一種薄膜晶體管基板及其制作方法和液晶顯示器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明適用于顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，提供了一種薄膜晶體管基板的制作方法：在基板表面上依次形成第一金屬層、第一化學(xué)氣相沉積膜層、第二金屬層、以及第二化學(xué)氣相沉積膜層；在第二化學(xué)氣相沉積膜層上形成光阻；用光罩對所述光阻進(jìn)行曝光和顯影，光罩對應(yīng)的位置為共享電容區(qū)域；對第二化學(xué)氣相沉積膜層上的光阻被去除的過孔區(qū)域進(jìn)行過孔蝕刻；對光阻進(jìn)行灰化，去除所述共享電容區(qū)域的光阻；蝕刻共享電容區(qū)域的氮化硅層；形成一像素電極層。本發(fā)明讓共享電容的兩個(gè)金屬電極間夾著的介質(zhì)僅為氮化硅層，讓共享電容的大小在金屬電極極性變化時(shí)保持不變，可以改善畫質(zhì)，還可以節(jié)省液晶電視的背光電能損耗。
【專利說明】一種薄膜晶體管基板及其制作方法和液晶顯示器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種薄膜晶體管基板的制作方法、薄膜晶體管基板及薄膜晶體管液晶顯示器。
【背景技術(shù)】
[0002]大尺寸的TFT-LCD (Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,超薄膜晶體管液晶顯示器)在平板電視領(lǐng)域獲得了廣泛的應(yīng)用。平板電視區(qū)別于電腦顯示屏或手機(jī)屏的顯著要求是需要比較廣的視角，以便讓人能在比較隨意的角度都能夠看清電視顯示的畫面。
[0003]對于VA(Vertical Alignment,垂直配向技術(shù))面板來講,增加視角的比較傳統(tǒng)的方法是將一個(gè)像素細(xì)分成兩個(gè)子像素，每個(gè)子像素都因像素電極ITO (Indium Tin Oxide，摻錫氧化銦)方向的不同，分成4domain的結(jié)構(gòu)。其中一個(gè)子像素的像素電極通過一個(gè)TFT開關(guān)連接到一個(gè)電荷共享電容上。當(dāng)這個(gè)TFT開關(guān)打開時(shí)，子像素的電荷會部分流入到電荷共享電容，導(dǎo)致這個(gè)子像素的電壓比另一個(gè)子像素的電壓略小，從而使得兩個(gè)子像素的亮度不一樣。這樣便可以形成Sdomain結(jié)構(gòu)，可以增加畫面的視角。
[0004]—般來講，電荷共享電容都由信號線金屬電極和金屬柵電極作為電容極板，中間夾著As層的絕緣層形成MIM(Metal injection Molding,金屬注射成形)結(jié)構(gòu)。在5道光罩工藝中，因As層的有源成非晶硅層和歐姆接觸層(摻雜磷元素的硅層)都被蝕刻掉，所以電荷共享電容的兩個(gè)金屬極板之間夾著的僅為氮化硅絕緣層。這種電容的大小不會隨著金屬極板正負(fù)極性的變化而變化。
[0005]TFT-1XD陣列基板的生產(chǎn)為了加大產(chǎn)能，減少生產(chǎn)成本，目前已經(jīng)由5道光罩工藝改進(jìn)到4道光罩工藝，即在CVD (Chemical Vapor Deposition,化學(xué)氣相沉積)成膜形成柵極絕緣層和有源層后，取消曝光和蝕刻步驟，直接進(jìn)行第二金屬電極層的成膜，然后用半灰階光罩，搭配濕式蝕刻和干式蝕刻，形成信號電極和TFT溝道。用4道光罩工藝形成的電荷共享電容，信號線金屬電極與柵電極間夾的是完整的CVD的膜，包括氮化硅絕緣層，非晶硅層和歐姆接觸層。電荷共享電容的兩個(gè)金屬極板之間夾著有非晶硅層和歐姆接觸層、氮化硅絕緣層時(shí)，區(qū)別于僅有氮化硅絕緣層的狀況，在兩個(gè)金屬極板的正負(fù)極性變化時(shí)，電容的大小會發(fā)生變化。這一電容的變化會導(dǎo)致畫面有影像殘留和閃爍等異常，導(dǎo)致畫質(zhì)下降和可靠性降低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的目的在于提供一種薄膜晶體管基板的制作方法、薄膜晶體管基板及薄膜晶體管液晶顯示器，旨在解決采用現(xiàn)有技術(shù)形成的電荷共享電容，在其兩個(gè)金屬極板的正負(fù)極性變化時(shí)，電容的大小會發(fā)生變化，這一電容的變化會導(dǎo)致畫面有影像殘留和閃爍等異常，導(dǎo)致畫質(zhì)下降和可靠性降低問題。
