiedMolecular Orbital，簡(jiǎn)稱為H0M0)能級(jí)約為5.7eV_6.3eV，空穴要克服大于IeV的勢(shì)壘高度注入OLED內(nèi)部較困難，需要給OLED施加很高的電壓，且空穴注入效率不高，從而導(dǎo)致OLED發(fā)光強(qiáng)度和光效低，器件穩(wěn)定性差?，F(xiàn)有技術(shù)中，一般會(huì)在ITO上引入空穴注入層，如聚乙撐二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸鹽(PED0T:PSS)層或者氧化鑰層，用以匹配Η0Μ0能級(jí)與ITO的功函數(shù)，從而實(shí)現(xiàn)空穴的有效注入。如果能通過ITO表面修飾，降低空穴從電極注入到OLED有機(jī)功能層Η0Μ0的勢(shì)壘，就可以大幅度提高OLED發(fā)光強(qiáng)度和光效，延長(zhǎng)器件壽命。
[0004]正是由于ITO薄膜具有很好的電學(xué)性能和光學(xué)性能，因此研究其制備方法的研究很多，現(xiàn)有提高ITO表面空穴注入能力的方法包括酸清洗、紫外光臭氧處理清潔、氧等離子體處理、磁控濺射法、氣相沉積法等。理論上酸清洗可以一定程度上改變ITO表面極性，提高表面功函數(shù)，但是實(shí)驗(yàn)效果對(duì)ITO表面空穴注入能力的提高不顯著。紫外光臭氧處理清潔實(shí)質(zhì)上只起到清潔ITO表面有機(jī)雜質(zhì)的作用，并不能實(shí)質(zhì)提高ITO表面空穴注入能力，效果很有限。氧等離子體處理包括氧等離子體浴和注入，氧等離子體處理能清潔ITO表面有機(jī)雜質(zhì)的同時(shí)，使ITO表面終端氧成份增加，表面極化增強(qiáng)，從而提高ITO表面空穴注入能力。日本專利JP2006345377公開了一種通過氧等離子體浴提高ITO表面功函數(shù)的方法，但是，通過氧等離子體浴提高ITO表面終端氧成份受到表面化學(xué)平衡的制約，提高空間是非常有限的，并且不可控制，處理結(jié)束后，ITO表面處理效果在短時(shí)間內(nèi)會(huì)退化；而且，更重要的是ITO表面未被牢固鍵合的氧原子會(huì)滲入有機(jī)材料內(nèi)，破壞有機(jī)材料的光電特性。中國(guó)專利CN102610765A公開了一種通過氧等離子體注入提高ITO表面空穴注入能力的方法，具體是采用射頻或微波放電激發(fā)的方式在真空室中產(chǎn)生大體積等離子體，連接高電壓負(fù)脈沖方波電源，將高能氧離子注入到ITO表面并留在ITO表層內(nèi)；雖然可以提高ITO表面空穴注入能力，但是設(shè)備投資大、工藝復(fù)雜，氧離子在ITO中的注入位置很難控制，因此，在實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化之前需要進(jìn)一步的研究使其不斷完善和改進(jìn)。
【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為此，本發(fā)明所要解決的是現(xiàn)有技術(shù)中用于提高ITO表面空穴注入能力效果有限的問題，提供一種用于提高ITO透明導(dǎo)電薄膜空穴注入能力的方法。
[0006]進(jìn)一步地，本發(fā)明還提供了一種含有所述高空穴注入能力的ITO透明導(dǎo)電薄膜的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0007]為實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:
[0008]一種提高ITO透明導(dǎo)電薄膜空穴注入能力的方法，包括下述步驟:
[0009]S1、在溶劑超干苯溶液中加入一種或兩種結(jié)構(gòu)式(I )所示結(jié)構(gòu)的化合物，所述化合物與溶劑超干苯溶液的體積比為0.1% -5%，充分混合；
[0010]
【權(quán)利要求】
1.一種提高ITO透明導(dǎo)電薄膜空穴注入能力的方法，其特征在于，包括下述步驟: 51、在溶劑超干苯溶液中加入一種或兩種結(jié)構(gòu)式(I)所示結(jié)構(gòu)的化合物，所述化合物與溶劑超干苯溶液的體積比為0.1% -5%，充分混合；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高ITO透明導(dǎo)電薄膜空穴注入能力的方法，其特征在于，所述步驟SI的化合物具有結(jié)構(gòu)式(II )或結(jié)構(gòu)式(III)所示結(jié)構(gòu):