[0007]本發(fā)明是這樣實(shí)現(xiàn)的，一種薄膜晶體管基板的制作方法，所述薄膜晶體管基板的制作方法包括以下步驟:
[0008]提供一基板，在所述基板表面上依次形成第一金屬層、第一化學(xué)氣相沉積膜層、第二金屬層、以及第二化學(xué)氣相沉積膜層；其中，所述第一金屬層包括共享電容的下電極，所述第一化學(xué)氣相沉積膜層及所述第二化學(xué)氣相沉積膜層均分別包括氮化硅層；
[0009]在所述第二化學(xué)氣相沉積膜層上形成光阻；
[0010]用光罩對所述光阻進(jìn)行曝光和顯影，所述光罩對應(yīng)的位置為共享電容區(qū)域；
[0011]對所述第二化學(xué)氣相沉積膜層上的光阻被去除的過孔區(qū)域進(jìn)行過孔蝕刻；
[0012]對所述光阻進(jìn)行灰化，去除所述共享電容區(qū)域的光阻；
[0013]蝕刻所述共享電容區(qū)域的氮化硅層；
[0014]形成一像素電極層，其中所述像素電極層包括共享電容的上電極。
[0015]本發(fā)明的另一目的在于提供一種薄膜晶體管基板，所述薄膜晶體管基板包括:
[0016]—基板，在所述基板表面上依次設(shè)置第一金屬層、第一化學(xué)氣相沉積膜層、第二金屬層、第二化學(xué)氣相沉積膜層、以及像素電極層；其中，所述第一金屬層包括共享電容的下電極，所述第一化學(xué)氣相沉積膜層及所述第二化學(xué)氣相沉積膜層均分別包括氮化硅層；所述像素電極層包括共享電容的上電極，所述共享電容的上下電極層之間夾著所述第一化學(xué)氣相沉積膜層的氮化硅層與所述第二化學(xué)氣相沉積膜層的氮化硅層；或者是所述共享電容的上下電極層之間只夾著第一化學(xué)氣相沉積膜層的氮化硅層。
[0017]本發(fā)明的另一目的在于提供一種包括上面所述的薄膜晶體管基板的薄膜晶體管液晶顯示器。
[0018]在本發(fā)明中，采用第一金屬層和像素電極層做共享電容的兩個(gè)電極板，其中第二CVD膜層的光刻工藝中的光罩米用半灰階光罩曝光工藝,一方面，可以讓共享電容的兩個(gè)金屬電極間夾著的介質(zhì)僅為氮化硅層，讓共享電容的大小在金屬電極極性變化時(shí)保持不變，可以改善畫質(zhì)和可靠性。
[0019]另一方面，因第二 CVD膜層的光刻工藝中的光罩采用半灰階光罩曝光工藝，除了正常的刻出過孔外，還可以對共享電容的兩個(gè)金屬極板之間絕緣層進(jìn)行蝕刻。這樣就減少了共享電容的兩個(gè)金屬極板之間絕緣層的厚度，增加了共享電容的大小。這樣在相同的共享電容大小下，共享電容的金屬電極就可以做的更小，可以增加面板的開口率。面板開口率增加后，相對于相同的畫面亮度，背光源的功率可以減小，可以節(jié)省液晶電視的背光電能損耗。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0020]圖1是本發(fā)明實(shí)施例一提供的薄膜晶體管基板的制作方法的實(shí)現(xiàn)流程示意圖；
[0021]圖2是本發(fā)明實(shí)施例二提供的薄膜晶體管基板的制作方法的實(shí)現(xiàn)流程示意圖；
[0022]圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的電荷共享的像素結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖4是圖3中B-B’位置的剖面圖；
[0024]圖5是本發(fā)明實(shí)施例提供的共享電容的兩電極之間的氮化硅厚度變小的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】[0025]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及有益效果更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0026]在本發(fā)明實(shí)施例中，采用第一金屬層和像素電極層做電荷共享電容的兩個(gè)電極板，其中第二 CVD (化學(xué)氣相沉積)膜層的光罩米用半灰階光罩曝光工藝，一方面，可以讓電荷共享電容的兩個(gè)金屬電極間夾著的介質(zhì)僅為氮化硅層，讓電荷共享電容的大小在金屬電極極性變化時(shí)保持不變，可以改善畫質(zhì)；另一方面，還可以減少電荷共享電容的兩個(gè)金屬極板之間絕緣層的厚度，增加電荷共享電容的大小。這樣在相同的電荷共享電容大小下，電荷共享電容的金屬電極便可以做的更小，可以增加面板的開口率。
[0027]請參閱圖1，為本發(fā)明實(shí)施例一提供的薄膜晶體管基板的制作方法的實(shí)現(xiàn)流程，其包括以下步驟:
[0028]在步驟SlO中，提供一基板，在所述基板表面上依次形成第一金屬層、第一化學(xué)氣相沉積膜層、第二金屬層、以及第二化學(xué)氣相沉積膜層；其中，所述第一金屬層包括共享電容的下電極，所述第一化學(xué)氣相沉積膜層及所述第二化學(xué)氣相沉積膜層均分別包括氮化硅層；
[0029]在本發(fā)明實(shí)施例中，在所述基板表面上形成第一化學(xué)氣相沉積膜層的步驟包括:
[0030]在所述基板上依次連續(xù)成膜一氮化硅層、一非晶硅層、一歐姆接觸層，并形成第一化學(xué)氣相沉積膜層區(qū)域圖樣。
[0031]作為本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例，在所述基板表面上形成第一化學(xué)氣相沉積膜層后，還包括以下步驟:
[0032]在所述第一化學(xué)氣相沉積膜層上形成光阻；
[0033]對所述光阻進(jìn)行曝光和顯影；
[0034]對所述第一化學(xué)氣相沉積膜層上的光阻被去除的共享電容區(qū)域進(jìn)行蝕刻，以蝕刻掉第一化學(xué)氣相沉積膜層中的共享電容區(qū)域?qū)?yīng)位置的非晶硅層和歐姆接觸層；
[0035]在所述基板表面上形成第二金屬層后，蝕刻掉共享電容區(qū)域?qū)?yīng)位置的第二金屬層。
[0036]在步驟S20中，在所述第二化學(xué)氣相沉積膜層上形成光阻；
[0037]在步驟S30中，用光罩對所述光阻進(jìn)行曝光和顯影，所述光罩對應(yīng)的位置為共享電容區(qū)域；
[0038]在本發(fā)明實(shí)施例中，所述光罩米用的是半灰階光罩，所述半灰階光罩對應(yīng)的位置為共享電容的上電極的區(qū)域。
[0039]在步驟S40中，對所述第二化學(xué)氣相沉積膜層上的光阻被去除的過孔區(qū)域進(jìn)行過孔蝕刻；
[0040]在步驟S50中，對所述光阻進(jìn)行灰化，去除所述共享電容區(qū)域的光阻；
[0041]在本發(fā)明實(shí)施例中，所述對所述光阻進(jìn)行灰化，去除所述共享電容區(qū)域的光阻的步驟包括:
[0042]進(jìn)行光阻的灰化，及在干刻氣體中使用氧氣，對光阻進(jìn)行氧化去除；
[0043]調(diào)整灰化的秒數(shù)，當(dāng)共享電容區(qū)域的光阻被灰化去除時(shí)，便停止灰化。
[0044]在步驟S60中，蝕刻所述共享電容區(qū)域的氮化硅層；[0045]作為本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例，所述蝕刻所述共享電容區(qū)域的氮化硅層的步驟包括:
[0046]蝕刻掉所述第二化學(xué)氣相沉積膜層的部分氮化硅層，以使所述共享電容的上下電極層之間夾著第一化學(xué)氣相沉積膜層的氮化硅層與第二化學(xué)氣相沉積膜層的氮化硅層。
[0047]作為本發(fā)明另一優(yōu)選實(shí)施例，所述蝕刻所述共享電容區(qū)域的氮化硅層的步驟包括:
[0048]蝕刻掉所述第二化學(xué)氣相沉積膜層的全部氮化硅層，以使所述共享電容的上下電極層之間只夾著第一化學(xué)氣相沉積膜層的氮化硅層。
[0049]在本發(fā)明實(shí)施例中，在所述蝕刻所述共享電容區(qū)域的氮化硅層的步驟之后，還包括:
[0050]去除剩余的光阻。
[0051]在步驟S70中，形成一像素電極層，其中所述像素電極層包括共享電容的上電極。