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高ITO透明導(dǎo)電薄膜空穴注入能力的方法，其特征在于，所述的η選自2-6之間的整數(shù)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高ITO透明導(dǎo)電薄膜空穴注入能力的方法，其特征在于，所述的結(jié)構(gòu)式(II )化合物為:
C6H15ClO3Si' C6H15BrO3Si, C7H17ClO3Si' C6H15IO3Si' C6H17NO3Si' C7H17BrO3Si, C7H17IO3Si'C5H13BrO3Si, C5H13IO3Si' C5H15NO3S1、C7H19NO3S1、C8H19ClO3S1、C8H19BrO3Si, C8H19IO3Si'C8H21NO3Si' C9H21ClO3Si' C8H21BrO3Si, C9H21IO3Si' C9H23NO3Si ；、C13H29ClO3Si' C13H29BrO3Si,C13H29IO3Si'C13H31NO3Si ；、C4H11ClO3Si'C4H11BrO3Si'C4H11IO3Si'C4H13NO3Si ； 所述的結(jié)構(gòu)式(III)化合物為:
C2H6ClO3P^ C2H6BrO3P^ C2H6IO3P^ C2H8NO3P^ C3H8ClO3P^ C3H8BrO3P^ C3H8IO3P^ C3H10NO3P^C4H10ClO3P^ C4H10BrO3P^ C4H10IO3P^ C4H12NO3P^ C5H12ClO3P^ C5H12BrO3P^ C5H12IO3P^ C5H14NO3P^C6H14ClO3P^ C6H14BrO3P^ C6H14IO3P^ C6H16N03P。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高ITO透明導(dǎo)電薄膜空穴注入能力的方法，其特征在于，步驟Si中所述的超干苯溶液為甲苯溶液或氯苯溶液。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高ITO透明導(dǎo)電薄膜空穴注入能力的方法，其特征在于，所述步驟S2中，導(dǎo)電玻璃表面浸泡在步驟SI中所制的混合溶液中的時(shí)間為2-6小時(shí)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高ITO透明導(dǎo)電薄膜空穴注入能力的方法，其特征在于，所述步驟S2中，UV光照處理導(dǎo)電玻璃表面時(shí)間為5-10分鐘。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高ITO透明導(dǎo)電薄膜空穴注入能力的方法，其特征在于，所述步驟S3中，所述醇溶液為甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高ITO透明導(dǎo)電薄膜空穴注入能力的方法，其特征在于，所述步驟S3中，所述導(dǎo)電玻璃在所述醇溶液中超聲5-20分鐘。
10.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，依次包括基板、陽(yáng)極、至少一個(gè)發(fā)光層、功能層和陰極層，其特征在于: 所述陽(yáng)極為權(quán)利要求1-8任一所述方法制得的ITO透明導(dǎo)電薄膜； 所述功能層為空穴傳輸層； 所述的空穴傳輸層設(shè)置在ITO透明導(dǎo)電薄膜上，所述的發(fā)光層設(shè)置在所述的空穴傳輸層和所述陰極之間。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于:所述的功能層還包括電子傳輸層和/或電子注入層。
【文檔編號(hào)】H01L51/54GK104009188SQ201410201085
【公開日】2014年8月27日 申請(qǐng)日期:2014年5月13日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月13日
【發(fā)明者】邱勇, 段煉, 趙炎 申請(qǐng)人:清華大學(xué), 北京維信諾科技有限公司