[0052]請參閱圖2，為本發(fā)明實(shí)施例二提供的薄膜晶體管基板的制作方法的實(shí)現(xiàn)流程示意圖，所述方法包括以下步驟:
[0053]在步驟SlOl中，提供一基板，在所述基板表面上沉積第一金屬層，并形成所述第一金屬層的圖樣，其中所述第一金屬層的圖樣包括共享電容的下電極；
[0054]優(yōu)選地，基板可以為玻璃基板。
[0055]在本發(fā)明實(shí)施例中，在基板表面上沉積第一金屬層，并接著利用黃光及蝕刻工藝形成第一金屬層的圖樣，其中該第一金屬層的圖樣包括晶體管的柵極電極、共享電容的下電極及連接墊的墊電極。
[0056]在步驟S102中，在所述基板上成膜一第一化學(xué)氣相沉積膜層，并形成所述第一化學(xué)氣相沉積膜層區(qū)域圖樣，其中所述第一化學(xué)氣相沉積膜層區(qū)域圖樣包括氮化硅層；
[0057]在本發(fā)明實(shí)施例中，第一 CVD膜層包括一氮化硅層、一非晶硅層、一歐姆接觸層。步驟S102具體為:在所述基板上依次連續(xù)成膜一氮化硅層、一非晶硅層、一歐姆接觸層，并形成第一 CVD膜層區(qū)域圖樣。
[0058]在本發(fā)明實(shí)施例中，以化學(xué)氣相沉積在所述基板上依次連續(xù)成膜一氮化硅層、一非晶硅層、一歐姆接觸層，并接著利用黃光及蝕刻工藝形成第一 CVD膜層區(qū)域圖樣。
[0059]作為本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例，在所述基板表面上形成第一 CVD膜層后，還包括以下步驟:
[0060]在所述第一 CVD膜層上形成光阻；
[0061]對所述光阻進(jìn)行曝光和顯影；
[0062]對所述第一 CVD膜層上的光阻被去除的共享電容區(qū)域進(jìn)行蝕刻，以蝕刻掉第一CVD膜層中的共享電容區(qū)域?qū)?yīng)位置的非晶硅層和歐姆接觸層。
[0063]在步驟S103中，再以濺射沉積第二金屬層，并形成所述第二金屬層的圖樣；
[0064]在本發(fā)明實(shí)施例中，濺射沉積第二金屬層后，并接著利用黃光及蝕刻工藝形成第二金屬層的圖樣，所述第二金屬層包括信號電極。
[0065]作為本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例，在形成第二金屬層后，蝕刻掉共享電容區(qū)域?qū)?yīng)位置
的第二金屬層。
[0066]在步驟S104中，在所述基板上全面沉積一第二化學(xué)氣相沉積膜層；
[0067]在本發(fā)明實(shí)施例中，第二 CVD膜層可以為氮化硅層。[0068]在步驟S105中，在所述第二化學(xué)氣相沉積膜層上涂抹光阻；
[0069]在步驟S106中，用半灰階光罩對所述光阻進(jìn)行曝光，接著對光阻進(jìn)行顯影；
[0070]在本發(fā)明實(shí)施例中，所述半灰階光罩上半灰階區(qū)域所對應(yīng)的位置為共享電容兩極板相對的區(qū)域，具體地，所述半灰階光罩對應(yīng)的位置為共享電容的上電極的區(qū)域。
[0071]在步驟S107中，對所述第二化學(xué)氣相沉積膜層上的光阻被去除的過孔區(qū)域進(jìn)行過孔蝕刻；
[0072]在本發(fā)明實(shí)施例中，優(yōu)選地，進(jìn)行過孔蝕刻采用的是干蝕刻。
[0073]在步驟S108中，對所述光阻進(jìn)行灰化，去除共享電容區(qū)域的半灰階光阻；
[0074]優(yōu)選地，對所述光阻進(jìn)行灰化，去除所述共享電容區(qū)域的半灰階光阻，其采用的是干蝕刻工藝。
[0075]在本發(fā)明實(shí)施例中，如光阻層的厚度可為1.5um?2.2um,當(dāng)過孔區(qū)域的光阻被去除，電荷共享電容兩極板相對位置區(qū)域的光阻厚度為0.3um?0.6um，其它未曝光區(qū)域的光阻厚度保持不變。
[0076]作為本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例，所述對光阻進(jìn)行灰化，去除所述共享電容區(qū)域的半灰階光阻的步驟包括:
[0077]進(jìn)行光阻灰化時(shí)(即在干刻氣體中使用氧氣，對光阻進(jìn)行氧化去除)，調(diào)整灰化的秒數(shù)，當(dāng)共享電容區(qū)域的光阻被灰化去除時(shí),便停止灰化。
[0078]在步驟S109中，蝕刻所述共享電容區(qū)域的氮化硅層；
[0079]在本發(fā)明實(shí)施例中，優(yōu)選地，蝕刻所述共享電容區(qū)域的氮化硅層采用的是干蝕刻。電荷共享電容區(qū)域的SiNx膜厚可為100?400納米。
[0080]作為本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例，在步驟S109之后，還包括:
[0081]去除剩余的光阻。
[0082]在步驟SllO中，再以濺射沉積一像素電極層，并形成所述像素電極層的圖樣，其中所述像素電極層的圖樣包括共享電容的上電極。
[0083]在本發(fā)明實(shí)施例中，濺射沉積一像素電極層后，并接著利用黃光及蝕刻工藝形成所述像素電極層的圖樣。
[0084]其中，像素電極層可以是銦錫氧化物ITO或銦鋅氧化物IZO等等。
[0085]通過上述薄膜晶體管基板的制作方法得到的電荷共享的像素結(jié)構(gòu)如圖3所示。
[0086]如圖3所示，圖3中標(biāo)號11和13分別為第η根掃描線和第n+1根掃描線，12，15，19為與掃描線同一次光刻工藝做成，12是公共電極,15是遮光線，19為電荷共享電容的下電極。
[0087]在圖3中，標(biāo)號14是信號線，17是兩個(gè)背對背的TFT元件，通過源極18和漏極16分別給主像素(main pixel)和子像素(sub pixel)提供電信號。標(biāo)號230是main pixel的ITO電極，200是sub pixel的ITO電極。標(biāo)號210是電荷共享電容的TFT。標(biāo)號221是電荷共享電容的上電極。
[0088]在本發(fā)明實(shí)施例中，電荷共享方式是通過如下方式來達(dá)到廣視角的目的:掃描線11提供開啟電壓時(shí)，TFT元件17開啟，將信號線的電壓信號寫入到main pixel230和subpixel200中，之后掃描線11提供關(guān)閉電壓，而掃描線13提供開啟電壓，這時(shí)共享電容的TFT210開啟，將sub pixel200上的電荷共享到共享電容中。這樣main pixel和sub pixel的電壓將不同，通過米字狀電極便能夠達(dá)到Sdomain的效果，從而增加了廣視角的效果。這種8domain廣視角的效果要優(yōu)于4domain的廣視角的效果。
[0089]圖3中的共享電容的上電極221，是與ITO電極層相同的層別，通過過孔與共享電容的TFT210相連。圖4是圖3中B-B’位置的剖面圖。共享電容的上電極212是ΙΤ0，是與ITO像素電極層相同的層別；共享電容的下電極215是第一金屬層,是與掃描電極層相同的層別。所述第二 CVD積膜層包括氮化硅層；當(dāng)蝕刻掉所述第二化學(xué)氣相沉積膜層的部分氮化娃層，所述共享電容的上下電極層之間夾著第一 CVD膜層的氮化娃層(非晶娃層和磷摻雜的非晶硅都已經(jīng)蝕刻掉)與第二 CVD膜層的氮化硅層。所述第一化學(xué)氣相沉積膜層的氮化硅層厚度為300?400納米，第二化學(xué)氣相沉積膜層的氮化硅層厚度為200?250納米；這樣圖3中的共享電容之間氮化硅的總厚度是500?650納米。這種共享電容雖然電容的大小不會隨著兩個(gè)金屬基板的正負(fù)極性變化發(fā)生變化，但金屬基板間的距離較大，共享電容的電容值較小。
[0090]平板電容的計(jì)算公式:C = ε ε O* (S/d) , ε為相對介電常數(shù)，ε O為真空介電常數(shù)，S為平行電極板的面積，d為極板間的距離。
[0091]因此，如何保持共享電容的大小不變的前提下，縮小共享電容極板的面積，增加開口率，正是本發(fā)明所要闡述的內(nèi)容。
[0092]本發(fā)明所闡述的共享電容設(shè)計(jì)與圖3 —樣，只是制作方法上有所不同。本發(fā)明實(shí)施例是在第二 CVD膜層鍍膜后，進(jìn)行曝光工藝，其所用的光罩為半灰階光罩，半灰階光罩區(qū)域恰好設(shè)計(jì)在共享電容的上極板的區(qū)域，而正常的過孔區(qū)域?yàn)槿_不變。相應(yīng)的，曝光后的干蝕刻工藝也由一步干蝕刻工藝變成三步的干蝕刻工藝:刻過孔，灰化半灰階光阻，蝕刻共享電容區(qū)域的SiNx。通過控制蝕刻秒數(shù)，可以保證共享電容區(qū)域的SiNx剩余厚度在100?400納米。
[0093]采用本發(fā)明實(shí)施例提供的制作工藝，可以使共享電容的兩電極之間的SiNx厚度變小，如圖5所示。共享電容之間的距離減少，相應(yīng)的兩電極的面積也可以減小，這樣就增加了 Pixel的開口率，面板的穿透率會相應(yīng)增加，面板便更具有節(jié)能的特性。同時(shí)，共享電容之間的介質(zhì)是單一介質(zhì)SiNx，不含非晶硅層和磷摻雜的非晶硅，電容的大小不會隨基板的極性發(fā)生變化，增加了面板的可靠性和減少了閃爍等不良。
[0094]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種薄膜晶體管基板，所述薄膜晶體管基板包括:
[0095]—基板，在所述基板表面上依次設(shè)置第一金屬層、第一化學(xué)氣相沉積膜層、第二金屬層、第二化學(xué)氣相沉積膜層、以及像素電極層；其中，所述第一金屬層包括共享電容的下電極，所述第一化學(xué)氣相沉積膜層及所述第二化學(xué)氣相沉積膜層均分別包括氮化硅層；所述像素電極層包括共享電容的上電極，所述共享電容的上下電極層之間夾著所述第一化學(xué)氣相沉積膜層的氮化硅層與所述第二化學(xué)氣相沉積膜層的氮化硅層；或者是所述共享電容的上下電極層之間只夾著第一化學(xué)氣相沉積膜層的氮化硅層。
[0096]作為本發(fā)明一實(shí)施例，當(dāng)蝕刻掉所述第二化學(xué)氣相沉積膜層的部分氮化硅層，以使所述共享電容的上下電極層之間夾著第一化學(xué)氣相沉積膜層的氮化硅層與第二化學(xué)氣相沉積膜層的氮化硅層，從而使得所述共享電容之間氮化硅的總厚度可以是500?650納米。
[0097]作為本發(fā)明另一實(shí)施例，當(dāng)蝕刻掉所述第二化學(xué)氣相沉積膜層的全部氮化硅層，以使所述共享電容的上下電極層之間只夾著第一化學(xué)氣相沉積膜層的氮化硅層，從而使得所述共享電容之間氮化硅的總厚度可以是100?400納米。
[0098]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種包括上面所述的薄膜晶體管基板的薄膜晶體管液晶顯示器。然而，可以理解的是，所述薄膜晶體管液晶顯示器可為TFT-1XD。
[0099]綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例采用第一金屬層和像素電極層做共享電容的兩個(gè)電極板，其中第二 CVD膜層的光刻工藝中的光罩采用半灰階光罩曝光工藝，一方面，可以讓共享電容的兩個(gè)金屬電極間夾著的介質(zhì)僅為氮化硅層，讓共享電容的大小在金屬電極極性變化時(shí)保持不變，可以改善畫質(zhì)和可靠性。
[0100]另一方面，因第二 CVD膜層的光刻工藝中的光罩采用半灰階光罩曝光工藝，除了正常的刻出過孔外，還可以對共享電容的兩個(gè)金屬極板之間絕緣層進(jìn)行蝕刻。這樣就減少了共享電容的兩個(gè)金屬極板之間絕緣層的厚度，增加了共享電容的大小。這樣在相同的共享電容大小下，共享電容的金屬電極就可以做的更小，可以增加面板的開口率。面板開口率增加后，相對于相同的畫面亮度，背光源的功率可以減小，可以節(jié)省液晶電視的背光電能損耗。
[0101]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種薄膜晶體管基板的制作方法，其特征在于，所述薄膜晶體管基板的制作方法包括以下步驟: 提供一基板，在所述基板表面上依次形成第一金屬層、第一化學(xué)氣相沉積膜層、第二金屬層、以及第二化學(xué)氣相沉積膜層；其中，所述第一金屬層包括共享電容的下電極，所述第一化學(xué)氣相沉積膜層及所述第二化學(xué)氣相沉積膜層均分別包括氮化硅層； 在所述第二化學(xué)氣相沉積膜層上形成光阻； 用光罩對所述光阻進(jìn)行曝光和顯影，所述光罩對應(yīng)的位置為共享電容區(qū)域； 對所述第二化學(xué)氣相沉積膜層上的光阻被去除的過孔區(qū)域進(jìn)行過孔蝕刻； 對所述光阻進(jìn)行灰化，去除所述共享電容區(qū)域的光阻； 蝕刻所述共享電容區(qū)域的氮化硅層； 形成一像素電極層，其中所述像素電極層包括共享電容的上電極。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板的制作方法，其特征在于，所述光罩采用的是半灰階光罩，所述半灰階光罩對應(yīng)的位置為共享電容的上電極的區(qū)域。
3.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板的制作方法，其特征在于，在所述基板表面上形成第一化學(xué)氣 相沉積膜層的步驟包括: 在所述基板上依次連續(xù)成膜一氮化硅層、一非晶硅層、一歐姆接觸層，并形成第一化學(xué)氣相沉積膜層區(qū)域圖樣。
4.如權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管基板的制作方法，其特征在于，在所述基板表面上形成第一化學(xué)氣相沉積膜層后，還包括以下步驟: 在所述第一化學(xué)氣相沉積膜層上形成光阻； 對所述光阻進(jìn)行曝光和顯影； 對所述第一化學(xué)氣相沉積膜層上的光阻被去除的共享電容區(qū)域進(jìn)行蝕刻，以蝕刻掉第一化學(xué)氣相沉積膜層中的共享電容區(qū)域?qū)?yīng)位置的非晶硅層和歐姆接觸層； 在所述基板表面上形成第二金屬層后，蝕刻掉共享電容區(qū)域?qū)?yīng)位置的第二金屬層。
5.如權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管基板的制作方法，其特征在于，所述蝕刻所述共享電容區(qū)域的氮化硅層的步驟包括: 蝕刻掉所述第二化學(xué)氣相沉積膜層的部分氮化硅層，以使所述共享電容的上下電極層之間夾著第一化學(xué)氣相沉積膜層的氮化硅層與第二化學(xué)氣相沉積膜層的氮化硅層。
6.如權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管基板的制作方法，其特征在于，所述蝕刻所述共享電容區(qū)域的氮化硅層的步驟包括: 蝕刻掉所述第二化學(xué)氣相沉積膜層的全部氮化硅層，以使所述共享電容的上下電極層之間只夾著第一化學(xué)氣相沉積膜層的氮化硅層。
7.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板的制作方法，其特征在于，在所述蝕刻所述共享電容區(qū)域的氮化硅層的步驟之后，還包括: 去除剩余的光阻。
8.一種薄膜晶體管基板，其特征在于，所述薄膜晶體管基板包括: 一基板，在所述基板表面上依次設(shè)置第一金屬層、第一化學(xué)氣相沉積膜層、第二金屬層、第二化學(xué)氣相沉積膜層、以及像素電極層；其中，所述第一金屬層包括共享電容的下電極，所述第一化學(xué)氣相沉積膜層及所述第二化學(xué)氣相沉積膜層均分別包括氮化硅層；所述像素電極層包括共享電容的上電極，所述共享電容的上下電極層之間夾著所述第一化學(xué)氣相沉積膜層的氮化硅層與所述第二化學(xué)氣相沉積膜層的氮化硅層；或者是所述共享電容的上下電極層之間只夾著第一化學(xué)氣相沉積膜層的氮化硅層。
9.如權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管基板，其特征在于， 所述共享電容之間氮化硅的總厚度是500~650納米，或者 所述共享電容之間氮化硅的總厚度是100~400納米。
10.一種包括權(quán) 利要求8或9任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管基板的薄膜晶體管液晶顯示器。
【文檔編號】H01L21/77GK103996657SQ201410201456
【公開日】2014年8月20日 申請日期:2014年5月13日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月13日
【發(fā)明者】李金磊 申請人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司